CN107615458A - 基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法 - Google Patents

基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明的基板处理装置具有：涂敷处理单元，其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给，由此在被处理面形成含金属涂敷膜；金属去除单元，其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后，以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向基板的周缘部供给用于使金属溶解的去除液；以及搬送机构，其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后，将基板搬送至金属去除单元。通过由涂敷处理单元向基板的被处理面供给含金属涂敷液，来在被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至金属去除单元。通过金属去除单元，以含金属涂敷膜残留在基板被处理面的除周缘部以外的区域的方式对基板的周缘部供给去除液。

Description

基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法
技术领域
本发明涉及一种进行在基板形成涂敷膜的处理的基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法。
背景技术
在半导体器件等的制造的光刻工序中，通过向基板上供给抗蚀液等涂敷液来形成涂敷膜。例如，通过旋转卡盘将基板一边保持水平一边进行旋转。在该状态下，通过从抗蚀喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出抗蚀液，来在基板的整个上表面作为涂敷膜形成抗蚀膜。此处，若在基板的周缘部存在抗蚀膜，则在用于搬送基板的搬送机构把持基板的周缘部时，抗蚀膜的一部分剥离而成为微粒(particle)。因此，从边缘冲洗喷嘴向基板的周缘部喷出有机溶剂，从而溶解基板的周缘部的抗蚀膜。由此，去除基板周缘部的抗蚀膜(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本专利特开平6-124887号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来，为了形成更精细的图案，正研究着应用含有金属的涂敷膜(以下，称为含金属涂敷膜)。然而，根据发明者的实验可知，即使在通过向形成于基板上的含金属涂敷膜的周缘部喷出有机溶剂来去除基板周缘部的涂敷膜的情况下，在基板的周缘部上仍残留有未被去除的金属成分。因此，基板处理装置以及邻接的曝光装置被残留在基板周缘部的金属成分污染。
本发明的目的在于，提供一种在基板上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染发生的基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法以及膜形成方法。
解决问题的技术方案
(1)根据本发明的一个方式的基板处理装置，包括：膜形成单元，其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给，来在被处理面形成含金属涂敷膜；周缘部去除单元，其在通过膜形成单元形成含金属涂敷膜后，以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向基板的周缘部供给用于使金属溶解的第一去除液；以及搬送机构，其在通过膜形成单元形成含金属涂敷膜后，将基板搬送至周缘部去除单元。
在该基板处理装置中，通过膜形成单元将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给。由此，在基板的被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至周缘部去除单元。另外，通过周缘部去除单元向基板的周缘部供给用于使金属溶解的第一去除液。由此，溶解基板周缘部的含金属涂敷膜中的金属，从而含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域。
根据该结构，在基板的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属残留在基板的周缘部。因此，即使在搬送机构保持基板的周缘部的情况下，金属也不会附着在搬送机构。由此，在基板上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
(2)膜形成单元可以包括：第一旋转保持部，其将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；以及涂敷液喷嘴，其向由第一旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出含金属涂敷液。周缘部去除单元包括：第二旋转保持部，其将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；第一去除液喷嘴，其向由第二旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部喷出第一去除液。在该情况下，用简单的结构在基板的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，并且能够去除基板周缘部的金属。
(3)膜形成单元和周缘部去除单元的至少一个还可以包括第二去除液喷嘴，其向旋转的基板的被处理面的周缘部喷出用于使涂敷液溶解的第二去除液。
在该情况下，基板的周缘部的涂敷液被膜形成单元和周缘部去除单元的至少一者去除。由此，切实地去除基板周缘部的含金属涂敷膜。由此，能够防止基板处理装置被微粒污染。
(4)周缘部去除单元还可以包括：第三去除液喷嘴，其向旋转的基板的与被处理面相反侧的背面喷出第一去除液。根据该结构，即使在含金属涂敷液蔓延到基板背面的情况下，也能通过周缘部去除单元来去除附着于基板背面的含金属涂敷液中的金属。由此，能够充分防止基板处理装置被金属污染。
(5)基板处理装置还可以包括：热处理部，其在通过膜形成单元形成含金属涂敷膜后且通过周缘部去除单元喷出第一去除液前，通过热处理使含金属涂敷膜固化。周缘部去除单元还可以包括气体喷出部，其在通过第一去除液喷嘴向被处理面的周缘部喷出第一去除液时，向与喷出的第一去除液相比更靠近基板中心的位置喷出气体。
在该情况下，通过气体喷出部从基板的中心朝向其外侧喷出气体。由此，防止第一去除液向基板的除周缘部以外的被处理面飞散。另外，由于通过热处理部使含金属涂敷膜固化，因此，即使从气体喷出部向基板喷出气体，含金属涂敷膜的膜厚度也不会发生变化。其结果，能够在基板的被处理面形成均匀厚度的含金属涂敷膜。
(6)周缘部去除单元还可以包括显影喷嘴，其向由第二旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出显影液。在该情况下，能够在周缘部去除单元中对基板进行显影。
(7)显影液和第一去除液可以为相同的处理液。在该情况下，通过显影液溶解基板周缘部的含金属涂敷膜中的金属，从而在基板的被处理面的除周缘部以外的区域残留含金属涂敷膜。
根据该结构，在基板的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属残留在基板的周缘部。因此，即使在搬送机构保持基板的周缘部的情况下，金属也不会附着在搬送机构。由此，在基板上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
另外，由于基板周缘部的金属的去除与基板的显影是通过相同的处理液进行的，因此无需将显影液与其他液体分离并回收。由此，能够降低显影液的废弃成本。
(8)显影喷嘴和第一去除液喷嘴可以由共通的喷嘴构成。在该情况下，无需在周缘部去除单元分别设置显影喷嘴和第一去除液喷嘴。由此，能够抑制基板处理装置的大型化。
(9)膜形成单元可以以与周缘部去除单元邻接的方式配置。在该情况下，基板周缘部的含金属涂敷膜中的金属，立即被与膜形成单元邻接的周缘部去除单元去除。由此，能够充分防止基板处理装置被金属污染。
(10)搬送机构可以包括：去除前基板保持部，其保持并搬送通过周缘部去除单元来去除基板的周缘部的金属前的基板；以及去除后基板保持部，其保持并搬送通过周缘部去除单元去除基板的周缘部的金属后的基板。
在该情况下，通过搬送机构的不同保持部来保持去除周缘部的金属前的基板和去除周缘部的金属后的基板。由此，防止金属经由搬送机构的保持部而附着于去除了周缘部的金属后的基板。
(11)根据本发明的另一方式的膜形成单元具备：第三旋转保持部，其将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；涂敷液喷嘴，其将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向由第三旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出；以及周缘部去除液供给单元，其以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向由第三旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部供给用于使含金属涂敷液溶解的第三去除液。
在该膜形成单元中，基板通过第三旋转保持部来保持为水平姿势并旋转。通过涂敷液喷嘴将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向旋转的基板的被处理面喷出。通过周缘部去除液供给单元向旋转的基板的被处理面的周缘部供给用于使含金属涂敷液溶解的第三去除液。由此，含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域。
根据该结构，在基板的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，由此能够防止金属残留在基板的周缘部。由此，在基板上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
