KR20240003653A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20240003653A
KR20240003653A KR1020220081485A KR20220081485A KR20240003653A KR 20240003653 A KR20240003653 A KR 20240003653A KR 1020220081485 A KR1020220081485 A KR 1020220081485A KR 20220081485 A KR20220081485 A KR 20220081485A KR 20240003653 A KR20240003653 A KR 20240003653A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
processing liquid
opening
substrate
trap tank
Prior art date
Application number
KR1020220081485A
Other languages
English (en)
Inventor
손영준
정우신
고정석
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220081485A priority Critical patent/KR20240003653A/ko
Publication of KR20240003653A publication Critical patent/KR20240003653A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/0073—Degasification of liquids by a method not covered by groups B01D19/0005 - B01D19/0042
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 기술적 사상은, 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트; 처리액을 저장하는 저장 탱크를 적어도 하나 이상 포함하는 처리액 저장부; 및 상기 처리액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 처리액 공급부;를 포함하고, 상기 처리액 공급부는, 처리액을 보관하는 트랩 탱크; 상기 처리액 저장부에 저장된 처리액을 상기 트랩 탱크에 공급하며, 상기 트랩 탱크의 하면 및 상기 처리액 저장부에 연결되고, 상기 트랩 탱크의 하면으로 상기 처리액 저장부에 저장된 상기 처리액을 토출하는 개구를 포함하는 제1 전단 공급 라인; 상기 트랩 탱크 내에서 수직한 방향으로 연장되고, 유체가 유입되는 개구를 포함하며, 상기 개구는 상기 트랩 탱크의 하면 상에서 수직한 방향으로 이격되도록 구성된 유입 라인; 상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 버블을 빨아들이는 제1 흡입 라인; 상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 빨아들이며, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 배출하는 개구를 포함하는 제2 흡입 라인; 및 상기 트랩 탱크에 보관된 상기 처리액을 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 후단 공급 라인을 포함하며, 상기 유입 라인은 상기 유입 라인의 개구가 상기 제1 전단 공급 라인의 개구에 대향하도록 위치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 트랩 탱크에 공급되는 버블을 제거하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 포토 리소그래피(photo-lithography) 공정은 웨이퍼와 같은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 포토 리소그래피 공정을 수행하는 설비는 도포 공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 현상 공정(develop process)을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.
도포 공정 또는 현상 공정에서 기판에 레지스트 용액 또는 현상 용액을 도포하거나, 세정 공정에서 다양한 세정 용액을 기판에 도포한다. 이와 같은 종류의 처리액을 배관을 통해 공급할 때, 공급되는 처리액과 함께 버블이 트랩 탱크에 유입될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는, 트랩 탱크 내에 유입되는 버블을 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.
본 발명은 기술적 과제를 이루기 위하여, 다음과 같은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트; 처리액을 저장하는 저장 탱크를 적어도 하나 이상 포함하는 처리액 저장부; 및 상기 처리액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 처리액 공급부;를 포함하고, 상기 처리액 공급부는, 처리액을 보관하는 트랩 탱크; 상기 처리액 저장부에 저장된 처리액을 상기 트랩 탱크에 공급하며, 상기 트랩 탱크의 하면 및 상기 처리액 저장부에 연결되고, 상기 트랩 탱크의 하면으로 상기 처리액 저장부에 저장된 상기 처리액을 토출하는 개구를 포함하는 제1 전단 공급 라인; 상기 트랩 탱크 내에서 수직한 방향으로 연장되고, 유체가 유입되는 개구를 포함하며, 상기 개구는 상기 트랩 탱크의 하면 상에서 수직한 방향으로 이격되도록 구성된 유입 라인; 상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 버블을 빨아들이는 제1 흡입 라인; 