KR20200033993A - 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 Download PDF

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KR20200033993A
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마사히코 하루모토
고지 가네야마
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 기판의 피처리면에 공급함으로써 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하는 도포 처리 유닛과, 도포 처리 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록 금속을 용해시키는 제거액을 기판의 주연부에 공급하는 금속 제거 유닛과, 도포 처리 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에 기판을 금속 제거 유닛에 반송하는 반송 기구를 구비한다. 금속 함유 도포액이 도포 처리 유닛에 의해 기판의 피처리면에 공급됨으로써 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성된다. 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판이 반송 기구에 의해 금속 제거 유닛에 반송된다. 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록 제거액이 금속 제거 유닛에 의해 기판의 주연부에 공급된다.

Description

기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, FILM FORMING UNIT, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND FILM FORMING METHOD}
본 발명은, 기판에 도포막을 형성하는 처리를 행하는 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조에 있어서의 리소그래피 공정에서는, 기판 상에 레지스트액 등의 도포액이 공급됨으로써 도포막이 형성된다. 예를 들면, 기판이 스핀 척에 의해 수평으로 유지되면서 회전된다. 이 상태에서, 기판의 상면의 대략 중앙부에 레지스트 노즐로부터 레지스트액이 토출됨으로써, 기판의 상면 전체에 도포막으로서 레지스트막이 형성된다. 여기서, 기판의 주연부에 레지스트막이 존재하면, 기판을 반송하는 반송 기구가 기판의 주연부를 파지했을 때, 레지스트막의 일부가 박리되어 파티클이 된다. 그래서, 기판의 주연부에 에지 린스 노즐로부터 유기용제를 토출함으로써 기판의 주연부의 레지스트막이 용해된다. 그에 의해, 기판의 주연부의 레지스트막이 제거된다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본국 특허 공개 평 6-124887호 공보
근년, 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해서, 금속을 함유하는 도포막(이하, 금속 함유 도포막이라 부른다.)을 적용하는 것이 연구되고 있다. 그러나, 발명자의 실험에 의하면, 기판 상에 형성된 금속 함유 도포막의 주연부에 유기용제를 토출함으로써 기판의 주연부의 도포막을 제거한 경우에도, 기판의 주연부 상에 금속 성분이 제거되지 않고 잔존함을 알 수 있다. 그로 인해, 기판의 주연부에 잔존한 금속 성분에 의해 기판 처리 장치 및 인접하는 노광 장치가 오염되게 된다.
본 발명의 목적은, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법을 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 한 국면에 따르는 기판 처리 장치는, 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 기판의 피처리면에 공급함으로써 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하는 막 형성 유닛과, 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 기판의 주연부에 공급하는 주연부 제거 유닛과, 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에 기판을 주연부 제거 유닛에 반송하는 반송 기구를 구비한다.
이 기판 처리 장치에 있어서는, 금속을 함유하는 도포액이 금속 함유 도포액으로서 막 형성 유닛에 의해 기판의 피처리면에 공급된다. 이에 의해, 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성된다. 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판이 반송 기구에 의해 주연부 제거 유닛에 반송된다. 또, 금속을 용해시키는 제1의 제거액이 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부에 공급된다. 이에 의해, 기판의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속이 용해되어, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다.
이 구성에 의하면, 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 그 때문에, 기판의 주연부를 반송 기구가 유지한 경우에도, 반송 기구에는 금속이 부착되지 않는다. 이에 의해, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
(2) 막 형성 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제1의 회전 유지부와, 제1의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 금속 함유 도포액을 토출하는 도포액 노즐을 포함하고, 주연부 제거 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제2의 회전 유지부와, 제2의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 제1의 제거액을 토출하는 제1의 제거액 노즐을 포함해도 된다. 이 경우, 간단한 구성으로 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어, 기판의 주연부의 금속을 제거할 수 있다.
(3) 막 형성 유닛 및 주연부 제거 유닛 중 적어도 한쪽은, 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 토출하는 제2의 제거액 노즐을 더 포함해도 된다.
이 경우, 기판의 주연부의 도포액은, 막 형성 유닛 및 주연부 제거 유닛 중 적어도 한쪽에 의해 제거된다. 그에 의해, 기판의 주연부의 금속 함유 도포막이 확실하게 제거된다. 이에 의해, 기판 처리 장치가 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
(4) 주연부 제거 유닛은, 회전되는 기판의 피처리면과 반대측의 이면에 제1의 제거액을 토출하는 제3의 제거액 노즐을 더 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 금속 함유 도포액이 기판의 이면에 들어간 경우에도, 기판의 이면에 부착된 금속 함유 도포액 중의 금속은, 주연부 제거 유닛에 의해 제거된다. 이에 의해, 기판 처리 장치가 금속에 의해 오염되는 것을 충분히 방지할 수 있다.
(5) 기판 처리 장치는, 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에 또한 주연부 제거 유닛에 의한 제1의 제거액의 토출 전에, 열처리에 의해 금속 함유 도포막을 경화시키는 열처리부를 더 구비하고, 주연부 제거 유닛은, 제1의 제거액 노즐에 의해 피처리면의 주연부에 제1의 제거액이 토출되고 있을 때, 토출되는 제1의 제거액보다 기판의 중심에 가까운 위치에 기체를 토출하는 기체 토출부를 더 포함해도 된다.
이 경우, 기체 토출부에 의해 기판의 중심으로부터 외방을 향해 기체가 토출된다. 이에 의해, 제1의 제거액이 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 비산되는 것이 방지된다. 또, 열처리부에 의해 금속 함유 도포막이 경화되어 있으므로, 기체 토출부로부터 기판에 기체를 토출해도, 금속 함유 도포막의 막두께는 변화하지 않는다. 이들 결과, 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막을 균일한 두께로 형성할 수 있다.
(6) 주연부 제거 유닛은, 제2의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 현상액을 토출하는 현상 노즐을 더 포함해도 된다. 이 경우, 주연부 제거 유닛에 있어서 기판을 현상할 수 있다.
(7) 현상액과 제1의 제거액은 동일한 처리액이어도 된다. 이 경우, 현상액에 의해 기판의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속이 용해되어, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다.
이 구성에 의하면, 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 그 때문에, 기판의 주연부를 반송 기구가 유지한 경우에도, 반송 기구에는 금속이 부착되지 않는다. 이에 의해, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
또, 기판의 주연부의 금속의 제거와 기판의 현상이 동일한 처리액에 의해 행해지므로, 현상액을 다른 액과 분리하여 회수할 필요가 없다. 이에 의해, 현상액의 폐기 비용을 저감할 수 있다.
(8) 현상 노즐과 제1의 제거액 노즐은 공통의 노즐에 의해 구성되어도 된다. 이 경우, 주연부 제거 유닛에 현상 노즐과 제1의 제거액 노즐을 별개로 설치할 필요가 없다. 이에 의해, 기판 처리 장치의 대형화를 억제할 수 있다.
(9) 막 형성 유닛은, 주연부 제거 유닛에 인접하도록 배치되어도 된다. 이 경우, 기판의 주연부의 금속 함유 도포막 중의 금속이, 막 형성 유닛에 인접하는 주연부 제거 유닛에 의해 즉시 제거된다. 이에 의해, 기판 처리 장치가 금속에 의해 오염되는 것을 충분히 방지할 수 있다.
(10) 반송 기구는, 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부의 금속이 제거되기 전의 기판을 유지하여 반송하는 제거 전 기판 유지부와, 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부의 금속이 제거된 후의 기판을 유지하여 반송하는 제거 후 기판 유지부를 포함해도 된다.
이 경우, 주연부의 금속이 제거되기 전의 기판과 주연부의 금속이 제거된 후의 기판이 반송 기구가 상이한 유지부에 의해 유지된다. 이에 의해, 주연부의 금속이 제거된 후의 기판에 반송 기구의 유지부를 통해 금속이 부착되는 것이 방지된다.
(11) 본 발명의 다른 국면에 따르는 막 형성 유닛은, 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제3의 회전 유지부와, 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 토출하는 도포액 노즐과, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록, 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 구비한다.
이 막 형성 유닛에 있어서는, 제3의 회전 유지부에 의해 기판이 수평 자세로 유지되고, 회전된다. 회전되는 기판의 피처리면에 금속을 함유하는 도포액이 금속 함유 도포액으로서 도포액 노즐에 의해 토출된다. 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액이 주연부 제거액 공급 유닛에 의해 공급된다. 이에 의해, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다.
이 구성에 의하면, 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
(12) 제3의 제거액은, 금속을 용해시키는 제4의 제거액과 도포액을 용해시키는 제5의 제거액을 포함하고, 주연부 제거액 공급 유닛은, 제4 및 제5의 제거액을 기판의 피처리면의 주연부에 공급하는 1 또는 복수의 제거액 노즐을 포함해도 된다.
이 경우, 금속 함유 도포액에 있어서의 금속이 제4의 제거액에 의해 제거됨과 더불어, 금속 함유 도포액에 있어서의 도포액이 제5의 제거액에 의해 제거된다. 그에 의해, 기판의 주연부의 금속 함유 도포막이 확실하게 제거된다. 이에 의해, 기판 처리 장치가 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
(13) 막 형성 유닛은, 기판에 토출된 사용이 끝난 제4의 제거액과 기판에 토출된 사용이 끝난 제5의 제거액을 분리하여 회수하도록 설치된 제거액 회수 유닛을 더 구비해도 된다.
이 경우, 사용자는, 사용이 끝난 제4의 제거액과 사용이 끝난 제5의 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이에 의해, 제3의 제거액의 폐기 비용을 저감할 수 있다.
(14) 복수의 제거액 노즐은, 제4 및 제5의 제거액을 서로 상이한 제1 및 제2의 기간에 있어서 토출하고, 제거액 회수 유닛은, 사용이 끝난 제4의 제거액을 회수하는 제1의 회수부와, 사용이 끝난 제5의 제거액을 회수하는 제2의 회수부와, 제1의 기간에 있어서 기판에 토출된 사용이 끝난 제4의 제거액을 제1의 회수부로 이끌고, 제2의 기간에 있어서 기판에 토출된 사용이 끝난 제5의 제거액을 제2의 회수부로 이끌도록 전환되는 전환 경로를 포함해도 된다.
이 경우, 제4 및 제5의 제거액이 토출되는 기간에 의거해, 간단한 구성으로 사용이 끝난 제4의 제거액과 사용이 끝난 제5의 제거액을 분리할 수 있다.
(15) 전환 경로는, 기판으로부터 비산하는 제4 및 제5의 제거액을 받는 컵과, 컵과 제1의 회수부 사이에 접속된 제1의 회수 배관과, 컵과 제2의 회수부 사이에 접속된 제2의 회수 배관과, 제1의 회수 배관에 삽입된 제1의 회수 밸브와, 제2의 회수 배관에 삽입된 제2의 회수 밸브와, 제1의 회수부에 제4의 제거액을 회수하기 위해서 제1의 회수 밸브를 개방함과 더불어 제2의 회수 밸브를 닫고, 제2의 회수부에 제5의 제거액을 회수하기 위해서 제2의 회수 밸브를 개방함과 더불어 제1의 회수 밸브를 닫도록 제1 및 제2의 회수 밸브를 제어하는 제어부를 포함해도 된다.
이 경우, 간단한 제어로 사용이 끝난 제4의 제거액을 제1의 회수부에 회수하고, 사용이 끝난 제5의 제거액을 제2의 회수부에 회수할 수 있다.
(16) 제4의 제거액의 비중은 제5의 제거액의 비중보다 크고, 제거액 회수 유닛은, 사용이 끝난 제4 및 제5의 제거액을 저류하는 저류부와, 저류부에 저류된 제4 및 제5의 제거액을 비중에 의거해 분리하는 제거액 분리 기구를 포함해도 된다.
이 경우, 제4 및 제5의 제거액의 비중에 의거해, 간단한 구성으로 사용이 끝난 제4의 제거액과 사용이 끝난 제5의 제거액을 분리할 수 있다.
(17) 제거액 분리 기구는, 기판으로부터 비산하는 제4 및 제5의 제거액을 받는 컵과, 컵과 저류부 사이에 접속된 회수 배관과, 저류부로부터 사용이 끝난 제4의 제거액을 배출하도록 설치된 제1의 배출 배관과, 저류부로부터 사용이 끝난 제5의 제거액을 배출하도록 설치된 제2의 배출 배관과, 제1의 배출 배관에 삽입된 제1의 배출 밸브와, 저류부 내에 저류된 제4의 제거액과 제5의 제거액의 경계면을 검출하는 경계면 검출부와, 경계면 검출부에 의해 검출된 경계면을 취득하고, 취득한 검출면이 미리 정해진 하한 위치 이하인 경우에는 제1의 배출 밸브를 닫고, 취득한 검출면이 하한 위치보다 큰 경우에는 제1의 배출 밸브를 개방하도록 제1의 배출 밸브를 제어하는 제어부를 포함하고, 제1의 배출 배관은 하한 위치보다 하방에 있어서의 저류부에 접속되고, 제2의 배출 배관은 하한 위치보다 상방에 있어서의 저류부에 접속되어도 된다.
