JP4830995B2 - 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、処理室内において、例えば半導体デバイスやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）基板等に例えば疎水化処理等の所定の基板処理を行う技術に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板等の製造プロセスにおける、レジストパターンの形成処理の一連の工程の一つに、基板例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対する疎水化処理がある。この処理は、ウエハにレジスト液を塗布する前に、下地膜とレジスト膜との密着性を向上させるために行われるものであり、ウエハの表面に対してＨＭＤＳ（hexamethyl disilazane）の蒸気を吹き付けて薄い被膜を形成し、親水性のウエハＷの表面を疎水性に変化させるために行われる。

この疎水化処理について、当該処理を行う装置の構成と合わせて図１４及び図１５を用いて説明する。先ずウエハＷを容器本体１１と蓋体１２とからなる処理室１０内に搬入し、載置部１３上に載置する（ステップＳ１１）。つまり容器本体１１を蓋体１２に対して下降させることにより蓋体１２との間に開口部を形成して、この開口部を介してウエハＷを搬入し、次いで容器本体１１を上昇させて容器本体１１と蓋体１２とを接触させ、前記開口部を閉じる。この際、前記載置部１３に外部の搬送手段からウエハＷを受け渡すときには前記載置部１３内に内蔵された昇降ピン１４が用いられる。

次いで処理室１０を密閉する（ステップＳ１２）。このように処理室１０を密閉する理由は、前記ＨＭＤＳガスがクリーンルーム中に放出されるとパーティクルの原因となったり、空気中の水分と反応して、レジストパターンの形状に悪影響を及ぼすアンモニアを生成してしまうので、処理室１０からのＨＭＤＳガスの漏洩を防止するためである。具体的には、処理室１０の密閉は、容器本体１１と蓋体１２との接触部に形成された排気路１５を密閉用排気手段１６により排気して、容器本体１１と蓋体１２とを吸着して密着させることにより行う。図中１５ａは前記排気路１５の周囲に設けられたシール部材である。

続いてＨＭＤＳガスを処理室１０内に供給して、疎水化処理を行なう（ステップＳ１３）。蓋体１２のほぼ中央部には、ラッパ状に形成されたガスノズル１７が設けられており、ＨＭＤＳガスはガス供給管１６、蓋体１２の内部に形成されたガス供給路１７ａを介して前記ガスノズル１７からスプレー状に処理室１０内に供給されるようになっている。

こうして疎水化処理を行った後、蓋体１２を開く前にガスの置換処理を行なう（ステップＳ１４）。このように置換処理を行うのは、処理室１０からＨＭＤＳガスが放出されることを防ぐためである。この処理では、前記ガス供給管１６に置換ガスであるＮ_２（窒素）ガスを供給すると共に、前記排気手段１９を作動させることにより行われる。次いで置換処理終了後、排気手段１９を停止して処理室１０内を大気圧に戻すと共に、密閉用排気手段１６を停止して、処理室１０を開放する（ステップＳ１５）。そして容器本体１１を下降させて処理室１０を開口させ、ウエハＷを処理室１０から搬出する（ステップＳ１６）。

このような疎水化処理装置では、前記ガスノズル１７は、ウエハＷの上方側に設けられており、ここからウエハＷ中央に向かってスプレー状にＨＭＤＳガス等を吹き付けるように構成されている。このためガスノズル１７からウエハＷ表面に対して、ＨＭＤＳガスが局所的に強い圧力で直接吹き付けられるので、この吹き付けられるときの衝撃により、ウエハ中央部において他の領域に比べて疎水化度が低下してしまうという現象が発生するおそれがある。またガスノズル１７がウエハＷの真上に設けられているので、ガスノズル１７自体や配管内にダストが付着していた場合に、これらのダストがＨＭＤＳガスと共にウエハ表面に落下し、こうしてウエハ表面にパーティクルが付着し、表面欠陥の発生原因となるおそれもある。

さらに上述の疎水化処理装置では、ＨＭＤＳガスの漏洩を防ぐために、処理室１０を密閉すると共に、疎水化処理の後に、処理室１０内のＨＭＤＳガスをＮ_２ガスにより置換する置換処理を行う必要があり、これにより図１５に示すように、処理室１０へのウエハ搬入→処理室１０の密閉→疎水化処理→置換処理→処理室１０の開放→処理室１０からのウエハ搬出というように処理ステップが多くなり、トータルの処理時間が長くなってしまうという問題もある。

さらにまた処理室１０の密閉化を達成するためには、容器本体１１と蓋体１２との間に、排気路１５やシール部材１５ａ、密閉用排気手段１６等の密閉化機構を設ける必要があって構成部品が増加し、構造が複雑になるので装置の組み立て作業に手間がかかるという問題が生じる。さらに構造が複雑になる分、装置の組み立て誤差が発生しやすく、その調整作業や、組み立て誤差の有無の検査や管理なども必要となり、作業者の負担が増大するという問題がある。

そこで本発明者らは、処理室を密閉させずに、処理室の一端側からＨＭＤＳガスを導入して処理室の他端側から排気させることにより疎水化処理を行う手法について検討している。ところで特許文献１には、上部カバー１００と、下部カバー１０２との間において、搬送路３２上を移動する基板Ｇの被処理面に向けてＨＭＤＳガスを吹き付ける構成が記載されているが、この構成によっても、ＨＭＤＳガスは基板Ｇの上部側から当該基板Ｇに対して直接吹き付けられるように構成されているので、上述の課題を解決することはできない。

特開２００７−１９３４０号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、処理室を密閉させずに処理室からのガスの漏洩を抑制すると共に、基板に対して面内均一性の高い処理を行い、さらに基板へのパーティクルの付着を抑えることにある。