상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 빨아들이며, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 배출하는 개구를 포함하는 제2 흡입 라인; 및 상기 트랩 탱크에 보관된 상기 처리액을 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 후단 공급 라인을 포함하며, 상기 유입 라인은 상기 유입 라인의 개구가 상기 제1 전단 공급 라인의 개구에 대향하도록 위치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 유입 라인의 개구의 면적이 상기 제1 전단 공급 라인의 개구의 면적보다 더 넓은 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 유입 라인의 개구의 중심축과 상기 제1 전단 공급 라인의 개구의 중심축이 일치하는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 제1 흡입 라인을 통과하는 처리액을 상기 제1 전단 공급 라인에 공급하는 제2 전단 공급 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 제2 전단 공급 라인을 통과하는 처리액의 유량을 조절하도록 구성된 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 제1 전단 공급 라인을 통과하는 버블을 감지하도록 구성된 버블 감지 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 버블 감지 센서로부터 측정된 버블의 위치를 기초로 상기 유입 라인에 버블이 통과하는 경우 제1 흡입 라인에 흡입력을 가하고 상기 유입 라인에 처리액이 통과하는 경우 제2 흡입 라인에 흡입력을 가하도록 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트; 처리액을 저장하는 저장 탱크를 적어도 하나 이상 포함하는 처리액 저장부; 및 상기 처리액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 처리액 공급부;를 포함하고, 상기 처리액 공급부는, 처리액을 보관하는 트랩 탱크; 상기 처리액 저장부에 저장된 처리액을 상기 트랩 탱크에 공급하며, 상기 트랩 탱크의 하면 및 상기 처리액 저장부에 연결되고, 상기 트랩 탱크의 하면으로 상기 처리액 저장부에 저장된 상기 처리액을 토출하는 개구를 포함하는 제1 전단 공급 라인; 상기 제1 전단 공급 라인을 통과하는 버블을 감지하도록 구성된 버블 감지 센서; 상기 트랩 탱크 내에서 수직한 방향으로 연장되고, 유체가 유입되는 개구를 포함하며, 상기 개구는 상기 트랩 탱크의 하면 상에서 수직한 방향으로 이격되도록 구성된 유입 라인; 상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 버블을 빨아들이는 제1 흡입 라인; 상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 빨아들이며, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 배출하는 개구를 포함하는 제2 흡입 라인; 및 상기 트랩 탱크에 보관된 상기 처리액을 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 후단 공급 라인을 포함하며, 상기 유입 라인은 상기 유입 라인의 개구가 상기 제1 전단 공급 라인의 개구에 대향하도록 위치하고, 상기 유입 라인의 개구의 면적이 상기 제1 전단 공급 라인의 개구의 면적보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 제1 흡입 라인을 통과하는 처리액을 상기 제1 전단 공급 라인에 공급하는 제2 전단 공급 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 버블 감지 센서로부터 측정된 버블의 위치를 기초로 상기 유입 라인에 버블이 통과하는 경우 제1 흡입 라인에 흡입력을 가하고 상기 유입 라인에 처리액이 통과하는 경우 제2 흡입 라인에 흡입력을 가하도록 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치는, 버블을 빨아들이는 제1 흡입 라인 및 처리액을 빨아들이는 제2 흡입 라인을 구비한다.
이에 따라, 트랩 탱크 내에 유입되는 버블을 제거하여 기판 상에 분사되는 버블의 양을 감소시킬 수 있고, 궁극적으로 반도체 소자 제조의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 유입 라인의 개구 및 제1 전단 공급 라인의 개구를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 유입 라인의 개구 및 제1 전단 공급 라인의 개구를 설명하기 위한 평면도 및 정면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 설비(1)를 A-A 방향에서 바라본 개략도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 및 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 및 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하 도면들에서, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 및 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1 수평 방향(X)이라 지칭하고, 상부에서 바라볼 때 제1 수평 방향(X)과 수직한 방향을 제2 수평 방향(Y)이라 지칭하며, 제1 수평 방향(X) 및 제2 수평 방향(Y)과 각각 수직한 방향을 수직 방향(Z)이라 지칭한다.
