KR0135394B1 - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치

Info

Publication number
KR0135394B1
KR0135394B1 KR1019940004721A KR19940004721A KR0135394B1 KR 0135394 B1 KR0135394 B1 KR 0135394B1 KR 1019940004721 A KR1019940004721 A KR 1019940004721A KR 19940004721 A KR19940004721 A KR 19940004721A KR 0135394 B1 KR0135394 B1 KR 0135394B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
liquid
negative pressure
processing
Prior art date
Application number
KR1019940004721A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940022733A (ko
Inventor
카오루 신바라
야스히로 구라타
마사시 사와무라
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR940022733A publication Critical patent/KR940022733A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0135394B1 publication Critical patent/KR0135394B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판처리장치는 다수매의 웨이퍼(W)를 순수중에 침지하는 로더(1)과 이면세정부(2), 표면세정부(3), 수세건조장치(4)와 반송장치(6)를 구비한다. 이면세정장치(2)는 로더(1)에서 꺼내진 웨이퍼(W)에 순수를 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 이면을 아래에서 브러쉬로 세정한다. 표면세정장치(3)는 이면세정장치(2)에 의해 세정후의 웨이퍼(W)에 순수를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면을 위에서 브러쉬로 세정한다. 수세건조장치(4)는 세정이 종료한 웨이퍼(W)를 수세한 후, 건조한다. 반송장치(6)는 로더(1), 이면세정장치(2), 표면세정장치(3) 및 수세건조장치(4)의 각각의 사이에 배치되며, 웨이퍼(W)에 순수를 공급하면서 웨이퍼(W)를 반송한다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 세정처리에서 웨이퍼(W)의 건조가 방지된다.

Description

기판처리장치
제 1도는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 사시도,
제 2도는 제1도의 종단면 개략도,
제 3도는 로더(Loader)를 나타내는 부분 사시도,
제 4도는 로더를 나타내는 종단면도,
제 4A도는 수조(水槽)를 나타내는 사시도,
제 5도는 로더를 나타내는 평면도,
제 6도는 반송장치의 평면도,
제 7도는 반송장치의 측면도,
제 8도는 다관절 로보트의 일부 절개 측면도,
제 9도는 다관절 로보트의 일부 절개 평면도,
제 10도는 다관절 로보트의 배관도,
제 11도는 이면(裏面) 세정장치의 부분사시도,
제 12도는 제11도의 부분 종단면도,
제 13도는 웨이퍼 파지기구의 사시도,
제 14도는 브러쉬 회전기구의 일부 절개사시도,
제 15도는 표면 세정장치의 부분사시도,
제 16도는 수세 및 건조장치의 부분사시도,
제 17도는 이면 세정장치의 변형예의 부분평면도,
제 18도는 변형 롤러의 측면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 로더,2 : 이면 세정장치,
3 : 표면 세정장치,6 : 반송장치,
7 : 다관절 로보트
본 발명은 기판처리장치에 관한, 특히 처리액을 사용해서 기판을 처리하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 기판 및 액정용 또는 포트마스크용 글라스 기판 등의 기판에 대해서 세정처리 등의 기판처리를 행하는 기판처리장치로서, 일본공개특허 1992년 제162426호 공보에 개시되어 있는 기판처리장치가 있다. 이 장치는 상하에 다수의 웨이퍼를 수납한 카셋트를 싣고 있는 로더 캐리어(loader carrier)와, 로더 캐리어상의 기판수납부에서 기판을 꺼내는 로더용 반송로보트와, 기판의 표리(表裏) 양면을 동시에 세정하는 회전 브러쉬기구와, 세정후의 웨이퍼를 회전시켜서 건조하는 회전 건조기구를 구비하고 있다.
이 기판처리장치에서는, 로더 캐리어에 실려진 기판수납부에서 로더용 반송 로보트가 1매씩 기판을 꺼낸다.
이때, 기판수납부 및 기판은 청정한 공기에 노출된다. 반송용 로보트로 꺼내진 기판의 양 단면은 회전 브러쉬기구에의해 지지되어 표면돠 이면이 동시에 세정된다. 세정된 웨이퍼는 양단면이 지지된채 회전 건조기구에 의해 회전시켜 건조된다. 건조된 웨이퍼는 언로더(unloader)캐리어상에 실려진다.
이 기판처리장치에서는, 순수에 의한 기판 세정처리까지는 기판은 건조상태에서 공기중으로 반송된다. 즉, 세정처리까지 웨이퍼가 반송되는 동안 및 세정처리전까지 웨이퍼가 대기하고 있는 동안은, 웨이퍼가 공기와 접촉하여 건조하게 된다. 웨이퍼가 공기와 접촉해서 건조되면, 공기중의 산소에 의해 웨이퍼 표면에 자연산화막이 성장하거나 공기중에 부유하는 파티클과 약제가 웨이퍼 표면에 고착하는 원인으로 된다.
본 발명의 목적은, 기판처리 및 반송중에 기판의 건조를 억제하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 다른 기판처리간에 기판과 공기와의 접촉을 억제하는데 있다.
본 발명의 특성에 따른 기판처리장치는, 다수의 기판을 상하 다단으로 수납하는 기판수납부를 처리액중에 침지(侵漬)하는 기판침지부와 기판처리부와 기판반송부를 구비하고 있다. 기판처리부는 하나 이상 복수개 설치되고, 기판수납부에서 꺼내진 기판에 대해 처리액을 공급해서 그 처리를 행한다. 기판반송부는 기판침지부 및 기판처리부 사이에 배치되어 기판을 반송한다. 이 기판반송부는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단을 구비한다.
이 기판처리장치에서는, 기판수납부에 수납된 기판은 기판침지부에 의해 처리액중으로 침지된다. 계속해서 기판수납부에서 기판이 꺼내지고, 꺼내진 기판은 기판반송부에 의해 기판처리부로 반송된다. 이때, 기판에는 처리액 공급수단에 의해 처리액이 공급된다. 기판처리부로 기판이 반송되면, 기판처리부에서는 기판으로 처리액이 공급되어 그 처리가 행해진다. 기판처리부가 복수인 경우에는, 기판반송부에서 다음의 기판처리부로 기판이 적셔지면서 반송되어 다음의 기판처리가 행해진다.
여기에서는, 기판이 기판침지부에서 처리액중에 침지되고, 기판반송부에서는 처리액에 의해 적셔지면서 반송되며, 또 기판처리부에서 처리액에 의해 적셔지면서 처리되므로 기판의 건조가 방지된다.
본 발명의 또 다른 특성에 따른 기판처리장치는, 기판을 처리하는 기판처리부와, 기판반송부와, 액 공급부를 구비하고 있다. 기판반송부는, 내액성을 가지고 기판처리부로 기판을 반송한다. 액공급부는, 기판반송부에 의해 반송되는 기판의 표면에 건조방지액을 공급한다. 여기에서는, 반송중에 건조 방지액이 공급되므로 기판의 건조를 방지할 수 있고, 기판과 공기와의 접촉을 억제할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 하기의 상세한 설명에서 보다 명확하게 된다.