このため本発明の基板処理装置は、その内部に基板の載置台が設けられると共に、その一端側に少なくとも基板の搬入出時に開口する基板搬入出用の開口部が形成された扁平な処理室と、
前記処理室の前記開口部側に設けられ、前記載置台に載置された基板と処理室の天板との間に、前記基板の表面を処理する処理ガスを吐出してこの基板表面の全域に気流を形成するためのガス吐出部と、
前記載置台に載置された基板を挟んで前記ガス吐出部と対向するように、前記処理室に横方向に沿って形成された吸引排気口と、
前記吸引排気口に接続され、前記処理室内の雰囲気を吸引排気するための吸引排気路と、
この吸引排気路に設けられ、前記処理室内の排気量を調整するための排気量調整部と、
前記ガス吐出部から処理ガスを吐出させて前記載置台上に載置された基板に対して処理を行うときには、前記処理室内を低排気状態にて排気し、前記ガス吐出部からの処理ガスの吐出を停止して基板の搬入出を行うときには、前記処理室内を高排気状態にて排気するように前記排気量調整部を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。ここで前記開口部は、常時開口するように構成することができる。また前記ガス吐出部は、前記処理室における前記開口部の下方側に設けられることがこのましい。

前記排気量調整部は、前記吸引排気路に設けられた排気室と、この排気室に形成された外気取り込み口と、この外気取り込み口の開口量を調整するための開閉部材と、を備え、前記制御手段は、前記開閉部材による外気取り込み口の開口量を調整して、前記処理室内の排気量を制御するように構成することができる。また前記開閉部材は複数のダンパからなり、これらダンパの開閉の組み合わせにより前記外気取り込み口の開口量が調整されるように構成してもよい。

さらに前記処理室における前記載置台と天板との間に、前記載置台上に載置された基板と対向するように、この基板よりも大きい整流板を設けるように構成してもよいし、前記開口部の上下方向の大きさは、処理室から見て外端側が最も狭められるように形成されるものであってもよい。さらにまた前記処理室から搬出される基板に対して不活性ガスを供給するためのガス供給部をさらに設けるようにしてもよい。ここで前記基板に対して行われる処理は、基板の表面を疎水化するための処理である。

また本発明の基板処理方法は、扁平な処理室の内部に、その一端側に形成された開口部から基板を搬入する工程と、
次いで前記処理室の一端側から前記基板と天板との間に、この基板の表面を処理する処理ガスを吐出して、前記基板表面の全域に気流を形成すると共に、前記処理室の他端側に横方向に沿って形成された吸引排気口により前記処理室内の雰囲気を低排気状態で吸引排気しながら、前記基板に対して処理を行う工程と、
前記処理ガスの吐出を停止し、前記吸引排気口により前記処理室内の雰囲気を高排気状態で吸引排気して前記開口部から外気を取り込みながら、前記開口部から基板を搬入出する工程と、を含むことを特徴とする。

ここで前記処理室内から処理ガスにより処理された基板を搬出する前に、前記処理室内を高排気状態に吸引排気して前記開口部から外気を取り込み、前記処理室内を外気により置換する工程を行うようにしてもよい。この際前記処理室内の排気量は、前記吸引排気口を介して前記処理室内を吸引排気するための吸引排気路に設けられた排気室に外気取り込み口を形成し、この外気取り込み口の開口量を調整することにより制御される。

さらに本発明の記憶媒体は、処理室内において基板に処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、前記基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明によれば、処理室内において基板の一端側から他端側に流れる気流が形成され、処理が行われた基板を開口部から搬出するときには、処理ガスの吐出を停止して前記処理室内を高排気状態にて排気しているので、処理室を密閉しなくても、処理室からの処理ガスの漏洩を抑制することができる。また基板表面に対して局所的に強い圧力で処理ガスが供給されることがないため、基板に対して面内均一性の高い処理を行うことができる。さらにガス吐出部が基板の側方に設けられていることから、このガス吐出部から基板表面へのパーティクルの落下が抑えられる。

以下、本発明の実施の形態について、基板例えばウエハＷに対して疎水化処理を行うための疎水化処理装置に本発明の基板処理装置を適用した場合を例にして説明する。図１は前記疎水化処理装置２の縦断断面図である。この疎水化処理装置２は、処理容器をなす筐体２０を備えており、筐体２０の側壁にはウエハＷの搬送口２１が開口されて、この搬送口２１を介して筐体２０内に外気が流入するようになっている。また筐体２０内の下部には基台２２が設けられており、搬送口２１に向かう側を一端側とすると、この基台２２の一端側はウエハＷを搬送するための搬送ステージ３として構成され、他端側はウエハＷに対して疎水化処理を行うための扁平な処理室４として構成されている。

前記搬送ステージ３は、外部の図示しない搬送手段からウエハＷを受け取ると共に、前記処理室４内にウエハＷを搬送するための搬送プレート３１を備えている。この搬送プレート３１は、例えば図２に示すように、例えばウエハＷと略同じか小さい略円板状に構成され、この上にウエハＷを載置して搬送するようになっている。またその裏面側には、例えば温度調節水を流すための図示しない冷却機構を備えていて、当該搬送プレート３１に載置されたウエハＷを粗冷却し、処理室４における処理の前後にウエハＷの面内温度を揃えるように構成されている。

この搬送プレート３１は、外部の搬送手段からウエハＷを受け取る第１の位置（図１及び図２に示す位置）と、処理室４内にウエハＷを受け渡す第２の位置との間で、移動機構３２により、筐体２０の長さ方向（図２中Ｘ方向）に伸びる搬送用基台３３に沿って移動可能に構成されている。前記搬送用基台３３は、前記搬送ステージ３１の一部をなしている。また前記搬送ステージ３には、前記搬送プレート３１が前記第１の位置にあるときに、外部の搬送手段との間でウエハＷの受け渡しを行なうときに用いる第1の昇降ピン３４が設けられており、この第1の昇降ピン３４は昇降機構３５により、前記外部の搬送手段との間でウエハＷの受け渡しを行なうために、昇降ピン３４が搬送ステージ３の上方側に位置する位置と、搬送ステージ５の下方側の位置との間で昇降自在に構成されている。また搬送プレート３１は、昇降ピン３４が昇降する領域を形成するために、櫛葉状に構成されている。