이 경우, 간단한 제어로 사용이 끝난 제4의 제거액을 저류부로부터 제1의 배출 배관을 통해 회수하고, 사용이 끝난 제5의 제거액을 저류부로부터 제2의 배출 배관을 통해 회수할 수 있다.
(18) 제거액 분리 기구는, 제2의 배출 배관에 삽입된 제2의 배출 밸브를 더 포함하고, 제어부는, 취득한 검출면이 미리 정해지고 또한 하한 위치보다 큰 상한 위치 이하인 경우에는 제2의 배출 밸브를 개방하고, 취득한 검출면이 상한 위치보다 큰 경우에는 제2의 배출 밸브를 닫아도 된다.
이 경우, 간단한 구성으로 사용이 끝난 제4의 제거액이 저류부로부터 제2의 배출 배관을 통해 회수되는 것을 방지할 수 있다.
(19) 제3의 제거액은, 금속 및 도포액을 용해시켜도 된다. 이 경우, 제3의 제거액에 의해 금속 함유 도포액에 있어서의 금속 및 도포액이 동시에 제거된다. 이에 의해, 기판의 주연부에 있어서의 금속 및 도포액을 효율적으로 제거할 수 있다. 또, 제3의 제거액을 분리하여 회수할 필요가 없다. 이들 결과, 기판의 처리 비용을 저감할 수 있다.
(20) 막 형성 유닛은, 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면과 반대측의 이면에 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 공급하는 이면 제거액 공급 유닛을 더 구비해도 된다.
이 구성에 의하면, 금속 함유 도포액이 기판의 이면에 들어온 경우에도, 기판의 이면에 부착된 금속 함유 도포액은, 이면 제거액 공급 유닛에 의해 제거된다. 이에 의해, 막 형성 유닛이 금속에 의해 오염되는 것을 충분히 방지할 수 있다.
(21) 본 발명의 또 다른 국면에 따른 기판 처리 방법은, 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 막 형성 유닛에 의해 기판의 피처리면에 공급함으로써 피처리면에 금속 함유 도포막을 형성하는 단계와, 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판을 반송 기구에 의해 주연부 제거 유닛에 반송하는 단계와, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부에 공급하는 단계를 포함한다.
이 기판 처리 방법에 의하면, 금속을 함유하는 도포액이 금속 함유 도포액으로서 막 형성 유닛에 의해 기판의 피처리면에 공급된다. 이에 의해, 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성된다. 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판이 반송 기구에 의해 주연부 제거 유닛에 반송된다. 또, 금속을 용해시키는 제1의 제거액이 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부에 공급된다. 이에 의해, 기판의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속이 용해되어, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다.
이 방법에 의하면, 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 그 때문에, 기판의 주연부를 반송 기구가 유지한 경우에도, 반송 기구에는 금속이 부착되지 않는다. 이에 의해, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
(22) 본 발명의 또 다른 국면에 따른 막 형성 방법은, 제3의 회전 유지부에 의해 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 단계와, 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 도포액 노즐에 의해 토출하는 단계와, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존하도록, 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 주연부 제거액 공급 유닛에 의해 공급하는 단계를 포함한다.
이 막 형성 방법에 의하면, 제3의 회전 유지부에 의해 기판이 수평 자세로 유지되고, 회전된다. 회전되는 기판의 피처리면에 금속을 함유하는 도포액이 금속 함유 도포액으로서 도포액 노즐에 의해 토출된다. 회전되는 기판의 피처리면의 주연부에 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액이 주연부 제거액 공급 유닛에 의해 공급된다. 이에 의해, 기판의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다.
이 방법에 의하면, 주연부를 제외한 기판의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판의 주연부에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명에 의하면, 기판 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는 도 1의 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 3은 도포 처리 유닛의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 4는 도 1의 열처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 5는 금속 제거 유닛의 제1의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 6은 금속 제거 유닛의 제2의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 7은 반송부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 8은 반송 기구를 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제3의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제4의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제5의 실시형태에 있어서의 도포 겸 금속 제거 유닛의 구성예를 나타내는 모식적 측면도이다.
도 13은 공급 밸브 및 회수 밸브의 동작을 나타내는 타임 차트이다.
도 14는 본 발명의 제6의 실시형태에 있어서의 도포 겸 금속 제거 유닛의 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 15는 회수 밸브의 제어를 나타내는 플로차트이다.
도 16은 본 발명의 제7의 실시형태에 있어서의 현상 겸 금속 제거 유닛의 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 17은 반송 기구의 흡착식의 핸드를 나타내는 평면도이다.
도 18은 다른 실시형태에 있어서의 열처리부 및 세정 건조 처리부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 19는 다른 실시형태에 있어서의 반송부의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 또는 포토마스크용 기판 등을 말한다. 또, 본 실시형태에서 이용되는 기판은, 적어도 일부가 원형인 외주부를 갖는다. 예를 들면, 위치 결정용 노치를 제외한 외주부가 원형을 갖는다.
[1] 제1의 실시형태
(1) 기판 처리 장치
도 1은, 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 1 및 도 2 이후의 소정의 도면에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 부여하고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하며, Z방향은 연직 방향에 상당한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 인덱서 블록(11), 제1의 처리 블록(12), 제2의 처리 블록(13), 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)을 구비한다. 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에 의해, 인터페이스 블록(14)이 구성된다. 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록 노광 장치(15)가 배치된다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 인덱서 블록(11)은, 복수의 캐리어 재치부(111) 및 반송부(112)를 포함한다. 각 캐리어 재치부(111)에는, 복수의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(113)가 올려놓아진다. 반송부(112)에는, 메인 컨트롤러(114) 및 반송 기구(115)가 설치된다. 메인 컨트롤러(114)는, 기판 처리 장치(100)의 다양한 구성 요소를 제어한다. 반송 기구(115)는, 기판(W)을 유지하면서 그 기판(W)을 반송한다.
제1의 처리 블록(12)는, 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열처리부(123)를 포함한다. 도포 처리부(121) 및 열처리부(123)는, 반송부(122)를 사이에 끼고 대향하도록 설치된다. 반송부(122)와 인덱서 블록(11) 사이에는, 기판(W)이 올려놓아지는 기판 재치부(PASS1~PASS4)(도 7 참조)가 설치된다. 반송부(122)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 기구(127, 128)(도 7 참조)가 설치된다.
제2의 처리 블록(13)은, 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열처리부(133)를 포함한다. 현상 처리부(131) 및 열처리부(133)는, 반송부(132)를 사이에 끼고 대향하도록 설치된다. 반송부(132)와 반송부(122) 사이에는, 기판(W)이 올려놓아지는 기판 재치부(PASS5~PASS8)(도 7 참조)가 설치된다. 반송부(132)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 기구(137, 138)(도 7 참조)가 설치된다.
세정 건조 처리 블록(14A)은, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)를 포함한다. 세정 건조 처리부(161, 162)는, 반송부(163)을 사이에 끼고 대향하도록 설치된다. 반송부(163)에는, 반송 기구(141, 142)가 설치된다. 반송부(163)와 반송부(132) 사이에는, 재치 겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 7 참조)가 설치된다. 재치 겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)는, 복수의 기판(W)을 수용 가능하게 구성된다.
또, 반송 기구(141, 142) 사이에 있어서, 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록, 기판 재치부(PASS9), 후술하는 에지 노광부(EEW)(도 7 참조) 및 후술하는 재치 겸 냉각부(P-CP)(도 7 참조)가 설치된다. 재치 겸 냉각부(P-CP)는, 기판(W)을 냉각하는 기능(예를 들면, 쿨링 플레이트)을 구비한다. 재치 겸 냉각부(P-CP)에 있어서, 기판(W)이 노광 처리에 적합한 온도로 냉각된다. 반입 반출 블록(14B)에는, 반송 기구(146)가 설치된다. 반송 기구(146)는, 노광 장치(15)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다.
(2) 도포 처리부, 현상 처리부 및 세정 건조 처리부
도 2는, 도 1의 도포 처리부(121), 현상 처리부(131) 및 세정 건조 처리부(161)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 도포 처리부(121)에는, 도포 처리실(21, 22, 23, 24)이 계층적으로 설치된다. 각 도포 처리실(21~24)에는, 도포 처리 유닛(129)이 설치된다. 현상 처리부(131)에는, 현상 처리실(31~34)이 계층적으로 설치된다. 각 현상 처리실(31~34)에는, 현상 처리 유닛(139)이 설치된다.
도 3은, 도포 처리 유닛(129)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 각 도포 처리 유닛(129)은, 대기부(20), 복수의 스핀 척(25), 복수의 컵(27), 복수의 도포액 노즐(28), 노즐 반송 기구(29) 및 복수의 에지 린스 노즐(41)을 구비한다. 본 실시형태에 있어서는, 스핀 척(25), 컵(27) 및 에지 린스 노즐(41)은, 각 도포 처리 유닛(129)에 2개씩 설치된다.
각 스핀 척(25)은, 기판(W)을 유지한 상태로, 도시하지 않은 구동 장치(예를 들면, 전동 모터)에 의해 회전 구동된다. 컵(27)은 스핀 척(25)의 주위를 둘러싸도록 설치된다. 대기시에는, 각 도포액 노즐(28)은 대기부(20)에 삽입된다. 각 도포액 노즐(28)에는, 도시하지 않은 도포액 저류부로부터 도포액 배관을 통해 다양한 도포액이 공급된다. 복수의 도포액 노즐(28) 중 어느 하나의 도포액 노즐(28)이 노즐 반송 기구(29)에 의해 기판(W)의 상방으로 이동된다. 스핀 척(25)이 회전하면서 도포액 노즐(28)로부터 도포액이 토출됨으로써, 회전하는 기판(W) 상에 도포액이 도포된다.
본 실시형태에 있어서는, 도 2의 도포 처리실(22, 24)의 도포액 노즐(28)로부터는, 반사 방지막용 도포액(반사 방지액)이 토출된다. 도포 처리실(21, 23)의 도포액 노즐(28)로부터는, 레지스트막용 도포액(레지스트액)이 토출된다.
반사 방지액 및 레지스트액에는, 고감도화를 실현하기 위한 금속 분자 또는 금속 산화물 등의 금속 성분이 조성물로서 함유되어 있다. 본 예에서는, 금속 성분으로서, 예를 들면 Sn(주석), HfO2(산화하프늄) 또는 ZrO2(이산화지르코늄)이 반사 방지액 및 레지스트액에 함유된다. 이하, 금속 성분을 함유하는 반사 방지액 또는 레지스트액 등의 도포액을 금속 함유 도포액이라고 총칭한다. 또, 금속 함유 도포액에 의해 형성되는 막을 금속 함유 도포막이라 부른다.
에지 린스 노즐(41)은, 스핀 척(25)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 여기서, 피처리면이란 회로 패턴 등의 각종 패턴이 형성되는 기판(W)의 면을 말한다. 기판(W)의 주연부란, 기판(W)의 피처리면에 있어서, 기판(W)의 외주부를 따른 일정 폭의 영역을 말한다.
에지 린스 노즐(41)로부터는, 기판(W)의 주연부로부터 금속 함유 도포막을 제거하는 제거액을 토출 가능하다. 이러한 제거액으로서, 예를 들면 시너, 아세트산부틸(butyl acetate), PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), PGME(propyleneglycol monomethyl ether:프로필렌글리콜모노메틸에테르)를 포함하는 유기용매 외에, TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide:수산화테트라메틸암모늄) 또는, 암모니아 및 과산화수소수를 포함하는 수용액 등의 제거액이 토출되어도 된다. 이하, 에지 린스 노즐(41)로부터 토출되는 제거액을 막 제거액이라 부른다.
스핀 척(25)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 에지 린스 노즐(41)로부터 기판(W)의 주연부에 막 제거액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부에 도포된 도포액이 용해된다. 그에 의해, 기판(W)의 주연부의 도포막이 제거된다. 이에 의해, 반송 암이 기판(W)의 주연부를 파지해도, 파티클의 발생을 회피할 수 있어, 기판 처리 장치(100)가 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 도포 처리 유닛(129)과 마찬가지로, 복수의 스핀 척(35) 및 복수의 컵(37)을 구비한다. 또, 도 1에 나타낸 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 현상액을 토출하는 2개의 슬릿 노즐(38) 및 그들 슬릿 노즐(38)을 X방향으로 이동시키는 이동 기구(39)를 구비한다.