로드 포트(100)는 카세트(20) 및 재치대(120)를 포함할 수 있다. 카세트(20)는 기판(W)을 수납하도록 구성될 수 있다. 기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 카세트(20)는 복수개의 기판들(W)을 수납할 수 있다. 재치대(120)의 상면에 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓일 수 있다. 재치대(120)는 복수개가 제공되고, 재치대들(120)은 제2 수평 방향(Y)을 따라 일렬로 배치된다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)와 제1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송하도록 구성될 수 있다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 및 가이드 레일(230)을 포함할 수 있다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 및 받침대(224)를 포함할 수 있다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1 수평 방향(X), 제2 수평 방향(Y), 수직 방향(Z)으로 이동 가능하고, 수직 방향(Z)을 회전 축으로 하여 X-Y 평면 상에서 회전 가능하도록 구성될 수 있다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치되고, 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공되며 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합될 수 있다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정되도록 결합될 수 있다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2 수평 방향(Y)을 따라 배치되도록 제공되고 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공될 수 있다.
제1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 및 제1 버퍼 로봇(360)을 포함할 수 있다. 프레임(310)은 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 및 제1 버퍼 로봇(360)이 프레임(310) 내에 위치할 수 있는 공간을 제공할 수 있으며, 냉각 챔버(350), 제2 버퍼(330), 및 제1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 수직 방향(Z)을 따라 배치된다. 제1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관할 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 및 지지대(363)를 가지며, 제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하도록 구성될 수 있다. 냉각 챔버(350)는 냉각 수단을 포함하며 상기 냉각 수단에는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대한 열처리 공정을 수행할 수 있다. 열처리 공정은 기판(W)의 가열 및 냉각 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 포토 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 및 반송 챔버(430)를 포함할 수 있다. 포토 레지스트 도포 챔버(410), 반송 챔버(430), 및 베이크 챔버(420)는 제2 수평 방향(Y)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 포토 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제1 수평 방향(X) 및 수직 방향(Z)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(420)는 제1 수평 방향(X) 및 수직 방향(Z)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320)와 제1 수평 방향(X)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 및 받침대(437)를 가지며, 베이크 챔버들(420), 포토 레지스트 도포 챔버들(410), 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320), 및 후술하는 제2 버퍼 모듈(500)의 제1 냉각 챔버(530) 간에 기판(W)을 이송한다.
포토 레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가질 수 있다. 다만, 각각의 포토 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 포토 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 감광액을 도포하도록 구성될 수 있다. 포토 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(413), 및 노즐(415)을 포함할 수 있다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(413)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(413)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(415)은 지지 플레이트(4123에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(415)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(415)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(415)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 포토 레지스트 도포 챔버(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(420)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 스테이지(421) 및 가열 유닛(422)을 포함한다. 냉각 스테이지(421)는 가열 유닛(422)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 스테이지(421)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 스테이지(421)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상 모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(미도시), 및 반송 챔버(미도시)를 가진다. 현상 챔버(460), 상기 반송 챔버, 및 상기 베이크 챔버는은 제2 수평 방향(Y)을 따라 순차적으로 배치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제1 수평 방향(X) 및 수직 방향(Z)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토레지스트의 종류에 따라 포토레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
제2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 제2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 및 제2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 제2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 및 제2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 및 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는　높이에 배치된다. 제2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는　높이에 배치된다. 제2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 및 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치되며, 제1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다.
제1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각하고, 에지 노광 챔버(550)는 제1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다.
전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 및 반송 챔버(630)를 가진다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치되고, 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 및 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 및 노즐(613)을 가진다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(미도시), 및 반송 챔버(미도시)를 가진다. 상기 반송 챔버 내에는 후처리 로봇(미도시)이 위치되어 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들, 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540), 및 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 및 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 및 인터페이스 로봇(740)을 가진다. 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는　높이에 위치되고, 제2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는　높이에 배치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720) 및 제2 버퍼(730)와 제2 수평 방향(Y)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다.
이하에서는 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 일 예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 기판에 처리액을 공급하도록 구성될 수 있다. 기판 처리 장치(1000)는 처리액 저장부(1100), 처리액 공급부(1200), 및 처리액 도포부(1300)를 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(1000)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 도포 및 현상 모듈(400)에 포함되는 도포 모듈(401) 및 현상 모듈(402), 노광 전후 처리 모듈(600)에 포함되는 전처리 모듈(601) 및 후처리 모듈(602) 중 어느 하나에 해당할 수 있다.
기판 처리 장치(1000)의 처리액 도포부(1300)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 레지스트 도포 챔버(410), 현상 챔버(460), 보호막 도포 챔버(610) 및 세정 챔버(660) 중 어느 하나에 해당할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 기판 처리 장치(1000)의 처리액 도포부(1300)는 도 4에 도시된 것과 같이 레지스트 도포 챔버(410)일 수 있으며, 처리액 도포부(1300)는 전술한 바와 같이 하우징(411), 지지 플레이트(413), 공급 라인(414), 및 노즐(415)을 포함할 수 있다.
처리액 저장부(1100)는 저장 탱크를 포함할 수 있다. 저장 탱크는 기판 상으로 공급되는 처리액을 저장할 수 있다. 예를 들어 처리액은 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 레지스트 용액, 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액, 보호막 도포 챔버(610)에서 사용되는 보호 용액, 세정 챔버(660)에서 사용되는 세정액 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 저장 탱크는 복수개가 제공될 수 있으며, 각각의 저장 탱크에 서로 다른 처리액이 저장될 수 있다.
처리액 공급부(1200)는 제1 전단 공급 라인(1210), 트랩 탱크(1220), 유입 라인(1230), 제1 흡입 라인(1240), 제2 흡입 라인(1250), 및 후단 공급 라인(1290)을 포함할 수 있다.
제1 전단 공급 라인(1210)은 처리액 저장부(1100)에 저장된 처리액을 트랩 탱크(1220)에 공급하도록 구성되고, 처리액 저장부(1100) 및 트랩 탱크(1220)의 하면에 연결될 수 있다. 제1 전단 공급 라인(1210)은 트랩 탱크(1220)의 하면에서 처리액 저장부(1100)에 저장된 처리액을 토출하는 개구(1211)를 포함할 수 있다. 즉 제1 전단 공급 라인(1210)은 처리액 저장부(1100)와 트랩 탱크(1220) 사이를 연결할 수 있고, 처리액 저장부(1100)에 저장된 처리액을 트랩 탱크(1220)로 유입시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전단 공급 라인(1210)은 처리액을 트랩 탱크(1220)로 유입시키면서 버블을 함께 유입시킬 수 있다.
트랩 탱크(1220)는 처리액 저장부(1100)로부터 공급된 처리액을 저장할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 트랩 탱크(1220)는 처리액이 기판 상으로 공급되기 전 처리액이 보관되는 장소일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 처리액 저장부(1100)의 저장 탱크가 복수개 제공되고 각각의 저장 탱크에 서로 다른 처리액이 저장될 수 있다. 목적하는 공정에 따라 사용되는 처리액이 다를 수 있는데, 이때 처리액 저장부(1100)로부터 필요한 처리액을 처리액 공급부(1200)의 트랩 탱크(1220)에 공급하여 보관시킬 수 있다. 즉 저장 탱크들에 저장된 처리액 중 원하는 처리액을 트랩 탱크(1220)로 공급하여 보관한 후, 기판 상으로 공급할 수 있다.
