TWI660418B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置包括：液體處理單元，在處理室內對基板的表面供給處理液，在基板的表面上形成處理液膜；固化單元，在固化室內使所述處理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜；去除處理單元，在去除室內將用以去除所述固化膜的去除液供給至所述基板的表面；主搬運單元，向所述處理室搬入基板，自所述去除室搬出基板；以及局部搬運單元，自所述處理室搬出基板並向所述固化室搬入基板。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明是有關於一種用以對基板進行處理的裝置及方法。在成為處理的對象的基板中，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display，FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置等的製造步驟中，會進行用以去除附著於基板的表面上的異物的洗滌處理。例如，專利文獻1揭示有一種基板洗滌系統，其執行如下步驟：對基板的主面供給包含揮發成分的成膜用處理液；藉由使揮發成分蒸發而使成膜用處理液固化或硬化而在基板的主面上形成膜；以及利用去除液去除基板主面上的膜。當成膜用處理液固化或硬化時會產生體積收縮，並且若被供給去除液則會藉由膜的溶脹而產生體積膨脹。當體積收縮及膨脹時拉伸力會對基板上的微粒起作用，使微粒自基板主面(包含圖案的表面)脫離。由此，可去除基板主面的微粒。
在專利文獻1的圖14中，表示有包括第1處理部、第2處理部及第3處理部的基板洗滌裝置。將自載體取出的基板，藉 由基板搬運裝置而搬入至第1處理部。第1處理部對基板供給面塗(top coat)液作為成膜用處理液。將經供給面塗液的基板，藉由所述基板搬運裝置而自第1處理部取出，並搬入至第3處理部。第3處理部藉由熱板(hot plate)而對基板進行加熱，使面塗液中的揮發成分揮發。由此，面塗液一面產生體積收縮，一面進行固化或硬化，從而形成面塗膜。將形成有面塗膜的基板，藉由所述基板搬運裝置而自第3處理部取出，搬入至第2處理部。第2處理部藉由對基板供給作為去除液的鹼性顯影液，而去除面塗膜。其後，在第2處理部中進行基板的洗滌，將所述洗滌後的基板，藉由所述基板搬運裝置而自第2處理部取出。將所述處理後的基板收容在載體上。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-62259號公報(圖14)
在專利文獻1的現有技術中，相同的基板搬運裝置將未處理的基板搬入至第1處理部，將塗佈有成膜用處理液的基板自第1處理部搬運至第3處理部，將在第3處理部中受到加熱處理而形成有膜的基板自第3處理部搬運至第2處理部，然後將已結束第2處理部中的處理的基板自所述第2處理部搬出。
第1處理部中的處理後的基板的表面已藉由未硬化的成 膜用處理液而濡濕，故而所述成膜用處理液有可能附著在基板搬運裝置上。所述附著的處理液在其後會轉移至基板搬運裝置所保持的其他基板，從而污染所述基板。特別是處理液轉移至已結束處理的基板會破壞基板處理的品質。又，由於成膜用處理液的氣氛籠罩在藉由基板搬運裝置而搬運基板的空間內，故亦有可能產生所述氣氛對基板的不良影響。
因此，本發明的一個目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，已抑制用以在基板表面上形成固化膜的處理的影響波及其他基板。
本發明的一實施形態提供一種基板處理裝置，包括：液體處理單元，在處理室內對基板的表面供給處理液，在基板的表面上形成處理液膜；固化單元，在固化室內使所述處理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜；去除處理單元，在去除室內將用以去除所述固化膜的去除液供給至所述基板的表面；主搬運單元，向所述處理室搬入基板，並自所述去除室搬出基板；以及局部搬運單元，自所述處理室搬出基板並向所述固化室搬入基板。
藉由所述構成，形成基板上的處理液膜後，將所述基板藉由局部搬運單元而搬入至固化室。因此，可避免主搬運單元被處理液污染，故可抑制或防止所述處理液轉移至其他基板。又，可抑制或防止處理液的氣氛籠罩在藉由主搬運單元而搬運基板的空間內，因此亦可避免處理液的氣氛對基板造成不良影響。如此 一來，可提高基板處理品質。又，無論主搬運單元的運行狀態如何，均可將已結束處理室內的處理的基板迅速搬運至固化室。
所述基板處理裝置亦可用以進行去除基板的表面的異物的洗滌處理。在基板的表面上處理液膜進行固化時會產生體積收縮。又，當為了去除在基板的表面上所形成的固化膜而供給去除液時，固化膜會進行溶脹，而產生體積膨脹。在所述體積收縮及膨脹時，拉伸力作用至基板表面的異物(微粒等)，由此，可使基板表面的異物剝離。經剝離的異物可與固化膜一起被去除至基板外。
在本發明的一實施形態中，所述固化單元包括對所述基板進行加熱的加熱單元。由此，可對基板上的處理液膜進行加熱並加以固化。
更具體而言，所述固化單元亦可包括保持基板的基板保持單元、及對保持於所述基板保持單元上的基板進行加熱的所述加熱單元。
所述固化單元亦可包括將固化室內減壓至低於大氣壓的壓力的減壓單元。又，所述固化單元亦可包括對固化室內進行換氣的換氣單元。換氣單元亦可包括對固化室內供給低濕度氣體(例如惰性氣體)的低濕度氣體供給單元。由此，可促進基板上的成膜處理液膜的乾燥，從而促進其固化。
在本發明的一實施形態中，所述主搬運單元配置在主搬運室內，所述局部搬運單元配置在與所述主搬運室隔離的局部搬 運室內。由此，可更確實地抑制或防止處理液的氣氛籠罩在主搬運室內，故可抑制或防止藉由主搬運單元而搬運的基板受到處理液的氣氛的影響。
在本發明的一實施形態中，所述局部搬運單元進而自所述固化室搬出基板，並向所述去除室搬入基板。由此，可避免主搬運單元自固化處理後的基板受到影響。例如，即使固化處理後的基板處於高溫，亦可避免主搬運單元蓄熱。
在所述專利文獻1的構成中，由於在第3處理部中基板被加熱，故而藉由基板搬運裝置保持所述經加熱的基板，而有可能使熱蓄積在基板搬運裝置中。經蓄積的熱傳遞至基板搬運裝置所搬運的基板，故而由此，有可能對基板造成不良影響。
因此，藉由利用局部搬運單元自固化室向去除室搬運基板，可避免熱蓄積於主搬運單元中，故可抑制熱對主搬運單元所搬運的基板的影響。
在本發明的一實施形態中，所述局部搬運單元包括自所述處理室搬出基板並向所述固化室搬入基板的第1搬運臂、以及自所述固化室搬出基板並向所述去除室搬入基板的第2搬運臂。
藉由所述構成，藉由第1搬運臂來搬運形成有處理液膜的基板，藉由第2搬運臂來搬運形成有固化膜的基板。因此，即使在第1搬運臂上附著有處理液，亦可抑制或防止所述處理液轉移至固化處理後的基板。
第2搬運臂較佳為配置在較第1搬運臂更上方的位置， 由此，可抑制或防止藉由第1搬運臂而保持的基板上的處理液附著在第2搬運臂上。
在本發明的一實施形態中，所述液體處理單元包括水平地保持基板的基板保持單元、及對保持於所述基板保持單元上的基板噴出處理液的處理液噴出單元。藉由所述構成，可使處理液在水平地保持著的基板上蔓延，從而形成覆蓋基板的表面的處理液膜。
在本發明的一實施形態中，所述處理室與所述去除室為相同的室。即，處理液及去除室既可為不同的室，亦可為相同的室。
在本發明的一實施形態中，所述局部搬運單元具有保持基板並通過局部搬運室的搬運臂，所述基板處理裝置進而包括設置在所述局部搬運室內，噴出對所述搬運臂進行洗滌的洗滌液的臂洗滌噴嘴。
藉由所述構成，可對局部搬運單元的搬運臂進行洗滌，故可使搬運臂保持在潔淨的狀態。由此，可避免處理液的污染蓄積於搬運臂，從而可一面抑制處理液所引起的污染，一面搬運基板。而且，搬運臂的洗滌是在局部搬運室內進行，故可抑制或防止洗滌液或處理液的影響波及藉由主搬運單元而搬運的基板。
在本發明的一實施形態中，所述局部搬運室包括接收所述洗滌液的底部、及排出所述底部所接收的洗滌液的排液單元。由此，可將洗滌搬運臂後的洗滌液排出至局部搬運室外，故可使 局部搬運室內的氣氛保持潔淨。由此，可進一步抑制處理液氣氛對基板的影響。
在本發明的一實施形態中，所述局部搬運單元具有保持基板的搬運臂，所述基板處理裝置進而包括設置在所述搬運臂上，噴出用以洗滌所述搬運臂的洗滌液的臂洗滌噴嘴。藉由所述構成，藉由自設置在搬運臂上的臂洗滌噴嘴噴出洗滌液，可確實地洗滌搬運臂。因此，可避免處理液的污染蓄積在搬運臂上，從而可一面抑制處理液所引起的污染，一面搬運基板。又，可抑制或防止洗滌液或處理液的影響波及藉由主搬運單元而搬運的基板。
在本發明的一實施形態中，所述局部搬運單元具有保持基板並通過局部搬運室的搬運臂，所述基板處理裝置進而包括：臂洗滌室，與所述局部搬運室鄰接而設置；臂洗滌噴嘴，配置在所述臂洗滌室內，噴出用以洗滌所述搬運臂的洗滌液；以及減壓單元，使所述臂洗滌室內減壓至低於大氣壓的壓力而使所述搬運臂乾燥。
藉由所述構成，與局部搬運室鄰接而設置有臂洗滌室，故當局部搬運單元未搬運基板時，可在臂洗滌室內洗滌搬運臂。由於在臂洗滌室內配置有臂洗滌噴嘴，故可一面抑制洗滌液進入至局部搬運室內，一面洗滌搬運臂。由此，可抑制洗滌液對基板的影響。又，藉由對臂洗滌室進行減壓，可使藉由洗滌液而洗滌後的搬運臂迅速乾燥。
在本發明的一實施形態中，所述去除處理單元包括在所述去除室內水平地保持基板的基板保持單元、及對保持於所述基板保持單元上的基板噴出去除液的去除液噴出單元。藉由所述構成，對水平地保持著的基板供給去除液，故可使去除液容易地遍布於基板表面上，從而有效率地進行固化膜的去除處理。
本發明的一實施形態提供一種基板處理方法，包括：處理液膜形成步驟，對基板的表面在處理室內供給處理液，在基板的表面上形成處理液膜；第1局部搬運步驟，在所述處理液膜形成步驟之後，將所述基板搬運至固化室；固化膜形成步驟，在所述固化室內使所述處理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜；第2局部搬運步驟，在所述固化膜形成步驟之後，將所述基板搬運至去除室；去除處理步驟，在所述去除室內將用以去除所述固化膜的去除液供給至所述基板的表面；以及主搬運步驟，藉由主搬運單元，向所述處理室搬入基板，並自所述去除室搬出基板。
在本發明的一實施形態中，所述固化膜形成步驟包括藉由加熱單元對所述基板進行加熱的加熱步驟。
在本發明的一實施形態中，在所述主搬運步驟中通過主搬運室而搬運所述基板，在所述第1局部搬運步驟中，通過與所述主搬運室隔離的局部搬運室而搬運所述基板。
在本發明的一實施形態中，藉由共同的局部搬運單元來執行所述第1局部搬運步驟及所述第2局部搬運步驟。
在本發明的一實施形態中，藉由所述局部搬運單元的第1搬運臂來進行所述第1局部搬運步驟，藉由所述局部搬運單元的第2搬運臂來進行所述第2局部搬運步驟。
本發明的一實施形態的方法進而包括對所述局部搬運單元的搬運臂供給洗滌液的臂洗滌步驟。
在本發明的一實施形態中，所述處理室及所述去除室為共同的室。
在本發明的一實施形態中，在所述處理液膜形成步驟之前，執行對基板進行洗滌的洗滌步驟。
本發明中的所述或進而其他目的、特徵及效果是藉由以下參照隨附圖式而描述的實施形態的說明來闡明。
1、1A、1B、1C、1D‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧載體保持部
3‧‧‧載體
5、5A‧‧‧主搬運室
7‧‧‧基板交接單元
10‧‧‧成膜處理液膜
10S‧‧‧固化膜
11‧‧‧處理室
12‧‧‧自旋夾盤
13‧‧‧杯體
14‧‧‧藥液噴嘴
15‧‧‧成膜處理液噴嘴
16‧‧‧去除液噴嘴
17‧‧‧馬達
18、89‧‧‧旋轉軸線
19‧‧‧遮斷板
19a‧‧‧對向面
19b、180‧‧‧開口
20‧‧‧遮斷板驅動單元
20A‧‧‧遮斷板升降單元
