TW201447978A - 基板處理方法、電腦記憶媒體及基板處理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理方法、電腦記憶媒體及基板處理系統，該基板處理方法包含如下步驟：光阻膜形成步驟，於基板上形成光阻膜；曝光步驟，將該光阻膜曝光為既定圖案；金屬處理步驟，使處理劑進入該光阻膜內在曝光步驟曝光之曝光部中，並藉由處理劑使金屬浸潤於曝光部中；以及光阻膜去除步驟，去除該光阻膜中未在曝光步驟曝光之未曝光部，於基板上形成光阻圖案。

Description

基板處理方法、電腦記憶媒體及基板處理系統
本發明係關於一種，於基板上形成光阻圖案之基板處理方法、程式、電腦記憶媒體、及用於實行該基板處理方法之基板處理系統。
例如半導體元件之製程中的光微影步驟，依序施行例如：於半導體晶圓(以下稱作「晶圓」)上塗布光阻液而形成光阻膜之光阻塗布處理、對晶圓表面之光阻膜照射既定圖案的光線而將光阻膜曝光之曝光處理、將經曝光的光阻膜顯影之顯影處理等，於晶圓表面之光阻膜形成既定的光阻圖案。
上述之顯影處理，係例如對晶圓之光阻膜上供給顯影液而加以施行。此一情況，顯影液的表面張力作用於光阻圖案，有產生使該光阻圖案傾斜而倒塌之，所謂的圖案崩塌之情況。
因而，前人提議利用使有機溶劑混合於顯影原液而減小表面張力之顯影液，施行顯影處理(專利文獻1)。
【習知技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2012-22244號公報
然而，使用專利文獻1揭露之顯影液施行顯影處理的情況，雖可抑制圖案崩塌之，該顯影液的表面張力所減小的分，但實際上尚具有改善的空間。
特別是近年之半導體元件細微化至例如20nm以下，光阻圖案的細微化有所進展。換而言之，則光阻圖案的寬高比變大。因此，圖案崩塌的問題變得顯著，自此一觀點來看，有抑制圖案崩塌，適當形成光阻圖案的必要。
鑒於此一問題，本發明之目的為，於基板上適當形成光阻圖案。
為了達成上述目的，本發明為一種基板處理方法，於基板上形成光阻圖案，其特徵為包含如下步驟：光阻膜形成步驟，於基板上形成光阻膜；曝光步驟，將該光阻膜曝光為既定圖案；金屬處理步驟，使處理劑進入該光阻膜內之在該曝光步驟曝光之曝光部中，並藉由該處理劑使金屬浸潤於該曝光部中；以及光阻膜去除步驟，去除該光阻膜中之未在該曝光步驟曝光之未曝光部，於基板上形成光阻圖案。
依本發明，若以曝光步驟將光阻膜曝光，則於光阻膜之曝光部形成OH基(氫氧基)。之後，金屬處理步驟，處理劑以曝光部中之OH基等親和性佳的官能基為標靶而進入曝光部中。伴隨著處理劑進入此一曝光部中，金屬亦將該處理劑作為進入通道而進入至曝光部中。而後，去除光阻膜去除步驟中光阻膜之未曝光部，則留下金屬浸潤之曝光部，於基板上形成光阻圖案。如此地依照本發明，則可省略如同習知地使用顯影液之顯影處理，故可抑制圖案崩塌，可於基板上適當形成光阻圖案。
再者，本發明的光阻圖案含有金屬，與基板上之被處理膜相對而具有高蝕刻選擇比。因而，不必非得形成寬高比高的光阻圖案，自此一觀點來看可抑制圖案崩塌。
進一步，如此地使光阻圖案具有相對於被處理膜之高蝕刻選擇比，故若將該光阻圖案作為遮罩而蝕刻被處理膜，則可於被處理膜適當形成既定圖案。
該金屬處理步驟裡浸潤於該曝光部中之該金屬的浸潤量之控制，可至少調整以下因子而施行：該金屬處理步驟中使該金屬浸潤的時間、該金屬處理步驟中之該處理劑的溫度、在該金屬處理步驟處理的該光阻膜中之溶劑的量、或該曝光步驟中的曝光量。
該金屬處理步驟中，可於該曝光部中使該金屬浸潤後，去除堆積在該未曝光部上的金屬。
該金屬處理步驟中，可將在該處理劑中含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上，使該含金屬劑進入該曝光部中，於該曝光部中使該金屬浸潤。
該金屬處理步驟中，可將該含金屬劑以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
該金屬處理步驟中，可在將該處理劑供給至該光阻膜上而使該處理劑進入該曝光部中之後，將含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上而使該金屬浸潤於該曝光部中。
該金屬處理步驟中，可將該處理劑與該含金屬劑，分別以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
該處理劑可為醇。
依其他觀點之本發明，則提供一種程式，在控制基板處理系統之控制裝置的電腦上運作，供藉由該基板處理系統實行該基板處理方法所用。
此外依另一觀點之本發明，則提供記錄有上述程式的電腦可讀取之記憶媒體。
進一步，再另一觀點之本發明為一種基板處理系統，於基板上形成光阻圖案，其特徵為具備如下裝置：光阻膜形成裝置，於基板上形成光阻膜；曝光裝置，將該光阻膜曝光為既定圖案；金屬處理裝置，使處理劑進入該光阻膜內以該曝光裝置曝光之曝光部中，並藉由該處理劑使金屬浸潤於該曝光部中；以及光阻膜去除裝置，去除該光阻膜中之未以該曝光裝置曝光之未曝光部，於基板上形成光阻圖案。
該基板處理系統，更具備控制裝置，至少將該金屬處理步驟中使該金屬浸潤的時間、該金屬處理步驟中之該處理劑的溫度、在該金屬處理裝置內處理的該光阻膜中之溶劑的量、或該曝光裝置中的曝光量加以調整，控制在該金屬處理裝置內浸潤於該曝光部中之該金屬的浸潤量。
該金屬處理裝置，可於該曝光部中使該金屬浸潤後，去除堆積在該未曝光部上的金屬。
該金屬處理裝置可具備含金屬劑供給部，將在該處理劑中含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上。
該含金屬劑供給部，可將該含金屬劑以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
該金屬處理裝置，可具備：將該處理劑供給至該光阻膜上之處理劑供給部、以及將含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上之含金屬劑供給部。