前記処理室４は、その内部にてウエハＷの疎水化処理を行なうものであり、ウエハＷより大きい内部空間を有する筐体として構成され、図１及び図３に示すように、前記処理室４の搬送プレート３１に対向する側面は、ウエハＷを搬入出す
るための基板搬入出用の開口部４１として形成されている。処理室４の内部には、ウエハＷと略同じか又は大きい円板状に形成された熱板５が設けられている。この熱板５は載置台をなすものであり、処理室４の天板４２は、この熱板５と対向するように設けられている。

図中４３は、前記基台２２と連続する底板であり、前記熱板５はこの底板４３内に設けられている。また処理室４は、既述のように前記開口部４１のみが開口する筐体として構成されているので、搬送プレート３側から処理室４を見たときの、熱板５の側方部や、熱板５の奥側には天板４２との間に夫々側壁部４４，４５が設けられている。前記熱板５は、図２に示すように、例えばウエハＷよりも大きい直径を有する円板状に構成されている。その表面には、ウエハＷを熱板５表面から例えば０．２ｍｍ程度浮上させた状態で保持するための突部５１が設けられており、またその裏面側には、図示しない例えばヒータよりなる加熱手段を備えていて、当該熱板５に載置されたウエハＷを加熱するように構成されている。

ここで処理室４内における、前記熱板５上にウエハＷが載置される領域を処理領域と呼ぶことにすると、この処理領域では、前記天板４２の下面と底板４３の表面との距離は例えば２２ｍｍ程度に設定される。また前記天板４２は、処理領域から前記開口部４１に向かうに連れて、その下面が次第に下方側に傾斜するように設けられている。一方前記底板４３は、処理領域から前記開口部４１に向かうに連れて、その上面が次第に上方側に傾斜する傾斜面４６を備えている。こうして前記処理室４の開口部４１の上下方向の大きさは、その最外端が最も狭められるように形成され、この最外端の最も狭められた部位における前記天板４２の下面と底板４３の表面との距離は例えば１０ｍｍ程度に設定される。

前記処理室４内には、前記開口部４１の下方側に、当該開口部４１の長さ方向（図２中Ｙ方向）に沿ってガス吐出部６が設けられている。この例では、前記ガス吐出部６は、開口部４１側から見て熱板５の手前側における、例えば底板４３の傾斜面４６に設けられている。このガス吐出部６には、図４に示すように、例えば多数の小孔が吐出口６１として、前記開口部４１の長さ方向に沿って夫々一定の間隔をおいて形成されている。当該吐出口６１の一端から他端までの長さは処理室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーするように構成され、こうして前記ウエハＷの表面の全域に気流を形成するようになっている。またこのガス吐出部６は、例えば熱板５上に載置されたウエハＷの側方側の上方側、例えばウエハＷの外縁から５ｍｍ程度側方であって、熱板５上に載置されたウエハＷ上面から１．５ｍｍ程度上方側から、処理ガスを前記ウエハＷに向けて供給するように設けられている。さらにガス吐出部６１には、例えばその両端にガス供給部６２が設けられており、このガス供給部６２は、例えばガス供給管６３、バルブＶ１を介して、前記ウエハＷの表面を処理する処理ガス例えばＨＭＤＳガスが貯留されているガス供給源６４に接続されている。このように両端に設けられたガス供給部６２を介してガスを供給することにより、ガス吐出部６から前記開口部４１の長さ方向に沿って、偏りなくガスを吐出することができる。なおガス吐出部６は、例えば図５に示すように、処理室４内において、熱板５の開口部４１側に、熱板５に沿って形成されるものであってもよい。

前記処理室４の他端側には、前記熱板５上に載置されたウエハＷを挟んで前記ガス吐出部６と対向するように吸引排気口７１が形成されている。この吸引排気口７１は、前記処理室４における開口部４１と対向する側壁部４５に処理室４の幅方向（図２中Ｙ方向）に沿ってスリット状に形成され、こうして排気口７１の一端から他端までの長さは例えばウエハＷの直径をカバーするように構成されている。この例では２本の吸引排気口７１が前記側壁部４５に、互いに平行に夫々上下に一定の間隔をおいて形成されている。

さらに処理室４には、前記開口部４１と対向する側に排気室７が接続されている。つまりこの排気室７は前記側壁部４５の後方側に設けられており、例えばその上面は処理室４の天板４２と一体に構成され、当該上面には外気取り込み口７２が形成されている。この外気取り込み口７２は、その大きさが例えば幅８ｃｍ程度に設定され、開閉部材７３によりその開口量が調整されるように構成されている。この開閉部材７３は、前記外気取り込み口７２を塞ぐ大きさの板状体７４を備えると共に、この板状体７４の一端側を、例えば処理室４の幅方向（図２中Ｙ方向）に伸びる水平な回動軸７５に取り付けて構成され、例えばモータよりなる駆動機構７６により、前記回動軸７５を水平な軸周りに回動させることにより、前記外気取り込み口７２を塞ぐ位置と、外気取り込み口７２を開く位置との間で移動可能に構成されている。この例では開閉部材７３がダンパに相当し、ダンパは板状体７４と回動軸７５と駆動機構７５とにより構成される。なお図1では、図示の便宜上駆動機構７６を回動軸７５と離れた個所に描いている。

さらに排気室７には、処理室４内を吸引排気するための排気管７７が接続されており、この排気管７７は筐体２０の外部へ伸長して、その端部は例えば 等の排気手段７８に接続されている。なお図中Ｖ２は排気管７７に介設されたバルブである。この例では、排気管７７と排気室７とにより吸引排気路が構成され、前記排気室７と外気取り込み口７２と開閉部材７３とにより、前記処理室４の排気量を調整するための排気量調整部が構成される。そして後述する制御手段により、前記開閉部材７３による外気取り込み口７２の開口量を調整することによって、前記処理室４内の排気量が低排気状態と高排気状態との間で制御されるようになっている。

