JP6688860B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、金属を含むコーティング材の層を基板上に形成する基板処理方法が開示されている。

特開２０１６−２９４９８号公報

金属を含むコーティング材の層（以下、「金属含有被膜」という。）は、基板処理における様々な場面にて活用可能である。例えば、金属含有被膜をレジスト膜として用いることにより、露光処理に対する感度向上が期待される。また、金属含有膜を所謂ハードマスクとして用いることにより、エッチング耐性の向上が期待される。しかしながら、金属含有被膜の利用に際しては、基板自体及び当該基板に接する機器の金属汚染を抑制する必要がある。

本開示は、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の周縁部に、第一保護膜を形成する第一保護処理部と、基板の表面に、金属を含有する被膜を形成する成膜部と、被膜が形成された基板の周縁部の洗浄処理を行う第一洗浄処理部と、制御部と、を備え、制御部は、基板の周縁部に第一保護膜を形成するように第一保護処理部を制御することと、第一保護膜が形成された基板の表面に被膜を形成するように成膜部を制御することと、被膜が形成された基板の周縁部に、被膜を除去するための第一薬液を供給するように第一洗浄処理部を制御することと、基板の周縁部に第一薬液が供給された後に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第二薬液を供給するように第一洗浄処理部を制御することと、基板の周縁部に第二薬液が供給された後に、当該周縁部に、第一保護膜を除去するための第三薬液を供給するように第一洗浄処理部を制御することと、を実行するように構成されている。

この基板処理装置によれば、基板の周縁部に第一保護膜を形成した状態で、基板の表面に被膜を形成することにより、基板の周縁部への金属成分の付着が防止される。被膜の周縁部分を除去した後には、第一保護膜を除去することで、第一保護膜に残留していた金属成分も共に除去されるので、基板の周縁部における金属成分の残留を十分に抑制できることが期待される。

しかしながら、本願発明者等は、第一保護膜を除去した後においても、基板の周縁部に金属成分が残留し得ることを見出した。このような現象が生じる要因としては、第一保護膜の表面に残留した金属成分の一部が、第一保護膜を除去する過程で基板の周縁部に付着することが考えられる。第一保護膜の除去後にも残留する金属成分への対応策として、第一保護膜を除去した後に、基板の周縁部を更に洗浄することが考えられるが、金属成分に対し高い洗浄性を示す薬液に晒されることで、基板が浸食されるおそれがある。

これに対し、本基板処理装置によれば、金属成分を除去するための第二薬液の供給が、第一保護膜を除去するための第三薬液の供給に先立って実行される。第二薬液の供給により、第一保護膜に残留した金属成分の多くが除去される。この際に、基板の周縁部は第一保護膜により保護されるので、第二薬液による基板の浸食は抑制される。第三薬液の供給に先立って第二薬液が供給されることにより、第一保護膜に残留した金属成分が大幅に削減された状態で第一保護膜が除去されることとなる。このため、第一保護膜を除去した後に、基板の周縁部に残留する金属成分も大幅に削減される。従って、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することができる。

第二薬液は、第一薬液及び第三薬液に比較して強い酸性を有してもよい。この場合、第一保護膜の除去に先立って、より多くの金属成分を除去することができる。

制御部は、基板の周縁部に第二薬液が供給された後、当該周縁部に第三薬液が供給される前に、当該周縁部に第一薬液を供給するように第一洗浄処理部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第一薬液の供給により、第二薬液の残留成分を除去することで、第一保護膜の除去後に基板の周縁部に残留する物質を更に削減することができる。

被膜を加熱する熱処理部を更に備えてもよく、制御部は、被膜が形成された基板の周縁部に第一薬液が供給された後、当該周縁部に第三薬液が供給される前に、当該基板の被膜を加熱するように熱処理部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、被膜の加熱により被膜の強度が向上する。加熱による被膜の強度向上に先立って、基板の周縁部に第一薬液を供給することで、当該周縁部の除去を容易に行うことができる。第三薬液の供給に先立って、加熱により被膜の強度を向上させることで、第三薬液の供給中における被膜からの金属成分の溶出をより確実に抑制できる。従って、基板の周縁部に残留する金属成分をより確実に削減できる。

制御部は、被膜が形成された基板の周縁部に第一薬液が供給された後、当該周縁部に第二薬液が供給される前に、当該基板の被膜を加熱するように熱処理部を制御することを実行するように構成されていてもよい。この場合、第二薬液の供給に先立って、加熱により被膜の強度を向上させることで、第二薬液の供給中における被膜からの金属成分の溶出をより確実に抑制できる。従って、基板の周縁部に残留する金属成分をより確実に削減できる。

制御部は、基板の周縁部に第三薬液が供給された後に、当該基板の被膜を加熱するように熱処理部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、被膜を加熱する工程に先立って、被膜の不要部分を除去する工程をまとめて実行することで、基板処理の効率化を図ることができる。

基板の周縁部に、第二保護膜を形成する第二保護処理部と、被膜の現像処理を行う現像処理部と、被膜の現像処理が行われた基板の周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部と、を更に備えてもよく、制御部は、基板の周縁部に第三薬液が供給された後に、当該周縁部に第二保護膜を形成するように第二保護処理部を制御することと、第二保護膜が形成された基板の被膜に現像処理を行うように現像処理部を制御することと、被膜の現像処理が行われた基板の周縁部に、金属成分を除去するための第四薬液を供給するように第二洗浄処理部を制御することと、基板の周縁部に第四薬液が供給された後に、当該周縁部に、第二保護膜を除去するための第五薬液を供給するように第二洗浄処理部を制御することと、を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、被膜の形成段階における第一保護膜の形成、第二薬液による金属成分の除去、及び第三薬液による第一保護膜の除去と同様の手順を、被膜の現像処理段階においても実行することで、基板の周縁部に残留する金属成分をより確実に削減できる。

被膜の現像処理を行う現像処理部と、被膜の現像処理が行われた基板の周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部と、を更に備え、制御部は、基板の周縁部に第二薬液が供給された後、基板の周縁部に第三薬液が供給される前に、当該基板の被膜の現像処理を行うように現像処理部を制御することと、被膜の現像処理が行われた基板の周縁部に第三薬液が供給される前に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第四薬液を供給するように第二洗浄処理部を制御することと、を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、被膜の形成段階と、被膜の現像処理段階とで、第一保護膜を共用することで、基板処理の効率化を図ることができる。

本開示の他の側面に係る基板処理方法は、基板の周縁部に第一保護膜を形成することと、第一保護膜が形成された基板の表面に、金属を含有する被膜を形成することと、被膜が形成された基板の周縁部に、被膜を除去するための第一薬液を供給することと、基板の周縁部に第一薬液が供給された後に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第二薬液を供給することと、基板の周縁部に第二薬液が供給された後に、当該周縁部に、第一保護膜を除去するための第三薬液を供給することと、を含む。

第二薬液は、第一薬液及び第三薬液に比較して強い酸性を有してもよい。

基板の周縁部に第二薬液が供給された後、当該周縁部に第三薬液が供給される前に、当該周縁部に第一薬液を供給することを更に含んでもよい。

被膜が形成された基板の周縁部に第一薬液が供給された後、当該周縁部に第三薬液が供給される前に、当該基板の被膜を加熱することを更に含んでもよい。

被膜が形成された基板の周縁部に第一薬液が供給された後、当該周縁部に第二薬液が供給される前に、当該基板の被膜を加熱してもよい。

基板の周縁部に第三薬液が供給された後に、当該基板の被膜を加熱してもよい。

基板の周縁部に第三薬液が供給された後に、当該周縁部に第二保護膜を形成することと、第二保護膜が形成された基板の被膜に現像処理を行うことと、被膜の現像処理が行われた基板の周縁部に、金属成分を除去するための第四薬液を供給することと、基板の周縁部に第四薬液が供給された後に、当該周縁部に、第二保護膜を除去するための第五薬液を供給することと、を更に含んでもよい。

基板の周縁部に第二薬液が供給された後、基板の周縁部に第三薬液が供給される前に、当該基板の被膜の現像処理を行うことと、被膜の現像処理が行われた基板の周縁部に第三薬液が供給される前に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第四薬液を供給することと、を更に含んでもよい。