(12)第三去除液可以包含用于使金属溶解的第四去除液和用于使涂敷液溶解的第五去除液，并且周缘部去除液供给单元可以包括一个或多个去除液喷嘴，其向基板的被处理面的周缘部供给第四及第五去除液。
在该情况下，含金属涂敷液中的金属被第四去除液去除，并且含金属涂敷液中的涂敷液被第五涂敷液去除。由此，切实地去除基板周缘部的含金属涂敷膜。由此，能够防止基板处理装置被微粒污染。
(13)膜形成单元还可以包括：去除液回收单元，其对向基板喷出的使用过的第四去除液和向基板喷出的使用过的第五去除液进行分离并回收。
在该情况下，使用者无需进行用于对使用过的第四去除液和使用过的第五去除液进行分离的作业。由此，能够降低第三去除液的废弃成本。
(14)多个去除液喷嘴在互不相同的第一和第二期间喷出第四和第五去除液，并且去除液回收单元包括：第一回收部，其回收使用过的第四去除液；第二回收部，其回收使用过的第五去除液；以及切换路径，其以将在第一期间向基板喷出的使用过的第四去除液引导至第一回收部，并且将在第二期间向基板喷出的使用过的第五去除液引导至第二回收部的方式进行切换。
在该情况下，基于喷出第四和第五去除液的期间，能够用简单的结构对使用过的第四去除液和使用过的第五去除液进行分离。
(15)切换路径可以包括：杯，其接收从基板飞散的第四和第五去除液；第一回收配管，其连接在杯和第一回收部之间；第二回收配管，其连接在杯和第二回收部之间；第一回收阀，其安装于第一回收配管；第二回收阀，其安装于第二回收配管；以及控制部，其以为了将第四去除液回收至第一回收部而打开第一回收阀并关闭第二回收阀，并且为了将第五去除液回收至第二回收部而打开第二回收阀并关闭第一回收阀的方式，控制第一和第二回收阀。
在该情况下，能够用简单的控制将使用过的第四去除液回收至第一回收部，并且将使用过的第五去除液回收至第二回收部。
(16)第四去除液的比重大于第五去除液的比重，并且去除液回收单元可以包括：贮存部，其用于贮存使用过的第四和第五去除液；以及去除液分离机构，其基于比重对贮存于贮存部的第四和第五去除液进行分离。
在该情况下，基于第四和第五去除液的比重，能够用简单的结构对使用过的第四去除液和使用过的第五去除液进行分离。
(17)去除液分离机构可以包括：杯，其接收从基板飞散的第四和第五去除液；回收配管，其连接在杯和贮存部之间；第一排出配管，其从贮存部排出使用过的第四去除液；第二排出配管，其从贮存部排出使用过的第五去除液；第一排出阀，其安装于第一排出配管；交界面检测部，其对贮存于贮存部内的第四去除液和第五去除液之间的交界面进行检测；以及控制部，其用于获取由交界面检测部检测出的交界面，并且以在获取到的检测面为预设的下限位置以下的情况下关闭第一排出阀，在获取到的检测面高于下限位置的情况下打开第一排出阀的方式控制第一排出阀，第一排出配管连接于贮存部的比下限位置更靠近下方的位置，第二排出配管连接于贮存部的比下限位置更靠近上方的位置。
在该情况下，能够用简单的控制从贮存部经由第一排出配管而回收使用过的第四去除液，并且从贮存部经由第二排出配管而回收使用过的第五去除液。
(18)去除液分离机构还可以包括第二排出阀，其安装于第二排出配管。控制部在获取到的检测面为预设的高于下限位置的上限位置以下的情况下打开第二排出阀，在获取到的检测面高于上限位置的情况下关闭第二排出阀。
在该情况下，用简单的结构能够防止使用过的第四去除液从贮存部经由第二排出配管而回收。
(19)第三去除液也可以使金属和涂敷液溶解。在该情况下，通过第三去除液同时去除含金属涂敷液中的金属和涂敷液。由此，能够高效地去除基板的周缘部的金属和涂敷液。另外，无需将第三去除液分离并回收。其结果，能够降低基板的处理成本。
(20)膜形成单元还可以包括背面去除液供给单元，其向由第三旋转保持部旋转的基板的与被处理面相反侧的背面，供给用于使含金属涂敷液溶解的第三去除液。
根据该结构，即使在含金属涂敷液蔓延到基板的背面的情况下，也能通过背面去除液供给单元来去除附着于基板的背面的含金属涂敷液。由此，能够充分防止膜形成单元被金属污染。
(21)根据本发明的又一方式的基板处理方法包括：通过膜形成单元来将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给，由此在被处理面形成含金属涂敷膜的步骤；通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至周缘部去除单元的步骤；以及通过周缘部去除单元，以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向基板的周缘部供给用于使金属溶解的第一去除液的步骤。
根据该基板处理方法，通过膜形成单元来将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给。由此，在基板的被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构将形成含金属涂敷膜后的基板搬送至周缘部去除单元。另外，通过周缘部去除单元向基板的周缘部供给用于使金属溶解的第一去除液。由此，溶解基板周缘部的含金属涂敷膜中的金属，从而含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域。
根据该方法，在基板的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，由此能够防止金属残留在基板的周缘部。因此，即使在搬送机构保持基板的周缘部的情况下，金属也不会附着在搬送机构。由此，能够在基板上形成含金属涂敷膜并且防止金属污染的发生。
(22)根据本发明的又一方式的膜形成方法包括：通过第三旋转保持部将基板保持为水平姿势并使该基板旋转的步骤；通过涂敷液喷嘴，将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向由第三旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出的步骤；以及通过周缘部去除液供给单元，以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向由第三旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部供给用于使含金属涂敷液溶解的第三去除液的步骤。
根据该膜形成方法，通过第三旋转保持部将基板保持为水平姿势并使其旋转。通过涂敷液喷嘴将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向旋转的基板的被处理面喷出。通过周缘部去除液供给单元向旋转的基板的被处理面的周缘部供给用于使含金属涂敷液溶解的第三去除液。由此，含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以外的区域。
根据该方法，含金属涂敷膜形成在基板的除周缘部以外的被处理面，由此能够防止金属残留在基板的周缘部。据此，在基板上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
发明效果
根据本发明，在基板上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。
图2是示出图1的涂敷处理部、显影处理部以及清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图3是示出涂敷处理单元的结构的示意性俯视图。
图4是示出图1的热处理部和清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图5是示出金属去除单元的第一结构例的图。
图6是示出金属去除单元的第二结构例的图。
图7是示出搬送部的内部结构的示意性侧视图。
图8是示出搬送机构的立体图。
图9是本发明的第二实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。
图10是本发明的第三实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。
图11是本发明的第四实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。
图12是示出本发明的第五实施方式中的涂敷兼金属去除单元的结构例的示意性侧视图。
图13是示出供给阀和回收阀的动作的时序图。
图14是示出本发明的第六实施方式中的涂敷兼金属去除单元的结构的示意性侧视图。
图15是示出回收阀的控制的流程图。
图16是示出本发明的第七实施方式中的显影兼用金属去除单元的结构的示意性侧视图。
图17是示出搬送机构的吸附式的机械手(hand)的俯视图。
图18是示出另一实施方式中的热处理部和清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图19是示出另一实施方式中的搬送部的内部结构的示意性侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一实施方式的基板处理装置和基板处理方法。此外，在以下的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子体显示用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或者光掩膜用基板等。另外，对于本实施方式中所使用的基板而言，其至少一部分具有圆形的外周部。例如，除定位用凹口(notch)之外的外周部具有圆形。
【1】第一实施方式
(1)基板处理装置
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。为明确位置关系，在图1和图2以后的规定图中，附上用于表示相互正交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向和Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅直方向。
如图1所示，基板处理装置100具有分度器模块11、第一处理模块12、第二处理模块13、清洗干燥处理模块14A以及搬入搬出模块14B。清洗干燥处理模块14A和搬入搬出模块14B构成接口模块14。曝光装置15配置成与搬入搬出模块14B邻接。