こうして前記ガス吐出部６と排気室７とは、ウエハＷが処理室４内にあるときに、ウエハＷを挟んで手前側と奥側に設けられており、これによりウエハＷの直径（幅）をカバーし、さらに処理室４の天板４２と熱板５との間を前記開口部４１側から見て手前側から奥側へ、即ちウエハＷの一端側から他端側へと流れるいわば一方向流ともいうべき気流を形成できるようになっている。ところで本発明においては、ガス吐出部６及び排気室７により既述の一方向流が形成できればよいので、ガス吐出部６及び排気室７はこの実施の形態の構成に限定されるものではない。また吐出口６１及び排気口７１の形状もこの例に限らない。

さらに処理室４の内部における前記ガス吐出部と前記処理室４の天板４２との間には、前記熱板５上に載置されたウエハＷと対向するように、前記ウエハＷよりも大きい円板状の整流板８が設けられている。この整流板８は、平面的に見て、例えば前記ガス吐出部６の吐出口６１を上側から覆うように、前記処理室４の内部空間のほぼ全域に広がるように形成され、例えばその直径は３２０ｍｍ程度、例えばその厚さが２ｍｍ程度に夫々設定されている。また整流板８は、例えば筐体２０の天井部に設けられた昇降機構８１により、ウエハＷが処理室４に対して搬出入されるときの高さ位置より上方側の搬出入位置と、この位置よりも下方側の処理位置との間で昇降可能に構成されている。

ここでこの整流板８が前記処理位置にあるときには、前記熱板５上に載置されたウエハＷ表面と整流板８の下面との距離は例えば８ｍｍ程度に設定される。こうして前記整流板８が前記処理位置にあるときには、この整流板８により、処理室４内が上下に区画され、整流板８の下方側にガス吐出部６から処理ガスが供給されるようになっている。また例えば前記吸引排気口７１の内、上方側の排気口７１は、例えば処理室４内における整流板８の上方側空間内の雰囲気を吸引するために用いられ、下方側の排気口７１は下方側空間内の雰囲気を吸引するために用いられるようになっている。

さらに熱板５には、搬送プレート３１が前記第２の位置に進入してきたときに、この搬送プレート３１との間でウエハＷの受け渡しを行なうときに用いる第２の昇降ピン５２が設けられており、この昇降ピン５２は昇降機構５３により、搬送プレート３１との間でウエハＷの受け渡しを行なうために、昇降ピン５２が熱板５の上方側に位置する受け渡し位置と、熱板５の下方側に位置する待機位置との間で昇降自在に構成されている。この例では、前記受け渡し位置は、搬送プレート３１が処理室４内に進入する高さ位置よりも例えば１．５ｍｍ程度上方側にてウエハＷを保持する高さに設定されている。また昇降ピン５２は前記搬送プレート３１の櫛歯の間に形成された間隙部分に位置するように設けられ、昇降ピン５２が前記受け渡し位置にあるときに、搬送プレート３１が当該昇降ピン５２の下方側まで進入できるように構成されている。
そして搬送プレート３１から熱板５にウエハＷを受け渡すときには、ウエハＷを保持した搬送プレート３１を処理室４内の前記第２の位置まで進入させ、次いで昇降ピン５２を上昇させることにより搬送プレート３１上のウエハＷを昇降ピン５２により受け取り、次いで搬送プレート３１を処理室４から退出させた後、前記昇降ピン５２を待機位置まで下降させることにより、昇降ピン５２上のウエハＷを熱板５に受け渡すようになっている。また熱板５から搬送プレート３１にウエハＷを受け渡すときには、昇降ピン５２を前記待機位置から上昇させることにより熱板５から昇降ピン５２上にウエハＷを受け取り、前記受け渡し位置に位置させる。一方搬送プレート３１を処理室４内の前記第２の位置まで進入させ、次いでウエハＷを保持した昇降ピン５２をそのまま前記待機位置まで下降させることにより、昇降ピン５２上のウエハＷを搬送プレート３１に受け渡し、この後搬送プレート３１を処理室４から退出させることにより行われる。

さらにまた前記処理室４における開口部４１の外側には、処理室４から搬出されるウエハＷに対して不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ_２ガス）を供給するためのガス供給部をなすガスノズル８２が設けられている。このガスノズル８２は、例えば図１及び図３に示すように、処理室４の幅方向（図２中Ｙ方向）に沿ってＮ_２ガスを吐出するスリット状の吐出口を有するノズル部８３を備え、このノズル部８３の一端から他端までの長さはウエハＷの直径をカバーするように構成されている。またこのノズル部８３の下面は、例えば前記開口部４１の最外端の下面とほぼ揃うように構成され、つまり搬送プレート３に載置されたウエハＷが当該開口部４１を通過するときに、このウエハＷの上面と前記ノズル部８３の下面との距離が２ｍｍ程度になるように設定され、当該ノズル部８３から、前記開口部４１から搬出されるウエハＷに対してエアナイフ状にＮ_２ガスが吹き付けられるようになっている。このガスノズル８２は、ガス供給管８４、バルブＶ３を介して、Ｎ_２ガスが貯留されているガス供給源８５に接続されている。なおノズル部８２の吐出口は、スリット状のみならず、多数の小孔が夫々一定の間隔をおいて設けられている構成であってもよい。

前記疎水化処理装置２は制御部９により制御されるように構成されている。この制御部９は例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。前記プログラムには制御部９から疎水化処理装置２の各部に制御信号を送り、所定の疎水化処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等の記憶部に格納されて制御部９にインストールされる。