本開示の他の側面に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

本開示によれば、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することができる。

基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線で示す断面図である。 保護膜形成用の液処理ユニットの模式図である。 成膜・洗浄用の液処理ユニットの模式図である。 保護膜除去用の液処理ユニットの模式図である。 現像・洗浄用の液処理ユニットの模式図である。 保護膜形成用の液処理ユニットの模式図である。 制御部の機能的な構成を示すブロック図である。 制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。 基板処理手順を示すフローチャートである。 保護膜形成手順を示すフローチャートである。 保護膜形成中の液処理ユニットを示す模式図である。 保護膜形成後のウェハ周縁部を示す模式図である。 成膜・洗浄手順を示すフローチャートである。 成膜・洗浄中の液処理ユニットを示す模式図である。 成膜・洗浄中のウェハ周縁部を示す模式図である。 保護膜除去手順を示すフローチャートである。 保護膜除去中の液処理ユニットを示す模式図である。 保護膜除去後のウェハ周縁部を示す模式図である。 保護膜形成手順を示すフローチャートである。 保護膜形成中の液処理ユニットを示す模式図である。 保護膜形成後のウェハ周縁部を示す模式図である。 現像・洗浄・保護膜除去手順を示すフローチャートである。 現像・洗浄・保護膜除去中の液処理ユニットを示す模式図である。 現像・洗浄・保護膜除去中のウェハ周縁部を示す模式図である。 保護膜形成手順の変形例を示す模式図である。 金属成分の残留量の比較結果を示すグラフである。

以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
図１に示す基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図２に示すように、塗布・現像装置２は、ウェハＷの周縁部に、第一保護膜を形成する第一保護処理部Ｕ０１と、ウェハＷの表面に、金属を含有するレジスト膜を形成する成膜部Ｕ０２と、レジスト膜が形成されたウェハＷの周縁部の洗浄処理を行う第一洗浄処理部Ｕ０３と、レジスト膜を加熱する熱処理部Ｕ０４と、レジスト膜の現像処理を行う現像処理部Ｕ０５と、ウェハＷの周縁部に、第二保護膜を形成する第二保護処理部Ｕ０７と、レジスト膜の現像処理が行われたウェハＷの周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部Ｕ０６と、これらを制御する制御部Ｕ０８とを有する。

より具体的に、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ９００とを備える。

（キャリアブロック）
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

（処理ブロック）
処理ブロック５は、上下に並ぶ複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４と、昇降アームＡ７とを有する。昇降アームＡ７は、処理モジュール１１，１２，１３，１４の間でウェハＷを昇降させる。

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１１と、熱処理ユニットＵ１２と、検査ユニットＵ１３と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを有する。

図３に示すように、液処理ユニットＵ１１は、保護処理部１００を有する。保護処理部１００は、上述した第一保護処理部Ｕ０１として機能し、第一保護膜を形成するための薬液（以下、「保護液」という。）をウェハＷの周縁部Ｗｃに供給する。第一保護膜の具体例としては、フェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、又はベンゼン系樹脂等の有機膜が挙げられる。なお、これらの膜は、後述のとおり薬液の塗布及び加熱を経て形成されるものであるが、以下においては、便宜上加熱前後の膜の両方を「第一保護膜」という。

保護処理部１００は、回転保持部１１０と、液供給部１２０と、ノズル位置調節部１３０とを有する。

回転保持部１１０ は、水平に配置されたウェハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させる。

液供給部１２０は、回転保持部１１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃに保護液を供給する。保護液は、例えばフェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、又はベンゼン系樹脂等の原料となる有機成分を含む。

液供給部１２０は、例えばノズル１２１，１２２と、供給源１２３と、バルブ１２４，１２５とを有する。ノズル１２１，１２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに保護液を吐出する。ノズル１２１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方（例えばウェハＷの外周側の斜め下方）に開口している。ノズル１２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウェハＷの外周側の斜め上方）に開口している。供給源１２３は、供給用の保護液を収容し、ノズル１２１，１２２に圧送する。バルブ１２４，１２５は、供給源１２３からノズル１２１，１２２への保護液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ１２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源１２３及びノズル１２１を接続する管路に設けられている。バルブ１２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源１２３及びノズル１２２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部１３０は、ノズル１２１の位置を調節する。より具体的に、ノズル位置調節部１３０は、電動モータ等を動力源として、ウェハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル１２１を移動させる。

図２に戻り、熱処理ユニットＵ１２は、電熱線等の熱源により第一保護膜を加熱する処理を含む熱処理を実行する。検査ユニットＵ１３は、第一保護膜の形成状態が正常であるか否かを判定するための情報を取得する。例えば検査ユニットＵ１３は、撮像装置により、第一保護膜の少なくとも一部の画像情報を取得する。

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ２１と、熱処理ユニットＵ２２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを有する。

図４に示すように、液処理ユニットＵ２１は、成膜部２００と、洗浄処理部３００とを有する。

成膜部２００は、上述した成膜部Ｕ０２として機能し、金属を含有する無機レジスト膜を形成するための薬液（以下、「レジスト液」という。）をウェハＷの周縁部Ｗｃに供給する。なお、レジスト膜は、後述のとおり薬液の塗布及び加熱を経て形成されるものであるが、以下においては、便宜上加熱前後の膜の両方を「レジスト膜」という。

成膜部２００は、回転保持部２１０と、液供給部２２０と、ノズル位置調節部２３０とを有する。

回転保持部２１０ は、水平に配置されたウェハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させる。

液供給部２２０は、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの表面Ｗａにレジスト液を供給する。液供給部２２０は、例えばノズル２２１と、供給源２２２と、バルブ２２３とを有する。ノズル２２１は、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト液を吐出する。ノズル２２１は、ウェハＷの上方に配置され、下方（例えば鉛直下方）に開口している。供給源２２２は、供給用のレジスト液を収容し、ノズル２２１に圧送する。バルブ２２３は、供給源２２２からノズル２２１へのレジスト液の流路を開閉する。バルブ２２３は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源２２２及びノズル２２１を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部２３０は、ノズル２２１の位置を調節する。より具体的に、ノズル位置調節部２３０は、電動モータ等を動力源として、ウェハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル２２１を移動させる。

洗浄処理部３００は、上述した第一洗浄処理部Ｕ０３の一部として機能する。洗浄処理部３００は、液供給部３１０と、液供給部３２０とを有する。

液供給部３１０は、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃに、レジスト膜を除去するための第一洗浄液を供給する。第一洗浄液は、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の有機溶剤である。

液供給部３１０は、例えばノズル３１１，３１２と、供給源３１３と、バルブ３１４，３１５とを有する。ノズル３１１，３１２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液を吐出する。ノズル３１１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方（例えばウェハＷの外周側の斜め下方）に開口している。ノズル３１２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウェハＷの外周側の斜め上方）に開口している。供給源３１３は、供給用の第一洗浄液を収容し、ノズル３１１，３１２に圧送する。バルブ３１４，３１５は、供給源３１３からノズル３１１，３１２への第一洗浄液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ３１４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３１３及びノズル３１１を接続する管路に設けられている。バルブ３１５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３１３及びノズル３１２を接続する管路に設けられている。

液供給部３２０は、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃに、金属成分を除去するための第二洗浄液（第一薬液）を供給する。第二洗浄液は、第一洗浄液に比較して強い酸性を有する。第二洗浄液の具体例としては、有機溶剤に酸性成分を混ぜ合わせた薬液が挙げられる。酸性成分の具体例としては、酢酸、クエン酸、塩酸又は硫酸等が挙げられる。

液供給部３２０は、例えばノズル３２１，３２２と、供給源３２３と、バルブ３２４，３２５とを有する。ノズル３２１，３２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液を吐出する。ノズル３２１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方（例えばウェハＷの外周側の斜め下方）に開口している。ノズル３２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウェハＷの外周側の斜め上方）に開口している。供給源３２３は、供給用の第二洗浄液を収容し、ノズル３２１，３２２に圧送する。バルブ３２４，３２５は、供給源３２３からノズル３２１，３２２への第二洗浄液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ３２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３２３及びノズル３２１を接続する管路に設けられている。バルブ３２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３２３及びノズル３２２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部３３０は、ノズル３１１，３２１の位置を調節する。より具体的に、ノズル位置調節部３３０は、電動モータ等を動力源として、ウェハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル３１１，３２１を移動させる。

上述のとおり、回転保持部２１０は、液供給部３１０がウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液を供給する際、及び液供給部３２０がウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液を供給する際にも用いられる。すなわち回転保持部２１０は、洗浄処理部３００の回転保持部を兼ねる。

図２に戻り、熱処理ユニットＵ２２は、上述した熱処理部Ｕ０４として機能し、電熱線等の熱源によりレジスト膜を加熱する処理を含む熱処理を実行する。

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ３１と、液処理ユニットＵ３１にウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを有する。

図５に示すように、液処理ユニットＵ３１は、洗浄処理部４００を有する。洗浄処理部４００は、上述した第一洗浄処理部Ｕ０３の一部として機能し、第一保護膜を除去するための第三洗浄液（第二薬液）をウェハＷの周縁部Ｗｃに供給する。第三洗浄液は、第二洗浄液に比較して弱い酸性を有する（第二洗浄液は第三洗浄液に比較して強い酸性を有する。）。第三洗浄液の具体例としては、シクロヘキサノン、アニソール、ガンマブチロラクトン等の有機溶剤が挙げられる。

