JP2014175357A - 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents

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Abstract

【課題】基板上にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】ウェハＷの被処理膜４００上にレジスト膜４０１を形成する（図８（ａ））。レジスト膜４０１を所定のパターンに露光し、当該レジスト膜４０１に露光部４０２と未露光部４０３を形成する（図８（ｂ））。露光部４０２にアルコールを進入させ、且つ露光部４０２中にアルコールを介して金属４０４を浸潤させる（図８（ｃ））。未露光部４０３上に堆積した金属を除去する。未露光部４０３を除去し、ウェハＷ上にレジストパターン４０５を形成する（図８（ｄ））。レジストパターン４０５をマスクとして被処理膜４００をエッチング処理し、当該被処理膜４００に所定のパターン４０６を形成する（図８（ｅ））。
【選択図】図８

Description

本発明は、基板上にレジストパターンを形成する基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、及び当該基板処理方法を実行するための基板処理システムに関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、ウェハ表面のレジスト膜に所定のパターンの光を照射してレジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が順次行われて、ウェハ表面のレジスト膜に所定のレジストパターンが形成される。
上述した現像処理は、例えばウェハのレジスト膜上に現像液を供給して行われる。かかる場合、現像液の表面張力がレジストパターンに作用して、当該レジストパターンが傾斜して倒れる、いわゆるパターン倒れが発生する場合がある。
そこで、現像原液に有機溶剤を混合させて表面張力を小さくした現像液を用いて、現像処理を行うことが提案されている（特許文献１）。
特開２０１２−２２２４４号公報
しかしながら、特許文献１に記載された現像液を用いて現像処理を行った場合、その現像液の表面張力を小さくした分、パターン倒れを抑制することはできるが、現実的にはまだ改善の余地がある。
特に近年の半導体デバイスは例えば２０ｎｍ以下に微細化しており、レジストパターンの微細化が進められている。換言すれば、レジストパターンのアスペクト比が大きくなっている。このため、パターン倒れの問題が顕著になっており、かかる観点からもパターン倒れを抑制して、レジストパターンを適切に形成する必要がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上にレジストパターンを適切に形成することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上にレジストパターンを形成する基板処理方法であって、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を所定のパターンに露光する露光工程と、前記レジスト膜において前記露光工程で露光された露光部中に処理剤を進入させ、且つ前記露光部中に前記処理剤を介して金属を浸潤させる金属処理工程と、前記レジスト膜において前記露光工程で露光されていない未露光部を除去し、基板上にレジストパターンを形成するレジスト膜除去工程と、を有することを特徴としている。
本発明によれば、露光工程でレジスト膜を露光すると、レジスト膜の露光部にＯＨ基（水酸基）が形成される。その後、金属処理工程では、露光部中のＯＨ基等の親和性の良い官能基をターゲットにして露光部中に処理剤が進入する。この露光部中への処理剤の進入に伴い、当該処理剤を進入経路として金属も露光部中に進入する。その後、レジスト膜除去工程においてレジスト膜の未露光部を除去すると、金属が浸潤した露光部が残り、基板上にレジストパターンが形成される。このように本発明によれば、従来のように現像液を用いた現像処理を省略することができるので、パターン倒れを抑制することができ、基板上にレジストパターンを適切に形成することができる。
しかも、本発明のレジストパターンは金属を含有しており、基板上の被処理膜に対して高いエッチング選択比を有している。したがって、アスペクト比の高いレジストパターンを形成する必要がなく、かかる観点からもパターン倒れを抑制することができる。
さらに、このようにレジストパターンが被処理膜に対する高いエッチング選択比を有しているので、当該レジストパターンをマスクとして被処理膜をエッチングすると、被処理膜に所定のパターンを適切に形成することができる。
前記金属処理工程において前記露光部中に浸潤する前記金属の浸潤量の制御は、少なくとも前記金属処理工程において前記金属を浸潤させる時間、前記金属処理工程における前記処理剤の温度、前記金属処理工程で処理される前記レジスト膜中の溶剤の量、又は前記露光工程における露光量を調整して行われてもよい。
前記金属処理工程において、前記露光部中に前記金属を浸潤させた後、前記未露光部上に堆積した金属を除去してもよい。
前記金属処理工程において、前記処理剤中に前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給し、前記露光部中に前記金属含有剤を進入させて、前記露光部中に前記金属を浸潤させてもよい。
前記金属処理工程において、前記金属含有剤は液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給されてもよい。
前記金属処理工程において、前記レジスト膜上に前記処理剤を供給して前記露光部中に前記処理剤を進入させた後、前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給して前記露光部中に前記金属を浸潤させてもよい。
前記金属処理工程において、前記処理剤と前記金属含有剤は、それぞれ液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給されてもよい。
前記処理剤はアルコールであってもよい。
別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
さらに別な観点による本発明は、基板上にレジストパターンを形成する基板処理システムであって、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置と、前記レジスト膜を所定のパターンに露光する露光装置と、前記レジスト膜において前記露光装置で露光された露光部中に処理剤を進入させ、且つ前記露光部中に前記処理剤を介して金属を浸潤させる金属処理装置と、前記レジスト膜において前記露光装置で露光されていない未露光部を除去し、基板上にレジストパターンを形成するレジスト膜除去装置と、を有することを特徴としている。
前記基板処理システムは、少なくとも前記金属処理装置において前記金属を浸潤させる時間、前記金属処理装置における前記処理剤の温度、前記金属処理装置において処理される前記レジスト膜中の溶剤の量、又は前記露光装置における露光量を調整して、前記金属処理装置において前記露光部中に浸潤する前記金属の浸潤量を制御する制御装置をさらに有していてもよい。
前記金属処理装置は、前記露光部中に前記金属を浸潤させた後、前記未露光部上に堆積した金属を除去してもよい。
前記金属処理装置は、前記処理剤中に前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給する金属含有剤供給部を有していてもよい。
金属含有剤供給部は、前記金属含有剤を液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給してもよい。
前記金属処理装置は、前記レジスト膜上に前記処理剤を供給する処理剤供給部と、前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給する金属含有剤供給部とを有していてもよい。
前記処理剤供給部と前記金属含有剤供給部は、前記処理剤と前記金属含有剤をそれぞれ液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給してもよい。
