JP6618334B2 - 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 - Google Patents
基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6618334B2 JP6618334B2 JP2015220497A JP2015220497A JP6618334B2 JP 6618334 B2 JP6618334 B2 JP 6618334B2 JP 2015220497 A JP2015220497 A JP 2015220497A JP 2015220497 A JP2015220497 A JP 2015220497A JP 6618334 B2 JP6618334 B2 JP 6618334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- metal
- liquid
- removal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
- B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
- B05B13/0221—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
- B05B13/0228—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the movement of the objects being rotative
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
- B05B15/60—Arrangements for mounting, supporting or holding spraying apparatus
- B05B15/68—Arrangements for adjusting the position of spray heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1039—Recovery of excess liquid or other fluent material; Controlling means therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/36—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/007—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
- B05D3/107—Post-treatment of applied coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Description
また、膜形成ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第1の回転保持部と、第1の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属含有塗布液を吐出する塗布液ノズルとを含む。この場合、簡単な構成で周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成することができる。
(2)第1の除去液は、アルカリ性除去液または酸性除去液を含んでもよい。
(4)第1の除去液ノズルは、基板の被処理面と対向するように配置されてもよい。
(5)第2の回転保持部は、基板の被処理面が上方を向くように基板を保持し、第1の除去液ノズルは、基板の被処理面の上方に配置されてもよい。
(7)第2の除去液は、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する水溶液、またはアンモニアと過酸化水素水とを含有する水溶液を含んでもよい。
(16)周縁部除去液供給ユニットは、基板の被処理面と対向するように配置されかつ第3の除去液を吐出する1または複数の除去液ノズルを含んでもよい。
(17)第3の回転保持部は、基板の被処理面が上方を向くように基板を保持し、1または複数の除去液ノズルは、基板の被処理面の上方に配置されてもよい。
(19)第1の除去液は、アルカリ性除去液または酸性除去液を含んでもよい。
(20)第2の除去液は、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する水溶液、またはアンモニアと過酸化水素水とを含有する水溶液を含んでもよい。
(1)基板処理装置
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図1および図2以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図2は、図1の塗布処理部121、現像処理部131および洗浄乾燥処理部161の内部構成を示す模式的側面図である。図2に示すように、塗布処理部121には、塗布処理室21,22,23,24が階層的に設けられる。各塗布処理室21〜24には、塗布処理ユニット129が設けられる。現像処理部131には、現像処理室31〜34が階層的に設けられる。各現像処理室31〜34には、現像処理ユニット139が設けられる。
図4は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162の内部構成を示す模式的側面図である。図4に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302には、複数の熱処理ユニットPHP、複数の密着強化処理ユニットPAHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。
上記のように、図3のスピンチャック25により基板Wが回転された状態で、エッジリンスノズル41から基板Wの周縁部に膜除去液が吐出されることにより、基板Wの周縁部に塗布された金属含有塗布液が溶解される。それにより、基板Wの周縁部の金属含有塗布膜が除去される。しかしながら、基板Wの周縁部には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。また、基板Wの裏面に金属含有塗布液が回り込んだ場合には、基板Wの裏面には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。
図7は、搬送部122,132,163の内部構成を示す模式的側面図である。図7に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送機構127が設けられ、下段搬送室126には搬送機構128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送機構137が設けられ、下段搬送室136には搬送機構138が設けられる。