洗浄処理部４００は、回転保持部４１０と、液供給部４２０と、ノズル位置調節部４３０とを有する。

回転保持部４１０ は、水平に配置されたウェハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させる。

液供給部４２０は、回転保持部４１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液を供給する。液供給部４２０は、例えばノズル４２１，４２２と、供給源４２３と、バルブ４２４，４２５とを有する。ノズル４２１，４２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液を吐出する。ノズル４２１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方（例えばウェハＷの外周側の斜め下方）に開口している。ノズル４２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウェハＷの外周側の斜め上方）に開口している。供給源４２３は、供給用の第三洗浄液を収容し、ノズル４２１，４２２に圧送する。バルブ４２４，４２５は、供給源４２３からノズル４２１，４２２への第三洗浄液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ４２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源４２３及びノズル４２１を接続する管路に設けられている。バルブ４２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源４２３及びノズル４２２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部４３０は、ノズル４２１の位置を調節する。より具体的に、ノズル位置調節部４３０は、電動モータ等を動力源として、ウェハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル４２１を移動させる。

図２に戻り、処理モジュール１４は、レジスト膜の露光処理の後、後述の第二保護膜が形成されたウェハＷに対する処理を行う。処理モジュール１４は、熱処理ユニットＵ４１と、検査ユニットＵ４２と、液処理ユニットＵ４３と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを有する。

熱処理ユニットＵ４１は、電熱線等の熱源により、レジスト膜及び第二保護膜とを加熱する処理を含む熱処理を実行する。検査ユニットＵ４２は、第二保護膜の形成状態が正常であるか否かを判定するための情報を取得する。例えば検査ユニットＵ４２は、撮像装置により、第二保護膜の少なくとも一部の画像情報を取得する。

図６に示すように、液処理ユニットＵ４３は、現像処理部５００と、洗浄処理部６００とを有する。現像処理部５００は、上述した現像処理部Ｕ０５として機能し、レジスト膜の現像処理を行う。現像処理部５００は、回転保持部５１０と、液供給部５２０，５３０と、ノズル位置調節部５４０とを有する。

回転保持部５１０ は、水平に配置されたウェハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させる。

液供給部５２０は、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの表面Ｗａに現像処理用の薬液（以下、「現像液」という。）を供給する。液供給部５２０は、例えばノズル５２１と、供給源５２２と、バルブ５２３とを有する。ノズル５２１は、ウェハＷの表面Ｗａに現像液を吐出する。ノズル５２１は、ウェハＷの上方に配置され、下方（例えば鉛直下方）に開口している。供給源５２２は、供給用の現像液を収容し、ノズル５２１に圧送する。バルブ５２３は、供給源５２２からノズル５２１への現像液の流路を開閉する。バルブ５２３は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源５２２及びノズル５２１を接続する管路に設けられている。

液供給部５３０は、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの表面Ｗａに、現像液を洗い流すための液体（以下、「リンス液」という。）を供給する。液供給部５３０は、例えばノズル５３１と、供給源５３２と、バルブ５３３とを有する。ノズル５３１は、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液を吐出する。ノズル５３１は、ウェハＷの上方に配置され、下方（例えば鉛直下方）に開口している。供給源５３２は、供給用のリンス液を収容し、ノズル５３１に圧送する。バルブ５３３は、供給源５３２からノズル５３１へのリンス液の流路を開閉する。バルブ５３３は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源５３２及びノズル５３１を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部５４０は、ノズル５２１，５３１の位置を調節する。より具体的に、ノズル位置調節部５４０は、電動モータ等を動力源として、ウェハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル５２１，５３１を移動させる。

洗浄処理部６００は、上述した第二洗浄処理部Ｕ０６として機能する。洗浄処理部６００は、液供給部６１０と、液供給部６２０とを有する。

液供給部６１０は、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃに、金属成分を除去するための第四洗浄液（第三薬液）を供給する。第四洗浄液の具体例としては、有機溶剤に酸性成分を混ぜ合わせた薬液が挙げられる。酸性成分の具体例としては、酢酸、クエン酸、塩酸又は硫酸等が挙げられる。

液供給部６１０は、例えばノズル６１１，６１２と、供給源６１３と、バルブ６１４，６１５とを有する。ノズル６１１，６１２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第四洗浄液を吐出する。ノズル６１１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方（例えばウェハＷの外周側の斜め下方）に開口している。ノズル６１２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウェハＷの外周側の斜め上方）に開口している。供給源６１３は、供給用の第四洗浄液を収容し、ノズル６１１，６１２に圧送する。バルブ６１４，６１５は、供給源６１３からノズル６１１，６１２への第四洗浄液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ６１４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源６１３及びノズル６１１を接続する管路に設けられている。バルブ６１５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源６１３及びノズル６１２を接続する管路に設けられている。

液供給部６２０は、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの表面Ｗａに、第二保護膜を除去するための第五洗浄液（第四薬液）を供給する。第五洗浄液は、第四洗浄液に比較して弱い酸性を有する（第四洗浄液は第五洗浄液に比較して強い酸性を有する。）。第五洗浄液の具体例としては、シクロヘキサノン、アニソール、ガンマブチロラクトン等の有機溶剤が挙げられる。

液供給部６２０は、例えばノズル６２１，６２２と、供給源６２３と、バルブ６２４，６２５とを有する。ノズル６２１，６２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第五洗浄液を吐出する。ノズル６２１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方（例えばウェハＷの外周側の斜め下方）に開口している。ノズル６２２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウェハＷの外周側の斜め上方）に開口している。供給源６２３は、供給用の第五洗浄液を収容し、ノズル６２１，６２２に圧送する。バルブ６２４，６２５は、供給源６２３からノズル６２１，６２２への第五洗浄液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ６２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源６２３及びノズル６２１を接続する管路に設けられている。バルブ６２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源６２３及びノズル６２２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部６３０は、ノズル６１１，６２１の位置を調節する。より具体的に、ノズル位置調節部６３０は、電動モータ等を動力源として、ウェハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル６１１，６２１を移動させる。

上述のとおり、回転保持部５１０は、液供給部６１０がウェハＷの周縁部Ｗｃに第四洗浄液を供給する際、及び液供給部６２０がウェハＷの周縁部Ｗｃに第五洗浄液を供給する際にも用いられる。すなわち回転保持部５１０は、洗浄処理部６００の回転保持部を兼ねる。

（インタフェースブロック）
図２に戻り、インタフェースブロック６は、処理ブロック５と露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、裏面洗浄ユニットＵ５１と、裏面検査ユニットＵ５２と、液処理ユニットＵ５３と、受け渡しアームＡ８とを有する。受け渡しアームＡ８は、裏面洗浄ユニットＵ５１、裏面検査ユニットＵ５２及び液処理ユニットＵ５３を経由しつつ、処理ブロック５と露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。

裏面洗浄ユニットＵ５１は、ウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄する。裏面検査ユニットＵ５２は、ウェハＷの裏面Ｗｂに異物の付着等がないかを判定するための情報を取得する。例えば裏面検査ユニットＵ５２は、撮像装置により、裏面Ｗｂの少なくとも一部の画像情報を取得する。

図７に示すように、裏面検査ユニットＵ５２は、保護処理部７００を有する。保護処理部７００は、上述した第二保護処理部Ｕ０７として機能し、第二保護膜を形成するための薬液（以下、「保護液」という。）をウェハＷの周縁部Ｗｃに供給する。第二保護膜の具体例としては、フェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、又はベンゼン系樹脂等の有機膜が挙げられる。なお、これらの膜は、薬液の塗布及び加熱をへて形成されるものであるが、以下においては、便宜上加熱前後の膜の両方を「第二保護膜」という。

保護処理部７００は、上述した保護処理部１００と同様に構成されている。すなわち保護処理部７００は、回転保持部１１０と同様の回転保持部７１０と、液供給部１２０と同様の液供給部７２０と、ノズル位置調節部１３０と同様のノズル位置調節部７３０とを有する。液供給部７２０は、ノズル１２１，１２２と同様のノズル７２１，７２２と、供給源１２３と同様の供給源７２３と、バルブ１２４，１２５と同様のバルブ７２４，７２５とを有する。

（コントローラ）
図２に戻り、コントローラ９００は、キャリアブロック４、処理ブロック５及びインタフェースブロック６を制御し、上述した制御部Ｕ０８として機能する。

コントローラ９００は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜を形成するように第一保護処理部Ｕ０１を制御することと、第一保護膜が形成されたウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するように成膜部Ｕ０２を制御することと、レジスト膜が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに、第一洗浄液を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することと、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第二洗浄液を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することと、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第三洗浄液を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することと、を実行するように構成されている。

コントローラ９００は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液が供給された後、当該周縁部Ｗｃに第三洗浄液が供給される前に、当該周縁部Ｗｃに第一洗浄液を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液が供給された後、当該周縁部Ｗｃに第三洗浄液が供給される前に、当該ウェハＷのレジスト膜を加熱するように熱処理部Ｕ０４を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。