여기서, 노광 장치(15)에 의해 노광된 영역이 현상액에 가용되는 포지티브 톤(Positive Tone) 현상 처리용 현상액으로는, 알칼리성 수용액을 이용할 수 있다. 알칼리성 수용액은, 예를 들면, TMAH 또는 KOH(potassium hydroxide:수산화칼륨)를 포함한다. 한편, 노광 장치(15)에 의해 노광되지 않았던 미노광 영역이 현상액에 가용되는 네가티브 톤(Negative Tone) 현상 처리용 현상액으로는, 유기용매를 이용할 수 있다. 유기용매는, 예를 들면 아세트산부틸을 포함한다.
현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척(35)이 회전된다. 그에 의해, 기판(W)이 회전된다. 이 상태에서, 슬릿 노즐(38)이 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급한다. 이에 의해, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다.
세정 건조 처리부(161)에는, 복수(본 예에서는 3개)의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 설치된다. 각 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 있어서는, 상술한 유기 용매, 상술한 수용액 또는 순수를 이용하여 노광 처리 전의 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 여기서, 이면이란 기판(W)의 피처리면과 반대측인 면을 말한다.
(3) 열처리부
도 4는, 도 1의 열처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 열처리부(123)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(301) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(302)를 갖는다. 상단 열처리부(301) 및 하단 열처리부(302)에는, 복수의 열처리 유닛(PHP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(PAHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)이 설치된다.
열처리부(123)의 최상부에는 로컬 컨트롤러(LC1)가 설치된다. 로컬 컨트롤러(LC1)는, 도 1의 메인 컨트롤러(114)로부터의 지령에 의거해, 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열처리부(123)의 동작을 제어한다.
열처리 유닛(PHP)에 있어서는, 기판(W)의 가열 처리 및 냉각 처리가 행해진다. 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서는, 기판(W)과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 행해진다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 HMDS(헥사메틸디실라잔) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 더불어, 기판(W)에 가열 처리가 행해진다. 냉각 유닛(CP)에 있어서는, 기판(W)의 냉각 처리가 행해진다.
열처리부(133)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(303) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(304)를 갖는다. 상단 열처리부(303) 및 하단 열처리부(304)에는, 냉각 유닛(CP) 및 복수의 열처리 유닛(PHP)이 설치된다.
열처리부(133)의 최상부에는, 로컬 컨트롤러(LC2)가 설치된다. 로컬 컨트롤러(LC2)는, 도 1의 메인 컨트롤러(114)로부터의 지령에 의거해, 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열처리부(133)의 동작을 제어한다.
(4) 금속 제거 유닛
상기와 같이, 도 3의 스핀 척(25)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 에지 린스 노즐(41)로부터 기판(W)의 주연부에 막 제거액이 토출됨으로써, 기판(W)의 주연부에 도포된 금속 함유 도포액이 용해된다. 그에 의해, 기판(W)의 주연부의 금속 함유 도포막이 제거된다. 그러나, 기판(W)의 주연부에는 금속 함유 도포액에 함유 되어 있던 금속 성분이 잔존하고 있다. 또, 기판(W)의 이면에 금속 함유 도포액이 들어간 경우에는, 기판(W)의 이면에는 금속 함유 도포액에 함유되어 있던 금속 성분이 잔존하고 있다.
기판(W)의 주연부 또는 이면에 금속 성분이 부착된 상태로 기판(W)이 기판 처리 장치(100) 내에서 반송되면, 기판 처리 장치(100)의 내부 및 노광 장치(15)의 내부에 금속 성분에 의한 오염이 발생한다. 그래서, 세정 건조 처리부(162)에는, 노광 처리 전의 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 성분을 제거하는 복수(본 예에서는 6개)의 금속 제거 유닛(MR)이 설치된다.
금속 제거 유닛(MR)에 있어서는, 제거액으로서 알칼리성 제거액 또는 산성 제거액이 이용된다. 알칼리성 제거액은, 예를 들면 암모니아 및 과산화수소를 포함하는 수용액이다. 알칼리성 제거액은, 예를 들면 TMAH여도 된다. 산성 제거액은, 예를 들면 희불산을 포함하는 수용액이다. 산성 제거액은, 예를 들면 황산 및 과산화수소를 포함하는 수용액이어도 되고, 아세트산 또는 킬레이트제를 포함하는 수용액이어도 된다. 킬레이트제는, 유기산, 유기산의 염, 아미노산, 아미노산의 유도체, 무기 알칼리, 무기 알칼리의 염, 알킬아민, 알킬아민의 유도체, 알칸올아민 및 알칸올아민의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 또는 복수종을 포함한다. 이하, 알칼리성 제거액 또는 산성 제거액을 금속용 제거액이라 부른다. 금속용 제거액은, 반사 방지액 또는 레지스트액에 함유된 금속 성분을 용해 가능하다.
본 예에서는, 3개의 금속 제거 유닛(MR)과 나머지 3개의 금속 제거 유닛(MR)에서는, 상이한 금속용 제거액이 이용된다. 이 경우, 금속 함유 도포액에 함유된 금속 성분의 종류에 따라서, 적합한 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 성분을 제거할 수 있다.
도 5는, 금속 제거 유닛(MR)의 제1의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 금속 제거 유닛(MR)에는, 모터(1), 스핀 척(3), 컵(4), 2개의 이면 세정 노즐(7), 주연부 세정 노즐(8) 및 기체 공급부(9)가 설치된다. 스핀 척(3)은, 연직축의 둘레에서 회전 가능하게 모터(1)의 회전축(2)의 상단에 부착된다. 컵(4)은, 스핀 척(3)에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싸도록 배치된다. 컵(4)의 하부에는 배액부(5) 및 배기부(6)가 형성된다.
2개의 이면 세정 노즐(7)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다. 이면 세정 노즐(7)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 주연부 세정 노즐(8)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 주연부를 향하도록 배치된다. 주연부 세정 노즐(8)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다.
기체 공급부(9)는, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 대략 중앙부의 상방에 배치된다. 기체 공급부(9)로부터 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 분출된다. 이 경우, 기체 공급부(9)로부터 분출되는 기체는, 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙부로 확산된다. 이에 의해, 주연부 세정 노즐(8)로부터 토출되는 금속용 제거액이 기판(W)의 피처리면에 형성된 도포막에 부착되는 것이 방지된다.
도 6은, 금속 제거 유닛(MR)의 제2의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 제2의 구성예에 있어서의 금속 제거 유닛(MR)은, 도 5의 주연부 세정 노즐(8) 및 기체 공급부(9) 대신에 기액 공급 노즐(10)이 설치된다. 기액 공급 노즐(10)은, 수평 방향으로 늘어선 액체 노즐(10a) 및 기체 노즐(10b)을 포함한다. 기액 공급 노즐(10)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된 기판(W)의 주연부를 향하도록 배치된다. 여기서, 기체 노즐(10b)은, 액체 노즐(10a)보다 기판(W)의 중심에 위치한다.
액체 노즐(10a)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다. 기체 노즐(10b)로부터 기판(W)의 주연부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 분출된다. 이 경우, 기체 노즐(10b)로부터 기체가 분출되는 기판(W)의 위치는, 액체 노즐(10a)로부터 금속용 제거액이 토출되는 위치보다 기판(W)의 중심에 가깝다. 그 때문에, 액체 노즐(10a)로부터 토출되는 금속용 제거액은, 기체 노즐(10b)로부터 분출되는 기체에 의해 기판(W)의 중심을 향하는 것이 방지된다. 이에 의해, 액체 노즐(10a)로부터 토출되는 금속용 제거액이 기판(W)의 피처리면에 형성된 도포막에 부착되는 것이 방지된다.
또, 금속 제거 유닛(MR)의 제1 또는 제2의 구성예에 있어서는, 열처리부(123)에 의해 금속 함유 도포막이 경화되고 있으므로, 기체 공급부(9) 또는 기체 노즐(10b)로부터 기판(W)에 기체를 토출해도 금속 함유 도포막의 막두께에 영향을 미치지 않는다. 이들 결과, 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포막을 균일한 두께로 형성할 수 있다.
(5) 반송부
도 7은, 반송부(122, 132, 163)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 반송부(122)는, 상단 반송실(125) 및 하단 반송실(126)을 갖는다. 반송부(132)는, 상단 반송실(135) 및 하단 반송실(136)을 갖는다. 상단 반송실(125)에는 반송 기구(127)가 설치되고, 하단 반송실(126)에는 반송 기구(128)가 설치된다. 또, 상단 반송실(135)에는 반송 기구(137)가 설치되고, 하단 반송실(136)에는 반송 기구(138)가 설치된다.
도포 처리실(21, 22)(도 2)과 상단 열처리부(301)(도 4)는 상단 반송실(125)을 사이에 끼고 대향하며, 도포 처리실(23, 24)(도 2)과 하단 열처리부(302)(도 4)는 하단 반송실(126)을 사이에 끼고 대향한다. 마찬가지로, 현상 처리실(31, 32)(도 2)과 상단 열처리부(303)(도 4)는 상단 반송실(135)을 사이에 끼고 대향하며, 현상 처리실(33, 34)(도 2)과 하단 열처리부(304)(도 4)는 하단 반송실(136)을 사이에 끼고 대향한다.
반송부(112)와 상단 반송실(125) 사이에는, 기판 재치부(PASS1, PASS2)가 설치되고, 반송부(112)와 하단 반송실(126) 사이에는, 기판 재치부(PASS3, PASS4)가 설치된다. 상단 반송실(125)과 상단 반송실(135) 사이에는, 기판 재치부(PASS5, PASS6)가 설치되고, 하단 반송실(126)과 하단 반송실(136) 사이에는, 기판 재치부(PASS7, PASS8)가 설치된다.
상단 반송실(135)과 반송부(163) 사이에는, 재치 겸 버퍼부(P-BF1)가 설치되고, 하단 반송실(136)과 반송부(163) 사이에는 재치 겸 버퍼부(P-BF2)가 설치된다. 반송부(163)에 있어서 반입 반출 블록(14B)과 인접하도록, 기판 재치부(PASS9), 복수의 에지 노광부(EEW) 및 복수의 재치 겸 냉각부(P-CP)가 설치된다.
재치 겸 버퍼부(P-BF1)는, 반송 기구(137) 및 반송 기구(141, 142)(도 1)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 재치 겸 버퍼부(P-BF2)는, 반송 기구(138) 및 반송 기구(141, 142)(도 1)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다. 또, 기판 재치부(PASS9), 에지 노광부(EEW) 및 재치 겸 냉각부(P-CP)는, 반송 기구(141, 142)(도 1) 및 반송 기구(146)에 의한 기판(W)의 반입 및 반출이 가능하게 구성된다.
에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부의 노광 처리(에지 노광 처리)가 행해진다. 기판(W)에 에지 노광 처리가 행해짐으로써, 뒤의 현상 처리시에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 제거된다. 그에 의해, 현상 처리 후에 있어서, 기판(W)의 주연부가 다른 부분과 접촉한 경우에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 박리되어 파티클이 되는 것이 방지된다.
기판 재치부(PASS1) 및 기판 재치부(PASS3)에는, 인덱서 블록(11)으로부터 제1의 처리 블록(12)으로 반송되는 기판(W)이 올려놓아지고, 기판 재치부(PASS2) 및 기판 재치부(PASS4)에는, 제1의 처리 블록(12)으로부터 인덱서 블록(11)으로 반송되는 기판(W)이 올려놓아진다.
기판 재치부(PASS5) 및 기판 재치부(PASS7)에는, 제1의 처리 블록(12)으로부터 제2의 처리 블록(13)에 반송되는 기판(W)이 올려놓아지고, 기판 재치부(PASS6) 및 기판 재치부(PASS8)에는, 제2의 처리 블록(13)으로부터 제1의 처리 블록(12)에 반송되는 기판(W)이 올려놓아진다.
재치 겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)에는, 제2의 처리 블록(13)으로부터 세정 건조 처리 블록(14A)으로 반송되는 기판(W)이 올려놓아지고, 재치 겸 냉각부(P-CP)에는, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터 반입 반출 블록(14B)으로 반송되는 기판(W)이 올려놓아지고, 기판 재치부(PASS9)에는, 반입 반출 블록(14B)으로부터 세정 건조 처리 블록(14A)으로 반송되는 기판(W)이 올려놓아진다.
다음에, 반송 기구(127)에 대해서 설명한다. 도 8은, 반송 기구(127)를 나타내는 사시도이다. 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 반송 기구(127)는, 장척형상의 가이드 레일(311, 312)을 구비한다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 가이드 레일(311)은, 상단 반송실(125) 내에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 반송부(112)측에 고정된다. 가이드 레일(312)은, 상단 반송실(125) 내에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 상단 반송실(135)측에 고정된다.