20B‧‧‧遮斷板旋轉單元
21‧‧‧藥液配管
22‧‧‧藥液閥
23‧‧‧藥液供給源
25‧‧‧遮斷板的旋轉軸/旋轉軸
26‧‧‧成膜處理液配管
27‧‧‧成膜處理液閥
28‧‧‧成膜處理液供給源
29‧‧‧清洗噴嘴/噴嘴
31A‧‧‧清洗液配管/配管
31B‧‧‧有機溶劑配管
32A、134‧‧‧清洗液閥
32B、136‧‧‧有機溶劑閥
33A、135‧‧‧清洗液供給源
33B、137‧‧‧有機溶劑供給源
35、36、115、117、174‧‧‧側壁
37、38、114‧‧‧基板搬入/搬出開口
39、40、118‧‧‧擋板
41、42、119‧‧‧擋板驅動單元
45、140‧‧‧惰性氣體流路
46、72、166‧‧‧惰性氣體配管
47、73、142、167‧‧‧惰性氣體閥
48、74、143、168‧‧‧惰性氣體供給源
50‧‧‧固化處理空間/處理空間
51、111‧‧‧固化室
52‧‧‧基板固持器
53H‧‧‧加熱器
53C‧‧‧冷卻單元
54、84‧‧‧頂升銷
55、85‧‧‧頂升銷升降單元
56‧‧‧蓋部驅動單元
58‧‧‧下端緣部
59‧‧‧上表面
60、120、126‧‧‧O型環
62‧‧‧排氣配管
63、113、173‧‧‧排氣單元
64、110、177‧‧‧排氣閥
71、71A、165‧‧‧惰性氣體噴嘴
80、99B‧‧‧冷卻板
81、511‧‧‧底座部
90、152‧‧‧手驅動單元
91、91A‧‧‧洗滌液噴嘴
92、185‧‧‧洗滌液配管
93、187‧‧‧洗滌液閥
94、186‧‧‧洗滌液供給源
97A‧‧‧手加熱單元
97B‧‧‧手冷卻單元
98A‧‧‧熱媒通路
98B‧‧‧冷媒通路
99A‧‧‧加熱板
101‧‧‧去除液配管
102‧‧‧去除液閥
103‧‧‧去除液供給源
112、176A‧‧‧排氣管
116‧‧‧基板搬出開口
125‧‧‧蓋構件
127、188‧‧‧加熱單元
130‧‧‧旋轉軸
131‧‧‧背面噴嘴
132‧‧‧噴出口
133‧‧‧清洗液供給配管
141‧‧‧惰性氣體供給配管
150‧‧‧第2局部搬運機器人
151‧‧‧手
160、175‧‧‧底部
161‧‧‧排液配管
170‧‧‧手洗滌單元
171‧‧‧手洗滌室
172‧‧‧手洗滌噴嘴
176‧‧‧排氣/排液管
176B‧‧‧排液管
178‧‧‧排液閥
512‧‧‧活動蓋部
C、C11-C14、C21-C24、C31、C32‧‧‧局部搬運室
CR‧‧‧主搬運機器人
D、D1-D6、D11-D14、D21-D24、D31-D34‧‧‧固化單元
G1-G4、G11-G16、G21、G22、G31-G33‧‧‧積層單元組
HC‧‧‧主搬運機器人的手
IR‧‧‧索引機器人
LH、LH1、LH2‧‧‧局部搬運機器人的手
LR、LR1、LR2、LR11-LR14、LR21-LR24、LR31、LR32‧‧‧局部搬運機器人
M、M1-M4、M11-M14、M21-M24、M31-M34‧‧‧液體處理單元
S1‧‧‧第1層
S2‧‧‧第2層
S3‧‧‧第3層
W‧‧‧基板
圖1A是用以說明本發明的第1實施形態的基板處理裝置的構成的俯視圖。
圖1B是用以說明所述第1實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖。
圖2是用以說明所述基板處理裝置中所具備的液體處理單元的構成例的圖解性的剖面圖。
圖3是用以說明所述基板處理裝置中所具備的固化單元的構成例的圖解性的剖面圖。
圖4是用以說明所述基板處理裝置中所具備的局部搬運機器 人的構成例的圖。
圖5A是用以說明本發明的第2實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的俯視圖。
圖5B是用以說明所述第2實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖。
圖6A是用以說明本發明的第3實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的俯視圖。
圖6B是用以說明所述第3實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖。
圖7是用以說明本發明的第4實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖，表示主搬運室的一側的構成。
圖8是用以說明本發明的第5實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的俯視圖。
圖9是用以說明本發明的第6實施形態的基板處理裝置的構成的圖，表示固化單元的構成例。
圖10是用以說明本發明的第7實施形態的圖，表示洗滌局部搬運機器人的手的手洗滌單元的構成。
圖11是用以說明本發明的第8實施形態的基板處理裝置的構成的圖，是圖解性地表示固化單元的進而另一構成例的剖面圖。
以下，參照隨附圖式，對本發明的實施形態進行詳細說明。
[第1實施形態]
圖1A是用以說明本發明的第1實施形態的基板處理裝置1的構成的俯視圖，圖1B是其立面圖。基板處理裝置1包括載體保持部2、索引機器人(indexer robot)IR、多個液體處理單元M11~液體處理單元M14、液體處理單元M21~液體處理單元M24(統稱時稱為「液體處理單元M」)、多個固化單元D11~固化單元D14、固化單元D21~固化單元D24(統稱時稱為「固化單元D」)、主搬運機器人CR、以及局部搬運機器人LR11~局部搬運機器人LR14、局部搬運機器人LR21~局部搬運機器人LR24(統稱時稱為「局部搬運機器人LR」)。主搬運機器人CR為主搬運單元的一例，局部搬運機器人LR為局部搬運單元的一例。
載體保持部2保持著以積層狀態保持多塊基板W的基板容器即載體3。在本實施形態中，載體保持部2是可保持多個載體3而構成。索引機器人IR進入至保持於載體保持部2上的載體3而取放基板W，並且與主搬運機器人CR之間進行基板W的交接。
多個液體處理單元M及多個固化單元D在本實施形態中，是以形成多層構造(在本實施形態中為兩層構造)的方式立體地配置。具體而言，如圖1A所示，俯視時，在自載體保持部2呈直線狀延伸的主搬運室5內配置有主搬運機器人CR，在主搬運室5的兩側沿主搬運室5各配置有兩個積層單元組G1、積層單元組G2及積層單元組G3、積層單元組G4。由此，俯視時，在主搬 運機器人CR的周圍配置有4個積層單元組G1~積層單元組G4。
在基板處理裝置1的第1層S1及第2層S2中各配置有4個液體處理單元M11~液體處理單元M14、液體處理單元M21~液體處理單元M24，基板處理裝置1具備共計8個液體處理單元M。在第1層S1中，在主搬運室5的兩側沿主搬運室5各配置有兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12及液體處理單元M13、液體處理單元M14。在該些4個液體處理單元M11~液體處理單元M14上分別配置有4個固化單元D11~固化單元D14。此外，在第2層S2中，在主搬運室5的兩側沿主搬運室5各配置有兩個液體處理單元M21、液體處理單元M22及液體處理單元M23、液體處理單元M24。在所述4個液體處理單元M21~液體處理單元M24上分別配置有4個固化單元D21~固化單元D24。一個液體處理單元M與配置於其上的固化單元D形成相對應的對。
積層單元組G1是自下方起依次積層液體處理單元M11、固化單元D11、液體處理單元M21及固化單元D21而構成。積層單元組G2是自下方起依次積層液體處理單元M12、固化單元D12、液體處理單元M22及固化單元D22而構成。積層單元組G3是自下方起依次積層液體處理單元M13、固化單元D13、液體處理單元M23及固化單元D23而構成。積層單元組G4是自下方起依次積層液體處理單元M14、固化單元D14、液體處理單元M24及固化單元D24而構成。
主搬運機器人CR可進入至共計8個液體處理單元M遞交基板W，然後可與索引機器人IR之間交接基板W。主搬運機器人CR亦可構成為可進入至共計8個固化單元D取出基板W。
局部搬運機器人LR在本實施形態中，在第1層S1中具備4個，在第2層S2中具備4個。更具體而言，俯視時，在第1層S1中，在主搬運室5的兩側各配置有兩個局部搬運機器人LR11、局部搬運機器人LR12及局部搬運機器人LR13、局部搬運機器人LR14。更進一步具體而言，在主搬運室5的一側，在第1層S1中，在載體保持部2與液體處理單元M11之間配置有一個局部搬運機器人LR11，在遠離載體保持部2之側的端部配置有另一個局部搬運機器人LR12。在主搬運室5的另一側的兩個局部搬運機器人LR13、局部搬運機器人LR14的配置亦是同樣。而且，第2層S2中的4個局部搬運機器人LR21、局部搬運機器人LR22及局部搬運機器人LR23、局部搬運機器人LR24亦是同樣地配置。局部搬運機器人LR11~局部搬運機器人LR14、局部搬運機器人LR21~局部搬運機器人LR24分別配置在局部搬運室C11~局部搬運室C14、局部搬運室C21~局部搬運室C24(統稱時稱為「局部搬運室C」)內。局部搬運室C形成有搬運空間，所述搬運空間被劃分成與主搬運室5分離(隔離)。
如此一來，針對各對的液體處理單元M及固化單元D，設置有一個局部搬運機器人LR。局部搬運機器人LR自所述液體處理單元M取出藉由液體處理單元M而處理後的基板W，搬運至 所對應的固化單元D。
若對索引機器人IR、主搬運機器人CR及局部搬運機器人LR的動作例進行概述，則如下所述。
即，索引機器人IR自任一個載體3取出未處理的基板W，遞交至主搬運機器人CR。主搬運機器人CR將自索引機器人IR接收到的基板W搬入至任一個液體處理單元M。液體處理單元M執行對所搬入的基板W的處理。液體處理單元M具體而言，對基板表面實施前洗滌處理之後，將成膜用的處理液供給至基板W，將所述處理液的液膜形成於基板W的表面上。將經液體處理單元M處理的基板W，即，表面上形成有處理液膜的基板W藉由局部搬運機器人LR而搬出，並搬運至配置在其正上方的固化單元D。固化單元D使所搬入的基板W的表面的處理液膜固化而在基板W的表面上形成固化膜。將所述固化處理後的基板W藉由局部搬運機器人LR而搬運至液體處理單元M。液體處理單元M對基板W供給去除液，並去除基板W的表面的固化膜(去除處理)，然後執行後洗滌處理。其後，利用主搬運機器人CR將基板W自液體處理單元M搬出。主搬運機器人CR將所述基板W遞交至索引機器人IR。索引機器人IR將所遞交的基板W收納於任一載體3。
藉由固化單元D而處理後的基板W亦可藉由主搬運機器人CR來搬運。即，主搬運機器人CR亦可將藉由固化單元D而處理後的基板W自固化單元D搬出，並搬入至任一液體處理單元 M，以進行去除處理。此時，將成膜用的處理液供給至基板W的液體處理單元M與執行去除處理的液體處理單元M可能為不同的液體處理單元。
索引機器人IR亦可以如下方式運行：將未處理的基板W遞交至主搬運機器人CR，在緊跟在其前、緊接於其後或同時，自主搬運機器人CR接收處理完畢的基板W。同樣地，主搬運機器人CR亦可以如下方式運行：自索引機器人IR接收未處理的基板W，在緊跟在其前、緊接於其後或同時，將處理完畢的基板W遞交至索引機器人IR。此外，主搬運機器人CR亦可以如下方式運行：將未處理的基板W搬入至液體處理單元M，在緊接於其後或緊跟在其前自液體處理單元M搬出處理完畢的基板W(後洗滌處理後的基板W)。
如上所述，在本實施形態中，是將一個固化單元D對應於一個液體處理單元M。然後，將液體處理單元M與固化單元D加以積層。此外，針對一個液體處理單元M及一個固化單元D的對，設置有一個局部搬運機器人LR，局部搬運機器人LR可進入至該些液體處理單元M及固化單元D。局部搬運機器人LR自液體處理單元M搬出已藉由液體處理單元M而處理的基板W，向與所述液體處理單元M相對應的固化單元D搬送，而搬入至所述固化單元D。具體而言，局部搬運機器人LR將自液體處理單元M取出的基板W向垂直方向(更具體而言為上方)搬運。又，局部搬運機器人LR將經固化單元D處理的基板W自固化單元D搬 出，並向與所述固化單元D相對應的液體處理單元M搬運，而搬入至所述液體處理單元M。具體而言，局部搬運機器人LR將自固化單元D取出的基板W向垂直方向(更具體而言向下方)搬運。主搬運機器人CR將未處理的基板W搬入至液體處理單元M，且自液體處理單元M搬出處理後的基板W。