前記処理剤はアルコールであってもよい。
本発明によれば、基板上にレジストパターンを適切に形成することができる。
本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す説明図である。 塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。 塗布現像処理装置の内部構成の概略を示す側面図である。 塗布現像処理装置の内部構成の概略を示す側面図である。 塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 エッチング処理装置の構成の概略を示す平面図である。 ウェハ処理の説明図であり、（ａ）はウェハ上にレジスト膜が形成された様子を示し、（ｂ）はレジスト膜が露光された様子を示し、（ｃ）はレジスト膜の露光部中に金属が浸潤した様子を示し、（ｄ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｅ）は被処理膜に所定のパターンが形成された様子を示す。 他の実施の形態にかかるウェハ処理の説明図であり、（ａ）はレジスト膜の露光部の上部中に金属が浸潤した様子を示し、（ｂ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｃ）は被処理膜に所定のパターンが形成された様子を示す。 他の実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるウェハ処理の説明図であり、（ａ）はレジスト膜の露光部中にアルコールが進入した様子を示し、（ｂ）は露光部中に金属が浸潤した様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｄ）は被処理膜に所定のパターンが形成された様子を示す。 他の実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。なお、本実施の形態の基板処理システム１で処理される基板としてのウェハ上には、後述するように予め被処理膜が形成されている。
基板処理システム１は、図１に示すようにウェハにフォトリソグラフィー処理（現像処理を除く。）を行う塗布現像処理装置２と、ウェハにエッチング処理を行うエッチング処理装置３とを有している。
塗布現像処理装置２は、図２に示すように例えば外部との間で複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、複数、例えば４つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、水平方向のＸ方向（図２中の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板２１には、塗布現像処理装置２の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
カセットステーション１０には、図２に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図２のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図２のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図２のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理装置が鉛直方向に積層されている。例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下、「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成すると共に、レジスト膜に所定の液を塗布してレジスト膜中に金属を浸潤させる塗布処理装置３１、３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下、「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下から順に４段に重ねられている。なお、塗布処理装置３１、３２は、本発明におけるレジスト膜形成装置として機能すると共に、金属処理装置として機能する。
下部反射防止膜形成装置３０、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ処理時にウェハＷを収容するカップＰを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。塗布処理装置３１、３２の詳細な構成については後述する。
なお、これら下部反射防止膜形成装置３０、塗布処理装置３１、３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。また第１のブロックＧ１には、ウェハＷに撥水性の保護膜を形成するための処理液を供給して露光用の保護膜を形成する保護膜形成装置や、ウェハＷの裏面及び周縁のベベル部に洗浄液を供給してウェハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄装置等が配置されていてもよい。
例えば第２のブロックＧ２には、図４に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１及び周辺露光装置４２の数や配置は、任意に選択できる。
例えば第３のブロックＧ３には、図３及び図４に示すように複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６が下から順に設けられている。
図２に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が配置されている。
ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７１を有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
ウェハ搬送装置７０は、例えば図４に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
シャトル搬送装置８０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
図２に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１０１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
次に、上述した塗布処理装置３１、３２の構成について説明する。塗布処理装置３１は、図５に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１１０を有している。処理容器１１０のウェハ搬送領域Ｄ側の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が例えば３箇所に形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。また、これら３つの搬入出口は、後述する金属処理部１２０、レジスト膜形成部１２１、１２２に対応する位置に形成されている。なお、金属処理部１２０は本発明における金属処理装置として機能し、レジスト膜形成部１２１、１２２は本発明におけるレジスト膜形成装置として機能する。
処理容器１１０の内部には、例えばウェハＷ上のレジスト膜において露光装置１２で露光された露光部中に処理剤としてのアルコールを進入させ、且つ露光部中にアルコールを介して金属を浸潤させる金属処理部１２０と、ウェハＷ上にレジスト膜を形成する２つのレジスト膜形成部１２１、１２２とが設けられている。金属処理部１２０、レジスト膜形成部１２１、１２２は、Ｙ方向負方向（図５の左方向）側からＹ方向正方向（図５の右方向）側にこの順で並べて配置されている。
金属処理部１２０には、図６に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３０が設けられている。スピンチャック１３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３０上に吸着保持できる。