가이드 레일(311)과 가이드 레일(312) 사이에는, 장척형상의 가이드 레일(313)이 설치된다. 가이드 레일(313)은, 상하 이동 가능하게 가이드 레일(311, 312)에 부착된다. 가이드 레일(313)에 이동 부재(314)가 부착된다. 이동 부재(314)는, 가이드 레일(313)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다.
이동 부재(314)의 상면에는, 장척형상의 회전 부재(315)가 회전 가능하게 설치된다. 회전 부재(315)에는, 기판(W)의 외주부를 유지하기 위한 핸드(H1, H2, H3)가 부착된다. 핸드(H1~H3)는, 회전 부재(315)의 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된다. 핸드(H1)는 핸드(H2)보다 상방에 배치되고, 핸드(H2)는 핸드(H3)보다 상방에 배치된다.
상기와 같은 구성에 의해, 반송 기구(127)는, 상단 반송실(125) 내에 있어서 X방향 및 Z방향으로 자유롭게 이동할 수 있다. 또, 핸드(H1~H3)를 이용하여 도포 처리실(21, 22)(도 2), 기판 재치부(PASS1, PASS2, PASS5, PASS6)(도 7) 및 상단 열처리부(301)(도 4)에 대해 기판(W)의 수도(受渡)를 행할 수 있다.
또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 반송 기구(128, 137, 138)는 반송 기구(127)와 동일한 구성을 갖는다. 또, 본 실시형태에 있어서는, 도 1의 반송 기구(141)는, 반송 기구(127)와 동일한 3개의 핸드(H1~H3)를 갖는다.
(6) 기판 처리
도 1, 도 2, 도 4 및 도 7을 참조하면서 기판 처리를 설명한다. 인덱서 블록(11)의 캐리어 재치부(111)(도 1)에는, 미처리의 기판(W)이 수용된 캐리어(113)가 올려놓아진다. 반송 기구(115)는, 캐리어(113)로부터 기판 재치부(PASS1, PASS3)(도 7)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 또, 반송 기구(115)는, 기판 재치부(PASS2, PASS4)(도 7)에 올려놓아진 처리가 끝난 기판(W)을 캐리어(113)에 반송한다.
제1의 처리 블록(12)에 있어서, 반송 기구(127)(도 7)는, 중단 및 하단의 핸드(H2, H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS1)에 올려놓아진 미처리의 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 4), 냉각 유닛(CP)(도 4) 및 도포 처리실(22)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 기구(127)는, 핸드(H2, H3)를 이용하여 도포 처리실(22)의 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 4), 냉각 유닛(CP)(도 4), 도포 처리실(21)(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 4) 및 기판 재치부(PASS5)(도 7)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 밀착 강화 처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(22)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 계속해서, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 레지스트막의 형성에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(21)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 2)에 의해, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진다.
또, 반송 기구(127)는, 상단의 핸드(H1)를 이용하여 기판 재치부(PASS6)(도 7)에 올려놓아진 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS2)(도 7)에 반송한다.
반송 기구(128)(도 7)는, 중단 및 하단의 핸드(H2, H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS3)에 올려놓아진 미처리의 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 4), 냉각 유닛(CP)(도 4) 및 도포 처리실(24)(도 2)에 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 기구(128)는, 핸드(H2, H3)를 이용하여 도포 처리실(24)의 기판(W)을, 열처리 유닛(PHP)(도 4), 냉각 유닛(CP)(도 4), 도포 처리실 23(도 2), 열처리 유닛(PHP)(도 4) 및 기판 재치부(PASS7)(도 7)에 순서대로 반송한다.
또, 반송 기구(128)(도 7)는, 상단의 핸드(H1)를 이용하여 기판 재치부(PASS8)(도 7)에 올려놓아진 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS4)(도 7)에 반송한다. 도포 처리실(23, 24)(도 2) 및 하단 열처리부(302)(도 4)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기 도포 처리실(21, 22)(도 2) 및 상단 열처리부(301)(도 4)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 각각 동일하다.
제2의 처리 블록(13)에 있어서, 반송 기구(137)(도 7)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 재치 겸 버퍼부(P-BF1)(도 7)에 반송한다.
또, 반송 기구(137)(도 7)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 4)으로부터 노광 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(137)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 4), 현상 처리실(31, 32)(도 2) 중 어느 한쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 4) 및 기판 재치부(PASS6)(도 7)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 현상 처리에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된 후, 현상 처리실(31, 32) 중 어느 한쪽에 있어서, 현상 처리 유닛(139)에 의해 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 그 후, 열처리 유닛(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS6)에 올려놓아진다.
반송 기구(138)(도 7)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS7)에 올려놓아진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 재치 겸 버퍼부(P-BF2)(도 7)에 반송한다.
또, 반송 기구(138)(도 7)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 인터페이스 블록(14)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 4)으로부터 노광 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(138)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 4), 현상 처리실(33, 34)(도 2) 중 어느 한쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 4) 및 기판 재치부(PASS8)(도 7)에 순서대로 반송한다. 현상 처리실(33, 34) 및 하단 열처리부(304)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기 현상 처리실(31, 32) 및 상단 열처리부(303)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 각각 동일하다.
세정 건조 처리 블록(14A)에 있어서, 반송 기구(141)(도 1)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 재치 겸 버퍼부(P-BF1, P-BF2)(도 7)에 올려놓아진 기판(W)을 금속 제거 유닛(MR)(도 4)에 반송한다. 또, 반송 기구(141)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여, 금속 제거 유닛(MR)의 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(BSS)(도 2), 에지 노광부(EEW) 및 재치 겸 냉각부(P-CP)(도 7)에 순서대로 반송한다.
이 경우, 금속 제거 유닛(MR)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존하는 금속 성분의 제거가 행해진다. 또, 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 있어서, 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 계속해서, 에지 노광부(EEW)에 있어서 기판(W)의 에지 노광 처리가 행해진다. 그 후, 재치 겸 냉각부(P-CP)에 있어서 노광 장치(15)(도 1)에 의한 노광 처리에 적합한 온도로 기판(W)이 냉각된다.
반송 기구(142)(도 1)는, 기판 재치부(PASS9)(도 7)에 올려놓아진 노광 처리 후의 기판(W)을 및 상단 열처리부(303) 또는 하단 열처리부(304)의 열처리 유닛(PHP)(도 4)에 순서대로 반송한다. 이 경우, 열처리 유닛(PHP)에 있어서 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다.
반입 반출 블록(14B)에 있어서, 반송 기구(146)(도 1)는, 재치 겸 냉각부(P-CP)(도 7)에 올려놓아진 노광 처리 전의 기판(W)을 노광 장치(15)(도 1)의 기판 반입부에 반송한다. 또, 반송 기구(146)는, 노광 장치(15)의 기판 반출부로부터 노광 처리 후의 기판(W)을 취출해, 그 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)(도 7)에 반송한다.
상기 기판(W)의 반송에 의하면, 금속 성분이 제거되기 전의 기판(W)과 금속 성분이 제거된 후의 기판(W)이 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 상이한 핸드에 의해 유지된다. 이에 의해, 금속 성분이 제거된 후의 기판(W)에 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드를 통해 금속 성분이 부착되는 것이 방지된다.
본 실시형태에 있어서는, 상단에 설치된 도포 처리실(21, 22), 현상 처리실(31, 32) 및 상단 열처리부(301, 303)에 있어서의 기판(W)의 처리와, 하단에 설치된 도포 처리실(23, 24), 현상 처리실(33, 34) 및 하단 열처리부(302, 304)에 있어서의 기판(W)의 처리를 병행하여 행할 수 있다. 그에 의해, 풋프린트를 증가시키지 않고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(7) 효과
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 금속 함유 도포액이 도포액 노즐(28)에 의해 기판(W)의 피처리면에 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성된다. 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판(W)이 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)에 의해 금속 제거 유닛(MR)에 반송된다.
금속용 제거액이 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부에 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속 성분이 용해되어, 기판(W)의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다. 또, 금속 함유 도포액이 기판(W)의 이면에 들어간 경우에도, 기판(W)의 이면에 부착된 금속 함유 도포액 중의 금속 성분은, 금속 제거 유닛(MR)에 의해 제거된다.
이 구성에 의하면, 주연부를 제외한 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판(W)의 주연부 및 이면에 금속 성분이 잔존하는 것이 방지된다. 그 때문에, 기판(W)의 주연부를 반송 기구(115, 127, 128, 137, 138, 141, 142, 146)가 유지한 경우에도, 반송 기구(115, 127, 128, 137, 138, 141, 142, 146)에는 금속 성분이 부착되지 않는다. 이에 의해, 기판(W) 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
[2] 제2의 실시형태
제2의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서, 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다. 도 9는, 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제2의 처리 블록(13)이 인덱서 블록(11)과 제1의 처리 블록(12) 사이에 배치된다.
도 9의 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 제2의 처리 블록(13)의 반송 기구(137, 138)에 의해 기판(W)이 인덱서 블록(11)으로부터 제1의 처리 블록(12)으로 반송된다. 제1의 처리 블록(12)에 있어서, 기판(W)에 반사 방지막 및 레지스트막이 형성된다. 그 후, 기판(W)은, 인터페이스 블록(14)을 통해 노광 장치(15)에 반송되고, 노광 장치(15)에 의해 노광된다.
노광 후의 기판(W)은, 제1의 처리 블록(12)의 반송 기구(127, 128)에 의해 제2의 처리 블록(13)으로 반송된다. 제2의 처리 블록(13)에 있어서, 기판(W)에 현상 처리가 행해진다. 현상 후의 기판(W)은, 반송 기구(137, 138)에 의해 인덱서 블록(11)에 반송된다.
상기 구성에 의하면, 기판(W)의 주연부의 금속 함유 도포막 중의 금속은, 도포 처리부(121)에 인접하는 세정 건조 처리부(162)의 금속 제거 유닛(MR)에 의해 즉시 제거된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(100)가 금속에 의해 오염되는 것을 충분히 방지할 수 있다.
[3] 제3의 실시형태
제3의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서, 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다. 도 10은, 본 발명의 제3의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제1의 처리 블록(12)과 제2의 처리 블록(13) 사이에 세정 건조 처리 블록(14A)과 동일한 구성을 갖는 세정 건조 처리 블록(14C)이 배치된다.
도 10의 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 제1의 처리 블록(12)에 있어서 반사 방지막 및 레지스트막이 형성된 기판(W)은, 인접하는 세정 건조 처리 블록(14C)에 반송된다. 세정 건조 처리 블록(14C)에 있어서는, 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존하는 금속 성분의 제거가 행해진다. 또, 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 그 후, 기판(W)은, 인접하는 제2의 처리 블록(13)에 반송된다.
[4] 제4의 실시형태
제4의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서, 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다. 도 11은, 본 발명의 제4의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 기판 처리 장치(100)에 도 1의 제2의 처리 블록(13) 및 인터페이스 블록(14)이 설치되지 않는다. 또, 인덱서 블록(11)과 제1의 처리 블록(12) 사이에 세정 건조 처리 블록(14A)과 동일한 구성을 갖는 세정 건조 처리 블록(14D)이 배치된다.
도 11의 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 세정 건조 처리 블록(14D)의 반송 기구(141)에 의해 인덱서 블록(11)으로부터 제1의 처리 블록(12)에 기판(W)이 반송된다. 제1의 처리 블록(12)에 있어서는, 기판(W)에 반사 방지막 및 레지스트막이 형성된다.
제1의 처리 블록(12)의 기판(W)은, 세정 건조 처리 블록(14D)의 반송 기구(141)에 의해 세정 건조 처리 블록(14D)의 세정 건조 처리부(162)의 금속 제거 유닛(MR)(도 4)에 반송된다. 그 후, 금속 제거 유닛(MR)의 기판(W)은, 반송 기구(142)에 의해 세정 건조 처리부(161)의 세정 건조 처리 유닛(BSS)(도 2)에 반송된다.
세정 건조 처리 블록(14D)에 있어서는, 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존하는 금속 성분의 제거가 행해진다. 또, 세정 건조 처리 유닛(BSS)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면의 세정 및 건조 처리가 행해진다. 그 후, 기판(W)은, 반송 기구(142)에 의해 인덱서 블록(11)에 반송된다.
본 실시형태에 있어서는, 도 7의 에지 노광부(EEW)가, 세정 건조 처리 블록(14D)에 설치되어도 되고, 제1의 처리 블록(12)에 설치되어도 된다. 혹은, 기판 처리 장치(100)에 있어서 기판(W)에 에지 노광 처리를 행할 필요가 없는 경우에는, 기판 처리 장치(100)에 에지 노광부(EEW)는 설치되지 않아도 된다.
[5] 제5의 실시형태
(1) 도포 겸 금속 제거 유닛
제5의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서, 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다. 본 실시형태에 있어서는, 도 1의 세정 건조 처리 블록(14A)에 세정 건조 처리부(162)(금속 제거 유닛(MR))가 설치되지 않는다. 또, 도 2의 도포 처리 유닛(129) 대신에, 이하의 도포 겸 금속 제거 유닛이 설치된다.