コントローラ９００は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに第二保護膜を形成するように第二保護処理部Ｕ０７を制御することと、第二保護膜が形成されたウェハＷのレジスト膜に現像処理を行うように現像処理部Ｕ０５を制御することと、レジスト膜の現像処理が行われたウェハＷの周縁部Ｗｃに、第四洗浄液を供給するように第二洗浄処理部Ｕ０６を制御することと、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第四洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第五洗浄液を供給するように第二洗浄処理部Ｕ０６を制御することと、を更に実行するように構成されていてもよい。

以下、コントローラ９００の具体的な構成を例示する。図８に示すように、コントローラ９００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、搬送制御部９１１と、第一保護制御部９１２と、成膜制御部９１３と、周縁除去制御部９１４と、洗浄制御部９１５と、洗浄制御部９１６と、加熱制御部９１７と、保護膜除去制御部９１８と、出入制御部９１９と、第二保護制御部９２０と、加熱制御部９２１と、現像制御部９２２と、洗浄制御部９２３と、保護膜除去制御部９２４とを有する。

搬送制御部９１１は、ウェハＷを搬送するように受け渡しアームＡ１及び搬送アームＡ３を制御する。

第一保護制御部９１２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜を形成するように保護処理部１００、熱処理ユニットＵ１２、及び検査ユニットＵ１３を制御する。

成膜制御部９１３は、第一保護膜が形成されたウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するように成膜部２００を制御する。

周縁除去制御部９１４は、レジスト膜が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに、第一洗浄液を供給するように洗浄処理部３００を制御する。

洗浄制御部９１５は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第二洗浄液を供給するように洗浄処理部３００を制御する。

洗浄制御部９１６は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに第一洗浄液を供給するように洗浄処理部３００を制御する。

加熱制御部９１７は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液が供給された後に、当該ウェハＷのレジスト膜を加熱するように熱処理ユニットＵ２２を制御する。

保護膜除去制御部９１８は、熱処理ユニットＵ２２によりウェハＷのレジスト膜が加熱された後に、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第三洗浄液を供給するように洗浄処理部４００を制御する。

出入制御部９１９は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液が供給された後に、当該ウェハＷを露光装置３に送り出し、露光処理後のウェハＷを露光装置３から受け入れるように受け渡しアームＡ８を制御する。

第二保護制御部９２０は、受け渡しアームＡ８により露光装置３から受け入れられたウェハＷの周縁部Ｗｃに第二保護膜を形成するように保護処理部７００を制御する。

加熱制御部９２１は、第二保護膜が形成されたウェハＷのレジスト膜を加熱するように熱処理ユニットＵ４１を制御する。

現像制御部９２２は、検査ユニットＵ４２によりウェハＷのレジスト膜が加熱された後に、当該レジスト膜に現像処理を行うように現像処理部５００を制御する。

洗浄制御部９２３は、レジスト膜の現像処理が行われたウェハＷの周縁部Ｗｃに、第四洗浄液を供給するように洗浄処理部６００を制御する。

保護膜除去制御部９２４は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第四洗浄液が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第五洗浄液を供給するように洗浄処理部６００を制御する。

コントローラ９００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ９００は、図９に示す回路９３０を有する。回路９３０は、一つ又は複数のプロセッサ９３１と、メモリ９３２と、ストレージ９３３と、入出力ポート９３４とを有する。

ストレージ９３３は、後述の基板処理方法を塗布・現像装置２に実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体である。例えばストレージ９３３は、上記各機能モジュールを構成するためのプログラムを記録している。ストレージ９３３は、コンピュータ読み取り可能であればどのようなものであってもよい。具体例として、ハードディスク、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等が挙げられる。メモリ９３２は、ストレージ９３３からロードしたプログラム及びプロセッサ９３１の演算結果等を一時的に記憶する。プロセッサ９３１は、メモリ９３２と協働してプログラムを実行することで、各機能モジュールを構成する。

入出力ポート９３４は、プロセッサ９３１からの指令に応じ、キャリアブロック４、処理ブロック５及びインタフェースブロック６の各構成要素との間で電気信号の入出力を行う。

なお、コントローラ９００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ９００の上記機能モジュールの少なくとも一部は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔基板処理方法〕
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ９００による制御手順を説明する。

（概要）
図１０に示すように、コントローラ９００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜を形成するように液処理ユニットＵ１１、熱処理ユニットＵ１２、及び検査ユニットＵ１３を制御することを含む。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２は、第一保護膜が形成されたウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ２１の成膜部２００を制御することと、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第一洗浄液を供給するように液処理ユニットＵ２１の洗浄処理部３００を制御することと、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液を供給するように液処理ユニットＵ２１の洗浄処理部３００を制御することと、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに再度第一洗浄液を供給するように液処理ユニットＵ２１の洗浄処理部３００を制御することとを含む。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第三洗浄液を供給するように液処理ユニットＵ３１を制御することを含む。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、出入制御部９１９が、液処理ユニットＵ３１から搬出されたウェハＷを裏面洗浄ユニットＵ５１に搬入するように受け渡しアームＡ８を制御し、当該ウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄するように裏面洗浄ユニットＵ５１を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、出入制御部９１９が、ウェハＷを裏面洗浄ユニットＵ５１から搬出して裏面検査ユニットＵ５２に搬入するように受け渡しアームＡ８を制御し、当該ウェハＷの裏面Ｗｂの画像情報を取得するように裏面検査ユニットＵ５２を制御し、裏面検査ユニットＵ５２により取得された画像情報に基づいて、裏面Ｗｂに異物の付着がないかを判定する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、出入制御部９１９が、ウェハＷを裏面検査ユニットＵ５２から搬出して露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、出入制御部９１９が、露光装置３によりレジスト膜の露光処理が施されたウェハＷを受け入れるように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８は、受け渡しアームＡ８により露光装置３から受け入れられたウェハＷの周縁部Ｗｃに第二保護膜を形成するように液処理ユニットＵ５３を制御することを含む。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ９００はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９は、第二保護膜が形成されたウェハＷのレジスト膜を加熱するように熱処理ユニットＵ４１を制御することと、当該ウェハＷのレジスト膜に現像処理を行うように液処理ユニットＵ４３の現像処理部５００を制御することと、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第四洗浄液を供給するように液処理ユニットＵ４３の洗浄処理部６００を制御することと、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第五洗浄液を供給するように液処理ユニットＵ４３の洗浄処理部６００を制御することとを含む。より具体的な処理内容については後述する。以上でコントローラ９００による制御手順が完了する。

（保護膜形成手順）
続いて、上記ステップＳ０１の具体的な処理内容を説明する。図１１に示すように、コントローラ９００は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、搬送制御部９１１が、キャリアＣからウェハＷを搬出して処理モジュール１１に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、当該ウェハＷを液処理ユニットＵ１１に搬入するように処理モジュール１１の搬送アームＡ３を制御し、当該ウェハＷを保持するように回転保持部１１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、第一保護制御部９１２が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部１１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、第一保護制御部９１２が、回転保持部１１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル１２１を配置するようにノズル位置調節部１３０を制御し、その後、バルブ１２４，１２５を開いてノズル１２１，１２２からの保護液ＰＬ１の吐出を開始するように液供給部１２０を制御する（図１２参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から保護液ＰＬ１が供給され、当該周縁部Ｗｃに保護液ＰＬ１の液膜が形成される。その後、第一保護制御部９１２は、バルブ１２４，１２５を閉じてノズル１２１，１２２からの保護液ＰＬ１の吐出を停止するように液供給部１２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、第一保護制御部９１２が、回転保持部１１０によるウェハＷの回転を継続させて周縁部Ｗｃにおける保護液ＰＬ１の乾燥（溶剤の揮発）を待機する。これにより、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜ＰＦ１が形成される（図１３参照）。

次に、コントローラ９００はステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、第一保護制御部９１２が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部１１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１６を実行する。ステップＳ１６では、搬送制御部９１１が、液処理ユニットＵ１１からウェハＷを搬出して熱処理ユニットＵ１２に搬入するように搬送アームＡ３を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、第一保護制御部９１２が、ウェハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ１２を制御する。ウェハＷの加熱に伴い、当該ウェハＷの周縁部Ｗｃに形成された第一保護膜ＰＦ１が加熱される。これにより、第一保護膜ＰＦ１における架橋反応等が促進され、第一保護膜ＰＦ１の強度が向上する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１８を実行する。ステップＳ１８では、搬送制御部９１１が、熱処理ユニットＵ１２からウェハＷを搬出して検査ユニットＵ１３に搬入するように搬送アームＡ３を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ１９を実行する。ステップＳ１９では、第一保護制御部９１２が、ウェハＷの周縁部Ｗｃに形成された第一保護膜ＰＦ１の画像情報を取得するように検査ユニットＵ１３を制御し、検査ユニットＵ１３により取得された画像情報に基づいて、第一保護膜ＰＦ１の形成状態が正常であるか否かを判定する。検査ユニットＵ１３により、第一保護膜ＰＦ１の画像情報が取得された後には、搬送制御部９１１が、検査ユニットＵ１３からウェハＷを搬出するように搬送アームＡ３を制御する。以上で上記ステップＳ０１が完了する。