液體處理單元M在所述實施形態中，亦具有作為去除處理單元的功能。
圖2是用以說明液體處理單元M的構成例的圖解性的剖面圖。液體處理單元M包括處理室11。處理室11是在基板W的表面上形成處理液膜的處理室的一例，並且亦為去除基板W的表面的固化膜的去除室的一例。在處理室11內，設置有水平地保持基板W且可旋轉的作為基板保持單元的自旋夾盤(spin chuck)12、包圍自旋夾盤12的杯體(cup)13、藥液噴嘴14、作為處理液噴出單元的成膜處理液噴嘴15、作為去除液噴出單元的去除液噴嘴16、清洗噴嘴29及遮斷板19。自旋夾盤12是藉由作為基板旋轉單元的一例的馬達17而圍繞著鉛垂的旋轉軸線18旋轉。
在藥液噴嘴14上，結合有藥液配管21。在藥液配管21的途中，插裝有使藥液通路開關的藥液閥22。對藥液配管21，自藥液供給源23供給藥液。作為藥液的示例，可舉出氫氟酸(hydrogen fluoride，HF)、氨過氧化氫水(ammonia peroxide mixture)(SC1)、鹽酸過氧化氫水(hydrochloric peroxide mixture)(SC2)、硫酸過氧化氫水(sulfuric peroxide mixture，SPM)、磷 酸、硝氟酸、氟酸過氧化氫水(fluoric peroxide mixture，FPM)、氟酸臭氧水(fluoric ozone mixture，FOM)、氨臭氧水(ammonia ozone mixture，AOM)等。藥液噴嘴14亦可為可在保持於自旋夾盤12上的基板W的上方移動的移動噴嘴。又，圖2的藥液噴嘴14是與遮斷板19分開設置，藥液噴嘴亦可組裝至遮斷板19上。
在成膜處理液噴嘴15上，結合有成膜處理液配管26。在成膜處理液配管26的途中，插裝有使成膜處理液通路開關的成膜處理液閥27。對成膜處理液配管26，自成膜處理液供給源28供給成膜處理液。成膜處理液是可藉由加熱或減壓等規定的固化處理加以固化而形成固化膜，並可藉由規定的去除液而去除所述固化膜的液體。具體而言，作為成膜處理液，可利用面塗液、抗蝕液、酚樹脂液等。所謂面塗液，是指用以形成在抗蝕膜上形成的保護膜的液體。成膜處理液噴嘴15亦可為可在保持於自旋夾盤12上的基板W的上方移動的移動噴嘴。
在去除液噴嘴16上，結合有去除液配管101。在去除液配管101的途中插裝有使去除液通路開關的去除液閥102。對去除液配管101，自去除液供給源103供給去除液。去除液是可去除使成膜處理液固化而形成的固化膜的液體。具體而言，作為去除液，亦可使用鹼性顯影液或SC1(氨過氧化氫水)。鹼性顯影液亦可包含氨水、四甲基氫氧化銨水溶液(tetramethylammonium hydroxide，TMAH)、膽鹼(choline)水溶液等。去除液噴嘴16亦可為可在保持於自旋夾盤12上的基板W的上方移動的移動噴 嘴。
在清洗噴嘴29上，結合有清洗液配管31A及有機溶劑配管31B。更具體而言，在所述實施形態中，清洗液配管31A與清洗噴嘴29結合，有機溶劑配管31B與清洗液配管31A合流。在清洗液配管31A的途中，插裝有使清洗液通路開關的清洗液閥32A。在有機溶劑配管31B的途中，插裝有使有機溶劑通路開關的有機溶劑閥32B。對清洗液配管31A，自清洗液供給源33A供給清洗液。清洗液在所述實施形態中為去離子水(deionized water，DIW)。當然，亦可使用碳酸水等其他清洗液。對有機溶劑配管31B，自有機溶劑供給源33B供給有機溶劑。有機溶劑為表面張力小於清洗液的低表面張力液體的一例。在所述實施形態中，清洗液及有機溶劑是通過配管31A自共同的噴嘴29供給，但亦可設置分別供給清洗液及有機溶劑的各別的單獨的配管及噴嘴。
有機溶劑是可與清洗液置換的有機溶劑，更具體而言，是與水具有親和性的有機溶劑。作為此種有機溶劑，可例示異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)、甲醇、乙醇、丁醇、丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)、乙二醇甲醚醋酸酯(ethylene glycol monoethyl ether acetate，EGMEA)等。
遮斷板19具有與保持於自旋夾盤12上的基板W的上表面相對向的對向面19a。遮斷板19是藉由遮斷板驅動單元20來驅動。遮斷板驅動單元20包含遮斷板升降單元20A及遮斷板旋轉 單元20B。遮斷板升降單元20A使遮斷板19上下移動，使對向面19a與保持於自旋夾盤12上的基板W接近或遠離。遮斷板旋轉單元20B圍繞著與自旋夾盤12共同的旋轉軸線18對遮斷板19進行旋轉驅動。更具體而言，遮斷板旋轉單元20B對支撐著遮斷板19的旋轉軸25賦予旋轉力。在遮斷板19的對向面19a的中央，即，在旋轉軸線18上，配置有清洗噴嘴29。旋轉軸25為中空軸，其內部插通有清洗液配管31A。
在對向面19a的中央，形成有使清洗噴嘴29朝向下方而露出的開口19b。所述開口19b與旋轉軸25的內部空間連通。在清洗液配管31A與旋轉軸25的內壁之間，形成有用以使惰性氣體流通的惰性氣體流路45。在所述惰性氣體流路45上，連接有惰性氣體配管46。在惰性氣體配管46的途中，插裝有使流路開關的惰性氣體閥47。惰性氣體配管46與惰性氣體供給源48結合。惰性氣體供給源48供給惰性氣體。惰性氣體是對基板W的表面的物質而言為惰性的氣體，例如亦可為氮氣。當將藥液噴嘴組裝至遮斷板19時，在旋轉軸25中進而插通藥液配管，藥液噴嘴使開口19b朝向下方而露出。
藉由遮斷板升降單元20A使遮斷板19上下移動，而使得清洗噴嘴29同時升降，由此，自保持於自旋夾盤12上的基板W至清洗噴嘴29為止的高度發生變動。
自旋夾盤12的旋轉軸130由中空軸構成。在所述旋轉軸130中，插通有背面噴嘴131。背面噴嘴131的上端形成有朝向 基板W下表面的旋轉中心噴出清洗液的噴出口132。在背面噴嘴131上，結合有清洗液供給配管133。清洗液供給配管133經由清洗液閥134與清洗液供給源135結合，並且經由有機溶劑閥136與有機溶劑供給源137結合。清洗液供給源135供給DIW等清洗液。有機溶劑供給源137供給IPA等有機溶劑。
背面噴嘴131與旋轉軸130之間的空間形成有用以朝向基板W的下表面供給惰性氣體的惰性氣體流路140。在惰性氣體流路140上，結合有惰性氣體供給配管141。在惰性氣體供給配管141的途中插裝有惰性氣體閥142。惰性氣體供給配管141與惰性氣體供給源143結合。惰性氣體供給源143供給惰性氣體。惰性氣體是對構成基板W的物質而言為惰性的氣體，例如亦可為氮氣。
在處理室11的側壁35、側壁36，分別形成有藉由主搬運機器人CR而搬入/搬出基板W的基板搬入/搬出開口37、以及藉由局部搬運機器人LR而搬入/搬出基板W的基板搬入/搬出開口38。在基板搬入/搬出開口37及基板搬入/搬出開口38上，分別配置有使該些開口開關的擋板39、擋板40。擋板39、擋板40藉由擋板驅動單元41、擋板驅動單元42而分別開關驅動。基板搬入/搬出開口37是使主搬運室5與處理室11連通的開口，形成於對主搬運室5與處理室11進行劃分的側壁35上。基板搬入/搬出開口38是使處理室11與局部搬運室C連通的開口，形成於對處理室11與局部搬運室C進行劃分的側壁36上。
若對液體處理單元M的動作進行概述，則如下所述。
當主搬運機器人CR搬入未處理的基板W時，擋板39打開基板搬入/搬出開口37。保持著未處理的基板W的主搬運機器人CR的手(hand)HC(臂)自基板搬入/搬出開口37進入至處理室11內，將所述基板W遞交至自旋夾盤12。為了基板W的交接，亦可根據需要，使杯體13或自旋夾盤12上下移動。已將基板W遞交至自旋夾盤12的主搬運機器人CR的手HC通過基板搬入/搬出開口37自處理室11退出。然後，擋板驅動單元41對擋板39進行驅動，而關閉基板搬入/搬出開口37。
繼而，藉由馬達17而使自旋夾盤12旋轉，打開藥液閥22。由此，將藥液供給至旋轉狀態的基板W的表面，且藉由離心力而使藥液遍布於基板W表面的整個區域。如上所述，執行利用藥液對基板W進行處理的藥液步驟(用於前洗滌的藥液步驟)。藉由關閉藥液閥22而停止藥液的供給，藥液步驟結束。
在藥液步驟之後，一面繼續進行自旋夾盤12的旋轉，一面打開清洗液閥32A、清洗液閥134。由此，對旋轉狀態的基板W的表面及背面供給清洗液。供給至基板W的表面的清洗液在基板W表面的整個區域蔓延，從而替換基板W表面的藥液。又，被供給至基板W的背面的清洗液在基板W背面的整個區域蔓延，從而沖洗附著在基板W的背面上的清洗液。如上所述，執行清洗步驟。藉由關閉清洗液閥32A，而使清洗液的供給停止，清洗步驟結束。
在所述清洗步驟結束後，或在清洗步驟即將結束之前， 打開有機溶劑閥32B。由此，對基板W表面供給有機溶劑。使自旋夾盤12保持為旋轉狀態。因此，有機溶劑在基板W表面的整個區域蔓延，從而替換基板W表面的清洗液。此時，遮斷板驅動單元20使遮斷板19下降，而配置在使對向面19a與基板W的表面接近的處理位置。
其次，關閉有機溶劑閥32B，使遮斷板19上升。然後，在基板W的上方配置成膜處理液噴嘴15，在所述狀態下，打開成膜處理液閥27。由此，對基板W表面供給成膜處理液。自旋夾盤12保持在旋轉狀態。因此，成膜處理液在基板W表面的整個區域蔓延，而形成遍及基板W表面的整個區域的液膜10。形成所述成膜處理液膜10之後，關閉成膜處理液閥27。
其次，成膜處理液噴嘴15退避後，使遮斷板19下降，而配置在對向面19a與基板W接近的處理位置。然後，打開有機溶劑閥136。由此，自背面噴嘴131向基板W背面(下表面)供給有機溶劑，所述有機溶劑藉由離心力而遍布於基板W的背面的整個區域，從而沖洗附著於基板W的背面的成膜處理液。
其後，關閉有機溶劑閥136，使自旋夾盤12的旋轉加速。由此，使基板W的背面的液體成分甩開。此時，亦可打開惰性氣體閥47及惰性氣體閥142。由此，在基板W的表面側，促使成膜處理液膜10中的揮發成分的揮發，由此，使成膜處理液膜10的固化推進。又，在基板W的背面側，促進乾燥。
其後，遮斷板驅動單元20使遮斷板19退避至上方。繼 而，使自旋夾盤12的旋轉停止，從而結束用以形成成膜處理液膜10的處理。
其次，擋板驅動單元42對擋板40進行驅動，打開基板搬入/搬出開口38。局部搬運機器人LR的手LH(臂)自所述基板搬入/搬出開口38進入至處理室11內，從自旋夾盤12接收基板W，且通過基板搬入/搬出開口38，將所述基板W搬出至處理室11外。為了基板W的交接，亦可根據需要，使杯體13或自旋夾盤12上下移動。局部搬運機器人LR將表面形成有成膜處理液膜10的狀態的基板W搬運至固化單元D。
利用固化單元D使成膜處理液膜10固化而形成為固化膜10S之後，將形成有所述固化膜10S的基板W藉由局部搬運機器人LR，搬運至液體處理單元M。此時，擋板驅動單元42對擋板40進行驅動，而打開基板搬入/搬出開口38。局部搬運機器人LR的手LH(臂)自所述基板搬入/搬出開口38進入至處理室11內，將基板W遞交至自旋夾盤12之後，退出至處理室11外。為了基板W的交接，亦可根據需要，使杯體13或自旋夾盤12上下移動。
液體處理單元M對如上所述被導入的基板W，執行用以去除所述表面的固化膜10S的去除步驟及其後的洗滌步驟(後洗滌步驟)。
具體而言，藉由馬達17而使自旋夾盤12旋轉，然後，為了執行去除步驟，而在保持於自旋夾盤12上的基板W的上方 配置去除液噴嘴16。繼而，打開去除液閥102。由此，對基板W的表面供給去除液，所述去除液藉由離心力而遍布於基板W的表面的整個區域。藉由所述去除液的作用，而使基板W的表面的固化膜10S剝離。