該處理劑供給部與該含金屬劑供給部，可將該處理劑與該含金屬劑分別以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
該處理劑可為醇。
依本發明，則可於基板上適當形成光阻圖案。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧塗布顯影處理裝置
3‧‧‧蝕刻處理裝置
10、200‧‧‧晶圓匣盒裝卸站
11‧‧‧處理站
12‧‧‧曝光裝置
13‧‧‧介面站
20、212‧‧‧晶圓匣盒載置台
21‧‧‧晶圓匣盒載置板
22‧‧‧運送路
23、70、90、100‧‧‧晶圓運送裝置
30‧‧‧下部反射防止膜形成裝置
31、32、600‧‧‧塗布處理裝置
33‧‧‧上部反射防止膜形成裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧附著裝置
42‧‧‧周邊曝光裝置
50、51、52、53、54、55、56、60、61、62、63、64、65、66、101‧‧‧傳遞裝置
71、210a、210b、215a、215b‧‧‧運送臂部
80‧‧‧往返運送裝置
110、610‧‧‧處理容器
120‧‧‧金屬處理部
121、122‧‧‧光阻膜形成部
130、160‧‧‧旋轉夾盤
131、161‧‧‧夾盤驅動部
132、162、P‧‧‧杯體
133、163‧‧‧排出管
134、164、611‧‧‧排氣管
140、170‧‧‧軌道
141、142、171‧‧‧臂部
143、501‧‧‧含金屬液噴嘴
144、151、173‧‧‧噴嘴驅動部
145、152、174‧‧‧待機部
146、520‧‧‧含金屬液供給源
147、154、176、511、521、641‧‧‧供給管
148、155、177、512、522、642‧‧‧供給機器群
150‧‧‧洗淨液噴嘴
153‧‧‧洗淨液供給源
172‧‧‧光阻液噴嘴
175‧‧‧光阻液供給源
201‧‧‧共通運送部
202、203‧‧‧第1蝕刻裝置
204、205‧‧‧第2蝕刻裝置
210、215‧‧‧晶圓運送機構
211‧‧‧運送室
213a、213b‧‧‧真空預備裝置
214‧‧‧運送室腔室
300‧‧‧控制裝置
400‧‧‧被處理膜
401‧‧‧光阻膜
402‧‧‧曝光部
403‧‧‧未曝光部
404‧‧‧金屬
405‧‧‧光阻圖案
406‧‧‧(被處理膜的)圖案
500‧‧‧醇噴嘴
510‧‧‧醇供給源
530‧‧‧醇
620‧‧‧載置台
621‧‧‧升降銷
622‧‧‧升降驅動部
623‧‧‧貫通孔
630‧‧‧沖淋頭
631‧‧‧內部空間
632‧‧‧供給口
640‧‧‧含金屬劑供給源
C‧‧‧晶圓匣盒
D‧‧‧晶圓運送區域
G1~G4‧‧‧第1區塊~第4區塊
W‧‧‧晶圓
圖1 顯示本實施形態之基板處理系統的構成之概略的說明圖。
圖2 顯示塗布顯影處理裝置的構成之概略的俯視圖。
圖3 顯示塗布顯影處理裝置的內部構成之概略的側視圖。
圖4 顯示塗布顯影處理裝置的內部構成之概略的側視圖。
圖5 顯示塗布處理裝置的構成之概略的橫剖面圖。
圖6 顯示塗布處理裝置的構成之概略的縱剖面圖。
圖7 顯示蝕刻處理裝置的構成之概略的俯視圖。
圖8 晶圓處理的說明圖，(a)顯示於晶圓上形成有光阻膜的樣子；(b)顯示光阻膜經曝光的樣子；(c)顯示金屬浸潤於光阻膜之曝光部中的樣子；(d)顯示於晶圓上形成有光阻膜的樣子；(e)顯示於處理膜形成有既定圖案的樣子。
圖9 其他實施形態之晶圓處理的說明圖，(a)顯示金屬浸潤於光阻膜之曝光部的上部中之樣子；(b)顯示於晶圓上形成有光阻圖案的樣子；(c)顯示顯示於被處理膜形成有既定圖案的樣子。
圖10 顯示其他實施形態之塗布處理裝置的構成之概略的橫剖面圖。
圖11 顯示其他實施形態之塗布處理裝置的構成之概略的縱剖面圖。
圖12 其他實施形態之晶圓處理的說明圖，(a)顯示醇進入至光阻膜之曝光部中的樣子；(b)顯示金屬浸潤於曝光部中的樣子；(c)顯示於晶圓上形成有光阻圖案的樣子；(d)顯示於被處理膜形成有既定圖案的樣子。
圖13 顯示其他實施形態之塗布處理裝置的構成之概略的縱剖面圖。
【實施本發明之最佳形態】
以下，對本發明之實施形態加以說明。圖1為，顯示本實施形態之基板處理系統1的構成之概略的說明圖。另，在以本實施形態之基板處理系統1處理的作為基板之晶圓上，如同後述地預先形成被處理膜。
基板處理系統1，如圖1所示地，具有對晶圓施行光微影處理(除了顯影處理)之塗布顯影處理裝置2、以及對晶圓施行蝕刻處理之蝕刻處理裝置3。
塗布顯影處理裝置2，如圖2所示地具有例如將如下元件一體化地連接之構成：晶圓匣盒裝卸站10，在與外部之間將收納有複數枚晶圓W之晶圓匣盒C搬出入；處理站11，具備複數個在光微影處理中單片式地施行既定處理之各種處理裝置；以及介面站13，在與鄰接於處理站11的曝光裝置12之間施行晶圓W的傳遞。
於晶圓匣盒裝卸站10，設置晶圓匣盒載置台20。於晶圓匣盒載置台20，設置複數張，例如4張晶圓匣盒載置板21。晶圓匣盒載置板21，於水平方向的X方向(圖2中的上下方向)一列地並排設置。於此等晶圓匣盒載置板21，在對塗布顯影處理裝置2之外部將晶圓匣盒C搬出入時，可載置晶圓匣盒C。
於晶圓匣盒裝卸站10，如圖2所示地設置往X方向延伸之可在運送路22上任意移動的晶圓運送裝置23。晶圓運送裝置23，亦可往上下方向及圍繞鉛直軸(θ方向)地任意移動，可在各晶圓匣盒載置板21上之晶圓匣盒C、與後述之處理站11的第3區塊G3之傳遞裝置間，運送晶圓W。
於處理站11，設置具備有各種裝置之複數個，例如4個區塊G1、G2、G3、G4。例如於處理站11之正面側(圖2的X方向負方向側)，設置第1區塊G1；於處理站11之背面側(圖2的X方向正方向側)，設置第2區塊G2。此外，於處理站11之晶圓匣盒裝卸站10側(圖1的Y方向負方向側)，設置第3區塊G3；於處理站11之介面站13側(圖2的Y方向正方向側)，設置第4區塊G4。