図1、図2、図4および図7を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)には、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送機構115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図7)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送機構115は、基板載置部PASS2,PASS4(図7)に載置された処理済みの基板Wをキャリア113に搬送する。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、金属含有塗布液が塗布液ノズル28により基板Wの被処理面に供給される。これにより、基板Wの被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板Wが搬送機構127,128,137,138,141により金属除去ユニットMRに搬送される。
第2の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。図9は、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図9に示すように、本実施の形態においては、第2の処理ブロック13がインデクサブロック11と第1の処理ブロック12との間に配置される。
第3の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。図10は、本発明の第3の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図10に示すように、本実施の形態においては、第1の処理ブロック12と第2の処理ブロック13との間に洗浄乾燥処理ブロック14Aと同一の構成を有する洗浄乾燥処理ブロック14Cが配置される。
第4の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。図11は、本発明の第4の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図11に示すように、本実施の形態においては、基板処理装置100に図1の第2の処理ブロック13およびインターフェイスブロック14が設けられない。また、インデクサブロック11と第1の処理ブロック12との間に洗浄乾燥処理ブロック14Aと同一の構成を有する洗浄乾燥処理ブロック14Dが配置される。
(1)塗布兼金属除去ユニット
第5の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。本実施の形態においては、図1の洗浄乾燥処理ブロック14Aに洗浄乾燥処理部162(金属除去ユニットMR)が設けられない。また、図2の塗布処理ユニット129に代えて、以下の塗布兼金属除去ユニットが設けられる。
上記のように、塗布兼金属除去ユニット129MRの基板処理においては、膜除去液およびそれと同じ液である洗浄液と金属用除去液とが用いられる。そのため、カップ27から使用済みの膜除去液および洗浄液と金属用除去液とを分離して回収することが好ましい。そこで、図12に示すように、カップ27の排液部に回収配管50が接続される。回収配管50は、下流において2つの分岐配管51,52に分岐する。分岐配管51,52には、それぞれ回収バルブ51v,52vが介挿される。分岐配管51,52は、それぞれ回収タンク53a,53bに接続される。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、スピンチャック25により回転される基板Wの被処理面に金属含有塗布液が塗布液ノズル28により吐出される。回転される基板Wの被処理面の周縁部および裏面に金属用除去液がエッジリンスノズル43およびバックリンスノズル44によりそれぞれ供給される。
第6の実施の形態に係る基板処理装置について、第5の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。図14は、本発明の第6の実施の形態における塗布兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。
(1)現像兼金属除去ユニット
第7の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。本実施の形態においては、図1の洗浄乾燥処理ブロック14Aに洗浄乾燥処理部162(金属除去ユニットMR)が設けられない。また、図2の現像処理室31〜34の現像処理ユニット139に代えて、以下の現像兼金属除去ユニットが設けられる。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、基板Wの被処理面の周縁部および裏面に金属用除去液がエッジリンスノズル45およびバックリンスノズル46によりそれぞれ供給される。この場合、基板Wの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分がエッジリンスノズル45により溶解され、基板Wの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、金属含有塗布液が基板Wの裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板Wの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分は、バックリンスノズル46により除去される。
(1)上記実施の形態において、反射防止液およびレジスト液の両方に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。反射防止液およびレジスト液の一方に金属成分が含有されなくてもよい。この場合、第5および第6の実施の形態においては、塗布処理室21,23または塗布処理室22,22の一方には、塗布兼金属除去ユニット129MRが設けられず、塗布処理ユニット129が設けられる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
[10]参考形態
(1)第1の参考形態に係る基板処理装置は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる第1の除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に基板を周縁部除去ユニットに搬送する搬送機構とを備える。
この基板処理装置においては、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給される。これにより、基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板が搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送される。また、金属を溶解させる第1の除去液が周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給される。これにより、基板の周縁部における金属含有塗布膜中の金属が溶解され、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。
この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