スピンチャック１３０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１３１が設けられている。スピンチャック１３０は、チャック駆動部１３１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１３１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３０は昇降自在になっている。
スピンチャック１３０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３２が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３３と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３４が接続されている。
図５に示すようにカップ１３２のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３２のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、例えば２本のアーム１４１、１４２が取り付けられている。
第１のアーム１４１には、図５及び図６に示すようにウェハＷ上に金属含有剤としての液体状の金属含有液を供給する、金属含有剤供給部としての金属含有液ノズル１４３が支持されている。第１のアーム１４１は、図５に示すノズル駆動部１４４により、レール１４０上を移動自在である。これにより、金属含有液ノズル１４３は、カップ１３２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４５からカップ１３２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷ上をウェハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム１４１は、ノズル駆動部１４４によって昇降自在であり、金属含有液ノズル１４３の高さを調整できる。
金属含有液ノズル１４３には、図６に示すように金属含有液供給源１４６に連通する供給管１４７が接続されている。金属含有液供給源１４６内には、金属含有液が貯留されている。供給管１４７には、金属含有液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１４８が設けられている。
金属含有液供給源１４６内には、処理剤としてのアルコールに金属が溶解した金属含有液が貯留されている。アルコールとしては、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エタノール、ブタノール、ＭＩＢＣ（メチルイソブチルカルビノール）等が用いられる。また金属としては、例えばＺｒ（ジルコニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）等が用いられる。なお、この金属は微小な径を有し、例えば５ｎｍ以下の径のナノパーティクルである。
第２のアーム１４２には、図５及び図６に示すようにウェハＷに洗浄液を供給する洗浄液ノズル１５０が支持されている。第２のアーム１４２は、図５に示すノズル駆動部１５１により、レール１４０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル１５０は、カップ１３２のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部１５２からカップ１３２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷ上をウェハＷの径方向に移動できる。また、第２のアーム１４２は、ノズル駆動部１５１によって昇降自在であり、洗浄液ノズル１５０の高さを調整できる。
洗浄液ノズル１５０には、図６に示すように洗浄液供給源１５３に連通する供給管１５４が接続されている。洗浄液供給源１５３内には、洗浄液としてアルコール、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エタノール、ブタノール、ＭＩＢＣ（メチルイソブチルカルビノール）等が貯留されている。供給管１５４には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５５が設けられている。
レジスト膜形成部１２１には、図６に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１６０が設けられている。スピンチャック１６０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１６０上に吸着保持できる。
スピンチャック１６０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１６１が設けられている。スピンチャック１６０は、チャック駆動部１６１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１６１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１６０は昇降自在になっている。
スピンチャック１６０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１６２が設けられている。カップ１６２の下面には、回収した液体を排出する排出管１６３と、カップ１６２内の雰囲気を排気する排気管１６４が接続されている。
なお、レジスト膜形成部１２２にも、上記レジスト膜形成部１２１と同様に、スピンチャック１６０、チャック駆動部１６１、カップ１６２、排出管１６３、排気管１６４が設けられている。
図５に示すようにレジスト膜形成部１２１、１２２のカップ１６２のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０が形成されている。レール１７０は、例えばレジスト膜形成部１２１のカップ１６２のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方から、レジスト膜形成部１２２のカップ１６２のＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール１７０には、例えばアーム１７１が取り付けられている。
アーム１７１には、図５及び図６に示すようにウェハＷにレジスト液を供給するレジスト液ノズル１７２が支持されている。アーム１７１は、図５に示すノズル駆動部１７３により、レール１７０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル１７２は、レジスト膜形成部１２１のカップ１６２とレジスト膜形成部１２２のカップ１６２との間に設置された待機部１７４からカップ１６２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷ上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１７１は、ノズル駆動部１７３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル１７２の高さを調整できる。
レジスト液ノズル１７２には、図６に示すようにレジスト液供給源１７５に連通する供給管１７６が接続されている。レジスト液供給源１７５内には、レジスト液が貯留されている。供給管１７６には、レジスト液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１７７が設けられている。
なお、塗布処理装置３２の構成は、上述した塗布処理装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
次に、上述したエッチング処理装置３の構成について説明する。エッチング処理装置３は、図７に示すようにエッチング処理装置３に対するウェハＷの搬入出を行うカセットステーション２００、ウェハＷの搬送を行う共通搬送部２０１、ウェハＷ上のレジスト膜において露光装置１２で露光されていない未露光部を除去し、ウェハＷ上にレジストパターンを形成するレジスト膜除去装置としての第１のエッチング装置２０２、２０３、ウェハＷ上のレジストパターンをマスクとして被処理膜を所定のパターンにエッチングする第２のエッチング装置２０４、２０５を有している。
