TWI686856B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置包括：液體處理單元，在處理室內將處理液供給至基板的表面；乾燥單元，在乾燥室內使基板表面的處理液乾燥；主搬運單元，將基板搬入至所述處理室；本地搬運單元，自所述處理室將基板搬運至所述乾燥室；以及防乾燥流體供給單元，在利用所述本地搬運單元搬運基板的期間，將防止所述基板表面的處理液的乾燥的防乾燥流體供給至所述基板表面。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明是有關於一種對基板利用處理液進行處理之後加以乾燥的基板處理裝置以及基板處理方法。在成為處理的對象的基板中，例如包含半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、場發射顯示器(Field Emission Display，FED)用基板、光碟(disk)用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomasks)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置等的製造步驟中，是使用利用處理液對基板進行處理的基板處理裝置。此種基板處理裝置例如包括對基板供給處理液，然後使基板乾燥的處理單元(unit)。典型的處理單元包括保持基板並使其旋轉的自旋夾盤(spin chuck)、對基板供給藥液的藥液噴嘴(nozzle)、以及對基板供給清洗(rinse)液的清洗液噴嘴。此種處理單元執行藥液步驟、清洗步驟及自旋乾燥步驟。在藥液步驟中，自藥液噴嘴對藉由自旋夾盤而旋轉著的基板的表面供給藥液。在清洗步驟中，停止藥液的供給，自清洗液噴嘴對藉由自旋夾盤而旋轉著的基板的表面供給清洗液，將基板 上的藥液替換成清洗液。在自旋乾燥步驟中，停止清洗液的供給，藉由自旋夾盤而使基板高速旋轉，將基板上的清洗液甩掉。
作為典型的清洗液的去離子水(deionized water，DIW)是表面張力大的液體。因此，在自旋乾燥步驟中使清洗液甩掉時，基板上的微細圖案(pattern)有可能因表面張力而倒塌。
因此，已提出如下方法：在利用DIW對基板上的藥液進行替換之後，利用表面張力更低的異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)來替換基板上的DIW，將所述IPA排除至基板外。然而，當藉由自旋乾燥而進行IPA的排除後，可能產生基板表面的微細圖案的倒塌。
因此，專利文獻1已提出如下方法：將IPA供給至基板上之後，對基板進行加熱而將IPA的氣相膜形成於微細圖案之間及微細圖案的上方，利用所述氣相膜對IPA的液膜進行支撐，在所述狀態下將IPA液膜排除至基板外。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-112652號公報
專利文獻1的方法是可不使基板旋轉而將IPA排除至基板外的優異方法，可抑制基板上的微細圖案的倒塌。
IPA是表面張力小於DIW的液體，IPA的氣液界面與微 細圖案接觸的時間越長，所述表面張力波及至微細圖案的能量(energy)越大。因此，藉由使IPA的氣液界面與微細圖案接觸的時間最小化，可更確實地抑制或防止微細圖案的倒塌。
本案發明者為了自基板表面瞬間去除IPA等低表面張力液體，將表面具有低表面張力液體的液膜的基板配置在減壓室內，而使減壓室內的氣壓降低的構成已進行探討。
但是，進行液體處理的處理室為了收容自旋夾盤等大零件，具有大容積，從而使此種大容積的空間瞬間減壓極難。
因此，必須與液體處理單元的處理室另外地準備小容積的減壓室，因此，產生將已結束液體處理的基板搬運至減壓室的必要。
然而已知的是，若進行如上所述的搬運，則在所述搬運過程中基板上的低表面張力液體會開始乾燥，而且所述乾燥會在基板面內不均勻地產生。因此，在抵達至減壓室之前，基板上的微細圖案會倒塌。
此種課題並不限於在利用IPA等低表面張力液體液進行處理之後進行減壓乾燥時，而是廣泛出現於利用液體處理單元進行基板處理之後在所述液體處理單元內執行難以執行的乾燥步驟時的課題。
本發明的一個目的在於提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，能夠一面維持著經液體處理單元處理後的基板表面的狀態，一面將基板搬運至乾燥單元而良好地進行基板表面的乾 燥處理。
本發明的一個實施形態提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，用以將低表面張力液體供給至基板表面之後，一面抑制或防止基板表面的圖案的倒塌，一面藉由減壓步驟而自基板表面排除所述低表面張力液體。
本發明的一實施形態的基板處理裝置包括：液體處理單元，在處理室內將處理液供給至基板的表面；乾燥單元，在乾燥室內使基板表面的處理液乾燥；主搬運單元，將基板搬入至所述處理室；本地(local)搬運單元，自所述處理室將基板搬運至所述乾燥室；以及防乾燥流體供給單元，在利用所述本地搬運單元搬運基板的期間，將防止所述基板表面的處理液的乾燥的防乾燥流體供給至所述基板表面。
根據所述構成，將處理對象的基板藉由主搬運單元，搬入至液體處理單元的處理室。在液體處理單元中，在處理室內對基板供給處理液，利用所述處理液對基板進行處理。然後，將基板自處理室搬運至乾燥室，在乾燥室內執行用以使基板表面的處理液乾燥的乾燥處理。自處理室向乾燥室的基板的搬運是藉由與主搬運單元另外地設置的本地搬運單元來進行。由此，可抑制處理液對主搬運單元及可能存在於主搬運單元的活動範圍內的零件或其他基板造成影響。
另一方面，在利用本地搬運單元進行搬運的期間，對所 述搬運中的基板的表面，供給防止處理液的乾燥的防乾燥流體。因此，經液體處理單元處理的基板保持著所述處理後的狀態，搬入至乾燥室，而受到乾燥單元的乾燥處理。由此，可抑制藉由本地搬運單元而搬運中的基板表面的不經意而無法控制的狀態下的乾燥。即，可在乾燥室內的經調整的環境中進行用以自基板的表面排除處理液的乾燥步驟。由此，可避免因不經意的乾燥而對基板造成的不良影響，從而良好地進行基板的乾燥。
在本發明的一實施形態中，所述液體處理單元包括水平地保持基板的基板保持單元、以及將處理液噴出至保持於所述基板保持單元上的基板的處理液噴出單元。所述液體處理單元亦可進而包括使保持於所述基板保持單元上的基板圍繞著沿鉛垂方向的旋轉軸線進行旋轉的基板旋轉單元。
在本發明的一實施形態中，所述防乾燥流體供給單元包括噴嘴，所述噴嘴包含在所述本地搬運單元的搬運臂(arm)中，朝向保持於所述搬運臂上的基板噴出防乾燥流體。
根據所述構成，自本地搬運單元的搬運臂中所具備的噴嘴向基板噴出防乾燥流體，故可對搬運中的基板表面確實地供給防乾燥流體。由此，可更確實地抑制藉由本地搬運單元而搬運中的基板表面的不經意的乾燥。
在本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置進而包括臂冷卻單元，所述臂冷卻單元使所述本地搬運單元的搬運臂冷卻至搬運時的基板的溫度以下(例如常溫以下)。
藉由所述構成，可避免在利用本地搬運單元進行搬運中對基板進行加溫。由此，可抑制基板表面的處理液的蒸發，故可進一步抑制基板表面的不經意的乾燥。
在本發明的一實施形態中，所述乾燥單元包括使所述乾燥室內減壓至低於大氣壓的壓力的減壓單元。藉由所述構成，可藉由利用減壓單元使乾燥室內減壓至低於大氣壓的壓力，而使基板表面的液體成分蒸發，由此達成基板表面的乾燥。藉由減壓而達成的基板表面的乾燥是迅速(例如瞬間)完成，因此可一面抑制處理液的表面張力對基板、特別是形成於基板表面上的圖案所造成的影響，一面進行乾燥步驟。
在本發明的一實施形態中，所述乾燥單元進而包括在所述乾燥室內對基板的表面供給防乾燥流體的噴嘴。藉由在乾燥室內，對基板的表面供給防乾燥流體，可避免在乾燥處理開始之前開始基板表面的不經意的乾燥。
例如，當使乾燥室內減壓時，較佳為停止防乾燥流體的供給，而迅速地進行乾燥室內的減壓。由此，可進一步減少處理液的表面張力對基板造成的影響。
在本發明的一實施形態中，所述乾燥單元包括在所述乾燥室內對基板進行加熱的基板加熱單元。
在本發明的一實施形態中，所述乾燥室的容積小於所述處理室的容積。藉由所述構成，可迅速地進行在乾燥室內的乾燥處理(例如減壓乾燥處理)，故可進一步縮短乾燥處理時間。由此， 可進一步減少處理液的表面張力對基板造成的影響。
在本發明的一實施形態中，在所述乾燥室內具備基板保持單元，自所述噴嘴對保持於所述基板保持單元上的基板的表面供給防乾燥流體。
在本發明的一實施形態中，所述本地搬運單元構成為按照通過本地搬運室的搬運路徑搬運基板，所述乾燥室與所述本地搬運室相連通。
藉由所述構成，在本地搬運室內進行自處理室向乾燥室的基板的搬運。由此，藉由本地搬運單元而搬運中的基板表面的處理液的影響只限於本地搬運室內。因此，可抑制處理液對主搬運單元等基板處理裝置的構成部分的影響。
在本發明的一實施形態中，所述乾燥室具有藉由所述本地搬運單元而搬入基板的搬入開口，所述本地搬運單元具有使所述搬入開口密閉的蓋單元。
藉由所述構成，本地搬運單元可自乾燥室的搬入開口搬入基板，並且藉由蓋單元而使所述搬入開口密閉。由此，無需另外準備搬入開口的開關機構。
在本發明的一實施形態中，所述本地搬運單元包括搬運基板的搬運臂，所述蓋單元設置在所述搬運臂上。藉由所述構成，藉由利用搬運臂將基板搬運至乾燥室的動作，可藉由蓋單元而使搬入開口密閉。
此時，搬運臂亦可承擔在乾燥室內保持基板的基板保持 單元的作用。由此，無需在乾燥室內設置另外的基板保持單元。特別是在如減壓乾燥，乾燥步驟所需的時間短的情況下，藉由設為在乾燥室內利用本地搬運單元的搬運臂保持基板的構成，可省略基板的交接，故可縮短整個步驟的所需時間，從而可提高生產率。
在本發明的一實施形態中，所述處理液是表面張力小於水的低表面張力液體。藉由所述構成，可降低處理液的表面張力對基板的影響。而且，可一面防止低表面張力液體的乾燥，一面利用本地搬運單元將基板搬運至乾燥室，在乾燥室內在受到控制的狀態下使低表面張力液體乾燥。由此，亦可抑制低表面張力液體的表面張力對基板的影響。
在本發明的一實施形態中，所述防乾燥流體包含所述處理液的蒸氣或液滴(霧氣(mist))。在所述構成中，在藉由本地搬運單元進行搬運中，基板表面的氣氛中的處理液蒸氣的濃度高。由此，可有效抑制處理液的蒸發。
在本發明的一實施形態中，所述處理液包含有機溶劑，所述防乾燥流體包含有機溶劑的蒸氣或液滴(霧氣)。有機溶劑是表面張力低於水的低表面張力液體的一例。藉由利用有機溶劑進行處理而結束在液體處理單元中的處理，可抑制表面張力對基板表面的影響。而且，在藉由本地搬運單元的搬運中將有機溶劑的蒸氣或液滴供給至基板表面，藉此可抑制基板表面的有機溶劑的乾燥。
作為處理液的有機溶劑與作為防乾燥流體的有機溶劑的蒸氣或液滴較佳為由同種的有機溶劑構成，但亦可為不同種類的有機溶劑。
在本發明的一實施形態中，所述主搬運單元配置在主搬運室內，所述本地搬運單元配置在與所述主搬運室隔離的本地搬運室內。藉由所述構成，可使防乾燥流體(例如有機溶劑的蒸氣或液滴)保留在本地搬運室內，故可抑制防乾燥流體對藉由主搬運單元而搬運的基板的影響。
本發明的一實施形態的基板處理方法包括：液體處理步驟，在處理室內將處理液供給至基板的表面；乾燥步驟，在乾燥室內使基板表面的處理液乾燥；主搬運步驟，利用主搬運單元將基板搬入至所述處理室；本地搬運步驟，利用本地搬運單元自所述處理室將基板搬運至所述乾燥室；以及防乾燥流體供給步驟，在所述本地搬運步驟中搬運基板的期間，將防止所述基板表面的處理液的乾燥的防乾燥流體供給至所述基板表面。
在所述基板處理方法的一實施形態中，在所述防乾燥流體供給步驟中，自所述本地搬運單元的搬運臂中所具備的噴嘴，向保持於所述搬運臂上的基板噴出防乾燥流體。
所述基板處理方法的一實施形態進而包括使所述本地搬運單元的搬運臂冷卻至搬運時的基板的溫度以下的臂冷卻步驟。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述乾燥步驟包 括使所述乾燥室內減壓至低於大氣壓的壓力的減壓步驟。
所述基板處理方法的一實施形態在所述乾燥步驟之前，進而包括在所述乾燥室內對基板的表面供給防乾燥流體的步驟。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述乾燥步驟包括在所述乾燥室內對基板進行加熱的基板加熱步驟。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述乾燥室的容積小於所述處理室的容積。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述乾燥室具有藉由所述本地搬運單元而搬入基板的搬入開口，所述方法在所述乾燥步驟之前，進而包含藉由所述本地搬運單元中所具備的蓋單元而使所述搬入開口密閉的步驟。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述處理液是表面張力小於水的低表面張力液體。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述防乾燥流體包含所述處理液的蒸氣或液滴。
在所述基板處理方法的一實施形態中，所述處理液包含有機溶劑，所述防乾燥流體包含有機溶劑的蒸氣或液滴。
所述特徵可藉由任意組合而組合。
本發明中的所述目的或進而其他目的、特徵及效果是藉由以下參照隨附圖式而描述的實施形態的說明來闡明。
1、1A、1B、1C、1D:基板處理裝置
2:載體保持部
3:載體
5、5A:主搬運室
7:基板交接單元
10:有機溶劑液膜
11:處理室
12:自旋夾盤
13:杯體
14:藥液噴嘴
15:清洗液噴嘴
16:有機溶劑噴嘴
17:馬達
18、89:旋轉軸線
19:遮斷板
19a:對向面
20:冷溫板
21:藥液配管
22:藥液閥
23:藥液供給源
26:清洗液配管
27:清洗液閥
28:清洗液供給源
31、72:有機溶劑配管
32、73:有機溶劑閥
33:有機溶劑供給源
35、36:處理室的側壁
37、114:基板搬入開口
38、116:基板搬出開口
39、40、118:擋板
41、42、119:擋板驅動單元
50:乾燥處理空間
51、111:減壓乾燥室
52:基板固持器
53、79:加熱器
53C:冷卻單元
54:頂升銷
55:頂升銷升降單元
56:蓋部驅動單元
58:活動蓋部的下端緣部
59:底座部的上表面
60、120、126:O型環
62:排氣配管
63、113:排氣單元
64、110:排氣閥
71、71A:有機溶劑蒸氣噴嘴
74:有機溶劑蒸氣供給源
75:槽罐
76:溫度調節單元
77:循環配管
78:泵
80:有機溶劑的液體
82:載氣配管
83:載氣閥
84:載氣供給源
90:手驅動單元
91、91A:有機溶劑氣體噴嘴
92:有機溶劑氣體配管
93:有機溶劑氣體閥
94:有機溶劑氣體供給源
97:手冷卻單元
98:冷媒通路
99:冷卻板
112:排氣管
115、117:側壁
125:蓋構件
130:噴嘴
131:配管
132:閥
133:防乾燥流體供給源
511:底座部
512:活動蓋部
C、C11-C14、C21-C24、C31、C32:本地搬運室
CR:主搬運機器人
D、D1-D6、D11-D14、D21-D24、D31-D34:乾燥單元
G1-G4、G11-G16、G21、G22:積層單元組
G31:第1積層單元組/積層單元組
G32:第2積層單元組/積層單元組
G33:第3積層單元組/積層單元組
HC:主搬運機器人的手
IR:分度器機器人
LH:本地搬運機器人的手
LR、LR1、LR2、LR11-LR14、LR21-LR24、LR31、LR32:本地搬運機器人
M、M1-M4、M11-M14、M21-M24、M31-M34:液體處理單元
S1:第1層
S2:第2層
S3:第3層
W:基板
圖1A是用以說明本發明的第1實施形態的基板處理裝置的構成的俯視圖。
圖1B是用以說明所述第1實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖。
圖2是用以說明所述基板處理裝置中所具備的液體處理單元的構成例的圖解性的剖面圖。
圖3是用以說明所述基板處理裝置中所具備的乾燥單元的構成例的圖解性的剖面圖。
圖4是用以說明所述基板處理裝置中所具備的本地搬運機器人的構成例的圖。
圖5A是用以說明本發明的第2實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的俯視圖。
圖5B是用以說明所述第2實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖。
圖6A是用以說明本發明的第3實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的俯視圖。
圖6B是用以說明所述第3實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖。
圖7是用以說明本發明的第4實施形態的基板處理裝置的構成的圖解性的立面圖，表示主搬運室的一側的構成。
圖8是用以說明本發明的第5實施形態的基板處理裝置的構 成的圖解性的俯視圖。
圖9是用以說明本發明的第6實施形態的基板處理裝置的構成的圖，表示乾燥單元的構成例。
以下，參照隨附圖式，對本發明的實施形態進行詳細說明。
圖1A是用以說明本發明的第1實施形態的基板處理裝置1的構成的俯視圖，圖1B是其立面圖。基板處理裝置1包括載體(carrier)保持部2、分度器機器人(indexer robot)IR、多個液體處理單元M11~液體處理單元M14、液體處理單元M21~液體處理單元M24(統稱時稱為「液體處理單元M」)、多個乾燥單元D11~乾燥單元D14、乾燥單元D21~乾燥單元D24(統稱時稱為「乾燥單元D」)、主搬運機器人CR、以及本地搬運機器人LR11~本地搬運機器人LR14、本地搬運機器人LR21~本地搬運機器人LR24(統稱時稱為「本地搬運機器人LR」)。主搬運機器人CR為主搬運單元的一例，本地搬運機器人LR為本地搬運單元的一例。
載體保持部2保持著以積層狀態保持多塊基板W的基板容器即載體3。在本實施形態中，載體保持部2是可保持多個載體3而構成。分度器機器人IR接入至保持於載體保持部2上的載體3而取放基板W，並且與主搬運機器人CR之間進行基板W的交接。
多個液體處理單元M及多個乾燥單元D在本實施形態 中，是以形成多層構造(在本實施形態中為兩層構造)的方式立體地配置。具體而言，如圖1A所示，俯視時，在自載體保持部2呈直線狀延伸的主搬運室5內配置有主搬運機器人CR，在主搬運室5的兩側沿主搬運室5各配置有兩個積層單元組G1、積層單元組G2及積層單元組G3、積層單元組G4。由此，俯視時，在主搬運機器人CR的周圍配置有4個積層單元組G1~積層單元組G4。
在基板處理裝置1的第1層S1及第2層S2中各配置有4個液體處理單元M11~液體處理單元M14、液體處理單元M21~液體處理單元M24，基板處理裝置1具備共計8個液體處理單元M。在第1層S1中，在主搬運室5的兩側沿主搬運室5各配置有兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12及液體處理單元M13、液體處理單元M14。在該些4個液體處理單元M11~液體處理單元M14上分別配置有4個乾燥單元D11~乾燥單元D14。此外，在第2層S2中，在主搬運室5的兩側沿主搬運室5各配置有兩個液體處理單元M21、液體處理單元M22及液體處理單元M23、液體處理單元M24。在所述4個液體處理單元M21~液體處理單元M24上分別配置有4個乾燥單元D21~乾燥單元D24。一個液體處理單元M與配置於其上的乾燥單元D形成相對應的對。
積層單元組G1是自下方起依次積層液體處理單元M11、乾燥單元D11、液體處理單元M21及乾燥單元D21而構成。積層單元組G2是自下方起依次積層液體處理單元M12、乾燥單元 D12、液體處理單元M22及乾燥單元D22而構成。積層單元組G3是自下方起依次積層液體處理單元M13、乾燥單元D13、液體處理單元M23及乾燥單元D23而構成。積層單元組G4是自下方起依次積層液體處理單元M14、乾燥單元D14、液體處理單元M24及乾燥單元D24而構成。
主搬運機器人CR可接入至共計8個液體處理單元M遞交基板W，並且可接入至共計8個乾燥單元D取出基板W，然後可與分度器機器人IR之間交接基板W。
本地搬運機器人LR在本實施形態中，在第1層S1中具備4個，在第2層S2中具備4個。更具體而言，俯視時，在第1層S1中，在主搬運室5的兩側各配置有兩個本地搬運機器人LR11、本地搬運機器人LR12及本地搬運機器人LR13、本地搬運機器人LR14。更進一步具體而言，在主搬運室5的一側，在第1層S1中，在載體保持部2與液體處理單元M11之間配置有一個本地搬運機器人LR11，在遠離載體保持部2之側的端部配置有另一個本地搬運機器人LR12。在主搬運室5的另一側的兩個本地搬運機器人LR13、本地搬運機器人LR14的配置亦是同樣。而且，第2層S2中的4個本地搬運機器人LR21、本地搬運機器人LR22及本地搬運機器人LR23、本地搬運機器人LR24亦是同樣地配置。本地搬運機器人LR11~本地搬運機器人LR14、本地搬運機器人LR21~本地搬運機器人LR24分別配置在本地搬運室C11~本地搬運室C14、本地搬運室C21~本地搬運室C24(統稱時稱為 「本地搬運室C」)內。本地搬運室C形成有搬運空間，所述搬運空間被劃分成與主搬運室5分離(隔離)。
如此一來，針對各對的液體處理單元M及乾燥單元D，設置有一個本地搬運機器人LR。本地搬運機器人LR自所述液體處理單元M取出藉由液體處理單元M而處理後的基板W，搬運至所對應的乾燥單元D。
若對分度器機器人IR、主搬運機器人CR及本地搬運機器人LR的動作例進行概述，則如下所述。
即，分度器機器人IR自任一個載體3取出未處理的基板W，遞交至主搬運機器人CR。主搬運機器人CR將自分度器機器人IR接收到的基板W搬入至任一個液體處理單元M。液體處理單元M執行對所搬入的基板W的處理。將已藉由液體處理單元M而處理的基板W藉由本地搬運機器人LR加以搬出，且搬運至配置在其正上方的乾燥單元D。乾燥單元D使所搬入的基板W乾燥。將所述乾燥處理後的基板W藉由主搬運機器人CR加以搬出。主搬運機器人CR將所述基板W遞交至分度器機器人IR。分度器機器人IR將所遞交的基板W收納至任一個載體3上。
分度器機器人IR亦可以如下方式運行：將未處理的基板W遞交至主搬運機器人CR，在緊跟在其前、緊接於其後或同時，自主搬運機器人CR接收處理完畢的基板W。同樣地，主搬運機器人CR亦可以如下方式運行：自分度器機器人IR接收未處理的基板W，在緊跟在其前、緊接於其後或同時，將處理完畢的 基板W遞交至分度器機器人IR。此外，主搬運機器人CR亦可以如下方式運行：將未處理的基板W搬入至液體處理單元M，在緊接於其後或緊跟在其前自乾燥單元D搬出處理完畢的基板W。
如上所述，在本實施形態中，是將一個乾燥單元D對應於一個液體處理單元M。然後，將液體處理單元M與乾燥單元D加以積層。此外，針對一個液體處理單元M及一個乾燥單元D的對，設置有一個本地搬運機器人LR，本地搬運機器人LR可接入至該些液體處理單元M及乾燥單元D。本地搬運機器人LR自液體處理單元M搬出已藉由液體處理單元M而處理的基板W，向與所述液體處理單元M相對應的乾燥單元D搬送，而搬入至所述乾燥單元D。具體而言，本地搬運機器人LR將自液體處理單元M取出的基板W向垂直方向(更具體而言為上方)搬運。主搬運機器人CR將未處理的基板W搬入至液體處理單元M，且自乾燥單元D搬出處理後的基板W。
圖2是用以說明液體處理單元M的構成例的圖解性的剖面圖。液體處理單元M具備處理室11。在處理室11內，設置有水平地保持基板W並使其可旋轉的作為基板保持單元的自旋夾盤12、包圍著自旋夾盤12的杯體(cup)13、藥液噴嘴14、清洗液噴嘴15及有機溶劑噴嘴16。自旋夾盤12藉由作為基板旋轉單元的一例的馬達(motor)17而圍繞著鉛垂的旋轉軸線18旋轉。
在藥液噴嘴14上，結合有藥液配管21。在藥液配管21的途中，插裝有使藥液通路開關的藥液閥(valve)22。對藥液配 管21，自藥液供給源23供給藥液。在清洗液噴嘴15上，結合有清洗液配管26。在清洗液配管26的途中，插裝有使清洗液通路開關的清洗液閥27。對清洗液配管26，自清洗液供給源28供給清洗液。清洗液在本實施形態中為DIW(去離子水)。當然，亦可使用碳酸水等其他清洗液。
在有機溶劑噴嘴16上，結合著有機溶劑配管31。在有機溶劑配管31的途中，插裝有使有機溶劑通路開關的有機溶劑閥32。對有機溶劑配管31，自有機溶劑供給源33以液體的狀態供給有機溶劑。有機溶劑是表面張力小於清洗液的低表面張力液體的一例。作為有機溶劑，可例示異丙醇(IPA)、氫氟醚(hydrofluoroether，HFE)等。
在處理室11的側壁35、側壁36，分別形成有藉由主搬運機器人CR而搬入未處理的基板W的基板搬入開口37、以及藉由本地搬運機器人LR而搬出處理完畢的基板W的基板搬出開口38。在基板搬入開口37及基板搬出開口38上，分別配置有使該些開口開關的擋板(shutter)39、擋板40。擋板39、擋板40藉由擋板驅動單元41、擋板驅動單元42而分別開關驅動。基板搬入開口37是使主搬運室5與處理室11連通的開口，形成於對主搬運室5與處理室11進行劃分的側壁35上。基板搬出開口38是使處理室11與本地搬運室C連通的開口，形成於對處理室11與本地搬運室C進行劃分的側壁36上。
若對液體處理單元M的動作進行概述，則如下所述。
當主搬運機器人CR搬入未處理的基板W時，擋板39打開基板搬入開口37。保持著未處理的基板W的主搬運機器人CR的手(hand)HC(臂)自基板搬入開口37進入至處理室11內，將所述基板W遞交至自旋夾盤12。已將基板W遞交至自旋夾盤12的主搬運機器人CR的手通過基板搬入開口37自處理室11退出。然後，擋板驅動單元41對擋板39進行驅動，而關閉基板搬入開口37。
繼而，藉由馬達17而使自旋夾盤12旋轉，打開藥液閥22。由此，將藥液供給至旋轉狀態的基板W的表面，且藉由離心力而使藥液遍布於基板W表面的整個區域。如此一來，執行利用藥液對基板W進行處理的藥液步驟。藉由關閉藥液閥22而停止藥液的供給，藥液步驟結束。
在藥液步驟之後，一面繼續進行自旋夾盤12的旋轉，一面打開清洗液閥27。由此，對旋轉狀態的基板W的表面供給清洗液。清洗液在基板W表面的整個區域蔓延，從而替換基板W表面的藥液。如此一來，執行清洗步驟。藉由關閉清洗液閥27，而停止清洗液的供給，清洗步驟結束。
在所述清洗步驟結束後，或在清洗步驟即將結束之前，打開有機溶劑閥32。由此，對基板W表面以液體的狀態供給有機溶劑。使自旋夾盤12保持為旋轉狀態。因此，有機溶劑在基板W表面的整個區域蔓延，從而替換基板W表面的清洗液。然後，藉由使自旋夾盤12的旋轉速度降低，而使基板W表面盛滿有機溶 劑，形成厚的有機溶劑液膜10(有機溶劑盛滿步驟)。保持著所述盛滿狀態，使自旋夾盤12的旋轉停止。有機溶劑是表面張力小於水的低表面張力液體的一例。
其次，擋板驅動單元42對擋板40進行驅動，而打開基板搬出開口38。自所述基板搬出開口38，本地搬運機器人LR的手LH(臂)進入至處理室11內，從自旋夾盤12接收基板W，且通過基板搬出開口38，將所述基板W搬出至處理室11外。此時，本地搬運機器人LR在維持著基板W表面的有機溶劑液膜10的狀態下，將基板W搬運至乾燥單元D。
圖3是用以說明乾燥單元D的構成例的圖解性的剖面圖。乾燥單元D具有包含可密閉的減壓腔室(chamber)(真空腔室)的減壓乾燥室51(乾燥室的一例)。減壓乾燥室51的容積小於液體處理單元M的處理室11的容積，由此，減壓乾燥室51具有可使內部空間有效率地減壓的構造。在減壓乾燥室51內，配置有保持基板W的作為基板保持單元的基板固持器(holder)52。在基板固持器52中，內置有作為基板加熱單元的加熱器(heater)53，由此，構成熱板(hot plate)。貫通基板固持器52而配置有多根(3根以上)頂升銷(lift pin)54。頂升銷54藉由頂升銷升降單元55而上下移動，由此，使基板W在基板固持器52上進行上下移動。
減壓乾燥室51包括底座(base)部511、以及可相對於底座部511而上下移動的活動蓋部512。活動蓋部512藉由蓋部驅 動單元56，而相對於底座部511上下移動。在底座部511與活動蓋部512之間劃分出乾燥處理空間50。活動蓋部512的下端緣部58是沿仿照底座部511的上表面59的平面而形成。在底座部511上，在與活動蓋部512的下端緣部58相對向的位置上，配置有作為密封(seal)構件的O型環(ring)60。當使活動蓋部512與底座部511接近，而向底座部511按壓時，活動蓋部512與底座部511之間藉由O型環60而密閉。如此一來，形成經密閉的乾燥處理空間50。
在底座部511上，結合有排氣配管62。排氣配管62與乾燥處理空間50連通。排氣配管62與真空泵(pump)等排氣單元63連接。在排氣配管62上，插裝有排氣閥64。排氣單元63是減壓單元的一例，藉由打開排氣閥64對排氣單元63進行驅動，可使乾燥處理空間50減壓至低於大氣壓的氣壓。
在活動蓋部512上，設置有用以對乾燥處理空間50導入作為防乾燥流體的有機溶劑蒸氣(有機溶劑氣體(gas))的有機溶劑蒸氣噴嘴71。在有機溶劑蒸氣噴嘴71上，結合著有機溶劑配管72。在有機溶劑配管72的途中，插裝著有機溶劑閥73。有機溶劑配管72與供給有機溶劑蒸氣(氣體狀態的有機溶劑)的有機溶劑蒸氣供給源74結合。
有機溶劑蒸氣供給源74例如，包含存積有機溶劑的液體80的槽罐(tank)75、以及對槽罐75內的有機溶劑的液體80進行溫度調節(具體而言為加熱)的溫度調節單元76。溫度調節 單元76例如，包含循環配管77、以及插裝在循環配管77上的泵78及加熱器79。藉由泵78而汲取槽罐75內的有機溶劑的液體80導入至循環配管77，且藉由加熱器79而加熱之後，通過循環配管77返回至槽罐75。有機溶劑配管72的入口在槽罐75內配置在高於有機溶劑的液體80的液面的位置。因此，槽罐75內的有機溶劑液面上方的空間內所存在的有機溶劑蒸氣被供給至有機溶劑配管72。
根據需要，載氣(carrier gas)配管82亦可與有機溶劑配管72合流。在載氣配管82上插裝有載氣閥83。載氣配管82與供給載氣的載氣供給源84連接。作為載氣，適當的是氮氣等惰性氣體。載氣輔助將通過有機溶劑配管72而供給的有機溶劑蒸氣導入至乾燥處理空間50。有機溶劑蒸氣供給源74較佳為供給與藉由液體處理單元M而供給的有機溶劑為同種的有機溶劑的蒸氣。
亦可代替使載氣配管82與有機溶劑配管72合流的構成，而如圖3中以兩點劃線所示，設為如下構成：將載氣配管82連接於槽罐75的上部，對槽罐75內的上方空間(較液體80的上限液面高度更上方的空間)直接供給載氣(氮氣等)。此時，在槽罐75內所產生的有機溶劑蒸氣與載氣一併被導入至有機溶劑配管72。
若對乾燥單元D的動作進行概述，則如下所述。
本地搬運機器人LR的手LH將表面上形成有有機溶劑液膜10的狀態的基板W搬入至乾燥單元D。當搬入基板W時， 活動蓋部512位於與底座部511分離的打開位置，由此，在活動蓋部512與底座部511之間形成基板搬入開口。此時，頂升銷54位於其前端與基板固持器52的表面向上方隔離的上升位置。在所述狀態下，本地搬運機器人LR的手LH進入至活動蓋部512與底座部511之間，將基板W遞交至頂升銷54。被遞交基板W的頂升銷54下降，將基板W載置在基板固持器52的上表面。
另一方面，蓋部驅動單元56使活動蓋部512下降，經由O型環60而按壓至底座部511。由此，乾燥處理空間50成為密閉空間。然後，藉由打開排氣閥64，對排氣單元63進行驅動，而使乾燥處理空間50內的氣氛排出，使乾燥處理空間50減壓。
在乾燥處理空間50的減壓開始之前的期間內，打開有機溶劑閥73及載氣閥83，自有機溶劑蒸氣噴嘴71對乾燥處理空間50內供給有機溶劑的蒸氣。由此，抑制來自基板W的表面的有機溶劑液膜10的有機溶劑的蒸發，從而抑制減壓開始前的乾燥。當乾燥處理空間50的減壓開始後，關閉有機溶劑閥73及載氣閥83，以不阻礙減壓。
藉由使乾燥處理空間50內減壓，而使基板W的表面的有機溶劑瞬間蒸發，由此，使基板W乾燥。並且，若驅動加熱器53而對基板固持器52進行加熱，可對基板W進行加熱，因而藉此，亦可促進基板W的乾燥。
基板W的乾燥結束後，使排氣單元63停止，且根據需要打開載氣閥83，從而使乾燥處理空間50內加壓至大氣壓為止。 然後，蓋部驅動單元56使活動蓋部512上升，而與底座部511隔離。然後，頂升銷54上升，舉起基板W直至與基板固持器52的上表面向上方分離的高度為止。在所述狀態下，主搬運機器人CR的手HC進入至活動蓋部512與底座部511之間，自頂升銷54捧出處理後的基板W，向主搬運室5退出。
圖4是用以說明本地搬運機器人LR的構成例的圖。本地搬運機器人LR配置在本地搬運室C內。本地搬運室C與液體處理單元M的處理室11及配置在所述處理室11之上的乾燥單元D的減壓乾燥室51相對向，當打開減壓乾燥室51時，與減壓乾燥室51連通。
本地搬運機器人LR包括用以保持基板W的手LH(臂)、以及對手LH進行驅動的手驅動單元90。手驅動單元90使手LH進行水平移動及垂直移動，然後根據需要，使手LH圍繞著鉛垂的旋轉軸線89轉動。由此，手LH可進入至液體處理單元M的處理室11內從自旋夾盤12接收基板W，將所述基板W搬運至乾燥單元D為止，且將所述基板W搬入至減壓乾燥室51內而遞交至頂升銷54(參照圖3)，然後退出至本地搬運室C。
乾燥單元D配置在液體處理單元M上，因此本地搬運機器人LR以如下方式運行：自液體處理單元M搬出基板W之後，使手LH上升至乾燥單元D的高度為止。
在本地搬運機器人LR的手LH(或無論手LH如何移動，與手LH的相對位置均不會大幅變化的活動部位)上，配置有 對保持於手LH上的基板W的周圍(特別是基板W的上表面附近)供給作為防乾燥流體的有機溶劑蒸氣的有機溶劑氣體噴嘴91。有機溶劑氣體噴嘴91與有機溶劑氣體配管92連接。在有機溶劑氣體配管92上，插裝著有機溶劑氣體閥93。有機溶劑氣體配管92與有機溶劑氣體供給源94連接。有機溶劑氣體供給源94較佳為供給與藉由液體處理單元M而供給的有機溶劑為同種的有機溶劑(例如IPA)的蒸氣(氣體)。由有機溶劑氣體噴嘴91等構成防乾燥流體供給單元。
藉由打開有機溶劑氣體閥93，可將有機溶劑氣體供給至本地搬運室C內，特別是保持於手LH上的基板W的附近。由此，基板W的上表面的有機溶劑液膜10的周圍形成為有機溶劑氣體的濃度高的氣氛。因此，構成有機溶劑液膜10的有機溶劑的蒸發難以推進，因而可維持著使有機溶劑液膜10保持在基板W上的狀態，自液體處理單元M向乾燥單元D搬運基板W。在本實施形態中，即使手LH進行移動，有機溶劑氣體噴嘴91與手LH的相對位置亦保持為大致固定，因此即使在藉由手LH而搬運的過程中，亦可使基板W的周圍的空間的有機溶劑濃度穩定地保持為高值。由此，可更確實地抑制或防止有機溶劑的蒸發。
本地搬運機器人LR亦可進而具備使手LH冷卻的手冷卻單元97(臂冷卻單元)。手冷卻單元97亦可構成為使冷媒在形成於手LH上的冷媒通路98中循環。亦可具備使手LH冷卻的電子冷熱元件(未圖示)，來替代此種具有冷媒通路98的構成。又， 手冷卻單元97亦可構成為使本地搬運室C中所具備的冷卻板(plate)99冷卻。此時，在本地搬運機器人LR未保持基板W的期間內，使手LH與冷卻板99接觸。由此，在手LH的非操作期間使手LH冷卻。藉由利用所述經冷卻的手LH搬運基板W，可在搬運過程中使基板W冷卻，因此可抑制或防止基板W上的有機溶劑的蒸發。
為了使保持於手LH上的基板W有效地冷卻，手LH亦可構成為與基板W的形狀相對應的板狀。此種板狀的手LH為了與自旋夾盤12進行基板W的交接，亦可具有周圍形成有缺口的帶缺口的板形狀，所述缺口是用以避開自旋夾盤12中所具備的夾盤銷(chuck pin)。
如圖4所示，亦可代替在手LH中具備有機溶劑氣體噴嘴91，或除了所述有機溶劑氣體噴嘴91以外，配置有對本地搬運室C內供給有機溶劑氣體的有機溶劑氣體噴嘴91A(防乾燥流體供給單元的一例)。
又，亦可代替自噴嘴91、噴嘴91A供給有機溶劑蒸氣，而自該些噴嘴供給有機溶劑的霧氣(液滴)。
如以上所述，根據本實施形態，將處理對象的基板W藉由主搬運機器人CR，而搬入至液體處理單元M的處理室11。在液體處理單元M中，在處理室11內對基板W供給處理液，且利用所述處理液對基板W進行處理。藉由液體處理單元M而最後供給至基板W的處理液為作為低表面張力液體的一例的有機溶劑， 處理後的基板W在其表面上保持著有機溶劑液膜10。將所述基板W藉由本地搬運機器人LR，而自處理室11搬運至減壓乾燥室51，且在減壓乾燥室51內執行用以使基板W表面的有機溶劑乾燥的乾燥處理。
自處理室11向減壓乾燥室51的基板W的搬運是藉由與主搬運機器人CR另外設置的本地搬運機器人LR來進行。由此，可抑制有機溶劑對主搬運機器人CR及可能存在於其活動範圍內的零件或其他基板W的影響。特別是可避免有機溶劑的液體濺落在主搬運機器人CR上，或使基板W上的液體噴撒在主搬運機器人CR的周圍。
在藉由本地搬運機器人LR而搬運的期間內，對所述搬運中的基板W的表面，供給有機溶劑的蒸氣作為防止有機溶劑的乾燥的防乾燥流體。因此，經液體處理單元M處理的基板W是以所述處理後的狀態，即，以表面上形成有有機溶劑液膜10的狀態，搬入至減壓乾燥室51，且受到乾燥單元D的乾燥處理。由此，可抑制藉由本地搬運機器人LR而搬運中的基板W表面的不經意而無法控制的狀態下的乾燥。即，可在減壓乾燥室51內的經調整的環境中進行用以自基板W的表面排除有機溶劑的乾燥步驟。由此，可避免因不經意的乾燥而引起的對基板W的不良影響，從而良好地進行基板W的乾燥。
液體處理單元M在處理室11內具有自旋夾盤12，且其容積比較大。因此，使處理室11內的空間減壓而進行減壓乾燥並 不實際，即使可能，亦要耗費長時間來使大容積的空間減壓。於是，基板W表面的圖案自有機溶劑受到表面張力的時間變長，故雖然有機溶劑的表面張力比較小，但基板W表面的圖案有可能受到因表面張力產生的影響(具體而言為圖案倒塌等損傷)。
因此，在本實施形態中，將在液體處理單元M中已結束處理後的基板W搬入至容積更小的減壓乾燥室51，在減壓乾燥室51內進行減壓乾燥處理。由此，可使基板W表面的有機溶劑瞬間乾燥，故而可抑制或防止基板W表面的圖案的倒塌。
又，在本實施形態中，在本地搬運機器人LR的手LH或其附近(具體而言在包含手LH的搬運臂的任一部位或本地搬運室C內)，配置著有機溶劑氣體噴嘴91、有機溶劑氣體噴嘴91A。自所述有機溶劑氣體噴嘴91、有機溶劑氣體噴嘴91A，對藉由本地搬運機器人LR而搬運著的基板W的表面供給有機溶劑氣體。由此，可更確實地抑制藉由本地搬運機器人LR而搬運中的基板W表面的不經意的乾燥。
又，若藉由手冷卻單元97而使本地搬運機器人LR的手(搬運臂)冷卻至常溫以下，可避免在藉由本地搬運機器人LR的搬運中對基板W進行加溫。由此，可抑制基板W表面的有機溶劑的蒸發，故而可進一步抑制基板W表面的不經意的乾燥。
又，在本實施形態中，在乾燥單元D中，設置有對基板W的表面供給有機溶劑蒸氣的有機溶劑蒸氣噴嘴71。由此，可避免在減壓乾燥室51內，在減壓乾燥處理開始之前開始基板W表 面的不經意的乾燥。
又，在本實施形態中，本地搬運機器人LR構成為按照通過本地搬運室C的搬運路徑搬運基板W。由此，使藉由本地搬運機器人LR而搬運中的基板W表面的有機溶劑的影響只限於本地搬運室C內。因此，可抑制有機溶劑對主搬運機器人CR等基板處理裝置1的構成部分的影響。特別是在本實施形態中，主搬運機器人CR配置在主搬運室5內，本地搬運機器人LR配置在與主搬運室5隔離的本地搬運室C內。由此，可抑制或防止有機溶劑的蒸氣進入至主搬運室5內，故可抑制有機溶劑蒸氣對藉由主搬運機器人CR而搬運的基板W的影響。
圖5A是用以說明本發明的第2實施形態的基板處理裝置1A的構成的圖解性的俯視圖，圖5B是其立面圖。在圖5A及圖5B中，對所述圖1A及圖1B的各部的對應部分標註相同的參照符號。
在本實施形態中，俯視時，在配置於主搬運室5的一側的兩個積層單元組G1、積層單元組G2之間配置有本地搬運室C，在所述本地搬運室C內配置有本地搬運機器人LR。同樣地，在配置於主搬運室5的另一側的兩個積層單元組G3、積層單元組G4之間配置有本地搬運室C，在所述本地搬運室C內配置有本地搬運機器人LR。構成積層單元組G1~積層單元組G4的多個單元及該些單元的積層狀態與第1實施形態的情況同樣。
主搬運機器人CR與第1實施形態的情況同樣地，可接 入至共計8個液體處理單元M遞交基板W，並且可接入至共計8個乾燥單元D取出基板W，然後可與分度器機器人IR之間交接基板W。
本地搬運機器人LR在本實施形態中，在第1層S1中具備兩個，在第2層S2中具備兩個。更具體而言，俯視時，在第1層S1中，在主搬運室5的兩側各配置有一個本地搬運機器人LR11、本地搬運機器人LR12。更進一步具體而言，在主搬運室5的一側，在第1層S1中，在液體處理單元M11、液體處理單元M12之間配置有一個本地搬運機器人LR11。在主搬運室5的另一側亦同樣地，在液體處理單元M13、液體處理單元M14之間配置有一個本地搬運機器人LR12。第2層S2中的兩個本地搬運機器人LR21、本地搬運機器人LR22亦是同樣地配置。本地搬運機器人LR11、本地搬運機器人LR12、本地搬運機器人LR21、本地搬運機器人LR22分別配置在本地搬運室C11、本地搬運室C12、本地搬運室C21、本地搬運室C22內。本地搬運室C形成有搬運空間，所述搬運空間被劃分成與主搬運室5分離(隔離)。
在第1層S1中，配置於主搬運室5的一側的本地搬運機器人LR11被兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12所共用。即，本地搬運機器人LR11取出已結束在靠近載體保持部2之側的液體處理單元M11中的處理的基板W，沿垂直方向(更具體而言為上方)進行搬運，而搬入至所述液體處理單元M11之上的乾燥單元D11。又，本地搬運機器人LR11取出已結束在遠離載體 保持部2之側的液體處理單元M12中的處理的基板W，沿垂直方向(更具體而言為上方)進行搬運，而搬入至所述液體處理單元M12之上的乾燥單元D12。
本地搬運機器人LR11亦可將已結束在靠近載體保持部2之側的液體處理單元M11中的處理的基板W，搬運至遠離載體保持部2之側的液體處理單元M12之上的乾燥單元D12。同樣地，本地搬運機器人LR11亦可將已結束在遠離載體保持部2之側的液體處理單元M12中的處理的基板W，搬運至靠近載體保持部2之側的液體處理單元M11之上的乾燥單元D11。若進一步加以一般化，則本地搬運機器人LR11可接入至在第1層S1中配置在主搬運室5的一側的兩個液體處理單元M11、液體處理單元M12，以及分別配置在該些液體處理單元M11、液體處理單元M12之上的兩個乾燥單元D11、乾燥單元D12。然後，將在一個液體處理單元M11、液體處理單元M12中已結束處理的基板W藉由本地搬運機器人LR11搬入至兩個乾燥單元D11、乾燥單元D12中的任一者而受到乾燥處理。
在第1層S1中配置於主搬運室5的另一側的本地搬運機器人LR12的動作亦是同樣。即，本地搬運機器人LR12是可接入至兩個液體處理單元M13、液體處理單元M14及兩個乾燥單元D13、乾燥單元D14而構成，對該些單元進行與主搬運室5的相反側的本地搬運機器人LR11同樣的動作。
配置在第2層S2中的本地搬運機器人LR21、本地搬運 機器人LR22的動作亦是同樣。即，本地搬運機器人LR21是可接入至兩個液體處理單元M21、液體處理單元M22及兩個乾燥單元D21、乾燥單元D22而構成，對該些單元進行與本地搬運機器人LR11同樣的動作。又，本地搬運機器人LR22是可接入至兩個液體處理單元M23、液體處理單元M24及兩個乾燥單元D23、乾燥單元D24而構成，對該些單元進行與本地搬運機器人LR11同樣的動作。
配置在主搬運室5的一側的兩個本地搬運機器人LR11、本地搬運機器人LR21在本實施形態中，分別配置在俯視時相重合的兩個本地搬運室C11、本地搬運室C21內。同樣地，配置在主搬運室5的另一側的兩個本地搬運機器人LR12、本地搬運機器人LR22在本實施形態中，分別配置在俯視時相重合的兩個本地搬運室C12、本地搬運室C22內。
亦可將上下重合的兩個本地搬運室C11、本地搬運室C21及本地搬運室C12、本地搬運室C22設為上下連通的一個本地搬運室。而且，亦可在所述一個本地搬運室C內配置一個本地搬運機器人LR。
此時，在主搬運室5的一側，相對於本地搬運室C在載體保持部2側，配置有依此順序積層著液體處理單元M11、乾燥單元D11、液體處理單元M21及乾燥單元D21的積層單元組G1，且在遠離載體保持部2之側，亦配置有依此順序積層著液體處理單元M12、乾燥單元D12、液體處理單元M22及乾燥單元D22的 積層單元組G2。配置在本地搬運室C內的一個本地搬運機器人LR可接入至構成該些一對積層單元組G1、積層單元組G2的共計8個單元。此時，本地搬運機器人LR亦可以如下方式運行：將在某個液體處理單元M11、液體處理單元M12、液體處理單元M21、液體處理單元M22中已處理結束的一個基板W搬入至積層於其正上方的乾燥單元D11、乾燥單元D12、乾燥單元D21、乾燥單元D22。又，本地搬運機器人LR亦可將在某個液體處理單元M11、液體處理單元M12、液體處理單元M21、液體處理單元M22中已處理結束的一個基板W，搬入至可接入的4個乾燥單元D11、乾燥單元D12、乾燥單元D21、乾燥單元D22之中的任意一個。一般而言，可藉由將基板W搬入至不用於處理的乾燥單元D，來提高生產率。
關於主搬運室5的另一側，亦具有同樣的構成，可使被兩個積層單元組G3、積層單元組G4共用的一個本地搬運機器人LR同樣地運行。
如自圖1A及圖5A的比較可知，藉由本實施形態的構成，可縮小基板處理裝置1A的佔用面積(足跡(footprint))。
圖6A是用以說明本發明的第3實施形態的基板處理裝置1B的構成的圖解性的俯視圖，圖6B是其立面圖。在本實施形態的基板處理裝置1B中，單元的配置形成有包含第1層S1、第2層S2及第3層S3的三層構造。
在本實施形態中，俯視時，在主搬運室5的一側沿主搬 運室5配置有3個積層單元組G11、積層單元組G12、積層單元組G13，在主搬運室5的另一側沿主搬運室5配置有3個積層單元組G14、積層單元組G15、積層單元組G16。
積層單元組G11是自下方起依次積層3個液體處理單元M11、液體處理單元M21、液體處理單元M31而構成。積層單元組G13是自下方起依次積層3個液體處理單元M12、液體處理單元M22、液體處理單元M32而構成。配置在積層單元組G11、積層單元組G13之間的積層單元組G12是自下方起依次積層6個乾燥單元D11、乾燥單元D12、乾燥單元D21、乾燥單元D22、乾燥單元D31、乾燥單元D32而構成。在積層單元組G11、積層單元組G13之間，進而自下方起依次積層地配置有本地搬運室C11、本地搬運室C21、本地搬運室C31，在該些本地搬運室之中，分別配置有本地搬運機器人LR11、本地搬運機器人LR21、本地搬運機器人LR31。本地搬運室C11、本地搬運室C21、本地搬運室C31在本實施形態中，相對於積層單元組G12，配置在與主搬運室5相反之側。
積層單元組G14是自下方起依次積層3個液體處理單元M13、液體處理單元M23、液體處理單元M33而構成。積層單元組G16是自下方起依次積層3個液體處理單元M14、液體處理單元M24、液體處理單元M34而構成。配置在積層單元組G14、積層單元組G16之間的積層單元組G15是自下方起依次積層6個乾燥單元D13、乾燥單元D14、乾燥單元D23、乾燥單元D24、乾燥 單元D33、乾燥單元D34而構成。在積層單元組G14、積層單元組G16之間，進而自下方起依次積層地配置有本地搬運室C12、本地搬運室C22、本地搬運室C32，在該些本地搬運室之中，分別配置有本地搬運機器人LR12、本地搬運機器人LR22、本地搬運機器人LR32。本地搬運室C12、本地搬運室C22、本地搬運室C32在本實施形態中，相對於積層單元組G15，配置在與主搬運室5相反之側。
若著眼於各層的構成，則在第1層S1中，在主搬運室5的一側，沿主搬運室5的俯視時的長邊方向，配置有一對液體處理單元M11、液體處理單元M12，在所述一對液體處理單元M11、液體處理單元M12之間，配置有一對乾燥單元D11、乾燥單元D12及一個本地搬運機器人LR11。一對乾燥單元D11、乾燥單元D12在本實施形態中，為上下積層。乾燥單元D11、乾燥單元D12配置在靠近主搬運室5的位置上，在相對於乾燥單元D11、乾燥單元D12與主搬運室5相反之側配置有本地搬運機器人LR11。
本地搬運機器人LR11配置在本地搬運室C11內。本地搬運機器人LR11可接入至一對液體處理單元M11、液體處理單元M12及一對乾燥單元D11、乾燥單元D12。本地搬運機器人LR11是以如下方式運行：搬出在一對液體處理單元M11、液體處理單元M12中已結束處理的基板W，且將所述基板W搬入至一對乾燥單元D11、乾燥單元D12中的任一者。
在第1層S1中，主搬運室5的另一側的單元配置亦是 同樣。即，在主搬運室5的另一側，沿主搬運室5的俯視時的長邊方向，配置有一對液體處理單元M13、液體處理單元M14，在所述一對液體處理單元M13、液體處理單元M14之間配置有一對乾燥單元D13、乾燥單元D14及一個本地搬運機器人LR12。一對乾燥單元D13、乾燥單元D14為上下積層。該些乾燥單元D13、乾燥單元D14配置在靠近主搬運室5的位置上，在相對於乾燥單元D13、乾燥單元D14與主搬運室5相反之側劃分出本地搬運室C12，在此處收容有本地搬運機器人LR12。
本地搬運機器人LR12可接入至一對液體處理單元M13、液體處理單元M14及一對乾燥單元D13、乾燥單元D14。本地搬運機器人LR12是以如下方式運行：搬出在一對液體處理單元M13、液體處理單元M14中已結束處理的基板W，將所述基板W搬入至一對乾燥單元D13、乾燥單元D14中的任一者。
第2層S2及第3層S3的單元配置及各層的本地搬運機器人LR的動作亦是同樣。第2層S2包括配置在主搬運室5的一側的一對液體處理單元M21、液體處理單元M22、一對乾燥單元D21、乾燥單元D22及一個本地搬運機器人LR21，進而包含配置在主搬運室5的另一側的一對液體處理單元M23、液體處理單元M24、一對乾燥單元D23、乾燥單元D24及一個本地搬運機器人LR22。第3層S3包含配置在主搬運室5的一側的一對液體處理單元M31、液體處理單元M32、一對乾燥單元D31、乾燥單元D32及一個本地搬運機器人LR31，進而包含配置在主搬運室5的另一 側的一對液體處理單元M33、液體處理單元M34、一對乾燥單元D33、乾燥單元D34及一個本地搬運機器人LR32。
如上所述，在本實施形態中，液體處理單元M與乾燥單元D為平面地配置(水平配置)，由此可一面抑制基板處理裝置1B的總高，一面具備多個液體處理單元M及乾燥單元D。
配置在主搬運室5的一側的3個本地搬運機器人LR11、本地搬運機器人LR21、本地搬運機器人LR31在本實施形態中，俯視時，分別配置於重合的3個本地搬運室C11、本地搬運室C21、本地搬運室C31內。亦可將所述3個本地搬運室C11、本地搬運室C21、本地搬運室C31設為上下連通的一個本地搬運室C。又，亦可在所述一個本地搬運室C內配置一個本地搬運機器人LR。此時，相對於本地搬運室C在載體保持部2側，配置有積層著3個液體處理單元M11、液體處理單元M21、液體處理單元M31的積層單元組G11，在遠離載體保持部2之側，配置有積層著3個液體處理單元M12、液體處理單元M22、液體處理單元M32的積層單元組G13，在主搬運室5側配置有積層著6個乾燥單元D11、乾燥單元D12、乾燥單元D21、乾燥單元D22、燥單元D31、乾燥單元D32的積層單元組G12。配置在本地搬運室C內的一個本地搬運機器人LR可接入至構成該些3個積層單元組G11~積層單元組G13的共計12個單元。
此時，本地搬運機器人LR亦可以如下方式運行：將在某個液體處理單元M中已處理結束的一個基板W搬入至位於同一 層內的乾燥單元D。又，本地搬運機器人LR亦可將在某個液體處理單元M中已處理結束的一個基板W，搬入至可接入的6個乾燥單元D之中的任意一個。一般而言，藉由將基板W搬入至不用於處理的乾燥單元D，可提高生產率。當然，關於主搬運室5的相反側，亦可設為同樣的構成。
如自圖1A及圖6A的比較可知，藉由本實施形態的構成，可縮小基板處理裝置1B的佔用面積(足跡)。此外，如自圖5B及圖6B等的比較可知，藉由本實施形態的構成，可將更多的單元配置在相同高度的空間(space)內。換而言之，能夠以更低的高度構成相同單元數量的基板處理裝置。
圖7是用以說明本發明的第4實施形態的基板處理裝置1C的構成的圖解性的立面圖，表示主搬運室的一側的構成。在主搬運室5(參照圖5A等)的一側，配置有一對積層單元組G21、積層單元組G22，在該些積層單元組G21、積層單元組G22之間配置有本地搬運機器人LR1、本地搬運機器人LR2。在本例中，一個積層單元組G21將3個液體處理單元M1、液體處理單元M2、液體處理單元M3積層成三層而構成。另一個積層單元組G22包含一個液體處理單元M4、以及依次積層於所述液體處理單元M4上的4個乾燥單元D1~乾燥單元D4。在主搬運室5的相反側亦設置有同樣的構成。主搬運機器人CR可接入至配置在主搬運室5的一側的4個液體處理單元M1~液體處理單元M4及4個乾燥單元D1~乾燥單元D4，並且可接入至同樣地配置於主搬運室5的 相反側的4個液體處理單元及4個乾燥單元。
在本例中，在主搬運室5的一側，設置有兩個本地搬運機器人LR1、本地搬運機器人LR2，該些本地搬運機器人LR1、本地搬運機器人LR2配置在一個本地搬運室C內。例如，下側的本地搬運機器人LR1亦可接入至3個液體處理單元M1、液體處理單元M2、液體處理單元M4及兩個乾燥單元D1、乾燥單元D2。而且，上側的本地搬運機器人LR2亦可接入至兩個液體處理單元M2、液體處理單元M3及4個乾燥單元D1~乾燥單元D4。該些本地搬運機器人LR1、本地搬運機器人LR2是以如下方式運行：將經液體處理單元M1~液體處理單元M4處理後的基板W搬入至任一個乾燥單元D1~乾燥單元D4。在主搬運室5的相反側亦設置有同樣的構成，兩個本地搬運機器人的動作亦是同樣。
圖8是用以說明本發明的第5實施形態的基板處理裝置1D的構成的圖解性的俯視圖。在本實施形態中，設置有3個積層單元組G31、積層單元組G32、積層單元組G33。第1積層單元組G31是多層(在本實施形態中為三層)地積層液體處理單元M11、液體處理單元M21、液體處理單元M31而構成。第2積層單元組G32沿載體保持部2中的載體3的排列方向，與第1積層單元組G31相對向。所述第2積層單元組G32是多層地積層液體處理單元M12、液體處理單元M22、液體處理單元M32而構成。第3積層單元組G33配置在第1積層單元組G31與第2積層單元組G32之間。第3積層單元組G33是多層(本實施形態中為6層)地積 層乾燥單元D1~乾燥單元D6而構成，具有與圖6A及圖6B所示的積層單元組G12、積層單元組G15類似的構成。在相對於乾燥單元D1~乾燥單元D6與主搬運機器人CR相反之側配置有本地搬運室C。在本地搬運室C內，配置有本地搬運機器人LR。本地搬運機器人LR亦可在與液體處理單元M11、液體處理單元M12，液體處理單元M21、液體處理單元M22及液體處理單元M31、液體處理單元M32相對應的各層各設置有一個。又，亦可針對配置在多層(例如所有層)上的液體處理單元M設置有共同使用的一個本地搬運機器人LR。
主搬運機器人CR配置在主搬運室5A內。主搬運室5A是劃分在第1積層單元組G31~第3積層單元組G33與分度器機器人IR之間。分度器機器人IR與主搬運機器人CR之間的基板W的交接亦可經由暫時保持基板W的基板交接單元7來進行。主搬運機器人CR將自分度器機器人IR經由基板交接單元7接收到的未處理的基板W，搬入至第1積層單元組G31或第2積層單元組G32中所含的一個液體處理單元M。將經所述液體處理單元M處理後的基板W藉由本地搬運機器人LR而搬出，且搬入至所述本地搬運機器人LR可接入的乾燥單元D1~乾燥單元D6中的任一者。將經所述乾燥單元D處理後的基板W藉由主搬運機器人CR而取出，且經由基板交接單元7遞交至分度器機器人IR。
圖9是用以說明本發明的第6實施形態的基板處理裝置的構成的圖，表示乾燥單元D的構成例。所述乾燥單元D具有構 成真空腔室的減壓乾燥室111。在減壓乾燥室111上，連接有排氣管112。排氣管112與真空泵等排氣單元113連接。在排氣管112上，插裝有排氣閥110。
在減壓乾燥室111內，在側壁115上形成有用以搬入基板W的基板搬入開口114。此外，在減壓乾燥室111內，在側壁117上形成有用以搬出基板W的基板搬出開口116。設置有用以使基板搬出開口116開關的擋板118，擋板118是藉由擋板驅動單元119而驅動。在擋板118的與減壓乾燥室111相對向的表面上，設置有作為密封構件的O型環120。擋板118被按壓至減壓乾燥室111的側壁117，由此，經由O型環120使基板搬出開口116氣密地密閉。當主搬運機器人CR搬出藉由乾燥單元D而處理完畢的基板W時，擋板驅動單元119對擋板118進行驅動而打開基板搬出開口116。主搬運機器人CR的手HC進入至所述經打開的基板搬出開口116。
另一方面，基板搬入開口114藉由本地搬運機器人LR的手LH中所具備的蓋構件125而開關。在蓋構件125的與減壓乾燥室111相對向的表面上，設置有作為密封構件的O型環126。本地搬運機器人LR是以如下方式運行：將經液體處理單元M處理後的基板W搬入至減壓乾燥室111，然後經由O型環126將蓋構件125按壓至減壓乾燥室111的側壁115。由此，使基板搬入開口114氣密地閉塞。
在減壓乾燥室111的頂板面上，設置有用以將作為防乾 燥流體的有機溶劑蒸氣(有機溶劑氣體)導入至減壓乾燥室111內的空間的有機溶劑蒸氣噴嘴71A。關於所述有機溶劑蒸氣噴嘴71A，具備與圖3所示的乾燥單元的情況同樣的構成，對有機溶劑蒸氣噴嘴71A供給有機溶劑的蒸氣。圖9中，對與圖3的各部相對應的部分標註相同的參照符號，並省略說明。
乾燥單元D的動作的概要如下所述。
在基板搬出開口116被擋板118堵塞的狀態下，本地搬運機器人LR將基板W搬入至減壓乾燥室111。所述基板W是在其上表面形成有有機溶劑液膜10的狀態的基板。本地搬運機器人LR使手LH進入至減壓乾燥室111內，並且將蓋構件125按壓至減壓乾燥室111的側壁115的外表面而堵塞基板搬入開口114。如此一來，減壓乾燥室111內成為氣密的密閉空間。藉由在所述狀態下，打開排氣閥110，使排氣單元113運轉，而使減壓乾燥室111內的空間減壓至低於大氣壓的壓力。由此，基板W上的有機溶劑液膜10瞬間乾燥。
在減壓乾燥室111內的空間的減壓開始之前的期間內，打開有機溶劑閥73及載氣閥83，自有機溶劑蒸氣噴嘴71對減壓乾燥室111內供給有機溶劑的蒸氣。由此，抑制來自基板W的表面的有機溶劑液膜10的有機溶劑的蒸發，從而抑制減壓開始前的乾燥。當減壓乾燥室111內的減壓開始後，關閉有機溶劑閥73及載氣閥83，以不阻礙減壓。
當如上所述基板W的乾燥結束後，使排氣單元113停 止運行，且根據需要打開載氣閥83。由此，減壓乾燥室111內的空間恢復至大氣壓。其次，擋板驅動單元119使擋板118自基板搬出開口116退避，由此，打開基板搬出開口116。然後，主搬運機器人CR使手HC進入至減壓乾燥室111內，自本地搬運機器人LR的手LH中接收乾燥處理完畢的基板W，且自基板搬出開口116搬出所述基板W。
如上所述，藉由在本地搬運機器人LR的手LH上設置蓋構件125，可省略用以使基板搬入開口114開關的擋板驅動機構。又，可利用本地搬運機器人LR的手LH在減壓乾燥室111內進行基板W的保持，故而無需在減壓乾燥室111內設置基板保持機構。藉由減壓的有機溶劑的乾燥可瞬間進行，因此不可能因為藉由本地搬運機器人LR的手LH來保持乾燥處理中的基板W而對生產率產生大的影響。
又，藉由利用手將基板W搬運至減壓乾燥室111的動作，可利用蓋構件125使基板搬入開口114密閉，從而可直接在減壓乾燥室111內保持基板W而進行減壓乾燥處理。因此，可省略基板搬入開口114的開關專用的動作及基板W的交接動作，故而可縮短整個步驟的所需時間，從而可提高生產率。
再者，在所述形態的乾燥單元D中，亦可設為設置如圖3所示的加熱器53，對基板W進行加熱的構成。
以上，已對本發明的實施形態進行說明，但本發明可進而藉由其他形態來實施。
如圖2中以兩點劃線所示，液體處理單元M亦可具有遮斷板19，所述遮斷板19具有與保持於自旋夾盤12上的基板W的上表面相對向的對向面19a。此時，較佳為具備在自旋夾盤12的上方使遮斷板19上下移動，使遮斷板19與基板W的上表面接近，或與基板W的上表面分離的遮斷板升降單元。例如，藉由在使遮斷板19與基板W的上表面接近的狀態下，進行清洗步驟，或進行有機溶劑盛滿步驟，可抑制或防止自周圍彈回的液滴或霧氣附著於基板W的上表面。此時，清洗液噴嘴15及有機溶劑噴嘴16較佳為組裝至遮斷板19，例如，配置成自遮斷板19的對向面19a的中央附近向基板W的中心噴出液體。
又，液體處理單元M亦可進而包含使基板W冷卻的基板冷卻單元。基板冷卻單元例如，亦可包含設置成與保持於自旋夾盤12上的基板W的下表面相對向的冷溫板20(參照圖2)。亦可進而具備使冷溫板與基板W的下表面接近/隔離的板驅動單元。冷溫板亦可為在內部形成有冷媒進行流通的冷媒通路的板。又，冷溫板亦可具備電子冷熱元件。基板冷卻單元使基板冷卻至有機溶劑的露點以下的溫度，抑制或防止基板W表面的有機溶劑的蒸發。即，基板冷卻單元較佳為在自有機溶劑盛滿步驟至將經盛滿的基板W自液體處理單元M搬出為止的期間內，使基板W保持在有機溶劑的露點以下的溫度。亦可代替設置此種基板冷卻單元，而使液體處理單元M的處理室11的整體冷卻，且使處理室11內的氣氛冷卻至有機溶劑的露點以下。
此外，液體處理單元M為了抑制或防止基板W表面的有機溶劑的蒸發，亦可具備將防乾燥流體(例如有機溶劑的蒸氣或霧氣(液滴))供給至基板W的表面的防乾燥流體供給單元。防乾燥流體供給單元較佳為包括朝向保持於自旋夾盤12上的基板W的表面噴出防乾燥流體的噴嘴130(參照圖2)、對噴嘴130供給防乾燥流體的配管131、以及插裝在配管131上的閥132。配管131與防乾燥流體供給源133連接。噴嘴130既可組裝至所述遮斷板19，亦可為可在基板W的上方的處理位置與自基板W的上方退避的退避位置之間移動的移動噴嘴。
又，在前述實施形態中，在液體處理單元M中，在基板W的表面形成有有機溶劑液膜10，但亦可利用乾燥單元D來進行有機溶劑液膜10的形成。更具體而言，在液體處理單元M中，以基板W的上表面經清洗液濡濕的狀態而結束處理。利用本地搬運機器人LR將經所述清洗液濡濕的狀態的基板W搬運至乾燥單元D。在乾燥單元D中，將有機溶劑供給至基板W的上表面的清洗液中，促進清洗液的蒸發。此時，較佳為如圖3所示，在基板固持器52中，內置有作為基板冷卻單元的冷卻單元53C，從而預先將基板固持器52構成為溫度調節板。冷卻單元53C既可具有通過基板固持器52內的冷媒通路，亦可具有電子冷熱元件。例如，預先藉由冷卻單元53C使基板W冷卻(較佳為冷卻至有機溶劑的露點以下的溫度)，另一方面，對基板W的表面供給有機溶劑的蒸氣或霧氣(液滴)。由此，有機溶劑混入至基板W的表面的清洗 液中，使得基板W的表面的清洗液容易蒸發。然後，藉由停止有機溶劑的供給，將基板W的周圍設為減壓氣氛，可使基板W的表面的液體成分瞬間乾燥。在所述乾燥時，較佳為使冷卻單元53C運轉停止，對加熱器53進行驅動，而併用基板W的加熱。為了抑制或防止在藉由本地搬運機器人LR的搬運中基板W表面的清洗液蒸發，對所述搬運中的基板W的表面供給清洗液的蒸氣(例如水蒸氣)或霧氣(液滴)作為防乾燥流體。
亦可在所述第1實施形態~第4實施形態中，在分度器機器人IR與主搬運機器人CR之間，配置有暫時保持基板W的基板交接單元，從而與第5實施形態(參照圖8)同樣地，進行該些機器人之間的基板交接。
本申請案對應於2017年3月23日向日本專利局提交的日本專利特願2017-058059號，所述申請案的所有揭示內容均藉由引用而編入於本文。
對本發明的實施形態已作詳細說明，但該些實施形態僅為用以闡明本發明的技術內容的具體例，本發明不應限定於該些具體例來解釋，本發明的範圍僅藉由隨附的申請專利範圍而限定。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧載體保持部
3‧‧‧載體
5‧‧‧主搬運室
C11-C14、C21-C24‧‧‧本地搬運室
CR‧‧‧主搬運機器人
D11-D14、D21-D24‧‧‧乾燥單元
G1-G4‧‧‧積層單元組
IR‧‧‧分度器機器人
LR11-LR14、LR21-LR24‧‧‧本地搬運機器人
M11-M14、M21-M24‧‧‧液體處理單元
W‧‧‧基板

Claims (25)

  1. 一種基板處理裝置，包括：液體處理單元，在處理室內將處理液供給至基板表面；乾燥單元，在乾燥室內使所述基板表面的所述處理液乾燥；主搬運單元，將基板搬入至所述處理室；本地搬運單元，自所述處理室將所述基板搬運至所述乾燥室；以及防乾燥流體供給單元，在利用所述本地搬運單元搬運所述基板的期間，將防止所述基板表面的所述處理液的乾燥的防乾燥流體供給至所述基板表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述防乾燥流體供給單元包括：噴嘴，包含在所述本地搬運單元的搬運臂中，朝向保持於所述搬運臂上的所述基板噴出所述防乾燥流體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中進而包括：臂冷卻單元，使所述本地搬運單元的搬運臂冷卻至搬運時的所述基板的溫度以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述乾燥單元包括：減壓單元，使所述乾燥室內減壓至低於大氣壓的壓力。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述乾燥單元進而包括在所述乾燥室內將所述防乾燥流體供給至所述 基板表面的噴嘴。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述乾燥單元包括在所述乾燥室內對所述基板進行加熱的基板加熱單元。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述乾燥室的容積小於所述處理室的容積。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述本地搬運單元構成為按照通過本地搬運室的搬運路徑搬運所述基板，所述乾燥室與所述本地搬運室相連通。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述乾燥室具有利用所述本地搬運單元搬入所述基板的搬入開口，所述本地搬運單元包括使所述搬入開口密閉的蓋單元。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理裝置，其中所述本地搬運單元包括搬運所述基板的搬運臂，所述蓋單元設置在所述搬運臂上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述處理液是表面張力小於水的低表面張力液體。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述防乾燥流體包含所述處理液的蒸氣或液滴。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中 所述處理液包含有機溶劑，所述防乾燥流體包含有機溶劑的蒸氣或液滴。
  14. 如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的基板處理裝置，其中所述主搬運單元配置在主搬運室內，所述本地搬運單元配置在與所述主搬運室隔離的本地搬運室內。
  15. 一種基板處理方法，包括：液體處理步驟，在處理室內將處理液供給至基板表面；乾燥步驟，在乾燥室內使所述基板表面的所述處理液乾燥；主搬運步驟，利用主搬運單元將基板搬入至所述處理室；本地搬運步驟，利用本地搬運單元自所述處理室將所述基板搬運至所述乾燥室；以及防乾燥流體供給步驟，在所述本地搬運步驟中搬運所述基板的期間，將防止所述基板表面的所述處理液的乾燥的防乾燥流體供給至所述基板表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中在所述防乾燥流體供給步驟中，自所述本地搬運單元的搬運臂中所具備的噴嘴，朝向保持於所述搬運臂上的所述基板噴出所述防乾燥流體。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中進而包括：臂冷卻步驟，使所述本地搬運單元的搬運臂冷卻至搬運 時的所述基板的溫度以下。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中所述乾燥步驟包括：減壓步驟，使所述乾燥室內減壓至低於大氣壓的壓力。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中在所述乾燥步驟之前，進而包括在所述乾燥室內將所述防乾燥流體供給至所述基板表面的步驟。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中所述乾燥步驟包括在所述乾燥室內對所述基板進行加熱的基板加熱步驟。
  21. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中所述乾燥室的容積小於所述處理室的容積。
  22. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中所述乾燥室具有利用所述本地搬運單元搬入所述基板的搬入開口，所述基板處理方法在所述乾燥步驟之前，進而包括利用所述本地搬運單元中所具備的蓋單元使所述搬入開口密閉的步驟。
  23. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中所述處理液是表面張力小於水的低表面張力液體。
  24. 如申請專利範圍第15項至第23項中任一項所述的基板處理方法，其中所述防乾燥流體包含所述處理液的蒸氣或液滴。
  25. 如申請專利範圍第15項至第23項中任一項所述的基 板處理方法，其中所述處理液包含有機溶劑，所述防乾燥流體包含有機溶劑的蒸氣或液滴。
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