도 12는, 본 발명의 제5의 실시형태에 있어서의 도포 겸 금속 제거 유닛의 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 각 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)은, 각 스핀 척(25)에 대응하는 에지 린스 노즐(41, 43) 및 백 린스 노즐(42, 44)을 구비한다. 에지 린스 노즐(41, 43)은, 스핀 척(25)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 백 린스 노즐(42, 44)은, 스핀 척(25)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다.
에지 린스 노즐(41, 43)에는, 각각 공급 배관(41p, 43p)이 접속된다. 공급 배관(41p, 43p)에는, 각각 공급 밸브(41v, 43v)가 삽입된다. 백 린스 노즐(42, 44)에는, 각각 공급 배관(42p, 44p)이 접속된다. 공급 배관(42p, 44p)에는, 각각 공급 밸브(42v, 44v)가 삽입된다.
에지 린스 노즐(41) 및 백 린스 노즐(42)에는, 도시하지 않은 제1의 제거액 공급 탱크로부터 상술한 막 제거액과 동일한 제거액이 각각 공급 배관(41p, 42p)을 통해 기판(W)의 주연부로의 막 제거액 및 기판(W)의 이면으로의 세정액으로서 공급된다. 에지 린스 노즐(43) 및 백 린스 노즐(44)에는, 도시하지 않은 제2의 제거액 공급 탱크로부터 각각 공급 배관(43p, 44p)을 통해 금속용 제거액이 공급된다.
도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에는, 상이한 종류의 금속용 제거액이 각각 저류된 2개의 제2의 공급 탱크가 설치되어도 된다. 이 경우, 각 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)의 2개의 에지 린스 노즐(43)로부터 각각 상이한 종류의 금속용 제거액을 토출할 수 있다. 마찬가지로, 각 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)의 2개의 백 린스 노즐(44)로부터 각각 상이한 종류의 금속용 제거액을 토출할 수 있다. 금속용 제거액은, 예를 들면 30~40℃로 온도 조정된 상태에서 에지 린스 노즐(43) 및 백 린스 노즐(44)로부터 토출되어도 된다.
스핀 척(25)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 에지 린스 노즐(41)로부터 기판(W)의 주연부에 막 제거액이 토출됨과 더불어, 백 린스 노즐(42)로부터 기판(W)의 이면에 세정액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 도포된 도포액이 용해된다. 그에 의해, 기판(W)의 주연부 및 이면의 도포막이 제거된다.
또, 스핀 척(25)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 에지 린스 노즐(43)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출됨과 더불어, 백 린스 노즐(44)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 용해된다. 그에 의해, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 제거된다.
(2) 제거액의 회수
상기와 같이, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)의 기판 처리에 있어서는, 막 제거액 및 그것과 동일한 액인 세정액과 금속용 제거액이 이용된다. 그 때문에, 컵(27)으로부터 사용이 끝난 막 제거액 및 세정액과 금속용 제거액을 분리하여 회수하는 것이 바람직하다. 그래서, 도 12에 나타낸 바와 같이, 컵(27)의 배액부에 회수 배관(50)이 접속된다. 회수 배관(50)은, 하류에 있어서 2개의 분기 배관(51, 52)으로 분기된다. 분기 배관(51, 52)에는, 각각 회수 밸브(51v, 52v)가 삽입된다. 분기 배관(51, 52)은, 각각 회수 탱크(53a, 53b)에 접속된다.
이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 컵(27), 분기 배관(51, 52), 회수 밸브(51v, 52v), 회수 탱크(53a, 53b) 및 도 4의 로컬 컨트롤러(LC1)에 의해 제거액 회수 유닛(50A)이 구성된다.
도 13은, 공급 밸브(41v~44v) 및 회수 밸브(51v, 52v)의 동작을 나타내는 타임 차트이다. 또한, 공급 밸브(41v~44v) 및 회수 밸브(51v, 52v)의 동작은, 로컬 컨트롤러(LC1)에 의해 제어된다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 초기 시점 t0에 있어서, 공급 밸브(41v~44v) 및 회수 밸브(52v)가 닫히고, 회수 밸브(51v)가 개방된다. 그 후, 시점 t1에 있어서, 공급 밸브(42v, 41v)가 순차적으로 개방된다. 이에 의해, 백 린스 노즐(42) 및 에지 린스 노즐(41)로부터 기판(W)의 이면 및 주연부에 각각 세정액 및 막 제거액이 순차적으로 토출된다.
기판(W)에 토출된 세정액 및 막 제거액은 기판(W)의 회전에 의해 떨어내어지고, 컵(27)의 배액부로부터 회수 배관(50)을 통해 하류로 이끌린다. 여기서, 분기 배관(51)의 회수 밸브(51v)는 개방되고, 분기 배관(52)의 회수 밸브(52v)는 닫혀 있다. 그 때문에, 세정액 및 막 제거액은, 분기 배관(51)을 통해 회수 탱크(53a)로 회수된다.
시점 t1보다 뒤의 시점 t2에 공급 밸브(41v)가 닫히고, 시점 t2보다 뒤의 시점 t3에 공급 밸브(42v)가 닫힌다. 이에 의해, 에지 린스 노즐(41) 및 백 린스 노즐(42)로부터 기판(W)으로의 막 제거액 및 세정액의 토출은 순차적으로 정지된다.
시점 t3보다 뒤의 시점 t4에 있어서, 공급 밸브(44v, 43v)가 순차적으로 개방된다. 백 린스 노즐(44) 및 에지 린스 노즐(43)로부터 기판(W)의 이면 및 주연부에 각각 금속용 제거액이 순차적으로 토출된다. 시점 t4보다 뒤의 시점 t5에 있어서, 회수 밸브(51v)가 닫힘과 더불어, 회수 밸브(52v)가 개방된다.
기판(W)에 토출된 금속용 제거액은 기판(W)의 회전에 의해 떨어내어지고, 컵(27)의 배액부로부터 회수 배관(50)을 통해 하류로 이끌린다. 여기서, 분기 배관(52)의 회수 밸브(52v)는 개방되고, 분기 배관(51)의 회수 밸브(51v)는 닫혀 있다. 그 때문에, 금속용 제거액은, 분기 배관(52)을 통해 회수 탱크(53b)로 회수된다.
시점 t5보다 뒤의 시점 t6에 공급 밸브(43v)가 닫히고, 시점 t6보다 뒤의 시점 t7에 공급 밸브(44v)가 닫힌다. 이에 의해, 에지 린스 노즐(43) 및 백 린스 노즐(44)로부터 기판(W)으로의 금속용 제거액의 토출은 순차적으로 정지된다. 시점 t7보다 뒤의 시점 t8에 있어서 회수 밸브(52v)가 닫히고, 시점 t8보다 뒤의 시점 t9에 회수 밸브(51v)가 개방된다. 그 후, 시점 t0~t9의 처리가 반복된다.
이와 같이, 본 실시형태에 있어서의 제거액의 회수 방식에 있어서는, 세정액 및 막 제거액 및 금속용 제거액이 토출되는 기간에 의거해, 사용이 끝난 세정액 및 막 제거액과 사용이 끝난 금속용 제거액이 분리된다. 이 방식에 의하면, 거의 모든 사용이 끝난 세정액 및 막 제거액이 회수 탱크(53a)에 회수되고, 거의 모든 사용이 끝난 금속용 제거액이 회수 탱크(53b)에 회수된다. 이 경우, 사용자는, 세정액 및 막 제거액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이에 의해, 제거액의 폐기 비용을 저감할 수 있다.
또, 상기 제거액의 회수 방식에 있어서는, 공급 밸브(42v)의 개방 기간은 공급 밸브(41v)의 개방 기간보다 길지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 공급 밸브(42v)의 개방 기간은 공급 밸브(41v)의 개방 기간과 동일해도 되고, 짧아도 된다. 마찬가지로, 상기 제거액의 회수 처리에 있어서는, 공급 밸브(44v)의 개방 기간은 공급 밸브(43v)의 개방 기간보다 길지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 공급 밸브(44v)의 개방 기간은 공급 밸브(43v)의 개방 기간과 동일해도 되고, 짧아도 된다.
또한, 상기 제거액의 회수 방식에 있어서는, 분기 배관(51, 52)의 하류가 회수 탱크(53a, 53b)에 각각 접속되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 분기 배관(51)의 하류는 도시하지 않은 세정액 및 막 제거액 회수부에 접속되어도 된다. 마찬가지로, 분기 배관(52)의 하류는, 도시하지 않은 금속용 제거액 회수부에 접속되어도 된다.
(3) 효과
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 스핀 척(25)에 의해 회전되는 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포액이 도포액 노즐(28)에 의해 토출된다. 회전되는 기판(W)의 피처리면의 주연부 및 이면에 금속용 제거액이 에지 린스 노즐(43) 및 백 린스 노즐(44)에 의해 각각 공급된다.
이 경우, 기판(W)의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속 성분이 에지 린스 노즐(43)에 의해 용해되고, 기판(W)의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다. 또, 금속 함유 도포액이 기판(W)의 이면에 들어간 경우에도, 기판(W)의 이면에 부착된 금속 함유 도포액 중의 금속 성분은, 백 린스 노즐(44)에 의해 제거된다.
이 구성에 의하면, 주연부를 제외한 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판(W)의 주연부 및 이면에 금속이 부착되는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
또, 회전되는 기판(W)의 피처리면의 주연부 및 이면에 세정액 및 막 제거액이 에지 린스 노즐(41) 및 백 린스 노즐(42)에 의해 각각 공급되므로, 기판(W)의 주연부 및 이면에 도포된 도포액이 용해된다. 그에 의해, 기판(W)의 주연부의 도포막이 제거된다. 그 결과, 반송 암이 기판(W)의 주연부를 파지해도, 파티클의 발생을 회피할 수 있어, 기판 처리 장치(100)가 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
[6] 제6의 실시형태
제6의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서, 제5의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다. 도 14는, 본 발명의 제6의 실시형태에 있어서의 도포 겸 금속 제거 유닛의 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)은, 도 12의 회수 탱크(53a, 53b) 대신에 회수 탱크(53)를 포함한다. 또, 회수 배관(50)은 분기되지 않고 회수 탱크(53)에 접속된다. 이 경우, 컵(27)으로부터의 사용이 끝난 세정액 및 막 제거액과 금속용 제거액이 공통의 회수 탱크(53)로 이끌린다.
여기서, 세정액 및 막 제거액과 금속용 제거액은 서로 상이한 비중을 갖고, 금속용 제거액의 비중은 세정액 및 막 제거액의 비중보다 크다. 그 때문에, 회수 탱크(53) 내에 있어서는, 금속용 제거액의 층과 세정액 및 막 제거액의 층이 상하 로 분리하도록 형성된다. 여기서, 회수 탱크(53)에는, 금속용 제거액과 세정액 및 막 제거액의 경계면을 검출하는 경계 검출부(54)가 설치된다. 본 실시형태에서는, 경계 검출부(54)는 정전 용량식의 액면 레벨 센서인데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 경계 검출부(54)는, 플로트식, 광학식, 초음파식, 전도율 피에조 공진식 등의 다른 방식의 액면 레벨 센서여도 된다.
회수 탱크(53)에는, 금속용 제거액과 세정액 및 막 제거액의 경계면의 하한 높이 L1 및 상한 높이 L2가 설정된다. 상한 높이 L2는 하한 높이 L1보다 상방에 위치한다. 회수 탱크(53)에는, 하한 높이 L1보다 낮은 위치에 회수 배관(55)이 부착되고, 상한 높이 L2보다 높은 위치에 회수 배관(56)이 부착된다. 회수 배관(55, 56)은, 각각 도시하지 않은 금속용 제거액 회수부 및 세정액·막 제거액 회수부에 접속된다. 회수 배관(55, 56)에는, 각각 회수 밸브(55v, 56v)가 삽입된다.
본 실시형태에 있어서는, 컵(27), 회수 배관(50), 회수 탱크(53), 경계 검출부(54), 회수 배관(55, 56) 및 회수 밸브(55v, 56v) 및 도 4의 로컬 컨트롤러(LC1)에 의해 제거액 회수 유닛(50A)이 구성된다.
도 15는, 회수 밸브(55v, 56v)의 제어를 나타내는 플로차트이다. 또한, 회수 밸브(55v, 56v)의 동작은, 로컬 컨트롤러(LC1)에 의해 제어된다. 또, 공급 밸브(41v~44v)의 동작은, 도 13의 타임 차트에 나타나는 동작과 동일하다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 로컬 컨트롤러(LC1)는, 경계 검출부(54)로부터 회수 탱크(53) 내의 금속용 제거액과 세정액 및 막 제거액의 경계면을 취득한다(단계 S1). 다음에, 로컬 컨트롤러(LC1)는, 취득한 경계면의 높이가 하한 높이 L1 미만인지 아닌지를 판정한다(단계 S2).