カセットステーション２００は、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構２１０が内部に設けられた搬送室２１１を有している。ウェハ搬送機構２１０は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム２１０ａ、２１０ｂを有しており、これら搬送アーム２１０ａ、２１０ｂのいずれかによってウェハＷを保持しながら搬送する構成となっている。搬送室２１１の側方には、ウェハＷを複数枚並べて収容可能なカセットＣが載置されるカセット載置台２１２が備えられている。図示の例では、カセット載置台２１２には、カセットＣを複数、例えば３つ載置できるようになっている。
搬送室２１１と共通搬送部２０１は、真空引き可能な２つのロードロック装置２１３ａ、２１３ｂを介して互いに連結させられている。
共通搬送部２０１は、例えば上方からみて略多角形状（図示の例では六角形状）をなすように形成された密閉可能な構造の搬送室チャンバ２１４を有している。搬送室チャンバ２１４内には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構２１５が設けられている。ウェハ搬送機構２１５は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム２１５ａ、２１５ｂを有しており、これら搬送アーム２１５ａ、２１５ｂのいずれかによってウェハＷを保持しながら搬送する構成となっている。
搬送室チャンバ２１４の外側には、第１のエッチング装置２０２、２０３、第２のエッチング装置２０４、２０５、ロードロック装置２１３ｂ、２１３ａが、搬送室チャンバ２１４の周囲を囲むように配置されている。第１のエッチング装置２０２、２０３、第２のエッチング装置２０４、２０５、ロードロック装置２１３ｂ、２１３ａは、例えば上方からみて時計回転方向においてこの順に並ぶように、また、搬送室チャンバ２１４の６つの側面部に対してそれぞれ対向するようにして配置されている。
なお、第１のエッチング装置２０２、２０３、第２のエッチング装置２０４、２０５としては、例えば例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｃｈｉｎｇ）装置が用いられる。すなわち、第１のエッチング装置２０２、２０３、第２のエッチング装置２０４、２０５では、反応性の気体（エッチングガス）やイオン、ラジカルによって、レジスト膜や被処理膜をエッチングするドライエッチングが行われる。
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御装置３００が設けられている。制御装置３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置３００にインストールされたものであってもよい。
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。図８は、ウェハ処理の各工程におけるウェハＷの状態を模式的に示している。なお、図８（ａ）に示すように基板処理システム１で処理されるウェハＷ上には、予め被処理膜４００が形成されている。
先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが、塗布現像処理装置２のカセットステーション１０に搬入され、所定のカセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の受け渡し装置５０に搬送される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって下部反射防止膜形成装置３０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、加熱され、温度調節され、その後受け渡し装置５１に戻される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５３に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって塗布処理装置３１のレジスト膜形成部１２１に搬送される。
レジスト膜形成部１２１に搬送されたウェハＷは、スピンチャック１６０に吸着保持される。続いて、アーム１７１によって待機部１７４のレジスト液ノズル１７２をウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック１６０によってウェハＷを回転させながら、レジスト液ノズル１７２からウェハＷの中心部にレジスト液を供給する。ウェハＷ上に供給された供給されたレジスト液ノズル１７２は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの表面全面に拡散する。こうしてウェハＷの被処理膜４００上にレジスト液が塗布され、図８（ａ）に示すようにウェハＷ上にレジスト膜４０１が形成される。なお、ウェハＷ上にはレジスト膜４０１の下層において、上述した下部反射防止膜が形成されているが、図示の例においては省略している。
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５５に搬送される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜（図示せず）が形成される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって周辺露光装置４２に搬送されて、ウェハＷ上のレジスト膜４０１の周縁部に対して周辺露光処理が行わる。
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５６に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって受け渡し装置６２に搬送される。
次にウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１００によって露光装置１２に搬送される。露光装置１２では、ウェハＷのレジスト膜４０１に光が照射され、当該レジスト膜４０１に所定のパターンが選択的に露光される。そして、図８（ｂ）に示すようにレジスト膜４０１において、露光された露光部４０２と露光されてない未露光部４０３のパターンが形成される。また露光部４０２が露光されることによって、この露光部４０２にはＯＨ基（水酸基）が形成される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって露光装置１２から受け渡し装置６３に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって塗布処理装置３１の金属処理部１２０に搬送される。
金属処理部１２０に搬送されたウェハＷは、スピンチャック１３０に吸着保持される。続いて、第１のアーム１４１によって待機部１４５の金属含有液ノズル１４３をウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック１３０によってウェハＷを回転させながら、金属含有液ノズル１４３からウェハＷの中心部に金属含有液を供給する。ウェハＷ上に供給された供給された金属含有液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷのレジスト膜４０１の表面全面に拡散する。
このようにレジスト膜４０１上に金属含有液が塗布されると、金属含有液中のアルコールは、レジスト膜４０１の露光部４０２中のＯＨ基等、親和性の良い官能基をターゲットにして露光部４０２中に進入する。この露光部４０２中へのアルコールの進入に伴い、当該アルコールを進入経路として金属も露光部４０２中に進入する。そして、金属は露光部４０２中のＯＨ基と結合して、図８（ｃ）に示すように金属４０４が露光部４０２中に浸潤する。なおこのとき、未露光部４０３中には金属が進入せず、当該未露光部４０３の表面には金属が堆積する。