其次，關閉去除液閥102，使去除液噴嘴16自基板W的上方退避之後，執行後洗滌步驟。具體而言，在將藥液噴嘴14配置在基板W的上方，使自旋夾盤12旋轉的狀態下，打開藥液閥22。由此，對旋轉狀態的基板W的表面供給藥液，且藉由離心力而使藥液遍布於基板W表面的整個區域。如上所述，執行利用藥液對基板W進行處理的藥液步驟(用於後洗滌的藥液步驟)。藉由關閉藥液閥22而停止藥液的供給，藥液步驟結束。使藥液噴嘴14從自旋夾盤12的上方退避。
在藥液步驟之後，一面繼續進行自旋夾盤12的旋轉，一面打開清洗液閥32A、清洗液閥134。由此，對旋轉狀態的基板W的表面及背面供給清洗液。供給至基板W的表面的清洗液在基板W表面的整個區域蔓延，從而對基板W表面的藥液進行置換。又，供給至基板W的背面的清洗液在基板W背面的整個區域蔓延，從而沖洗附著於基板W的背面的清洗液。如上所述，執行清洗步驟。藉由關閉清洗液閥32A而停止清洗液的供給，從而清洗步驟結束。
在所述清洗步驟結束後，或在清洗步驟即將結束前，打開有機溶劑閥32B、有機溶劑閥136。由此，對基板W表面及背 面供給有機溶劑。自旋夾盤12保持在旋轉狀態。因此，有機溶劑在基板W表面及背面的整個區域蔓延，從而對基板W表面及背面的清洗液進行置換。此時，遮斷板驅動單元20使遮斷板19下降，而配置在使對向面19a與基板W的表面接近的處理位置。
其次，關閉有機溶劑閥32B、有機溶劑閥136，取而代之，打開惰性氣體閥47、惰性氣體閥142，對基板W的表面及背面供給惰性氣體。又，使自旋夾盤12的旋轉加速。由此，使基板W的表面及背面的液體成分甩開。供給至基板W的表面及背面的惰性氣體促進基板W的乾燥。
當乾燥處理結束時，使自旋夾盤12的旋轉停止，關閉惰性氣體閥47、惰性氣體閥142。然後，遮斷板驅動單元20使遮斷板19退避至上方。
其次，擋板驅動單元41對擋板39進行驅動，打開基板搬入/搬出開口37。主搬運機器人CR的手HC(臂)自所述基板搬入/搬出開口37進入至處理室11內，從自旋夾盤12接收基板W，且通過基板搬入/搬出開口37，將所述基板W搬出至處理室11外。為了基板W的交接，亦可根據需要，使杯體13或自旋夾盤12上下移動。
基板W上的固化膜10S的去除亦可根據所述固化膜10S的種類，藉由自藥液噴嘴14供給的藥液來進行。即，亦可使用自藥液噴嘴14供給的藥液作為去除液。此時，可省略去除液噴嘴16及與去除液噴嘴16相關的構成，而無需區分去除步驟及後洗滌步 驟。
又，形成成膜處理液膜10之前的前洗滌步驟亦可省略。
又，當將藥液噴嘴組裝至遮斷板19時，遮斷板19在處理期間，始終位於與基板W接近的接近位置。
圖3是用以說明固化單元D的構成例的圖解性的剖面圖。固化單元D具有包含可密閉的減壓腔室(真空腔室)的固化室51。固化室51的容積小於液體處理單元M的處理室11的容積，由此，固化室51具有可使內部空間有效率地減壓的構造。在固化室51內，配置有保持基板W的作為基板保持單元的基板固持器52。在基板固持器52中，內置有作為基板加熱單元的加熱器53H、及作為基板冷卻單元的冷卻單元53C，由此，構成溫度調節板。加熱器53H藉由傳熱或熱輻射而對基板W進行加熱。亦可取代加熱器53H，使用照射電磁波(紫外線、紅外線、微波、雷射光等)對基板進行加熱的電磁波照射單元作為基板加熱單元。又，亦可使用閃光燈(flash lamp)作為基板加熱單元。冷卻單元53C既可具有通過基板固持器52內部的冷媒通路，亦可具有電子冷熱元件。
貫通基板固持器52而配置有多根(3根以上)頂升銷(lift pin)54。頂升銷54藉由頂升銷升降單元55而上下移動，由此，使基板W在基板固持器52上進行上下移動。
固化室51包括底座部511、以及可相對於底座部511而上下移動的活動蓋部512。活動蓋部512藉由蓋部驅動單元56，而相對於底座部511上下移動。在底座部511與活動蓋部512之 間劃分出固化處理空間50。活動蓋部512的下端緣部58是沿仿照底座部511的上表面59的平面而形成。在底座部511上，在與活動蓋部512的下端緣部58相對向的位置上，配置有作為密封構件的O型環60。當使活動蓋部512與底座部511接近，而向底座部511按壓時，活動蓋部512與底座部511之間藉由O型環60而密閉。如上所述，形成經密閉的固化處理空間50。
在底座部511上，結合有排氣配管62。排氣配管62與固化處理空間50連通。排氣配管62與真空泵等排氣單元63連接。在排氣配管62上，插裝有排氣閥64。排氣單元63是減壓單元的一例，藉由打開排氣閥64對排氣單元63進行驅動，可使固化處理空間50減壓至低於大氣壓的氣壓(例如0.01Torr以下)。
在活動蓋部512上，設置有用以對固化處理空間50導入惰性氣體的惰性氣體噴嘴71。在惰性氣體噴嘴71上，結合有惰性氣體配管72。在惰性氣體配管72的途中，插裝有惰性氣體閥73。惰性氣體配管72與供給惰性氣體的惰性氣體供給源74結合。惰性氣體是低濕度氣體的一例，惰性氣體噴嘴71等是低濕度氣體供給單元的一例。例如，藉由自將基板W搬入至固化處理空間50之前，預先自惰性氣體噴嘴71供給惰性氣體，可對固化室51內進行換氣，從而可形成成膜處理液10容易乾燥的氣氛。
若對固化單元D的動作進行概述，則如下所述。
局部搬運機器人LR的手LH將表面上形成有成膜處理液膜10的狀態的基板W搬入至固化單元D。當搬入基板W時， 活動蓋部512位於遠離底座部511的打開位置，由此，在活動蓋部512與底座部511之間形成基板搬入開口。此時，頂升銷54位於其前端與基板固持器52的表面向上方隔離的上升位置。在所述狀態下，局部搬運機器人LR的手LH進入至活動蓋部512與底座部511之間，將基板W遞交至頂升銷54。被遞交基板W的頂升銷54下降，將基板W載置在基板固持器52的上表面。
蓋部驅動單元56使活動蓋部512下降，經由O型環60而按壓至底座部511。由此，固化處理空間50成為密閉空間。然後，藉由打開排氣閥64，對排氣單元63進行驅動，而使固化處理空間50內的氣氛排氣，使固化處理空間50減壓。將惰性氣體閥73設為關閉狀態，以不阻礙減壓。
藉由使固化處理空間50內減壓，來促進基板W的表面的成膜處理液膜10的蒸發。進而，對加熱器53H進行驅動而對基板固持器52進行加熱，從而進行烘烤(bake)處理。如上所述，同時使用基板W的氣氛的減壓及基板W的加熱，而使成膜處理液膜10迅速固化。所謂固化，此處是指固態化或硬化，既可為成膜處理液中的溶媒成分經蒸發而乾燥從而固態化或硬化，亦可為成膜處理液中的分子彼此相結合而高分子化從而固態化或硬化。藉由在所述固化時產生體積收縮，力會作用至附著於基板W的表面的微粒等異物，由此，使異物自基板W的表面脫離。
成膜處理液膜10的固化結束後，使排氣單元63停止，且根據需要打開惰性氣體閥73，從而使固化處理空間50內加壓至 大氣壓。繼而，加熱器53H驅動停止，取而代之，使冷卻單元53C運轉，而使基板固持器52冷卻。由此，使基板W冷卻至例如常溫為止。其後，蓋部驅動單元56使活動蓋部512上升，而遠離底座部511。然後，頂升銷54上升，將基板W抬起至與基板固持器52的上表面向上方遠離的高度為止。在所述狀態下，局部搬運機器人LR的手LH進入至活動蓋部512與底座部511之間，自頂升銷54撈起處理後的基板W，而退出至局部搬運室C。當主搬運機器人CR搬運固化處理後的基板W時，主搬運機器人CR的手HC進入至活動蓋部512與底座部511之間，自頂升銷54撈出處理後的基板W，而退出至主搬運室5。
圖4是用以說明局部搬運機器人LR的構成例的圖。局部搬運機器人LR配置在局部搬運室C內。局部搬運室C與液體處理單元M的處理室11及配置在所述處理室11之上的固化單元D的固化室51相對向，當打開固化室51時，與固化室51連通。
局部搬運機器人LR包括用以保持基板W的手LH(臂)、以及對手LH進行驅動的手驅動單元90。在此例中，手LH包括一對手LH1、手LH2，該些手是沿上下方向錯開(此外根據需要沿水平方向錯開)而配置。手驅動單元90使手LH1、手LH2進行水平移動及垂直移動，然後根據需要，使手LH1、手LH2圍繞著鉛垂的旋轉軸線89轉動。
由此，手LH1、手LH2可進入至液體處理單元M的處理室11內從自旋夾盤12接收基板W，將所述基板W搬運至固化 單元D為止，且將所述基板W搬入至固化室51內而遞交至頂升銷54(參照圖3)，然後退出至局部搬運室C。又，手LH1、手LH2可進入至固化單元D的固化室51內自頂升銷54接收基板W，將所述基板W搬運至液體處理單元M為止，且將所述基板W搬入至處理室11內而遞交至自旋夾盤12，然後退出至局部搬運室C。
手驅動單元90至少在進入至液體處理單元M及固化單元D時，可使一對手LH1、手LH2相對於該些單元而獨立地進退。例如，亦可為：手LH1用於將形成有成膜處理液膜10的基板W自液體處理單元M搬運至固化單元D時，手LH2用於將形成有固化膜10S的基板W自固化單元D搬運至液體處理單元M時。此時，考慮到來自成膜處理液膜10的滴液，保持經固化單元D處理後的基板W的手LH2較佳為配置在較保持形成有成膜處理液膜10的基板W的手LH1更上方的位置。
固化單元D配置在液體處理單元M上，故局部搬運機器人LR是以如下方式運行：自液體處理單元M搬出基板W之後，使手LH上升至固化單元D的高度為止。又，局部搬運機器人LR是以如下方式運行：自固化單元D搬出基板W之後，使手LH下降至液體處理單元M的高度為止。
局部搬運機器人LR亦可進而包括手加熱單元97A(臂加熱單元)，所述手加熱單元97A(臂加熱單元)是對手LH1進行加熱，以對藉由液體處理單元M而形成有成膜處理液膜10的基板W進行保溫或加熱。手加熱單元97A亦可構成為使熱媒在形成於 手LH1上的熱媒通路98A中循環。亦可取代具有此種熱媒通路98A的構成，而在手LH1中具備對手LH1進行加熱的加熱器(未圖示)。又，手加熱單元97A亦可構成為對局部搬運室C中所具備的加熱板99A進行加熱。此時，在手LH1未保持基板W的期間內，使手LH1與加熱板99A接觸。由此，在手LH1的非工作期間對手LH1進行加熱。藉由利用經所述加熱的手LH1搬運基板W，可在搬運過程中對基板W進行加熱，故而可對基板W進行加熱，從而進行成膜處理液膜10的乾燥固化。
局部搬運機器人LR亦可進而包括手冷卻單元97B(臂冷卻單元)，所述手冷卻單元97B(臂冷卻單元)是對手LH2進行冷卻，以利用固化單元D對形成有固化膜10S的基板W進行冷卻。手冷卻單元97B亦可構成為使冷媒在形成於手LH2上的冷媒通路98B中循環。亦可在手LH2中具備使手LH2冷卻的電子冷熱元件(未圖示)，來替代此種具有冷媒通路98B的構成。又，手冷卻單元97B亦可構成為使局部搬運室C中所具備的冷卻板99B冷卻。此時，在手LH2未保持基板W的期間內，使手LH2與冷卻板99B接觸。由此，在手LH2的非工作期間使手LH2冷卻。藉由利用所述經冷卻的手LH2搬運基板W，可在搬運過程中使基板W冷卻，因此可將經充分冷卻的基板W搬入至液體處理單元M。此外，可縮短在固化單元D中的冷卻處理時間。
為了使保持於手LH1、手LH2上的基板W有效地加熱/冷卻，手LH1、手LH2亦可構成為與基板W的形狀相對應的板狀。 此種板狀的手LH1、手LH2為了與自旋夾盤12進行基板W的交接，亦可具有周圍形成有缺口的帶缺口的板形狀，所述缺口是用以避開自旋夾盤12中所具備的夾盤銷(chuck pin)。
例如，圖4所示，在局部搬運機器人LR的手LH(或無論手LH如何移動，與手LH的相對位置均不會大幅變化的活動部位)上，亦可配置供給用以對手LH進行洗滌的洗滌液的洗滌液噴嘴91。洗滌液噴嘴91與洗滌液配管92連接。在洗滌液配管92中，插裝有洗滌液閥93。洗滌液配管92與洗滌液供給源94連接。洗滌液供給源94供給用以對手LH進行洗滌的洗滌液。所述洗滌液較佳為與成膜用處理液具有親和性的液體，例如有機溶劑。