（成膜・洗浄手順）
続いて、上記ステップＳ０２の具体的な処理内容を説明する。図１４に示すように、コントローラ９００は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、搬送制御部９１１が、処理モジュール１１の搬送アームＡ３により検査ユニットＵ１３から搬出されたウェハＷを処理モジュール１２に上昇又は下降させるように昇降アームＡ７を制御し、当該ウェハＷを液処理ユニットＵ２１に搬入するように処理モジュール１２の搬送アームＡ３を制御し、当該ウェハＷを保持するように回転保持部２１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、成膜制御部９１３が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部２１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、成膜制御部９１３が、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの回転中心の上方にノズル２２１を配置するようにノズル位置調節部２３０を制御し、その後、バルブ２２３を開いてノズル２２１からのレジスト液ＦＬ１の吐出を開始するように液供給部２２０を制御する（図１５の（ａ）参照）。これにより、回転中のウェハＷの表面Ｗａにレジスト液ＦＬ１の液膜が形成される。その後、成膜制御部９１３は、バルブ２２３を閉じてノズル２２１からのレジスト液ＦＬ１の吐出を停止するように液供給部２２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、成膜制御部９１３が、回転保持部２１０によるウェハＷの回転を継続させてレジスト液ＦＬ１の乾燥（溶剤の揮発）を待機する。これにより、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦ１が形成される（図１６の（ａ）参照。）。

次に、コントローラ９００はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、周縁除去制御部９１４が、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル３１１を配置するようにノズル位置調節部３３０を制御し、その後、バルブ３１４，３１５を開いてノズル３１１，３１２からの第一洗浄液ＣＳ１の吐出を開始するように液供給部３１０を制御する（図１５の（ｂ）参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から第一洗浄液ＣＳ１が供給され、当該周縁部Ｗｃにおいてレジスト膜ＭＦ１が除去される。その後、周縁除去制御部９１４は、バルブ３１４，３１５を閉じてノズル３１１，３１２からの第一洗浄液ＣＳ１の吐出を停止するように液供給部３１０を制御する。第一洗浄液ＣＳ１の吐出が停止された後、第一保護膜ＰＦ１に金属成分Ｍが残留する場合がある（図６の（ｂ）参照）。第一保護膜ＰＦ１の表層には、第一保護膜ＰＦ１の成分と金属成分Ｍとが結合したインターミキシング層が形成される場合もある。

次に、コントローラ９００はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、洗浄制御部９１５が、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル３２１を配置するようにノズル位置調節部３３０を制御し、その後、バルブ３２４，３２５を開いてノズル３２１，３２２からの第二洗浄液ＣＳ２の吐出を開始するように液供給部３２０を制御する（図１５の（ｃ）参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から第二洗浄液ＣＳ２が供給され、第一保護膜ＰＦ１に付着していた金属成分Ｍが除去される（図６の（ｃ）参照）。その後、洗浄制御部９１５は、バルブ３２４，３２５を閉じてノズル３２１，３２２からの第二洗浄液ＣＳ２の吐出を停止するように液供給部３２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、洗浄制御部９１６が、回転保持部２１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル３１１を再配置するようにノズル位置調節部３３０を制御し、その後、バルブ３１４，３１５を開いてノズル３１１，３１２からの第一洗浄液ＣＳ１の吐出を開始するように液供給部３１０を制御する（図１５の（ｄ）参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から第一洗浄液ＣＳ１が供給され、当該周縁部Ｗｃに残留している第二洗浄液ＣＳ２の成分が除去される。その後、洗浄制御部９１６は、バルブ３１４，３１５を閉じてノズル３１１，３１２からの第一洗浄液ＣＳ１の吐出を停止するように液供給部３１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、洗浄制御部９１６が、回転保持部２１０によるウェハＷの回転を継続させて第一洗浄液ＣＳ１の飛散及び揮発を待機する。

次に、コントローラ９００はステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、洗浄制御部９１６が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部２１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ３０を実行する。ステップＳ３０では、搬送制御部９１１が、液処理ユニットＵ２１からウェハＷを搬出して熱処理ユニットＵ２２に搬入するように搬送アームＡ３を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、加熱制御部９１７が、ウェハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ２２を制御する。ウェハＷの加熱に伴い、当該ウェハＷの表面Ｗａに形成されたレジスト膜ＭＦ１が加熱される。これにより、レジスト膜ＭＦ１における架橋反応等が促進され、レジスト膜ＭＦ１の強度が向上する。その後、搬送制御部９１１が、熱処理ユニットＵ２２からウェハＷを搬出するように搬送アームＡ３を制御する。

（保護膜除去手順）
続いて、上記ステップＳ０３の具体的な処理内容を説明する。図１７に示すように、コントローラ９００は、まずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、搬送制御部９１１が、処理モジュール１２の搬送アームＡ３により熱処理ユニットＵ２２から搬出されたウェハＷを処理モジュール１３に上昇又は下降させるように昇降アームＡ７を制御し、当該ウェハＷを液処理ユニットＵ３１に搬入するように処理モジュール１３の搬送アームＡ３を制御し、当該ウェハＷを保持するように回転保持部４１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２では、保護膜除去制御部９１８が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部４１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ４３を実行する。ステップＳ４３では、保護膜除去制御部９１８が、回転保持部４１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル４２１を配置するようにノズル位置調節部４３０を制御し、その後、バルブ４２４，４２５を開いてノズル４２１，４２２からの第三洗浄液ＣＳ３の吐出を開始するように液供給部４２０を制御する（図１８参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から第三洗浄液ＣＳ３が供給され、第一保護膜ＰＦ１が除去される（図１９参照）。その後、保護膜除去制御部９１８は、バルブ４２４，４２５を閉じてノズル４２１，４２２からの第三洗浄液ＣＳ３の吐出を停止するように液供給部４２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、保護膜除去制御部９１８が、回転保持部４１０によるウェハＷの回転を継続させて第三洗浄液ＣＳ３の飛散及び揮発を待機する。

次に、コントローラ９００はステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、保護膜除去制御部９１８が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部４１０を制御する。その後、搬送制御部９１１が、液処理ユニットＵ３１からウェハＷを搬出するように搬送アームＡ３を制御する。

（保護膜形成手順）
続いて、上記ステップＳ０８の具体的な処理内容を説明する。図２０に示すように、コントローラ９００は、まずステップＳ５１を実行する。ステップＳ５１では、出入制御部９１９が、露光装置３から受け入れたウェハＷを液処理ユニットＵ５３に搬入するように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ５２を実行する。ステップＳ５２では、第二保護制御部９２０が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部７１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ５３を実行する。ステップＳ５３では、第二保護制御部９２０が、回転保持部７１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル７２１を配置するようにノズル位置調節部７３０を制御し、その後、バルブ７２４，７２５を開いてノズル７２１，７２２からの保護液ＰＬ２の吐出を開始するように液供給部７２０を制御する（図２１参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から保護液ＰＬ２が供給され、当該周縁部Ｗｃに保護液ＰＬ２の液膜が形成される。その後、第二保護制御部９２０は、バルブ７２４，７２５を閉じてノズル７２１，７２２からの保護液ＰＬ２の吐出を停止するように液供給部７２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ５４を実行する。ステップＳ５４では、第二保護制御部９２０が、回転保持部７１０によるウェハＷの回転を継続させて周縁部Ｗｃにおける保護液ＰＬ２の乾燥（溶剤の揮発）を待機する。これにより、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二保護膜ＰＦ２が形成される（図２２参照）。

次に、コントローラ９００はステップＳ５５を実行する。ステップＳ５５では、第二保護制御部９２０が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部７１０を制御する。その後、出入制御部９１９が、ウェハＷを液処理ユニットＵ５３から搬出して処理モジュール１４に搬送するように受け渡しアームＡ８を制御する。