제1도 및 제2도는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기판처리장치를 나타낸다. 본 기판처리장치는, 반도체 웨이퍼(W)(기판의 일예)에 대한 세정 및 건조처리를 행한다.
제1도 및 제2도에 있어서, 기판처리장치는 카셋트(C)(기판수납부의 일예)에 수용된 다수의 웨이퍼(W)를 순수중에 침지하는 로더(1)와, 카셋트(C)에서 꺼내진 웨이퍼(W)의 이면(하면)을 브러쉬 세정하는 이면 세정장치(2)와, 웨이퍼(W)의 표면(상면)을 브러쉬 세정하는 표면 세정장치(3)와, 웨이퍼(W)의 수세 및 건조처리를 행하는 수세 건조장치(4)와, 처리된 웨이퍼(W)를 별도의 카셋트(C)에 수용해서 배출하기 위한 언로더(5)가 이 순서로 배치된 구성으로 되어 있다.
각 로더(1), 장치(2-4) 및 언로더(5) 사이에는 다관절 로보트(7)를 가지는 반송장치(6)가 배치되어 있다. 이 반송장치(6)와 각 로더(1)와 언로더(5) 및 장치(2-4) 사이는 샤터(shutter)(도시되지 않음)에 의해 차단되게 된다. 또, 로더(1) 및 장치(2-4, 6)에는 순수 공급장치(8)에서 제어밸브(9)를 통해 순수가 공급된다. 로더(1) 및 장치(2-4, 6)에서의 배수는 배수액 회수장치(10)에 의해 회수된다.
로더(1)는, 제3도∼제5도에 나타낸 바와 같이, 내부에 순수를 저장하고, 카셋트(C)를 순수중에 침지시키기 위한 수조(11)와, 카셋트(C)를 수조(11)내에서 상하 이동하기 위한 카셋트 승강장치(12)를 가지고 있다. 이 승강장치(12)는 적어도 카셋트(C)를 카셋트(C)내에 수납된 최상단의 웨이퍼(W)가 완전하게 순수중에 침지하는 위치와, 카셋트 내에 수납된 최하단의 웨이퍼(W)가 순수중에서 부상하는 위치와의 사이에서 상하 이동시킨다. 카셋트(C)는 속이 비어 있고, 제3도의 우측 전면측에는 수용된 웨이퍼(W)를 출입시키기 위한 개구(13)가 형성되어 있다.
수조(11)는 합성수지로 만들어지고, 제4A도에 나타낸 바와 같이, 카셋트(C)의 개구(13)가 대향 배치되는 측면과 반대 측면(제4도 좌측)에는 상하 위치를 조절가능한 둑(14)이 설치되어 있다. 이 둑(14)에 의해 수조(11)내의 액면의 높이가 결정된다. 또한, 수조(11)의 저면에서 카셋트(C)의 개구(13)에 가까운 부분에는, 순수공급부(15)가 형성되고 있고, 이 순수공급부(15)에서 순수가 수조(11)로 공급된다. 또한, 공급된 순수는 둑(14)에서 넘쳐 배출된다. 이 때문에, 순수 공급중에는 수조(11)내의 적어도 액면 부근에서 카셋트(C)의 개구(13)에서 뒤쪽으로 수류가 형성된다. 또, 수조(11)의 일측면에는 정전용량센서(18)를 이용한 액면계(17)가 배치되어 있다.
카셋트 승강장치(12)는 승강프레임(19)을 구비하고 있다. 승강프레임(19)은, 상하로 배치된 2개의 가이드축(20)에 의해 상하이동 자유롭게 지지되어 있다. 승강프레임(19)의 중앙에는 볼넛트(21)가 배치되어 있다. 볼넛트(21)는 상하로 연장되는 볼스크류(22)에 나사 결합되어 있다. 볼스크류(22)는 가이드축(20)을 지지하는 가이드 프레임(23)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 볼스크류(22)는 하단에 배치된 톱니부착 풀리(24) 및 톱니부착 벨트(25)를 통해서 모터(26)에 의해 회전 구동된다. 이것에 의해 승강프레임(19)이 승강 구동된다.
승강프레임(19)의 양측단에는 스테인레스제의 박판부재로 형성되는 한쌍의 승강부재(27)와, 이것에 연결하는 수직부재(31)가 배치되어 있다. 각 수직부재(31)의 하단에는 합성수지제의 평판부재로 형성되는 카셋트대(32)가 설치되어 있다. 카셋트대(32)상에는 카셋트(C)의 4귀를 위치 결정하기 위한 위치 결정부재(33)가 설치되어 있다. 또, 각 승강부재(27)의 상단에는 연결부재(30)에 의해 연결되어 있고, 이 연결부재(30)의 중앙부에는 카셋트(C)를 수조(11)에 침지할 때, 카셋트(C)의 부상(浮上)을 방지하기 위한 부상 방지부재(44a)가 배열 설치되어 있다. 이 부상 방지부재(44a)는 연결부재(30)에 고정된 축받침부(45a)와, 축(46a)을 통해서 축받침부(45a)에 회전 자유롭게 연결된 스톱퍼(47a)로 구성된다.
제2도에 나타낸 반송장치(6)에 있어서, 반송방향 상류측의 3개의 다관절 로보트(7)의 상방에는, 제6도 및 제7도에 나타낸 바와 같이, 순수 분무용 노즐(34)이 설치되어 있다. 이 노즐(34)은 다관절 로보트(7)에 흡착 유지된 웨이퍼(W)에 대해서 순수를 분무하여 웨이퍼(W)의 건조를 방지하고, 웨이퍼(W)와 공기와의 접촉을 억제하기 위한 것이다. 이 노즐(34)은 웨이퍼(W)보다 약간 큰 구경의 원뿔형태로 순수를 분무한다.
다관절 로보트(7)는 기판처리장치의 프레임(40)에 설치된 수직컬럼(41)과, 수직컬럼(41)상에서 수평방향으로 회전 자유롭게 지지된 베이스(42)와, 베이스(42)의 선단에서 수평 방향으로 회전 자유롭게 지지된 반송암(43)으로 구성되어 있다. 다관절 로보트(7)는, 제6도에 실선으로 나타내는 대기자세와, 2점 쇄선으로 나타내는 반출자세와, 점선으로 나타내는 반입자세를 취할 수 있다. 대기자세는, 반송암(43)이 베이스(42)상에 접어 넣어진 자세이다. 반출자세는, 베이스(42)가 대기자세에서 제6도의 반시계 방향으로 90°선회하여, 베이스(42)와 반송암(43)이 일직선상으로 연장되어 배치된 자세이다. 반입자세는, 대기자세를 사이에 둔 반출자세의 선대칭이다.