단계 S2에 있어서, 경계면의 높이가 하한 높이 L1 미만인 경우, 로컬 컨트롤러(LC1)는 회수 밸브(55v)를 닫는다(단계 S3). 그 후, 로컬 컨트롤러(LC1)는 단계 S1의 처리로 되돌아온다. 또한, 단계 S3의 시점에 있어서는, 회수 밸브(56v)는 개방되어 있어도 되고, 닫혀 있어도 된다. 한편, 단계 S2에 있어서, 경계면의 높이가 하한 높이 L1 이상인 경우, 로컬 컨트롤러(LC1)는, 경계면의 높이가 상한 높이 L2 미만인지 아닌지를 판정한다(단계 S4).
단계 S4에 있어서, 경계면의 높이가 상한 높이 L2 미만인 경우, 로컬 컨트롤러(LC1)는, 회수 밸브(55v)를 개방함과 더불어 회수 밸브(56v)를 개방한다(단계 S5). 그 후, 로컬 컨트롤러(LC1)는 단계 S1의 처리로 되돌아온다. 한편, 단계 S4에 있어서, 경계면의 높이가 상한 높이 L2 이상인 경우, 로컬 컨트롤러(LC1)는, 회수 밸브(55v)를 개방함과 더불어 회수 밸브(56v)를 닫는다(단계 S6). 그 후, 로컬 컨트롤러(LC1)는 단계 S1의 처리로 되돌아온다.
이 처리에 있어서는, 경계면의 높이가 하한 높이 L1 미만인 경우, 회수 밸브(55v)가 닫힌다. 이에 의해, 회수 배관(55)으로부터 세정액 및 막 제거액이 배출되는 것이 방지된다. 경계면의 높이가 하한 높이 L1 이상이고 또한 상한 높이 L2 미만인 경우, 회수 밸브(55v, 56v)가 개방된다. 이에 의해, 회수 배관(55)으로부터 금속용 제거액이 배출되고, 회수 배관(56)으로부터 세정액 및 막 제거액이 배출된다. 경계면의 높이가 상한 높이 L2 이상인 경우, 회수 밸브(56v)가 닫힌다. 이에 의해, 회수 배관(56)으로부터 금속용 제거액이 배출되는 것이 방지된다.
이와 같이, 본 실시형태에 있어서의 제거액의 회수 방식에 있어서는, 세정액 및 막 제거액과 금속용 제거액의 비중에 의거해, 사용이 끝난 세정액 및 막 제거액과 사용이 끝난 금속용 제거액이 분리된다. 이 회수 방식에 의하면, 세정액 및 막 제거액과 금속용 제거액을 완전히 분리하여 회수하는 것이 가능해진다. 이 경우, 사용자는, 세정액 및 막 제거액과 금속용 제거액을 분리하기 위한 작업을 행할 필요가 없다. 이에 의해, 제거액의 폐기 비용을 저감할 수 있다.
상기 제거액의 회수 방식에 있어서는, 회수 배관(56)에 회수 밸브(56v)가 삽입되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 회수 배관(56)이 상한 높이 L2보다 충분히 상방에 부착되고, 금속용 제거액이 회수 배관(56)으로부터 배출되지 않도록 구성되어 있는 경우에는, 회수 배관(56)에 회수 밸브(56v)가 삽입되지 않아도 된다. 이 경우, 도 15의 단계 S4, S6의 처리는 행해지지 않고, 단계 S5의 처리에서는 회수 밸브(55v)만이 개방된다.
[7] 제7의 실시형태
(1) 현상 겸 금속 제거 유닛
제7의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서, 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다. 본 실시형태에 있어서는, 도 1의 세정 건조 처리 블록(14A)에 세정 건조 처리부(162)(금속 제거 유닛(MR))가 설치되지 않는다. 또, 도 2의 현상 처리실(31~34)의 현상 처리 유닛(139) 대신에, 이하의 현상 겸 금속 제거 유닛이 설치된다.
도 16은, 본 발명의 제7의 실시형태에 있어서의 현상 겸 금속 제거 유닛의 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 16에 나타낸 바와 같이, 현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)은, 각 스핀 척(35)에 대응하는 에지 린스 노즐(45) 및 백 린스 노즐(46)을 구비한다. 에지 린스 노즐(45)은, 스핀 척(35)에 의해 유지된 기판(W)의 피처리면의 주연부를 향하도록 배치된다. 백 린스 노즐(46)은, 스핀 척(35)에 의해 유지된 기판(W)의 이면을 향하도록 배치된다.
본 실시형태에 있어서의 기판 처리에 대해서, 도 2, 도 7 및 도 16을 참조하면서 제1의 실시형태에 있어서의 기판 처리와 상이한 점을 설명한다. 상기와 같이, 제1의 처리 블록(12)에 의해 레지스트막이 형성된 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진다. 제2의 처리 블록(13)에 있어서, 반송 기구(137)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진 기판(W)을 현상 처리실(31) 또는 현상 처리실(32)에 반송한다.
현상 처리실(31, 32)에 있어서, 현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)에 의해 기판(W)의 세정이 행해진다. 구체적으로는, 스핀 척(35)에 의해 기판(W)이 회전된 상태로, 에지 린스 노즐(45)로부터 기판(W)의 주연부에 금속용 제거액이 토출된다. 또, 백 린스 노즐(46)로부터 기판(W)의 이면에 금속용 제거액이 토출된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 용해된다. 그에 의해, 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 제거된다. 금속용 제거액에 의한 기판(W)의 세정 후, 기판(W)의 주연부 및 이면이 순수 등에 의해 더욱 세정되어도 된다.
현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)에 의해 기판(W)이 세정된 후, 반송 기구(137)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 후의 기판(W)을 현상 처리실(31, 32)로부터 재치 겸 버퍼부(P-BF1)에 반송한다. 그 후의 기판 처리는, 제1의 실시형태에 있어서의 기판 처리와 동일하다.
마찬가지로, 제2의 처리 블록(13)에 있어서, 반송 기구(138)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS7)에 올려놓아진 기판(W)을 현상 처리실(33) 또는 현상 처리실(34)에 반송한다. 그 후, 반송 기구(138)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 후의 기판(W)을 현상 처리실(33, 34)로부터 재치 겸 버퍼부(P-BF2)에 반송한다.
(2) 효과
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 기판(W)의 피처리면의 주연부 및 이면에 금속용 제거액이 에지 린스 노즐(45) 및 백 린스 노즐(46)에 의해 각각 공급된다. 이 경우, 기판(W)의 주연부에 있어서의 금속 함유 도포막 중의 금속 성분이 에지 린스 노즐(45)에 의해 용해되어, 기판(W)의 피처리면의 주연부를 제외한 영역에 금속 함유 도포막이 잔존한다. 또, 금속 함유 도포액이 기판(W)의 이면에 들어간 경우에도, 기판(W)의 이면에 부착된 금속 함유 도포액 중의 금속 성분은, 백 린스 노즐(46)에 의해 제거된다.
이 구성에 의하면, 주연부를 제외한 기판(W)의 피처리면에 금속 함유 도포막이 형성되어, 기판(W)의 주연부 및 이면에 금속이 잔존하는 것이 방지된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 금속 함유 도포막을 형성함과 더불어 금속 오염의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 현상액과 금속용 제거액에서 동일한 종류의 처리액(예를 들면 TMAH)을 이용할 수 있다. 이 경우, 현상액과 금속용 제거액을 분리하여 회수할 필요가 없다. 이에 의해, 처리액의 폐기 비용을 저감할 수 있다.
한편, 현상액과 금속용 제거액에서 상이한 종류의 처리액을 이용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 현상액으로서 네가티브 톤 현상 처리용 아세트산부틸을 이용해, 금속용 제거액으로서 TMAH를 이용해도 된다. 이 경우, 현상액과 금속용 제거액을 분리하여 회수하기 위해서, 도 12 또는 도 14의 제거액 회수 유닛(50A)을 현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)에 설치하는 것이 바람직하다.
또, 금속용 제거액으로서 TMAH를 이용하는 경우에는, 금속 성분을 용해함과 더불어, 기판(W)에 미소하게 부착된 금속 함유 도포막을 금속 성분과 일체적으로 제거할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 성분을 효율적으로 제거할 수 있다.
또, 노광 후의 기판(W)의 현상 처리 후, 린스 처리시에 기판(W)의 이면을 금속용 제거액에 의해 금속 성분을 제거한 후, 순수 등에 의해 린스 처리를 행해도 된다. 이에 의해, 현상 처리에 있어서 기판(W)의 이면에 부착된 금속 성분을 확실하게 제거할 수 있다.
[8] 다른 실시형태
(1) 상기 실시형태에 있어서, 반사 방지액 및 레지스트액의 양쪽에 금속 성분이 함유되어 있는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 반사 방지액 및 레지스트액 중 한쪽에 금속 성분이 함유되지 않아도 된다. 이 경우, 제5 및 제6의 실시형태에 있어서는, 도포 처리실(21, 23) 또는 도포 처리실(22, 24) 중 한쪽에는, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)이 설치되지 않고, 도포 처리 유닛(129)이 설치된다.
(2) 상기 실시형태에 있어서, 도포액으로서 반사 방지액 및 레지스트액에 금속 성분이 함유되어 있는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 하드 마스크(HM)막을 형성하기 위한 도포액에 금속 성분이 함유되어 있어도 된다. 이 경우, 금속 성분으로서, 예를 들면 산화티탄(TiOx), 산화텅스텐(WOx) 또는 산화지르코늄(ZrOx)이 도포액에 함유된다.
(3) 상기 실시형태에 있어서, 도포 처리실(21~24)에 2개의 스핀 척(25)이 설치되고, 현상 처리실(31~34)에 3개의 스핀 척(35)이 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 도포 처리실(21~24)에 1개 또는 3개 이상의 스핀 척(25)이 설치되어도 된다. 또, 현상 처리실(31~34)에 2개 이하 또는 4개 이상의 스핀 척(35)이 설치되어도 된다.
(4) 상기 실시형태에 있어서, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드(H1~H3)는 기판(W)의 외주부를 유지하는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)의 핸드(H1~H3)는, 기판(W)을 흡착함으로써 기판(W)의 이면을 유지해도 된다. 도 17은, 반송 기구(127)의 흡착식의 핸드(H1)를 나타내는 평면도이다. 흡착식의 핸드(H2, H3)는, 도 17의 흡착식의 핸드(H1)와 동일한 구성을 갖는다.
도 17에 나타낸 바와 같이, 흡착식의 핸드(H1)는, 가이드부(Ha) 및 암부(Hb)를 포함한다. 가이드부(Ha)는 대략 C자 형상을 갖고, 암부(Hb)는 장방 형상을 갖는다. 가이드부(Ha)의 내주부에는, 가이드부(Ha)의 내주부를 따라서 형성되는 원의 중심에 대해 등 각도 간격으로, 가이드부(Ha)의 내측을 향하도록 복수(본 예에서는 3개)의 돌출부(pr)가 형성되어 있다. 각 돌출부(pr)의 선단부에, 흡착부(sm)가 설치되어 있다. 흡착부(sm)는, 도시하지 않은 흡기계에 접속된다.
핸드(H1)에 있어서는, 3개의 돌출부(pr)의 3개의 흡착부(sm) 상에 기판(W)이 올려놓아진다. 도 17에 있어서는, 핸드(H1)에 의해 유지되는 기판(W)이 이점쇄선으로 나타난다. 이 상태로, 3개의 흡착부(sm)에 접속된 흡기계가 제어되어, 기판(W)의 이면의 3개소의 부분이 각각 3개의 흡착부(sm)에 의해 흡착된다. 이에 의해, 기판(W)의 이면이 유지된다. 또한, 핸드(H1)는 4개의 흡착부(sm)를 가져도 된다. 이 경우, 기판(W)의 이면의 4개소의 부분이 각각 4개의 흡착부(sm)에 의해 흡착된다.
(5) 제1~제4의 실시형태에 있어서, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 3개의 핸드(H1~H3)를 갖는 것이 바람직한데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 2개 이하의 핸드를 가져도 되고, 4개 이상의 핸드를 가져도 된다.
특히, 도 17에 나타나는 흡착식의 핸드에 의해 기판(W)을 유지하는 경우에 있어서, 기판(W)의 이면에 금속 함유 도포액이 부착되지 않는 경우에는, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 3개 이상의 핸드를 가질 필요가 없다. 또, 세정 전의 기판(W)을 유지하는 핸드와 세정 후의 기판(W)을 유지하는 핸드를 구분하여 사용할 필요가 없다.