如图1所示，分度器模块11包括多个托板载置部111和搬送部112。在各个托板载置部111，载置多级容纳多个基板W的托板113。搬送部112中设置有主控制器114和搬送机构115。主控制器114用于控制基板处理装置100的各种结构要素。搬送机构115一边保持基板W一边搬送该基板W。
第一处理模块12包括涂敷处理部121、搬送部122以及热处理部123。涂敷处理部121和热处理部123以夹持搬送部122的方式对置设置。在搬送部122和分度器模块11之间设置有用于载置基板W的基板载置部PASS1-PASS4(参照图7)。在搬送部122设置有用于搬送基板W的搬送机构127、128(参照图7)。
第二处理模块13包括显影处理部131、搬送部132以及热处理部133。显影处理部131和热处理部133以夹持搬送部132的方式对置设置。在搬送部132和搬送部122之间设置有用于载置基板W的基板载置部PASS5-PASS8(参照图7)。在搬送部132设置有用于搬送基板W的搬送机构137、138(参照图7)。
清洗干燥处理模块14A包括清洗干燥处理部161、162以及搬送部163。清洗干燥处理部161、162以夹持搬送部163的方式对置设置。在搬送部163设置有搬送机构141、142。在搬送部163和搬送部132之间设置有载置兼用缓冲部P-BF1、P-BF2(参照图7)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2能够容纳多个基板W。
另外，在搬送机构141、142之间，以与搬入搬出模块14B邻接的方式设置有基板载置部PASS9、后述的边缘曝光部EEW(参照图7)以及后述的载置兼冷却部P-CP(参照图7)。载置兼冷却部P-CP具有冷却基板W的功能(例如，冷却板)。在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却为适合于曝光处理的温度。在搬入搬出模块14B设置有搬送机构146。搬送机构146进行基板W相对曝光装置15的搬入和搬出。
(2)涂敷处理部、显影处理部以及清洗干燥处理部
图2是示出图1的涂敷处理部121、显影处理部131以及清洗干燥处理部161的内部结构的示意性侧视图。如图2所示，在涂敷处理部121分层设置有涂敷处理室21、22、23、24。各涂敷处理室21-24中设置有涂敷处理单元129。在显影处理部131分层设置有显影处理室31-34。在各显影处理室31-34设置有显影处理单元139。
图3是示出涂敷处理单元129的结构的示意性俯视图。如图3所示，各涂敷处理单元129具有待机部20、多个旋转卡盘25、多个杯27、多个涂敷液喷嘴28、喷嘴搬送机构29以及多个边缘冲洗喷嘴41。本实施方式中，在各涂敷处理单元129分别设置有两个旋转卡盘25、两个杯27以及两个边缘冲洗喷嘴41。
各旋转卡盘25在保持基板W的状态下，由未图示的驱动装置(例如，电动马达)使其旋转驱动。杯27设置成包围旋转卡盘25的周围。待机时，各涂敷液喷嘴28插入于待机部20。从未图示的涂敷液贮存部经由涂敷液配管而向各涂敷液喷嘴28供给各种涂敷液。多个涂敷液喷嘴28中的任一涂敷液喷嘴28通过喷嘴搬送机构29来移动至基板W的上方。在旋转卡盘25旋转的同时从涂敷液喷嘴28喷出涂敷液，由此涂敷液涂敷在旋转的基板W上。
本实施方式中，从图2的涂敷处理室22、24的涂敷液喷嘴28喷出防反射膜用涂敷液(防反射液)。从涂敷处理室21、23的涂敷液喷嘴28喷出抗蚀膜用涂敷液(抗蚀液)。
在防反射液和抗蚀液中，用于实现高灵敏度化的金属分子或者金属氧化物等金属成分作为组合物而包含。在本例中，作为金属成分，在防反射液和抗蚀液中含有例如Sn(锡)、HFO2(二氧化铪)或者ZrO2(二氧化锆)。以下，将含有金属成分的防反射液或者抗蚀液等涂敷液统称为含金属涂敷液。另外，将由含金属涂敷液形成的膜称为含金属涂敷膜。
边缘冲洗喷嘴41配置成面向由旋转卡盘25保持的基板W的被处理面的周缘部。在此，被处理面，是指形成电路图案等各种图案的基板W的面。基板W的周缘部是指，在基板W的被处理面中沿基板W外周部的具有固定宽度的区域。
边缘冲洗喷嘴41能够喷出去除液，该去除液用于从基板W的周缘部去除含金属涂敷膜。作为相关的去除液，除含有例如稀释剂、乙酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate：丙二醇甲醚乙酸酯)、PGME(propyleneglycol monomethyl ether：丙二醇甲醚)的有机溶媒之外，也可以喷出TMAH(tetra methylammonium hydroxide：四甲基氢氧化铵)或者含有氨以及过氧化氢的水溶液等去除液。以下，将从边缘冲洗喷嘴41喷出的去除液称为膜去除液。
在旋转卡盘25使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴41向基板W的周缘部喷出膜去除液。在该情况下，涂敷于基板W的周缘部的涂敷液被溶解。由此，去除基板W的周缘部的涂敷膜。由此，即使搬送臂把持基板W的周缘部，也能够避免颗粒的产生，从而能够防止基板处理装置100被颗粒污染。
如图2所示，与涂敷处理单元129同样地，显影处理单元139也具有多个旋转卡盘35和多个杯37。另外，如图1所示，显影处理单元139具有喷出显影液的两个狭缝喷嘴38以及使该狭缝喷嘴38在X方向上进行移动的移动机构39。
在此，作为被曝光装置15曝光了的区域可溶于显影液的用于负型显影处理的显影液，能够使用碱性水溶液。碱性水溶液，例如包括TMAH或者KOH(potassium hydroxide：氢氧化钾)。另一方面，作为未被曝光装置15曝光了的未曝光区域可溶于显影液的用于负型显影处理的显影液，能够使用有机溶媒。有机溶媒例如包括乙酸丁酯。
在显影处理单元139中，由未图示的驱动装置使旋转卡盘35进行旋转。由此，使基板W进行旋转。在该状态下，狭缝喷嘴38一边移动一边向各基板W供给显影液。由此，进行基板W的显影处理。
在清洗干燥处理部161设置有多个(本例中，为三个)清洗干燥处理单元BSS。在各清洗干燥处理单元BSS中，使用前述的有机溶媒、前述的水溶液或者纯水来进行针对曝光处理前的基板W的周缘部及背面的清洗和干燥处理。在此，背面是指基板W的与被处理面相反侧的面。
(3)热处理部
图4是示出图1的热处理部123、133和清洗干燥处理部162的内部结构的示意性侧视图。如图4所示，热处理部123具有设置于上方的上层热处理部301和设置于下方的下层热处理部302。在上层热处理部301和下层热处理部302，设置有多个热处理单元PHP、多个粘附强化处理单元PAHP以及多个冷却单元CP。
在热处理部123的最上部设置有局部控制器LC1。局部控制器LC1基于来自图1的主控制器114的指令，控制涂敷处理部121、搬送部122以及热处理部123的动作。
在热处理单元PHP中进行基板W的加热处理和冷却处理。在粘附强化处理单元PAHP中进行用于提高基板W和防反射膜之间的粘附性的粘附强化处理。具体而言，在粘附强化处理单元PAHP中，对基板W涂敷HMDS(六甲基二硅氮烷)等粘附强化剂，并且对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中进行基板W的冷却处理。
热处理部133具有设置于上方的上层热处理部303和设置于下方的下层热处理部304。在上层热处理部303和下层热处理部304，设置有冷却单元CP和多个热处理单元PHP。
在热处理部133的最上部设置有局部控制器LC2。局部控制器LC2基于来自图1的主控制器114的指令，控制显影处理部131、搬送部132以及热处理部133的动作。
(4)金属去除单元
如上所述，在图3的旋转卡盘25使基板W旋转的状态下，边缘冲洗喷嘴41向基板W的周缘部喷出膜去除液，由此，涂敷于基板W的周缘部的含金属涂敷液被溶解。由此，去除基板W周缘部的含金属涂敷膜。然而，在基板W的周缘部，仍残留有含金属涂敷液中所含有的金属成分。另外，在含金属涂敷液蔓延到基板W背面的情况下，在基板W的背面残留有含金属涂敷液中所含有的金属成分。
若在基板W的周缘部或者背面附着有金属成分的状态下，基板W被搬送到基板处理装置100内，则基板处理装置100的内部和曝光装置15的内部会发生由金属成分导致的污染。因此，在清洗干燥处理部162设置有多个(本例中，为六个)金属去除单元MR，该金属去除单元MR用于去除附着于曝光处理前的基板W的周缘部和背面的金属成分。
在金属去除单元MR中，使用作为去除液的碱性去除液或者酸性去除液。碱性去除液例如是包含氨和过氧化氢的水溶液。碱性去除液例如可以是TMAH。酸性去除液例如是包含稀氢氟酸的水溶液。酸性去除液例如可以是包含硫酸和过氧化氢的水溶液，也可以是包含醋酸或者螯合剂的水溶液。螯合剂包括选自有机酸、有机酸的盐、氨基酸、氨基酸的衍生物、无机碱、无机碱的盐、烷基胺、烷基胺的衍生物、烷醇胺以及烷醇胺的衍生物的组群中的一种或者多种。以下，将碱性去除液或者酸性去除液称为金属用去除液。金属用去除液，能够溶解防反射液或者抗蚀液中所含有的金属成分。
本例中，在三个金属去除单元MR和另外三个金属去除单元MR中，使用不同的金属用去除液。在该情况下，对应含金属涂敷液中所含有的金属成分的种类，通过相应的金属去除单元MR来去除附着于基板W的周缘部和背面的金属成分。
图5是示出金属去除单元MR的第一结构例的图。如图5所示，在金属去除单元MR设置有马达1、旋转卡盘3、杯4、两个背面清洗喷嘴7、周缘部清洗喷嘴8以及气体供给部9。旋转卡盘3以能够绕着铅直轴旋转的方式安装于马达1的旋转轴2的上端。杯4配置成包围被旋转卡盘3保持的基板W的周围。杯4的下部形成排液部5和排气部6。
两个背面清洗喷嘴7配置成面向由旋转卡盘3保持的基板W的背面。从背面清洗喷嘴7向基板W的背面喷出金属用去除液。周缘部清洗喷嘴8配置成面向由旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。从周缘部清洗喷嘴8向基板W的周缘部喷出金属用去除液。
气体供给部9配置于由旋转卡盘3保持的基板W的大致中央部的上方。从气体供给部9向基板W的被处理面的大致中央部喷出非活性气体，例如氮气。在该情况下，从气体供给部9喷出的气体向基板W的被处理面的大致中央部扩散。由此，防止从周缘部清洗喷嘴8喷出的金属用去除液附着于在基板W的被处理面形成的涂敷膜上。
图6是示出金属去除单元MR的第二结构例的图。如图6所示，在第二结构例中的金属去除单元MR，设置有替代图5的周缘部清洗喷嘴8以及气体供给部9的气液供给喷嘴10。气液供给喷嘴10包括在水平方向上排列的液体喷嘴10a和气体喷嘴10b。气液供给喷嘴10配置成面向由旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。在此，气体喷嘴10b位于比液体喷嘴10a更靠近基板W的中心的位置。