수직컬럼(41)은 스텐인레스제로 만들어지고, 제8도에 나타낸 바와 같이, 거의 원통모양이다. 수직컬럼(41)의 내부에는 스테인레스제의 베어링(45, 46)에 의해 회전 자유롭게 지지된 회전축(44)이 배치되어 있다. 회전축(44)의 상단에는 합성수지제의 회전레버(49)가 고정되어 있고, 하단측에는 도시되지 않은 모터를 포함하는 회전 구동기구가 연결되어 있다. 회전레버(49)는, 제9도에 나타낸 바와 같이, 베이스(42)와 회전축(44)은 일체로 회전한다.
수직컬럼(41)의 상단에는 합성수지제의 평톱니바퀴(50)가 고정되어 있다. 이 때문에, 평톱니바퀴(50)는 수직컬럼(41)과 일체적으로 회전한다. 수직컬럼(41)의 상단 외주(外周)에는 스테인레스제의 베어링(47, 48)에 배열 설치되어 있다. 이 베어링(47, 48)은 베이스(47)를 회전 자유롭게 지지하기 위한 것이다.
베이스(42)는 알루미늄제이고, 외면이 4불화 에틸렌수지로 피복되어 있다. 베이스(42)는 거의 타원형이고, 그 기부(基部)에 베어링(47, 48)을 수납하는 축받침 수납부(51)를 가지고 있다. 또, 베이스(42)의 선단과 중간부에는 합성 수지재의 고정축(52, 53)이 배치되어 있다. 중간부의 고정축(53)에는 평톱니바퀴(50)에 톱니 맞추어진 합성수지제의 중간 톱니바퀴(54)가 회전 자유롭게 지지되어 있다. 이 중간 톱니바퀴(54)는 백래쉬(backlash)를 제거하기 위한 조정이 가능한 2매 구조의 톱니바퀴이다. 선단의 고정축(52)에는 합성수지제의 피니언(55)이 회전 자유롭게 지지되어 있다. 피니언(55)은 상부에 보스(boss)(56)부를 가지고 있고, 보스부(56)의 상단에는 반송암(43)의 기단이 고정되어 있다.
이들 회전레버(49), 평톱니바퀴(50), 중간 톱니바퀴(54) 및 피니언(55)은 베이스(42)의 주위에 스크류로 고정된 합성수지제의 커버(57)로 덮혀져 있다.
반송암(43)은 스테인레스제 박판부재로 형성되고, 그 내부에는 반송암(43)의 선단 상면에 개구되어, 거기에서부터 고정축(52)으로 연장되는 흡착구멍(58)이 형성되어 있다. 또, 고정축(52) 및 고정축(53)의 축심에도 같은 흡착구멍(59, 60)이 각각 형성되어 있다. 이 흡착구멍(59, 60)을 연통하도록 베이스(42)에도 흡착구멍(61)이 형성되어 있다. 또한, 회전축(44)의 축심에도 흡착구멍(62)이 형성되어 있고, 이 흡착구멍(62, 60)은 흡착배관(63)에서 접속되어 있다.
제10도에 나타낸 바와 같이, 회전축(44)의 기단에는 네가티브 압력배관(64)의 일단이 접속되어 있다. 흡착구멍(58-62), 흡착배관(63) 및 네가티브 압력배관(64)에 의해 흡착경로(65)가 구성되어 있다. 네가티브 압력배관(64)의 타단은 네가티브 압력발생부(66)에 접속되어 있다.
네가티브 압력발생부(66)는 흡인펌프 시스템이고, 네가티브 압력발생부(66)가 접속된 공기원(67)에서의 고압 공기에 의해 네가티브 압력을 발생한다. 네가티브 압력발생부(66)에는 계측배관(68)을 통해서 하한 접점부착 진공계(69)가 접속되어 있다. 이 계측배관(68)에서 진공계(69)의 근방에는 대기에 개방된 개방배관(70)이 접속되어 있다. 개방배관(70)에는 전자 제어방식의 온, 오프밸브(71)가 배치되어 있다. 이 개방배관(70)은 계측배관(68)중에 흡착경로(65)에서 칩입한 순수를 제거하기 위한 것이다.
네가티브 압력발생부(66)의 하류측에는 공기, 수분 분리장치(72)가 접속되어 있다. 공기, 수분 분리장치(72)는 공기중에 포함되는 수분과 공기를 분리하기 위한 것이다. 공기, 수분 분리장치(72)의 하류측은 배기관(73)과 배수관(74)에 접속되어 있다.
여기에서는, 반송암(43)의 선단에서 적셔진 웨이퍼(W)를 흡착하면, 흡착경로(65)로 물이 침입한다. 침입한 물은 네가티브 압력발생부(66)에서 공기, 수분 분리장치(72)로 흐른다. 그리고, 공기, 수분 분리장치(72)에서 분리된 공기는 배기관(73)으로 배출되고, 또 수분은 배수관(74)으로 배출된다. 또, 물의 일부가 계측배관(68)에도 침입한다. 계측배관(68)에 순수가 체류하면 진공계(69)에서의 계측이 불가능하게 되기 때문에, 진공계(69)에 의한 계측 직전에 온, 오프밸브(71)를 열고, 계측배관(68)을 대기 개방하여 계측배관(68)중의 순수를 네가티브 압력발생부(66)측으로 배출한다.
이면 세정장치(2)는, 제11도데 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 파지해서 요동시키는 웨이퍼 파지기구(80)와, 웨이퍼(W)의 이면에 맞닿아 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 브러쉬 세정기구(81)와, 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 분사하는 표면 세정노즐(82)을 가지고 있다.
웨이퍼 파지기구(80)는, 웨이퍼(W)를 절대 회전시키지 않고 화살표 A방향으로 유성 회전시키는 것이고, 대향 배치된 한쌍의 파지부(83, 84)를 가지고 있다. 파지부(83, 84)는 웨이퍼(W)의 외주를 따라 간격을 두고 배치된 파지발톱(85, 86)과, 선단에서 이 파지발톱(85, 86)을 지지하는 파지암(87, 88)을 각각 가지고 있다.
제11도 우측 뒤쪽의 파지암(88)은 파지 브래킷(89)의 상단에 고정되어 있다. 또 좌측 전면의 파지암(87)은 프레스 브래킷(90)의 상단에 고정되어 있다. 프레스 브래킷(90)은 그 도면 좌측 전면측에 배치된 파지 브래킷(91)에 접속, 격리 가능하게 지지되어 있다. 이 프레스 브래킷(90)은 항상 스프링(92)에 의해 웨이퍼(W)를 미는 방향으로 힘이 가해지고 있다.