(2)膜形成ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第1の回転保持部と、第1の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属含有塗布液を吐出する塗布液ノズルとを含み、周縁部除去ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第2の回転保持部と、第2の回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に第1の除去液を吐出する第1の除去液ノズルとを含んでもよい。この場合、簡単な構成で周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成するとともに、基板の周縁部の金属を除去することができる。
(3)膜形成ユニットおよび周縁部除去ユニットの少なくとも一方は、回転される基板の被処理面の周縁部に塗布液を溶解させる第2の除去液を吐出する第2の除去液ノズルをさらに含んでもよい。
この場合、基板の周縁部の塗布液は、膜形成ユニットおよび周縁部除去ユニットの少なくとも一方により除去される。それにより、基板の周縁部の金属含有塗布膜が確実に除去される。これにより、基板処理装置がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。
(4)周縁部除去ユニットは、回転される基板の被処理面と反対側の裏面に第1の除去液を吐出する第3の除去液ノズルをさらに含んでもよい。この構成によれば、金属含有塗布液が基板の裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板の裏面に付着した金属含有塗布液中の金属は、周縁部除去ユニットにより除去される。これにより、基板処理装置が金属により汚染されることを十分に防止することができる。
(5)基板処理装置は、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後でかつ周縁部除去ユニットによる第1の除去液の吐出前に、熱処理により金属含有塗布膜を硬化させる熱処理部をさらに備え、周縁部除去ユニットは、第1の除去液ノズルにより被処理面の周縁部に第1の除去液が吐出されているときに、吐出される第1の除去液よりも基板の中心に近い位置に気体を吐出する気体吐出部をさらに含んでもよい。
この場合、気体吐出部により基板の中心から外方に向かって気体が吐出される。これにより、第1の除去液が周縁部を除く基板の被処理面に飛散することが防止される。また、熱処理部により金属含有塗布膜が硬化されているので、気体吐出部から基板に気体を吐出しても、金属含有塗布膜の膜厚は変化しない。これらの結果、基板の被処理面に金属含有塗布膜を均一な厚みに形成することができる。
(6)周縁部除去ユニットは、第2の回転保持部により回転される基板の被処理面に現像液を吐出する現像ノズルをさらに含んでもよい。この場合、周縁部除去ユニットにおいて基板を現像することができる。
(7)現像液と第1の除去液とは同一の処理液であってもよい。この場合、現像液により基板の周縁部における金属含有塗布膜中の金属が溶解され、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。
この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
また、基板の周縁部の金属の除去と基板の現像とが同一の処理液により行われるので、現像液を他の液と分離して回収する必要がない。これにより、現像液の廃棄コストを低減することができる。
(8)現像ノズルと第1の除去液ノズルとは共通のノズルにより構成されてもよい。この場合、周縁部除去ユニットに現像ノズルと第1の除去液ノズルとを別個に設ける必要がない。これにより、基板処理装置の大型化を抑制することができる。
(9)膜形成ユニットは、周縁部除去ユニットに隣接するように配置されてもよい。この場合、基板の周縁部の金属含有塗布膜中の金属が、膜形成ユニットに隣接する周縁部除去ユニットにより即座に除去される。これにより、基板処理装置が金属により汚染されることを十分に防止することができる。
(10)搬送機構は、周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の金属が除去される前の基板を保持して搬送する除去前基板保持部と、周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の金属が除去された後の基板を保持して搬送する除去後基板保持部とを含んでもよい。
この場合、周縁部の金属が除去される前の基板と周縁部の金属が除去された後の基板とが搬送機構の異なる保持部により保持される。これにより、周縁部の金属が除去された後の基板に搬送機構の保持部を介して金属が付着することが防止される。
(11)第2の参考形態に係る膜形成ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第3の回転保持部と、第3の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出する塗布液ノズルと、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液を第3の回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットとを備える。
この膜形成ユニットにおいては、第3の回転保持部により基板が水平姿勢で保持され、回転される。回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出される。回転される基板の被処理面の周縁部に金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液が周縁部除去液供給ユニットにより供給される。これにより、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。
この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
(12)第3の除去液は、金属を溶解させる第4の除去液と塗布液を溶解させる第5の除去液とを含み、周縁部除去液供給ユニットは、第4および第5の除去液を基板の被処理面の周縁部に供給する1または複数の除去液ノズルを含んでもよい。
この場合、金属含有塗布液における金属が第4の除去液により除去されるとともに、金属含有塗布液における塗布液が第5の除去液により除去される。それにより、基板の周縁部の金属含有塗布膜が確実に除去される。これにより、基板処理装置がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。
(13)膜形成ユニットは、基板に吐出された使用済みの第4の除去液と基板に吐出された使用済みの第5の除去液とを分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備えてもよい。
この場合、使用者は、使用済みの第4の除去液と使用済みの第5の除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、第3の除去液の廃棄コストを低減することができる。