从液体喷嘴10a向基板W的周缘部喷出金属用去除液。从气体喷嘴10b向基板W的周缘部喷出非活性气体，例如氮气。在该情况下，从气体喷嘴10b喷出气体的基板W的位置与从液体喷嘴10a喷出金属用去除液的位置相比，更靠近基板W的中心。因此，从气体喷嘴10b喷出的气体，阻碍从液体喷嘴10a喷出的金属用去除液流向基板W的中心。由此，防止从液体喷嘴10a喷出的金属用去除液附着于在基板W的被处理面形成的涂敷膜。
另外，在金属去除单元MR的第一结构例或者第二结构例中，由于热处理部123使含金属涂敷膜固化，因此即使从气体供给部9或者气体喷嘴10b向基板W喷出气体，也不会影响含金属涂敷膜的膜厚度。其结果，能够在基板W的被处理面形成厚度均匀的含金属涂敷膜。
(5)搬送部
图7是示出搬送部122、132、163的内部结构的示意性侧视图。如图7所示，搬送部122具有上层搬送室125和下层搬送室126。搬送部132具有上层搬送室135和下层搬送室136。在上层搬送室125设置有搬送机构127，在下层搬送室126设置有搬送机构128。另外，在上层搬送室135设置有搬送机构137，在下层搬送室136设置有搬送机构138。
涂敷处理室21、22(图2)和上层热处理部301(图4)以夹持上层搬送室125的方式对置，涂敷处理室23、24(图2)和下层热处理部302(图4)以夹持下层搬送室126的方式对置。同样地，显影处理室31、32(图2)和上层热处理部303(图4)以夹持上层搬送室135的方式对置，显影处理室33、34(图2)和下层热处理部304(图4)以夹持下层搬送室136的方式对置。
在搬送部112和上层搬送室125之间设置有基板载置部PASS1、PASS2，而在搬送部112和下层搬送室126之间设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬送室125和上层搬送室135之间设置有基板载置部PASS5、PASS6，而在下层搬送室126和下层搬送室136之间设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬送室135和搬送部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF1，而在下层搬送室136和搬送部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬送部163，以与搬入搬出模块14B邻接的方式设置有基板载置部PASS9、多个边缘曝光部EEW以及多个载置兼冷却部P-CP。
载置兼缓冲部P-BF1能够通过搬送机构137和搬送机构141、142(图1)在进行基板W的搬入和搬出。载置兼缓冲部P-BF2能够通过搬送机构138和搬送机构141、142(图1)来进行基板W的搬入和搬出。另外，基板载置部PASS9、边缘曝光部EEW和载置兼冷却部P-CP，能够通过搬送机构141、142(图1)和搬送机构146来进行基板W的搬入和搬出。
在边缘曝光部EEW中进行基板W的周缘部的曝光处理(边缘曝光处理)。通过对基板W进行边缘曝光处理，在进行后续的显影处理时，去除在基板W的周缘部上的抗蚀膜。由此，能够防止在显影处理后，在基板W的周缘部与其他部分接触了的情况下，基板W的周缘部上的抗蚀膜剥离而变为颗粒。
在基板载置部PASS1和基板载置部PASS3，载置从分度器模块11向第一处理模块12搬送的基板W，而在基板载置部PASS2和基板载置部PASS4，载置从第一处理模块12向分度器模块11搬送的基板W。
在基板载置部PASS5和基板载置部PASS7，载置从第一处理模块12向第二处理模块13搬送的基板W，而在基板载置部PASS6和基板载置部PASS8，载置从第二处理模块13向第一处理模块12搬送的基板W。
在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2，载置从第二处理模块13向清洗干燥处理模块14A搬送的基板W；而在载置兼冷却部P-CP，载置从清洗干燥处理模块14A向搬入搬出模块14B搬送的基板W；在基板载置部PASS9，载置从搬入搬出模块14B向清洗干燥处理模块14A搬送的基板W。
接着，说明搬送机构127。图8是示出搬送机构127的立体图。如图7和图8所示，搬送机构127具备长条状的导轨311、312。如图7所示，导轨311在上层搬送室125内以沿上下方向延伸的方式固定于搬送部112侧。导轨312在上层搬送室125内固定于上层搬送室135侧，沿上下方向延伸。
在导轨311和导轨312之间设置有长条状的导轨313。导轨313可上下移动地安装于导轨311、312。在导轨313安装有移动构件314。移动构件314设置成在导轨313的长度方向上可进行移动。
在移动构件314的上表面，可旋转地设置长条状的旋转构件315。在旋转构件315，安装有用于保持基板W的外周部的机械手H1、H2、H3。机械手H1-H3设置成在旋转构件315的长度方向上可进行移动。机械手H1配置于比机械手H2更靠上方的位置，机械手H2配置于比机械手H3更靠上方的位置。
根据如上所述的结构，搬送机构127能够在上层搬送室125内在X方向和Z方向上自由移动。另外，利用机械手H1-H3，对涂敷处理室21、22(图2)、基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(图7)以及上层热处理部301(图4)进行基板W的交接。
此外，如图7所示，搬送机构128、137、138具有与搬送机构127相同的结构。另外，在本实施方式中，图1的搬送机构141具有与搬送机构127相同的三个机械手H1-H3。
(6)基板处理
参照图1、图2、图4以及图7说明基板处理。在分度器模块11的托板载置部111(图1)载置托板113，该托板113用于容纳未处理的基板W。搬送机构115将未处理的基板W从托板113搬送到基板载置部PASS1、PASS3(图7)。另外，搬送机构115将载置于基板载置部PASS2、PASS4(图7)的处理完的基板W搬送到托板113。
在第一处理模块12中，搬送机构127(图7)利用中层和下层的机械手H2、H3，将载置于基板载置部PASS1的未处理的基板W依次搬送至粘附强化处理单元PAHP(图4)、冷却单元CP(图4)以及涂敷处理室22(图2)。接着，搬送机构127利用机械手H2、H3，将涂敷处理室22的基板W依次搬送至热处理单元PHP(图4)、冷却单元CP(图4)、涂敷处理室21(图2)、热处理单元PHP(图4)以及基板载置部PASS5(图7)。
该情况下，粘附强化处理单元PAHP中，在对基板W进行了粘附强化处理后，在冷却单元CP中将基板W冷却至适合于形成防反射膜的温度。其次，在涂敷处理室22中，通过涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成防反射膜。接着，在热处理单元PHP中对基板W进行热处理后，在冷却单元CP中将基板W冷却至适合于形成抗蚀膜的温度。接着，在涂敷处理室21中，通过涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成抗蚀膜。然后，在热处理单元PHP中对基板W进行热处理，该基板W被载置于基板载置部PASS5。
另外，搬送机构127利用上层的机械手H1，将载置于基板载置部PASS6(图7)的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS2(图7)。
搬送机构128(图7)利用中层和下层的机械手H2、H3，将载置于基板载置部PASS3的未处理的基板W依次搬送到粘附强化处理单元PAHP(图4)、冷却单元CP(图4)以及涂敷处理室24(图2)。接着，搬送机构128利用机械手H2、H3，将涂敷处理室24的基板W依次搬送到热处理单元PHP(图4)、冷却单元CP(图4)、涂敷处理室23(图2)、热处理单元PHP(图4)以及基板载置部PASS7(图7)。
另外，搬送机构128(图7)利用上层的机械手H1，将载置于基板载置部PASS8(图7)的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS4(图7)。涂敷处理室23、24(图2)和下层热处理部302(图4)中的基板W的处理内容，分别与上述的涂敷处理室21、22(图2)和上层热处理部301(图4)中的基板W的处理内容相同。
在第二处理模块13中，搬送机构137(图7)利用下层的机械手H3，将载置于基板载置部PASS5的形成抗蚀膜后的基板W搬送到载置兼缓冲部P-BF1(图7)。
另外，搬送机构137(图7)利用上层和中层的机械手H1、H2，从与清洗干燥处理模块14A邻接的热处理单元PHP(图4)中取出经曝光处理后且经热处理后的基板W。搬送机构137利用机械手H1、H2，将该基板W依次搬送到冷却单元CP(图4)、显影处理室31、32(图2)中的任意一个、热处理单元PHP(图4)以及基板载置部PASS6(图7)。
该情况下，在冷却单元CP中基板W被冷却至适合于显影处理的温度后，在显影处理室31、32中的任意一个中，通过显影处理单元139对基板W进行显影处理。然后，在热处理单元PHP中对基板W进行热处理，并将该基板W载置于基板载置部PASS6。
搬送机构138(图7)利用下层的机械手H3，将载置于基板载置部PASS7的形成抗蚀膜后的基板W搬送到载置兼缓冲部P-BF2(图7)。
另外，搬送机构138(图7)利用上层和中层的机械手H1、H2，从与接口模块14邻接的热处理单元PHP(图4)中取出曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构138利用机械手H1、H2，将该基板W依次搬送到冷却单元CP(图4)、显影处理室33、34(图2)中的任意一个、热处理单元PHP(图4)以及基板载置部PASS8(图7)。显影处理室33、34和下层热处理部304中的基板W的处理内容，分别与上述的显影处理室31、32和上层热处理部303中的基板W的处理内容相同。
在清洗干燥处理模块14A中，搬送机构141(图1)利用下层的机械手H3将载置于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图7)的基板W搬送到金属去除单元MR(图4)。另外，搬送机构141利用上层和中层的机械手H1、H2，将金属去除单元MR的基板W依次搬送到清洗干燥处理单元BSS(图2)、边缘曝光部EEW以及载置兼冷却部P-CP(图7)。