如圖4所示，亦可取代在手LH上具備洗滌液噴嘴91，或者除了所述洗滌液噴嘴91，而在局部搬運室C內安裝洗滌液噴嘴91A。
在局部搬運機器人LR未搬運基板W的期間內，藉由打開洗滌液閥93，可自洗滌液噴嘴91、洗滌液噴嘴91A噴出洗滌液，利用所述洗滌液對手LH進行洗滌。由此，可去除特別是附著在手LH上的成膜用處理液或其他物質，從而使手LH保持在潔淨的狀態。
局部搬運室C的底部160接收洗滌液。在底部160，連接有作為排液單元的排液配管161。底部160所接收到的洗滌液是通過排液配管161而排出。
亦可設置有對局部搬運室C內供給惰性氣體的惰性氣 體噴嘴165。在惰性氣體噴嘴165上，連接有惰性氣體配管166。在惰性氣體配管166的途中，插裝有惰性氣體閥167。在惰性氣體配管166上，連接有惰性氣體供給源168。惰性氣體供給源168供給氮氣等惰性氣體。藉由打開惰性氣體閥167，可對局部搬運室C內供給惰性氣體。由此，可促進洗滌後的手LH的乾燥。又，可對保持於手LH上的基板W的附近供給惰性氣體，故可促進特別是保持於手LH1上的基板W上的成膜處理液膜10的乾燥，從而促進所述固化。
惰性氣體噴嘴165亦可配置在手LH(或無論手LH如何移動，與手LH的相對位置均不會大幅變化的活動部位)上。由此，可對手LH及保持於手LH上的基板W的表面有效率地供給惰性氣體。
再者，當將經固化單元D處理後的基板W藉由主搬運機器人CR而搬出時，局部搬運機器人LR只要具有手LH1及與手LH1相關的構成即可。即，可省略手LH2及與手LH2相關的構成。
又，當將經固化單元D處理後的基板W藉由局部搬運機器人LR而搬運時，亦可省略手LH2及與手LH2相關的構成。即，亦可利用相同的手LH1，進行形成有成膜處理液膜10的基板W的搬運、及形成有固化膜10S的基板W的搬運。此時，亦可在自液體處理單元M向固化單元D搬運基板W之後，對手LH1進行洗滌，其後，利用所述手LH1自固化單元D向液體處理單元M搬運表面形成有固化膜10S的基板W。
如以上所述，根據所述實施形態，在液體處理單元M的處理室中在基板W上形成有成膜處理液膜10之後，將所述基板W藉由局部搬運機器人LR而搬入至固化單元D的固化室51。因此，可避免主搬運機器人CR被成膜處理液污染，故而可抑制或防止所述成膜處理液轉移至藉由主搬運機器人CR而搬運的其他基板。又，可抑制或防止成膜處理液的氣氛籠罩在藉由主搬運機器人CR而搬運基板W的空間內，因此亦可避免成膜處理液的氣氛對基板W造成不良影響。如此一來，可提高基板處理品質。此外，無論主搬運機器人CR的運行狀態如何，均可利用局部搬運機器人LR，自處理室11向固化室51迅速搬運基板W。因此，可縮短搬運時間。
特別是在所述實施形態中，主搬運機器人CR配置在主搬運室5內，局部搬運機器人LR配置在與主搬運室5隔離的局部搬運室C內。由此，可更確實地抑制或防止成膜處理液的氣氛籠罩著主搬運室5，故可抑制或防止藉由主搬運機器人CR而搬運的基板W受到成膜處理液的氣氛的影響。
又，在所述實施形態中，固化單元D藉由對固化室51內的處理空間50進行減壓，並且利用加熱器53H對基板W進行加熱，而使基板W上的成膜處理液膜10固化。因此，可使成膜處理液膜10迅速固化，而形成固化膜10S。在所述過程中，成膜處理液膜10一面進行固態化，一面進行體積收縮。由此，拉伸力作用至基板W表面的微粒等異物，從而可使異物自基板W表面剝 離。
液體處理單元M在處理室11內具有自旋夾盤12及遮斷板19，其容積比較大。因此，使處理室11內的空間減壓而使成膜處理液膜10乾燥並不實際，即使可能，亦要耗費長時間來使大容積的空間減壓。與此相對，在所述實施形態中，將在液體處理單元M中已結束處理後的基板W，搬入至容積更小的固化室51，進行固化室51內的減壓乾燥處理。由此，可使成膜處理液膜10在短時間內固化。
將形成有固化膜10S的基板W藉由局部搬運機器人LR或主搬運機器人CR，而自固化室51搬入至液體處理單元M的處理室11。此時，液體處理單元M作為去除固化膜10S的去除單元而發揮作用，處理室11作為提供進行去除處理的空間的去除室而發揮作用。液體處理單元M對基板W供給去除液而去除基板W上的固化膜10S。此時，固化膜10S藉由去除液而進行溶脹，產生體積膨脹。由此，拉伸力作用至基板W表面的異物，使異物自基板W表面剝離。經剝離的異物與固化膜10S一同被排除至基板W外。如此一來，達成去除基板W的表面的異物的洗滌處理。
當局部搬運機器人LR將已結束固化單元D中的固化處理的基板W自固化室51搬出，且搬入至液體處理單元M的處理室11，以進行去除處理時，可避免主搬運機器人DR自固化處理後的基板W受到影響。特別是在經固化單元D處理後的基板W處於高溫時，可避免主搬運機器人CR蓄積所述高溫的基板W所 發出的熱。由此，可抑制或防止熱的影響波及藉由主搬運機器人CR而搬運的基板W。
又，在所述實施形態中，局部搬運機器人LR具有一對手LH1、手LH2，藉由作為第1搬運臂的手LH1而自處理室11搬出基板W並搬入至固化室51，藉由作為第2搬運臂的手LH2而自固化室51搬出固化處理後的基板W，並搬入至處理室11以進行去除處理。因此，即使在手LH1上附著有成膜處理液，亦可抑制或防止所述處理液轉移至固化處理後的基板W。此外，在所述實施形態中，手LH2配置在較手LH1更上方的位置，因此可更進一步確實地抑制或防止藉由手LH1而保持的基板W上的成膜處理液附著在手LH2上。
又，在所述實施形態中，在局部搬運室C內，設置有洗滌液噴嘴91、洗滌液噴嘴91A，可自所述洗滌液噴嘴91、洗滌液噴嘴91A噴出洗滌液，對手LH進行洗滌。由此，可使手LH保持在潔淨的狀態，故而可一面抑制由手LH引起的基板W的污染，一面搬運基板W。而且，手LH的洗滌是在局部搬運室C內進行，故可抑制或防止洗滌液或成膜處理液的影響波及藉由主搬運機器人CR而搬運的基板W。
特別是在局部搬運機器人LR的手LH(或無論手LH如何移動，與手LH的相對位置均不會大幅變化的活動部位)上設置有洗滌液噴嘴91的情況下，可更確實地對手LH進行洗滌。因此，可避免成膜處理液等污染蓄積於手LH，從而可一面抑制成膜處理 液所引起的污染，一面搬運基板W。又，可抑制或防止洗滌液或成膜處理液的影響波及藉由主搬運機器人CR而搬運的基板W。
而且，在所述實施形態中，局部搬運室C包括接收洗滌液的底部160、及排出底部160所接收的洗滌液的排液配管161。由此，可將對手LH進行洗滌後的洗滌液排出至局部搬運室C外，因而可使局部搬運室C內的氣氛保持潔淨。由此，可更進一步抑制成膜處理液氣氛對基板W的影響。
藉由所述實施形態而執行的基板處理方法包括：處理液膜形成步驟，對基板W的表面在處理室11內供給成膜處理液，在基板W的表面上形成成膜處理液膜10；第1局部搬運步驟，在所述處理液膜形成步驟之後，將基板W搬運至固化室51；固化膜形成步驟，在固化室51內使成膜處理液膜10固化而在所述基板W的表面上形成固化膜10S；第2局部搬運步驟，在所述固化膜形成步驟之後，將基板W搬運至作為去除室的處理室11；去除處理步驟，在所述處理室11(去除室)內將用以去除固化膜10S的去除液供給至基板W的表面；以及主搬運步驟，藉由主搬運機器人CR，將未處理的基板W搬入至處理室11，在去除處理步驟之後，自所述處理室11(去除室)搬出基板W。
在所述實施形態中，所述固化膜形成步驟包括利用作為加熱單元的加熱器53H對基板W進行加熱的加熱步驟。又，所述固化膜形成步驟包括使對基板W進行處理的固化處理空間50減壓的減壓步驟。
在所述主搬運步驟中，通過主搬運室5而搬運基板W，在所述第1局部搬運步驟中，通過與主搬運室5隔離的局部搬運室C而搬運基板W。
所述第1局部搬運步驟及所述第2局部搬運步驟有時是藉由共同的局部搬運機器人LR來進行。此時，藉由局部搬運機器人LR的手LH1來進行所述第1局部搬運步驟，藉由局部搬運機器人LR的手LH2來進行所述第2局部搬運步驟。
又，有時藉由局部搬運機器人LR來進行所述第1局部搬運步驟，藉由主搬運機器人CR來進行所述第2局部搬運步驟。
又，所述實施形態的基板處理方法包括對局部搬運機器人LR的手LH供給洗滌液的手洗滌步驟(臂洗滌步驟)。
所述處理液膜形成步驟及所述去除處理步驟有時在共同的處理室11內進行。又，當所述處理液膜形成步驟及所述去除處理步驟在不同的液體處理單元M中進行時，該些處理是在不同的室內進行。
[第2實施形態]
圖5A是用以說明本發明的第2實施形態的基板處理裝置1A的構成的圖解性的俯視圖，圖5B是其立面圖。在圖5A及圖5B中，對所述圖1A及圖1B的各部的對應部分標註相同的參照符號。
在本實施形態中，俯視時，在配置於主搬運室5的一側的兩個積層單元組G1、積層單元組G2之間配置有局部搬運室C，在所述局部搬運室C內配置有局部搬運機器人LR。同樣地，在配 置於主搬運室5的另一側的兩個積層單元組G3、積層單元組G4之間配置有局部搬運室C，在所述局部搬運室C內配置有局部搬運機器人LR。構成積層單元組G1~積層單元組G4的多個單元及該些單元的積層狀態與第1實施形態的情況同樣。
主搬運機器人CR與第1實施形態的情況同樣地，可進入至共計8個液體處理單元M遞交基板W，然後可與索引機器人IR之間交接基板W。又，液體處理單元M亦可構成為能夠進入至共計8個固化單元D而取出基板W。
局部搬運機器人LR在本實施形態中，在第1層S1中具備兩個，在第2層S2中具備兩個。更具體而言，俯視時，在第1層S1中，在主搬運室5的兩側各配置有一個局部搬運機器人LR11、局部搬運機器人LR12。更進一步具體而言，在主搬運室5的一側，在第1層S1中，在液體處理單元M11、液體處理單元M12之間配置有一個局部搬運機器人LR11。在主搬運室5的另一側亦同樣地，在液體處理單元M13、液體處理單元M14之間配置有一個局部搬運機器人LR12。第2層S2中的兩個局部搬運機器人LR21、局部搬運機器人LR22亦是同樣地配置。局部搬運機器人LR11、局部搬運機器人LR12、局部搬運機器人LR21、局部搬運機器人LR22分別配置在局部搬運室C11、局部搬運室C12、局部搬運室C21、局部搬運室C22內。局部搬運室C形成有搬運空間，所述搬運空間被劃分成與主搬運室5分離(隔離)。
在第1層S1中，配置於主搬運室5的一側的局部搬運 機器人LR11被兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12所共用。
即，局部搬運機器人LR11取出已結束在接近載體保持部2之側的液體處理單元M11中的處理的基板W，沿垂直方向(更具體而言為上方)進行搬運，而搬入至所述液體處理單元M11之上的固化單元D11。又，局部搬運機器人LR11取出已結束在遠離載體保持部2之側的液體處理單元M12中的處理的基板W，沿垂直方向(更具體而言為上方)進行搬運，而搬入至所述液體處理單元M12之上的固化單元D12。
局部搬運機器人LR11亦可將已結束在接近載體保持部2之側的液體處理單元M11中的處理的基板W，搬運至遠離載體保持部2之側的液體處理單元M12之上的固化單元D12。同樣地，局部搬運機器人LR11亦可將已結束在遠離載體保持部2之側的液體處理單元M12中的處理的基板W，搬運至接近載體保持部2之側的液體處理單元M11之上的固化單元D11。
若進一步加以一般化，則局部搬運機器人LR11可進入至在第1層S1中配置在主搬運室5的一側的兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12，以及分別配置在該些液體處理單元M11、液體處理單元M12之上的兩個固化單元D11、固化單元D12。而且，將一個在液體處理單元M11、液體處理單元M12中已結束處理的基板W藉由局部搬運機器人LR11搬入至兩個固化單元D11、固化單元D12中的任一者，而受到用以使所述表面的 成膜處理液膜固化的固化處理。