ここで前記プログラムには、開閉部材７３の駆動機構７６、搬送プレート３１の昇降ピン３４の昇降機構３５や移動機構３２、熱板５の昇降ピン５２の昇降機構５３や、整流板８の昇降機構８１、排気手段７８、バルブＶ１〜Ｖ３を制御するためのプログラムも含まれており、制御部９のメモリに予め記憶されたプロセスレシピに応じて、前記駆動機構７６や排気手段７８等の駆動や、各バルブＶ１〜Ｖ３の開度が制御されるようになっている。また前記開閉部材７３によって外気取り込み口７２の開口量を調整し、こうして前記処理室４内の排気量を制御するための制御手段もこのプログラムに含まれている。

続いて本発明の疎水化処理方法について図６〜図８を用いて説明する。先ず制御部９により、目的の疎水化処理のプロセスレシピを選択する。制御部９では、このプロセスレシピに基づいて、疎水化処理装置２の各部に制御信号を出力し、こうしてウエハＷに対して所定の疎水化処理が施される。

具体的には、先ず図７（ａ）に示すように、外気取り込み口７２を閉じ、整流板８は待機位置に位置させておく。そして図示しない外部の搬送手段により、搬送口２１を介してウエハＷを筐体２０内に搬入し、前記外部の搬送手段と昇降ピン３４との協働作業により、ウエハＷを搬送プレート３１上に載置する。次いでウエハＷを保持した搬送プレート３１を開口部４１を介して処理室４内に進入させ、既述のように熱板５上にウエハＷを受け渡す（ステップＳ１）。ここでウエハＷを開口部４１を介して処理室４内に搬入するときには、処理室４の内部は後述するように高排気状態により排気されている。

続いて図７（ｂ）に示すように、処理室４内にＨＭＤＳガスを供給して疎水化処理を行う（ステップＳ２）。この疎水化処理では、外気取り込み口７２を開き、整流板８を前記処理位置まで下降させると共に、熱板５によりウエハＷを例えば９０℃に加熱する。そしてバルブＶ１を開いてガス吐出部６よりＨＭＤＳガスを例えば３〜５ｓｃｃｍ程度の流量で処理室４内に供給する一方、バルブＶ２を開くと共に排気手段７８を作動させ、例えば排気管７７内を例えば３リットル／ｍｉｎ程度の排気流量で排気する。こうして外気取り込み口７２を開いて低排気状態を形成しながら、整流板８の下方側の空間にウエハＷの上方側側方からＨＭＤＳガスを供給し、ウエハＷに対して３０秒程度疎水化処理を行う。ここで前記低排気状態とは、処理室２０内の排気流量が１リットル／ｍｉｎ程度であることをいう。

ここで処理室４内には、既述のように、処理室２０の開口部４１の長さ方向に沿ってガス吐出部６が設けられ、このガス吐出部６とウエハＷを挟んで対向するように吸引排気口７１が形成されていることから、処理室４内には、図９（ａ）に示すように、開口部４１側から吸引排気口７１側へと一方向に流れる気流が形成される。この際外気取り込み口７２を開くことにより、ここから排気室７に外気が取り込まれる。このため排気手段７８により排気室７を排気しても、その吸引排気力がそのまま処理室４に伝達されないため、処理室４内を吸引排気する力はかなり弱いものとなり、結果として処理室４内の排気流量は１リットル／ｍｉｎ程度の低排気状態になる。

またガス吐出部６は、ウエハＷの直ぐ上方側の側方からＨＭＤＳガスを供給するように設けられているので、前記低排気状態を形成して、ＨＭＤＳガスを１００ｃｃ／ｍｉｎ〜５００ｃｃ／ｍｉｎ程度の供給流量で供給すると、ＨＭＤＳガスは重いガスであることとも合わせて、ＨＭＤＳガスはゆっくりと静かにウエハＷの表面に向かって流れ、前記表面上を排気室７へ向かって流れていく。

ところで筐体２０内には、搬送口２１から常に外気が取り込まれているので、処理室４内にも前記外気が開口部４１を介して常に取り込まれている。この際、整流板８をガス吐出部６の直ぐ上方側にウエハＷと対向するように設け、処理室４の内部空間を上下に２分割することにより、図９（ａ）に示すように、整流板８の上方側では開口部４１から取り込まれた外気が前記一方向に流れていき、整流板８の下方側ではＨＭＤＳガスが前記一方向に流れていく。ここで図９（ａ）では、実線で外気の流れ、点線でＨＭＤＳガスの流れを夫々示している。但し既述のように処理室４内には低排気状態が形成されているので、前記整流板８の上方側や下方側での外気やＨＭＤＳガスのガス流れは非常に速度が遅く、整流板８の下方側ではＨＭＤＳガスが充満した高濃度状態となり、こうしてウエハＷの表面及び外端面が十分に疎水化される。

このように処理室４内では、前記一方向に流れる気流が形成されているので、既述のように処理室４の開口部４１から常に外気が入り込む状態であり、ＨＭＤＳガスがこの開口部４１から入り込む外気の流れを遮って、当該開口部４１から外部へ流出するおそれはなく、前記開口部４１が常時開口しているとしても、処理室４からのＨＭＤＳガスの漏洩が防止される。

またこの例では、整流板８を設けているので、処理室４内におけるＨＭＤＳガスと外気との流れを区画することができて、ＨＭＤＳガスと外気との混合を抑えることができる。さらにＨＭＤＳガスがウエハＷと整流板８との間の狭い空間を流れることから、ＨＭＤＳガスが処理室４内に拡散することなく、乱流の発生が抑えられ、こうしてＨＭＤＳガスが速やかに流れるので、疎水化処理の面内均一性が良好になる。また狭い空間にＨＭＤＳガスを充填させるので、短時間でＨＭＤＳガスを充填することができ、スループットの向上を図ることができるという利点や、ＨＭＤＳガスの省量化を図ることができるという利点も得られる。
次いで図８（ａ）に示すように、処理室４内に外気を導入して置換処理を行う（ステップＳ３）。この置換処理では、外気取り込み口７２を閉じ、整流板８を前記待機位置まで上昇させると共に、例えば第２の昇降ピン５２によりウエハＷを搬送プレート３１に受け渡す位置まで上昇させ、バルブＶ１を閉じてＨＭＤＳガスの吐出を停止する。一方、バルブＶ２及び排気手段７８は、前記疎水化処理工程と同様のままとし、排気管７７内を例えば３リットル／ｍｉｎ程度の排気流量で排気する。こうして外気取り込み口７２を閉じて高排気状態を形成しながら、処理室４内の雰囲気を、筐体２０の搬送口２１、開口部４１を介して導入した外気により置換する処理を１０秒程度行う。ここで前記高排気状態とは、処理室４内の排気流量が３リットル／ｍｉｎ程度であることをいう。