その後、第１のアーム１４１によって金属含有液ノズル１４３をウェハＷの中心部から待機部１４５に移動させると共に、第２のアーム１４２によって待機部１５２の洗浄液ノズル１５０をウェハＷの中心部の上方まで移動させる。
続いて、スピンチャック１３０によってウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル１５０からウェハＷの中心部に洗浄液を供給する。ウェハＷ上に供給された洗浄液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷのレジスト膜４０１の表面全面に拡散する。この洗浄液によって、未露光部４０３上に堆積した金属が除去され、レジスト膜４０１の表面が洗浄される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５４に搬送され、その後カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。
塗布現像処理装置２においてウェハＷに所定の処理が行われると、ウェハＷを収納したカセットＣは、塗布現像処理装置２から搬出され、次にエッチング処理装置３に搬入される。
エッチング処理装置３では、先ず、ウェハ搬送機構２１０によって、カセット載置台２１２上のカセットＣから１枚のウェハＷが取り出され、ロードロック装置２１３ａ内に搬入される。ロードロック装置２１３ａ内にウェハＷが搬入されると、ロードロック装置２１３ａ内が密閉され、減圧される。その後、ロードロック装置２１３ａ内と大気圧に対して減圧された状態（例えば略真空状態）の搬送室チャンバ２１４内とが連通させられる。そして、ウェハ搬送機構２１５によって、ウェハＷがロードロック装置２１３ａから搬出され、搬送室チャンバ２１４内に搬入される。
搬送室チャンバ２１４内に搬入されたウェハＷは、次にウェハ搬送機構２１５によって第１のエッチング装置２０２に搬送される。第１のエッチング装置２０２では、例えばＯ２ガス（Ｏ２プラズマ）を用いてウェハＷにエッチング処理を行う。このとき、レジスト膜４０１の露光部４０２は金属４０４を含有するため、未露光部４０３に比べてエッチング耐性が高い。このため、ウェハＷにエッチング処理を行うと、未露光部４０３のみが選択的に除去され、露光部４０２が残る。そして図８（ｄ）に示すようにウェハＷの被処理膜４００上に所定のレジストパターン４０５（露光部４０２）が形成される。
次にウェハＷは、ウェハ搬送機構２１５によって第２のエッチング装置２０４に搬送される。第２のエッチング装置２０４では、例えばＣＦガス（ＣＦプラズマ）を用いてウェハＷ上のレジストパターン４０５をマスクとして、ウェハＷ上の被処理膜４００がエッチングされる。このとき、レジストパターン４０５は被処理膜４００に対して高いエッチング選択比を有しているので、図８（ｄ）に示すように被処理膜４００に所定のパターン４０６が適切な形状で形成される。
その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構２１５によって再び搬送室チャンバ２１４内に戻される。そして、ロードロック装置２１３ｂを介してウェハ搬送機構２１０に受け渡され、カセットＣに収納される。その後、ウェハＷを収納したカセットＣがエッチング処理装置３から搬出されて一連のウェハ処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、露光装置１２でレジスト膜４０１を露光すると、レジスト膜４０１の露光部４０２にＯＨ基が形成される。そうすると、塗布処理装置３１の金属処理部１２０において、露光部４０２中にアルコールを進入させ、当該アルコールを進入経路として金属４０４を露光部４０２中に進入させることができる。すなわち、レジスト膜４０１において、露光部４０２が金属４０４を含有する分、未露光部４０３に比べてエッチング耐性を高くすることができる。このため、第１のエッチング装置２０２において、レジスト膜４０１の未露光部４０３のみを選択的に除去することができ、露光部４０２を残して、ウェハＷの被処理膜４００上にレジストパターン４０５を適切に形成することができる。このように本実施の形態によれば、従来フォトリソグラフィー処理のように現像液を用いた現像処理を省略することができるので、レジストパターン４０５のパターン倒れを抑制することができる。
しかも、本実施の形態のレジストパターン４０５は金属４０４を含有しており、ウェハＷ上の被処理膜４００に対して高いエッチング選択比を有している。したがって、アスペクト比の高いレジストパターン４０５を形成する必要がなく、かかる観点からもパターン倒れを抑制することができる。
さらに、このようにレジストパターン４０５が被処理膜４００に対する高いエッチング選択比を有しているので、第２のエッチング装置２０４においてレジストパターン４０５をマスクとして被処理膜４００をエッチングすると、当該被処理膜４００に所定のパターン４０６を適切に形成することができる。
また塗布処理装置３１の金属処理部１２０において、レジスト膜４０１の露光部４０２中に金属４０４を浸潤させた後、未露光部４０３上に堆積した金属を除去しているので、その後の第１のエッチング装置２０２におけるエッチング処理を適切に行うことができる。なお、未露光部４０３上の金属の除去は本実施の形態の方法に限定されず、種々の方法で行うことができる。例えばエッチング処理を行って、未露光部４０３上の金属を除去してもよい。但し、本実施の形態のように金属処理部１２０の洗浄液ノズル１５０を用いた場合、ウェハＷの搬送等を別途行う必要がなく、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
以上の実施の形態において、レジスト膜４０１の露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量、すなわち露光部４０２中の金属４０４の濃度又は露光部４０２中の金属４０４の浸潤深さは、例えば以下の４つのパラメータのいずれか又はすべてを調整することによって制御される。なお、これら４つのパラメータを調整することで、露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤速度も制御できる。例えば露光部４０２において１００ｎｍの深さまで金属４０４を浸潤させる場合、３０秒〜５分の間で金属４０４の浸潤速度を制御することができる。
１つめのパラメータとしては、例えば塗布処理装置３１の金属処理部１２０における金属４０４の浸潤時間が挙げられる。金属含有液ノズル１４３から金属含有液を供給する時間を長くすれば、露光部４０２中に金属４０４を浸潤させる時間を長くすることができ、当該金属４０４の浸潤量を多くすることができる。一方、金属４０４の浸潤時間を短くすれば、当該金属４０４の浸潤量を少なくすることができる。
２つめのパラメータとしては、例えば塗布処理装置３１の金属処理部１２０において金属含有液ノズル１４３から供給される金属含有液中のアルコールの温度が挙げられる。金属含有液ノズル１４３からのアルコールの温度を高くすると、露光部４０２中に金属４０４が浸潤し易くなり、当該金属４０４の浸潤量を多くすることができる。一方、アルコールの温度を低くすると、当該金属４０４の浸潤量を少なくすることができる。
３つめのパラメータとしては、例えば塗布処理装置３１の金属処理部１２０において処理されるレジスト膜４０１中の溶剤の量が挙げられる。この溶剤の量の調整は種々の方法を用いることができる。
例えば塗布処理装置３１のレジスト膜形成部１２１でウェハＷ上にレジスト膜４０１が形成された後、熱処理装置４０で熱処理（プリベーク処理）を行う際、当該熱処理の温度や時間を調整することで、レジスト膜４０１中の溶剤の量を調整することができる。熱処理の温度を低く、或いは熱処理の時間を短くすれば、レジスト膜４０１中の溶剤の量を多くすることができる。そうすると、レジスト膜４０１の露光部４０２中に進入するアルコールの量を多くすることができ、さらに露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量を多くすることができる。一方、熱処理の温度を高く、或いは熱処理の時間を長くすれば、レジスト膜４０１中の溶剤の量が少なくなり、露光部４０２中に進入するアルコールの量を少なくすることができ、さらに露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量を少なくすることができる。また、このようにレジスト膜４０１中の溶剤の量を少なくすると、未露光部４０３中に金属が進入するのをより確実に抑制できるという効果も享受できる。