(14)複数の除去液ノズルは、第4および第5の除去液を互いに異なる第1および第2の期間において吐出し、除去液回収ユニットは、使用済みの第4の除去液を回収する第1の回収部と、使用済みの第5の除去液を回収する第2の回収部と、第1の期間において基板に吐出された使用済みの第4の除去液を第1の回収部に導き、第2の期間において基板に吐出された使用済みの第5の除去液を第2の回収部に導くように切り替えられる切り替え経路とを含んでもよい。
この場合、第4および第5の除去液が吐出される期間に基づいて、簡単な構成で使用済みの第4の除去液と使用済みの第5の除去液とを分離することができる。
(15)切り替え経路は、基板から飛散する第4および第5の除去液を受け止めるカップと、カップと第1の回収部との間に接続された第1の回収配管と、カップと第2の回収部との間に接続された第2の回収配管と、第1の回収配管に介挿された第1の回収バルブと、第2の回収配管に介挿された第2の回収バルブと、第1の回収部に第4の除去液を回収するために第1の回収バルブを開放するとともに第2の回収バルブを閉止し、第2の回収部に第5の除去液を回収するために第2の回収バルブを開放するとともに第1の回収バルブを閉止するように第1および第2の回収バルブを制御する制御部とを含んでもよい。
この場合、簡単な制御で使用済みの第4の除去液を第1の回収部に回収し、使用済みの第5の除去液を第2の回収部に回収することができる。
(16)第4の除去液の比重は第5の除去液の比重よりも大きく、除去液回収ユニットは、使用済みの第4および第5の除去液を貯留する貯留部と、貯留部に貯留された第4および第5の除去液を比重に基づいて分離する除去液分離機構とを含んでもよい。
この場合、第4および第5の除去液の比重に基づいて、簡単な構成で使用済みの第4の除去液と使用済みの第5の除去液とを分離することができる。
(17)除去液分離機構は、基板から飛散する第4および第5の除去液を受け止めるカップと、カップと貯留部との間に接続された回収配管と、貯留部から使用済みの第4の除去液を排出するように設けられた第1の排出配管と、貯留部から使用済みの第5の除去液を排出するように設けられた第2の排出配管と、第1の排出配管に介挿された第1の排出バルブと、貯留部内に貯留された第4の除去液と第5の除去液との境界面を検出する境界面検出部と、境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には第1の排出バルブを閉止し、取得した検出面が下限位置よりも大きい場合には第1の排出バルブを開放するように第1の排出バルブを制御する制御部とを含み、第1の排出配管は下限位置よりも下方における貯留部に接続され、第2の排出配管は下限位置よりも上方における貯留部に接続されてもよい。
この場合、簡単な制御で使用済みの第4の除去液を貯留部から第1の排出配管を通して回収し、使用済みの第5の除去液を貯留部から第2の排出配管を通して回収することができる。
(18)除去液分離機構は、第2の排出配管に介挿された第2の排出バルブをさらに含み、制御部は、取得した検出面が予め定められかつ下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には第2の排出バルブを開放し、取得した検出面が上限位置よりも大きい場合には第2の排出バルブを閉止してもよい。
この場合、簡単な構成で使用済みの第4の除去液が貯留部から第2の排出配管を通して回収されることを防止することができる。
(19)第3の除去液は、金属および塗布液を溶解させてもよい。この場合、第3の除去液により金属含有塗布液における金属および塗布液が同時に除去される。これにより、基板の周縁部における金属および塗布液を効率よく除去することができる。また、第3の除去液を分離して回収する必要がない。これらの結果、基板の処理コストを低減することができる。
(20)膜形成ユニットは、第3の回転保持部により回転される基板の被処理面と反対側の裏面に金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液を供給する裏面除去液供給ユニットをさらに備えてもよい。
この構成によれば、金属含有塗布液が基板の裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板の裏面に付着した金属含有塗布液は、裏面除去液供給ユニットにより除去される。これにより、膜形成ユニットが金属により汚染されることを十分に防止することができる。
(21)第3の参考形態に係る基板処理方法は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、金属含有塗布膜の形成後の基板を搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送するステップと、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる第1の除去液を周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給するステップとを含む。
この基板処理方法によれば、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給される。これにより、基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板が搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送される。また、金属を溶解させる第1の除去液が周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給される。これにより、基板の周縁部における金属含有塗布膜中の金属が溶解され、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。
この方法によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
(22)第4の参考形態に係る膜形成方法は、第3の回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、第3の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出するステップと、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、第3の回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液を周縁部除去液供給ユニットにより供給するステップとを含む。
この膜形成方法によれば、第3の回転保持部により基板が水平姿勢で保持され、回転される。回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出される。回転される基板の被処理面の周縁部に金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液が周縁部除去液供給ユニットにより供給される。これにより、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。
この方法によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。
2 回転軸
3,25,35 スピンチャック
4,27,37 カップ
5 排液部
6 排気部