该情况下，在金属去除单元MR中，去除残留在基板W的周缘部和背面的金属成分。另外，在清洗干燥处理单元BSS中，对基板W的周缘部和背面进行清洗和干燥处理。接着，在边缘曝光部EEW中对基板W进行边缘曝光处理。然后，在载置兼冷却部P-CP中将基板W冷却至适合于曝光装置15(图1)中的曝光处理的温度。
搬送机构142(图1)将载置于基板载置部PASS9(图7)的曝光处理后的基板W依次搬送到上层热处理部303或者下层热处理部304中的热处理单元PHP(图4)。该情况下，在热处理单元PHP中进行曝光后烘烤(PEB)处理。
在搬入搬出模块14B中，搬送机构146(图1)将载置于载置兼冷却部P-CP(图7)的曝光处理前的基板W搬送到曝光装置15(图1)的基板搬入部。另外，搬送机构146从曝光装置15的基板搬出部中取出曝光处理后的基板W，并将该基板W搬送到基板载置部PASS9(图7)。
根据上述的基板W的搬送，去除金属成分前的基板W和去除金属成分后的基板W被搬送机构127、128、137、138、141的不同的机械手保持。由此，防止金属成分经由搬送机构127、128、137、138、141的机械手附着于去除金属成分后的基板W。
本实施方式中，能够并行地进行：设置于上层的涂敷处理室21、22、显影处理室31、32及上层热处理部301、303中的基板W的处理；设置于下层的涂敷处理室23、24、显影处理室33、34及下层热处理部302、304中的基板W的处理。由此，无需增加占用空间，能够提高处理量。
(7)效果
在本实施方式的基板处理装置100中，涂敷液喷嘴28向基板W的被处理面供给含金属涂敷液。由此，在基板W的被处理面形成含金属涂敷膜。通过搬送机构127、128、137、138、141将形成含金属涂敷膜后的基板W搬送至金属去除单元MR。
金属去除单元MR向基板W的周缘部供给金属用去除液。由此，基板W的周缘部的含金属涂敷膜中的金属成分被溶解，从而含金属涂敷膜残留在基板W的被处理面的除周缘部以外的区域。另外，即使在含金属涂敷液蔓延到基板W的背面的情况下，也能够通过金属去除单元MR来去除背面的附着于基板W的背面的含金属涂敷液中的金属成分。
根据该结构，在基板W的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属成分残留在基板W的周缘部和背面。因此，即使在搬送机构115、127、128、137、138、141、142、146保持基板W的周缘部的情况下，金属成分也不会附着在搬送机构115、127、128、137、138、141、142、146。由此，在基板W上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
【2】第二实施方式
针对第二实施方式的基板处理装置，说明其与第一实施方式的基板处理装置100的不同点。图9是本发明的第二实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。如图9所示，在本实施方式中，第二处理模块13配置在分度器模块11和第一处理模块12之间。
在图9的基板处理装置100中，基板W通过第二处理模块13的搬送机构137、138来从分度器模块11搬送至第一处理模块12。在第一处理模块12中，在基板W形成防反射膜和抗蚀膜。然后，基板W经由接口模块14而搬送至曝光装置15，并通过曝光装置15进行曝光。
曝光后的基板W通过第一处理模块12的搬送机构127、128搬送至第二处理模块13。在第二处理模块13中，对基板W进行显影处理。显影后的基板W通过搬送机构137、138搬送至分度器模块11。
根据上述的结构，基板W周缘部的含金属涂敷膜中的金属，能够立即被与涂敷处理部121邻接的清洗干燥处理部162的金属去除单元MR去除。由此，能够充分防止基板处理装置100被金属污染。
【3】第三实施方式
针对第三实施方式的基板处理装置，说明其与第一实施方式的基板处理装置100的不同点。图10是本发明的第三实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。如图10所示，在本实施方式中，在第一处理模块12和第二处理模块13之间配置具有与清洗干燥处理模块14A相同结构的清洗干燥处理模块14C。
在图10的基板处理装置100中，将在第一处理模块12中形成了防反射膜和抗蚀膜的基板W搬送至邻接的清洗干燥处理模块14C。在清洗干燥处理模块14C中，残留在基板W的周缘部和背面的金属成分被金属去除单元MR去除。另外，通过清洗干燥处理单元BSS对基板W的周缘部和背面进行清洗和干燥处理。然后，将基板W搬送至邻接的第二处理模块13。
【4】第四实施方式
针对第四实施方式的基板处理装置，说明其与第一实施方式的基板处理装置100的不同点。图11是本发明的第四实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。如图11所示，本实施方式中，在基板处理装置100并未设置有图1的第二处理模块13和接口模块14。另外，在分度器模块11和第一处理模块12之间配置具有与清洗干燥处理模块14A相同结构的清洗干燥处理模块14D。
在图11的基板处理装置100中，基板W通过清洗干燥处理模块14D的搬送机构141来从分度器模块11搬送至第一处理模块12。在第一处理模块12中，在基板W形成防反射膜及抗蚀膜。
第一处理模块12的基板W通过清洗干燥处理模块14D的搬送机构141来搬送至清洗干燥处理模块14D的清洗干燥处理部162的金属去除单元MR(图4)。然后，金属去除单元MR的基板W通过搬送机构142搬送至清洗干燥处理部161的清洗干燥处理单元BBS(图2)。
在清洗干燥处理模块14D中，残留在基板W的周缘部和背面的金属成分被金属去除单元MR去除。另外，通过清洗干燥处理单元BSS对基板W的周缘部和背面进行清洗和干燥处理。然后，基板W通过搬送机构142搬送至分度器模块11。
在本实施方式中，图7的边缘曝光部EEW可以设置于清洗干燥处理模块14D，也可以设置于第一处理模块12。或者，当在基板处理装置100中无需对基板W进行边缘曝光处理的情况下，在基板处理装置100中也可以不设置边缘曝光部EEW。
【5】第五实施方式
(1)涂敷兼金属去除单元
针对第五实施方式的基板处理装置，说明其与第一实施方式的基板处理装置100的不同点。在本实施方式中，在图1的清洗干燥处理模块14A中并未设置有清洗干燥处理部162(金属去除单元MR)。另外，设置以下的涂敷兼金属去除单元，以代替图2的涂敷处理单元129。
图12是示出本发明的第五实施方式的涂敷兼金属去除单元的结构的示意性侧视图。如图12所示，各涂敷兼金属去除单元129MR具备与各旋转卡盘25对应的边缘冲洗喷嘴41、43以及背部冲洗喷嘴42、44。边缘冲洗喷嘴41、43配置成面向被旋转卡盘25保持的基板W的被处理面的周缘部。背部冲洗喷嘴42、44配置成面向被旋转卡盘25保持的基板W的背面。
在边缘冲洗喷嘴41、43分别连接有供给配管41p、43p。供给阀41v、43v分别安装于供给配管41p、43p。背部冲洗喷嘴42、44分别连接有供给配管42p、44p。供给阀42v、44v分别安装于供给配管42p、44p。
与前述的膜去除液相同的去除液作为针对基板W周缘部的膜去除液和针对基板W背面的清洗液，从未图示的第一去除液供给箱分别经由供给配管41p、42p而供应至边缘冲洗喷嘴41和背部冲洗喷嘴42。金属用去除液，从未图示的第二去除液供给箱分别经由供给配管43p、44p而供应至边缘冲洗喷嘴43和背部冲洗喷嘴44。
在涂敷兼金属去除单元129MR，可以设置分别贮存有不同种类的金属用去除液的两个第二供给箱。在该情况下，从各涂敷兼金属去除单元129MR的两个边缘冲洗喷嘴43，分别能够喷出不同种类的金属用去除液。同样地，从各涂敷兼金属去除单元129MR的两个背部冲洗喷嘴44，分别能够喷出不同种类的金属用去除液。金属用去除液可以在例如温度调整为30℃-40℃的状态下从边缘冲洗喷嘴43和背部冲洗喷嘴44喷出。
在通过旋转卡盘25使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴41向基板W的周缘部喷出膜去除液，并且从背部冲洗喷嘴42向基板W的背面喷出清洗液。在该情况下，涂敷于基板W的周缘部和背面的涂敷液被溶解。由此，去除基板W的周缘部和背面的涂敷膜。
另外，在通过旋转卡盘25使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴43向基板W的周缘部喷出金属用去除液，并且从背部冲洗喷嘴44向基板W的背面喷出金属用去除液。在该情况下，残留在基板W的周缘部和背面的金属成分被溶解。由此，去除残留在基板W的周缘部和背面的金属成分。
(2)去除液的回收
如上所述，在涂敷兼金属去除单元129MR的基板处理中，使用膜去除液以及与其相同液体的清洗液和金属用去除液。因此，优选从杯27对使用过的膜去除液及清洗液和金属用去除液进行分离并回收。因此，如图12所示，回收配管50连接于杯27的排液部。回收配管50在下游分支为两个分支配管51、52。回收阀51v、52v分别安装于分支配管51、52。分支配管51、52分别连接于回收箱53a、53b。
如此，在本实施方式中，由杯27、分支配管51、52、回收阀51v、52v、回收箱53a、53b及图4的局部控制器LC1构成去除液回收单元50A。
图13是示出供给阀41v-44v和回收阀51v、52v的动作的时序图。此外，供给阀41v-44v和回收阀51v、52v的动作是由局部控制器LC1控制的。
如图13所示，在初始时刻t0，关闭供给阀41v-44v和回收阀52v，而回收阀51v被打开。然后，在时刻t1，依次打开供给阀42v、41v。由此，依次从背部冲洗喷嘴42和边缘冲洗喷嘴41分别向基板W的背面和周缘部喷出清洗液和膜去除液。
向基板W喷出的清洗液和膜去除液通过基板W的旋转被甩出，并从杯27的排液部经由回收配管50引导至下游。此处，将分支配管51的回收阀51v被打开，且分支配管52的回收阀52v被关闭。因此，清洗液和膜去除液经由分支配管51回收至回收箱53a。
在时刻t1之后的时刻t2关闭供给阀41v，在时刻t2之后的时刻t3关闭供给阀42v。由此，依次从边缘冲洗喷嘴41和背部冲洗喷嘴42停止向基板W喷出膜去除液和清洗液。
在时刻t3之后的时刻t4，依次打开供给阀44v、43v。依次从背部冲洗喷嘴44和边缘冲洗喷嘴43分别向基板W的背面和周缘部喷出金属用去除液。在时刻t4之后的时刻t5，关闭回收阀51v，并且打开回收阀52v。
向基板W喷出的金属用去除液通过基板W的旋转被甩出，并从杯27的排液部经由回收配管50引导至下游。此处，分支配管52的回收阀52v被打开，分支配管51的回收阀51v被关闭。因此，金属用去除液经由分支配管52回收至回收箱53b。