このような処理室４内の高排気状態は、外気取り込み口７２を閉じることにより形成される。つまり外気取り込み口７２を閉じることにより排気室７が密閉され、排気手段８４による吸引排気力が排気室７を介してそのまま処理室４に伝達されるので、これにより処理室４内を強い吸引排気力により排気することができる。このため結果として処理室４内を３リットル／ｍｉｎ程度の高排気状態で吸引排気することができ、こうして処理室４内には開口部４１を介して外気が取り込まれ、前記一方向側に流れる外気の強い気流が発生する。従って処理室４内では外気が前記一方向に早い速度で流れて行き、こうして処理室４内に残存するＨＭＤＳガスが外気によりスムーズに置換される(図９（ｂ）参照)。

この際、整流板８を待機位置まで上昇させて置換処理を行なうことにより、処理室４内は上下に区画されることなく１つの空間となるため、処理室４内のガス流れがさらにスムーズになり、速やかに置換処理を行うことができる。また処理室４内に形成された強い外気の気流により、ウエハＷに付着した余分なＨＭＤＳガスも除去されるが、ウエハＷを熱板５から上昇させているので、ウエハＷの表面側に付着する余分なＨＭＤＳガスのみならず、裏面側に付着するＨＭＤＳガスについても効率よく除去することができる。

次いで図８（ｂ）に示すように、処理室２内からウエハＷを搬出する（ステップＳ４）。ここでは、外気取り込み口７２を閉じ、整流板８を前記待機位置まで上昇させた状態で、既述のように第２の昇降ピン５２から搬送プレート３１にウエハＷを受け渡す。この際バルブＶ１、バルブＶ２、排気手段７８は、前記置換処理工程と同様のままとし、処理ガスの吐出を停止し、排気管７７内を例えば３リットル／ｍｉｎ程度の排気流量で排気しておく。そしてバルブ３を開き、ガスノズル８からＮ_２ガスを例えば１リットル／ｍｉｎ程度の流量で搬送プレート３１上のウエハＷに向けて吐出させた状態で、処理室４内に置換処理工程と同様の高排気状態を形成したまま、前記ウエハＷを処理室４の外部へ搬出する（ステップＳ４）。

この際処理室４内に対するウエハＷの搬入出は、処理室４内を高排気状態で排気して行われるので、処理室４には常に開口部４１から外気がかなりの流量で入り込む状態で行われる。従って前記外気の流れに逆らってウエハＷを処理室４に対して搬入出したとしても処理室４からのＨＭＤＳガスの漏洩が防止される。さらに処理室４内には前記一方向に流れる外気の強い気流が形成されており、この気流に逆らってウエハＷを搬出しているので、ウエハＷ表面には、ウエハＷの搬送方向とは逆向きのさらに強い気流が発生することになり、これによりウエハＷに付着するＨＭＤＳガスを除去することができる。

さらにまた処理室４の開口部４１の上下方向の大きさを、処理室４から見て外端側が最も狭められるように絞り込むことにより、この絞り込まれた部位では、さらに強い気流が発生することになるので、ウエハＷ表面に残存するＨＭＤＳガスを効率よく除去することができる。さらにまた、前記開口部４１から搬出されるウエハＷに対して、ガスノズル８２からＮ_２ガスをエアナイフ状に吹き付けているので、仮にウエハＷ表面にＨＭＤＳガスが残存していたとしても、このＨＭＤＳガスを確実に除去することができる。

このように本発明の疎水化処理装置２では、以上に記載したように、処理室４の開口部４１を常時開口させたとしても、処理室４内において疎水化処理を行う場合、処理室４からウエハＷを搬入出させる場合のいずれの場合にも、処理室４からの処理ガスの漏洩を防止することができる。従って処理室４を密閉して疎水化処理や置換処理を行う必要がないので、処理室４を密閉化する機構が不要となり、排気手段も一つで済むため、構成部品や用力部品等の使用部品点数が削減され、部品コストが安価になる。また構造の簡素化を図ることができるので装置の組み立て作業や容易になる。さらに簡易構造であるため、装置の組み立て誤差が発生しにくく、その調整作業や、組み立て誤差の有無の検査工程や管理工程も簡素化でき、作業者の負担が軽減されるという利点や、密閉化用用力が削減できるのでエネルギーコストが低減できるという利点もある。

さらにまた処理室４を密閉する必要がないことから、従来行っていた、処理室へのウエハ搬入後の処理室密閉工程や、置換処理後処理室からウエハ搬出前の処理室開放工程（図１５参照）が不要となり、図６に示すように、処理室４へのウエハ搬入→疎水化処理→置換処理→処理室４からのウエハ搬出というように、処理ステップを削減することができ、これより従来に比べてトータルの処理時間を短縮でき、スループットの向上を図ることができる。

さらに置換処理は、処理室４に開口部４１を介して取り込まれた外気を用いて行っているので、前記置換処理を行いながら処理室４からウエハＷを搬出することができ、置換処理後にウエハＷの搬出を行う場合に比べて、トータルの処理時間が短縮され、さらにスループットの向上を図ることができる。