제2의 실시형태에 있어서는, 반송 기구(137, 138)는 3개 이상의 핸드를 가질 필요가 없고, 세정 전의 기판(W)을 유지하는 핸드와 세정 후의 기판(W)을 유지하는 핸드를 구분하여 사용할 필요가 없다. 제3의 실시형태에 있어서는, 반송 기구(137, 138, 141)는 3개 이상의 핸드를 가질 필요가 없고, 세정 전의 기판(W)을 유지하는 핸드와 세정 후의 기판(W)을 유지하는 핸드를 구분하여 사용할 필요가 없다. 제5 및 제6의 실시형태에 있어서는, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)는 3개 이상의 핸드를 가질 필요가 없고, 세정 전의 기판(W)을 유지하는 핸드와 세정 후의 기판(W)을 유지하는 핸드를 구분하여 사용할 필요가 없다.
(6) 제1~제4의 실시형태에 있어서, 세정 건조 처리부(161)에 복수의 세정 건조 처리 유닛(BSS)가 배치되고, 세정 건조 처리부(162)에 복수의 금속 제거 유닛(MR)이 배치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 일부 또는 전부의 세정 건조 처리 유닛(BSS)이 세정 건조 처리부(162)에 배치되어도 되고, 일부 또는 전부의 금속 제거 유닛(MR)이 세정 건조 처리부(161)에 배치되어도 된다.
(7) 제1~제4의 실시형태에 있어서, 도포 처리 유닛(129)에 에지 린스 노즐(41)이 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 도포 처리 유닛(129)에 에지 린스 노즐(41)이 설치되지 않아도 된다. 혹은, 에지 린스 노즐(41)은, 도포 처리 유닛(129)에 설치되지 않고, 금속 제거 유닛(MR)에 설치되어도 된다. 이 경우, 금속 제거 유닛(MR)에는, 제5 또는 제6의 실시형태와 동일한 제거액 회수 유닛이 설치되어도 된다.
마찬가지로, 제5 및 제6의 실시형태에 있어서, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 에지 린스 노즐(41) 및 백 린스 노즐(42)이 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 에지 린스 노즐(41) 및 백 린스 노즐(42)의 한쪽 또는 양쪽 모두가 설치되지 않아도 된다.
(8) 제5 및 제6의 실시형태에 있어서, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 막 제거액을 토출하는 에지 린스 노즐(41)과 금속용 제거액을 토출하는 에지 린스 노즐(43)이 별개로 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 막 제거액과 금속용 제거액을 선택적으로 토출하는 공통의 에지 린스 노즐이 설치되어도 된다.
마찬가지로, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 세정액을 토출하는 백 린스 노즐(42)과 금속용 제거액을 토출하는 백 린스 노즐(44)이 별개로 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 세정액과 금속용 제거액을 선택적으로 토출하는 공통의 백 린스 노즐이 설치되어도 된다.
혹은, 금속용 제거액이 도포액을 용해시키는 성질을 가져도 된다. 이 경우, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 에지 린스 노즐(41)이 설치되지 않아도 되고, 백 린스 노즐(42)이 설치되지 않아도 된다. 또, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)에 제거액 회수 유닛이 설치되지 않아도 된다.
금속용 제거액이 도포액을 용해시키는 성질을 갖는 경우에는, 단일의 제거액에 의해 금속 함유 도포액에 있어서의 금속 및 도포액이 동시에 제거된다. 이에 의해, 기판(W)의 주연부 및 이면에 부착된 금속 및 도포액을 효율적으로 제거할 수 있다. 또, 제거액을 분리하여 회수할 필요가 없다. 이들 결과, 기판(W)의 처리 비용을 저감할 수 있다.
(9) 제5 및 제6의 실시형태에 있어서, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)은 각각 도 12 및 도 14의 제거액 회수 유닛(50A)을 포함하는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 컵(27)이 2종류의 제거액을 분리하여 회수 가능한 2중컵인 경우에는, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)은 도 12 또는 도 14의 제거액 회수 유닛(50A)을 포함하지 않아도 된다. 이 경우, 컵(27)이 제거액 회수 유닛(50A)으로서 기능한다.
(10) 제1~제3, 제5 및 제6의 실시형태에 있어서, 인터페이스 블록(14)에 에지 노광부(EEW)가 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 에지 노광부(EEW)는 인터페이스 블록(14)에 설치되지 않고, 제1의 처리 블록(12)의 상단 열처리부(301) 및 하단 열처리부(302)에 설치되어도 된다. 이 경우, 레지스트막의 형성 후, 기판(W)이 기판 재치부(PASS5, PASS7)에 올려놓아지기 전에 기판(W)에 에지 노광 처리가 행해진다.
혹은, 에지 노광부(EEW)는 제2의 처리 블록(13)에 설치되어도 된다. 이 경우, 제1~제3의 실시형태에 있어서는, 제2의 처리 블록(13)의 반송 기구(137, 138)는, 핸드(H1~H3)에 추가해 제4의 핸드를 갖는 것이 바람직하다. 도 18은, 다른 실시형태에 있어서의 열처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다. 도 19는, 다른 실시형태에 있어서의 반송부(122, 132, 163)의 내부 구성을 나타내는 모식적 측면도이다.
도 18 및 도 19에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에는 있어서는, 에지 노광부(EEW)는 인터페이스 블록(14)에 설치되지 않고, 제2의 처리 블록(13)의 상단 열처리부(303) 및 하단 열처리부(304)에 설치된다. 또, 도 19에 나타낸 바와 같이, 제2의 처리 블록(13)의 반송 기구(137, 138)는, 핸드(H1~H3)에 추가해 핸드(H4)를 갖는다. 핸드(H4)는, 핸드(H3)의 하방에 위치한다. 다른 실시형태에 있어서의 기판 처리에 대해서, 도 1, 도 2, 도 18 및 도 19를 참조하면서 제1의 실시형태에 있어서의 기판 처리와 상이한 점을 설명한다.
상기와 같이, 제1의 처리 블록(12)에 의해 레지스트막이 형성된 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진다. 제2의 처리 블록(13)에 있어서, 반송 기구(137)는, 하단의 2개의 핸드(H3, H4)를 이용하여 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 에지 노광부(EEW)(도 18) 및 재치 겸 버퍼부(P-BF1)(도 19)에 순서대로 반송한다. 이 경우, 에지 노광부(EEW)에 있어서, 기판(W)에 에지 노광 처리가 행해진다. 에지 노광 처리 후의 기판(W)이 재치 겸 버퍼부(P-BF1)에 올려놓아진다.
또, 반송 기구(137)(도 19)는, 상단의 2개의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 18)으로부터 노광 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(137)는, 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 18), 현상 처리실(31, 32)(도 2) 중 어느 한쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 18) 및 기판 재치부(PASS6)(도 19)에 순서대로 반송한다.
마찬가지로, 반송 기구(138)(도 19)는, 하단의 2개의 핸드(H3, H4)를 이용하여 기판 재치부(PASS7)에 올려놓아진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 에지 노광부(EEW)(도 18) 및 재치 겸 버퍼부(P-BF2)(도 19)에 순서대로 반송한다. 또, 반송 기구(138)(도 19)는, 상단의 2개의 핸드(H1, H2)를 이용하여 인터페이스 블록(14)에 인접하는 열처리 유닛(PHP)(도 18)으로부터 노광 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 기구(138)는, 상단의 2개의 핸드(H1, H2)를 이용하여 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 18), 현상 처리실(33, 34)(도 2) 중 어느 한쪽, 열처리 유닛(PHP)(도 18) 및 기판 재치부(PASS8)(도 19)에 순서대로 반송한다.
이 구성에 있어서는, 제1의 처리 블록(12)으로부터 인터페이스 블록(14)으로의 기판(W)의 반송은 하단의 2개의 핸드(H3, H4)를 이용하여 행해진다. 한편, 인터페이스 블록(14)으로부터 제1의 처리 블록(12)으로의 기판(W)의 반송은 상단의 2개의 핸드(H1, H2)를 이용하여 행해진다. 그 때문에, 세정 전의 기판(W)을 유지하는 핸드(H3, H4)와 세정 후의 기판(W)을 유지하는 핸드(H1, H2)를 구분하여 사용하면서 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(11) 제1의 실시형태에 있어서, 세정 건조 처리부(162)(금속 제거 유닛(MR))가 세정 건조 처리 블록(14A)에 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 세정 건조 처리부(162)는, 제2의 처리 블록(13)에 설치되어도 된다.
이 경우, 반송 기구(137)는, 하단의 핸드(H3)를 이용하여 기판 재치부(PASS5)에 올려놓아진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 세정 건조 처리부(162)에 반송한다. 이에 의해, 세정 건조 처리부(162)의 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)의 주연부 및 이면에 잔존한 금속 성분이 제거된다. 금속 제거 유닛(MR)에 의해 기판(W)이 세정된 후, 반송 기구(137)는, 상단 및 중단의 핸드(H1, H2)를 이용하여 세정 후의 기판(W)을 세정 건조 처리부(162)로부터 재치 겸 버퍼부(P-BF1)에 반송한다.
(12) 제7의 실시형태에 있어서, 현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)에 에지 린스 노즐(45)이 설치되는데, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 도 1의 슬릿 노즐(38)이 기판(W)의 피처리면의 주연부에 금속용 제거액을 토출 가능한 경우에는, 현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)에 에지 린스 노즐(45)이 설치되지 않아도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치(100)의 대형화를 억제할 수 있다.
[9] 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응의 예에 대해서 설명하는데, 본 발명은 하기의 예로 한정되지 않는다.
상기 실시형태에서는, 기판(W)이 기판의 예이며, 금속 제거 유닛(MR) 또는 현상 겸 금속 제거 유닛(139MR)이 주연부 제거 유닛의 예이며, 반송 기구(127, 128, 137, 138, 141)가 반송 기구의 예이다. 기판 처리 장치(100)가 기판 처리 장치의 예이다. 스핀 척(25)이 제1 또는 제3의 회전 유지부의 예이며, 스핀 척(3) 또는 스핀 척(35)이 제2의 회전 유지부의 예이며, 도포액 노즐(28)이 도포액 노즐의 예이다.
열처리부(123)가 열처리부의 예이며, 기체 공급부(9) 또는 기체 노즐(10b)이 기체 토출부의 예이며, 반송 기구(127, 128)의 핸드(H2, H3) 또는 반송 기구(137, 138, 141)의 핸드(H3)가 제거 전 기판 유지부의 예이다. 반송 기구(127, 128)의 핸드(H1) 또는 반송 기구(137, 138, 141)의 핸드(H1, H2)가 제거 후 기판 유지부의 예이며, 제거액 회수 유닛(50A)이 제거액 회수 유닛의 예이며, 슬릿 노즐(38)이 현상 노즐의 예이다.
회수 탱크(53b, 53a)가 각각 제1 및 제2의 회수부의 예이며, 컵(27), 분기 배관(51, 52), 회수 밸브(51v, 52v) 및 로컬 컨트롤러(LC1)가 전환 경로의 예이다. 컵(27)이 컵의 예이며, 분기 배관(52, 51)이 각각 제1 및 제2의 회수 배관의 예이며, 회수 밸브(52v, 51v)가 각각 제1 및 제2의 회수 밸브의 예이며, 로컬 컨트롤러(LC1)가 제어부의 예이다.
회수 탱크(53)가 저류부의 예이며, 컵(27), 회수 배관(50), 경계 검출부(54), 회수 배관(55, 56), 회수 밸브(55v, 56v) 및 로컬 컨트롤러(LC1)가 제거액 분리 기구의 예이며, 회수 배관(50)이 회수 배관의 예이다. 회수 배관(55, 56)이 각각 제1 및 제2의 배출 배관의 예이며, 회수 밸브(55v, 56v)가 각각 제1 및 제2의 배출 밸브의 예이며, 경계 검출부(54)가 경계면 검출부의 예이며, 하한 높이 L1이 하한 위치의 예이며, 상한 높이 L2가 상한 위치의 예이다.
제1~제4의 실시형태에 있어서는, 도포 처리 유닛(129)이 막 형성 유닛의 예이며, 주연부 세정 노즐(8) 또는 액체 노즐(10a)이 제1의 제거액 노즐의 예이다. 에지 린스 노즐(41)이 제2의 제거액 노즐의 예이며, 이면 세정 노즐(7)이 제3의 제거액 노즐의 예이다.
제5 및 제6의 실시형태에 있어서는, 도포 겸 금속 제거 유닛(129MR)이 막 형성 유닛의 예이며, 에지 린스 노즐(41, 43) 및 공급 밸브(41v, 43v)가 주연부 제거액 공급 유닛의 예이다. 에지 린스 노즐(41, 43)이 제거액 노즐의 예이며, 백 린스 노즐(42, 44) 및 공급 밸브(42v, 44v)가 이면 제거액 공급 유닛의 예이다. 제7의 실시형태에 있어서는, 에지 린스 노즐(45)이 제1의 제거액 노즐의 예이다.