また、例えば別途設けられた溶剤供給装置（図示せず）においてレジスト膜４０１に溶剤を供給して、当該レジスト膜４０１中の溶剤の量を積極的に増加させてもよい。さらに、例えばレジスト膜形成部１２１のレジスト液ノズル１７２から供給されるレジスト液の材料を変更することで、レジスト膜４０１中の溶剤の量を調整してもよい。
４つめのパラメータとしては、例えば露光装置１２における露光量（ドーズ量）が挙げられる。露光量を大きくすると、レジスト膜４０１の露光部４０２中にＯＨ基が多く形成される。そうすると、露光部４０２中に進入するアルコールの量を多くすることができ、さらに露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量を多くすることができる。一方、露光量を小さくすると、露光部４０２中に形成されるＯＨ基が少なくなり、露光部４０２中に進入するアルコールの量を少なくすることができ、さらに露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量を少なくすることができる。
以上のようにレジスト膜４０１の露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量を制御することができる。そして上記実施の形態では、図８（ｃ）に示したように、露光部４０２の上部から下部まで全体に金属４０４を浸潤させていたが、金属４０４の浸潤量を調整して、図９（ａ）に示すように露光部４０２の上部のみに金属４０４を浸潤させてもよい。かかる場合でも、露光部４０２の上部は、未露光部４０３に比べてエッチング耐性が高いため、第１のエッチング装置２０２においてエッチング処理を行うと、未露光部４０３のみが選択的に除去され、図９（ｂ）に示すようにウェハＷの被処理膜４００上に所定のレジストパターン４０５を形成することができる。また露光部４０２の上部が被処理膜４００に対して高いエッチング選択比を有しているため、第２のエッチング装置２０４においてエッチング処理を行うと、図９（ｃ）に示すように被処理膜４００に所定のパターン４０６を適切な形状で形成することができる。したがって、上記実施の形態と同様の効果を享受することができる。
またこのように露光部４０２中に浸潤する金属４０４の浸潤量は、第２のエッチング装置２０４におけるエッチング処理で必要とされるエッチング選択比に応じて制御できる。このため、当該エッチング処理をより適切に行うことができる。
なお、図９に示した例では露光部４０２の下部に金属４０４が浸潤していないため、第１のエッチング装置２０２と第２のエッチング装置２０４でのエッチング処理において、当該露光部４０２の下部も若干程度エッチングされるおそれがある。したがって、かかる観点からすると、図８に示したように露光部４０２の全体に金属４０４を浸潤させた方が、エッチング処理をより適切に行うことができるため好ましい。
以上の実施の形態では、塗布処理装置３１の金属処理部１２０においてレジスト膜４０１の露光部４０２中に金属４０４を浸潤させるに際し、アルコールに金属４０４が溶解した金属含有液をウェハＷ上に供給していたが、これらアルコールと金属４０４を別々にウェハＷ上に供給してもよい。
図１０及び図１１に示すように金属処理部１２０の第１のアーム１４１には、ウェハＷ上に処理剤としての液体状のアルコールを供給する、処理剤供給部としてのアルコールノズル５００と、ウェハＷ上に金属４０４を含有する金属含有剤としての液体状の金属含有液を供給する、金属含有剤供給部としての金属含有液ノズル５０１とが支持されている。
アルコールノズル５００には、図１１に示すようにアルコール供給源５１０に連通する供給管５１１が接続されている。供給管５１１には、アルコールの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５１２が設けられている。なお、アルコールとしては、上記実施の形態と同様のアルコールが用いられる。
金属含有液ノズル５０１には、金属含有液供給源５２０に連通する供給管５２１が接続されている。供給管５２１には、金属含有液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５２２が設けられている。なお、金属含有液中の金属４０４としては上記実施の形態と同様の金属が用いられるが、その溶媒には種々の溶媒を用いることができる。溶媒としては、例えば純水等、金属４０４を溶解し、且つレジスト膜４０１を溶解しない材料であれば、種々の材料を用いることができる。
金属処理部１２０のその他の構成は、上記実施の形態の金属処理部１２０と同様であるので説明を省略する。なお、以上の構成では、アルコールノズル５００と金属含有液ノズル５０１は同一の第１のアーム１４１に支持されていたが、それぞれ別々のアームに支持されていてもよい。また、本実施の形態においては第２のアーム１４２に洗浄液ノズル１５０が設けられているが、洗浄液としてアルコールを用いる場合、アルコールノズル５００を用いて未露光部４０３上の金属を除去し、レジスト膜４０１の表面を洗浄してもよい。かかる場合、洗浄液ノズル１５０及びこれに付随する部材（第２のアーム１４２、ノズル駆動部１５１、待機部１５２、洗浄液供給源１５３、供給管１５４、供給機器群１５５）を省略することができる。
本実施の形態の金属処理部１２０では、スピンチャック１３０でウェハＷを吸着保持した後、第１のアーム１４１によって待機部１４５のアルコールノズル５００をウェハＷの中心部の上方まで移動させる。続いて、スピンチャック１３０によってウェハＷを回転させながらアルコールノズル５００からウェハＷの中心部にアルコールを供給する。ウェハＷ上に供給された供給されたアルコールは、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷのレジスト膜４０１の表面全面に拡散する。
このようにレジスト膜４０１上にアルコールが塗布されると、図１２（ａ）に示すようにアルコール５３０は、レジスト膜４０１の露光部４０２中のＯＨ基等、親和性の良い官能基をターゲットにして露光部４０２中に進入する。
その後、第１のアーム１４１によって金属含有液ノズル５０１をウェハＷの中心部の上方まで移動させる。続いて、スピンチャック１３０によってウェハＷを回転させながら、金属含有液ノズル５０１からウェハＷの中心部に金属含有液を供給する。ウェハＷ上に供給された金属含有液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷのレジスト膜４０１の表面全面に拡散する。
このようにレジスト膜４０１上に金属含有液が塗布されると、露光部４０２中のアルコール５３０を進入経路として金属含有液が露光部４０２中に進入する。そして、当該金属含有液中の金属４０４は露光部４０２中のＯＨ基と結合して、図１２（ｂ）に示すように金属４０４が露光部４０２中に浸潤する。
かかる場合でも、露光部４０２は未露光部４０３に比べてエッチング耐性が高いため、第１のエッチング装置２０２においてエッチング処理を行うと、未露光部４０３のみが選択的に除去され、図１２（ｃ）に示すようにウェハＷの被処理膜４００上に所定のレジストパターン４０５を形成することができる。また露光部４０２が被処理膜４００に対して高いエッチング選択比を有しているため、第２のエッチング装置２０４においてエッチング処理を行うと、図１２（ｄ）に示すように被処理膜４００に所定のパターン４０６を適切な形状で形成することができる。したがって、上記実施の形態と同様の効果を享受することができる。
以上のように露光部４０２中に金属４０４を浸潤させるに際して、アルコール５３０に金属４０４が溶解した金属含有液をウェハＷ上に供給してもよいし、これらアルコール５３０と金属４０４を別々にウェハＷ上に供給してもよく、いずれの場合でも同様の効果を享受できる。但し、スループットの観点からは、前者のようにアルコール５３０に金属４０４が溶解した金属含有液をウェハＷ上に供給する方が好ましい。
以上の実施の形態では、金属含有液ノズル１４３からウェハＷに供給される金属含有液は液体状であったが、気体状であってもよい。この気体状の金属含有剤をウェハＷに供給する塗布処理装置６００は、塗布現像処理装置２において任意の場所に設置することができ、例えば第１のブロックＧ１に設置される。