또, 파지발톱(83, 86)은, 제12도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 스프링(92)의 미는 힘에 의해 파지하는 맞닿은 면(93, 94)을 하부에 각각 가진다. 파지발톱(85, 86)은 맞닿는 면(93, 94)에서 상방으로 감에 따라 도면에서 좌우 방향으로 서서히 두꺼워진다. 또, 맞닿는 면(93, 94)은 웨이퍼(W)의 중심을 중심으로 하는 동일 원통면의 일부를 구성하고, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리에 각각 맞닿게 된다. 이 때문에, 파지발톱(85, 86)이 웨이퍼(W)를 파지할 때는, 웨이퍼(W)의 이면 전면이 하방으로 노출한다.
파지 브래킷(89, 91)은, 제13도에 나타낸 바와 같이, 각각 L형의 평판 부재이고, 그 하부는 요동프레임(95)에 화살표 B방향으로 접속 또는 격리 가능하게 지지되어 있다. 프레임(95)의 양측상에는 파지 브래킷(89, 91)을 접속 또는 격리시키기 위한 2개의 에어실린더(97, 96)가 고정되어 있다. 또, 요동 프레임(95)의 양측 전면측에는 파지 브래킷(89, 91)을 접속 또는 격리 자유롭게 지지하기 위한 접속, 격리 가이드부(99, 98)가 설치되어 있다.
요동프레임(95)의 이면에는 축받침(100, 101)이 간격을 두고 배치되어 있다. 축받침(100, 101)에는 상부에 편심캠(104)(한쪽만 도시)을 가지는 요동축(102, 103)의 선단이 회전 자유롭게 각각 지지되어 있다. 이 요동축(102, 103)이 회전하면, 편심캠(104)의 작용에 의해 요동프레임(95)은 화살표 A방향으로 편심 요동운동을 행한다. 이것에 의해 파지발톱(85, 86)으로 파지된 웨이퍼(W)가 요동운동한다.
요동축(102, 103)은 편심캠(104)의 하방으로 배치된 상부 승상프레임(106)과, 요동축(102, 103)의 하부에 배치된 하부 승강프레임(108)에 의해 회전 자유롭게 지지되어 있다. 또, 상부 승강프레임(106) 및 하부 승강프레임(108)의 사이에 배치된 상부 고정프레임(107)에 의해 회전 자유롭고, 상하방향 이동 자유롭게 지지되어 있다.
제13도의 좌측 전면의 요동축(102)의 하단에는 하부 승강프레임(108)에서 하방으로 연장되는 브래킷(110)에 고정된 요동용 모터(111)가 연결되어 있다. 이 요동용 모터(111)의 구동력은 하부 승강프레임(108)과 모터(111)와의 사이에 배치된 풀리(112), 타이밍 벨트(113) 및 풀리(112)를 통해서 다른쪽의 요동축(103)으로 전달된다.
이 때문에, 요동축(102)과 요동축(103)은 동기해서 같은 방향으로 회전한다.
상부 고정프레임(107)과 하부 고정프레임(109)은 가이드축(115, 116)에 의해 연결되어 있다. 가이드축(115, 116)은 하부 승강프레임(108)을 승강 자유롭게 지지하고 있다. 또, 상기 가이드축(115, 116)의 사이에는 스크류축(117)이 배치되어 있다. 스크류축(117)은 상부 고정프레임(107) 및 하부 고정프레임(109)에 회전 자유롭게 지지되어 있다. 스크류축(117)은 하부 승강프레임(108)에 설치된 암나사(도시되지 않음)와 나사 결합하여 하부 고정프레임(109)에 고정된 승강용 모터(118)에 의해 회전 구동된다. 이 모터(118)의 회전구동에 의해 하부 승강프레임(108)이 승강 구동된다. 이것에 의해 웨이퍼(W)를 화살표 C방향으로 승강시킬 수 있다.
브러쉬 회전기구(81)는, 제14도에 나타낸 바와 같이, 원형브러쉬(120)를 구비하고 있다. 원형브러쉬(120)는 회전축(121)의 상단에 고정되어 있다. 회전축(121)은 회전축(121)과 동심으로 배치된 통모양의 축지지부(122)에 의해 회전 자유롭게 지지되어 있다. 축지지부(122)의 하단은 장치프레임(40)에 고정되어 있다. 회전축(121)에는 풀리 및 타이밍 벨트로 형성되는 전달기구(123)를 통해서 모터(124)의 구동력이 전달된다. 이것에 의해 원형브러쉬(120)는 웨이퍼(W)에 대해서 화살표 D방향으로 회전 구동된다.
회전축(121)의 하단에는 회전가능 조인트(125)가 설치되어 있다. 회전가능 조인트(125)는 회전축(121)의 중심에 전체 길이에 걸쳐서 형성된 유수구멍(126)의 하단에 연통되어 있다.
원형브러쉬(120)는 다수의 나이론제의 섬유를 심어 설치한 구성이고, 그 중앙에는 유수구멍(126)의 상단에 연통하는 순수공급용 노즐(127)이 배치되어 있다. 세정시 노즐(127)에서 순수를 방출하면, 방출된 순수는 원심력에 의해 원형브러쉬(120)의 외주측으로 흐른다. 이것에 의해, 원형브러쉬(120)로 제거한 파티클을 효율좋게 제거할 수 있다. 또, 대기시에 노즐(127)에서 순수를 방출하면 방출된 순수는 원심력에 의해, 원형브러쉬(120)의 외주측으로 흐른다. 이것에 의해 원형브러쉬(120)에 부착된 파티클을 확실하게 제거할 수 있고, 또 대기시 원형브러쉬(120)의 건조를 방지할 수 있다.
표면 세정장치(3)는, 제15도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 파지해서 승강 및 회전시키기 위한 웨이퍼 승강회전기구(130)와, 웨이퍼(W)의 표면에 맞닿아 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 브러쉬 세정기구(131)와, 웨이퍼(W)의 표면으로 순수를 분사하는 순수 분사기구(132)를 가지고 있다.
웨이퍼 승강회전기구(130)는 웨이퍼(W)의 측면을 파지하는 복수의 파지발톱(133)을 가지고 있다. 이 파지발톱(133)은 웨이퍼 승강회전부(134)에 의해 승강 및 회전하게 된다.
브러쉬 세정기구(131)는 암(135)을 가지고 있다. 암(135)은 그 선단이 웨이퍼(W)의 중심에서 외주로 향해서 요동하도록 구성되어 있다. 암(135)의 선단에는 하향의 원형브러쉬(136)가 회전 가능하게 배치되어 있다. 도면에 2점 쇄선으로 나타낸 대기위치에 암(135)에 배치된 상태에서 원형브러쉬(136)에 대향하는 위치에는 원형브러쉬(136)를 세정하기 위한 세정노즐(137)이 배치되어 있다. 이 세정노즐(137)에 의해 원형브러쉬(136)에 부착된 파티클이 제거된다.
순수 분사기구(132)는 승강 및 요동하는 노즐지지암(138)을 가지고 있다. 노즐지지암(138)의 선단에는 초음파로 진동한 순수를 분사하는 초음파노즐(139)이 웨이퍼(W)의 중심으로 향해서 경사진 하방으로 순수를 분사할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 이 분사각도는 조정 가능하다.
웨이퍼(W)의 하면에는, 세정시 표정에서 이면으로 돌어 들어가는 파티클을 제거하기 위한 이면 세정노즐(140)이 배치되어 있다. 이면 세정노즐(140)은 웨이퍼(W)의 이면에 대해서 2방향으로 순수를 분사한다.
수세 건조장치(4)는, 제16도에 나타낸 바와 같이, 표면 세정장치(3)와 같은 웨이퍼 승강회전기구(141)와, 웨이퍼(W)의 표면에 대해서 구경방향으로 출몰가능한 린스노즐(142)과, 웨이퍼(W)의 중심에 질소가스를 분사하기 위한 가스노즐(143)을 가지고 있다. 웨이퍼 승강회전기구(141)는 웨이퍼(W)의 측면을 파지하기 위한 복수의 파지발톱(44)을 가지고 있다. 이 파지발톱(144)이 웨이퍼(W)를 파지하고, 웨이퍼 승강회전기구(141)가 웨이퍼(W)를 저속 회전하면서 린스노즐(142)에서 순수를 분사하여 수세하며, 그 후 웨이퍼(W)를 고속 회전해서 수분제거 및 건조를 행한다.
또한, 이 수세 건조장치(4)에도 표면에서 이면으로 돌아 들어가는 파티클을 제거하기 위해 이면 세정용노즐(145)이 배치되어 있다. 또한, 린스노즐(142)이 출몰 가능한 이유는 비사용시 물방울에 의해 웨이퍼(W)가 적셔지는 것을 방지하기 위한 것이다.
이와 같이 구성된 기판처리장치에서는, 로더(1)에서 수세 건조장치(4)까지의 사이에서 반송중과 처리중에 상시 순수가 공급되므로, 웨이퍼(W)의 건조를 방지할 수 있어, 웨이퍼(W)가 공기와 접촉하는 것을 억제할 수 있다.
다음에 상술한 기판처리장치의 동작에 대해서 설명한다.
다수의 웨이퍼(W)를 상하로 수납한 카셋트(C)가 위치 결정부재(33)에 의해 로더(1)의 카셋트대(32)에 위치 결정되어 실려지면, 승강프레임(10)이 하강해서 수조(11)내에 카셋트(C)가 침지된다. 이때, 순수공급구(15)에서 순수가 공급되고 있다. 공급된 순수는 둑(14)에서 넘쳐흐른다. 이 결과, 수조(11)의 액면 가까이에서는 카셋트(C)의 개구(13)에서 뒤쪽으로 향하는 수류가 형성된다. 따라서, 승강프레임(19)은 하강할 때, 각 웨이퍼(W)가 수류에 의한 미는 힘을 받어 카셋트(C)에서 웨이퍼(W)가 미끌어지지 않는다.
이면 세정장치(2)측으로 웨이퍼(W)를 공급할 때는, 침지되어 있는 카셋트(C)가 카셋트 승강장치(12)에 의해 상승한다. 그리고, 반출해야 할 웨이퍼(W)를 꺼내는 위치보다 약간 상방으로 위치시킨 상태에서 카셋트 승강장치(12)가 정지한다. 이때에도, 액면 부근에는 개구에서 뒤쪽을 향해서 순수의 흐름이 형성되므로 카셋트(C)내에서 웨이퍼(W)가 미끌어지지 않는다.
계속해서, 다관절 로보트(7)의 회전축(44)을 도시하지 않는 모터에 의해 제9도의 반시계 방향으로 회전시켜, 회전레버(49)를 통해서 베이스(42)를 반시계방향으로 회전시킨다. 그러면, 베이스(42)에 고정된 평톱니바퀴(50)가 베이스(42)와 함께 회전하고, 중간 톱니바퀴(54)를 통해서 피니언(55)을 회전 구동한다. 피니언(55)이 회전하면, 반송암(58)이 선회한다. 그리고, 베이스(42)가 반시계 방향으로 90°회전하면 베이스(42)와 선회암(43)이 일직선으로 늘어선 반출자세(제6도의 2점 쇄선의 자세)로 된다. 그리고, 약간 카셋트 승강장치(12)를 하강시키는 것에 의해, 다관절 로보트(7)의 반송암(43)상에서 웨이퍼(W)를 받는다.
여기에서, 흡착경로(65)내를 네가티브 압력으로하여, 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다. 또, 온, 오프밸브(71)를 순간 개방하여 계측배관(68)을 대기에 개방한다. 이것에 의해, 계측배관(68)에 침입해서 체류하고 있는 물을 배수하여 진공계(69)에 의해 네가티브 압력을 확인할 수 있도록 된다. 그리고, 진공시계(69)의 하한접점이 온하고 있는가 아닌가를 체크한다. 하한접점이 온으로 되어 있을 때는 네가티브 압력이 충분하지 않으므로 장치를 정지시킨다.
정상적인 네가티브 압력이 검출되어, 웨이퍼(W)의 흡착이 정상으로 행해져 있는 경우에는 회전축(44)을 역방향(제9도의 시계방향)으로 회전시켜, 베이스(42)를 역방향으로 90°회전시킨다. 이 결과, 반송암(43)이 베이스(42)상에 위치하는 대기상태로 된다. 여기에서는, 로더(1)에서 웨이퍼(W)를 받어 꺼낼때에 웨이퍼(W)와 반송장치(6) 및 카셋트(C)는 서로 접촉되지 않는다. 이 때문에, 연마에 의한 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
다관절 로보트(7)의 대기자세는 이면 세정장치(2)에서의 반송요구가 오기까지 유지된다. 이 사이, 노즐(34)에서 순수가 분무된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)는 반송중 및 대기중에 건조하지 않고, 공기와의 접촉에 의해 생기는 산화와, 파티클 및 약제의 고착 등을 방지할 수 있다.
이면 세정장치(2)에서 반송요구가 생기면, 회전축(44)이 또 시계방향으로 90°회전한다. 그러면, 반송암(43)이 이면 세정장치(2)측으로 연장된 반입자세로 되어 그 선단이 이면 세정장치(2)의 중심위치로 배치된다. 이때, 이면 세정장치(2)측에서는, 에어실린다(96, 97)가 진출하여, 파지발톱(85, 96)에 의해 웨이퍼(W)를 파지한다. 또, 다관절 로보트(7)는 대기자세로 복귀한다.
계속해서, 웨이퍼 파지기구(80)를 모터(118)에 의해 하강시켜, 회전하고 있는 원형브러쉬(120)에 웨이퍼(W)의 이면을 맞닿게 한다. 이 상태에서 모터(124)를 회전 구동하여, 웨이퍼(W)를 원형브러쉬(120)의 주연(周緣)이 웨이퍼(W)의 주연에 내접하도록 요동시킨다. 이때, 표면 세정노즐(82)에 의해 웨이퍼(W)의 표면에도 순수를 공급함으로써 웨이퍼(W) 표면의 건조와 파티클의 부착을 방지한다.