청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 다양한 요소를 이용할 수도 있다.
본 발명은, 다양한 기판의 처리에 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (26)

  1. 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 기판의 피처리면에 공급함으로써 상기 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속 함유 도포막을 형성하는 막 형성 유닛과,
    상기 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에, 기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포막이 잔존하도록 상기 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 기판의 주연부에 공급하는 주연부 제거 유닛과,
    상기 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에 기판을 상기 주연부 제거 유닛에 반송하는 반송 기구를 구비하며,
    상기 제1의 제거액은, 수산화테트라메틸암모늄을 함유하는 수용액 또는 킬레이트제를 함유하는 수용액을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 막 형성 유닛은,
    기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제1의 회전 유지부와,
    상기 제1의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 상기 금속 함유 도포액을 토출하는 도포액 노즐을 포함하고,
    상기 주연부 제거 유닛은,
    기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제2의 회전 유지부와,
    상기 제2의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 제1의 제거액을 토출하는 제1의 제거액 노즐을 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 막 형성 유닛 및 상기 주연부 제거 유닛 중 적어도 한쪽은, 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 토출하는 제2의 제거액 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 기판의 피처리면에 공급함으로써 상기 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속 함유 도포막을 형성하는 막 형성 유닛과,
    상기 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에, 기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포막이 잔존하도록 상기 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 기판의 주연부에 공급하는 주연부 제거 유닛과,
    상기 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에 기판을 상기 주연부 제거 유닛에 반송하는 반송 기구를 구비하며,
    상기 막 형성 유닛은,
    기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제1의 회전 유지부와,
    상기 제1의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 상기 금속 함유 도포액을 토출하는 도포액 노즐을 포함하고,
    상기 주연부 제거 유닛은,
    기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제2의 회전 유지부와,
    상기 제2의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 제1의 제거액을 토출하는 제1의 제거액 노즐을 포함하며,
    상기 막 형성 유닛 및 상기 주연부 제거 유닛 중 적어도 한쪽은, 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 토출하는 제2의 제거액 노즐을 더 포함하고,
    상기 제1의 제거액 노즐은, 상기 제2의 제거액 노즐로부터 토출되는 상기 제2의 제거액에 의해 기판의 상기 피처리면의 주연부의 상기 도포액이 용해된 후에, 상기 제1의 제거액을 토출하는 것에 의해, 기판의 상기 피처리면의 주연부의 상기 금속을 용해시키는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주연부 제거 유닛은,
    회전되는 기판의 상기 피처리면과 반대측의 이면에 상기 제1의 제거액을 토출하는 제3의 제거액 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막 형성 유닛에 의한 금속 함유 도포막의 형성 후에 또한 상기 주연부 제거 유닛에 의한 상기 제1의 제거액의 토출 전에, 열처리에 의해 상기 금속 함유 도포막을 경화시키는 열처리부를 더 구비하고,
    상기 주연부 제거 유닛은,
    상기 제1의 제거액 노즐에 의해 상기 피처리면의 주연부에 상기 제1의 제거액이 토출되고 있을 때, 토출되는 상기 제1의 제거액보다 상기 기판의 중심에 가까운 위치에 기체를 토출하는 기체 토출부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 주연부 제거 유닛은, 상기 제2의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면에 현상액을 토출하는 현상 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 현상액과 상기 제1의 제거액은 동일한 처리액인, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 현상 노즐과 제1의 제거액 노즐은 공통의 노즐에 의해 구성되는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막 형성 유닛은 상기 주연부 제거 유닛에 인접하도록 배치되는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 기구는,
    상기 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부의 상기 금속이 제거되기 전의 기판을 유지하여 반송하는 제거 전 기판 유지부와,
    상기 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부의 상기 금속이 제거된 후의 기판을 유지하여 반송하는 제거 후 기판 유지부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제3의 회전 유지부와,
    상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 토출하는 도포액 노즐과,
    기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포액이 잔존하도록, 상기 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 상기 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 구비하며,
    상기 제3의 제거액은, 수산화테트라메틸암모늄을 함유하는 수용액 또는 킬레이트제를 함유하는 수용액을 포함하는, 막 형성 유닛.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제3의 제거액은, 상기 금속을 용해시키는 제4의 제거액과 상기 도포액을 용해시키는 제5의 제거액을 포함하고,
    상기 주연부 제거액 공급 유닛은,
    상기 제4 및 제5의 제거액을 기판의 상기 피처리면의 주연부에 공급하는 1 또는 복수의 제거액 노즐을 포함하는, 막 형성 유닛.
  14. 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 제3의 회전 유지부와,
    상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 토출하는 도포액 노즐과,
    기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포액이 잔존하도록, 상기 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 상기 주연부에 공급하는 주연부 제거액 공급 유닛을 구비하며,
    상기 제3의 제거액은, 상기 금속을 용해시키는 제4의 제거액과 상기 도포액을 용해시키는 제5의 제거액을 포함하고,
    상기 주연부 제거액 공급 유닛은,
    상기 제4 및 제5의 제거액을 기판의 상기 피처리면의 주연부에 공급하는 1 또는 복수의 제거액 노즐을 포함하며,
    상기 1 또는 복수의 제거액 노즐은, 상기 제5의 제거액을 토출하는 것에 의해, 기판의 상기 피처리면의 주연부의 상기 도포액을 용해시킨 후에, 상기 제4의 제거액을 토출하는 것에 의해, 기판의 상기 피처리면의 주연부의 상기 금속을 용해시키는, 막 형성 유닛.
  15. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    기판에 토출된 사용이 끝난 상기 제4의 제거액과 기판에 토출된 사용이 끝난 상기 제5의 제거액을 분리하여 회수하도록 설치된 제거액 회수 유닛을 더 구비하는, 막 형성 유닛.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 복수의 제거액 노즐은, 상기 제4 및 제5의 제거액을 서로 상이한 제1 및 제2의 기간에 있어서 토출하고,
    상기 제거액 회수 유닛은,
    사용이 끝난 상기 제4의 제거액을 회수하는 제1의 회수부와,
    사용이 끝난 상기 제5의 제거액을 회수하는 제2의 회수부와,
    상기 제1의 기간에 있어서 기판에 토출된 사용이 끝난 상기 제4의 제거액을 상기 제1의 회수부로 이끌고, 상기 제2의 기간에 있어서 기판에 토출된 사용이 끝난 상기 제5의 제거액을 상기 제2의 회수부로 이끌도록 전환되는 전환 경로를 포함하는, 막 형성 유닛.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 전환 경로는,
    기판으로부터 비산하는 상기 제4 및 제5의 제거액을 받는 컵과,
    상기 컵과 상기 제1의 회수부 사이에 접속된 제1의 회수 배관과,
    상기 컵과 상기 제2의 회수부 사이에 접속된 제2의 회수 배관과,
    상기 제1의 회수 배관에 삽입된 제1의 회수 밸브와,
    상기 제2의 회수 배관에 삽입된 제2의 회수 밸브와,
    상기 제1의 회수부에 상기 제4의 제거액을 회수하기 위해서 상기 제1의 회수 밸브를 개방함과 더불어 상기 제2의 회수 밸브를 닫고, 상기 제2의 회수부에 상기 제5의 제거액을 회수하기 위해서 상기 제2의 회수 밸브를 개방함과 더불어 상기 제1의 회수 밸브를 닫도록 상기 제1 및 제2의 회수 밸브를 제어하는 제어부를 포함하는, 막 형성 유닛.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 제4의 제거액의 비중은 상기 제5의 제거액의 비중보다 크고,
    상기 제거액 회수 유닛은,
    사용이 끝난 상기 제4 및 제5의 제거액을 저류하는 저류부와,
    상기 저류부에 저류된 상기 제4 및 제5의 제거액을 비중에 의거해 분리하는 제거액 분리 기구를 포함하는, 막 형성 유닛.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 제거액 분리 기구는,
    기판으로부터 비산하는 상기 제4 및 상기 제5의 제거액을 받는 컵과,
    상기 컵과 상기 저류부 사이에 접속된 회수 배관과,
    상기 저류부로부터 사용이 끝난 상기 제4의 제거액을 배출하도록 설치된 제1의 배출 배관과,
    상기 저류부로부터 사용이 끝난 상기 제5의 제거액을 배출하도록 설치된 제2의 배출 배관과,
    상기 제1의 배출 배관에 삽입된 제1의 배출 밸브와,
    상기 저류부 내에 저류된 상기 제4의 제거액과 상기 제5의 제거액의 경계면을 검출하는 경계면 검출부와,
    상기 경계면 검출부에 의해 검출된 경계면을 취득하고, 취득한 검출면이 미리 정해진 하한 위치 이하인 경우에는 상기 제1의 배출 밸브를 닫고, 취득한 검출면이 상기 하한 위치보다 큰 경우에는 상기 제1의 배출 밸브를 개방하도록 상기 제1의 배출 밸브를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제1의 배출 배관은 상기 하한 위치보다 하방에 있어서의 상기 저류부에 접속되고, 상기 제2의 배출 배관은 상기 하한 위치보다 상방에 있어서의 상기 저류부에 접속되는, 막 형성 유닛.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 제거액 분리 기구는, 상기 제2의 배출 배관에 삽입된 제2의 배출 밸브를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 취득한 검출면이 미리 정해지고 또한 상기 하한 위치보다 큰 상한 위치 이하인 경우에는 상기 제2의 배출 밸브를 개방하고, 취득한 검출면이 상기 상한 위치보다 큰 경우에는 상기 제2의 배출 밸브를 닫는, 막 형성 유닛.
  21. 청구항 12에 있어서,
    상기 제3의 제거액은 상기 금속 및 상기 도포액을 용해시키는, 막 형성 유닛.
  22. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면과 반대측의 이면에 상기 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 공급하는 이면 제거액 공급 유닛을 더 구비하는, 막 형성 유닛.
  23. 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 막 형성 유닛에 의해 기판의 피처리면에 공급함으로써 상기 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속 함유 도포막을 형성하는 단계와,
    상기 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판을 반송 기구에 의해 주연부 제거 유닛에 반송하는 단계와,
    기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포막이 잔존하도록 상기 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 상기 주연부 제거 유닛에 의해 기판의 주연부에 공급하는 단계를 포함하며,
    상기 제1의 제거액은, 수산화테트라메틸암모늄을 함유하는 수용액 또는 킬레이트제를 함유하는 수용액을 포함하는, 기판 처리 방법.
  24. 막 형성 유닛에 있어서, 기판의 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속 함유 도포막이 형성되도록, 회전되는 기판의 상기 피처리면에 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 도포액 노즐로부터 토출하는 단계와,
    상기 금속 함유 도포막의 형성 후의 기판을 반송 기구에 의해 주연부 제거 유닛에 반송하는 단계와,
    상기 막 형성 유닛 및 상기 주연부 제거 유닛 중 적어도 한쪽에 있어서, 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 도포액을 용해시키는 제2의 제거액을 제2의 제거액 노즐로부터 토출하는 단계와,
    상기 주연부 제거 유닛에 있어서, 상기 제2의 제거액에 의해 기판의 상기 피처리면의 주연부의 상기 도포액이 용해된 후에, 기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포막이 잔존하도록, 회전되는 기판에 상기 금속을 용해시키는 제1의 제거액을 제1의 제거액 노즐로부터 토출하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  25. 제3의 회전 유지부에 의해 기판을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 단계와,
    상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 도포액 노즐에 의해 토출하는 단계와,
    기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포액이 잔존하도록, 상기 제3의 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 금속 함유 도포액을 용해시키는 제3의 제거액을 주연부 제거액 공급 유닛에 의해 공급하는 단계를 포함하며,
    상기 제3의 제거액은, 수산화테트라메틸암모늄을 함유하는 수용액 또는 킬레이트제를 함유하는 수용액을 포함하는, 막 형성 방법.
  26. 기판의 피처리면 상의 전역에 직접 접촉하여 도포되도록 금속 함유 도포막이 형성되도록, 회전되는 기판의 상기 피처리면에 금속을 함유하는 도포액을 금속 함유 도포액으로서 도포액 노즐로부터 토출하는 단계와,
    회전되는 기판의 상기 피처리면의 주연부에 상기 도포액을 용해시키는 제5의 제거액을 1 또는 복수의 제거액 노즐로부터 토출하는 단계와,
    상기 제5의 제거액에 의해 기판의 상기 피처리면의 주연부의 상기 도포액이 용해된 후에, 기판의 상기 피처리면의 주연부를 제외한 영역에만 상기 금속 함유 도포막이 잔존하도록, 회전되는 기판에 상기 금속을 용해시키는 제4의 제거액을 상기 1 또는 복수의 제거액 노즐로부터 토출하는 단계를 포함하는, 막 형성 방법.
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