7 裏面洗浄ノズル
8 周縁部洗浄ノズル
9 気体供給部
10 気液供給ノズル
10a 液体ノズル
10b 気体ノズル
11 インデクサブロック
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A,14C,14D 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
20 待機部
21〜24 塗布処理室
28 塗布液ノズル
29 ノズル搬送機構
31〜34 現像処理室
38 スリットノズル
39 移動機構
41,43 エッジリンスノズル
41p〜44p 供給配管
41v〜44v 供給バルブ
42,44 バックリンスノズル
50,55,56 回収配管
50A 除去液回収ユニット
51,52 分岐配管
51v,52v,55v,56v 回収バルブ
53,53a,53b 回収タンク
54 境界検出部
100 基板処理装置
111 キャリア載置部
112,122,132,163 搬送部
113 キャリア
114 メインコントローラ
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
125,135 上段搬送室
126,136 下段搬送室
129 塗布処理ユニット
129MR 塗布兼金属除去ユニット
131 現像処理部
139 現像処理ユニット
139MR 現像兼金属除去ユニット
161,162 洗浄乾燥処理部
301,303 上段熱処理部
302,304 下段熱処理部
311〜313 ガイドレール
314 移動部材
315 回転部材
BSS 洗浄乾燥処理ユニット
CP 冷却ユニット
EEW エッジ露光部
H1〜H4 ハンド
Ha ガイド部
Hb アーム部
LC1,LC2 ローカルコントローラ
MR 金属除去ユニット
PAHP 密着強化処理ユニット
PASS1〜PASS9 基板載置部
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
P−CP 載置兼冷却部
PHP 熱処理ユニット
pr 突出部
sm 吸着部
W 基板
Claims (30)
- 金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、
前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように前記金属を溶解させる第1の除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、
前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に基板を前記周縁部除去ユニットに搬送する搬送機構とを備え、
前記膜形成ユニットは、
基板を水平姿勢で保持して回転させる第1の回転保持部と、
前記第1の回転保持部により回転される基板の前記被処理面に前記金属含有塗布液を吐出する塗布液ノズルとを含む、基板処理装置。 - 前記第1の除去液は、アルカリ性除去液または酸性除去液を含む、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記周縁部除去ユニットは、
基板を水平姿勢で保持して回転させる第2の回転保持部と、
前記第2の回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に前記第1の除去液を吐出する第1の除去液ノズルとを含む、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記第1の除去液ノズルは、基板の前記被処理面と対向するように配置される、請求項3記載の基板処理装置。
- 前記第2の回転保持部は、基板の前記被処理面が上方を向くように基板を保持し、
前記第1の除去液ノズルは、基板の前記被処理面の上方に配置される、請求項4記載の基板処理装置。 - 前記膜形成ユニットおよび前記周縁部除去ユニットの少なくとも一方は、回転される基板の前記被処理面の周縁部に前記塗布液を溶解させる第2の除去液を吐出する第2の除去液ノズルをさらに含む、請求項2〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2の除去液は、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する水溶液、またはアンモニアと過酸化水素水とを含有する水溶液を含む、請求項6記載の基板処理装置。
- 前記周縁部除去ユニットは、
回転される基板の前記被処理面と反対側の裏面に前記第1の除去液を吐出する第3の除去液ノズルをさらに含む、請求項2〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後でかつ前記周縁部除去ユニットによる前記第1の除去液の吐出前に、熱処理により前記金属含有塗布膜を硬化させる熱処理部をさらに備え、
前記周縁部除去ユニットは、
前記第1の除去液ノズルにより前記被処理面の周縁部に前記第1の除去液が吐出されているときに、吐出される前記第1の除去液よりも前記基板の中心に近い位置に気体を吐出する気体吐出部をさらに含む、請求項2〜8のいずれか一項に基板処理装置。 - 前記周縁部除去ユニットは、前記第2の回転保持部により回転される基板の前記被処理面に現像液を吐出する現像ノズルをさらに含む、請求項2〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記現像液と前記第1の除去液とは同一の処理液である、請求項10記載の基板処理装置。
- 前記現像ノズルと第1の除去液ノズルとは共通のノズルにより構成される、請求項11記載の基板処理装置。
- 前記膜形成ユニットは、前記周縁部除去ユニットに隣接するように配置される、請求項1〜12のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記搬送機構は、
前記周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の前記金属が除去される前の基板を保持して搬送する除去前基板保持部と、
前記周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の前記金属が除去された後の基板を保持して搬送する除去後基板保持部とを含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を水平姿勢で保持して回転させる第3の回転保持部と、
前記第3の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出する塗布液ノズルと、
基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、前記金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液を前記第3の回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットとを備える、膜形成ユニット。 - 前記周縁部除去液供給ユニットは、
基板の前記被処理面と対向するように配置されかつ前記第3の除去液を吐出する1または複数の除去液ノズルを含む、請求項15記載の膜形成ユニット。 - 前記第3の回転保持部は、基板の前記被処理面が上方を向くように基板を保持し、