여기에서는, 발톱(85, 86)에 대해 웨이퍼(W)는 미끌어지지 않으므로, 미끄럼에 의한 웨이퍼(W)의 손상과 파티클은 발생하지 않는다. 또, 웨이퍼(W)의 이면은 완전히 하방으로 노출하고 있으므로, 웨이퍼(W)의 이면 전체를 확실히 세정할 수 있다. 게다가, 원형브러쉬(120)와 발톱(85, 86)과의 충돌이 없으므로 브러쉬의 수명이 길어진다.
또, 원형브러쉬(120)는 웨이퍼(W)의 반경보다 크고 또 직경보다 적게 설정되어 있고, 또 원형브러쉬(120)의 주연이 웨이퍼(W)의 주연에 내접하도록 웨이퍼(W)가 요동하므로, 파티클은 재부착하기 어렵고, 효율좋게 제거된다. 게다가, 노즐(127)에서 방출된 순수가 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외주축으로 흐르므로 파티클을 보다 효율좋게 씻어내어, 파티클의 재부착 방지효과가 높다. 또한, 이면에서 표면으로 돌아 들어가는 파티클은 노즐(82)에 의해 제거된다.
웨이퍼(W)의 이면 세정이 종료하면, 웨이퍼 파지기구(80)가 상승한다. 계속해서, 이면 세정장치(2)와 표면 세정장치(3)와의 사이에 배치된 다관절 로보트(7)가 웨이퍼(W)를 받어서 표면 세정장치(3)로 반송한다. 또, 이 사이의 대기중에도 노즐(34)에서 순수가 웨이퍼(W)로 분무되어 웨이퍼(W)의 산화와 건조가 방지된다.
표면 세정장치(3)에서는 웨이퍼 승강회전기구(130)가 상승하여, 파지발톱(133)이 웨이퍼(W)를 파지한다. 계속해서, 웨이퍼(W)가 회전하여, 노즐지지암(138)을 요동시키면서 초음파노즐(139)에서 순수를 웨이퍼(W)의 표면으로 분사한다. 동시에, 원형브러쉬(136)가 회전하면서 암(135)이 요동하여, 웨이퍼(W)의 표면을 세정한다.
이때, 암(135)은 웨이퍼(W)의 중심 부근에서 하강하여 원형브러쉬(136)를 웨이퍼(W)의 표면에 맞닿게 한다.
그 상태에서 암(135)은 웨이퍼(W)의 외주 방향으로 이동한다. 원형브러쉬(136)가 외주부에 도달하면 암(135)은 상승한다. 이 사이클을 세정중에 반복함으로써 웨이퍼(W)의 세정이 행해진다.
세정중에는 웨이퍼(W)의 이면에 대해서 이면 세정노즐(145)이 순수를 분사한다. 이것에 의해 표면에서 이면으로 돌아 들어가는 파티클이 제거된다. 또, 암(135)이 대기위치(제15도의 2점쇄선)에 있는 경우에는, 세정노즐(137)에서 순수가 원형브러쉬(136)로 향해서 분사된다. 이것에 의해 원형브러쉬(136)에 부착된 파티클이 제거된다.
여기에서는 회전하고 있는 웨이퍼(W) 표면의 중심에 원형브러쉬(136)를 맞닿게하여, 구경방향으로 원형브러쉬(136)를 이동시키고 있다. 이 이동 및 웨이퍼(W)의 회전에 의해 원형브러쉬(136)가 웨이퍼(W)를 마찰해서 생기는 파티클은 효율좋게 웨이퍼(W)의 외주측으로 배출된다.
또한, 원형브러쉬(136)와 초음파노즐(139)은 동시에 동작시키지 않아도 좋다. 그 한쪽에서도 충분한 경우에는 그들을 단독으로 동작시키는 것도 가능하다. 또, 초음파노즐(139)의 분사각도를 조정할 수 있으므로, 보다 효율좋게 파티클을 제거할 수 있다.
웨이퍼(W)표면의 세정이 종료하면, 표면 세정장치(3)와 수세 건조장치(4)와의 사이에 배치된 다관절 로보트(7)가, 웨이퍼(W)를 받어서 수세 건조장치(4)로 반송한다. 이 사이의 대기중에도, 노즐(34)에서 순수가 웨이퍼(W)로 분무되어, 웨이퍼(W)의 산화와 건조가 방지된다.
수세 건조장치(4)에서는 웨이퍼 승강회전기구(141)가 상승하여, 파지발톱(144)이 웨이퍼(W)를 파지한다. 그리고, 린스노즐(142)이 진출하여, 순수를 분사함과 동시에 이면 세정노즐(145)이 순수를 이면으로 분사한다. 이 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 소정시간 후에 노즐(142, 145)에서 순수의 분사를 종료하여 수세를 종료한다.
계속해서, 웨이퍼(W)를 고속 회전시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 부착된 수분은 웨이퍼(W)의 외주방향으로 흩어져서, 웨이퍼(W)의 수분제거 및 건조처리가 달성된다. 최후로, 가스노즐(143)에서 질소가스를 분사하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 중앙에 남겨진 수분을 제거한다.또한, 질소가스는 웨이퍼(W)의 회전중에 분사해도 좋다. 또, 웨이퍼(W)의 중앙부 뿐만 아니라 전면으로 분사해도 좋다.
웨이퍼(W)의 수분제거 및 건조가 종료하면, 수세 건조장치(4)와 언로더(5)와의 사이에 배치된 다관절 로보트(7)가 웨이퍼(W)를 받어서 언로더(5)로 반송한다. 언로더(5)에서는 받은 웨이퍼(W)를 별도의 카셋트(C)내에 수용한다.
공급측의 카셋트(C)내의 전체 웨이퍼(W)가 처리되어서 수용측의 카셋트(C)내에 수용되면, 언로더(5)상의 카셋트(C)는 배출된다.
여기에서는, 수세 건조장치(4)까지의 공정에서, 반송중과 처리중에 웨이퍼(W)는 상시 적셔진 상태로 있다.
이 때문에, 웨이퍼(W)의 건조를 방지할 수 있고, 공기와의 접촉에 의해 웨이퍼(W)의 산화와 웨이퍼(W)로의 파티클의 고착 등을 방지할 수 있다.
[변형예]
(a) 액정용 또는 포토마스크용 글라스기관을 처리하는 기판처리장치에 있어서도, 본 발명을 같은 모양으로 실시할 수 있다.