さらにまた、上述の構成では排気量調整部を設けているので、排気手段７８による排気管７７内の排気流量を同じ状態としながら、既述のように処理室４内の排気量を容易に制御することができる。つまり排気手段７８の出力やバルブＶ２の開度の制御を行うことなく、開閉部材７３による外気取り込み口７２の開口量を調整することにより、処理室４内の排気量を制御し、当該処理室４内に低排気状態や、高排気状態を容易に形成することができるので、処理室４内の排気量制御が容易となる。

また上述の例では、ＨＭＤＳガスはウエハＷの上方側側方に設けられたガス吐出部６から供給される。従ってＨＭＤＳガスは、ウエハＷの側方側から供給されるので、ウエハＷに対して局所的に強い圧力で吹き付けるといったことが発生しにくく、ＨＭＤＳガスが吹き付けられる個所と吹き付けられない個所とにおいて疎水化度が異なるおそれがなく、面内均一性の高い疎水化処理を行うことができる。さらにガス吐出部６がウエハＷの真上に設けられていないので、仮にガス吐出部６や配管内にダストが付着していたとしても、これらのダストがＨＭＤＳガスと共に、ウエハ表面に落下してウエハ表面にパーティクルが付着するおそれが少ない。

さらに処理室４を密閉せずに、疎水化処理や置換処理を行っているので、処理室４内が負圧になることが防止される。このため昇降ピン５２の移動領域が負圧になって、これによりＨＭＤＳガスがウエハＷの裏面側まで回り込むといった現象の発生を防ぐことができ、ウエハＷの裏面側まで疎水化処理が実施されることが防止される。これによりウエハＷの裏面側の疎水化が抑えられるので、レジストを塗布した後のウエハＷの裏面側の汚れを除去する工程において、速やかに前記裏面側がシンナー液により洗浄でき、当該工程を容易に行うことができる。

さらにまた開口部４１側にガス吐出部６を設けているので、外気とＨＭＤＳガスとが共に、処理室４の一端側から導入されることになり、処理室４内において気流の乱れが発生するおそれがない。さらにガス吐出部６を前記開口部４１の下方側に設けているので、開口部４１から外気が取り込まれるとしても、この外気の下方側にＨＭＤＳガスが供給されることになる。ここでＨＭＤＳガスは外気に比べて重いので、外気よりも下方側に供給されることによって、ＨＭＤＳガスは処理室４内の下方側へ、外気は処理室４内の上方側に流れていきやすく、ウエハＷ表面にＨＭＤＳガスを速やかに供給することができる。

以上において、本発明では、図１０に示すように、前記外気取り込み口７２を開閉するための開閉部材７３を、複数のダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃにより構成し、これらダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃの開閉の組み合わせにより、前記外気取り込み口７２の開口量を調整するようにしてもよい。前記各ダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃは、夫々上述の開閉部材７３と同様に構成されている。この例では、前記制御手段によりダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ毎に、前記外気取り込み口７２の開閉を制御することにより、前記外気取り込み口７２の開口量を段階的に調整することができ、こうして前記処理室４内の排気量を段階的に制御することができる。ここで外気取り込み口７２は、ダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ毎に形成されるものであってもよいし、共通の１つの開口部として形成してもよい。

例えば図１０（ｂ）では、図中左側の処理室４では全てのダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃが開いており、図中右側の処理室４では全てのダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃが閉じた状態を示し、図中左側の処理室４から右側の処理室４に向かうに連れて、ダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃによる外気取り込み口７２の開口量が次第に小さくなる状態を示しているが、前記外気取り込み口７２の開口量が大きければ処理室４の排気量が小さくなり、前記外気取り込み口７２の開口量が小さければ処理室４の排気量が大きくなる。

そして例えば疎水化処理開始時には、ダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃの何枚かを閉じることにより、中程度の排気量にて処理室４を排気して、ＨＭＤＳガスを速やかにウエハＷ表面に行き渡らせ、前記ＨＭＤＳガスがウエハＷ表面に広がった後は、ダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃを全開することにより、排気量を小さくして、ＨＭＤＳガス濃度を高濃度に維持し、次いで疎水化処理後は、ダンパ７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃを全閉することにより、排気量を大きくしてＨＭＤＳガスの外気による置換を速やかに進行させるような制御を行うことができる。

続いて前記疎水化処理装置２を組み込んだ塗布、現像装置に、露光部（露光装置）を接続したレジストパターン形成システムの一例について簡単に説明する。図１１は前記システムの平面図であり、図１２は同システムの斜視図である。この装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、このブロックＳ１では、載置台１０１上に載置された密閉型のキャリア１００から受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、当該ブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、前記受け渡しアームＣが、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウエハＷを受け取って前記キャリア１００に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、図１２に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。

前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布ユニットと処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送アームＡ２，Ａ４とを備えている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においては、前記薬液がレジスト液であり、前記疎水化処理装置２が組み込まれることを除けば同様の構成である。一方、第１の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、例えば一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニット１０２が２段に積層されている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニット１０２にウエハＷを搬送するための共通の搬送アームＡ１が設けられている。さらに処理ブロックＳ２には、図１１及び図１３に示すように、棚ユニットＵ５が設けられ、この棚ユニットＵ５の各部同士の間では、前記棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤ１によってウエハＷが搬送される。

このようなレジストパターン形成装置では、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に受け渡しアームＣによって順次搬送され、ここからウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、疎水化処理装置２においてウエハ表面が疎水化された後、レジスト膜が形成される。レジスト膜形成後のウエハＷは、搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。

その後、ウエハＷは例えば受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１→受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４にてレジスト膜の上に反射防止膜が形成された後、搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。なおレジスト膜の上の反射防止膜を形成しない場合や、ウエハＷに対して疎水化処理を行う代わりに、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２にて反射防止膜が形成される場合もある。

一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。なお図１３中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは、温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５における受け渡しアームＣのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡しアームＣを介してキャリア１００に戻される。なお図１１においてＵ１〜Ｕ４は各々加熱部と冷却部等を積層した処理ユニット群であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３では、例えばこの処理ユニット群に既述の疎水化処理装置２が組み込まれる。