図１３に示すように塗布処理装置６００は、内部を閉鎖可能な処理容器６１０を有している。処理容器６１０のウェハ搬送領域Ｄ側の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。処理容器６１０の底面には、内部の雰囲気を排気する排気管６１１が接続されている。
処理容器６１０内の底面には、ウェハＷが載置される載置台６２０が設けられている。載置台６２０内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン６２１が例えば３本設けられている。昇降ピン６２１は、昇降駆動部６２２により上下動できる。載置台６２０の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔６２３が例えば３箇所に形成されている。そして昇降ピン６２１は、貫通孔６２３を挿通するようになっている。
処理容器６１０内の天井面であって、載置台６２０の上方には、ウェハＷ上に気体状の金属含有剤を下方に供給するシャワーヘッド６３０が設けられている。シャワーヘッド６３０は、載置台６２０に載置されたウェハＷに対向して配置されている。シャワーヘッド６３０の内部には、後述する金属含有剤供給源６４０から供給された金属含有剤が導入される内部空間６３１が形成されている。シャワーヘッド６３０の下面には、内部空間６３１に導入された金属含有剤を下方に向かって供給する複数の供給口６３２が、シャワーヘッド６３０の下面全体に分布させられた状態で設けられている。すなわち、シャワーヘッド６３０からウェハＷに対して、気体状の金属含有剤が水平面内で均一に供給されるように複数の供給口６３２が形成されている。
シャワーヘッド６３０には、金属含有剤供給源６４０に連通する供給管６４１が接続されている。金属含有剤供給源６４０の内部では、例えばアルコール５３０に金属４０４を溶解した金属含有液が液体状で貯留され、この金属含有液を加熱して気化させて気体状の金属含有剤が生成される。供給管６４１には、金属含有剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群６４２が設けられている。
かかる場合、レジスト膜４０１が形成されたウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって塗布処理装置６００に搬送される。塗布処理装置６００にウェハＷが搬入されると、ウェハＷは予め上昇して待機していた昇降ピン６２１に受け渡される。続いて昇降ピン６２１を下降させ、ウェハＷを載置台６２０に載置する。その後、シャワーヘッド６３０からウェハＷ上に気体状の金属含有剤が供給される。そうすると、レジスト膜４０１の露光部４０２中にアルコール５３０が進入し、当該アルコール５３０を進入経路として金属４０４が露光部４０２中に進入する。こうして、露光部４０２中に金属４０４を浸潤させることができる。
同様にアルコールノズル５００から供給されるアルコール５３０と、金属含有液ノズル５０１からウェハＷに供給される金属含有液とは、それぞれ液体状であったが、気体状であってもよい。かかる場合でも、塗布処理装置６００と同様の装置が用いられ、ウェハＷ上に気体状のアルコール５３０と気体状の金属含有剤を供給し、レジスト膜４０１の露光部４０２中に金属４０４を浸潤させることができる。
以上の実施の形態では、金属処理部１２０とレジスト膜形成部１２１、１２２とは同一の塗布処理装置３１内に設けられていたが、別々の装置に設けられていてもよい。
以上の実施の形態では、レジスト膜４０１の露光部４０２中に金属４０４を進入させるための処理剤としてアルコールを用いたが、露光部４０２に進入する材料であればこれに限定されない。
また以上の実施の形態では、第１のエッチング装置２０２においてレジスト膜４０１の未露光部４０３を除去し、第２のエッチング装置２０４において被処理膜４００をエッチングしていたが、これら未露光部４０３の除去と被処理膜４００のエッチング処理を、同一のエッチング装置内においてエッチングガスを切り替えて行ってもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１ 基板処理システム
２ 塗布現像処理装置
３ エッチング処理装置
１２ 露光装置
３１、３２ 塗布処理装置
４０ 熱処理装置
１２０ 金属処理部
１２１、１２２ レジスト膜形成部
１４３ 金属含有液ノズル
１５０ 洗浄液ノズル
１７２ レジスト液ノズル
２０２、２０３ 第１のエッチング装置
３００ 制御装置
４００ 被処理膜
４０１ レジスト膜
４０２ 露光部
４０３ 未露光部
４０４ 金属
４０５ レジストパターン
４０６ （被処理膜の）パターン
５００ アルコールノズル
５０１ 金属含有液ノズル
５３０ アルコール
６００ 塗布処理装置
６３０ シャワーヘッド
Ｗ ウェハ

Claims (18)

  1. 基板上にレジストパターンを形成する基板処理方法であって、
    基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
    前記レジスト膜を所定のパターンに露光する露光工程と、
    前記レジスト膜において前記露光工程で露光された露光部中に処理剤を進入させ、且つ前記露光部中に前記処理剤を介して金属を浸潤させる金属処理工程と、
    前記レジスト膜において前記露光工程で露光されていない未露光部を除去し、基板上にレジストパターンを形成するレジスト膜除去工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
  2. 前記金属処理工程において前記露光部中に浸潤する前記金属の浸潤量の制御は、少なくとも前記金属処理工程において前記金属を浸潤させる時間、前記金属処理工程における前記処理剤の温度、前記金属処理工程で処理される前記レジスト膜中の溶剤の量、又は前記露光工程における露光量を調整して行われることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記金属処理工程において、前記露光部中に前記金属を浸潤させた後、前記未露光部上に堆積した金属を除去することを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 前記金属処理工程において、前記処理剤中に前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給し、前記露光部中に前記金属含有剤を進入させて、前記露光部中に前記金属を浸潤させることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
  5. 前記金属処理工程において、前記金属含有剤は液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給されることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 前記金属処理工程において、前記レジスト膜上に前記処理剤を供給して前記露光部中に前記処理剤を進入させた後、前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給して前記露光部中に前記金属を浸潤させることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
  7. 前記金属処理工程において、前記処理剤と前記金属含有剤は、それぞれ液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給されることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 前記処理剤はアルコールであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理方法。
  9. 請求項１〜８のいずかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
  10. 請求項９に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
  11. 基板上にレジストパターンを形成する基板処理システムであって、