(b) 처리액으로서 순수에 대신해서 이소프로필 알콜 등의 다른 세정액을 사용하여도 좋다. 또, 화학적 처리를 행하는 기판처리부에 있어서는 해당 화학적 처리를 위한 약제를 사용할 수 있다. 처리액으로서, 예를 들면, HCl/H2O, HCl/H2O2/H2O, HF/H2O, HF/H2O2/H2O, BHF/H2O, NH4F/H2O, NH4OH/H2O, NH4OH/H2O2/H2O, H2SO4/H2O2/H2O, HNO3/H2O, 콜린과 테트라메틸 암모늄 하이드로 옥사이드와 같은 유기알카리를 열거할 수 있다. 이중, HCl/H2O, HCl/H2O2/H2O, HF/H2O, HF/H2O2/H2O, BHF/H2O, NH4F/H2O, H2SO4/H2O2/H2O, HNO3/H2O를 사용하면, 웨이퍼(W) 표면에서 금속불순물 제거효과가 향상된다. 또, HF/H2O, HF/H2O2/H2O, BHF/H2O, NH4F/H2O, NH4OH/H2O, NH4OH/H2O2/H2O, H2SO4/H2O2/H2O, HNO3/H2O, 콜린과 테트라메틸 암모늄하이드로 옥사이드와 같은 유기알카리를 사용하면 웨이퍼(W) 표면에서 파티클 제거효과가 향상된다.
(c) 웨이퍼 파지기구를 요동시키는 대신에 원형브러쉬를 요동시켜도 좋다. 또 양쪽을 요동시켜도 좋다.
(d) 파지발톱의 형상은 웨이퍼(W) 주연에 맞닿는 면과, 웨이퍼(W)의 상방으로의 이동을 규제하는 볼록부(凸 )를 가지고, 웨이퍼(W)의 하면이 전면 원형브러쉬에 맞닿을 수 있는 형상이고, 또 웨이퍼를 끼워 지지할 수 있는 형상이라면 어떠한 것이라도 좋다.
(e) 파지발톱을 제17도 및 제18도에 나타낸 바와 같이 롤러(200)로 구성해도 좋다. 각 롤러(200)는 연직방향으로 연장되는 지지축(201)을 통해서 파지암(87) 또는 (88)에 회전 자유롭게 지지되어 있다. 롤러(200)의 외주면에는 환상홈(202)이 형성되어 있고, 환상홈(202)이 웨이퍼(W)를 파지한다. 여기에서는, 원형브러쉬의 회전력에 의해서, 약간 웨이퍼(W)가 회전하므로, 웨이퍼(W)의 외주면 전체가 원형브러쉬에 의해 세정되는 기회가 주어진다.
(f) 제11도 및 제12도의 구성 또는 제17도 및 제18도의 구성에 있어서, 웨이퍼(W)를 원형브러쉬(120)로 세정할 때, 에어실린더(96)에 의해 파지 브래킷(91)의 파지방향으로 미는 힘을 간헐적으로 정지하는 제어를 행해도 좋다. 이것에 의해 웨이면(W)의 약간의 회전을 허용함으로써 웨이퍼(W)의 가장자리를 전체 주위에 걸쳐서 확실하게 세정할 수 있다.
(g) 수조(11)의 개구(13)에 면하는 측벽의 액면 부근에, 순수공급구(15)와는 별도로 순수를 분출하는 노즐 또는 슬릿을 설치하여, 개구(13)에서 뒤쪽으로 수류를 형성하도록 해도 좋다. 또, 순수공급구(15) 자체를 수조(11)의 측벽에 설치해서 수류를 형성하도록 해도 좋다. 또한, 둑(14)측의 측면에, 둑(14) 대신에 강제 배수구멍을 설치하는 것에 의해, 수류를 형성하도록 해도 좋다.
본 발명의 범위를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다. 본 발명의 바람직한 상기 설명은 예시와 설명을 위해서 제시된 것이고, 특허청구의 범위 및 그 균등범위에서 규정되는 발명을 개시한 그대로의 양태로 한정하는 것은 아니다.

Claims (23)

  1. 다수의 기판을 상하 다단으로 수납하는 기판수납부로부터 상기 기판을 꺼내서 처리하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판수납부를 처리액중에 침지해서 유지하는 기판침지부와, 1매의 기판에 대해서 처리액을 공급하여 제1처리를 행하는 제1 기판처리부와, 상기 기판침지부로 유지된 상기 기판수납부에서 1매의 기판을 꺼내서 상기 제1 기판처리부로 반송하는 제1 기판반송부와, 상기 제1 기판반송부에 의해 반송중인 상기 1매의 기판에 대해서 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급수단을 구비하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가판수납부는, 측면에 상기 기판을 출입시키기 위한 개구를 가지고 있고, 상기 기판침지부는, 내부에 처리액을 지장하고, 상기 기판수납부를 상기 처리액중에 침지하기 위한 수조와, 상기 기판수납부를 상기 수조내에서 상하로 이동하기 위한 수납부 이동 수단과, 상기 수조내의 적어도 처리액의 액면 부근에서 상기 수납부의 상기 개구에서 뒤쪽방향으로 수류를 형성하기 위한 수류 형성수단을 구비하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수류 형성수단은, 상기 수조에 설치된 높이 조절 가능한 둑을 가지는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판침지부는, 내부에 처리액을 저장하고 또 상기 기판수납부를 상기 처리액중에 침지하기 위한 수조와, 상기 기판수납부를 상기 수조에서 상하 이동하기 위한 수납부 승강수단을 구비하고, 상기 제1 기판반송부는, 상기 기판수납부내로 침입하여, 상기 기판수납부 내에서 상기 기판을 하방에서 지지한 후 반출하는 다관절 구조의 기판 반출 수단을 구비하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판반송부내에 설치되어, 상기 기판을 네가티브 압력에 의해 흡착 유지하기 위한 흡착경로와, 상기 흡착경로에 접속되어 상기 흡착경로에서 네가티브 압력을 발생하기위한 네가티브 압력 발생수단과, 상기 네가티브 압력 발생수단에 의해 발생한 네가티브 압력을 계측하기 위한 네가티브 압력 계측수단과, 상기 네가티브 압력 발생수단과 상기 네가티브 압력 계측수단의 사이에 체류하는 상기 처리액을 배출하기 위한 처리액 배출수단을 더 구비하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 처리액 공급수단은, 순수를 상기 기판에 공급하기 위한 분무노즐을 가지는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판은 원형이고, 상기 분무노즐은 상기 기판보다 구경이 큰 원뿔형태로 순수를 분사하는 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판처리부에서 처리된 상기 기판에 처리액을 공급해서 제2 처리를 행하는 제2 기판처리부와, 상기 제1 및 제2 기판처리부의 사이에 배치되어, 상기 기판에 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급수단을 포함하는 제2 기판반송부를 더 구비하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 기판처리부는, 상기 기판의 이면을 하방에서 세정하는 이면세정용 기판처리부이고, 상기 제2 기판처리부는, 상기 이면세정용 기판처리부에 의해 이면이 세정된 상기 기판의 표면을 상방에서 세정하는 표면세정용 기판처리부인 기판처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판은 원형이고, 상기 제1 기판처리부는, 상기 기판을 유지하는 기판 유지수단과, 상기 기판 유지수단으로 유지된 기판의 이면에 맞닿아 있고, 상기 기판의 주면에 회전 중심축이 교차하도록 배치되는 원형브러쉬와, 상기 기판과 상기 원형브러쉬를 상대 회전시키는 회전수단과, 상기 기판과 상기 원형브러쉬를 상대적으로 요동시키는 요동수단을 구비하는 기판처리장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 기판은 원형이고, 상기 제1 기판처리부는, 상기 기판 주연에 맞닿는 면과, 상기 맞닿는 면의 상방에서 기판 중심 방향으로 향해서 블록 설치된 블록부(凸)를 가지고, 상기 기판의 하면 전면이 하방으로 노출하도록 상기 기판의 주연에서 상기 기판을 파지하는 기판파지부와, 상기 파지부로 파지된 상기 기판의 하면을 세정하는 원형브러쉬를 구비하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기판파지부는, 상기 기판을 파지하기 위해 하부에 원통의 일부를 형성하는 맞닿는 면을 가지는 기판처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 원형브러쉬는, 중심에 순수 공급노즐을 가지는 기판처리장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기 기판은 원형이고, 상기 제1 기판처리부는, 상기 기판 주연에 맞닿는 복수의 롤러와, 상기 롤러를 회전 자유롭게 지지하는 지지부와, 상기 파지부에 의해 파지된 상기 기판의 하면을 세정하는 원형브러쉬를 구비하는 기판처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 원형브러쉬는, 중심에 순수 공급노즐을 가지는 기판처리장치.