在时刻t5之后的时刻t6关闭供给阀43v，在时刻t6之后的时刻t7关闭供给阀44v。由此，依次从边缘冲洗喷嘴43和背部冲洗喷嘴44停止向基板W喷出金属用去除液。在时刻t7之后的时刻t8关闭回收阀52v，在时刻t8之后的时刻t9打开回收阀51v。然后，重复进行时刻t0-t9的处理。
如此，在本实施方式的去除液的回收方式中，基于喷出清洗液及膜去除液及金属用去除液的期间，对使用过的清洗液及膜去除液和使用过的金属用去除液进行分离。根据该方式，几乎所有的使用过的清洗液及膜去除液回收至回收箱53a，几乎所有的使用过的金属用去除液回收至回收箱53b。在该情况下，使用者无需进行用于对清洗液及膜去除液和金属用去除液进行分离的作业。由此，能够降低去除液的废弃成本。
另外，在上述的去除液的回收方式中，供给阀42v的打开期间长于供给阀41v的打开期间，但本发明并不限于此。供给阀42v的打开期间可以与供给阀41v的打开期间相等或更短。同样地，在上述的去除液的回收处理中，供给阀44v的打开期间长于供给阀43v的打开期间，但本发明并不限于此。供给阀44v的打开期间可以与供给阀43v的打开期间相等或更短。
进一步，在上述的去除液的回收方式中，分支配管51、52的下游分别连接于回收箱53a、53b，但本发明并不限于此。可以将分支配管51的下游连接于未图示的清洗液和膜去除液回收部。同样地，也可将分支配管52的下游连接于未图示的金属用去除液回收部。
(3)效果
在本实施方式的基板处理装置100中，含金属涂敷液通过涂敷液喷嘴28向由旋转卡盘25旋转的基板W的被处理面喷出。金属用去除液经由边缘冲洗喷嘴43和背部冲洗喷嘴44而分别向旋转的基板W的被处理面的周缘部及背面供给。
在该情况下，基板W的周缘部的含金属涂敷膜中的金属成分被边缘冲洗喷嘴43溶解，从而含金属涂敷膜残留在基板W的被处理面的除周缘部以外的区域。另外，即使在含金属涂敷液蔓延到基板W的背面的情况下，也可以通过背部冲洗喷嘴44去除背面的附着于基板W的背面的含金属涂敷液中的金属成分。
根据该结构，在基板W的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，从而能够防止金属附着于基板W的周缘部和背面。由此，在基板W上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
另外，由于清洗液和膜去除液通过边缘冲洗喷嘴41和背部冲洗喷嘴42来分别向旋转的基板W的被处理面的周缘部和背面供给，因此涂敷于基板W的周缘部和背面的涂敷膜被溶解。由此，基板W的周缘部的涂敷膜被去除。结果，即使搬送臂把持基板W的周缘部，也能够避免微粒的产生，从而能够防止基板处理装置100被微粒污染。
【6】第六实施方式
针对第六实施方式的基板处理装置，说明其与第五实施方式的基板处理装置100的不同点。图14是示出本发明的第六实施方式的涂敷兼金属去除单元的结构的示意性侧视图。
如图14所示，在本实施方式中，涂敷兼金属去除单元129MR包括回收箱53，以代替图12的回收箱53a、53b。另外，回收配管50未分支而连接于回收箱53。在该情况下，来自杯27的使用过的清洗液及膜去除液和金属用去除液被引导至共通的回收箱53。
此处，清洗液及膜去除液和金属用去除液具有彼此不同的比重，并且金属用去除液的比重大于清洗液和膜去除液的比重。因此，在回收箱53内，金属用去除液的层和清洗液及膜去除液的层形成为上下分离的形式。因此，在回收箱53，设置用于检测金属用去除液和清洗液及膜去除液之间的交界面的交界检测部54。在本实施方式中，交界检测部54虽为静电电容式液面水位传感器，但本发明并不限于此。交界检测部54也可以是浮动式、光学式、超声波式、电导率式、压电共振式等其他方式的液面水位传感器。
在回收箱53中，设定金属用去除液和清洗液及膜去除液之间的交界面的下限高度L1和上限高度L2。上限高度L2位于比下限高度L1更靠上方的位置。在回收箱53中，在比下限高度L1更低的位置安装有回收配管55，在比上限高度L2更高的位置安装有回收配管56。回收配管55、56分别连接于未图示的金属用去除液回收部和清洗液/膜去除液回收部。回收阀55v、56v分别安装于回收配管55、56。
在本实施方式中，由杯27、回收配管50、回收箱53、交界检测部54、回收配管55、56和回收阀55v、56v以及图4的局部控制器LC1构成去除液回收单元50A。
图15是示出回收阀55v、56v的控制的流程图。此外，回收阀55v、56v的动作由局部控制器LC1控制。另外，供给阀41v-44v的动作与图13的时序图所示的动作相同。
如图15所示，局部控制器LC1从交界检测部54获取回收箱53内的金属用去除液和清洗液及膜去除液之间的交界面(步骤S1)。接着，局部控制器LC1判定获取到的交界面的高度是否低于下限高度L1(步骤S2)。
步骤S2中，在交界面的高度低于下限高度L1的情况下，局部控制器LC1关闭回收阀55v(步骤S3)。然后，局部控制器LC1返回步骤S1的处理。此外，在步骤S3的时刻，回收阀56v可以被打开，也可以被关闭。另一方面，步骤S2中，在交界面的高度为下限高度L1以上的情况下，局部控制器LC1判定交界面的高度是否低于上限高度L2(步骤S4)。
步骤S4中，在交界面的高度低于上限高度L2的情况下，局部控制器LC1打开回收阀55v，并且打开回收阀56v(步骤S5)。然后，局部控制器LC1返回步骤S1的处理。另一方面，步骤S4中，在交界面的高度为上限高度L2以上的情况下，局部控制器LC1打开回收阀55v，并且关闭回收阀56v(步骤S6)。然后，局部控制器LC1返回步骤S1的处理。
该处理中，在交界面的高度低于下限高度L1的情况下，关闭回收阀55v。由此，防止清洗液及膜去除液从回收配管55排出。在交界面的高度为下限高度L1以上且低于上限高度L2的情况下，打开回收阀55v、56v。由此，从回收配管55排出金属用去除液，并且从回收配管56排出清洗液及膜去除液。在交界面的高度为上限高度L2的情况下，关闭回收阀56v。由此，防止金属用去除液从回收配管56排出。
如此，在本实施方式的去除液的回收方式中，基于清洗液及膜去除液和金属用去除液的比重，对使用过的清洗液及膜去除液和使用过的金属用去除液进行分离。根据该回收方式，能够将清洗液及膜去除液和金属用去除液完全分离并回收。在该情况下，使用者无需进行用于对清洗液及膜去除液和金属用去除液进行分离的作业。由此，能够降低去除液的废弃成本。
在上述的去除液的回收方式中，回收阀56v安装于回收配管56，但本发明并不限于此。在回收配管56安装于足够高于上限高度L2的上方，并且金属用去除液不会从回收配管56排出的情况下，回收阀56v可以安装于回收配管56。在该情况下，不进行图15的步骤S4、S6的处理，而在步骤S5的处理中仅打开回收阀55v。
【7】第七实施方式
(1)显影兼金属去除单元
针对第七实施方式的基板处理装置，说明其与第一实施方式的基板处理装置100的不同点。在本实施方式中，在图1的清洗干燥处理模块14A并未设置清洗干燥处理部162(金属去除单元MR)。另外，设置以下的显影兼金属去除单元，以代替图2的显影处理室31-34的显影处理单元139。
图16是示出本发明的第七实施方式的显影兼金属去除单元的结构的示意性侧视图。如图16所示，显影兼金属去除单元139MR具备与各旋转卡盘35对应的边缘冲洗喷嘴45和背部冲洗喷嘴46。边缘冲洗喷嘴45配置成面向由旋转卡盘35保持的基板W的被处理面的周缘部。背部冲洗喷嘴46配置成面向由旋转卡盘35保持的基板W的背面。
针对本实施方式的基板处理，参照图2、图7及图16说明其与第一实施方式的基板处理的不同点。如上所述，通过第一处理模块12来形成了抗蚀膜的基板W载置于基板载置部PASS5。在第二处理模块13中，搬送机构137利用下层的机械手H3，将载置于基板载置部PASS5的基板W搬送到显影处理室31或显影处理室32。
在显影处理室31、32中，通过显影兼金属去除单元139MR对基板W进行清洗。具体而言，以通过旋转卡盘35使基板W旋转的状态，从边缘冲洗喷嘴45向基板W的周缘部喷出金属用去除液。另外，从背面清洗喷嘴46向基板W的背面喷出金属用去除液。在该情况下，残留在基板W的周缘部和背面的金属成分被溶解。由此，去除残留在基板W的周缘部和背面的金属成分。在使用金属用去除液进行基板W的清洗后，也可以利用纯水等进一步清洗基板W的周缘部和背面。
在通过显影兼金属去除单元139MR清洗基板W后，搬送机构137利用上层及中层的机械手H1、H2，将清洗后的基板W从显影处理室31、32搬送至载置兼缓冲部P-BF1。随后的基板处理与第一实施方式的基板处理相同。
同样，在第二处理模块13中，搬送机构138利用下层的机械手H3，将载置于基板载置部PASS7的基板W搬送至显影处理室33或显影处理室34。之后，搬送机构137利用上层和中层的机械手H1、H2，将清洗后的基板W从显影处理室33、34搬送至载置兼缓冲部P-BF2。
(2)效果
在本实施方式的基板处理装置100中，金属用去除液通过边缘冲洗喷嘴45和背部冲洗喷嘴46分别供应至基板W的被处理面的周缘部和背面。在该情况下，基板W的周缘部的含金属涂敷膜中的金属成分被边缘冲洗喷嘴45溶解，而含金属涂敷膜残留在基板W的被处理面的除周缘部以外的区域。另外，即使在含金属涂敷液蔓延到基板W的背面的情况下，通过背部冲洗喷嘴46来也能去除背面的附着于基板W的背面的含金属涂敷液中的金属成分。
根据该结构，在基板W的除周缘部以外的被处理面形成含金属涂敷膜，从而能够防止金属残留在基板W的周缘部和背面。由此，在基板W上形成含金属涂敷膜，并且能够防止金属污染的发生。
另外，在本实施方式中，作为显影液和金属用去除液能够使用相同种类的处理液(例如TMAH)。在该情况下，无需对显影液与金属用去除液进行分离并回收。由此，能够降低处理液的废弃成本。
另一方面，作为显影液和金属用去除液也能够使用不同种类的处理液。例如，作为显影液可以使用用于负型显影处理的乙酸丁酯，并且作为金属用去除液可以使用TMAH。在该情况下，为了对显影液和金属用去除液进行分离并回收，优选将图12或图14的去除液回收单元50A设置于显影兼金属去除单元139MR。
另外，在将TMAH用作金属用去除液的情况下，溶解金属成分，并且能够将微量附着于基板W的含金属涂敷膜与金属成分一体地去除。由此，能够高效地去除附着于基板W的周缘部和背面的金属成分。
另外，在对曝光后的基板W进行显影处理后，在清洗处理时通过金属用去除液来从基板W的背面去除金属成分后，利用纯水等进行清洗处理。由此，能够在显影处理中确实地去除附着于基板W的背面的金属成分。
【8】其他实施方式