前記1または複数の除去液ノズルは、基板の前記被処理面の上方に配置される、請求項16記載の膜形成ユニット。 - 前記第3の除去液は、前記金属を溶解させる第1の除去液と前記塗布液を溶解させる第2の除去液とを含み、
前記1または複数の除去液ノズルは、
前記第1および第2の除去液を基板の前記被処理面の周縁部に供給する、請求項16または17記載の膜形成ユニット。 - 前記第1の除去液は、アルカリ性除去液または酸性除去液を含む、請求項18記載の膜形成ユニット。
- 前記第2の除去液は、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する水溶液、またはアンモニアと過酸化水素水とを含有する水溶液を含む、請求項18または19記載の膜形成ユニット。
- 基板に吐出された使用済みの前記第1の除去液と基板に吐出された使用済みの前記第2の除去液とを分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備える、請求項18〜20のいずれか一項に記載の膜形成ユニット。
- 前記複数の除去液ノズルは、前記第1および第2の除去液を互いに異なる第1および第2の期間において吐出し、
前記除去液回収ユニットは、
使用済みの前記第1の除去液を回収する第1の回収部と、
使用済みの前記第2の除去液を回収する第2の回収部と、
前記第1の期間において基板に吐出された使用済みの前記第1の除去液を前記第1の回収部に導き、前記第2の期間において基板に吐出された使用済みの前記第2の除去液を前記第2の回収部に導くように切り替えられる切り替え経路とを含む、請求項21記載の膜形成ユニット。 - 前記切り替え経路は、
基板から飛散する前記第1および第2の除去液を受け止めるカップと、
前記カップと前記第1の回収部との間に接続された第1の回収配管と、
前記カップと前記第2の回収部との間に接続された第2の回収配管と、
前記第1の回収配管に介挿された第1の回収バルブと、
前記第2の回収配管に介挿された第2の回収バルブと、
前記第1の回収部に前記第1の除去液を回収するために前記第1の回収バルブを開放するとともに前記第2の回収バルブを閉止し、前記第2の回収部に前記第2の除去液を回収するために前記第2の回収バルブを開放するとともに前記第1の回収バルブを閉止するように前記第1および第2の回収バルブを制御する制御部とを含む、請求項22記載の膜形成ユニット。 - 前記第1の除去液の比重は前記第2の除去液の比重よりも大きく、
前記除去液回収ユニットは、
使用済みの前記第1および第2の除去液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記第1および第2の除去液を比重に基づいて分離する除去液分離機構とを含む、請求項21記載の膜形成ユニット。 - 前記除去液分離機構は、
基板から飛散する前記第1および第2の除去液を受け止めるカップと、
前記カップと前記貯留部との間に接続された回収配管と、
前記貯留部から使用済みの前記第1の除去液を排出するように設けられた第1の排出配管と、
前記貯留部から使用済みの前記第2の除去液を排出するように設けられた第2の排出配管と、
前記第1の排出配管に介挿された第1の排出バルブと、
前記貯留部内に貯留された前記第1の除去液と前記第2の除去液との境界面を検出する境界面検出部と、
前記境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には前記第1の排出バルブを閉止し、取得した検出面が前記下限位置よりも大きい場合には前記第1の排出バルブを開放するように前記第1の排出バルブを制御する制御部とを含み、
前記第1の排出配管は前記下限位置よりも下方における前記貯留部に接続され、前記第2の排出配管は前記下限位置よりも上方における前記貯留部に接続される、請求項24記載の膜形成ユニット。 - 前記除去液分離機構は、前記第2の排出配管に介挿された第2の排出バルブをさらに含み、
前記制御部は、取得した検出面が予め定められかつ前記下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には前記第2の排出バルブを開放し、取得した検出面が前記上限位置よりも大きい場合には前記第2の排出バルブを閉止する、請求項25記載の膜形成ユニット。 - 前記第3の除去液は、前記金属および前記塗布液を溶解させる、請求項15〜17のいずれか一項に記載の膜形成ユニット。
- 前記第3の回転保持部により回転される基板の前記被処理面と反対側の裏面に前記金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液を供給する裏面除去液供給ユニットをさらに備える、請求項15〜27のいずれか一項に記載の膜形成ユニット。
- 膜形成ユニットの第1の回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
前記第1の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として前記膜形成ユニットの塗布液ノズルにより吐出することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、
前記金属含有塗布膜の形成後の基板を搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送するステップと、
基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように前記金属を溶解させる第1の除去液を前記周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給するステップとを含む、基板処理方法。 - 第3の回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
前記第3の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出するステップと、
基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記第3の回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に前記金属含有塗布液を溶解させる第3の除去液を周縁部除去液供給ユニットにより供給するステップとを含む、膜形成方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/579,505 US20180147599A1 (en) | 2015-06-03 | 2016-04-15 | Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method |
KR1020177033675A KR20170137923A (ko) | 2015-06-03 | 2016-04-15 | 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 |
PCT/JP2016/002059 WO2016194285A1 (ja) | 2015-06-03 | 2016-04-15 | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 |