另一方面，局部搬運機器人LR11取出已結束在接近載體保持部2之側的固化單元D11中的固化處理的基板W，沿垂直方向(更具體而言下方)進行搬運，而搬入至所述固化單元D11下的液體處理單元M11。又，局部搬運機器人LR11取出已結束在遠離載體保持部2之側的固化單元D12中的固化處理的基板W，沿垂直方向(更具體而言下方)進行搬運，而搬入至所述固化單元D12下的液體處理單元M12。
局部搬運機器人LR11亦可將已結束在接近載體保持部2之側的固化單元D11中的處理的基板W，搬運至遠離載體保持部2之側的液體處理單元M12下的液體處理單元M12。同樣地，局部搬運機器人LR11亦可將已結束在遠離載體保持部2之側的固化單元D12中的處理的基板W搬運至接近載體保持部2之側的固化單元D11下的液體處理單元M11。更一般而言，將一個已結束固化單元D11、固化單元D12中的固化處理的基板W，藉由局部搬運機器人LR11，而搬入至兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12中的任一者，從而受到用以去除所述表面的固化膜的去除處理。
在第1層S1中配置於主搬運室5的另一側的局部搬運機器人LR12的動作亦是同樣。即，局部搬運機器人LR12是可進入至兩個液體處理單元M13、液體處理單元M14及兩個固化單元D13、固化單元D14而構成，對該些單元進行與主搬運室5的相 反側的局部搬運機器人LR11同樣的動作。
配置在第2層S2中的局部搬運機器人LR21、局部搬運機器人LR22的動作亦是同樣。即，局部搬運機器人LR21是可進入至兩個液體處理單元M21、液體處理單元M22及兩個固化單元D21、固化單元D22而構成，對該些單元進行與局部搬運機器人LR11同樣的動作。又，局部搬運機器人LR22是可進入至兩個液體處理單元M23、液體處理單元M24及兩個固化單元D23、固化單元D24而構成，對該些單元進行與局部搬運機器人LR11同樣的動作。
配置在主搬運室5的一側的兩個局部搬運機器人LR11、局部搬運機器人LR21在本實施形態中，分別配置在俯視時相重合的兩個局部搬運室C11、局部搬運室C21內。同樣地，配置在主搬運室5的另一側的兩個局部搬運機器人LR12、局部搬運機器人LR22在本實施形態中，分別配置在俯視時相重合的兩個局部搬運室C12、局部搬運室C22內。
亦可將上下重合的兩個局部搬運室C11、局部搬運室C21及局部搬運室C12、局部搬運室C22設為上下連通的一個局部搬運室。而且，亦可在所述一個局部搬運室C內配置一個局部搬運機器人LR。
此時，在主搬運室5的一側，相對於局部搬運室C在載體保持部2側，配置有依此順序積層著液體處理單元M11、固化單元D11、液體處理單元M21及固化單元D21的積層單元組G1， 且在遠離載體保持部2之側，亦配置有依此順序積層著液體處理單元M12、固化單元D12、液體處理單元M22及固化單元D22的積層單元組G2。配置在局部搬運室C內的一個局部搬運機器人LR可進入至構成該些一對積層單元組G1、積層單元組G2的共計8個單元。
此時，局部搬運機器人LR亦可以如下方式運行：將在某個液體處理單元M11、液體處理單元M12、液體處理單元M21、液體處理單元M22中已結束成膜處理液膜形成處理的一個基板W搬入至積層於其正上方的固化單元D11、固化單元D12、固化單元D21、固化單元D22。又，局部搬運機器人LR亦可將在某個液體處理單元M11、液體處理單元M12、液體處理單元M21、液體處理單元M22中已結束成膜處理液膜形成處理的一個基板W，搬入至可進入的4個固化單元D11、固化單元D12、固化單元D21、固化單元D22之中的任意一個。一般而言，可藉由將基板W搬入至不用於處理的固化單元D，來提高生產率。
又，局部搬運機器人LR亦可以如下方式運行：將在某個固化單元D11、固化單元D12、固化單元D21、固化單元D22已結束固化處理的一個基板W搬入至積層於其正下方的液體處理單元M11、液體處理單元M12、液體處理單元M21、液體處理單元M22。又，局部搬運機器人LR亦可將在某個固化單元D11、固化單元D12、固化單元D21、固化單元D22中已結束固化處理的一個基板W，搬入至可進入的4個液體處理單元M11、液體處理 單元M12、液體處理單元M21、液體處理單元M22之中的任意一個。一般而言，可藉由將基板W搬入至不用於處理的液體處理單元M進行去除處理，來提高生產率。
關於主搬運室5的另一側，亦具有同樣的構成，可使被兩個積層單元組G3、積層單元組G4共用的一個局部搬運機器人LR同樣地運行。
如自圖1A及圖5A的比較可知，藉由本實施形態的構成，可縮小基板處理裝置1A的佔用面積(足跡(footprint))。
再者，已結束固化單元D中的固化處理的基板W的搬運亦可由主搬運機器人CR來進行。此時，主搬運機器人CR亦可以如下方式運行：將所述基板W搬入至任意的液體處理單元M而進行去除處理。
[第3實施形態]
圖6A是用以說明本發明的第3實施形態的基板處理裝置1B的構成的圖解性的俯視圖，圖6B是其立面圖。在本實施形態的基板處理裝置1B中，單元的配置形成有包含第1層S1、第2層S2及第3層S3的三層構造。
在本實施形態中，俯視時，在主搬運室5的一側沿主搬運室5配置有3個積層單元組G11、積層單元組G12、積層單元組G13，在主搬運室5的另一側沿主搬運室5配置有3個積層單元組G14、積層單元組G15、積層單元組G16。
積層單元組G11是自下方起依次積層3個液體處理單元 M11、液體處理單元M21、液體處理單元M31而構成。積層單元組G13是自下方起依次積層3個液體處理單元M12、液體處理單元M22、液體處理單元M32而構成。配置在積層單元組G11、積層單元組G13之間的積層單元組G12是自下方起依次積層6個固化單元D11、固化單元D12、固化單元D21、固化單元D22、固化單元D31、固化單元D32而構成。在積層單元組G11、積層單元組G13之間，進而自下方起依次積層地配置有局部搬運室C11、局部搬運室C21、局部搬運室C31，在該些局部搬運室之中，分別配置有局部搬運機器人LR11、局部搬運機器人LR21、局部搬運機器人LR31。局部搬運室C11、局部搬運室C21、局部搬運室C31在本實施形態中，相對於積層單元組G12，配置在與主搬運室5相反之側。
積層單元組G14是自下方起依次積層3個液體處理單元M13、液體處理單元M23、液體處理單元M33而構成。積層單元組G16是自下方起依次積層3個液體處理單元M14、液體處理單元M24液體處理單元M34而構成。配置在積層單元組G14、積層單元組G16之間的積層單元組G15是自下方起依次積層6個固化單元D13、固化單元D14、固化單元D23、固化單元D24、固化單元D33、固化單元D34而構成。在積層單元組G14、積層單元組G16之間，進而自下方起依次積層地配置有局部搬運室C12、局部搬運室C22、局部搬運室C32，在該些局部搬運室之中，分別配置有局部搬運機器人LR12、局部搬運機器人LR22、局部搬運機器 人LR32。局部搬運室C12、局部搬運室C22、局部搬運室C32在本實施形態中，相對於積層單元組G15，配置在與主搬運室5相反之側。
若著眼於各層的構成，則在第1層S1中，在主搬運室5的一側，沿主搬運室5的俯視時的長邊方向，配置有一對液體處理單元M11、液體處理單元M12，在所述一對液體處理單元M11、液體處理單元M12之間，配置有一對固化單元D11、固化單元D12及一個局部搬運機器人LR11。一對固化單元D11、固化單元D12在本實施形態中，為上下積層。固化單元D11、固化單元D12配置在接近主搬運室5的位置上，在相對於固化單元D11、固化單元D12與主搬運室5相反之側配置有局部搬運機器人LR11。
局部搬運機器人LR11配置在局部搬運室C11內。局部搬運機器人LR11可進入至一對液體處理單元M11、液體處理單元M12及一對固化單元D11、固化單元D12。
局部搬運機器人LR11是以如下方式運行：搬出一個在液體處理單元M11、液體處理單元M12中已結束成膜處理液膜形成處理的基板W，且將所述基板W搬入至一對固化單元D11、固化單元D12中的任一者。又，局部搬運機器人LR11是以如下方式運行：搬出一個在固化單元D11、固化單元D12中已結束固化處理的基板W，且將所述基板W搬入至一對液體處理單元M11、液體處理單元M12中的任一者進行去除處理。
在第1層S1中，主搬運室5的另一側的單元配置亦是 同樣。即，在主搬運室5的另一側，沿主搬運室5的俯視時的長邊方向，配置有一對液體處理單元M13、液體處理單元M14，在所述一對液體處理單元M13、液體處理單元M14之間配置有一對固化單元D13、固化單元D14及一個局部搬運機器人LR12。一對固化單元D13、固化單元D14為上下積層。該些固化單元D13、固化單元D14配置在接近主搬運室5的位置上，在相對於固化單元D13、固化單元D14與主搬運室5相反之側劃分出局部搬運室C12，在此處收容有局部搬運機器人LR12。
局部搬運機器人LR12可進入至一對液體處理單元M13、液體處理單元M14及一對固化單元D13、固化單元D14。局部搬運機器人LR12是以如下方式運行：搬出一個在液體處理單元M13、液體處理單元M14中已結束處理的基板W，將所述基板W搬入至一對固化單元D13、固化單元D14中的任一者。又，局部搬運機器人LR12是以如下方式運行：搬出一個在固化單元D13、固化單元D14中已結束固化處理的基板W，將所述基板W搬入至一對液體處理單元M13、液體處理單元M14中的任一者進行去除處理。
第2層S2及第3層S3的單元配置及各層的局部搬運機器人LR的動作亦是同樣。第2層S2包括配置在主搬運室5的一側的一對液體處理單元M21、液體處理單元M22、一對固化單元D21、固化單元D22及一個局部搬運機器人LR21，進而包含配置在主搬運室5的另一側的一對液體處理單元M23、液體處理單元 M24、一對固化單元D23、固化單元D24及一個局部搬運機器人LR22。第3層S3包含配置在主搬運室5的一側的一對液體處理單元M31、液體處理單元M32、一對固化單元D31、固化單元D32及一個局部搬運機器人LR31，進而包含配置在主搬運室5的另一側的一對液體處理單元M33、液體處理單元M34、一對固化單元D33、固化單元D34及一個局部搬運機器人LR32。
如上所述，在本實施形態中，液體處理單元M與固化單元D為平面地配置(水平配置)，由此可一面抑制基板處理裝置1B的總高，一面具備多個液體處理單元M及固化單元D。
配置在主搬運室5的一側的3個局部搬運機器人LR11、局部搬運機器人LR21、局部搬運機器人LR31在本實施形態中，俯視時，分別配置於重合的3個局部搬運室C11、局部搬運室C21、局部搬運室C31內。亦可將所述3個局部搬運室C11、局部搬運室C21、局部搬運室C31設為上下連通的一個局部搬運室C。又，亦可在所述一個局部搬運室C內配置一個局部搬運機器人LR。此時，相對於局部搬運室C在載體保持部2側，配置有積層著3個液體處理單元M11、液體處理單元M21、液體處理單元M31的積層單元組G11，在遠離載體保持部2之側，配置有積層著3個液體處理單元M12、液體處理單元M22、液體處理單元M32的積層單元組G13，在主搬運室5側配置有積層著6個固化單元D11、固化單元D12、固化單元D21、固化單元D22、燥單元D31、固化單元D32的積層單元組G12。配置在局部搬運室C內的一個局部 搬運機器人LR可進入至構成該些3個積層單元組G11~積層單元組G13的共計12個單元。
此時，局部搬運機器人LR亦可以如下方式運行：將在某個液體處理單元M中已結束成膜處理液膜形成的一個基板W搬入至位於同一層內的固化單元D。又，局部搬運機器人LR亦可以如下方式運行：將在某個固化單元D中已結束固化處理的一個基板W搬入至位於同一層內的液體處理單元M，以進行去除處理。又，局部搬運機器人LR亦可將在某個液體處理單元M中已結束成膜處理液膜形成的一個基板W，搬入至可進入的6個固化單元D之中的任意一個。一般而言，藉由將基板W搬入至不用於處理的固化單元D，可提高生產率。而且，局部搬運機器人LR亦可將在某個固化單元D中已結束固化處理的一個基板W搬入至可進入的6個液體處理單元M之中的任意一個，以進行去除處理。一般而言，藉由將基板W搬入至不用於處理的液體處理單元M，可提高生產率。當然，關於主搬運室5的相反側，亦可設為同樣的構成。