(1)在上述实施方式中，虽在反射防止液和抗蚀液两者中含有金属成分，但本发明并不限于此。在反射防止液和抗蚀液的一者中可以不含有金属成分。在该情况下，第五和第六实施方式中，在涂敷处理室21、23或涂敷处理室22、24的一者，不设置涂敷兼金属去除单元129MR，而设置涂敷处理单元129。
(2)在上述实施方式中，在作为涂敷液的反射防止液和抗蚀液中含有金属成分，但本发明并不限于此。例如，可以在用于形成硬掩模(HM)的涂敷液中含有金属成分。在该情况下，涂敷液中含有例如作为金属成分的氧化钛(TiOx)、氧化钨(WOx)或氧化锆(ZrOx)。
(3)在上述实施方式中，在涂敷处理室21-24设置有两个旋转卡盘25，并且在显影处理室31-34设置有三个旋转卡盘35，但本发明并不限于此。在涂敷处理室21-24可以设置一个或三个以上的旋转卡盘25。另外，在显影处理室31-34可以设置两个以下或四个以上的旋转卡盘35。
(4)在上述实施方式中，搬送机构127、128、137、138、141的机械手H1-H3保持基板W的外周部，但本发明并不限于此。搬送机构127、128、137、138、141的机械手H1-H3，可以通过吸附基板W来保持基板W的背面。图17是示出搬送机构127的吸附式的机械手H1的俯视图。吸附式的机械手H2、H3具有与图17的吸附式的机械手H1相同的结构。
如图17所示，吸附式的机械手H1包括导向部Ha和臂部Hb。导向部Ha具有大致C字型形状，臂部Hb具有长方形状。在导向部Ha的内周部形成有多个(本例中，为三个)突出部pr，该突出部pr相对于沿着导向部Ha的内周部形成的圆的中心以等角度间隔，以面向导向部Ha内侧的方式形成。在各突出部pr的顶端部设置有吸附部sm。吸附部sm连接于未图标的吸气系统。
在机械手H1中，基板W载置于三个突出部pr的三个吸附部sm上。在图17中，以双点划线示出被机械手H1保持的基板W。在该状态下，对连接于三个吸附部sm的吸气系统进行控制，从而基板W背面的三个部位的部分分别被三个吸附部sm吸附。由此，保持基板W的背面。此外，机械手H1可以具有四个吸附部sm。在该情况下，基板W背面的四个部位的部分分别被四个吸附部sm吸附。
(5)在第一至第四实施方式中，搬送机构127、128、137、138、141优选具有三个机械手H1-H3，但本发明并不限于此。搬送机构127、128、137、138、141可以具有两个以下的机械手，也可以具有四个以上的机械手。
尤其是，在通过图17所示的吸附式的机械手来保持基板W的情况下，当基板W的背面未附着有含金属涂敷液时，搬送机构127、128、137、138、141无需具有三个以上的机械手。另外，无需分开使用用于保持清洗前的基板W的机械手和用于保持清洗后的基板W的机械手区别使用。
在第二实施方式中，搬送机构137、138无需具有三个以上的机械手，并且无需分开使用用于保持清洗前的基板W的机械手和用于保持清洗后的基板W的机械手。在第三实施方式中，搬送机构137、138、141无需具有三个以上的机械手，并且无需分开使用用于保持清洗前的基板W的机械手和用于保持清洗后的基板W的机械手。在第五和第六实施方式中，搬送机构127、128、137、138、141无需具有三个以上的机械手，并且无需分开使用用于保持清洗前的基板W的机械手和用于保持清洗后的基板W的机械手区别使用。
(6)在第一至第四实施方式中，在清洗干燥处理部161配置有多个清洗干燥处理单元BSS，并且在清洗干燥处理部162配置有多个金属去除单元MR，但本发明并不限于此。部分或全部清洗干燥处理单元BSS可以配置于清洗干燥处理部162，部分或全部金属去除单元MR可以配置于清洗干燥处理部161。
(7)在第一至第四实施方式中，在涂敷处理单元129设置有边缘冲洗喷嘴41，但本发明并不限于此。在涂敷处理单元129可以不设置边缘冲洗喷嘴41。或者，边缘冲洗喷嘴41可以不设置于涂敷处理单元129，而设置于金属去除单元MR。在该情况下，在金属去除单元MR也可以设置与第五或第六实施方式相同的去除液回收单元。
同样地，在第五和第六实施方式中，在涂敷兼金属去除单元129MR设置有边缘冲洗喷嘴41和背部冲洗喷嘴42，但本发明并不限于此。在涂敷兼金属去除单元129MR可以不设置边缘冲洗喷嘴41和背部冲洗喷嘴42的一者或两者。
(8)在第五和第六实施方式中，在涂敷兼金属去除单元129MR分别设置有喷出膜去除液的边缘冲洗喷嘴41和喷出金属用去除液的边缘冲洗喷嘴43，但本发明并不限于此。在涂敷兼金属去除单元129MR可以设置选择性地喷出膜去除液和金属用去除液的共通的边缘冲洗喷嘴。
同样地，在涂敷兼金属去除单元129MR分别设置有喷出清洗液的背部冲洗喷嘴42和喷出金属用去除液的背部冲洗喷嘴44，但本发明并不限于此。在涂敷兼金属去除单元129MR可以设置选择性地喷出清洗液和金属用去除液的共通的背部冲洗喷嘴。
或者，金属用去除液可具有使涂敷液溶解的性质。在该情况下，在涂敷兼金属去除单元129MR可不设置边缘冲洗喷嘴41，也可以不设置背部冲洗喷嘴42。另外，在涂敷兼金属去除单元129MR也可以设置去除液回收单元。
在金属用去除液具有使涂敷液溶解的性质的情况下，通过单一的去除液来同时去除含金属涂敷液中的金属和涂敷液。由此，能够高效地去除附着在基板W的周缘部和背面的金属和涂敷液。另外，无需将去除液分离并回收。结果，能够降低基板W的处理成本。
(9)在第五和第六实施方式中，涂敷兼金属去除单元129MR分别包括图12和图13的去除液回收单元50A，但本发明并不限于此。例如，在杯27为可以将两种去除液分离并回收的二重杯的情况下，涂敷兼金属去除单元129MR也可不包括图12或图13的去除液回收单元50A。在该情况下，杯27作为去除液回收单元50A发挥功能。
(10)在第一至第三、第五及第六实施方式中，在接口模块14设置有边缘曝光部EEW，但本发明并不限于此。边缘曝光部EEW可不设置于接口模块14，而设置于第一处理模块12的上层热处理部301和下层热处理部302。该情况下，在形成抗蚀膜后且基板W载置于基板载置部PASS5、PASS7之前，对基板W进行边缘曝光处理。
或者，边缘曝光部EEW也可设置于第二处理模块13。该情况下，在第一至第三实施方式中，第二处理模块13的搬送机构137、138优选在机械手H1-H3的基础上还具有第四机械手。图18是示出另一实施方式的热处理部123、133和清洗干燥处理部162的内部结构的示意性侧视图。图19是示出另一实施方式的搬送部122、132、163的内部结构的示意性侧视图。
如图18和图19所示，在本实施方式中，边缘曝光部EEW不设置于接口模块14，而设置于第二处理模块13的上层热处理部303和下层热处理部304。另外，如图19所示，第二处理模块13的搬送机构137、138在机械手H1-H3的基础上还具有机械手H4。机械手H4位于机械手H3的下方。针对另一实施方式的基板处理，参照图1、图2、图18及图19说明其与第一实施方式的基板处理的不同点。
如上所述，通过第一处理模块12来形成了抗蚀膜的基板W，载置于基板载置部PASS5。在第二处理模块13中，搬送机构137利用下层的两个机械手H3、H4，将载置于基板载置部PASS5的形成抗蚀膜后的基板W依次搬送至边缘曝光部EEW(图18)和载置兼缓冲部P-BF1(图19)。该情况下，在边缘曝光部EEW中，对基板W进行边缘曝光处理。边缘曝光处理后的基板W载置于载置兼缓冲部P-BF1。
另外，搬送机构137(图19)利用上层的两个机械手H1、H2，从与清洗干燥处理模块14A邻接的热处理单元PHP(图18)中取出经曝光处理后且经热处理后的基板W。搬送机构137利用机械手H1、H2，将该基板W依次搬送至冷却单元CP(图18)、显影处理室31、32(图2)的任意一个、热处理单元PHP(图18)以及基板载置部PASS6(图19)。
同样地，搬送机构138(图19)利用下层的两个机械手H3、H4，将载置于基板载置部PASS7的形成抗蚀膜后的基板W依次搬送至边缘曝光部EEW(图18)和载置兼缓冲部P-BF2(图19)。另外，搬送机构138(图19)利用上层的两个机械手H1、H2，从与接口模块14邻接的热处理单元PHP(图18)中取出经曝光处理后且经热处理后的基板W。搬送机构138利用上层的两个机械手H1、H2，将该基板W依次搬送至冷却单元CP(图18)、显影处理室33、34(图2)的任意一个、热处理单元PHP(图18)以及基板载置部PASS8(图19)。
在该结构中，基板W从第一处理模块12搬送至接口模块14是利用下层的两个机械手H3、H4进行的。另一方面，基板W从接口模块14搬送至第一处理模块12是利用上层的两个机械手H1、H2进行的。因此，能够分开使用用于保持清洗前的基板W的机械手H3、H4和用于保持清洗后的基板W的机械手H1、H2，由此提高处理量。
(11)在第一实施方式中，在清洗干燥处理模块14A设置有清洗干燥处理部162(金属去除单元MR)，但本发明并不限于此。清洗干燥处理部162也可设置于第二处理模块13。
在该情况下，搬送机构137利用下层的机械手H3，将载置于基板载置部PASS5的形成抗蚀膜后的基板W搬送至清洗干燥处理部162。由此，通过清洗干燥处理部162的金属去除单元MR来去除残留在基板W的周缘部和背面的金属成分。在通过金属去除单元MR清洗基板W之后，搬送机构137利用上层和中层的机械手H1、H2，将清洗后的基板W从清洗干燥处理部162搬送至载置兼缓冲部P-BF1。
(12)在第七实施方式中，在显影兼金属去除单元139MR设置有边缘冲洗喷嘴45，但本发明并不限于此。在图1的狭缝喷嘴38能够向基板W的被处理面的周缘部喷出金属用去除液的情况下，在显影兼金属去除单元139MR可以不设置边缘冲洗喷嘴45。在该情况下，能够抑制基板处理装置100的大型化。
【9】技术方案中的各结构要素与实施方式的各要素的对应关系
以下，将对技术方案的各结构要素与实施方式的各要素的对应的一例进行说明，但本发明并不限于下述的一例。
在上述的实施方式中，基板W是基板的一例，金属去除单元MR或显影兼金属去除单元139MR是周缘部去除单元的一例，搬送机构127、128、137、138、141是搬送机构的一例。基板处理装置100是基板处理装置的一例。旋转卡盘25是第一或第三旋转保持部的一例，旋转卡盘3或旋转卡盘35是第二旋转保持部的一例，涂敷液喷嘴28是涂敷液喷嘴的一例。
热处理部123是热处理部的一例，气体供给部9或气体喷嘴10b是气体喷出部的一例，搬送机构127、128的机械手H2、H3或搬送机构137、138、141的机械手H3是去除前基板保持部的一例。搬送机构127、128的机械手H1或搬送机构137、138、141的机械手H1、H2是去除后基板保持部的一例，去除液回收单元50A是去除液回收单元的一例，狭缝喷嘴38是显影喷嘴的一例。