（現像・洗浄手順）
続いて、上記ステップＳ０９の具体的な処理内容を説明する。図２３に示すように、コントローラ９００は、まずステップＳ６１を実行する。ステップＳ６１では、搬送制御部９１１が、受け渡しアームＡ８により処理モジュール１４に搬送されたウェハＷを熱処理ユニットＵ４１に搬入するように処理モジュール１４の搬送アームＡ３を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６２を実行する。ステップＳ６２では、加熱制御部９２１が、ウェハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ４１を制御する。この加熱は、所謂ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）である。ウェハＷの加熱に伴い、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１及び第二保護膜ＰＦ２が加熱される。これにより、レジスト膜ＭＦ１の露光箇所において現像液への溶解性を変化させる反応（例えば酸触媒反応）が進行する。第二保護膜ＰＦ２においては架橋反応等が促進され、第二保護膜ＰＦ２の強度が向上する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６３を実行する。ステップＳ６３では、搬送制御部９１１が、熱処理ユニットＵ４１からウェハＷを搬出して検査ユニットＵ４２に搬入するように搬送アームＡ３を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６４を実行する。ステップＳ６４では、現像制御部９２２が、ウェハＷの周縁部Ｗｃに形成された第二保護膜ＰＦ２の画像情報を取得するように検査ユニットＵ４２を制御し、検査ユニットＵ４２により取得された画像情報に基づいて、第二保護膜ＰＦ２の形成状態が正常であるか否かを判定する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６５を実行する。ステップＳ６５では、搬送制御部９１１が、検査ユニットＵ４２からウェハＷを搬出して液処理ユニットＵ４３に搬入するように搬送アームＡ３を制御し、当該ウェハＷを保持するように回転保持部５１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６６を実行する。ステップＳ６６では、現像制御部９２２が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部５１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６７を実行する。ステップＳ６７では、現像制御部９２２が、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの回転中心の上方にノズル５２１を配置するようにノズル位置調節部５４０を制御し、その後、バルブ５２３を開いてノズル５２１からの現像液ＤＬ１の吐出を開始するように液供給部５２０を制御する（図２４の（ａ）参照）。これにより、レジスト膜ＭＦ１に現像液ＤＬ１が供給され、レジスト膜ＭＦ１のうち露光処理が施された部分及びその他の部分のいずれか一方が現像液ＤＬ１に溶解する。その後、現像制御部９２２は、バルブ５２３を閉じてノズル５２１からの現像液ＤＬ１の吐出を停止するように液供給部５２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ６８を実行する。ステップＳ６８では、現像制御部９２２が、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの回転中心の上方にノズル５３１を配置するようにノズル位置調節部５４０を制御し、その後、バルブ５３３を開いてノズル５３１からのリンス液ＲＬ１の吐出を開始するように液供給部５３０を制御する（図２４の（ｂ）参照）。これにより、レジスト膜ＭＦ１にリンス液ＲＬ１が供給され、現像液ＤＬ１及びレジスト膜ＭＦ１の溶解成分が洗い流される。その後、現像制御部９２２は、バルブ５３３を閉じてノズル５３１からのリンス液ＲＬ１の吐出を停止するように液供給部５３０を制御する。

リンス液ＲＬ１の吐出が停止された後、第二保護膜ＰＦ２に金属成分Ｍが残留する場合がある（図２５の（ａ）参照）。第二保護膜ＰＦ２の表層には、第二保護膜ＰＦ２の成分と金属成分Ｍとが結合したインターミキシング層が形成される場合もある。

次に、コントローラ９００はステップＳ６９を実行する。ステップＳ６９では、洗浄制御部９２３が、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル６１１を配置するようにノズル位置調節部６３０を制御し、その後、バルブ６１４，６１５を開いてノズル６１１，６１２からの第四洗浄液ＣＳ４の吐出を開始するように液供給部６１０を制御する（図２４の（ｃ）参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から第四洗浄液ＣＳ４が供給され、第二保護膜ＰＦ２に付着していた金属成分Ｍが除去される（図２５の（ｂ）参照）。その後、洗浄制御部９２３は、バルブ６１４，６１５を閉じてノズル６１１，６１２からの第四洗浄液ＣＳ４の吐出を停止するように液供給部６１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ７０を実行する。ステップＳ７０では、保護膜除去制御部９２４が、回転保持部５１０により保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル６２１を配置するようにノズル位置調節部６３０を制御し、その後、バルブ６２４，６２５を開いてノズル６２１，６２２からの第五洗浄液ＣＳ５の吐出を開始するように液供給部６２０を制御する（図２４の（ｄ）参照）。これにより、回転中のウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から第五洗浄液ＣＳ５が供給され、保護液ＰＬ２が除去される（図２５の（ｃ）参照）。その後、保護膜除去制御部９２４は、バルブ６２４，６２５を閉じてノズル６２１，６２２からの第五洗浄液ＣＳ５の吐出を停止するように液供給部６２０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ７１を実行する。ステップＳ７１では、保護膜除去制御部９２４が、回転保持部５１０によるウェハＷの回転を継続させて第五洗浄液ＣＳ５の飛散及び揮発を待機する。

次に、コントローラ９００はステップＳ７２を実行する。ステップＳ７２では、保護膜除去制御部９２４が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部５１０を制御する。

次に、コントローラ９００はステップＳ７３を実行する。ステップＳ７３では、搬送制御部９１１が、液処理ユニットＵ４３からウェハＷを搬出するように搬送アームＡ３を制御し、当該ウェハＷをキャリアＣに搬入するように受け渡しアームＡ１を制御する。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第一保護膜ＰＦ１を形成する第一保護処理部Ｕ０１と、ウェハＷの表面Ｗａに、金属を含有するレジスト膜ＭＦ１を形成する成膜部Ｕ０２と、レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃの洗浄処理を行う第一洗浄処理部Ｕ０３と、制御部Ｕ０８と、を備える。制御部Ｕ０８は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜ＰＦ１を形成するように第一保護処理部Ｕ０１を制御することと、第一保護膜ＰＦ１が形成されたウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦ１を形成するように成膜部Ｕ０２を制御することと、レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに、レジスト膜ＭＦ１を除去するための第一洗浄液ＣＳ１を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することと、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液ＣＳ１が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、金属成分を除去するための第二洗浄液ＣＳ２を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することと、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第一保護膜ＰＦ１を除去するための第三洗浄液ＣＳ３を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することと、を実行するように構成されている。

塗布・現像装置２によれば、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜ＰＦ１を形成した状態で、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦ１を形成することにより、ウェハＷの周縁部Ｗｃへの金属成分の付着が防止される。レジスト膜ＭＦ１の周縁部分を除去した後には、第一保護膜ＰＦ１を除去することで、第一保護膜ＰＦ１に残留していた金属成分も共に除去されるので、ウェハＷの周縁部Ｗｃにおける金属成分の残留を十分に抑制できることが期待される。

しかしながら、本願発明者等は、第一保護膜ＰＦ１を除去した後においても、ウェハＷの周縁部Ｗｃに金属成分が残留し得ることを見出した。このような現象が生じる要因としては、第一保護膜ＰＦ１の表面に残留した金属成分の一部が、第一保護膜ＰＦ１を除去する過程で基板の周縁部に付着することが考えられる。第一保護膜ＰＦ１の除去後にも残留する金属成分への対応策として、第一保護膜ＰＦ１を除去した後に、ウェハＷの周縁部Ｗｃを更に洗浄することが考えられるが、金属成分に対し高い洗浄性を示す薬液に晒されることで、ウェハＷが浸食されるおそれがある。

これに対し、塗布・現像装置２によれば、金属成分を除去するための第二洗浄液ＣＳ２の供給が、第一保護膜ＰＦ１を除去するための第三洗浄液ＣＳ３の供給に先立って実行される。第二洗浄液ＣＳ２の供給により、第一保護膜ＰＦ１に残留した金属成分の多くが除去される。この際に、ウェハＷの周縁部Ｗｃは第一保護膜ＰＦ１により保護されるので、第二洗浄液ＣＳ２によるウェハＷの浸食は抑制される。第三洗浄液ＣＳ３の供給に先立って第二洗浄液ＣＳ２が供給されることにより、第一保護膜ＰＦ１に残留した金属成分が大幅に削減された状態で第一保護膜ＰＦ１が除去されることとなる。このため、第一保護膜ＰＦ１を除去した後に、ウェハＷの周縁部Ｗｃに残留する金属成分も大幅に削減される。従って、金属を含有するレジスト膜ＭＦ１の利用に伴う金属汚染を抑制することができる。

第二洗浄液ＣＳ２は、第一洗浄液ＣＳ１及び第三洗浄液ＣＳ３に比較して強い酸性を有してもよい。この場合、第一保護膜ＰＦ１の除去に先立って、より多くの金属成分を除去することができる。

コントローラ９００は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給された後、当該周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給される前に、当該周縁部Ｗｃに第一洗浄液ＣＳ１を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、第一洗浄液ＣＳ１の供給により、第二洗浄液ＣＳ２の残留成分を除去することで、第一保護膜ＰＦ１の除去後にウェハＷの周縁部Ｗｃに残留する物質を更に削減することができる。