例如於第1區塊G1，如圖3所示地於鉛直方向堆疊複數個液處理裝置。例如將以下元件自下方起依序重疊為4層：下部反射防止膜形成裝置30，於晶圓W之光阻膜的下層形成反射防止膜(以下以「下部反射防止膜」稱之)；塗布處理裝置31、32，於晶圓W塗布光阻液而形成光阻膜，並對光阻膜塗布既定液體而使金屬浸潤於光阻膜中；以及上部反射防止膜形成裝置33，於晶圓W之光阻膜的上層形成反射防止膜(以下以「上部反射防止膜」稱之)。另，塗布處理裝置31、32，作為本發明之光阻膜形成裝置而作用，並作為金屬處理裝置而作用。
下部反射防止膜形成裝置30、上部反射防止膜形成裝置33，於水平方向各自具有複數個在處理時收納晶圓W之杯體P，可將複數枚晶圓W並行處理。對於塗布處理裝置31、32之詳細構成將於後描述。
另，此等下部反射防止膜形成裝置30、塗布處理裝置31與32、上部反射防止膜形成裝置33的數目與配置，可任意選擇。此外亦可於第1區塊G1，配置供給供在晶圓W形成撥水性的保護膜所用之處理液以形成曝光用的保護膜之保護膜形成裝置、對晶圓W的背面及邊緣之斜面部供給洗淨液以洗淨晶圓W的背面之背面洗淨裝置等。
例如於第2區塊G2，如圖4所示地在上下方向與水平方向並排設置：施行晶圓W的熱處理之熱處理裝置40、將晶圓W疎水化處理之附著裝置41、將晶圓W的外周部曝光之周邊曝光裝置42。熱處理裝置40，具有載置晶圓W而將其加熱之熱板、及載置晶圓W而將其冷卻之冷卻板，可兼施 行加熱處理與冷卻處理兩者。另，熱處理裝置40、附著裝置41及周邊曝光裝置42的數目與配置，可任意選擇。
例如於第3區塊G3，如圖3及圖4所示地自下方起依序設置複數個傳遞裝置50、51、52、53、54、55、56。此外，於第4區塊G4，自下方起依序設置複數個傳遞裝置60、61、62、63、64、65、66。
如圖2所示地在被第1區塊G1~第4區塊G4包圍的區域，形成晶圓運送區域D。於晶圓運送區域D，配置例如晶圓運送裝置70。
晶圓運送裝置70，具有例如可往Y方向、X方向、θ方向及上下方向任意移動之運送臂部71。晶圓運送裝置70，在晶圓運送區域D內移動，可將晶圓W運送至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內的既定裝置。
晶圓運送裝置70，例如如圖4所示地於上下配置複數台，可將晶圓W運送至例如與各區塊G1~G4同程度高度的既定裝置。
此外，於晶圓運送區域D，設置在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線地運送晶圓W之往返運送裝置80。
往返運送裝置80，例如可在Y方向直線地任意移動。往返運送裝置80，以支承晶圓W的狀態於Y方向移動，可在第3區塊G3之傳遞裝置52與第4區塊G4之傳遞裝置62間運送晶圓W。
如圖2所示地於第3區塊G3的X方向正方向側之鄰近，設置晶圓運送裝置90。晶圓運送裝置90，具有例如可在X方向、θ方向及上下方向任意移動之運送臂部。晶圓運送裝置90，以支持晶圓W之狀態上下地移動，可將晶圓W運送至第3區塊G3內的各傳遞裝置。
於介面站13，設置晶圓運送裝置100與傳遞裝置101。晶圓運送裝置100，具有例如可在Y方向、θ方向及上下方向任意移動之運送臂部。晶圓運送裝置100，例如於運送臂部支承晶圓W，可在與第4區塊G4內的各傳遞裝置、傳遞裝置101及曝光裝置12之間運送晶圓W。
其次，對上述塗布處理裝置31、32之構成加以說明。塗布處理裝置31，如圖5所示地具有內部可閉鎖之處理容器110。在處理容器110的晶圓運送區域D側之側面，將晶圓W之搬出入口(未圖示)形成於例如3處，並在該搬出入口設置開閉閘門(未圖示)。此外，此等3個搬出入口，形成於與後述之金屬處理部120、光阻膜形成部121及122對應的位置。另，金屬處理部120作為本發明之金屬處理裝置而作用，光阻膜形成部121、122作為本發明之光阻膜形成裝置而作用。
於處理容器110之內部設置例如：金屬處理部120，使作為處理劑的醇進入晶圓W上之光阻膜裡以曝光裝置12曝光的曝光部中，並於曝光部中藉由醇使金屬浸潤；以及2個光阻膜形成部121、122，於晶圓W上形成光阻膜。金屬處理部120、光阻膜形成部121與122，以此一順序自Y方向負方向(圖5的左方)側起往Y方向正方向(圖5的右方)側並排配置。
於金屬處理部120，如圖6所示地設置保持晶圓W而使其旋轉之旋轉夾盤130。旋轉夾盤130，具有水平的頂面，於該頂面，例如設置抽吸晶圓W之抽吸口(未圖示)。藉由來自此一抽吸口的抽吸，可將晶圓W吸附保持於旋轉夾盤130上。
於旋轉夾盤130之下方，設置例如具有馬達等之夾盤驅動部131。旋轉夾盤130，可藉由夾盤驅動部131以既定的速度旋轉。此外，於夾盤驅動部131，設置例如壓力缸筒等升降驅動源，可將旋轉夾盤130任意升降。
於旋轉夾盤130之周圍設置杯體132，承擋自晶圓W飛散或落下的液體，加以回收。在杯體132之底面，連接將回收的液體排出之排出管133、 以及將杯體132內的氣體環境排氣之排氣管134。
如圖5所示地於杯體132的X方向負方向(圖5中的下方向)側，形成沿著Y方向(圖5中的左右方向)延伸之軌道140。軌道140，例如自杯體132的Y方向負方向(圖5中的左方向)側之外方起，形成至Y方向正方向(圖5中的右方向)側之外方為止。於軌道140，安裝例如2根臂部141、142。
於第1臂部141，如圖5及圖6所示地支承作為含金屬劑供給部之含金屬液噴嘴143，該含金屬液噴嘴143對晶圓W上供給作為含金屬劑之液體狀的含金屬液。第1臂部141，藉由圖5所示之噴嘴驅動部144，而可於軌道140上任意移動。藉此，含金屬液噴嘴143，可自設置於杯體132的Y方向正方向側之外方的待機部145起，移動至杯體132內的晶圓W之中心部上方為止，更可於該晶圓W上往晶圓W的徑方向移動。此外，第1臂部141，藉由噴嘴驅動部144而可任意升降，可調整含金屬液噴嘴143的高度。
含金屬液噴嘴143，如圖6所示地與和含金屬液供給源146連通之供給管147相連接。於含金屬液供給源146內，儲存含金屬液。於供給管147設置供給機器群148，包含控制含金屬液之流動的閥與流量調節部等。