回收箱53b、53a分别是第一和第二回收部的一例，杯27、分支配管51、52、回收阀51v、52v以及局部控制器LC1是切换路径的一例。杯27是杯的一例，分支配管52、51分别是第一及第二回收配管的一例，回收阀52v、51v分别是第一及第二回收阀的一例，局部控制器LC1是控制部的一例。
回收箱53是贮存部的一例，杯27、回收配管50、交界检测部54、回收配管55、56、回收阀55v、56v及局部控制器LC1是去除液分离机构的一例，回收配管50是回收配管的一例。回收配管55、56分别是第一及第二排出配管的一例，回收阀55v、56v分别是第一及第二排出阀的一例，交界检测部54是交界面检测部的一例，下限高度L1是下限位置的一例，上限高度L2是上限位置的一例。
在第一至第四实施方式中，涂敷处理单元129是膜形成单元的一例，周缘部清洗喷嘴8或液体喷嘴10a是第一去除液喷嘴的一例。边缘冲洗喷嘴41是第二去除液喷嘴的一例，背面清洗喷嘴7是第三去除液喷嘴的一例。
在第五和第六实施方式中，涂敷兼金属去除单元129MR是膜形成单元的一例，边缘冲洗喷嘴41、43及供给阀41v、43v是周缘部去除液供给单元的一例。边缘冲洗喷嘴41、43是去除液喷嘴的一例，背部冲洗喷嘴42、44及供给阀42v、44v是背面去除液供给单元的一例。在第七实施方式中，边缘清洗喷嘴45是第一去除液喷嘴的一例。
作为技术方案的各结构要素，也可使用具有技术方案所记载的结构或功能的其他各种要素。
产业上的可利用性
本发明能有效地应用于各种基板的处理。

Claims (22)

1.一种基板处理装置，其具备：
膜形成单元，其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给，来在所述被处理面形成含金属涂敷膜；
周缘部去除单元，其在通过所述膜形成单元形成含金属涂敷膜后，以所述含金属涂敷膜残留在基板的所述被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向基板的周缘部供给用于使所述金属溶解的第一去除液；以及
搬送机构，其在通过所述膜形成单元形成含金属涂敷膜后，将基板搬送至所述周缘部去除单元。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述膜形成单元包括：
第一旋转保持部，其将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；以及
涂敷液喷嘴，其向由所述第一旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出所述含金属涂敷液，
所述周缘部去除单元包括：
第二旋转保持部，其将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；以及
第一去除液喷嘴，其向由所述第二旋转保持部旋转的基板的所述被处理面的周缘部喷出所述第一去除液。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述膜形成单元和所述周缘部去除单元的至少一个还包括：
第二去除液喷嘴，其向旋转的基板的所述被处理面的周缘部喷出用于使所述涂敷液溶解的第二去除液。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，
所述周缘部去除单元还包括：
第三去除液喷嘴，其向旋转的基板的与所述被处理面相反侧的背面喷出所述第一去除液。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理装置，还具备：
热处理部，其在通过所述膜形成单元形成含金属涂敷膜后且通过所述周缘部去除单元喷出所述第一去除液前，通过热处理使所述含金属涂敷膜固化，
所述周缘部去除单元还包括：
气体喷出部，其在通过所述第一去除液喷嘴向所述被处理面的周缘部喷出所述第一去除液时，向与喷出的所述第一去除液相比更靠近所述基板的中心的位置喷出气体。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述周缘部去除单元还包括：
显影喷嘴，其向由所述第二旋转保持部旋转的基板的所述被处理面喷出显影液。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述显影液和所述第一去除液为相同的处理液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述显影喷嘴和所述第一去除液喷嘴由共通的喷嘴构成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述膜形成单元以与所述周缘部去除单元邻接的方式配置。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述搬送机构包括：
去除前基板保持部，其保持并搬送通过所述周缘部去除单元来去除基板的周缘部的所述金属前的基板；以及
去除后基板保持部，其保持并搬送通过所述周缘部去除单元来去除基板的周缘部的所述金属后的基板。
11.一种膜形成单元，其具备：
第三旋转保持部，其将基板保持为水平姿势并使该基板旋转；
涂敷液喷嘴，其将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向由所述第三旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出；以及
周缘部去除液供给单元，其以所述含金属涂敷膜残留在基板的所述被处理面的除所述周缘部以外的区域的方式，向由所述第三旋转保持部旋转的基板的所述被处理面的周缘部供给用于使所述含金属涂敷液溶解的第三去除液。
12.根据权利要求11所述的膜形成单元，其中，
所述第三去除液包含用于使所述金属溶解的第四去除液和用于使所述涂敷液溶解的第五去除液，
所述周缘部去除液供给单元包括：
一个或多个去除液喷嘴，其向基板的所述被处理面的周缘部供给所述第四和第五去除液。
13.根据权利要求12所述的膜形成单元，其还包括：
去除液回收单元，其对向基板喷出的使用过的所述第四去除液和向基板喷出的使用过的所述第五去除液进行分离并回收。
14.根据权利要求13所述的膜形成单元，其中，
所述多个去除液喷嘴在互不相同的第一和第二期间喷出所述第四和第五去除液，
所述去除液回收单元包括：
第一回收部，其回收使用过的所述第四去除液；
第二回收部，其回收使用过的所述第五去除液；以及
切换路径，其以将在所述第一期间向基板喷出的使用过的所述第四去除液引导至所述第一回收部，并且将在所述第二期间向基板喷出的使用过的所述第五去除液引导至所述第二回收部的方式进行切换。
15.根据权利要求14所述的膜形成单元，其中，
所述切换路径包括：
杯，其接收从基板飞散的所述第四和第五去除液；
第一回收配管，其连接在所述杯和所述第一回收部之间；
第二回收配管，其连接在所述杯和所述第二回收部之间；
第一回收阀，其安装于所述第一回收配管；
第二回收阀，其安装于所述第二回收配管；以及
控制部，其以为了将所述第四去除液回收至所述第一回收部而打开所述第一回收阀且关闭所述第二回收阀，为了将所述第五去除液回收至所述第二回收部而打开所述第二回收阀且关闭所述第一回收阀的方式，控制所述第一和第二回收阀。
16.根据权利要求13所述的膜形成单元，其中，
所述第四去除液的比重大于所述第五去除液的比重，
所述去除液回收单元包括：
贮存部，其贮存使用过的所述第四和第五去除液；
去除液分离机构，其基于比重对贮存于所述贮存部的所述第四和第五去除液进行分离。
17.根据权利要求16所述的膜形成单元，其中，
所述去除液分离机构包括：
杯，其接收从基板飞散的所述第四和所述第五去除液；
回收配管，其连接在所述杯和所述贮存部之间；
第一排出配管，其从所述贮存部排出使用过的所述第四去除液；
第二排出配管，其从所述贮存部排出使用过的所述第五去除液；
第一排出阀，其安装于所述第一排出配管；
交界面检测部，其对贮存于所述贮存部内的所述第四去除液和所述第五去除液之间的交界面进行检测；以及
控制部，其获取由所述交界面检测部检测出的交界面，并且以在获取到的检测面为预设的下限位置以下的情况下关闭所述第一排出阀，在获取到的检测面高于所述下限位置的情况下打开所述第一排出阀的方式控制所述第一排出阀，
所述第一排出配管连接于所述贮存部的比所述下限位置更靠近下方的位置，所述第二排出配管连接于所述贮存部的比所述下限位置更靠近上方的位置。
18.根据权利要求17所述的膜形成单元，其中，
所述去除液分离机构还包括安装于所述第二排出配管的第二排出阀，
所述控制部在获取到的检测面为预设的高于所述下限位置的上限位置以下的情况下打开所述第二排出阀，在获取到的检测面高于所述上限位置的情况下关闭所述第二排出阀。
19.根据权利要求11所述的膜形成单元，其中，
所述第三去除液使所述金属和所述涂敷液溶解。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的膜形成单元，其还包括：
背面去除液供给单元，其向由所述第三旋转保持部旋转的基板的与所述被处理面相反侧的背面，供给用于使所述含金属涂敷液溶解的第三去除液。
21.一种基板处理方法，其包括：
通过膜形成单元将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给，由此在所述被处理面形成含金属涂敷膜的步骤；
通过搬送机构将形成所述含金属涂敷膜后的基板搬送至周缘部去除单元的步骤；以及
通过所述周缘部去除单元，以所述含金属涂敷膜残留在基板的所述被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向基板的周缘部供给用于使所述金属溶解的第一去除液的步骤。
22.一种膜形成方法，其包括：
通过第三旋转保持部将基板保持为水平姿势并使该基板旋转的步骤；
通过涂敷液喷嘴，将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向由所述第三旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出的步骤；以及
通过周缘部去除液供给单元，以所述含金属涂敷膜残留在基板的所述被处理面的除周缘部以外的区域的方式，向由所述第三旋转保持部旋转的基板的所述被处理面的周缘部供给用于使所述含金属涂敷液溶解的第三去除液的步骤。
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