本発明では、外気取り込み口７２を開閉部材７３によりスライド式に開閉することによって、外気取り込み口７２の開口量を開閉部材７３により段階的に調整し、こうして処理室４内の排気量を段階的に制御するようにしてもよい。また吸引排気路に設けられた排気流量調整バルブにより排気量調整部を構成し、このバルブの開度を調整することにより、処理室４内の排気量を制御するようにしてもよい。さらに排気手段により排気量調整部を構成し、当該排気手段の出力を調整することにより、処理室４内の排気量を制御するようにしてもよい。さらにまた本発明では、必ずしも整流板８やガスノズル８２を設ける必要はなく、処理室４の開口部４１の形状も適宜選択される。さらにまた処理室４の開口部４１は、処理室４内を高排気状態で排気する際には開口させておく必要があるが、ウエハＷに対して疎水化処理を行うときには、前記開口部４１を閉じるようにしてもよい。

本発明は、疎水化処理以外に、低酸素濃度処理基板等の基板処理に適用することができる。また本発明は、半導体ウエハＷ以外に、例えばＬＣＤ基板、マスク基板などの処理にも適用できる。

本発明の疎水化処理装置の一実施の形態を示す断面図である。 前記疎水化処理装置を示す平面図である。 前記疎水化処理装置の一部を示す斜視図である。 前記疎水化処理装置に設けられるガス吐出部を示す斜視図である。 前記ガス吐出部の他の例を示す平面図である。 前記疎水化処理装置にて行われる疎水化処理方法を示す工程図である。 前記疎水化処理装置にて行われる疎水化処理方法を示す工程図である。 前記疎水化処理装置にて行われる疎水化処理方法を示す工程図である。 前記疎水化処理装置におけるガスの流れを示す部分断面図である。 前記疎水化処理装置の他の例を示す平面図である。 前記疎水化処理装置が組み込まれるレジストパターン形成装置を示す平面図である。 前記レジストパターン形成装置を示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置を示す断面図である。 従来の疎水化処理装置を示す断面図である。 従来の疎水化処理方法を示す工程図である。

符号の説明

２０ 筐体
２１ 搬出入口
３ 搬送ステージ
３１ 搬送プレート
４ 処理室
４１ 開口部
４２ 天板
５ 熱板
６ ガス吐出部
７ 排気室
７１ 吸引排気口
７２ 外気取り込み口
７３ 開閉部材
７４ 板状体
７５ 駆動機構
８ 整流板
８２ ガスノズル
Ｗ 半導体ウエハ

Claims (13)

1. その内部に基板の載置台が設けられると共に、その一端側に少なくとも基板の搬入出時に開口する基板搬入出用の開口部が形成された扁平な処理室と、
   前記処理室の前記開口部側に設けられ、前記載置台に載置された基板と処理室の天板との間に、前記基板の表面を処理する処理ガスを吐出してこの基板表面の全域に気流を形成するためのガス吐出部と、
   前記載置台に載置された基板を挟んで前記ガス吐出部と対向するように、前記処理室に横方向に沿って形成された吸引排気口と、
   前記吸引排気口に接続され、前記処理室内の雰囲気を吸引排気するための吸引排気路と、
   この吸引排気路に設けられ、前記処理室内の排気量を調整するための排気量調整部と、
   前記ガス吐出部から処理ガスを吐出させて前記載置台上に載置された基板に対して処理を行うときには、前記処理室内を低排気状態にて排気し、前記ガス吐出部からの処理ガスの吐出を停止して基板の搬入出を行うときには、前記処理室内を高排気状態にて排気するように前記排気量調整部を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記開口部は、常時開口していることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記ガス吐出部は、前記処理室における前記開口部の下方側に設けられることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記排気量調整部は、前記吸引排気路に設けられた排気室と、この排気室に形成された外気取り込み口と、この外気取り込み口の開口量を調整するための開閉部材と、を備え、
   前記制御手段は、前記開閉部材による外気取り込み口の開口量を調整して、前記処理室内の排気量を制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記開閉部材は複数のダンパからなり、
   これらダンパの開閉の組み合わせにより前記外気取り込み口の開口量が調整されることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記処理室における前記載置台と天板との間に、前記載置台上に載置された基板と対向するように、この基板よりも大きい整流板を設けることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の基板処理装置。
7. 前記開口部の上下方向の大きさは、処理室から見て外端側が最も狭められるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
8. 前記処理室から搬出される基板に対して不活性ガスを供給するためのガス供給部をさらに設けること特徴とする請求項１ないし７のいずれか一に記載の基板処理装置。
9. 前記基板に対して行われる処理は、基板の表面を疎水化するための処理であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一に記載の基板処理装置。
10. 扁平な処理室の内部に、その一端側に形成された開口部から基板を搬入する工程と、
    次いで前記処理室の一端側から前記基板と天板との間に、この基板の表面を処理する処理ガスを吐出して、前記基板表面の全域に気流を形成すると共に、前記処理室の他端側に横方向に沿って形成された吸引排気口により前記処理室内の雰囲気を低排気状態で吸引排気しながら、前記基板に対して処理を行う工程と、
    前記処理ガスの吐出を停止し、前記吸引排気口により前記処理室内の雰囲気を高排気状態で吸引排気して前記開口部から外気を取り込みながら、前記開口部から基板を搬入出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
11. 前記処理室内から処理ガスにより処理された基板を搬出する前に、前記処理室内を高排気状態に吸引排気して前記開口部から外気を取り込み、前記処理室内を外気により置換する工程を行うことを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法。
12. 前記処理室内の排気量は、前記吸引排気口を介して前記処理室内を吸引排気するための吸引排気路に設けられた排気室に外気取り込み口を形成し、この外気取り込み口の開口量を調整することにより制御されることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 処理室内において基板に処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記プログラムは、請求項１０ないし請求項１２のいずれかに一つに記載された基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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