  16. 제9항에 있어서, 상기 기판은 원형이고, 상기 제2 기판처리부는, 상기 기판을 유지하는 기판 유지수단과, 상기 기판 주면에 회전축에 교차하도록 배치된 회전암과, 상기 회전암으로 유지되고, 상기 기판 유지수단에 의해 유지된 기판의 주면에 맞닿을 수 있고, 중앙부에 처리액 배출구를 가지는 원형브러쉬와, 상기 기판과 상기 원형브러쉬를 상대 회전시키는 회전수단과, 상기 처리액 배출구에서 처리액을 배출하는 처리액 배출수단을 구비하는 기판처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 회전암은, 상기 원형브러쉬가 상기 기판의 주면을 따라서, 상기 기판의 중심에서 외주연으로 이동하도록 회전하는 기판처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 회전수단은, 상기 기판 유지수단이 그 중심을 중심으로 해서 회전하고, 상기 원형브러쉬가 그 중심을 중심으로 해서 회전하도록 상기 기판 및 상기 원형브러쉬를 상대 회전시키는 기판처리장치.
  19. 다수의 기판을 상하 다단으로 수납하는 기판수납부에서 상기 기판을 꺼내서 처리하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판수납부를 액중에 침지해서 유지하는 기판 침지수단과, 1매의 기판에 대해서 처리액을 공급해서 세정처리를 행하는 기판처리수단과, 상기 기판침지부로 유지된 상기 기판수납부에서 1매의 기판을 꺼내서 상기 기판처리수단으로 반송하는 내액성의 기판반송수단과, 상기 기판반송수단에 의해 반송중인 상기 1매의 기판에 대해서 반송중 건조를 방지하기 위해 액을 공급하는 액 공급수단을 구비하는 기판처리장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 기판반송수단내에 설치되어, 상기 기판을 네가티브 압력에 의해 흡착 유지하는 흡착경로와, 상기 흡착경로에 접속되어, 상기 흡착경로에서 네가티브 압력을 발생하기 위한 네가티브 압력 발생수단과, 상기 네가티브 압력 발생수단에 의해 발생한 네가티브 압력을 계측하기 위한 네가티브 압력 계측수단과, 상기 네가티브 압력 발생수단과 상기 네가티브 압력 계측수단의 사이에 체류하는 상기 액을 배출하기 위한 액 배출수단을 더 구비하는 기판처리장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 액 공급수단은, 순수를 상기 기판에 공급하기 위한 분무노즐을 가지는 기판처리장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 기판은 원형이고, 상기 분무노즐은 상기 기판보다 구경이 큰 원뿔형태로 순수를 분사하는 기판처리장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기판반송수단은, 선단에 상기 흡착경로가 개구하는 수평방향으로 연장되는 반송암을 가지는 기판처리장치.
KR1019940004721A 1993-03-18 1994-03-10 기판처리장치 KR0135394B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5815493 1993-03-18
JP93-58154 1993-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940022733A KR940022733A (ko) 1994-10-21
KR0135394B1 true KR0135394B1 (ko) 1998-04-25

Family

ID=13076080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940004721A KR0135394B1 (ko) 1993-03-18 1994-03-10 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0135394B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417648B1 (ko) * 1996-12-28 2004-04-06 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정방법
KR100836549B1 (ko) * 2000-10-12 2008-06-10 램 리써치 코포레이션 담금, 스크러빙, 건조시스템에서의 기판처리
KR20190108611A (ko) * 2017-03-23 2019-09-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766247B1 (ko) * 1999-12-30 2007-10-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일체형 스트립 및 세정 장치
KR100735601B1 (ko) * 2001-04-02 2007-07-04 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법
KR100713209B1 (ko) * 2007-02-06 2007-05-02 서강대학교산학협력단 세정장치에 사용되는 고압세정기

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417648B1 (ko) * 1996-12-28 2004-04-06 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정방법
KR100836549B1 (ko) * 2000-10-12 2008-06-10 램 리써치 코포레이션 담금, 스크러빙, 건조시스템에서의 기판처리
KR20190108611A (ko) * 2017-03-23 2019-09-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR940022733A (ko) 1994-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5485644A (en) Substrate treating apparatus
JP6618334B2 (ja) 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
KR0135394B1 (ko) 기판처리장치
TWI230404B (en) Photo resists stripping device and the method thereof
JP2003104544A (ja) 方形基板の湿式処理装置
JPH11297652A (ja) 基板処理装置
JP2959763B1 (ja) ウェーハ洗浄装置
KR20100050397A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
JPH0774133A (ja) 基板処理装置
KR102110065B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP3341727B2 (ja) ウエット装置
JP3155147B2 (ja) 基板処理装置
JP2971725B2 (ja) 基板浸漬装置
JP3118142B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2016194285A1 (ja) 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP3455722B2 (ja) ブラシ、基板処理装置及び基板処理方法
JP2543007B2 (ja) ウエ−ハ枚葉洗浄装置
JP3464353B2 (ja) 薄板材供給装置
JP2003273057A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2002367945A (ja) ウエーハ移載ロボットを備えたウエーハ洗浄システム
JP2000208466A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH06275585A (ja) 基板処理装置
JP2003002694A (ja) 封止後枚葉洗浄装置および洗浄方法
JPH06120133A (ja) 現像装置
TWI822988B (zh) 液處理裝置及液處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O074 Maintenance of registration after opposition [patent]: final registration of opposition
O132 Decision on opposition [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111216

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121227

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term