如自圖1A及圖6A的比較可知，藉由本實施形態的構成，可縮小基板處理裝置1B的佔用面積(足跡)。此外，如自圖5B及圖6B等的比較可知，藉由本實施形態的構成，可將更多的單元配置在相同高度的空間內。換而言之，能夠以更低的高度構成相同單元數量的基板處理裝置。
[第4實施形態]
圖7是用以說明本發明的第4實施形態的基板處理裝置1C的構成的圖解性的立面圖，表示主搬運室的一側的構成。在主搬運室5(參照圖5A等)的一側，配置有一對積層單元組G21、積層單元組G22，在該些積層單元組G21、積層單元組G22之間配置有局部搬運機器人LR1、局部搬運機器人LR2。在本例中，一個積層單元組G21是將3個液體處理單元M1、液體處理單元M2、液體處理單元M3積層成三層而構成。另一個積層單元組G22包含一個液體處理單元M4、以及依次積層於所述液體處理單元M4上的4個固化單元D1~固化單元D4。在主搬運室5的相反側亦設置有同樣的構成。主搬運機器人CR可進入至配置在主搬運室5的一側的4個液體處理單元M1~液體處理單元M4，並且可進入至同樣地配置於主搬運室5的相反側的4個液體處理單元。主搬運機器人CR亦可構成為可進入至配置在主搬運室5的一側的4個固化單元D1~固化單元D4，並且可進入至同樣地配置於主搬運室5的相反側的4個固化單元。
在本例中，在主搬運室5的一側，設置有兩個局部搬運機器人LR1、局部搬運機器人LR2，該些局部搬運機器人LR1、局部搬運機器人LR2配置在一個局部搬運室C內。例如，下側的局部搬運機器人LR1亦可進入至3個液體處理單元M1、液體處理單元M2、液體處理單元M4及兩個固化單元D1、固化單元D2。而且，上側的局部搬運機器人LR2亦可進入至兩個液體處理單元M2、液體處理單元M3及4個固化單元D1~固化單元D4。該些 局部搬運機器人LR1、局部搬運機器人LR2是以如下方式運行：將藉由液體處理單元M1~液體處理單元M4而形成有成膜處理液後的基板W搬入至任一個固化單元D1~固化單元D4。又，局部搬運機器人LR1、局部搬運機器人LR2是以如下方式運行：將經固化單元D1~固化單元D4固化處理後的基板W搬入至任一個液體處理單元M1~液體處理單元M4，以進行去除處理。在主搬運室5的相反側亦設置有同樣的構成，兩個局部搬運機器人的動作亦是同樣。固化處理後的基板W的搬運亦可由主搬運機器人CR來進行。即，主搬運機器人CR亦可以如下方式運行：將在某個固化單元D中經固化處理的基板W搬入至任一個液體處理單元M中。
[第5實施形態]
圖8是用以說明本發明的第5實施形態的基板處理裝置1D的構成的圖解性的俯視圖。在本實施形態中，設置有3個積層單元組G31、積層單元組G32、積層單元組G33。第1積層單元組G31是多層(在本實施形態中為三層)地積層液體處理單元M11、液體處理單元M21、液體處理單元M31而構成。第2積層單元組G32沿載體保持部2中的載體3的排列方向，與第1積層單元組G31相對向。所述第2積層單元組G32是多層地積層液體處理單元M12、液體處理單元M22、液體處理單元M32而構成。第3積層單元組G33配置在第1積層單元組G31與第2積層單元組G32之間。第3積層單元組G33是多層(本實施形態中為6層)地積 層固化單元D1~固化單元D6而構成，具有與圖6A及圖6B所示的積層單元組G12、積層單元組G15類似的構成。在相對於固化單元D1~固化單元D6與主搬運機器人CR相反之側配置有局部搬運室C。在局部搬運室C內，配置有局部搬運機器人LR。局部搬運機器人LR亦可在與液體處理單元M11、液體處理單元M12，液體處理單元M21、液體處理單元M22及液體處理單元M31、液體處理單元M32相對應的各層各設置有一個。又，亦可針對配置在多層(例如所有層)上的液體處理單元M設置有共同使用的一個局部搬運機器人LR。
主搬運機器人CR配置在主搬運室5A內。主搬運室5A是劃分在第1積層單元組G31~第3積層單元組G33與索引機器人IR之間。索引機器人IR與主搬運機器人CR之間的基板W的交接亦可經由暫時保持基板W的基板交接單元7來進行。主搬運機器人CR將自索引機器人IR經由基板交接單元7接收到的未處理的基板W，搬入至第1積層單元組G31或第2積層單元組G32中所含的一個液體處理單元M。將經所述液體處理單元M處理後的基板W藉由局部搬運機器人LR而搬出，且搬入至所述局部搬運機器人LR可進入的固化單元D1~固化單元D6中的任一者。將經所述固化單元D處理後的基板W藉由局部搬運機器人LR而取出，且搬入至所述局部搬運機器人LR可進入的液體處理單元M，以進行去除處理。將在所述液體處理單元M中已結束去除處理等的基板W藉由主搬運機器人CR而取出，且經由基板交接單 元7遞交至索引機器人IR。
經固化單元D固化處理後的基板W亦可藉由主搬運機器人CR，搬入至液體處理單元M，以進行去除處理。
[第6實施形態]
圖9是用以說明本發明的第6實施形態的基板處理裝置的構成的圖，表示固化單元D的構成例。所述固化單元D具有構成真空腔室的固化室111。在固化室111上，連接有排氣管112。排氣管112與真空泵等排氣單元113連接。在排氣管112上，插裝有排氣閥110。
在固化室111內，在側壁115上形成有用於藉由局部搬運機器人LR而搬入/搬出基板W的基板搬入/搬出開口114。
此外，在固化室111內，亦可在側壁117上形成有用於藉由主搬運機器人CR而搬出固化處理後的基板W的基板搬出開口116。此時，較佳為以如下方式構成：設置有用以使基板搬出開口116開關的擋板118，擋板118是藉由擋板驅動單元119而驅動。又，較佳為在擋板118的與固化室111相對向的表面上，設置有作為密封構件的O型環120。此時，擋板118被按壓至固化室111的側壁117，由此，經由O型環120使基板搬出開口116氣密地密閉。當主搬運機器人CR搬出藉由固化單元D而處理完畢的基板W時，擋板驅動單元119對擋板118進行驅動而打開基板搬出開口116。主搬運機器人CR的手HC進入至所述經打開的基板搬出開口116。
另一方面，基板搬入/搬出開口114藉由局部搬運機器人LR的手LH中所具備的蓋構件125而開關。在蓋構件125的與固化室111相對向的表面上，設置有作為密封構件的O型環126。局部搬運機器人LR是以如下方式運行：將藉由液體處理單元M而形成有成膜處理液膜10後的基板W搬入至固化室111，然後經由O型環126將蓋構件125按壓至固化室111的側壁115。由此，使基板搬入/搬出開口114氣密地堵塞。
在固化室111的頂板面上，設置有用以將惰性氣體導入至固化室111內的空間的惰性氣體噴嘴71A。關於所述惰性氣體噴嘴71A，具備與圖3所示的固化單元的情況同樣的構成，對惰性氣體噴嘴71A供給惰性氣體。圖9中，對與圖3的各部相對應的部分標註相同的參照符號，並省略說明。
固化單元D的動作的概要如下所述。
在基板搬出開口116被擋板118堵塞的狀態下，局部搬運機器人LR將基板W搬入至固化室111。所述基板W是在其上表面形成有成膜處理液膜10的狀態的基板。局部搬運機器人LR使手LH進入至固化室111內，並且將蓋構件125按壓至固化室111的側壁115的外表面而堵塞基板搬入/搬出開口114。如此一來，固化室111內成為氣密的密閉空間。藉由在所述狀態下，打開排氣閥110，使排氣單元113運轉，而使固化室111內的空間減壓至低於大氣壓的壓力。由此，基板W上的成膜處理液膜10乾燥而固化。
在固化室111內的空間的減壓開始為止之前的期間內，打開惰性氣體閥73，自惰性氣體噴嘴71向固化室111內供給惰性氣體。由此，使固化室111內保持為低濕度的空間。當固化室111內的減壓開始後，關閉惰性氣體閥73，以不阻礙減壓。
如上所述，當基板W上的成膜處理液膜10的固化結束後，使排氣單元113運行停止，且根據需要打開惰性氣體閥73。由此，使固化室111內的空間恢復至大氣壓。接著，局部搬運機器人LR使保持著形成有固化膜10S的基板W的手LH後退而自固化室111退出。繼而，局部搬運機器人LR將所述基板W搬運至液體處理單元M，以進行去除處理。
當利用主搬運機器人CR進行固化處理後的基板W的搬運時，擋板驅動單元119使擋板118自基板搬出開口116退避，由此，打開基板搬出開口116。其後，主搬運機器人CR使手HC進入至固化室111內，自局部搬運機器人LR的手LH接收固化處理完畢的基板W，且自基板搬出開口116搬出所述基板W。
如上所述，藉由在局部搬運機器人LR的手LH上設置蓋構件125，可省略用以使基板搬入/搬出開口114開關的擋板驅動機構。又，可利用局部搬運機器人LR的手LH在固化室111內進行基板W的保持，故而無需在固化室111內設置基板保持機構。藉由減壓而進行的成膜處理液膜10的固化可在短時間內進行，因此不可能因為藉由局部搬運機器人LR的手LH來保持固化處理中的基板W而對生產率造成大的影響。
又，藉由利用手LH將基板W搬運至固化室111的動作，可利用蓋構件125使基板搬入/搬出開口114密閉，從而可直接在固化室111內保持基板W而進行固化處理。因此，可省略基板搬入/搬出開口114的開關專用的動作及基板W的交接動作，故而可縮短整個步驟的所需時間，從而可提高生產率。具體而言，可省略用於基板搬入/搬出開口的擋板開關時間、基板搬入時手LH自固化室111退出的時間、基板搬出時手LH進入至固化室111的時間、用於將基板置於頂升銷上的動作的時間、用於自頂升銷接收基板的動作的時間、使頂升銷上升及下降的時間等。此外，當利用局部搬運機器人LR搬運固化處理後的基板W時，亦可省略基板搬入/搬出開口114的開關時間、與主搬運機器人CR進行基板W的交接所需要的時間等。
此外，亦可與藉由減壓的固化處理同時，對基板W進行加熱。具體而言，亦可藉由利用手加熱單元97A(參照圖4)對局部搬運機器人LR的手LH進行加熱，而對基板W進行加熱。又，亦可在固化室111內具備藉由輻射熱或電磁波照射而對基板W進行加熱的加熱單元127，利用所述加熱單元127，對保持於手LH上的基板W進行加熱。
[第7實施形態]
圖10是用以說明本發明的第7實施形態的圖，表示對局部搬運機器人LR的手LH進行洗滌的手洗滌單元(臂洗滌單元)的構成。
在以上所述的實施形態中，是在局部搬運室C內具備用於對手LH進行洗滌的構成。與此相對，在本實施形態中，例如，如圖8中以虛擬線所示，與局部搬運室C鄰接而設置有手洗滌單元170。
手洗滌單元170包括與局部搬運室C鄰接而設置的手洗滌室171、配置在手洗滌室內的手洗滌噴嘴172、及用於使手洗滌室171內減壓至低於大氣壓的壓力的排氣單元173。
手洗滌室171構成真空腔。在手洗滌室171的底部175，連接有排氣/排液管176。排氣/排液管176經由排氣管176A，與真空泵等排氣單元173連接。在排氣管176A上，插裝有排氣閥177。排氣/排液管176進而經由排液閥178與排液管176B連接。
在手洗滌室171內，在側壁174上形成有用以插入局部搬運機器人LR的手LH的開口180。開口180是藉由局部搬運機器人LR的手LH上所具備的蓋構件125而開關。在蓋構件125的與手洗滌室171相對向的表面上，設置有作為密封構件的O型環126。局部搬運機器人LR在未搬運基板W時，以如下方式運行，即，自開口180向手洗滌室171插入手LH，然後，經由O型環126將蓋構件125按壓至手洗滌室171的側壁174。由此，使開口180氣密地堵塞。
手洗滌噴嘴172例如，配置在手洗滌室171的頂板面上。手洗滌噴嘴172對已插入至手洗滌室171的手LH噴出洗滌液。手洗滌噴嘴172亦可為呈淋浴狀噴出洗滌液的淋浴噴嘴 (shower nozzle)。在手洗滌噴嘴172上，連接有洗滌液配管185。洗滌液配管185與洗滌液供給源186連接。洗滌液供給源186供給可使成膜處理液溶解的洗滌液，例如有機溶劑。在洗滌液配管185上，插裝有使洗滌液流路開關的洗滌液閥187。