塗布・現像装置２は、レジスト膜ＭＦ１を加熱する熱処理部Ｕ０４を更に備えてもよい。コントローラ９００は、レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液ＣＳ１が供給された後、当該周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給される前に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１を加熱するように熱処理部Ｕ０４を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、レジスト膜ＭＦ１の加熱によりレジスト膜ＭＦ１の強度が向上する。加熱によるレジスト膜ＭＦ１の強度向上に先立って、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液ＣＳ１を供給することで、当該周縁部の除去を容易に行うことができる。第三洗浄液ＣＳ３の供給に先立って、加熱によりレジスト膜ＭＦ１の強度を向上させることで、第三洗浄液ＣＳ３の供給中におけるレジスト膜ＭＦ１からの金属成分の溶出をより確実に抑制できる。従って、ウェハＷの周縁部Ｗｃに残留する金属成分をより確実に削減できる。

塗布・現像装置２は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに、第二保護膜ＰＦ２を形成する第二保護処理部Ｕ０７と、レジスト膜ＭＦ１の現像処理を行う現像処理部Ｕ０５と、レジスト膜ＭＦ１の現像処理が行われたウェハＷの周縁部Ｗｃの洗浄処理を行う第二洗浄処理部Ｕ０６と、を更に備えてもよい。コントローラ９００は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに第二保護膜ＰＦ２を形成するように第二保護処理部Ｕ０７を制御することと、第二保護膜ＰＦ２が形成されたウェハＷのレジスト膜ＭＦ１に現像処理を行うように現像処理部Ｕ０５を制御することと、レジスト膜ＭＦ１の現像処理が行われたウェハＷの周縁部Ｗｃに、金属成分を除去するための第四洗浄液ＣＳ４を供給するように第二洗浄処理部Ｕ０６を制御することと、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第四洗浄液ＣＳ４が供給された後に、当該周縁部Ｗｃに、第二保護膜ＰＦ２を除去するための第五洗浄液ＣＳ５を供給するように第二洗浄処理部Ｕ０６を制御することと、を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、レジスト膜ＭＦ１の形成段階における第一保護膜ＰＦ１の形成、第二洗浄液ＣＳ２による金属成分の除去、及び第三洗浄液ＣＳ３による第一保護膜ＰＦ１の除去と同様の手順を、レジスト膜ＭＦ１の現像処理段階においても実行することで、ウェハＷの周縁部Ｗｃに残留する金属成分をより確実に削減できる。

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

保護処理部１００の構成は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに上下から保護液ＰＬ１を供給する構成に限定されない。例えば保護処理部１００は、ノズル１２１からは保護液ＰＬ１を供給し、ノズル１２２からは保護液ＰＬ１とは別の有機溶剤ＯＳ１を供給するように構成されていてもよい。図２６の（ａ）及び（ｂ）に示すように、制御部Ｕ０８は、ノズル１２２から有機溶剤ＯＳ１を供給するように液供給部１２０を制御した後に、ノズル１２１から保護液ＰＬ１を供給するように液供給部１２０を制御してもよい。この場合、周縁部Ｗｃの下側に塗布された有機溶剤ＯＳ１が呼び水として作用し、上方から供給された保護液ＰＬ１が周縁部Ｗｃの下側にも導かれる（図２６の（ｃ）及び（ｄ）参照）。これにより、ノズル１２１，１２２の両方から保護液ＰＬ１を供給することなく、周縁部Ｗｃの上下を第一保護膜ＰＦ１により保護することができる。保護処理部７００の構成及び制御手順についても同様の変形が可能である。

制御部Ｕ０８は、レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液ＣＳ１が供給された後、当該周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給される前に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１を加熱するように熱処理部Ｕ０４を制御することを実行するように構成されていてもよい。この場合、第二洗浄液ＣＳ２を供給するための液供給部３２０は、液処理ユニットＵ３１の洗浄処理部４００に設けられていてもよい。洗浄処理部４００は、ノズル位置調節部４３０によりノズル３２１を移動させるように構成されていてもよいし、ノズル位置調節部４３０とは別にノズル３２１用のノズル位置調節部を有していてもよい。

レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに第一洗浄液ＣＳ１が供給された後、当該周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給される前に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１を加熱する構成によれば、第二洗浄液ＣＳ２の供給に先立って、加熱によりレジスト膜ＭＦ１の強度を向上させることで、第二洗浄液ＣＳ２の供給中におけるレジスト膜ＭＦ１からの金属成分の溶出をより確実に抑制できる。従って、ウェハＷの周縁部Ｗｃに残留する金属成分をより確実に削減できる。

制御部Ｕ０８は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給された後に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１を加熱するように熱処理部Ｕ０４を制御することを実行するように構成されていてもよい。この場合、第三洗浄液ＣＳ３を供給するための液供給部４２０は、液処理ユニットＵ２１の洗浄処理部３００に設けられていてもよい。これを前提として、塗布・現像装置２は液処理ユニットＵ３１を有しなくてもよい。洗浄処理部３００は、ノズル位置調節部３３０によりノズル４２１を移動させるように構成されていてもよいし、ノズル位置調節部３３０とは別にノズル４２１用のノズル位置調節部を有していてもよい。

ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給された後に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１を加熱する構成によれば、レジスト膜ＭＦ１を加熱する工程に先立って、レジスト膜ＭＦ１の不要部分を除去する工程をまとめて実行することで、基板処理の効率化を図ることができる。

制御部Ｕ０８は、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給された後、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給される前に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１の現像処理を行うように現像処理部Ｕ０５を制御することと、レジスト膜ＭＦ１の現像処理が行われたウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給される前に、当該周縁部Ｗｃに、金属成分を除去するための第四洗浄液ＣＳ４を供給するように第二洗浄処理部Ｕ０６を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。この場合、現像処理部５００には、液供給部６２０に代えて液供給部４２０が設けられていてもよい。これを前提として、塗布・現像装置２は液処理ユニットＵ３１及び液処理ユニットＵ５３を有しなくてもよい。

ウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給された後、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給される前に、当該ウェハＷのレジスト膜ＭＦ１の現像処理を行い、レジスト膜ＭＦ１の現像処理が行われたウェハＷの周縁部Ｗｃに第三洗浄液ＣＳ３が供給される前に、当該周縁部Ｗｃに第四洗浄液ＣＳ４を供給する構成によれば、レジスト膜ＭＦ１の形成段階と、レジスト膜ＭＦ１の現像処理段階とで、第一保護膜ＰＦ１を共用することで、基板処理の効率化を図ることができる。

第二洗浄液ＣＳ２によりレジスト膜ＭＦ１の周縁部を除去可能である場合、制御部Ｕ０８は、レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給される前に、第一洗浄液ＣＳ１を供給するように第一洗浄処理部Ｕ０３を制御することを実行しないように構成されていてもよい。この場合、洗浄処理部３００は第一洗浄液ＣＳ１を供給するための液供給部３１０を有しなくてもよい。

このような構成によれば、基板処理の更なる効率化が可能である。なお、レジスト膜ＭＦ１が形成されたウェハＷの周縁部Ｗｃに第二洗浄液ＣＳ２が供給される前に、第一洗浄液ＣＳ１を供給しない構成は、末尾に付記として示すように一般化される。

レジスト膜ＭＦ１の形成段階における第一保護膜ＰＦ１の形成、第二洗浄液ＣＳ２による金属成分の除去、及び第三洗浄液ＣＳ３による第一保護膜ＰＦ１の除去は、レジスト膜ＭＦ１の他の被膜を形成にも適用可能である。レジスト膜ＭＦ１の他の被膜としては、例えば、金属を含有するハードマスク（メタルハードマスク）等が挙げられる。処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

（付記１）
基板の周縁部に、第一保護膜を形成する第一保護処理部と、
前記基板の表面に、金属を含有する被膜を形成する成膜部と、
前記被膜が形成された前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第一洗浄処理部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板の周縁部に前記第一保護膜を形成するように前記第一保護処理部を制御することと、
前記第一保護膜が形成された前記基板の表面に前記被膜を形成するように前記成膜部を制御することと、
前記被膜が形成された前記基板の周縁部に、金属成分を除去するための第一薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することと、
前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第一保護膜を除去するための第三薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
（付記２）
前記第一薬液は、前記第二薬液に比較して強い酸性を有する、付記１記載の基板処理装置。
（付記３）
前記制御部は、
前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後、当該周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該周縁部に、前記第一薬液の残留成分を除去するための第三薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することを更に実行するように構成されている、付記１又は２記載の基板処理装置。
（付記４）
前記被膜を加熱する熱処理部を更に備え、
前記制御部は、
前記被膜が形成された前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後、当該周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該基板の前記被膜を加熱するように前記熱処理部を制御することを更に実行するように構成されている、付記１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記５）
前記被膜を加熱する熱処理部を更に備え、
前記制御部は、
前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給された後に、当該基板の前記被膜を加熱するように前記熱処理部を制御することを更に実行するように構成されている、付記１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記６）
前記基板の周縁部に、第二保護膜を形成する第二保護処理部と、
前記被膜の現像処理を行う現像処理部と、
前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部と、を更に備え、
前記制御部は、
前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給された後に、当該周縁部に前記第二保護膜を形成するように前記第二保護処理部を制御することと、
前記第二保護膜が形成された前記基板の前記被膜に現像処理を行うように前記現像処理部を制御することと、
前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部に、金属成分を除去するための第三薬液を供給するように前記第二洗浄処理部を制御することと、
前記基板の周縁部に前記第三薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第二保護膜を除去するための第四薬液を供給するように前記第二洗浄処理部を制御することと、を更に実行するように構成されている、付記１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
（付記７）
前記被膜の現像処理を行う現像処理部と、
前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部と、を更に備え、
前記制御部は、
前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後、前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該基板の前記被膜の現像処理を行うように前記現像処理部を制御することと、
前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第三薬液を供給するように前記第二洗浄処理部を制御することと、を更に実行するように構成されている、付記１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。