在含金屬液供給源146內，儲存將金屬溶解於作為處理劑的醇之含金屬液。作為醇，使用例如IPA(異丙醇)、乙醇、丁醇、MIBC(甲基異丁基甲醇)等。此外作為金屬，使用例如Zr(鋯)、Ti(鈦)、W(鎢)等。另，該金屬具有微小的徑，例如為5nm以下之徑的奈米微粒。
於第2臂部142，如圖5及圖6所示地支承對晶圓W供給洗淨液之洗淨液噴嘴150。第2臂部142，藉由圖5所示之噴嘴驅動部151，而可於軌道140上任意移動。藉此，洗淨液噴嘴150，可自設置在杯體132的Y方向負方向側之外方的待機部152起，移動至杯體132內的晶圓W之中心部上方為止，進一步可於該晶圓W上往晶圓W的徑方向移動。此外，第2 臂部142，藉由噴嘴驅動部151而可任意升降，可調整洗淨液噴嘴150的高度。
洗淨液噴嘴150，如圖6所示地與和洗淨液供給源153連通之供給管154相連接。於洗淨液供給源153內，儲存醇作為洗淨液，例如儲存IPA(異丙醇)、乙醇、丁醇、MIBC(甲基異丁基甲醇)等。於供給管154設置供給機器群155，包含控制洗淨液之流動的閥與流量調節部等。
於光阻膜形成部121，如圖6所示地設置保持晶圓W而使其旋轉之旋轉夾盤160。旋轉夾盤160，具有水平的頂面，於該頂面，例如設置抽吸晶圓W之抽吸口(未圖示)。藉由來自此一抽吸口的抽吸，可將晶圓W吸附保持於旋轉夾盤160上。
於旋轉夾盤160之下方，設置例如具有馬達等之夾盤驅動部161。旋轉夾盤160，可藉由夾盤驅動部161以既定的速度旋轉。此外，於夾盤驅動部161，設置例如壓力缸筒等升降驅動源，可將旋轉夾盤160任意升降。
於旋轉夾盤160之周圍設置杯體162，承擋自晶圓W飛散或落下的液體，加以回收。在杯體162之底面，連接將回收的液體排出之排出管163、以及將杯體162內的氣體環境排氣之排氣管164。
另，於光阻膜形成部122，亦與上述光阻膜形成部121同樣地，設置旋轉夾盤160、夾盤驅動部161、杯體162、排出管163、排氣管164。
如圖5所示地於光阻膜形成部121、122之杯體162的X方向負方向(圖5中的下方向)側，形成沿著Y方向(圖5中的左右方向)延伸之軌道170。軌道170，例如自光阻膜形成部121之杯體162的Y方向負方向(圖5中的左方向)側之外方起，形成至光阻膜形成部122之杯體162的Y方向正方向(圖5中的右方向)側之外方為止。於軌道170，安裝例如臂部171。
於臂部171，如圖5及圖6所示地支承對晶圓W供給光阻液之光阻液噴嘴172。臂部171，藉由圖5所示之噴嘴驅動部173，而可於軌道170上任意移動。藉此，光阻液噴嘴172，可自設置在光阻膜形成部121之杯體162與光阻膜形成部122之杯體162間的待機部174起，移動至杯體162內的晶圓W之中心部上方為止，更可於該晶圓W上往晶圓W的徑方向移動。此外，臂部171，藉由噴嘴驅動部173而可任意升降，可調整光阻液噴嘴172的高度。
光阻液噴嘴172，如圖6所示地與和光阻液供給源175連通之供給管176相連接。於光阻液供給源175內，儲存光阻液。於供給管176設置供給機器群177，包含控制光阻液之流動的閥與流量調節部等。
另，塗布處理裝置32之構成，由於與上述塗布處理裝置31之構成相同故省略說明。
其次，對上述蝕刻處理裝置3之構成加以說明。蝕刻處理裝置3，如圖7所示地具有：晶圓匣盒裝卸站200，施行對於蝕刻處理裝置3之晶圓W的搬出入；共通運送部201，施行晶圓W的運送；作為光阻膜去除裝置之第1蝕刻裝置202、203，去除晶圓W上的光阻膜中之未以曝光裝置12曝光之未曝光部，於晶圓W上形成光阻圖案；以及第2蝕刻裝置204、205，將晶圓W上的光阻圖案作為遮罩而將被處理膜蝕刻為既定圖案。
晶圓匣盒裝卸站200，具有將運送晶圓W之晶圓運送機構210設置在內部的運送室211。晶圓運送機構210，具有2根將晶圓W略水平地保持之運送臂部210a、210b，成為藉由此等運送臂部210a、210b之任一保持並運送晶圓W的構成。於運送室211之側方具備晶圓匣盒載置台212，載置可並排收納複數枚晶圓W之晶圓匣盒C。圖示的例子中，於晶圓匣盒載置台212，可載置複數個，例如3個晶圓匣盒C。
運送室211與共通運送部201，藉由2個可抽真空之真空預備裝置 213a、213b而互相連結。
共通運送部201，具有例如形成為自上方觀察時呈略多角形(圖示的例子為六角形)之可密閉構造的運送室腔室214。於運送室腔室214內，設置運送晶圓W之晶圓運送機構215。晶圓運送機構215，具有2根將晶圓W略水平地保持之運送臂部215a、215b，成為藉由此等運送臂部215a、215b之任一保持並運送晶圓W的構成。
於運送室腔室214之外側，將第1蝕刻裝置202與203、第2蝕刻裝置204與205、真空預備裝置213b與213a，以包圍運送室腔室214之周圍的方式配置。例如以配置為自上方觀察時，於順時鐘方向中以第1蝕刻裝置202與203、第2蝕刻裝置204與205、真空預備裝置213b與213a的順序並列，此外，以對於運送室腔室214之6個側面部分別對向的方式配置。
另，作為第1蝕刻裝置202、203，及第2蝕刻裝置204、205，使用例如RIE(Reactive Ion Eching，反應性離子蝕刻)裝置。亦即，第1蝕刻裝置202、203，與第2蝕刻裝置204、205，藉由反應性之氣體(蝕刻氣體)、離子、或自由基，施行蝕刻光阻膜或被處理膜之乾蝕刻。
於以上的基板處理系統1，如圖1所示地設置控制裝置300。控制裝置300，例如為電腦，具有程式收納部(未圖示)。於程式收納部，記錄有控制基板處理系統1中之晶圓W的處理之程式。另，該程式，被記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可於電腦讀取之記憶媒體，亦可為自該記憶媒體安裝於控制裝置300之程式。
接著，對於使用如同以上地構成的基板處理系統1所施行之晶圓W的處理方法加以說明。圖8，示意晶圓處理之各步驟中的晶圓W之狀態。另，如圖8(a)所示地在以基板處理系統1處理的晶圓W上，預先形成被處理膜400。
首先，將收納有複數枚晶圓W之晶圓匣盒C，搬入至塗布顯影處理裝置2之晶圓匣盒裝卸站10，載置於既定的晶圓匣盒載置板21。之後，藉由晶圓運送裝置23依序取出晶圓匣盒C內的各晶圓W，運送至處理站11之傳遞裝置50。
其次，將晶圓W藉由晶圓運送裝置70運送至熱處理裝置40，加以溫度調節。之後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至下部反射防止膜形成裝置30，於晶圓W上形成下部反射防止膜。接著將晶圓W運送至熱處理裝置40，將其加熱，加以溫度調節，而後回到傳遞裝置51。
而後，藉由晶圓運送裝置90將晶圓W運送至傳遞裝置53。接著，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至附著裝置41，加以附著處理。其後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至熱處理裝置40，加以溫度調節。接著，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至塗布處理裝置31之光阻膜形成部121。
將運送至光阻膜形成部121之晶圓W，於旋轉夾盤160吸附保持。接著，藉由臂部171使待機部174的光阻液噴嘴172移動至晶圓W之中心部的上方為止。之後，藉由旋轉夾盤160使晶圓W旋轉，並自光阻液噴嘴172起對晶圓W之中心部供給光阻液。供給至晶圓W上的光阻液，藉由以晶圓W的旋轉產生之離心力而於晶圓W的表面全面擴散。如此地於晶圓W之被處理膜400上塗布光阻液，如圖8(a)所示地在晶圓W上形成光阻膜401。另，於晶圓W上，雖在光阻膜401的下層中形成上述之下部反射防止膜，但在圖示的例子中將其省略。
接著，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至熱處理裝置40，加以預烘烤處理。之後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至傳遞裝置55。
而後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至上部反射防止膜形成裝 置33，於晶圓W上形成上部反射防止膜(未圖示)。之後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至熱處理裝置40，將其加熱，加以溫度調節。接著，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至周邊曝光裝置42，對晶圓W上之光阻膜401的邊緣部施行周邊曝光處理。
之後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至傳遞裝置56。接著，藉由晶圓運送裝置90將晶圓W運送至傳遞裝置52，並藉由往返運送裝置80運送至傳遞裝置62。
而後藉由介面站13之晶圓運送裝置100將晶圓W運送至曝光裝置12。曝光裝置12，對晶圓W之光阻膜401照射光線，於該光阻膜401將既定圖案選擇性地曝光。之後，如圖8(b)所示地在光阻膜401中，形成曝光之曝光部402與未曝光之未曝光部403的圖案。此外藉由使曝光部402曝光，於此一曝光部402形成OH基(氫氧基)。
接著，藉由晶圓運送裝置100將晶圓W自曝光裝置12運送至傳遞裝置63。其後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至塗布處理裝置31之金屬處理部120。
將運送至金屬處理部120之晶圓W，於旋轉夾盤130吸附保持。接著，藉由第1臂部141使待機部145的含金屬液噴嘴143移動至晶圓W之中心部的上方為止。之後，藉由旋轉夾盤130使晶圓W旋轉，並自含金屬液噴嘴143起對晶圓W之中心部供給含金屬液。供給至晶圓W上的含金屬液，藉由以晶圓W的旋轉所產生之離心力而於晶圓W之光阻膜401的表面全面擴散。
如此地於光阻膜401上塗布含金屬液，則含金屬液中的醇，以光阻膜401之曝光部402中的OH基等，親和性佳的官能基為標靶，進入至曝光部402中。伴隨醇往此一曝光部402中進入，金屬亦將該醇作為進入通道而進入至曝光部402中。而後，金屬與曝光部402中之OH基結合，如圖8(c) 所示地使金屬404浸潤於曝光部402中。另外此時，金屬未進入未曝光部403中，金屬於該未曝光部403的表面堆積。
而後，藉由第1臂部141使含金屬液噴嘴143自晶圓W之中心部起，移動至待機部145，並藉由第2臂部142使待機部152的洗淨液噴嘴150移動至晶圓W之中心部的上方為止。
接著，藉由旋轉夾盤130使晶圓W旋轉，並自洗淨液噴嘴150起對晶圓W之中心部供給洗淨液。供給至晶圓W上的洗淨液，藉由以晶圓W的旋轉所產生之離心力而於晶圓W之光阻膜401的表面全面擴散。藉由此洗淨液，去除堆積在未曝光部403上的金屬，將光阻膜401之表面洗淨。
而後，藉由晶圓運送裝置70將晶圓W運送至傳遞裝置54，之後藉由晶圓匣盒裝卸站10之晶圓運送裝置23運送至既定的晶圓匣盒載置板21之晶圓匣盒C。
若於塗布顯影處理裝置2中對晶圓W施行既定的處理，則將收納有晶圓W的晶圓匣盒C，自塗布顯影處理裝置2搬出，接著搬入至蝕刻處理裝置3。
蝕刻處理裝置3中，首先，藉由晶圓運送機構210，自晶圓匣盒載置台212上之晶圓匣盒C取出1枚晶圓W，搬入至真空預備裝置213a內。一將晶圓W搬入至真空預備裝置213a內，則將真空預備裝置213a內密閉，使其減壓。之後，將真空預備裝置213a內與對大氣壓減壓之狀態(例如略真空狀態)的運送室腔室214內連通。而後，藉由晶圓運送機構215，將晶圓W自真空預備裝置213a起搬出，並搬入至運送室腔室214內。
將搬入至運送室腔室214內的晶圓W，接著藉由晶圓運送機構215運送至第1蝕刻裝置202。第1蝕刻裝置202，例如使用O2氣體(O2電漿)對晶圓W施行蝕刻處理。此時，光阻膜401之曝光部402含有金屬404， 故與未曝光部403相比蝕刻耐性高。因此，若對晶圓W施行蝕刻處理，則僅選擇性地去除未曝光部403，留下曝光部402。而後如圖8(d)所示地於晶圓W之被處理膜400上形成既定的光阻圖案405(曝光部402)。
接著，藉由晶圓運送機構215將晶圓W運送至第2蝕刻裝置204。第2蝕刻裝置204，例如使用CF氣體(CF電漿)並將晶圓W上的光阻圖案405作為遮罩，蝕刻晶圓W上之被處理膜400。此時，光阻圖案405與被處理膜400相對而具有高蝕刻選擇比，因而如圖8(e)所示地在被處理膜400以適切的形狀形成既定圖案406。
之後，藉由晶圓運送機構215使晶圓W再度回到運送室腔室214內。接著，藉由真空預備裝置213b傳遞至晶圓運送機構210，將其收納於晶圓匣盒C。而後，將收納有晶圓W的晶圓匣盒C自蝕刻處理裝置3搬出而結束一連串的晶圓處理。
依以上實施形態，則若以曝光裝置12將光阻膜401曝光，則於光阻膜401之曝光部402形成OH基。如此一來，則在塗布處理裝置31之金屬處理部120內，使醇進入曝光部402中，金屬404可將該醇作為進入通道而進入至曝光部402中。亦即，光阻膜401中，與未曝光部403相比，曝光部402可提高其含有金屬404的分之蝕刻耐性。因此，第1蝕刻裝置202中，可選擇性地僅去除光阻膜401之未曝光部403，可留下曝光部402，於晶圓W之被處理膜400上適當形成光阻圖案405。如此地依照本實施形態，則可省略如同習知光微影處理地使用顯影液之顯影處理，可抑制光阻圖案405之圖案崩塌。
此外，本實施形態的光阻圖案405含有金屬404，相對於晶圓W上之被處理膜400具有高的蝕刻選擇比。因此，不必非得形成寬高比高的光阻圖案405，自此一觀點來看亦可抑制圖案崩塌。
進一步，如此地使光阻圖案405相對於被處理膜400具有高的蝕刻選 擇比，故若在第2蝕刻裝置204中將光阻圖案405作為遮罩而蝕刻被處理膜400，則可於該被處理膜400適當形成既定圖案406。
此外塗布處理裝置31之金屬處理部120內，使金屬404浸潤於光阻膜401之曝光部402中之後，去除堆積在未曝光部403上的金屬，故可適當施行之後的第1蝕刻裝置202之蝕刻處理。另，未曝光部403上之金屬的去除並未限定於本實施形態之方法，可藉由各種方法施行。例如亦可施行蝕刻處理，去除未曝光部403上的金屬。然則，如同本實施形態地使用金屬處理部120之洗淨液噴嘴150的情況，不必另行施行晶圓W的運送等，可提高晶圓處理的處理量。
以上實施形態中，浸潤於光阻膜401的曝光部402中之金屬404的浸潤量，亦即曝光部402中之金屬404的濃度或曝光部402中之金屬404的浸潤深度，例如係藉由調整以下4個參數中之任一或全部而控制。另，藉由調整此等4個參數，而亦可控制浸潤於曝光部402中之金屬404的浸潤速度。例如於曝光部402中使金屬404浸潤至100nm之深度的情況，可將金屬404的浸潤速度控制在30秒~5分之間。
作為第1個參數，列舉例如塗布處理裝置31之金屬處理部120中的金屬404之浸潤時間。若將自含金屬液噴嘴143供給含金屬液的時間拉長，則可使金屬404浸潤於曝光部402中的時間增長，可將該金屬404的浸潤量增多。另一方面，若使金屬404之浸潤時間減短，則可將該金屬404的浸潤量減少。
作為第2個參數，列舉例如塗布處理裝置31之金屬處理部120中自含金屬液噴嘴143供給的含金屬液中之醇的溫度。若使來自含金屬液噴嘴143之醇的溫度增高，則金屬404變得容易浸潤於曝光部402中，可使該金屬404的浸潤量增多。另一方面，若將醇的溫度降低，則可使該金屬404的浸潤量減少。
作為第3個參數，列舉例如塗布處理裝置31之金屬處理部120中處理的光阻膜401中之溶劑的量。此一溶劑的量之調整可使用各種方法。
例如以塗布處理裝置31之光阻膜形成部121於晶圓W上形成光阻膜401後，以熱處理裝置40施行熱處理(預烘烤處理)時，調整該熱處理的溫度、時間，藉而可調整光阻膜401中之溶劑的量。若降低熱處理的溫度，或減短熱處理的時間，則可增多光阻膜401中之溶劑的量。如此一來，則可使進入至光阻膜401的曝光部402中之醇的量增多，進一步可使浸潤於曝光部402中之金屬404的浸潤量增多。另一方面，若使熱處理的溫度增高，或將熱處理的時間拉長，則光阻膜401中之溶劑的量變少，可使進入至曝光部402中之醇的量減少，進一步可使浸潤於曝光部402中之金屬404的浸潤量減少。此外，若如此地減少光阻膜401中之溶劑的量，則亦能夠享受可更確實地抑制金屬進入未曝光部403中之效果。
此外，亦可例如在另行設置之溶劑供給裝置(未圖示)中對光阻膜401供給溶劑，積極地增加該光阻膜401中之溶劑的量。進一步，亦可例如改變自光阻膜形成部121的光阻液噴嘴172供給之光阻液的材料，藉以調整光阻膜401中之溶劑的量。
作為第4個參數，列舉例如曝光裝置12的曝光量(劑量)。若使曝光量增大，則於光阻膜401之曝光部402中形成大量OH基。如此一來，則可使進入至曝光部402中之醇的量增多，進一步可使浸潤於曝光部402中之金屬404的浸潤量增多。另一方面，若減小曝光量，則曝光部402中形成的OH基變少，可使進入至曝光部402中之醇的量減少，進一步可使浸潤於曝光部402中之金屬404的浸潤量減少。
可如同以上地控制浸潤於光阻膜401的曝光部402中之金屬404的浸潤量。而上述實施形態，雖如圖8(c)所示地，使金屬404浸潤於自曝光部402之上部至下部全體，但亦可調整金屬404的浸潤量，如圖9(a)所示地使金屬404僅浸潤於曝光部402之上部。此一情況中，曝光部402之 上部，亦因與未曝光部403相比蝕刻耐性高，故若於第1蝕刻裝置202中施行蝕刻處理，則僅選擇性地去除未曝光部403，可如圖9(b)所示地於晶圓W之被處理膜400上形成既定的光阻圖案405。此外由於曝光部402之上部相對於被處理膜400具有高的蝕刻選擇比，故若在第2蝕刻裝置204中施行蝕刻處理，則可如圖9(c)所示地在被處理膜400以適切的形狀形成既定圖案406。因此，可享受與上述實施形態同樣的效果。
另外如此地浸潤於曝光部402中之金屬404的浸潤量，可因應在第2蝕刻裝置204中的蝕刻處理所必需之蝕刻選擇比加以控制。因此，可更適切地施行該蝕刻處理。
另，圖9所示的例子中金屬404未浸潤於曝光部402之下部，故在第1蝕刻裝置202與第2蝕刻裝置204的蝕刻處理中，有該曝光部402之下部亦被蝕刻若干程度的疑慮。因此，若自此一觀點來看，則如圖8所示地使金屬404浸潤於曝光部402之全體的方法，因可更為適當地施行蝕刻處理，故為較佳方法。
以上實施形態，於塗布處理裝置31之金屬處理部120內使金屬404浸潤於光阻膜401之曝光部402中時，雖對晶圓W上供給將金屬404溶解於醇的含金屬液，但亦可將此等醇與金屬404分別供給至晶圓W上。
如圖10及圖11所示地，於金屬處理部120之第1臂部141，支承作為處理劑供給部之醇噴嘴500、以及作為含金屬劑供給部之含金屬液噴嘴501，前者往晶圓W上供給作為處理劑之液體狀的醇，後者往晶圓W上供給含有金屬404的作為含金屬劑之液體狀的含金屬液。
醇噴嘴500，如圖11所示地與和醇供給源510連通之供給管511相連接。於供給管511設置供給機器群512，包含控制醇之流動的閥與流量調節部等。另，作為醇，使用與上述實施形態同樣的醇。
含金屬液噴嘴501，與和含金屬液供給源520連通之供給管521相連接。於供給管521設置供給機器群522，包含控制含金屬液之流動的閥與流量調節部等。另，作為含金屬液中的金屬404雖使用與上述實施形態相同的金屬，但其溶媒可使用各種溶媒。作為溶媒，可使用例如純水等，若為溶解金屬404，且不溶解光阻膜401之材料，則可使用各種材料。
金屬處理部120之其他構成，由於與上述實施形態之金屬處理部120相同故省略說明。另，以上之構成，雖於同一第1臂部141支承醇噴嘴500與含金屬液噴嘴501，但亦可將兩者分別支承於個別的臂部。此外，本實施形態中雖於第2臂部142設置洗淨液噴嘴150，但在使用醇作為洗淨液的情況，亦可利用醇噴嘴500去除未曝光部403上的金屬，洗淨光阻膜401的表面。此一情況，可省略洗淨液噴嘴150及附隨於洗淨液噴嘴之構件(第2臂部142、噴嘴驅動部151、待機部152、洗淨液供給源153、供給管154、供給機器群155)。
本實施形態之金屬處理部120中，於旋轉夾盤130吸附保持晶圓W後，藉由第1臂部141使待機部145的醇噴嘴500移動至晶圓W之中心部的上方為止。接著，藉由旋轉夾盤130使晶圓W旋轉，並自醇噴嘴500起對晶圓W之中心部供給醇。供給至晶圓W上的醇，藉由以晶圓W的旋轉所產生之離心力而於晶圓W之光阻膜401的表面全面擴散。
若如此地於光阻膜401上塗布醇，則如12(a)所示地，醇530以光阻膜401之曝光部402中的OH基等，親和性佳的官能基為標靶，進入至曝光部402中。
之後，藉由第1臂部141使含金屬液噴嘴501移動至晶圓W之中心部的上方為止。接著，藉由旋轉夾盤130使晶圓W旋轉，並自含金屬液噴嘴501起對晶圓W之中心部供給含金屬液。供給至晶圓W上的含金屬液，藉由以晶圓W的旋轉所產生之離心力而於晶圓W之光阻膜401的表面全面擴散。
如此地於光阻膜401上塗布含金屬液，則含金屬液以曝光部402中的醇530為進入通道而進入至曝光部402中。之後，該含金屬液中之金屬404與曝光部402中之OH基結合，如圖12(b)所示地使金屬404浸潤於曝光部402中。
此一情況中，亦因曝光部402與未曝光部403相比蝕刻耐性高，故若於第1蝕刻裝置202中施行蝕刻處理，則僅選擇性地去除未曝光部403，可如圖12(c)所示地於晶圓W之被處理膜400上形成既定的光阻圖案405。此外曝光部402相對於被處理膜400具有高的蝕刻選擇比，故若於第2蝕刻裝置204中施行蝕刻處理，則可如圖12(d)所示地在被處理膜400以適切的形狀形成既定圖案406。因此，可享受與上述實施形態同樣的效果。
如同以上地使金屬404浸潤於曝光部402中時，可對晶圓W上供給將金屬404溶解於醇530的含金屬液，亦可將此等醇530與金屬404分別供給至晶圓W上，任一情況皆可享受同樣的效果。然則，自處理量的觀點來看，較宜如同前者地對晶圓W上供給將金屬404溶解於醇530的含金屬液。
以上實施形態，自含金屬液噴嘴143對晶圓W供給的含金屬液雖為液體狀，但亦可為氣體狀。將此氣體狀之含金屬劑供給至晶圓W的塗布處理裝置600，於塗布顯影處理裝置2中可設置在任意處設置，例如設置在第1區塊G1。
如圖13所示地，塗布處理裝置600，具有內部可閉鎖之處理容器610。於處理容器610的晶圓運送區域D側之側面，形成晶圓W之搬出入口(未圖示)，在該搬出入口設置開閉閘門(未圖示)。於處理容器610之底面，連接將內部氣體環境排氣之排氣管611。
於處理容器610內之底面，設置載置晶圓W之載置台620。在載置台620內，設置例如3根用於自下方支承晶圓W而使其升降之升降銷621。 升降銷621，可藉由升降驅動部622上下移動。於載置台620之頂面，例如在3處形成於厚度方向貫通該頂面之貫通孔623。而升降銷621，貫穿貫通孔623。
於處理容器610內之頂棚面，其載置台620之上方，設置將氣體狀之含金屬劑往下方供給至晶圓W上的沖淋頭630。沖淋頭630，與載置於載置台620之晶圓W相對向地配置。於沖淋頭630之內部形成內部空間631，導入從後述之含金屬劑供給源640供給的含金屬劑。在沖淋頭630之底面，使將被導入至內部空間631的含金屬劑朝向下方供給之複數個供給口632，以分布於沖淋頭630之底面全體的狀態設置。亦即，以使氣體狀之含金屬劑，自沖淋頭630起對晶圓W於水平面內均一地供給的方式，形成複數個供給口632。
沖淋頭630，與和含金屬劑供給源640連通之供給管641相連接。含金屬劑供給源640之內部，例如以液體狀儲存使金屬404溶解於醇530的含金屬液，將此含金屬液加熱而氣化，而產生氣體狀之含金屬劑。於供給管641設置供給機器群642，包含控制含金屬液之流動的閥與流量調節部等。
此一情況，將形成有光阻膜401的晶圓W，藉由晶圓運送裝置70運送至塗布處理裝置600。一將晶圓W搬入至塗布處理裝置600，則晶圓W被傳遞至預先上升而待機的升降銷621。接著使升降銷621下降，將晶圓W載置於載置台620。之後，自沖淋頭630對晶圓W上供給氣體狀之含金屬劑。如此一來，則醇530進入至光阻膜401之曝光部402中，金屬404將該醇530作為進入通道而進入至曝光部402中。如此地，可使金屬404浸潤於曝光部402中。
同樣地自醇噴嘴500供給的醇530、與自含金屬液噴嘴501對晶圓W供給的含金屬液，雖各自為液體狀，但亦可為氣體狀。此一情況，亦使用與塗布處理裝置600同樣的裝置，對晶圓W上供給氣體狀之醇530與氣體狀之含金屬劑，可使金屬404浸潤於光阻膜401之曝光部402中。
以上實施形態，金屬處理部120與光阻膜形成部121、122雖設置於同一塗布處理裝置31內，但亦可設置於不同的裝置。
以上實施形態，雖使用醇作為供使金屬404進入至光阻膜401之曝光部402所用的處理劑，但若為進入曝光部402之材料則不限為醇。
此外以上實施形態，雖於第1蝕刻裝置202中去除光阻膜401之未曝光部403，於第2蝕刻裝置204中蝕刻被處理膜400，但亦可將此等未曝光部403的去除與被處理膜400的蝕刻處理，於同一蝕刻裝置內切換蝕刻氣體而加以施行。
以上，雖參考附圖並對本發明之最佳實施形態進行說明，但本發明並未限定為此例。若為所屬技術領域中具有通常知識者，則自然可在申請專利範圍所揭露之思想的範疇內，思及各種變更例或修正例，關於其等案例，應了解其自然屬於本發明之技術範圍。
400‧‧‧被處理膜
401‧‧‧光阻膜
402‧‧‧曝光部
403‧‧‧未曝光部
404‧‧‧金屬
405‧‧‧光阻圖案
406‧‧‧(被處理膜的)圖案
W‧‧‧晶圓

Claims (17)

  1. 一種基板處理方法，於基板上形成光阻圖案，其特徵為包含如下步驟：光阻膜形成步驟，於基板上形成光阻膜；曝光步驟，將該光阻膜曝光為既定圖案；金屬處理步驟，使處理劑進入該光阻膜內之已在該曝光步驟曝光的曝光部中，並藉由該處理劑使金屬浸潤於該曝光部中；以及光阻膜去除步驟，去除該光阻膜中之未在該曝光步驟曝光之未曝光部，於基板上形成光阻圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，於該金屬處理步驟中之浸潤於該曝光部中之該金屬的浸潤量之控制，係至少調整以下因子而施行之：該金屬處理步驟中之使該金屬浸潤的時間、該金屬處理步驟中之該處理劑的溫度、在該金屬處理步驟所處理的該光阻膜中之溶劑的量、或該曝光步驟中的曝光量。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該金屬處理步驟中，於使該金屬浸潤於該曝光部中之後，去除堆積在該未曝光部上的金屬。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該金屬處理步驟中，將在該處理劑中含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上，使該含金屬劑進入該曝光部中，令該金屬浸潤於該曝光部中。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，該金屬處理步驟中，將該含金屬劑以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該金屬處理步驟中，在將該處理劑供給至該光阻膜上而使該處理劑進入該曝光部中之後，將含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上而使該金屬浸潤於該曝光部中。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，該金屬處理步驟中，將該處理劑與該含金屬劑，分別以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該處理劑為醇。
  9. 一種電腦可讀取之記憶媒體，記錄在用以控制基板處理系統之控制裝置的電腦上運作之程式，供藉由該基板處理系統以實行申請專利範圍第1或2項之基板處理方法。
  10. 一種基板處理系統，於基板上形成光阻圖案，其特徵為具備如下裝置：光阻膜形成裝置，於基板上形成光阻膜；曝光裝置，將該光阻膜曝光為既定圖案；金屬處理裝置，使處理劑進入該光阻膜內的以該曝光裝置所曝光之曝光部中，並藉由該處理劑使金屬浸潤於該曝光部中；以及光阻膜去除裝置，去除該光阻膜中之未以該曝光裝置曝光之未曝光部，於基板上形成光阻圖案。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理系統，其中，更具備控制裝置，其至少將該金屬處理步驟中使該金屬浸潤的時間、該金屬處理步驟中之該處理劑的溫度、在該金屬處理裝置內所處理的該光阻膜中之溶劑的量、或該曝光裝置中的曝光量加以調整，而控制在該金屬處理裝置內浸潤於該曝光部中之該金屬的浸潤量。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理系統，其中，該金屬處理裝置，於使該金屬浸潤於該曝光部中之後，去除堆積在該未曝光部上的金屬。
  13. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理系統，其中，該金屬處理裝置具備含金屬劑供給部，將在該處理劑中含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中，該含金屬劑供給部，將該含金屬劑以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
  15. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理系統，其中，該金屬處理裝置，具備：處理劑供給部，將該處理劑供給至該光阻膜上；以及含金屬劑供給部，將含有該金屬之含金屬劑供給至該光阻膜上。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理系統，其中，該處理劑供給部與該含金屬劑供給部，將該處理劑與該含金屬劑分別以液體狀或氣體狀供給至該光阻膜上。
  17. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理系統，其中，該處理劑為醇。
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