CN201680031649.7A CN107615458B (zh) | 2015-06-03 | 2016-04-15 | 基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法 |
CN202110556130.3A CN113327871A (zh) | 2015-06-03 | 2016-04-15 | 基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法 |
KR1020207008079A KR102119360B1 (ko) | 2015-06-03 | 2016-04-15 | 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 |
TW105116503A TWI661473B (zh) | 2015-06-03 | 2016-05-26 | 基板處理裝置、膜形成單元、基板處理方法及膜形成方法 |
US17/090,983 US20210078036A1 (en) | 2015-06-03 | 2020-11-06 | Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015112811 | 2015-06-03 | ||
JP2015112811 | 2015-06-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016225591A JP2016225591A (ja) | 2016-12-28 |
JP6618334B2 true JP6618334B2 (ja) | 2019-12-11 |
Family
ID=57748588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015220497A Active JP6618334B2 (ja) | 2015-06-03 | 2015-11-10 | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20180147599A1 (ja) |
JP (1) | JP6618334B2 (ja) |
KR (2) | KR102119360B1 (ja) |
CN (2) | CN113327871A (ja) |
TW (1) | TWI661473B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017098367A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP6666164B2 (ja) | 2016-02-17 | 2020-03-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6836913B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2021-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP6867827B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-05-12 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置および物品製造方法 |
JP6426223B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP7085392B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2022-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP7117923B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-08-15 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布処理装置および塗布処理方法 |
JP7185461B2 (ja) | 2018-09-21 | 2022-12-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および、基板処理装置の制御方法 |
JP6688860B2 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP7232737B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US20220059345A1 (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing integrated circuit device using a metal-containing photoresist composition |
JP2022104056A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124887A (ja) | 1991-09-27 | 1994-05-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
JP3341033B2 (ja) * | 1993-06-22 | 2002-11-05 | 忠弘 大見 | 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置 |
JP3407835B2 (ja) * | 1995-03-09 | 2003-05-19 | 東京応化工業株式会社 | 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置 |
JPH08264418A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
TW353190B (en) * | 1996-08-08 | 1999-02-21 | Tokyo Electron | Treating device |
JP3395696B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
JP2001110714A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Sony Corp | 薬液塗布装置および薬液塗布方法 |
JP3348842B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | 回転塗布膜の形成方法 |
JP2001319910A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
US6827814B2 (en) * | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
JP2001319909A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP4386561B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2009-12-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 洗浄液の分離再利用装置 |