以下、実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

〔試料作成〕
（実施例１）
以下の手順でウェハＷにレジスト膜ＭＦ１を形成したものを実施例１の試料とした。まず、上述したステップＳ１１〜Ｓ１９を実行することで、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜ＰＦ１を形成した。ステップＳ１７においては、設定温度３５０℃にて第一保護膜ＰＦ１を加熱した。次に、上述したステップＳ２１〜Ｓ３１を実行することで、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦ１の形成、レジスト膜ＭＦ１の周縁部の除去、周縁部Ｗｃの洗浄及びレジスト膜ＭＦ１の加熱を行った。次に、上述したステップＳ４１〜Ｓ４５を実行することで、第一保護膜ＰＦ１を除去した。

（比較例１）
以下の手順でウェハＷにレジスト膜ＭＦ１を形成したものを比較例１の試料とした。まず、上述したステップＳ１１〜Ｓ１９を実行することで、ウェハＷの周縁部Ｗｃに第一保護膜ＰＦ１を形成した。ステップＳ１７においては、設定温度２５０℃にて第一保護膜ＰＦ１を加熱した。次に、上述したステップＳ２１〜Ｓ３１のうち、ステップＳ２６，Ｓ２７を省略した手順を実行することで、ウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦ１の形成、レジスト膜ＭＦ１の周縁部の除去を行った。次に、上述したステップＳ４１〜Ｓ４５を実行することで、第一保護膜ＰＦ１を除去した。

（比較例２）
ステップＳ１７における設定温度を２５０℃から３５０℃に変更した他は、比較例１と同じ手順でウェハＷにレジスト膜ＭＦ１を形成し、比較例２の試料とした。

（比較例３）
比較例２と同様の手順でウェハＷにレジスト膜ＭＦ１を形成した後に、当該ウェハＷにステップＳ２６，Ｓ２７を行ったものを比較例３の試料とした。すなわち、比較例３の試料は、第一保護膜ＰＦ１の除去後に、第二洗浄液ＣＳ２及び第一洗浄液ＣＳ１により周縁部Ｗｃを洗浄したものである。

〔金属成分の残留量の評価〕
水平型基板検査装置にてウェハＷの周縁部Ｗｃの最表面を酸で接液し、接液により得られた液を全量回収し測定試液とした。この測定試液を誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）により測定した。測定で得られた質量を原子数に変換し、接液した面積で除することで単位面積当たりの原子数に換算した。

〔金属成分の残留量の評価結果〕
図２７に示すように、比較例１においては、１平方センチメートル当たりに残留している金属原子の数が、２．７×１０^１２個であった。これに対し、比較例２においては、１平方センチメートル当たりに残留している金属原子の数が４．７×１０^１０個であり、比較例１に対して約５７分の１に削減されていた。この結果から、レジスト膜ＭＦ１の形成前に第一保護膜ＰＦ１を形成し、その後第一保護膜ＰＦ１を除去することにより、周縁部Ｗｃに残留する金属成分を大幅に削減できることが確認された。

比較例３においては、１平方センチメートル当たりに残留している金属原子の数が７．１×１０^９個であり、比較例２に対して約７分の１に削減されていた。この結果から、第一保護膜ＰＦ１の加熱温度を高め、第一保護膜ＰＦ１の強度を高めることにより、周縁部Ｗｃに残留する金属成分を大幅に削減できることが確認された。

比較例４においては、１平方センチメートル当たりに残留している金属原子の数が５．１×１０^９個であり、比較例３に対して金属成分の大幅な削減効果は得られなかった。実施例１においては、１平方センチメートル当たりに残留している金属原子の数が１．５×１０^９個であり、比較例３に対して約５分の１に削減されていた。これらの結果から、第一保護膜ＰＦ１の除去後に第二洗浄液ＣＳ２による洗浄を行うのに比較して、第一保護膜ＰＦ１の除去前に第二洗浄液ＣＳ２による洗浄を行う方が、金属成分を大幅に削減できることが確認された。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、Ｕ０１…第一保護処理部、Ｕ０２…成膜部、Ｕ０３…第一洗浄処理部、Ｕ０４…熱処理部、Ｕ０５…現像処理部、Ｕ０７…第二保護処理部、Ｕ０６…第二洗浄処理部、Ｕ０８…制御部、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｃ…周縁部。

Claims (5)

1. 基板の周縁部に、第一保護膜を形成する第一保護処理部と、
   前記基板の表面に、金属を含有する被膜を形成する成膜部と、
   前記被膜が形成された前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第一洗浄処理部と、
   前記基板の周縁部に、第二保護膜を形成する第二保護処理部と、
   前記被膜の現像処理を行う現像処理部と、
   前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部と、 制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記基板の周縁部に前記第一保護膜を形成するように前記第一保護処理部を制御することと、
   前記第一保護膜が形成された前記基板の表面に前記被膜を形成するように前記成膜部を制御することと、
   前記被膜が形成された前記基板の周縁部に、前記被膜の周縁部を除去し、前記第一保護膜に残留した金属成分を除去するための第一薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第一保護膜を除去するための第二薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給された後に、当該周縁部に前記第二保護膜を形成するように前記第二保護処理部を制御することと、
   前記第二保護膜が形成された前記基板の前記被膜に現像処理を行うように前記現像処理部を制御することと、
   前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部に、金属成分を除去するための第三薬液を供給するように前記第二洗浄処理部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記第三薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第二保護膜を除去するための第四薬液を供給するように前記第二洗浄処理部を制御することと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
2. 基板の周縁部に、第一保護膜を形成する第一保護処理部と、
   前記基板の表面に、金属を含有する被膜を形成する成膜部と、
   前記被膜が形成された前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第一洗浄処理部と、
   前記被膜の現像処理を行う現像処理部と、
   前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部の洗浄処理を行う第二洗浄処理部と、 制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記基板の周縁部に前記第一保護膜を形成するように前記第一保護処理部を制御することと、
   前記第一保護膜が形成された前記基板の表面に前記被膜を形成するように前記成膜部を制御することと、
   前記被膜が形成された前記基板の周縁部に、前記被膜の周縁部を除去し、前記第一保護膜に残留した金属成分を除去するための第一薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第一保護膜を除去するための第二薬液を供給するように前記第一洗浄処理部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後、前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該基板の前記被膜の現像処理を行うように前記現像処理部を制御することと、
   前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第三薬液を供給するように前記第二洗浄処理部を制御することと、を実行するように構成されている、基板処理装置。
3. 基板の周縁部に第一保護膜を形成することと、
   前記第一保護膜が形成された前記基板の表面に、金属を含有する被膜を形成することと、
   前記被膜が形成された前記基板の周縁部に、前記被膜の周縁部を除去し、前記第一保護膜に残留した金属成分を除去するための第一薬液を供給することと、
   前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第一保護膜を除去するための第二薬液を供給することと、
   前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給された後に、当該周縁部に第二保護膜を形成することと、
   前記第二保護膜が形成された前記基板の前記被膜に現像処理を行うことと、
   前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部に、金属成分を除去するための第三薬液を供給することと、
   前記基板の周縁部に前記第三薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第二保護膜を除去するための第四薬液を供給することと、を実行するように構成されている、基板処理方法。
4. 基板の周縁部に第一保護膜を形成することと、
   前記第一保護膜が形成された前記基板の表面に、金属を含有する被膜を形成することと、
   前記被膜が形成された前記基板の周縁部に、前記被膜の周縁部を除去し、前記第一保護膜に残留した金属成分を除去するための第一薬液を供給することと、
   前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後に、当該周縁部に、前記第一保護膜を除去するための第二薬液を供給することと、
   前記基板の周縁部に前記第一薬液が供給された後、前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該基板の前記被膜の現像処理を行うことと、
   前記被膜の現像処理が行われた前記基板の周縁部に前記第二薬液が供給される前に、当該周縁部に、金属成分を除去するための第三薬液を供給することと、を更に実行するように構成されている、基板処理方法。
5. 請求項３又は４記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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