    基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置と、
    前記レジスト膜を所定のパターンに露光する露光装置と、
    前記レジスト膜において前記露光装置で露光された露光部中に処理剤を進入させ、且つ前記露光部中に前記処理剤を介して金属を浸潤させる金属処理装置と、
    前記レジスト膜において前記露光装置で露光されていない未露光部を除去し、基板上にレジストパターンを形成するレジスト膜除去装置と、を有することを特徴とする、基板処理システム。
  12. 少なくとも前記金属処理装置において前記金属を浸潤させる時間、前記金属処理装置における前記処理剤の温度、前記金属処理装置において処理される前記レジスト膜中の溶剤の量、又は前記露光装置における露光量を調整して、前記金属処理装置において前記露光部中に浸潤する前記金属の浸潤量を制御する制御装置をさらに有することを特徴とする、請求項１１に記載の基板処理システム。
  13. 前記金属処理装置は、前記露光部中に前記金属を浸潤させた後、前記未露光部上に堆積した金属を除去することを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の基板処理システム。
  14. 前記金属処理装置は、前記処理剤中に前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給する金属含有剤供給部を有することを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の基板処理システム。
  15. 金属含有剤供給部は、前記金属含有剤を液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給することを特徴とする、請求項１４に記載の基板処理システム。
  16. 前記金属処理装置は、前記レジスト膜上に前記処理剤を供給する処理剤供給部と、前記金属を含有する金属含有剤を前記レジスト膜上に供給する金属含有剤供給部とを有することを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の基板処理システム。
  17. 前記処理剤供給部と前記金属含有剤供給部は、前記処理剤と前記金属含有剤をそれぞれ液体状又は気体状で前記レジスト膜上に供給することを特徴とする、請求項１６に記載の基板処理システム。
  18. 前記処理剤はアルコールであることを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれかに記載の基板処理システム。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5827939B2 (ja) 2012-12-17 2015-12-02 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置
JP5871844B2 (ja) * 2013-03-06 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP5926753B2 (ja) * 2014-02-26 2016-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP2019053228A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 パターン形成方法及びパターン形成材料
JP7213642B2 (ja) * 2018-09-05 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 レジスト膜の製造方法
JP2020046496A (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 キオクシア株式会社 パターン形成方法および半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0876385A (ja) * 1994-07-05 1996-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
JPH09189998A (ja) * 1995-11-10 1997-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料及びパターン形成方法
JPH09312247A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Hitachi Ltd パターン形成方法及びパターン形成装置
JP2014120620A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04151668A (ja) 1990-10-15 1992-05-25 Mitsubishi Electric Corp パターン形成方法
JP3317582B2 (ja) 1994-06-01 2002-08-26 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 微細パターンの形成方法
EP1028353A1 (en) * 1997-02-20 2000-08-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming method
DE19828969A1 (de) 1998-06-29 1999-12-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
JP4121658B2 (ja) 1999-02-22 2008-07-23 大日本印刷株式会社 有機絶縁樹脂層の加工方法
JP2001272786A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp パターン形成方法
JP3848070B2 (ja) 2000-09-27 2006-11-22 株式会社東芝 パターン形成方法
EP1375699A1 (en) * 2001-03-26 2004-01-02 Nippon Paint Co., Ltd. Method for forming metal pattern
JP4343022B2 (ja) 2004-05-10 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP5187274B2 (ja) 2009-05-28 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2012022244A (ja) 2010-07-16 2012-02-02 Tokyo Electron Ltd フォトレジスト用現像液及び現像処理装置
US20120325671A2 (en) 2010-12-17 2012-12-27 Tel Nexx, Inc. Electroplated lead-free bump deposition
JP5871844B2 (ja) 2013-03-06 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0876385A (ja) * 1994-07-05 1996-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
JPH09189998A (ja) * 1995-11-10 1997-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料及びパターン形成方法
JPH09312247A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Hitachi Ltd パターン形成方法及びパターン形成装置
JP2014120620A (ja) * 2012-12-17 2014-06-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置

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