JP4531998B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2010-08-25 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法 |
JP3916886B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2007-05-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4018958B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100897431B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2009-05-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리장치 및 액처리방법 |
JP4216238B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
JP4692341B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体 |
JP4547016B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置、半導体製造方法 |
JP5012651B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
US7994060B2 (en) * | 2009-09-01 | 2011-08-09 | International Business Machines Corporation | Dual exposure track only pitch split process |
JP5815967B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び真空処理システム |
JP5988438B2 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
JP5586734B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP6048043B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム |
US9390967B2 (en) * | 2014-12-11 | 2016-07-12 | International Business Machines Corporation | Method for residue-free block pattern transfer onto metal interconnects for air gap formation |
US10332784B2 (en) * | 2015-03-31 | 2019-06-25 | Versum Materials Us, Llc | Selectively removing titanium nitride hard mask and etch residue removal |
-
2015
- 2015-11-10 JP JP2015220497A patent/JP6618334B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-15 KR KR1020207008079A patent/KR102119360B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-15 CN CN202110556130.3A patent/CN113327871A/zh active Pending
- 2016-04-15 KR KR1020177033675A patent/KR20170137923A/ko active Search and Examination
- 2016-04-15 CN CN201680031649.7A patent/CN107615458B/zh active Active
- 2016-04-15 US US15/579,505 patent/US20180147599A1/en not_active Abandoned
- 2016-05-26 TW TW105116503A patent/TWI661473B/zh active
-
2020
- 2020-11-06 US US17/090,983 patent/US20210078036A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180147599A1 (en) | 2018-05-31 |
CN107615458A (zh) | 2018-01-19 |
CN113327871A (zh) | 2021-08-31 |
CN107615458B (zh) | 2021-06-01 |
JP2016225591A (ja) | 2016-12-28 |
US20210078036A1 (en) | 2021-03-18 |
TWI661473B (zh) | 2019-06-01 |
KR102119360B1 (ko) | 2020-06-04 |
TW201643942A (zh) | 2016-12-16 |
KR20200033993A (ko) | 2020-03-30 |
KR20170137923A (ko) | 2017-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6618334B2 (ja) | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 | |
JP6000822B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄システム | |
TWI653663B (zh) | 顯影單元、基板處理裝置、顯影方法及基板處理方法 | |
US20210233784A1 (en) | Film processing method | |
CN108352313B (zh) | 膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法 | |
KR102103629B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
WO2016194285A1 (ja) | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 | |
JP6831889B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190226 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6618334 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |