JP6994307B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板を処理するための装置および方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置等の製造工程では、基板の表面に付着した異物を除去するための洗浄処理が行われる。たとえば、特許文献１は、基板の主面に揮発成分を含む成膜用処理液を供給する工程と、揮発成分を蒸発させて成膜用処理液を固化または硬化させることにより基板の主面に膜を形成する工程と、除去液によって基板主面上の膜を除去する工程とを実行する基板洗浄システムを開示している。成膜用処理液が固化または硬化するときに体積収縮が生じ、また除去液が供給されると膜の膨潤によって体積膨張が生じる。体積収縮および膨張の際に基板上のパーティクルに対して引っ張り力が作用し、基板主面（パターンの表面を含む）からパーティクルが引き離される。それにより、基板主面のパーティクルを除去することができる。

特許文献１の図１４には、第１処理部、第２処理部および第３処理部を備えた基板洗浄装置が示されている。キャリヤから取り出された基板は、基板搬送装置によって第１処理部に搬入される。第１処理部は、基板に成膜用処理液としてトップコート液を供給する。トップコート液が供給された基板は、前記基板搬送装置によって第１処理部から取り出され、第３処理部に搬入される。第３処理部は、ホットプレートによって基板を加熱し、トップコート液中の揮発成分を揮発させる。それにより、トップコート液が体積収縮しながら固化または硬化して、トップコート膜が形成される。トップコート膜が形成された基板は、前記基板搬送装置によって第３処理部から取り出され、第２処理部に搬入される。第２処理部は、基板に除去液としてのアルカリ現像液を供給することによって、トップコート膜を除去する。その後、第２処理部において基板の洗浄が行われ、その洗浄後の基板は、前記基板搬送装置によって第２処理部から取り出される。その処理後の基板は、キャリヤに収容される。

特開２０１５－６２２５９号公報（図１４）

特許文献１の先行技術では、同じ基板搬送装置が、未処理の基板を第１処理部に搬入し、成膜用処理液が塗布された基板を第１処理部から第３処理部に搬送し、第３処理部で加熱処理を受けて膜が形成された基板を第３処理部から第２処理部に搬送し、さらに第２処理部での処理を終えた基板を当該第２処理部から搬出している。
第１処理部での処理後の基板の表面は未硬化の成膜用処理液で濡れているから、その成膜用処理液が基板搬送装置に付着するおそれがある。その付着した処理液は、その後に基板搬送装置が保持する別の基板へと転移し、その基板を汚染する。とくに、処理が終了した基板への処理液の転移は、基板処理の品質を損なう。また、成膜用処理液の雰囲気が、基板搬送装置によって基板が搬送される空間に漂うから、その雰囲気による基板への悪影響が生じるおそれもある。

そこで、この発明の一つの目的は、基板表面に固化膜を形成するための処理の影響が他の基板に及ぶことを抑制した基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明は、処理室内で基板の表面に成膜処理液を供給して、基板の表面に成膜処理液膜を形成する液処理ユニットと、固化室内で前記成膜処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送手段と、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入するローカル搬送手段と、を含む、基板処理装置を提供する。前記ローカル搬送手段は、表面に前記成膜処理液膜が形成された状態の基板を、前記処理室から前記固化室へと搬送する。

この構成により、基板上に成膜処理液膜が形成された後、その基板は、ローカル搬送手段によって固化室へと搬入される。したがって、主搬送手段が成膜処理液によって汚染されることを回避できるので、その成膜処理液が他の基板へと転移することを抑制または防止できる。また、主搬送手段によって基板が搬送される空間に成膜処理液の雰囲気が漂うことを抑制または防止できるので、成膜処理液の雰囲気による基板への悪影響も回避できる。こうして、基板処理品質を向上できる。また、主搬送手段の動作状態にかかわらず、処理室での処理を終えた基板を速やかに固化室へと搬送できる。

この基板処理装置は、基板の表面の異物を除去する洗浄処理のために使用されてもよい。基板の表面で成膜処理液膜が固化するときに体積収縮が生じる。また、基板の表面に形成された固化膜を除去するために除去液が供給されると、固化膜が膨潤して、体積膨張が生じる。この体積収縮および膨張の際に、基板表面の異物（パーティクル等）に引っ張り力が働き、それによって、基板表面の異物を剥離させることできる。剥離された異物は、固化膜と一緒に基板外へと除去できる。

この発明の一実施形態では、前記固化ユニットが、前記基板を加熱する加熱手段を含む。これにより、基板上の成膜処理液膜を加熱して固化させることができる。
より具体的には、前記固化ユニットは、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板を加熱する前記加熱手段とを含んでいてもよい。
前記固化ユニットは、固化室内を大気圧よりも低い圧力に減圧する減圧手段を含んでいてもよい。また前記固化ユニットは、固化室内を換気する換気手段を含んでいてもよい。換気手段は、固化室内に低湿度ガス（たとえば不活性ガス）を供給する低湿度ガス供給手段を含んでいてもよい。それにより、基板上の成膜処理液膜の乾燥を促進し、その固化を促進できる。

この発明の一実施形態では、前記主搬送手段が主搬送室に配置されており、前記ローカル搬送手段が、前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室に配置されている。これにより、成膜処理液の雰囲気が主搬送室に漂うことをより確実に抑制または防止できるので、主搬送手段によって搬送される基板が成膜処理液の雰囲気の影響を受けることを抑制または防止できる。

この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送手段が、さらに、前記固化室から基板を搬出し、前記除去室へ基板を搬入する。これにより、主搬送手段が固化処理後の基板から影響を受けることを回避できる。たとえば、固化処理後の基板が高温になっているとしても、主搬送手段が蓄熱することを回避できる。
前述の特許文献１の構成では、第３処理部において基板が加熱されるので、その加熱された基板を基板搬送装置が保持することによって、基板搬送装置に熱が蓄積されるおそれがある。蓄積された熱は、基板搬送装置が搬送する基板へと伝わるから、それによって、基板に悪影響が及ぶおそれがある。

そこで、ローカル搬送手段によって固化室から除去室へと基板を搬送することにより、主搬送手段に熱が蓄積されることを回避できるから、主搬送手段が搬送する基板に対する熱の影響を抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送手段が、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入する第１搬送アームと、前記固化室から基板を搬出して前記除去室へ基板を搬入する第２搬送アームとを含む。

この構成により、成膜処理液膜が形成された基板は第１搬送アームで搬送され、固化膜が形成された基板は第２搬送アームで搬送される。したがって、第１搬送アームに成膜処理液が付着したとしても、その成膜処理液が固化処理後の基板に転移することを抑制または防止できる。
第２搬送アームは第１搬送アームよりも上方に配置されることが好ましく、それにより、第１搬送アームによって保持される基板上の成膜処理液が第２搬送アームに付着することを抑制または防止できる。

この発明の一実施形態では、前記液処理ユニットが、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板に前記成膜処理液を吐出する処理液吐出手段とを含む。この構成により、水平に保持された基板上に成膜処理液を広がらせ、基板の表面を覆う成膜処理液膜を形成できる。
この発明の一実施形態では、前記処理室と前記除去室とが同一の室である。すなわち、処理液および除去室は、別の室であってもよいし、同一の室であってもよい。

この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送手段が、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、前記基板処理装置が、前記ローカル搬送室に設けられ、前記搬送アームを洗浄する洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む。
この構成により、ローカル搬送手段の搬送アームを洗浄できるので、搬送アームを清浄な状態に保持できる。それにより、搬送アームに成膜処理液の汚染が蓄積されることを回避でき、成膜処理液による汚染を抑制しながら、基板を搬送できる。しかも、搬送アームの洗浄はローカル搬送室で行われるので、主搬送手段によって搬送される基板に洗浄液または成膜処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。

この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送室は、前記洗浄液を受ける底部と、前記底部に受けられた洗浄液を排液する排液手段とを含む。これにより、搬送アームを洗浄した後の洗浄液をローカル搬送室外へと排出できるので、ローカル搬送室内の雰囲気を清浄に保持できる。それによって、基板への成膜処理液雰囲気の影響を一層抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送手段が、基板を保持する搬送アームを有しており、前記基板処理装置が、前記搬送アームに設けられ、当該搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む。この構成により、搬送アームに設けられたアーム洗浄ノズルから洗浄液を吐出することで、搬送アームを確実に洗浄できる。したがって、搬送アームに成膜処理液の汚染が蓄積されることを回避でき、成膜処理液による汚染を抑制しながら、基板を搬送できる。また、主搬送手段によって搬送される基板に洗浄液または成膜処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。

この発明の一実施形態では、前記ローカル搬送手段が、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、前記基板処理装置が、前記ローカル搬送室に隣接して設けられたアーム洗浄室と、前記アーム洗浄室内に配置され、前記搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルと、前記アーム洗浄室内を大気圧よりも低圧に減圧して前記搬送アームを乾燥させる減圧手段と、をさらに含む。
この発明の一実施形態は、処理室内で基板の表面に処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する液処理ユニットと、固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送手段と、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入するローカル搬送手段と、を含み、前記ローカル搬送手段が、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、前記ローカル搬送室に隣接して設けられたアーム洗浄室と、前記アーム洗浄室内に配置され、前記搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルと、前記アーム洗浄室内を大気圧よりも低圧に減圧して前記搬送アームを乾燥させる減圧手段と、をさらに含む、基板処理装置を提供する。

この構成により、ローカル搬送室に隣接してアーム洗浄室が設けられているので、ローカル搬送手段が基板を搬送していないときに、アーム洗浄室内において搬送アームを洗浄できる。アーム洗浄室にアーム洗浄ノズルが配置されているので、ローカル搬送室内に洗浄液が入り込むことを抑制しながら、搬送アームを洗浄できる。それにより、洗浄液による基板への影響を抑制できる。また、アーム洗浄室が減圧されることにより、洗浄液によって洗浄された後の搬送アームを速やかに乾燥できる。

この発明の一実施形態では、前記除去処理ユニットが、前記除去室内で基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板に除去液を吐出する除去液吐出手段と、を含む。この構成により、水平に保持された基板に除去液が供給されるので、基板表面に除去液を容易に行き渡らせて、固化膜の除去処理を効率的に進行させることができる。

この発明は、さらに、基板の表面に処理室内で成膜処理液を供給して、基板の表面に成膜処理液膜を形成する処理液膜形成工程と、前記処理液膜形成工程の後、前記基板を固化室へ搬送する第１ローカル搬送工程と、前記固化室内で前記成膜処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化膜形成工程と、前記固化膜形成工程の後、前記基板を除去室へ搬送する第２ローカル搬送工程と、前記除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理工程と、主搬送手段によって、前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送工程と、を含む、基板処理方法を提供する。前記第１ローカル搬送工程では、表面に前記成膜処理液膜が形成された状態の基板が、前記処理室から前記固化室へ搬送される。前記主搬送工程は、前記処理液膜形成工程の前に前記処理室へ基板（未処理の基板）を搬入し、前記除去処理工程の後に前記除去室から前記基板（処理済みの基板）を搬出する。

この発明の一実施形態では、前記固化膜形成工程が、前記基板を加熱手段によって加熱する加熱工程を含む。
この発明の一実施形態では、前記主搬送工程において前記基板が主搬送室を通って搬送され、前記第１ローカル搬送工程において、前記基板が前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室を通って搬送される。

この発明の一実施形態では、前記第１ローカル搬送工程および前記第２ローカル搬送工程が、共通のローカル搬送手段によって実行される。
この発明の一実施形態では、前記第１ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送手段の第１搬送アームによって行われ、前記第２ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送手段の第２搬送アームによって行われる。

この発明の一実施形態の方法は、前記ローカル搬送手段の搬送アームに洗浄液を供給するアーム洗浄工程をさらに含む。
この発明の一実施形態では、前記処理室および前記除去室が、共通の室である。
この発明の一実施形態では、前記処理液膜形成工程の前に、基板を洗浄する洗浄工程が実行される。

図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための平面図である。 図１Ｂは、前記第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた液処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられた固化ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図４は、前記基板処理装置に備えられたローカル搬送ロボットの構成例を説明するための図である。 図５Ａは、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図５Ｂは、前記第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図６Ａは、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図６Ｂは、前記第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図である。 図７は、この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な立面図であり、主搬送室の一方側の構成が示されている。 図８は、この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図９は、この発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、固化ユニットの構成例を示す。 図１０は、この発明の第７の実施形態を説明するための図であり、ローカル搬送ロボットのハンドを洗浄するハンド洗浄ユニットの構成を示す。 図１１は、この発明の第８の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、固化ユニットのさらに他の構成例を図解的に示す断面図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施形態］
図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための平面図であり、図１Ｂはその立面図である。基板処理装置１は、キャリヤ保持部２と、インデクサロボットＩＲと、複数の液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４，Ｍ２１～Ｍ２４（総称するときには「液処理ユニットＭ」という。）と、複数の固化ユニットＤ１１～Ｄ１４，Ｄ２１～Ｄ２４（総称するときには「固化ユニットＤ」という。）と、主搬送ロボットＣＲと、ローカル搬送ロボットＬＲ１１～ＬＲ１４，ＬＲ２１～ＬＲ２４（総称するときには「ローカル搬送ロボットＬＲ」という。）とを含む。主搬送ロボットＣＲは主搬送手段の一例であり、ローカル搬送ロボットＬＲはローカル搬送手段の一例である。

キャリヤ保持部２は、複数枚の基板Ｗを積層状態で保持する基板容器であるキャリヤ３を保持する。この実施形態では、キャリヤ保持部２は、複数のキャリヤ３を保持可能に構成されている。インデクサロボットＩＲは、キャリヤ保持部２に保持されたキャリヤ３にアクセスして基板Ｗを出し入れし、かつ主搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。

複数の液処理ユニットＭおよび複数の固化ユニットＤは、この実施形態では、複数層構造（この実施形態では２層構造）を成すように立体的に配置されている。具体的には、図１Ａに表れているように、平面視において、キャリヤ保持部２から直線状に延びた主搬送室５に主搬送ロボットＣＲが配置されており、主搬送室５の両側に２つずつの積層ユニット群Ｇ１，Ｇ２；Ｇ３，Ｇ４が主搬送室５に沿って配置されている。それにより、平面視において、主搬送ロボットＣＲの周囲に４箇の積層ユニット群Ｇ１～Ｇ４が配置されている。

基板処理装置１の第１層Ｓ１および第２層Ｓ２に各４個の液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４，Ｍ２１～Ｍ２４が配置されており、基板処理装置１は、合計で８個の液処理ユニットＭを備えている。第１層Ｓ１において、主搬送室５の両側に２つずつの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２；Ｍ１３，Ｍ１４が主搬送室５に沿って配置されている。これらの４個の液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４の上に４個の固化ユニットＤ１１～Ｄ１４がそれぞれ配置されている。さらに、第２層Ｓ２において、主搬送室５の両側に２つずつの液処理ユニットＭ２１，Ｍ２２；Ｍ２３，Ｍ２４が主搬送室５に沿って配置されている。これらの４個の液処理ユニットＭ２１～Ｍ２４の上に４個の固化ユニットＤ２１～Ｄ２４がそれぞれ配置されている。一つの液処理ユニットＭと、その上に配置された固化ユニットＤとが、対応する対を成している。

積層ユニット群Ｇ１は、下から順に、液処理ユニットＭ１１、固化ユニットＤ１１、液処理ユニットＭ２１および固化ユニットＤ２１を積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ２は、下から順に、液処理ユニットＭ１２、固化ユニットＤ１２、液処理ユニットＭ２２および固化ユニットＤ２２を積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ３は、下から順に、液処理ユニットＭ１３、固化ユニットＤ１３、液処理ユニットＭ２３および固化ユニットＤ２３を積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ４は、下から順に、液処理ユニットＭ１４、固化ユニットＤ１４、液処理ユニットＭ２４および固化ユニットＤ２４を積層して構成されている。

主搬送ロボットＣＲは、合計８個の液処理ユニットＭにアクセスして基板Ｗを渡すことができ、さらにインデクサロボットＩＲとの間で基板Ｗを受け渡しすることができる。主搬送ロボットＣＲは、合計８個の固化ユニットＤにアクセスして基板Ｗを取り出すことができるように構成されていてもよい。
ローカル搬送ロボットＬＲは、この実施形態では、第１層Ｓ１に４個備えられ、第２層Ｓ２に４個備えられている。より具体的には、平面視において、第１層Ｓ１には、主搬送室５の両側に２個ずつのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ１２；ＬＲ１３，ＬＲ１４が配置されている。さらに具体的には、主搬送室５の一方側において、第１層Ｓ１には、キャリヤ保持部２と液処理ユニットＭ１１との間に一つのローカル搬送ロボットＬＲ１１が配置されており、キャリヤ保持部２から遠い側の端部にもう一つのローカル搬送ロボットＬＲ１２が配置されている。主搬送室５の他方側における２つのローカル搬送ロボットＬＲ１３，ＬＲ１４の配置も同様である。そして、第２層Ｓ２における４個のローカル搬送ロボットＬＲ２１，ＬＲ２２；ＬＲ２３，ＬＲ２４も同様に配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲ１１～ＬＲ１４，ＬＲ２１～ＬＲ２４は、ローカル搬送室Ｃ１１～Ｃ１４，Ｃ２１～Ｃ２４（総称するときには「ローカル搬送室Ｃ」という。）内にそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃは、主搬送室５から分離（離隔）するように区画された搬送空間を形成している。

こうして、各対の液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤに対して、一つのローカル搬送ロボットＬＲが設けられている。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭによって処理された後の基板Ｗを当該液処理ユニットＭから取り出して、対応する固化ユニットＤへと搬送する。
インデクサロボットＩＲ、主搬送ロボットＣＲおよびローカル搬送ロボットＬＲの動作例を概説すれば、次のとおりである。

すなわち、インデクサロボットＩＲは、いずれかのキャリヤ３から未処理の基板Ｗを取り出し、主搬送ロボットＣＲに渡す。主搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから受け取った基板Ｗをいずれかの液処理ユニットＭに搬入する。液処理ユニットＭは、搬入された基板Ｗに対する処理を実行する。液処理ユニットＭは、具体的には、基板表面に対して前洗浄処理を施した後、成膜用の処理液を基板Ｗに供給し、その処理液の液膜を基板Ｗの表面に形成する。液処理ユニットＭによって処理された基板Ｗ、すなわち、表面に処理液膜が形成された基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって搬出され、その直上に配置された固化ユニットＤへと搬送される。固化ユニットＤは、搬入された基板Ｗの表面の処理液膜を固化させて固化膜を基板Ｗの表面に形成する。この固化処理後の基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって液処理ユニットＭへと搬送される。液処理ユニットＭは、基板Ｗに除去液を供給して、基板Ｗの表面の固化膜を除去し（除去処理）、さらに後洗浄処理を実行する。その後、基板Ｗは、液処理ユニットＭから主搬送ロボットＣＲによって搬出される。主搬送ロボットＣＲは、その基板ＷをインデクサロボットＩＲに渡す。インデクサロボットＩＲは、渡された基板Ｗをいずれかのキャリヤ３に収納する。

固化ユニットＤによる処理後の基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲによって搬送されてもよい。すなわち、主搬送ロボットＣＲは、固化ユニットＤによる処理後の基板Ｗを固化ユニットＤから搬出し、除去処理のために、いずれかの液処理ユニットＭに搬入してもよい。この場合、成膜用の処理液を基板Ｗに供給する液処理ユニットＭと、除去処理を実行する液処理ユニットＭとは、異なる液処理ユニットであり得る。

インデクサロボットＩＲは、未処理の基板Ｗを主搬送ロボットＣＲに渡し、その直前、直後または同時に、処理済みの基板Ｗを主搬送ロボットＣＲから受け取るように動作してもよい。同様に、主搬送ロボットＣＲは、未処理の基板ＷをインデクサロボットＩＲから受け取り、その直前、直後または同時に、処理済みの基板ＷをインデクサロボットＩＲに渡すように動作してもよい。さらに、主搬送ロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを液処理ユニットＭに搬入し、その直後または直前に液処理ユニットＭから処理済みの基板Ｗ（後洗浄処理後の基板Ｗ）を搬出するように動作してもよい。

このように、この実施形態では、一つの液処理ユニットＭに対して一つの固化ユニットＤが対応付けられている。そして、液処理ユニットＭと固化ユニットＤとが積層されている。さらに、一つの液処理ユニットＭおよび一つの固化ユニットＤの対に対して、一つのローカル搬送ロボットＬＲが設けられており、ローカル搬送ロボットＬＲは、それらの液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤにアクセス可能である。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭによって処理された基板Ｗを液処理ユニットＭから搬出し、その液処理ユニットＭに対応する固化ユニットＤへと搬送して、その固化ユニットＤに搬入する。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭから取り出した基板Ｗを垂直方向（さらに具体的には上方）へと搬送する。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化ユニットＤによって処理された基板Ｗを固化ユニットＤから搬出し、その固化ユニットＤに対応する液処理ユニットＭへと搬送して、その液処理ユニットＭに搬入する。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化ユニットＤから取り出した基板Ｗを垂直方向（さらに具体的には下方）へと搬送する。主搬送ロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを液処理ユニットＭに搬入し、液処理ユニットＭから処理後の基板Ｗを搬出する。

液処理ユニットＭは、この実施形態では、除去処理ユニットとしての機能をも有している。
図２は、液処理ユニットＭの構成例を説明するための図解的な断面図である。液処理ユニットＭは、処理室１１を備えている。処理室１１は、基板Ｗの表面に処理液膜を形成する処理室の一例であり、かつ基板Ｗの表面の固化膜を除去する除去室の一例でもある。処理室１１内には、基板Ｗを水平に保持して回転可能な基板保持手段としてのスピンチャック１２と、スピンチャック１２を取り囲むカップ１３と、薬液ノズル１４と、処理液吐出手段としての成膜処理液ノズル１５と、除去液吐出手段としての除去液ノズル１６と、リンスノズル２９と、遮断板１９とが設けられている。スピンチャック１２は、基板回転手段の一例であるモータ１７によって鉛直な回転軸線１８まわりに回転させられる。

薬液ノズル１４には、薬液配管２１が結合されている。薬液配管２１の途中には、薬液通路を開閉する薬液バルブ２２が介装されている。薬液配管２１には、薬液供給源２３から薬液が供給される。薬液の例としては、ＨＦ（フッ酸）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水）、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）、リン酸、フッ硝酸、ＦＰＭ（フッ酸過酸化水素水）、ＦＯＭ（フッ酸オゾン水）、ＡＯＭ（アンモニアオゾン水）等を挙げることができる。薬液ノズル１４は、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方で移動可能な移動ノズルであってもよい。また、図２の薬液ノズル１４は、遮断板１９とは別に設けられているが、薬液ノズルは遮断板１９に組み込まれてもよい。

成膜処理液ノズル１５には、成膜処理液配管２６が結合されている。成膜処理液配管２６の途中には、成膜処理液通路を開閉する成膜処理液バルブ２７が介装されている。成膜処理液配管２６には、成膜処理液供給源２８から、成膜処理液が供給される。成膜処理液は、加熱や減圧等の所定の固化処理によって固化して固化膜を形成でき、所定の除去液によってその固化膜を除去できる液体である。具体的には、成膜処理液としては、トップコート液、レジスト液、フェノール樹脂液などを利用できる。トップコート液とは、レジスト膜の上に形成される保護膜を形成するための液である。成膜処理液ノズル１５は、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方で移動可能な移動ノズルであってもよい。

除去液ノズル１６には、除去液配管１０１が結合されている。除去液配管１０１の途中には除去液通路を開閉する除去液バルブ１０２が介装されている。除去液配管１０１には、除去液供給源１０３から、除去液が供給される。除去液は、成膜処理液を固化して形成した固化膜を除去することができる液体である。具体的には、除去液として、アルカリ現像液やＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）が用いられてもよい。アルカリ現像液は、アンモニア水、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、コリン水溶液等を含んでいてもよい。除去液ノズル１６は、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方で移動可能な移動ノズルであってもよい。

リンスノズル２９には、リンス液配管３１Ａおよび有機溶剤配管３１Ｂが結合されている。より具体的には、この実施形態では、リンス液配管３１Ａがリンスノズル２９に結合されており、有機溶剤配管３１Ｂがリンス液配管３１Ａに合流している。リンス液配管３１Ａの途中には、リンス液通路を開閉するリンス液バルブ３２Ａが介装されている。有機溶剤配管３１Ｂの途中には、有機溶剤通路を開閉する有機溶剤バルブ３２Ｂが介装されている。リンス液配管３１Ａには、リンス液供給源３３Ａからリンス液が供給される。リンス液は、この実施形態ではＤＩＷ（脱イオン水）である。むろん、炭酸水等の他のリンス液が用いられてもよい。有機溶剤配管３１Ｂには、有機溶剤供給源３３Ｂから有機溶剤が供給される。有機溶剤は、リンス液よりも表面張力が小さい低表面張力液体の一例である。この実施形態では、リンス液および有機溶剤が配管３１Ａを通って共通のノズル２９から供給されているが、リンス液および有機溶剤をそれぞれ供給する個別の独立した配管およびノズルが設けられてもよい。

有機溶剤は、リンス液と置換可能な有機溶剤であり、より具体的には、水との親和性のある有機溶剤である。このような有機溶剤としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、メタノール、エタノール、ブタノール、アセトン、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＥＧＭＥＡ（エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート）などを例示することができる。

遮断板１９は、スピンチャック１２に保持される基板Ｗの上面に対向する対向面１９ａを有している。遮断板１９は、遮断板駆動ユニット２０によって駆動される。遮断板駆動ユニット２０は、遮断板昇降ユニット２０Ａと、遮断板回転ユニット２０Ｂとを含む。遮断板昇降ユニット２０Ａは、遮断板１９を上下動させて、対向面１９ａをスピンチャック１２に保持された基板Ｗに接近させたり離間させたりする。遮断板回転ユニット２０Ｂは、スピンチャック１２と共通の回転軸線１８まわりに遮断板１９を回転駆動する。より具体的には、遮断板回転ユニット２０Ｂは、遮断板１９を支持している回転軸２５に回転力を与える。遮断板１９の対向面１９ａの中央、すなわち、回転軸線１８上に、リンスノズル２９が配置されている。回転軸２５は、中空軸であり、その内部をリンス液配管３１Ａが挿通している。

対向面１９ａの中央には、リンスノズル２９を下方に向けて露出させる開口１９ｂが形成されている。この開口１９ｂは、回転軸２５の内部空間と連通している。リンス液配管３１Ａと回転軸２５の内壁との間には、不活性ガスを流通させるための不活性ガス流路４５が形成されている。この不活性ガス流路４５には、不活性ガス配管４６が接続されている。不活性ガス配管４６の途中には、流路を開閉する不活性ガスバルブ４７が介装されている。不活性ガス配管４６は、不活性ガス供給源４８に結合されている。不活性ガス供給源４８は、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、基板Ｗの表面の物質に対して不活性なガスであり、たとえば窒素ガスであってもよい。薬液ノズルを遮断板１９に組み込む場合には、回転軸２５にはさらに薬液配管が挿通され、薬液ノズルは、開口１９ｂから下方に向けて露出させられる。

遮断板昇降ユニット２０Ａによって遮断板１９を上下動させることによって、リンスノズル２９が同時に昇降し、それによって、スピンチャック１２に保持された基板Ｗからリンスノズル２９までの高さが変動する。
スピンチャック１２の回転軸１３０は、中空軸で構成されている。この回転軸１３０には、裏面ノズル１３１が挿通されている。裏面ノズル１３１の上端は、基板Ｗ下面の回転中心に向けてリンス液を吐出する吐出口１３２を形成している。裏面ノズル１３１には、リンス液供給配管１３３が結合されている。リンス液供給配管１３３は、リンス液バルブ１３４を介してリンス液供給源１３５に結合され、かつ有機溶剤バルブ１３６を介して有機溶剤供給源１３７に結合されている。リンス液供給源１３５は、ＤＩＷその他のリンス液を供給する。有機溶剤供給源１３７は、ＩＰＡその他の有機溶剤を供給する。

裏面ノズル１３１と回転軸１３０との間の空間は、基板Ｗの下面に向けて不活性ガスを供給するための不活性ガス流路１４０を形成している。不活性ガス流路１４０には、不活性ガス供給配管１４１が結合されている。不活性ガス供給配管１４１の途中に不活性ガスバルブ１４２が介装されている。不活性ガス供給配管１４１は、不活性ガス供給源１４３に結合されている。不活性ガス供給源１４３は、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、基板Ｗを構成する物質に対して不活性なガスであり、たとえば窒素ガスであってもよい。

処理室１１の側壁３５，３６には、主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬入／搬出される基板搬入／搬出開口３７と、ローカル搬送ロボットＬＲによって基板Ｗが搬入／搬出される基板搬入／搬出開口３８とがそれぞれ形成されている。基板搬入／搬出開口３７および基板搬入／搬出開口３８には、それらを開閉するシャッタ３９，４０がそれぞれ配置されている。シャッタ３９，４０は、シャッタ駆動ユニット４１，４２によって、それぞれ開閉駆動される。基板搬入／搬出開口３７は、主搬送室５と処理室１１とを連通させる開口であり、主搬送室５と処理室１１とを区画する側壁３５に形成されている。基板搬入／搬出開口３８は、処理室１１とローカル搬送室Ｃとを連通させる開口であり、処理室１１とローカル搬送室Ｃとを区画する側壁３６に形成されている。

液処理ユニットＭの動作を概説すれば次のとおりである。
主搬送ロボットＣＲが未処理の基板Ｗを搬入するとき、シャッタ３９が基板搬入／搬出開口３７を開く。未処理の基板Ｗを保持した主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣ（アーム）が基板搬入／搬出開口３７から処理室１１内へと進入し、スピンチャック１２に、その基板Ｗを渡す。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。基板Ｗをスピンチャック１２に渡した主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣは、基板搬入／搬出開口３７を通って処理室１１から退出する。その後、シャッタ駆動ユニット４１は、シャッタ３９を駆動して、基板搬入／搬出開口３７を閉じる。

次いで、モータ１７によってスピンチャック１２が回転させられ、薬液バルブ２２が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面に薬液が供給され、遠心力によって基板Ｗ表面の全域に薬液が行き渡る。こうして、基板Ｗを薬液で処理する薬液工程（前洗浄のための薬液工程）が実行される。薬液バルブ２２を閉じることにより薬液の供給が停止して、薬液工程が終了する。

薬液工程の後、スピンチャック１２の回転を継続しながら、リンス液バルブ３２Ａ，１３４が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面および裏面にリンス液が供給される。基板Ｗの表面に供給されたリンス液は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面の薬液を置換する。また、基板Ｗの裏面に供給されたリンス液は、基板Ｗ裏面の全域に広がり、基板Ｗの裏面に付着したリンス液を洗い流す。こうしてリンス工程が実行される。リンス液バルブ３２Ａを閉じることによりリンス液の供給が停止して、リンス工程が終了する。

このリンス工程の終了後、またはリンス工程の終了直前に、有機溶剤バルブ３２Ｂが開かれる。それにより、基板Ｗ表面に有機溶剤が供給される。スピンチャック１２は回転状態に保持される。したがって、有機溶剤は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面のリンス液を置換する。このとき、遮断板駆動ユニット２０は、遮断板１９を下降させて、対向面１９ａを基板Ｗの表面に近接した処理位置に配置する。

次に、有機溶剤バルブ３２Ｂが閉じられて、遮断板１９が上昇させられる。さらに、基板Ｗの上方に成膜処理液ノズル１５が配置され、その状態で、成膜処理液バルブ２７が開かれる。それにより、基板Ｗ表面に成膜処理液が供給される。スピンチャック１２は回転状態に保持される。したがって、成膜処理液は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面の全域に亘る液膜１０を形成する。この成膜処理液膜１０が形成された後、成膜処理液バルブ２７が閉じられる。

次に、成膜処理液ノズル１５が退避した後、遮断板１９が下降させられて、対向面１９ａが基板Ｗに近接した処理位置に配置される。さらに、有機溶剤バルブ１３６が開かれる。それにより、裏面ノズル１３１から基板Ｗ裏面（下面）に有機溶剤が供給され、その有機溶剤は、遠心力によって基板Ｗの裏面の全域に行き渡り、基板Ｗの裏面に付着した成膜処理液を洗い流す。

その後、有機溶剤バルブ１３６が閉じられ、スピンチャック１２の回転が加速される。それにより、基板Ｗの裏面の液成分が振り切られる。このとき、不活性ガスバルブ４７および１４２が開かれてもよい。それにより、基板Ｗの表面側では、成膜処理液膜１０中の揮発成分の揮発が促され、それにより、成膜処理液膜１０の固化が進む。また、基板Ｗの裏面側では、乾燥が促進される。

その後、遮断板駆動ユニット２０が遮断板１９を上方に退避させる。そして、スピンチャック１２の回転が停止されて、成膜処理液膜１０を形成するための処理が終了する。
次に、シャッタ駆動ユニット４２は、シャッタ４０を駆動して、基板搬入／搬出開口３８を開く。この基板搬入／搬出開口３８から、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（アーム）が処理室１１内に進入し、スピンチャック１２から基板Ｗを受け取り、基板搬入／搬出開口３８を通して、当該基板Ｗを処理室１１外へと搬出する。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。ローカル搬送ロボットＬＲは、表面に成膜処理液膜１０が形成された状態の基板Ｗを、固化ユニットＤまで搬送する。

固化ユニットＤで成膜処理液膜１０が固化されて固化膜１０Ｓとされた後、その固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって、液処理ユニットＭへと搬送される。このとき、シャッタ駆動ユニット４２は、シャッタ４０を駆動して、基板搬入／搬出開口３８を開く。この基板搬入／搬出開口３８から、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（アーム）が処理室１１内に進入し、スピンチャック１２に基板Ｗを渡した後に、処理室１１外へと退出する。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。

液処理ユニットＭは、こうして導入された基板Ｗに対して、その表面の固化膜１０Ｓを除去するための除去工程と、その後の洗浄工程（後洗浄工程）とを実行する。
具体的には、モータ１７によってスピンチャック１２が回転させられ、さらに、除去工程を実行するために、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの上方に除去液ノズル１６が配置される。そして、除去液バルブ１０２が開かれる。それにより、基板Ｗの表面に除去液が供給され、その除去液は遠心力によって基板Ｗの表面の全域に行き渡る。この除去液の作用によって、基板Ｗの表面の固化膜１０Ｓが剥離される。

次に、除去液バルブ１０２を閉じ、除去液ノズル１６を基板Ｗの上方から退避させた後に、後洗浄工程が実行される。具体的には、薬液ノズル１４が基板Ｗの上方に配置され、スピンチャック１２が回転させられている状態で、薬液バルブ２２が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面に薬液が供給され、遠心力によって基板Ｗ表面の全域に薬液が行き渡る。こうして、基板Ｗを薬液で処理する薬液工程（後洗浄のための薬液工程）が実行される。薬液バルブ２２を閉じることにより薬液の供給が停止して、薬液工程が終了する。薬液ノズル１４は、スピンチャック１２の上方から退避させられる。

薬液工程の後、スピンチャック１２の回転を継続しながら、リンス液バルブ３２Ａ，１３４が開かれる。それにより、回転状態の基板Ｗの表面および裏面にリンス液が供給される。基板Ｗの表面に供給されたリンス液は、基板Ｗ表面の全域に広がり、基板Ｗ表面の薬液を置換する。また、基板Ｗの裏面に供給されたリンス液は、基板Ｗ裏面の全域に広がり、基板Ｗの裏面に付着したリンス液を洗い流す。こうしてリンス工程が実行される。リンス液バルブ３２Ａを閉じることによりリンス液の供給が停止して、リンス工程が終了する。

このリンス工程の終了後、またはリンス工程の終了直前に、有機溶剤バルブ３２Ｂ，１３６が開かれる。それにより、基板Ｗ表面および裏面に有機溶剤が供給される。スピンチャック１２は回転状態に保持される。したがって、有機溶剤は、基板Ｗ表面および裏面の全域に広がり、基板Ｗ表面および裏面のリンス液を置換する。このとき、遮断板駆動ユニット２０は、遮断板１９を下降させて、対向面１９ａを基板Ｗの表面に近接した処理位置に配置する。

次に、有機溶剤バルブ３２Ｂ，１３６が閉じられ、代わって、不活性ガスバルブ４７，１４２が開かれて、基板Ｗの表面および裏面に不活性ガスが供給される。また、スピンチャック１２の回転が加速される。それによって、基板Ｗの表面および裏面の液成分が振り切られる。基板Ｗの表裏面に供給される不活性ガスは、基板Ｗの乾燥を促進する。
乾燥処理が終了すると、スピンチャック１２の回転が停止させられ、不活性ガスバルブ４７，１４２が閉じられる。さらに、遮断板駆動ユニット２０が遮断板１９を上方に退避させる。

次に、シャッタ駆動ユニット４１は、シャッタ３９を駆動して、基板搬入／搬出開口３７を開く。この基板搬入／搬出開口３７から、主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣ（アーム）が処理室１１内に進入し、スピンチャック１２から基板Ｗを受け取り、基板搬入／搬出開口３７を通して、当該基板Ｗを処理室１１外へと搬出する。基板Ｗの受け渡しのために、必要に応じて、カップ１３またはスピンチャック１２が上下動されてもよい。

基板Ｗ上の固化膜１０Ｓの除去は、その固化膜１０Ｓの種類によっては、薬液ノズル１４から供給される薬液によって行うこともできる。すなわち、薬液ノズル１４から供給される薬液が除去液として用いられてもよい。この場合には、除去液ノズル１６およびそれに関連する構成を省くことができ、除去工程と後洗浄工程とを区別する必要がない。
また、成膜処理液膜１０を形成する前の前洗浄工程は、省かれてもよい。

また、薬液ノズルが遮断板１９に組み込まれる場合には、遮断板１９は、処理の間、終始、基板Ｗに近接した近接位置に位置する。
図３は、固化ユニットＤの構成例を説明するための図解的な断面図である。固化ユニットＤは、密閉可能な減圧チャンバ（真空チャンバ）からなる固化室５１を有している。固化室５１の容積は、液処理ユニットＭの処理室１１の容積よりも小さく、それによって、固化室５１は、内部空間を効率的に減圧できる構造を有している。固化室５１内に、基板Ｗを保持する基板保持手段としての基板ホルダ５２が配置されている。基板ホルダ５２には、基板加熱手段としてのヒータ５３Ｈと、基板冷却手段としての冷却ユニット５３Ｃとが内蔵されており、それによって、温度調節プレートが構成されている。ヒータ５３Ｈは、伝熱または熱輻射によって基板Ｗを加熱する。ヒータ５３Ｈの代わりに、電磁波（紫外線、赤外線、マイクロ波、レーザ光など）を照射して基板を加熱する電磁波照射ユニットを基板加熱手段として用いてもよい。また、フラッシュランプを基板加熱手段として用いてもよい。冷却ユニット５３Ｃは、基板ホルダ５２内を通る冷媒通路を有していてもよいし、電子冷熱素子を有していてもよい。

基板ホルダ５２を貫通して複数（３本以上）のリフトピン５４が配置されている。リフトピン５４は、リフトピン昇降ユニット５５によって上下動され、それによって、基板ホルダ５２上で基板Ｗを上下動させる。
固化室５１は、ベース部５１１と、ベース部５１１に対して上下動する可動蓋部５１２とを有している。可動蓋部５１２は、蓋部駆動ユニット５６によって、ベース部５１１に対して上下動させられる。ベース部５１１と可動蓋部５１２との間に固化処理空間５０が区画される。可動蓋部５１２の下端縁部５８は、ベース部５１１の上面５９に倣う平面に沿って形成されている。ベース部５１１において、可動蓋部５１２の下端縁部５８に対向する位置には、シール部材としてのＯリング６０が配置されている。可動蓋部５１２をベース部５１１に接近させ、ベース部５１１に向けて押し付けると、可動蓋部５１２とベース部５１１との間がＯリング６０によって密閉される。こうして、密閉された固化処理空間５０が形成される。

ベース部５１１には、排気配管６２が結合されている。排気配管６２は、固化処理空間５０に連通している。排気配管６２は、真空ポンプ等の排気ユニット６３に接続されている。排気配管６２には、排気バルブ６４が介装されている。排気ユニット６３は減圧手段の一例であり、排気バルブ６４を開いて排気ユニット６３を駆動することによって、固化処理空間５０を大気圧よりも低い気圧（たとえば０．０１Ｔｏｒｒ以下）に減圧できる。

可動蓋部５１２には、固化処理空間５０に不活性ガスを導入するための不活性ガスノズル７１が設けられている。不活性ガスノズル７１には、不活性ガス配管７２が結合されている。不活性ガス配管７２の途中には、不活性ガスバルブ７３が介装されている。不活性ガス配管７２は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源７４に結合されている。不活性ガスは低湿度ガスの一例であり、不活性ガスノズル７１等は低湿度ガス供給手段の一例である。たとえば、基板Ｗが固化処理空間５０に搬入される前から、不活性ガスノズル７１から不活性ガスを供給しておくことによって、固化室５１内を換気でき、成膜処理液１０が乾燥しやすい雰囲気を形成できる。

固化ユニットＤの動作を概説すれば、次のとおりである。
ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨは、表面に成膜処理液膜１０が形成された状態の基板Ｗを固化ユニットＤに搬入する。基板Ｗが搬入されるとき、可動蓋部５１２はベース部５１１から離れた開放位置にあり、それにより、可動蓋部５１２とベース部５１１との間に基板搬入開口が形成される。このとき、リフトピン５４は、その先端が基板ホルダ５２の表面から上方に離間した上昇位置にある。その状態で、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨが、可動蓋部５１２とベース部５１１との間に進入して、リフトピン５４に基板Ｗを渡す。基板Ｗを渡されたリフトピン５４は、下降し、基板ホルダ５２の上面に基板Ｗを載置する。

蓋部駆動ユニット５６は、可動蓋部５１２を下降させ、Ｏリング６０を介してベース部５１１に押し付ける。これにより、固化処理空間５０が密閉空間となる。さらに、排気バルブ６４が開かれ、排気ユニット６３が駆動されることにより、固化処理空間５０内の雰囲気が排気され、固化処理空間５０が減圧される。減圧を阻害しないように、不活性ガスバルブ７３は閉状態とされる。

固化処理空間５０内が減圧されることによって、基板Ｗの表面の成膜処理液膜１０の蒸発が促進される。さらに、ヒータ５３Ｈを駆動して基板ホルダ５２が加熱され、ベーク処理が行われる。こうして、基板Ｗの雰囲気の減圧と基板Ｗの加熱とを併用して、成膜処理液膜１０が速やかに固化する。固化とは、ここでは、固体化または硬化することを意味し、成膜処理液中の溶媒成分が蒸発して乾燥して固体化または硬化してもよいし、成膜処理液中の分子同士が結合して高分子化して固体化または硬化してもよい。この固化の際に体積収縮が生じることによって、基板Ｗの表面に付着しているパーティクル等の異物に力が働き、それによって、異物が基板Ｗの表面から引き離される。

成膜処理液膜１０の固化が終了した後、排気ユニット６３が停止され、必要に応じて不活性ガスバルブ７３を開くことにより、固化処理空間５０内が大気圧まで加圧される。そして、ヒータ５３Ｈが駆動停止し、代わって、冷却ユニット５３Ｃが作動させられて、基板ホルダ５２が冷却される。それにより、基板Ｗがたとえば常温まで冷却させられる。その後、蓋部駆動ユニット５６が、可動蓋部５１２を上昇させて、ベース部５１１から離間させる。さらに、リフトピン５４が上昇して、基板ホルダ５２の上面から上方に離れた高さまで基板Ｗを持ち上げる。この状態で、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨが可動蓋部５１２とベース部５１１との間に進入し、リフトピン５４から処理後の基板Ｗをすくいとり、ローカル搬送室Ｃへと退出する。固化処理後の基板Ｗを主搬送ロボットＣＲが搬送する場合には、主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣが可動蓋部５１２とベース部５１１との間に進入し、リフトピン５４から処理後の基板Ｗをすくいとり、主搬送室５へと退出する。

図４は、ローカル搬送ロボットＬＲの構成例を説明するための図である。ローカル搬送ロボットＬＲは、ローカル搬送室Ｃ内に配置されている。ローカル搬送室Ｃは、液処理ユニットＭの処理室１１と、当該処理室１１の上に配置された固化ユニットＤの固化室５１とに対向し、固化室５１が開かれているときに、固化室５１と連通する。
ローカル搬送ロボットＬＲは、基板Ｗを保持するためのハンドＬＨ（アーム）と、ハンドＬＨを駆動するハンド駆動ユニット９０とを含む。この例では、ハンドＬＨは、一対のハンドＬＨ１，ＬＨ２を含み、これらは上下方向にずれて（さらに必要に応じて水平方向にずれて）配置されている。ハンド駆動ユニット９０は、ハンドＬＨ１，ＬＨ２を水平移動および垂直移動させ、さらに必要に応じて、ハンドＬＨ１，ＬＨ２を鉛直な回転軸線８９まわりに回動させる。

それにより、ハンドＬＨ１，ＬＨ２は、液処理ユニットＭの処理室１１内に進入してスピンチャック１２から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを固化ユニットＤまで搬送し、固化室５１内へとその基板Ｗを搬入してリフトピン５４（図３参照）に渡し、その後にローカル搬送室Ｃに退出することができる。また、ハンドＬＨ１，ＬＨ２は、固化ユニットＤの固化室５１内に進入してリフトピン５４から基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを液処理ユニットＭまで搬送し、その基板Ｗを処理室１１内へと搬入してスピンチャック１２に渡し、その後にローカル搬送室Ｃに退出することができる。

ハンド駆動ユニット９０は、少なくとも液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤにアクセスするときに、一対のハンドＬＨ１，ＬＨ２をそれらのユニットに対して独立して進退させることができる。たとえば、ハンドＬＨ１は、成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗを液処理ユニットＭから固化ユニットＤに搬送するときに用いられ、ハンドＬＨ２は、固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを固化ユニットＤから液処理ユニットＭに搬送するときに用いられてもよい。この場合、成膜処理液膜１０からの液だれを考慮して、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗを保持するハンドＬＨ２は、成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗを保持するハンドＬＨ１よりも上方に配置されていることが好ましい。

固化ユニットＤは、液処理ユニットＭの上に配置されているので、ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭから基板Ｗを搬出した後、ハンドＬＨを固化ユニットＤの高さまで上昇させるように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化ユニットＤから基板Ｗを搬出した後、ハンドＬＨを液処理ユニットＭの高さまで下降させるように動作する。

ローカル搬送ロボットＬＲは、さらに、液処理ユニットＭによって成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗを保温または加熱するためにハンドＬＨ１を加熱するハンド加熱ユニット９７Ａ（アーム加熱ユニット）を備えていてもよい。ハンド加熱ユニット９７Ａは、ハンドＬＨ１に形成された熱媒通路９８Ａに熱媒を循環させるように構成されていてもよい。このような熱媒通路９８Ａを有する構成に代えて、ハンドＬＨ１を加熱するヒータ（図示せず）をハンドＬＨ１に備えてもよい。また、ハンド加熱ユニット９７Ａは、ローカル搬送室Ｃに備えられた加熱プレート９９Ａを加熱するように構成されていてもよい。この場合、ハンドＬＨ１が基板Ｗを保持していない期間に、ハンドＬＨ１が加熱プレート９９Ａに接触させられる。それにより、ハンドＬＨ１の非稼働期間にハンドＬＨ１が加熱される。その加熱されたハンドＬＨ１によって基板Ｗを搬送することにより、搬送中に基板Ｗを加熱できるので、基板Ｗが加熱され、成膜処理液膜１０の乾燥固化を進行させることができる。

ローカル搬送ロボットＬＲは、さらに、固化ユニットＤによって固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを冷却するためにハンドＬＨ２を冷却するハンド冷却ユニット９７Ｂ（アーム冷却ユニット）を備えていてもよい。ハンド冷却ユニット９７Ｂは、ハンドＬＨ２に形成された冷媒通路９８Ｂに冷媒を循環させるように構成されていてもよい。このような冷媒通路９８Ｂを有する構成に代えて、ハンドＬＨ２を冷却する電子冷熱素子（図示せず）をハンドＬＨ２に備えてもよい。また、ハンド冷却ユニット９７Ｂは、ローカル搬送室Ｃに備えられた冷却プレート９９Ｂを冷却するように構成されていてもよい。この場合、ハンドＬＨ２が基板Ｗを保持していない期間に、ハンドＬＨ２が冷却プレート９９Ｂに接触させられる。それにより、ハンドＬＨ２の非稼働期間にハンドＬＨ２が冷却される。その冷却されたハンドＬＨ２によって基板Ｗを搬送することにより、搬送中に基板Ｗを冷却できるので、十分に冷却された基板Ｗを液処理ユニットＭに搬入できる。加えて、固化ユニットＤでの冷却処理時間を短縮できる。

ハンドＬＨ１，ＬＨ２に保持された基板Ｗを効率的に加熱／冷却するために、ハンドＬＨ１，ＬＨ２は、基板Ｗの形状に対応したプレート状に構成されていてもよい。このようなプレート状のハンドＬＨ１，ＬＨ２は、スピンチャック１２との基板Ｗの受け渡しのために、スピンチャック１２に備えられたチャックピンを回避する切欠きが周囲に形成された切欠き付プレート形状を有していてもよい。

たとえば、図４に示すように、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（またはハンドＬＨの移動によらずにハンドＬＨとの相対位置が大きく変化しない可動部位）には、ハンドＬＨを洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液ノズル９１が配置されてもよい。洗浄液ノズル９１は、洗浄液配管９２に接続されている。洗浄液配管９２には、洗浄液バルブ９３が介装されている。洗浄液配管９２は、洗浄液供給源９４に接続されている。洗浄液供給源９４は、ハンドＬＨを洗浄するための洗浄液を供給する。この洗浄液は、成膜用処理液と親和性のある液体、たとえば有機溶剤であることが好ましい。

図４に示すように、ハンドＬＨに洗浄液ノズル９１を備える代わりに、またはその洗浄液ノズル９１に加えて、ローカル搬送室Ｃ内に洗浄液ノズル９１Ａが取り付けられてもよい。
ローカル搬送ロボットＬＲが基板Ｗを搬送していない期間に、洗浄液バルブ９３を開くことにより、洗浄液ノズル９１，９１Ａから洗浄液を吐出させ、その洗浄液によってハンドＬＨを洗浄することができる。それにより、とくにハンドＬＨに付着する成膜用処理液やその他の物質を除去し、ハンドＬＨを清浄な状態に保持することができる。

ローカル搬送室Ｃの底部１６０は、洗浄液を受ける。底部１６０には、排液手段としての排液配管１６１が接続されている。底部１６０で受けられた洗浄液は、排液配管１６１を通って排液される。
ローカル搬送室Ｃ内に不活性ガスを供給する不活性ガスノズル１６５が設けられてもよい。不活性ガスノズル１６５には、不活性ガス配管１６６が接続されている。不活性ガス配管１６６の途中には、不活性ガスバルブ１６７が介装されている。不活性ガス配管１６６には、不活性ガス供給源１６８が接続されている。不活性ガス供給源１６８は、窒素ガスその他の不活性ガスを供給する。不活性ガスバルブ１６７を開くことにより、ローカル搬送室Ｃ内に不活性ガスを供給できる。それにより、洗浄後のハンドＬＨの乾燥を促進できる。また、ハンドＬＨに保持された基板Ｗの付近に不活性ガスを供給することができるから、とくにハンドＬＨ１に保持される基板Ｗ上の成膜処理液膜１０の乾燥を促進し、その固化を促進することができる。

不活性ガスノズル１６５は、ハンドＬＨ（またはハンドＬＨの移動によらずにハンドＬＨとの相対位置が大きく変化しない可動部位）に配置されてもよい。それにより、ハンドＬＨおよびハンドＬＨに保持された基板Ｗの表面に効率的に不活性ガスを供給できる。
なお、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗを主搬送ロボットＣＲによって搬出させる場合には、ローカル搬送ロボットＬＲはハンドＬＨ１およびそれに関連する構成を有していれば足りる。すなわち、ハンドＬＨ２およびそれに関連する構成を省くことができる。

また、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗをローカル搬送ロボットＬＲによって搬送する場合にも、ハンドＬＨ２およびそれに関連する構成を省いてもよい。すなわち、同じハンドＬＨ１で、成膜処理液膜１０が形成された基板Ｗの搬送と、固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗの搬送とを行ってもよい。この場合、液処理ユニットＭから固化ユニットＤへと基板Ｗを搬送した後に、ハンドＬＨ１を洗浄し、その後に、当該ハンドＬＨ１で固化ユニットＤから液処理ユニットＭへと表面に固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを搬送してもよい。

以上のように、この実施形態によれば、液処理ユニットＭの処理室において基板Ｗ上に成膜処理液膜１０が形成された後、その基板Ｗが、ローカル搬送ロボットＬＲによって、固化ユニットＤの固化室５１へと搬入される。したがって、主搬送ロボットＣＲが成膜処理液によって汚染されることを回避できるので、その成膜処理液が、主搬送ロボットＣＲによって搬送される他の基板へと転移することを抑制または防止できる。また、主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される空間に成膜処理液の雰囲気が漂うことを抑制または防止できるので、成膜処理液の雰囲気による基板Ｗへの悪影響も回避できる。こうして、基板処理品質を向上できる。さらに、主搬送ロボットＣＲの動作状態にかかわらずに、ローカル搬送ロボットＬＲによって、処理室１１から固化室５１へ基板Ｗを速やかに搬送することができる。したがって、搬送時間を短縮できる。

とくに、この実施形態では、主搬送ロボットＣＲが主搬送室５に配置されており、ローカル搬送ロボットＬＲは、主搬送室５から離隔されたローカル搬送室Ｃに配置されている。それにより、成膜処理液の雰囲気が主搬送室５に漂うことをより確実に抑制または防止できるので、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗが成膜処理液の雰囲気の影響を受けることを抑制または防止できる。

また、この実施形態では、固化ユニットＤは、固化室５１内の処理空間５０を減圧し、かつ基板Ｗをヒータ５３Ｈで加熱することにより、基板Ｗ上の成膜処理液膜１０を固化させる。したがって、成膜処理液膜１０を速やかに固化して、固化膜１０Ｓを形成できる。この過程において、成膜処理液膜１０が固体化しながら体積収縮する。それにより、基板Ｗ表面のパーティクル等の異物に引っ張り力が作用し、基板Ｗ表面から異物を剥離させることができる。

液処理ユニットＭは、処理室１１内にスピンチャック１２および遮断板１９を有しており、その容積が比較的大きい。そのため、処理室１１内の空間を減圧して成膜処理液膜１０を乾燥させるのは実際的でなく、仮に可能であるとしても、大きな容積の空間の減圧には長い時間がかかる。それに対して、この実施形態では、液処理ユニットＭで処理を終えた後の基板Ｗを、より容積の小さい固化室５１に搬入し、固化室５１内での減圧乾燥処理を行っている。これにより、成膜処理液膜１０を短時間で固化できる。

固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲまたは主搬送ロボットＣＲによって、固化室５１から液処理ユニットＭの処理室１１へと搬入される。このとき、液処理ユニットＭは、固化膜１０Ｓを除去する除去ユニットとして機能し、処理室１１は除去処理が行われる空間を提供する除去室として機能する。液処理ユニットＭは、基板Ｗに除去液を供給して基板Ｗ上の固化膜１０Ｓを除去する。このとき、固化膜１０Ｓが除去液で膨潤して体積膨張する。それにより、基板Ｗ表面の異物に引っ張り力が作用して、異物を基板Ｗ表面から剥離される。剥離された異物は、固化膜１０Ｓとともに基板Ｗ外へと排除される。こうして、基板Ｗの表面の異物を除去する洗浄処理が達成される。

ローカル搬送ロボットＬＲが、固化ユニットＤでの固化処理を終えた基板Ｗを固化室５１から搬出して、除去処理のために、液処理ユニットＭの処理室１１に搬入する場合には、主搬送ロボットＤＲが固化処理後の基板Ｗから影響を受けることを回避できる。とくに、固化ユニットＤでの処理後の基板Ｗが高温になっているときには、その高温の基板Ｗが発する熱を主搬送ロボットＣＲが蓄積することを回避できる。それにより、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗに対して熱の影響が及ぶことを抑制または防止できる。

また、この実施形態では、ローカル搬送ロボットＬＲは、一対のハンドＬＨ１，ＬＨ２を有し、第１搬送アームとしてのハンドＬＨ１によって処理室１１から基板Ｗを搬出して固化室５１へ搬入し、第２搬送アームとしてのハンドＬＨ２によって固化室５１から固化処理後の基板Ｗを搬出して、除去処理のために処理室１１へと搬入する。したがって、ハンドＬＨ１に成膜処理液が付着したとしても、その処理液が固化処理後の基板Ｗに転移することを抑制または防止できる。さらに、この実施形態では、ハンドＬＨ２がハンドＬＨ１よりも上方に配置されているので、ハンドＬＨ１によって保持される基板Ｗ上の成膜処理液がハンドＬＨ２に付着することを一層確実に抑制または防止できる。

また、この実施形態では、ローカル搬送室Ｃには、洗浄液ノズル９１，９１Ａが設けられており、その洗浄液ノズル９１，９１Ａから洗浄液を吐出して、ハンドＬＨを洗浄できる。それにより、ハンドＬＨを清浄な状態に保持できるので、ハンドＬＨに起因する基板Ｗの汚染を抑制しながら、基板Ｗを搬送できる。しかも、ハンドＬＨの洗浄はローカル搬送室Ｃで行われるので、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗに洗浄液または成膜処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。

とくに、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ（またはハンドＬＨの移動によらずにハンドＬＨとの相対位置が大きく変化しない可動部位）に洗浄液ノズル９１を設ける場合には、ハンドＬＨをより確実に洗浄できる。したがって、ハンドＬＨに成膜処理液等の汚染が蓄積されることを回避でき、成膜処理液による汚染を抑制しながら、基板Ｗを搬送できる。また、主搬送ロボットＣＲによって搬送される基板Ｗに洗浄液または成膜処理液の影響が及ぶことを抑制または防止できる。

そして、この実施形態では、ローカル搬送室Ｃは、洗浄液を受ける底部１６０と、底部１６０に受けられた洗浄液を排液する排液配管１６１とを含む。これにより、ハンドＬＨを洗浄した後の洗浄液をローカル搬送室Ｃ外へと排出できるので、ローカル搬送室Ｃ内の雰囲気を清浄に保持できる。それによって、基板Ｗへの成膜処理液雰囲気の影響を一層抑制できる。

この実施形態によって実行される基板処理方法は、基板Ｗの表面に処理室１１内で成膜処理液を供給して、基板Ｗの表面に成膜処理液膜１０を形成する処理液膜形成工程と、この処理液膜形成工程の後、基板Ｗを固化室５１へ搬送する第１ローカル搬送工程と、固化室５１内で成膜処理液膜１０を固化させて当該基板Ｗの表面に固化膜１０Ｓを形成する固化膜形成工程と、この固化膜形成工程の後、基板Ｗを除去室としての処理室１１へ搬送する第２ローカル搬送工程と、その処理室１１（除去室）内で固化膜１０Ｓを除去するための除去液を基板Ｗの表面に供給する除去処理工程と、主搬送ロボットＣＲによって、処理室１１へ未処理の基板Ｗを搬入し、除去処理工程の後に、前記処理室１１（除去室）から基板Ｗを搬出する主搬送工程と、を含む。

この実施形態では、前記固化膜形成工程が、基板Ｗを加熱手段としてのヒータ５３Ｈによって加熱する加熱工程を含む。また、前記固化膜形成工程は、基板Ｗが処理される固化処理空間５０を減圧する減圧工程を含む。
前記主搬送工程では、基板Ｗは、主搬送室５を通って搬送され、前記第１ローカル搬送工程においては、基板Ｗは、主搬送室５から離隔されたローカル搬送室Ｃを通って搬送される。

前記第１ローカル搬送工程および前記第２ローカル搬送工程は、共通のローカル搬送ロボットＬＲによって行われる場合がある。この場合に、前記第１ローカル搬送工程が、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ１によって行われ、前記第２ローカル搬送工程が、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨ２によって行われる。
また、前記第１ローカル搬送工程がローカル搬送ロボットＬＲによって行われ、前記第２ローカル搬送工程が主搬送ロボットＣＲによって行われる場合がある。

また、この実施形態の基板処理方法は、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに洗浄液を供給するハンド洗浄工程（アーム洗浄工程）を含む。
前記処理液膜形成工程と前記除去処理工程とが、共通の処理室１１内で行われる場合がある。また、前記処理液膜形成工程と前記除去処理工程とが異なる液処理ユニットＭで行われる場合には、それらの処理は異なる室で行われることになる。

［第２の実施形態］
図５Ａは、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成を説明するための図解的な平面図であり、図５Ｂはその立面図である。図５Ａおよび図５Ｂにおいて、前述の図１Ａおよび図１Ｂの各部の対応部分には同一参照符号を付す。
この実施形態では、平面視において、主搬送室５の一方側に配置された２つの積層ユニット群Ｇ１，Ｇ２の間にローカル搬送室Ｃが配置され、そのローカル搬送室Ｃにローカル搬送ロボットＬＲが配置されている。同様に、主搬送室５の他方側に配置された２つの積層ユニット群Ｇ３，Ｇ４の間にローカル搬送室Ｃが配置され、そのローカル搬送室Ｃにローカル搬送ロボットＬＲが配置されている。積層ユニット群Ｇ１～Ｇ４を構成する複数のユニットおよびそれらの積層状態は、第１の実施形態の場合と同様である。

主搬送ロボットＣＲは、第１の実施形態の場合と同様に、合計８個の液処理ユニットＭにアクセスして基板Ｗを渡すことができ、さらにインデクサロボットＩＲとの間で基板Ｗを受け渡しすることができる。また、液処理ユニットＭは、合計８個の固化ユニットＤにアクセスして基板Ｗを取り出すことができるように構成されていてもよい。
ローカル搬送ロボットＬＲは、この実施形態では、第１層Ｓ１に２個備えられ、第２層Ｓ２に２個備えられている。より具体的には、平面視において、第１層Ｓ１には、主搬送室５の両側に１個ずつのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ１２が配置されている。さらに具体的には、主搬送室５の一方側において、第１層Ｓ１には、液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２の間に一つのローカル搬送ロボットＬＲ１１が配置されている。主搬送室５の他方側にも同様に、液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４の間に一つのローカル搬送ロボットＬＲ１２が配置されている。第２層Ｓ２における２個のローカル搬送ロボットＬＲ２１，ＬＲ２２も同様に配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ１２，ＬＲ２１，ＬＲ２２は、ローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２内にそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃは、主搬送室５から分離（離隔）するように区画された搬送空間を形成している。

第１層Ｓ１において、主搬送室５の一方側に配置されたローカル搬送ロボットＬＲ１１は、２つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２によって共有される。
すなわち、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の液処理ユニットＭ１１での処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には上方）に搬送し、その液処理ユニットＭ１１の上の固化ユニットＤ１１へと搬入する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２での処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には上方）に搬送し、その液処理ユニットＭ１２の上の固化ユニットＤ１２へと搬入する。

ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の液処理ユニットＭ１１での処理を終えた基板Ｗを、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２の上の固化ユニットＤ１２に搬送してもよい。同様に、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２での処理を終えた基板Ｗをキャリヤ保持部２に近い側の液処理ユニットＭ１１の上の固化ユニットＤ１１に搬送してもよい。

より一般化すれば、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、第１層Ｓ１において主搬送室５の一方側に配置された２つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２と、それらの上にそれぞれ配置された２つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２にアクセス可能である。そして、一つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２で処理を終えた基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲ１１によって、２つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２のいずれかに搬入されて、その表面の成膜処理液膜を固化するための固化処理を受ける。

一方、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の固化ユニットＤ１１での固化処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には下方）に搬送し、その固化ユニットＤ１１の下の液処理ユニットＭ１１へと搬入する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の固化ユニットＤ１２での固化処理を終えた基板Ｗを取り出し、垂直方向（より具体的には下方）に搬送し、その固化ユニットＤ１２の下の液処理ユニットＭ１２へと搬入する。

ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２に近い側の固化ユニットＤ１１での処理を終えた基板Ｗを、キャリヤ保持部２から遠い側の液処理ユニットＭ１２の下の液処理ユニットＭ１２に搬送してもよい。同様に、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、キャリヤ保持部２から遠い側の固化ユニットＤ１２での処理を終えた基板Ｗをキャリヤ保持部２に近い側の固化ユニットＤ１１の下の液処理ユニットＭ１１に搬送してもよい。より一般化すれば、一つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２での固化処理を終えた基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲ１１によって、２つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２のいずれかに搬入されて、その表面の固化膜を除去するための除去処理を受ける。

第１層Ｓ１において主搬送室５の他方側に配置されたローカル搬送ロボットＬＲ１２の動作も同様である。すなわち、ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、２つの液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４および２つの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４にアクセス可能に構成されており、それらに対して、主搬送室５の反対側のローカル搬送ロボットＬＲ１１と同様な動作を行う。

第２層Ｓ２に配置されたローカル搬送ロボットＬＲ２１，ＬＲ２２の動作も同様である。すなわち、ローカル搬送ロボットＬＲ２１は、２つの液処理ユニットＭ２１，Ｍ２２および２つの固化ユニットＤ２１，Ｄ２２にアクセス可能に構成されており、それらに対して、ローカル搬送ロボットＬＲ１１と同様な動作を行う。また、ローカル搬送ロボットＬＲ２２は、２つの液処理ユニットＭ２３，Ｍ２４および２つの固化ユニットＤ２３，Ｄ２４にアクセス可能に構成されており、それらに対して、ローカル搬送ロボットＬＲ１１と同様な動作を行う。

主搬送室５の一方側に配置された２つのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ２１は、この実施形態では、平面視において重なり合う２つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１にそれぞれ配置されている。同様に、主搬送室５の他方側に配置された２つのローカル搬送ロボットＬＲ１２，ＬＲ２２は、この実施形態では、平面視において重なり合う２つのローカル搬送室Ｃ１２，Ｃ２２にそれぞれ配置されている。

上下に重なり合った２つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１；Ｃ１２，Ｃ２２を、上下に連通した一つのローカル搬送室としてもよい。そして、この一つのローカル搬送室Ｃ内に一つのローカル搬送ロボットＬＲを配置してもよい。
この場合、主搬送室５の一方側では、ローカル搬送室Ｃに対してキャリヤ保持部２側には、液処理ユニットＭ１１、固化ユニットＤ１１、液処理ユニットＭ２１および固化ユニットＤ２１がこの順で積層された積層ユニット群Ｇ１が位置し、キャリヤ保持部２から遠い側にも、液処理ユニットＭ１２、固化ユニットＤ１２、液処理ユニットＭ２２および固化ユニットＤ２２がこの順で積層された積層ユニット群Ｇ２が位置する。ローカル搬送室Ｃに配置された一つのローカル搬送ロボットＬＲは、これらの一対の積層ユニット群Ｇ１，Ｇ２を構成する合計８個のユニットに対してアクセスすることができる。

この場合、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２で成膜処理液膜形成処理が終了した一つの基板Ｗをその直上に積層された固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２に搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２で成膜処理液膜形成処理が終了した一つの基板Ｗを、アクセス可能な４つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２のうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない固化ユニットＤに基板Ｗを搬入することにより、生産性を高めることができる。

また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２で固化処理が終了した一つの基板Ｗをその直下に積層された液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２に搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２で固化処理が終了した一つの基板Ｗを、アクセス可能な４つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２のうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない液処理ユニットＭに基板Ｗを搬入して除去処理を行わせることにより、生産性を高めることができる。

主搬送室５の他方側についても、同様の構成であり、２つの積層ユニット群Ｇ３，Ｇ４によって共有される一つのローカル搬送ロボットＬＲを同様に動作させることができる。
図１Ａおよび図５Ａの比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、基板処理装置１Ａの占有面積（フットプリント）を小さくすることができる。
なお、固化ユニットＤでの固化処理を終了した基板Ｗの搬送は、主搬送ロボットＣＲによって行ってもよい。この場合、主搬送ロボットＣＲは、任意の液処理ユニットＭに当該基板Ｗを搬入して除去処理を行わせるように動作してもよい。

［第３の実施形態］
図６Ａは、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置１Ｂの構成を説明するための図解的な平面図であり、図６Ｂは、その立面図である。この実施形態の基板処理装置１Ｂでは、ユニットの配置が、第１層Ｓ１、第２層Ｓ２および第３層Ｓ３を含む三層構造を形成している。

この実施形態では、平面視において、主搬送室５の一方側に３つの積層ユニット群Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１３が主搬送室５に沿って配置され、主搬送室５の他方側に３つの積層ユニット群Ｇ１４，Ｇ１５，Ｇ１６が主搬送室５に沿って配置されている。
積層ユニット群Ｇ１１は、３つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１３は、３つの液処理ユニットＭ１２，Ｍ２２，Ｍ３２を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１１，Ｇ１３の間に配置された積層ユニット群Ｇ１２は、６つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１１，Ｇ１３の間には、さらに、ローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１が下から順に積層して配置されており、それらの中に、ローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ２１，ＬＲ３１がそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１は、この実施形態では、積層ユニット群Ｇ１２に対して、主搬送室５とは反対側に配置されている。

積層ユニット群Ｇ１４は、３つの液処理ユニットＭ１３，Ｍ２３，Ｍ３３を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１６は、３つの液処理ユニットＭ１４，Ｍ２４，Ｍ３４を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１４，Ｇ１６の間に配置された積層ユニット群Ｇ１５は、６つの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４，Ｄ２３，Ｄ２４，Ｄ３３，Ｄ３４を下から順に積層して構成されている。積層ユニット群Ｇ１４，Ｇ１６の間には、さらに、ローカル搬送室Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ３２が下から順に積層して配置されており、それらの中に、ローカル搬送ロボットＬＲ１２，ＬＲ２２，ＬＲ３２がそれぞれ配置されている。ローカル搬送室Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ３２は、この実施形態では、積層ユニット群Ｇ１５に対して、主搬送室５とは反対側に配置されている。

各層の構成に着目すると、第１層Ｓ１において、主搬送室５の一方側には、主搬送室５の平面視における長手方向に沿って、一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２が配置されており、この一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２の間に、一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２と、一つのローカル搬送ロボットＬＲ１１とが配置されている。一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２は、この実施形態では、上下に積層されている。固化ユニットＤ１１，Ｄ１２は、主搬送室５に近い位置に配置されており、固化ユニットＤ１１，Ｄ１２に対して主搬送室５とは反対側にローカル搬送ロボットＬＲ１１が配置されている。

ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、ローカル搬送室Ｃ１１内に配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２および一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２にアクセス可能である。
ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、一つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２で成膜処理液膜形成処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の固化ユニットＤ１１，Ｄ１２のいずれかにその基板Ｗを搬入するように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１１は、一つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２で固化処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２のいずれかにその基板Ｗを搬入して除去処理を行わせるように動作する。

第１層Ｓ１において、主搬送室５の他方側のユニット配置も同様である。すなわち、主搬送室５の他方側には、主搬送室５の平面視における長手方向に沿って、一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４が配置されており、この一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４の間に一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４と一つのローカル搬送ロボットＬＲ１２とが配置されている。一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４は上下に積層されている。それらの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４は、主搬送室５に近い位置に配置され、固化ユニットＤ１３，Ｄ１４に対して主搬送室５とは反対側にローカル搬送室Ｃ１２が区画され、そこにローカル搬送ロボットＬＲ１２が収容されている。

ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４および一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４にアクセス可能である。ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、一つの液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４で処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の固化ユニットＤ１３，Ｄ１４のいずれかにその基板Ｗを搬入するように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１２は、一つの固化ユニットＤ１３，Ｄ１４で固化処理を終えた基板Ｗを搬出して、一対の液処理ユニットＭ１３，Ｍ１４のいずれかにその基板Ｗを搬入して除去処理を行わせるように動作する。

第２層Ｓ２および第３層Ｓ３のユニット配置および各層のローカル搬送ロボットＬＲの動作も同様である。第２層Ｓ２は、主搬送室５の一方側に配置された一対の液処理ユニットＭ２１，Ｍ２２、一対の固化ユニットＤ２１，Ｄ２２および一つのローカル搬送ロボットＬＲ２１を含み、さらに、主搬送室５の他方側に配置された一対の液処理ユニットＭ２３，Ｍ２４、一対の固化ユニットＤ２３，Ｄ２４および一つのローカル搬送ロボットＬＲ２２を含む。第３層Ｓ３は、主搬送室５の一方側に配置された一対の液処理ユニットＭ３１，Ｍ３２、一対の固化ユニットＤ３１，Ｄ３２および一つのローカル搬送ロボットＬＲ３１を含み、さらに、主搬送室５の他方側に配置された一対の液処理ユニットＭ３３，Ｍ３４、一対の固化ユニットＤ３３，Ｄ３４および一つのローカル搬送ロボットＬＲ３２を含む。

このように、この実施形態では、液処理ユニットＭと固化ユニットＤとが平面的に配置（水平配置）されており、それにより、基板処理装置１Ｂの全高を抑制しながら、多数の液処理ユニットＭおよび固化ユニットＤを備えることができる。
主搬送室５の一方側に配置された３つのローカル搬送ロボットＬＲ１１，ＬＲ２１，ＬＲ３１は、この実施形態では、平面視において、重なり合う３つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１にそれぞれ配置されている。この３つのローカル搬送室Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１を上下に連通した一つのローカル搬送室Ｃとしてもよい。また、この一つのローカル搬送室Ｃ内に一つのローカル搬送ロボットＬＲを配置してもよい。この場合、ローカル搬送室Ｃに対してキャリヤ保持部２側には、３つの液処理ユニットＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１が積層された積層ユニット群Ｇ１１が位置し、キャリヤ保持部２から遠い側には、３つの液処理ユニットＭ１２，Ｍ２２，Ｍ３２が積層された積層ユニット群Ｇ１３が位置し、主搬送室５側には６つの固化ユニットＤ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２が積層された積層ユニット群Ｇ１２が位置する。ローカル搬送室Ｃに配置された一つのローカル搬送ロボットＬＲは、これらの３つの積層ユニット群Ｇ１１～Ｇ１３を構成する合計１２個のユニットに対してアクセスすることができる。

この場合、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭで成膜処理液膜形成が終了した一つの基板Ｗを同一層内に位置する固化ユニットＤに搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤで固化処理が終了した一つの基板Ｗを、除去処理のために、同一層内に位置する液処理ユニットＭに搬入するように動作してもよい。また、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る液処理ユニットＭで成膜処理液膜形成が終了した一つの基板Ｗを、アクセス可能な６つの固化ユニットＤのうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない固化ユニットＤに基板Ｗを搬入することにより、生産性を高めることができる。そして、ローカル搬送ロボットＬＲは、或る固化ユニットＤで固化処理が終了した一つの基板Ｗを、除去処理のために、アクセス可能な６つの液処理ユニットＭのうちの任意の一つに搬入してもよい。一般的には、処理のために使われていない液処理ユニットＭに基板Ｗを搬入することにより、生産性を高めることができる。むろん、主搬送室５の反対側に関しても、同様の構成とすることができる。

図１Ａおよび図６Ａの比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、基板処理装置１Ｂの占有面積（フットプリント）を小さくすることができる。さらに、図５Ｂおよび図６Ｂ等の比較から理解されるとおり、この実施形態の構成により、同じ高さのスペースに、より多くのユニットを配置することができる。換言すれば、同じユニット数の基板処理装置を、より低い高さで構成することができる。

［第４の実施形態］
図７は、この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置１Ｃの構成を説明するための図解的な立面図であり、主搬送室の一方側の構成が示されている。主搬送室５（図５Ａ等参照）の一方側に、一対の積層ユニット群Ｇ２１，Ｇ２２が配置されており、それらの間にローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２が配置されている。この例では、一つの積層ユニット群Ｇ２１は３つの液処理ユニットＭ１，Ｍ２，Ｍ３を三層に積層して構成されている。もう一つの積層ユニット群Ｇ２２は、一つの液処理ユニットＭ４と、その上に順に積層された４つの固化ユニットＤ１～Ｄ４とを含む。主搬送室５の反対側にも同様の構成が設けられている。主搬送ロボットＣＲは、主搬送室５の一方側に配置された４つの液処理ユニットＭ１～Ｍ４にアクセス可能であり、かつ主搬送室５の反対側に同様に配置された４つの液処理ユニットにアクセス可能である。主搬送ロボットＣＲは、主搬送室５の一方側に配置された４つの固化ユニットＤ１～Ｄ４にアクセス可能で、かつ主搬送室５の反対側に同様に配置された４つの固化ユニットにアクセス可能に構成されていてもよい。

この例では、主搬送室５の一方側に、２つのローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２が設けられており、それらは、一つのローカル搬送室Ｃ内に配置されている。たとえば、下側のローカル搬送ロボットＬＲ１は、３つの液処理ユニットＭ１，Ｍ２，Ｍ４および２つの固化ユニットＤ１，Ｄ２にアクセス可能であってもよい。そして、上側のローカル搬送ロボットＬＲ２は、２つの液処理ユニットＭ２，Ｍ３および４つの固化ユニットＤ１～Ｄ４にアクセス可能であってもよい。これらのローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２は、液処理ユニットＭ１～Ｍ４で成膜処理液が形成された後の基板Ｗをいずれかの固化ユニットＤ１～Ｄ４に搬入するように動作する。また、ローカル搬送ロボットＬＲ１，ＬＲ２は、固化ユニットＤ１～Ｄ４で固化処理された後の基板Ｗを、除去処理のために、いずれかの液処理ユニットＭ１～Ｍ４に搬入するように動作する。主搬送室５の反対側にも同様の構成が設けられており、２つのローカル搬送ロボットの動作も同様である。固化処理後の基板Ｗの搬送は、主搬送ロボットＣＲが行ってもよい。すなわち、主搬送ロボットＣＲは、或る固化ユニットＤで固化処理された基板Ｗを、いずれかの液処理ユニットＭに搬入するように動作してもよい。

［第５の実施形態］
図８は、この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置１Ｄの構成を説明するための図解的な平面図である。この実施形態では、３つの積層ユニット群Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３が設けられている。第１の積層ユニット群Ｇ３１は、液処理ユニットＭ１１，Ｍ２１，Ｍ３１を複数層（この実施形態では三層）に積層して構成されている。第２の積層ユニット群Ｇ３２は、キャリヤ保持部２におけるキャリヤ３の整列方向に沿って、第１の積層ユニット群Ｇ３１に対向している。この第２の積層ユニット群Ｇ３２は、液処理ユニットＭ１２，Ｍ２２，Ｍ３２を複数層に積層して構成されている。第３の積層ユニット群Ｇ３３は、第１および第２の積層ユニット群Ｇ３１，Ｇ３２の間に配置されている。第３の積層ユニット群Ｇ３３は、固化ユニットＤ１～Ｄ６を複数層（この実施形態では６層）に積層して構成されており、図６Ａおよび図６Ｂに示した積層ユニット群Ｇ１２，Ｇ１５と類似の構成を有している。固化ユニットＤ１～Ｄ６に対して主搬送ロボットＣＲとは反対側にローカル搬送室Ｃが配置されている。ローカル搬送室Ｃには、ローカル搬送ロボットＬＲが配置されている。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭ１１，Ｍ１２；Ｍ２１，Ｍ２２；Ｍ３１，Ｍ３２に対応した各層に一つずつ設けられていてもよい。また、複数層（たとえば全ての層）に配置された液処理ユニットＭに対して共通に用いられる一つのローカル搬送ロボットＬＲが設けられていてもよい。

主搬送ロボットＣＲは、主搬送室５Ａに配置されている。主搬送室５Ａは、第１～第３の積層ユニット群Ｇ３１～Ｇ３３とインデクサロボットＩＲとの間に区画されている。インデクサロボットＩＲと主搬送ロボットＣＲとの間の基板Ｗの受け渡しは、一時的に基板Ｗを保持する基板受渡しユニット７を介して行われてもよい。主搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから基板受渡しユニット７を介して受け取った未処理の基板Ｗを、第１または第２の積層ユニット群Ｇ３１，Ｇ３２に含まれる一つの液処理ユニットＭに搬入する。その液処理ユニットＭで処理された後の基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって搬出され、当該ローカル搬送ロボットＬＲがアクセス可能な固化ユニットＤ１～Ｄ６のいずれかに搬入される。その固化ユニットＤで処理された後の基板Ｗは、ローカル搬送ロボットＬＲによって取り出され、除去処理のために、当該ローカル搬送ロボットＬＲがアクセス可能な液処理ユニットＭに搬入される。その液処理ユニットＭで除去処理等を終えた基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲによって取り出され、基板受渡しユニット７を介して、インデクサロボットＩＲへと渡される。

固化ユニットＤでの固化処理後の基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲによって、除去処理のために、液処理ユニットＭに搬入されてもよい。
［第６の実施形態］
図９は、この発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、固化ユニットＤの構成例を示す。この固化ユニットＤは、真空チャンバを構成する固化室１１１を有している。固化室１１１には、排気管１１２が接続されている。排気管１１２は、真空ポンプ等の排気ユニット１１３に接続されている。排気管１１２には、排気バルブ１１０が介装されている。

固化室１１１には、ローカル搬送ロボットＬＲによって基板Ｗを搬入／搬出するための基板搬入／搬出開口１１４が側壁１１５に形成されている。
さらに、固化室１１１には、主搬送ロボットＣＲによって、固化処理後の基板Ｗを搬出するための基板搬出開口１１６が側壁１１７に形成されていてもよい。この場合、基板搬出開口１１６を開閉するためのシャッタ１１８が設けられ、シャッタ１１８がシャッタ駆動ユニット１１９によって駆動されるように構成されることが好ましい。また、シャッタ１１８の固化室１１１に対向する表面には、シール部材としてのＯリング１２０が設けられていることが好ましい。この場合、シャッタ１１８は、固化室１１１の側壁１１７に押し付けられ、それによって、Ｏリング１２０を介して基板搬出開口１１６を気密に密閉する。主搬送ロボットＣＲが固化ユニットＤによる処理済みの基板Ｗを搬出するときには、シャッタ駆動ユニット１１９はシャッタ１１８を駆動して基板搬出開口１１６を開放する。その開放された基板搬出開口１１６に主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣが進入する。

一方、基板搬入／搬出開口１１４は、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに備えられた蓋部材１２５によって開閉される。蓋部材１２５の固化室１１１に対向する表面には、シール部材としてのＯリング１２６が設けられている。ローカル搬送ロボットＬＲは、液処理ユニットＭで成膜処理液膜１０が形成された後の基板Ｗを固化室１１１に搬入し、さらに、蓋部材１２５をＯリング１２６を介して固化室１１１の側壁１１５に押し付けるように動作する。それにより、基板搬入／搬出開口１１４が気密に閉塞される。

固化室１１１の天井面には、固化室１１１内の空間に不活性ガスを導入するための不活性ガスノズル７１Ａが設けられている。この不活性ガスノズル７１Ａに関して、図３に示した固化ユニットの場合と同様の構成が備えられており、不活性ガスノズル７１Ａに不活性ガスが供給されている。図９において、図３の各部に対応する部分に同一参照符号を付して説明を省略する。

固化ユニットＤの動作の概要は次のとおりである。
基板搬出開口１１６がシャッタ１１８によって閉塞された状態で、ローカル搬送ロボットＬＲが基板Ｗを固化室１１１に搬入する。この基板Ｗは、その上面に成膜処理液膜１０が形成された状態の基板である。ローカル搬送ロボットＬＲは、ハンドＬＨを固化室１１１内に進入させ、かつ、蓋部材１２５を固化室１１１の側壁１１５の外面に押し付けて基板搬入／搬出開口１１４を閉塞する。こうして、固化室１１１内は気密な密閉空間となる。この状態で、排気バルブ１１０が開かれ、排気ユニット１１３が作動させられることにより、固化室１１１内の空間が大気圧よりも低圧に減圧される。それによって、基板Ｗ上の成膜処理液膜１０が乾燥して固化する。

固化室１１１内の空間の減圧が開始されるまでの期間には、不活性ガスバルブ７３が開かれ、不活性ガスノズル７１から固化室１１１内に不活性ガスが供給される。それにより、固化室１１１内が低湿度の空間に保持される。固化室１１１内の減圧が開始されると、減圧を阻害しないように、不活性ガスバルブ７３が閉じられる。
こうして基板Ｗ上の成膜処理液膜１０の固化が終了すると、排気ユニット１１３が動作停止され、必要に応じて不活性ガスバルブ７３が開かれる。それによって、固化室１１１内の空間が大気圧に戻る。次いで、ローカル搬送ロボットＬＲは、固化膜１０Ｓが形成された基板Ｗを保持しているハンドＬＨを後退させて固化室１１１から退出させる。そして、ローカル搬送ロボットＬＲは、その基板Ｗを、除去処理のために液処理ユニットＭに搬送する。

固化処理後の基板Ｗの搬送を主搬送ロボットＣＲで行うときには、シャッタ駆動ユニット１１９がシャッタ１１８を基板搬出開口１１６から退避させ、それによって、基板搬出開口１１６が開かれる。その後、主搬送ロボットＣＲがハンドＨＣを固化室１１１内に進入させ、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨから、固化処理済みの基板Ｗを受け取り、基板搬出開口１１６からその基板Ｗを搬出する。

このように、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに蓋部材１２５を設けることによって、基板搬入／搬出開口１１４を開閉するためのシャッタ駆動機構を省くことができる。また、固化室１１１内での基板Ｗの保持をローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨで行えるので、固化室１１１内に基板保持機構を設ける必要がない。減圧による成膜処理液膜１０の固化は短時間で行えるので、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨによる固化処理中の基板Ｗの保持が原因で生産性に大きな影響が生じるおそれはない。

また、固化室１１１にハンドＬＨで基板Ｗを搬送する動作により、蓋部材１２５によって基板搬入／搬出開口１１４を密閉でき、そのまま、固化室１１１内で基板Ｗを保持して固化処理を行える。したがって、基板搬入／搬出開口１１４の開閉専用の動作および基板Ｗの受け渡し動作を省略できるから、工程全体の所要時間を短縮でき、生産性を向上できる。具体的には、基板搬入／搬出開口のためのシャッタ開閉時間、基板搬入時にハンドＬＨが固化室１１１から退出する時間、基板搬出時にハンドＬＨが固化室１１１に進入する時間、基板をリフトピンに置く動作のための時間、基板をリフトピンから受け取る動作のための時間、リフトピンを上昇および下降させる時間などを省くことができる。さらに、固化処理後の基板Ｗをローカル搬送ロボットＬＲで搬送するときには、基板搬入／搬出開口１１４の開閉時間、主搬送ロボットＣＲとの基板Ｗの受け渡しに要する時間なども省くことができる。

さらに、減圧による固化処理と並行して、基板Ｗを加熱してもよい。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨをハンド加熱ユニット９７Ａ（図４参照）で加熱することによって、基板Ｗを加熱してもよい。また、固化室１１１内に輻射熱または電磁波照射によって基板Ｗを加熱する加熱ユニット１２７を備え、この加熱ユニット１２７によって、ハンドＬＨに保持されている基板Ｗを加熱してもよい。

［第７の実施形態］
図１０は、この発明の第７の実施形態を説明するための図であり、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨを洗浄するハンド洗浄ユニット（アーム洗浄ユニット）の構成を示す。
前述の実施形態では、ハンドＬＨを洗浄するための構成がローカル搬送室Ｃ内に備えられている。これに対して、この実施形態では、たとえば図８に仮想線で示すように、ローカル搬送室Ｃに隣接してハンド洗浄ユニット１７０が設けられている。

ハンド洗浄ユニット１７０は、ローカル搬送室Ｃに隣接して設けられたハンド洗浄室１７１と、ハンド洗浄室内に配置されたハンド洗浄ノズル１７２と、ハンド洗浄室１７１内を大気圧よりも低圧に減圧するための排気ユニット１７３とを含む。
ハンド洗浄室１７１は、真空チャンバを構成している。ハンド洗浄室１７１の底部１７５には、排気／排液管１７６が接続されている。排気／排液管１７６は、排気管１７６Ａを介して、真空ポンプ等の排気ユニット１７３に接続されている。排気管１７６Ａには、排気バルブ１７７が介装されている。排気／排液管１７６は、さらに、排液バルブ１７８を介して排液管１７６Ｂに接続されている。

ハンド洗浄室１７１には、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨを差し入れるための開口１８０が側壁１７４に形成されている。開口１８０は、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨに備えられた蓋部材１２５によって開閉される。蓋部材１２５のハンド洗浄室１７１に対向する表面には、シール部材としてのＯリング１２６が設けられている。ローカル搬送ロボットＬＲは、基板Ｗを搬送していないときに、ハンドＬＨを開口１８０からハンド洗浄室１７１に差し入れ、さらに、蓋部材１２５をＯリング１２６を介してハンド洗浄室１７１の側壁１７４に押し付けるように動作する。それにより、開口１８０が気密に閉塞される。

ハンド洗浄ノズル１７２は、たとえば、ハンド洗浄室１７１の天井面に配置されている。ハンド洗浄ノズル１７２は、ハンド洗浄室１７１に差し入れられたハンドＬＨに対して洗浄液を吐出する。ハンド洗浄ノズル１７２は、洗浄液をシャワー状に吐出するシャワーノズルであってもよい。ハンド洗浄ノズル１７２には、洗浄液配管１８５が接続されている。洗浄液配管１８５は、洗浄液供給源１８６に接続されている。洗浄液供給源１８６は、成膜処理液を溶解させることができる洗浄液、たとえば有機溶剤を供給する。洗浄液配管１８５には、洗浄液流路を開閉する洗浄液バルブ１８７が介装されている。

ハンド洗浄ユニット１７０の動作の概要は次のとおりである。
ローカル搬送ロボットＬＲは、ハンドＬＨをハンド洗浄室１７１内に進入させ、かつ、蓋部材１２５をハンド洗浄室１７１の側壁１７４の外面に押し付けて開口１８０を閉塞する。こうして、ハンド洗浄室１７１内は気密な密閉空間となる。この状態で、排液バルブ１７８が開かれる。そして、洗浄液バルブ１８７が開かれることにより、ハンド洗浄ノズル１７２からハンドＬＨに洗浄液が供給される。それにより、ハンドＬＨが洗浄される。洗浄液は、底部１７５へと落下し、排気／排液管１７６を通り、さらに排液バルブ１７８を通って排液管１７６Ｂへと排液される。

ハンド洗浄ノズル１７２から所定時間だけ洗浄液が吐出されると、洗浄液バルブ１８７が閉じられ、洗浄液の吐出が停止される。そして、排液バルブ１７８が閉じられ、代わって排気バルブ１７７が開かれ、排気ユニット１７３が作動させられる。これにより、ハンド洗浄室１７１内の空間が大気圧よりも低圧に減圧される。それによって、ハンドＬＨ上の液成分が蒸発し、ハンドＬＨが乾燥する。

こうしてハンドＬＨの洗浄および乾燥が終了すると、排気ユニット１７３が動作停止され、必要に応じて排液バルブ１７８が開かれる。それによって、ハンド洗浄室１７１内の空間が大気圧に戻る。次いで、ローカル搬送ロボットＬＲは、ハンドＬＨを後退させてハンド洗浄室１７１から退出させる。
ハンド洗浄室１７１の減圧と並行して、基板Ｗを加熱してもよい。具体的には、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨをハンド加熱ユニット９７Ａ（図４参照）で加熱することによって、基板Ｗを加熱してもよい。それにより、ハンドＬＨの乾燥を促進できる。また、ハンド洗浄室１７１内に輻射熱または電磁波照射によってハンドＬＨを加熱する加熱ユニット１８８を備えて、ハンドＬＨの乾燥を促進してもよい。

このように、この実施形態では、ローカル搬送室Ｃに隣接してハンド洗浄室１７１（アーム洗浄室）が設けられているので、ローカル搬送ロボットＬＲが基板Ｗを搬送していないときに、ハンド洗浄室１７１においてハンドＬＨを洗浄できる。そして、ハンド洗浄室１７１にハンド洗浄ノズル１７２（アーム洗浄ノズル）が配置されているので、ローカル搬送室Ｃ内に洗浄液が入り込むことを抑制しながら、ハンドＬＨを洗浄できる。それにより、洗浄液による基板Ｗへの影響を抑制できる。また、ハンド洗浄室１７１が減圧されることにより、洗浄液によって洗浄された後のハンドＬＨを速やかに乾燥できる。

［第８の実施形態］
図１１は、この発明の第８の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図であり、前述の固化ユニットに代えて用いることができる、固化ユニットの構成例を図解的に示す断面図である。
この実施形態では、固化ユニットＤは、図３に示した構成と類似の構成を有しており、さらに、基板冷却ユニットとしての冷却プレート８０を備えている。図３に示した構成に代えて、図９に示した構成と類似の構成を用いることもできる。図１０には、図３に示した構成と類似の構成を備えた例を示す。

冷却プレート８０は、ベース部８１上に配置されており、その上面に基板Ｗを保持して下面から冷却する。冷却プレート８０を貫通して複数（３本以上）のリフトピン８４が配置されている。リフトピン８４は、リフトピン昇降ユニット８５によって上下動され、それによって、冷却プレート８０上で基板Ｗを上下動させる。
基板処理装置は、さらに、固化室５１における固化処理が終了した基板Ｗを冷却プレート８０まで搬送する第２のローカル搬送ロボット１５０を備えている。第２のローカル搬送ロボット１５０は、基板Ｗを保持するハンド１５１と、ハンド１５１を移動させるハンド駆動ユニット１５２とを含む。ハンド駆動ユニット１５２は、基板ホルダ５２の上方（第１の基板保持位置）と冷却プレート８０の上方（第２の基板保持位置）との間でハンド１５１を往復移動させる。ハンド１５１とリフトピン５４，８４との基板Ｗの受け渡しに際しては、リフトピン５４，８４が昇降される。むろん、ハンド駆動ユニット１５２が基板Ｗを昇降させてリフトピン５４，８４と基板Ｗを受け渡す構成とすることもできる。

固化室５１では、基板ホルダ５２によって基板Ｗを加熱しながら、固化室５１内の固化処理空間５０を減圧して、基板Ｗの表面の成膜処理液膜１０が固体化させられて、固化膜１０Ｓが形成される。
この固化処理の後、固化処理空間５０が大気圧に戻され、可動蓋部５１２が開放される。そうしてベース部５１１と可動蓋部５１２との間に基板Ｗを搬出するための開口が形成される。そして、リフトピン５４によって、固化処理済みの基板Ｗが基板ホルダ５２の上方へと持ち上げられる。すると、第２のローカル搬送ロボット１５０は、ベース部５１１と可動蓋部５１２との間に形成された開口を介してそのハンド１５１を進入させる。その後、リフトピン５４が下降することにより、固化処理済みの基板Ｗがハンド１５１に渡される。そして、第２のローカル搬送ロボット１５０は、ハンド１５１を駆動して、その基板Ｗを冷却プレート８０の上方まで移動させる。その状態で、リフトピン昇降ユニット８５がリフトピン８４を上昇させることにより、ハンド１５１から基板Ｗを受け取る。ハンド１５１が冷却プレート８０の上方から退避した後、リフトピン８４が下降し、それによって、冷却プレート８０上に基板Ｗが載置される。

冷却プレート８０は基板Ｗを常温まで冷却する。その後、リフトピン８４が基板Ｗを持ち上げ、ローカル搬送ロボットＬＲのハンドＬＨがその基板Ｗを受け取って固化ユニットＤ外へと搬出する。固化処理後の基板Ｗの搬送を主搬送ロボットＣＲで行う場合には、主搬送ロボットＣＲのハンドＨＣがリフトピン８４から基板Ｗを受け取って固化ユニットＤ外へと搬出する。

このように、固化処理後の基板Ｗを冷却プレート８０で冷却する構成であるので、固化ユニットＤでの処理時間を短縮できるから、生産性を高めることができる。固化室５１で加熱された基板Ｗの搬送を主搬送ロボットＣＲとは別の第２のローカル搬送ロボット１５０で行うので、主搬送ロボットＣＲに過剰な熱が蓄えられることを回避でき、主搬送ロボットＣＲが搬送する基板Ｗに対する熱の影響を抑制できる。

以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、前述の実施形態では、固化ユニットＤは、固化室５１，１１１内を減圧して減圧乾燥を行うように構成されているが、固化ユニットＤは減圧のための構成を備えている必要はない。たとえば、固化ユニットＤは、大気圧中で基板Ｗを加熱して、成膜処理液膜１０を固化するように構成されていてもよい。また、不活性ガス供給源７４から加熱された不活性ガスを供給し、その不活性ガスによる温風によって成膜処理液膜１０の乾燥および固化を促進する構成としてもよい。

前述の図１Ａ，１Ｂ、図５Ａ，５Ｂ、図６Ａ，６Ｂ、図７の構成において、インデクサロボットＩＲと主搬送ロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に保持する基板受渡しユニットを配置し、図８の構成の場合と同様にして、それらの間の基板受け渡しを行ってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

Ｗ 基板
ＩＲ インデクサロボット
Ｓ１ 第１層
Ｓ２ 第２層
Ｓ３ 第３層
M,M1-M4,M11-M14,M21-M24,M31-M34 液処理ユニット
D,D1-D6,D11-D14,D21-D24,D31-D34 固化ユニット
LR,LR1,LR2,LR11-LR14,LR21-LR24,LR31,LR32 ローカル搬送ロボット
ＬＨ，ＬＨ１，ＬＨ２ ローカル搬送ロボットのハンド
C,C11-C14,C21-C24 ローカル搬送室
G1-G4,G11-G16,G21,G22,G31-G33 積層ユニット群
ＣＲ 主搬送ロボット
ＨＣ 主搬送ロボットのハンド
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 基板処理装置
２ キャリヤ保持部
３ キャリヤ
５，５Ａ 主搬送室
７ 基板受渡しユニット
１０ 成膜処理液膜
１０Ｓ 固化膜
１１ 処理室
１２ スピンチャック
１３ カップ
１４ 薬液ノズル
１５ 成膜処理液ノズル
１６ 除去液ノズル
１７ モータ
１８ 回転軸線
１９ 遮断板
１９ａ 対向面
１９ｂ 開口
２０ 遮断板駆動ユニット
２０Ａ 遮断板昇降ユニット
２０Ｂ 遮断板回転ユニット
２１ 薬液配管
２２ 薬液バルブ
２３ 薬液供給源
２５ 遮断板の回転軸
２６ 成膜処理液配管
２７ 成膜処理液バルブ
２８ 成膜処理液供給源
２９ リンスノズル
３１Ａ リンス液配管
３１Ｂ 有機溶剤配管
３２Ａ リンス液バルブ
３２Ｂ 有機溶剤バルブ
３３Ａ リンス液供給源
３３Ｂ 有機溶剤供給源
３７ 基板搬入／搬出開口
３８ 基板搬入／搬出開口
３９，４０ シャッタ
４１，４２ シャッタ駆動ユニット
４５ 不活性ガス流路
４６ 不活性ガス配管
４７ 不活性ガスバルブ
４８ 不活性ガス供給源
５０ 固化処理空間
５１ 固化室
５１１ ベース部
５１２ 可動蓋部
５２ 基板ホルダ
５３Ｈ ヒータ
５３Ｃ 冷却ユニット
５４ リフトピン
５５ リフトピン昇降ユニット
５６ 蓋部駆動ユニット
６２ 排気配管
６３ 排気ユニット
６４ 排気バルブ
７１，７１Ａ 不活性ガスノズル
７２ 不活性ガス配管
７３ 不活性ガスバルブ
７４ 不活性ガス供給源
８０ 冷却プレート
８１ ベース部
８４ リフトピン
８５ リフトピン昇降ユニット
８９ 回転軸線
９０ ハンド駆動ユニット
９１，９１Ａ 洗浄液ノズル
９２ 洗浄液配管
９３ 洗浄液バルブ
９４ 洗浄液供給源
９７Ａ ハンド加熱ユニット
９７Ｂ ハンド冷却ユニット
９８Ａ 熱媒通路
９８Ｂ 冷媒通路
９９Ａ 加熱プレート
９９Ｂ 冷却プレート
１０１ 除去液配管
１０２ 除去液バルブ
１０３ 除去液供給源
１１０ 排気バルブ
１１１ 固化室
１１２ 排気管
１１３ 排気ユニット
１１４ 基板搬入／搬出開口
１１６ 基板搬出開口
１１８ シャッタ
１２５ 蓋部材
１２６ Ｏリング
１２７ 加熱ユニット
１３１ 裏面ノズル
１３２ 吐出口
１３３ リンス液供給配管
１３４ リンス液バルブ
１３５ リンス液供給源
１３６ 有機溶剤バルブ
１３７ 有機溶剤供給源
１４０ 不活性ガス流路
１４１ 不活性ガス供給配管
１４２ 不活性ガスバルブ
１４３ 不活性ガス供給源
１５０ 第２のローカル搬送ロボット
１５１ ハンド
１５２ ハンド駆動ユニット
１６０ 底部
１６１ 排液配管
１６５ 不活性ガスノズル
１６６ 不活性ガス配管
１６７ 不活性ガスバルブ
１６８ 不活性ガス供給源
１７０ ハンド洗浄ユニット
１７１ ハンド洗浄室
１７２ ハンド洗浄ノズル
１７３ 排気ユニット
１７４ 側壁
１７５ 底部
１７６ 排気／排液管
１７７ 排気バルブ
１７８ 排液バルブ
１８０ 開口
１８５ 洗浄液配管
１８６ 洗浄液供給源
１８７ 洗浄液バルブ
１８８ 加熱ユニット

Claims (19)

1. 処理室内で基板の表面に成膜処理液を供給して、基板の表面に成膜処理液膜を形成する液処理ユニットと、
   固化室内で前記成膜処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、
   除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、
   前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送手段と、
   前記処理室から基板を搬出して、表面に前記成膜処理液膜が形成された状態の当該基板を搬送し、前記固化室へ当該基板を搬入するローカル搬送手段と、を含み、
   前記主搬送手段が主搬送室に配置されており、前記ローカル搬送手段が、前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室に配置されている、基板処理装置。
2. 前記固化ユニットが、前記基板を加熱する加熱手段を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ローカル搬送手段が、さらに、前記固化室から基板を搬出し、前記除去室へ基板を搬入する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記ローカル搬送手段が、前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入する第１搬送アームと、前記固化室から基板を搬出して前記除去室へ基板を搬入する第２搬送アームとを含む、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記液処理ユニットが、
   基板を水平に保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板に前記成膜処理液を吐出する処理液吐出手段とを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記処理室と前記除去室とが同一の室である、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記ローカル搬送手段が、基板を保持して前記ローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、
   前記ローカル搬送室に設けられ、前記搬送アームを洗浄する洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記ローカル搬送室は、前記洗浄液を受ける底部と、前記底部に受けられた洗浄液を排液する排液手段とを含む、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記ローカル搬送手段が、基板を保持する搬送アームを有しており、
   前記搬送アームに設けられ、当該搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルをさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記ローカル搬送手段が、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、
    前記ローカル搬送室に隣接して設けられたアーム洗浄室と、
    前記アーム洗浄室内に配置され、前記搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルと、
    前記アーム洗浄室内を大気圧よりも低圧に減圧して前記搬送アームを乾燥させる減圧手段と、をさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 処理室内で基板の表面に処理液を供給して、基板の表面に処理液膜を形成する液処理ユニットと、
    固化室内で前記処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化ユニットと、
    除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理ユニットと、
    前記処理室へ基板を搬入し、前記除去室から基板を搬出する主搬送手段と、
    前記処理室から基板を搬出して前記固化室へ基板を搬入するローカル搬送手段と、を含み、
    前記ローカル搬送手段が、基板を保持してローカル搬送室を通る搬送アームを有しており、
    前記ローカル搬送室に隣接して設けられたアーム洗浄室と、
    前記アーム洗浄室内に配置され、前記搬送アームを洗浄するための洗浄液を吐出するアーム洗浄ノズルと、
    前記アーム洗浄室内を大気圧よりも低圧に減圧して前記搬送アームを乾燥させる減圧手段と、をさらに含む、基板処理装置。
12. 前記除去処理ユニットが、
    前記除去室内で基板を水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板に除去液を吐出する除去液吐出手段と、を含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 基板の表面に処理室内で成膜処理液を供給して、基板の表面に成膜処理液膜を形成する処理液膜形成工程と、
    前記処理液膜形成工程の後、表面に前記成膜処理液膜が形成された状態の前記基板を前記処理室から固化室へ搬送する第１ローカル搬送工程と、
    前記固化室内で前記成膜処理液膜を固化させて前記基板の表面に固化膜を形成する固化膜形成工程と、
    前記固化膜形成工程の後、前記基板を除去室へ搬送する第２ローカル搬送工程と、
    前記除去室内で前記固化膜を除去するための除去液を前記基板の表面に供給する除去処理工程と、
    主搬送手段によって、前記処理液膜形成工程の前に前記処理室へ基板を搬入し、前記除去処理工程の後に前記除去室から基板を搬出する主搬送工程と、を含み、
    前記主搬送工程において前記基板が主搬送室を通って搬送され、前記第１ローカル搬送工程において、前記基板が前記主搬送室から離隔されたローカル搬送室を通って搬送される、基板処理方法。
14. 前記固化膜形成工程が、前記基板を加熱手段によって加熱する加熱工程を含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記第１ローカル搬送工程および前記第２ローカル搬送工程が、共通のローカル搬送手段によって実行される、請求項１３または１４に記載の基板処理方法。
16. 前記第１ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送手段の第１搬送アームによって行われ、前記第２ローカル搬送工程が、前記ローカル搬送手段の第２搬送アームによって行われる、請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記ローカル搬送手段の搬送アームに洗浄液を供給するアーム洗浄工程をさらに含む、請求項１５または１６に記載の基板処理方法。
18. 前記処理室および前記除去室が、共通の室である、請求項１３～１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
19. 前記処理液膜形成工程の前に、基板を洗浄する洗浄工程を実行する、請求項１３～１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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