手洗滌單元170的動作的概要如下所述。
局部搬運機器人LR使手LH進入至手洗滌室171內，並且，將蓋構件125按壓至手洗滌室171的側壁174的外表面而堵塞開口180。如此一來，手洗滌室171內成為氣密的密閉空間。在所述狀態下，打開排液閥178。繼而，藉由打開洗滌液閥187，而自手洗滌噴嘴172向手LH供給洗滌液。由此，對手LH進行洗滌。洗滌液向底部175落下，通過排氣/排液管176，進而通過排液閥178而向排液管176B排出。
當自手洗滌噴嘴172噴出洗滌液僅規定時間時，關閉洗滌液閥187，使洗滌液的噴出停止。繼而，關閉排液閥178，取而代之，打開排氣閥177，使排氣單元173運轉。由此，使手洗滌室171內的空間減壓至低於大氣壓的壓力。由此，手LH上的液體成分蒸發，從而使手LH乾燥。
當如上所述手LH的洗滌及乾燥結束後，使排氣單元173運行停止，且根據需要打開排液閥178。由此，使手洗滌室171內的空間恢復至大氣壓。接著，局部搬運機器人LR使手LH後退而自手洗滌室171退出。
亦可與手洗滌室171的減壓同時，對基板W進行加熱。 具體而言，亦可藉由利用手加熱單元97A(參照圖4)對局部搬運機器人LR的手LH進行加熱，而對基板W進行加熱。由此，可促進手LH的乾燥。又，亦可在手洗滌室171內具備藉由輻射熱或電磁波照射而對手LH進行加熱的加熱單元188，促進手LH的乾燥。
如上所述，在所述實施形態中，與局部搬運室C鄰接而設置有手洗滌室171(臂洗滌室)，因而當局部搬運機器人LR未搬運基板W時，可在手洗滌室171中對手LH進行洗滌。而且，由於在手洗滌室171內配置有手洗滌噴嘴172(臂洗滌噴嘴)，故可一面抑制洗滌液進入至局部搬運室C內，一面對手LH進行洗滌。由此，可抑制洗滌液對基板W的影響。又，藉由使手洗滌室171減壓，可使藉由洗滌液而洗滌後的手LH迅速乾燥。
[第8實施形態]
圖11是用以說明本發明的第8實施形態的基板處理裝置的構成的圖，是圖解性地表示可代替以上所述的固化單元而使用的固化單元的構成例的剖面圖。
在所述實施形態中，固化單元D具有與圖3所示的構成相似的構成，進而包括作為基板冷卻單元的冷卻板80。亦可代替圖3所示的構成，使用與圖9所示的構成相似的構成。圖10中，表示具備與圖3所示的構成相似的構成的示例。
冷卻板80配置在底座部81上，在其上表面上保持基板W且自下表面進行冷卻。貫通冷卻板80而配置有多個(3根以上) 頂升銷84。頂升銷84藉由頂升銷升降單元85而上下移動，由此，在冷卻板80上使基板W上下移動。
基板處理裝置進而包括將已結束固化室51中的固化處理的基板W搬運至冷卻板80為止的第2局部搬運機器人150。第2局部搬運機器人150包括保持基板W的手151、及使手151移動的手驅動單元152。手驅動單元152使手151在基板固持器52的上方(第1基板保持位置)與冷卻板80的上方(第2基板保持位置)之間往返移動。在進行手151與頂升銷54、頂升銷84之間的基板W的交接時，使頂升銷54、頂升銷84升降。當然，手驅動單元152亦可設為使基板W升降而與頂升銷54、頂升銷84交接基板W的構成。
在固化室51內，一面利用基板固持器52對基板W進行加熱，一面使固化室51內的固化處理空間50減壓，從而使基板W的表面的成膜處理液膜10固態化，形成固化膜10S。
在所述固化處理之後，使固化處理空間50恢復至大氣壓，而打開活動蓋部512。如此一來，在底座部511與活動蓋部512之間形成用以搬出基板W的開口。繼而，藉由頂升銷54，使固化處理完畢的基板W向基板固持器52的上方抬起。於是，第2局部搬運機器人150使其手151經由底座部511與活動蓋部512之間所形成的開口而進入。其後，藉由頂升銷54下降，而將固化處理完畢的基板W遞交至手151。繼而，第2局部搬運機器人150對手151進行驅動，使所述基板W移動至冷卻板80的上方為止。 在所述狀態下，頂升銷升降單元85使頂升銷84上升，從而自手151接收基板W。手151自冷卻板80的上方退避之後，頂升銷84下降，由此，將基板W載置於冷卻板80上。
冷卻板80使基板W冷卻至常溫為止。其後，頂升銷84抬起基板W，局部搬運機器人LR的手LH接收所述基板W而搬出至固化單元D外。當利用主搬運機器人CR進行固化處理後的基板W的搬運時，主搬運機器人CR的手HC自頂升銷84接收基板W而搬出至固化單元D外。
如上所述，為利用冷卻板80使固化處理後的基板W冷卻的構成，故而可縮短固化單元D中的處理時間，因此可提高生產率。由於利用與主搬運機器人CR不同的第2局部搬運機器人150來進行在固化室51內經加熱的基板W的搬運，故可避免過多的熱蓄積於主搬運機器人CR，從而可抑制熱對主搬運機器人CR所搬運的基板W的影響。
以上，已對本發明的實施形態進行說明，但本發明可進而藉由其他形態來實施。
例如，在以上所述的實施形態中，固化單元D是構成為使固化室51、固化室111內減壓而進行減壓乾燥，但固化單元D並不需要具備用於減壓的構成。例如，固化單元D亦可構成為在大氣壓中對基板W進行加熱，而使成膜處理液膜10固化。又，亦可構成為自惰性氣體供給源74供給經加熱的惰性氣體，利用所述惰性氣體所形成的暖風來促進成膜處理液膜10的乾燥及固化。
在所述圖1A、圖1B，圖5A、圖5B，圖6A、圖6B及圖7的構成中，亦可在索引機器人IR與主搬運機器人CR之間，配置有暫時保持基板W的基板交接單元，從而與圖8的構成的情況同樣地，進行該些機器人之間的基板交接。
本申請案對應於2017年3月27日向日本專利局提交的日本專利特願2017-061381號，所述申請案的所有揭示內容均藉由引用而編入於本文。
對本發明的實施形態已作詳細說明，但該些實施形態僅為用以闡明本發明的技術內容的具體例，本發明不應限定於該些具體例來解釋，本發明的範圍僅藉由隨附的申請專利範圍而限定。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 液體處理單元，在處理室內對基板的表面供給處理液，在基板的表面上形成處理液膜； 固化單元，在固化室內使所述處理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜； 去除處理單元，在去除室內將用以去除所述固化膜的去除液供給至所述基板的表面； 主搬運單元，向所述處理室搬入基板，並自所述去除室搬出基板；以及 局部搬運單元，自所述處理室搬出基板並向所述固化室搬入基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述主搬運單元配置在主搬運室內，所述局部搬運單元配置在與所述主搬運室隔離的局部搬運室內。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述固化單元包含對所述基板進行加熱的加熱單元。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述局部搬運單元進而自所述固化室搬出基板，並向所述去除室搬入基板。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中所述局部搬運單元包括自所述處理室搬出基板並向所述固化室搬入基板的第1搬運臂、以及自所述固化室搬出基板並向所述去除室搬入基板的第2搬運臂。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述液體處理單元包括： 基板保持單元，水平地保持基板；以及 處理液噴出單元，對保持於所述基板保持單元上的基板噴出處理液。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中所述處理室與所述去除室為相同的室。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述局部搬運單元具有保持基板並通過局部搬運室的搬運臂， 所述基板處理裝置進而包括：臂洗滌噴嘴，設置在所述局部搬運室內，噴出對所述搬運臂進行洗滌的洗滌液。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理裝置，其中所述局部搬運室包括接收所述洗滌液的底部、及排出所述底部所接收的洗滌液的排液單元。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述局部搬運單元具有保持基板的搬運臂， 所述基板處理裝置進而包括：臂洗滌噴嘴，設置在所述搬運臂上，噴出用以洗滌所述搬運臂的洗滌液。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述局部搬運單元具有保持基板並通過局部搬運室的搬運臂， 所述基板處理裝置進而包括： 臂洗滌室，與所述局部搬運室鄰接而設置； 臂洗滌噴嘴，配置在所述臂洗滌室內，噴出用以洗滌所述搬運臂的洗滌液；以及 減壓單元，使所述臂洗滌室內減壓至低於大氣壓的壓力而使所述搬運臂乾燥。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理裝置，其中 所述去除處理單元包括： 基板保持單元，在所述去除室內水平地保持基板；以及 去除液噴出單元，對保持於所述基板保持單元上的基板噴出去除液。
  13. 一種基板處理方法，包括： 處理液膜形成步驟，對基板的表面在處理室內供給處理液，在基板的表面上形成處理液膜； 第1局部搬運步驟，所述處理液膜形成步驟之後，將所述基板搬運至固化室； 固化膜形成步驟，在所述固化室內使所述處理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜； 第2局部搬運步驟，在所述固化膜形成步驟之後，將所述基板搬運至去除室； 去除處理步驟，在所述去除室內將用以去除所述固化膜的去除液供給至所述基板的表面；以及 主搬運步驟，利用主搬運單元，向所述處理室搬入基板，並自所述去除室搬出基板。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的基板處理方法，其中在所述主搬運步驟中通過主搬運室而搬運所述基板，在所述第1局部搬運步驟中，通過與所述主搬運室隔離的局部搬運室而搬運所述基板。
  15. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的基板處理方法，其中所述固化膜形成步驟包括利用加熱單元對所述基板進行加熱的加熱步驟。
  16. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的基板處理方法，其中所述第1局部搬運步驟及所述第2局部搬運步驟是藉由共同的局部搬運單元來執行。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的基板處理方法，其中藉由所述局部搬運單元的第1搬運臂來進行所述第1局部搬運步驟，藉由所述局部搬運單元的第2搬運臂來進行所述第2局部搬運步驟。
  18. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的基板處理方法，其中進而包括：臂洗滌步驟，對所述局部搬運單元的搬運臂供給洗滌液。
  19. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的基板處理方法，其中所述處理室及所述去除室為共同的室。
  20. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的基板處理方法，其中在所述處理液膜形成步驟之前，執行對基板進行洗滌的洗滌步驟。
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