유입 라인(1230)은 트랩 탱크(1220) 내에서 수직 방향(Z)으로 연장되며, 트랩 탱크(1220)의 하면으로부터 수직 방향(Z)으로 이격되도록 위치하고, 트랩 탱크(1220)의 하면을 바라보는 방향 끝단에 유체가 유입되는 개구(1231)를 포함할 수 있다. 유입 라인(1230)의 상기 개구(1231)는 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)에 대향하도록 위치할 수 있다.
제1 흡입 라인(1240)은 유입 라인(1230)에서 분기된 라인이고, 유입 라인(1230)을 통과하는 유체를 빨아들이도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 흡입 라인(1240)은 압력차를 이용하여 유입 라인(1230)을 통과하는 유체를 빨아들일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 유입 라인(1230)의 상기 개구(1231)는 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)와 대향하도록 위치하므로, 제1 전단 공급 라인(1210)을 통해 트랩 탱크(1220)로 배출되는 버블은 부력, 또는 밀도차에 의해 유입 라인(1230)의 개구(1231)로 향할 수 있다. 이때 제1 흡입 라인(1240)은 흡입력을 가해 유입 라인(1230)의 개구(1231)를 향하는 버블을 유입 라인(1230) 내로 유입시킬 수 있고, 더 나아가 유입 라인(1230)을 통과하는 버블을 제1 흡입 라인(1240)을 따라 이동시켜 제거할 수 있다.
제2 흡입 라인(1250)은 유입 라인(1230)에서 분기된 또다른 라인이고, 유입 라인(1230)을 통과하는 유체를 빨아들이도록 구성될 수 있으며, 측면에 유체를 배출하는 개구(1251)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 흡입 라인(1250)은 압력차를 이용하여 유입 라인(1230)을 통과하는 유체를 빨아들일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 유입 라인(1230)의 상기 개구(1231)는 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)와 대향하도록 위치하므로, 제1 전단 공급 라인(1210)을 통해 트랩 탱크(1220)로 배출되는 처리액은 부력, 또는 제1 전단 공급 라인(1210) 및 트랩 탱크(1220)의 압력차에 의해 유입 라인(1230)의 개구(1231)로 향할 수 있다. 이때 제2 흡입 라인(1250)은 흡입력을 가해 유입 라인(1230)의 개구(1231)를 향하는 처리액을 유입 라인(1230) 내로 유입시킬 수 있고, 더 나아가 유입 라인(1230)을 통과하는 처리액을 빨아들일 수 있으며, 제2 흡입 라인(1250)을 통과하는 상기 처리액은 제2 흡입 라인(1250)의 개구(1251)를 통해 다시 트랩 탱크(1220) 내로 배출될 수 있다.
제1 흡입 라인(1240)의 버블 흡입 과정에서 유입 라인(1230)에 버블뿐만 아니라 처리액도 함께 유입될 수 있다. 이때 위처럼 제2 흡입 라인(1250)을 통해 상기 유입된 처리액을 다시 트랩 탱크(1220)로 배출할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 흡입 라인(1240) 및 제2 흡입 라인(1250)에서 유체를 빨아들이는 타이밍은 엇갈릴 수 있다. 예를 들어, 유입 라인(1230)에 버블이 먼저 유입되고 그 뒤로 처리액이 같이 빨려 들어온 경우, 제1 흡입 라인(1240)에서 먼저 흡입력을 가해 상기 버블을 빨아들이고 그 후 제2 흡입 라인(1250)에서 흡입력을 가해 처리액을 빨아들일 수 있다. 이때 제2 흡입 라인(1250)으로 빨려 들어온 처리액은 제2 흡입 라인(1250)의 개구(1251)를 통해 다시 트랩 탱크(1220) 내로 배출될 수 있다.
후단 공급 라인(1290)은 트랩 탱크(1220) 내의 처리액을 처리액 도포부(1300)에 공급할 수 있다. 후단 공급 라인(1290)은 트랩 탱크(1220)의 하단 및 처리액 도포부(1300)에 연결될 수 있다.
결국, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1000)는 유입 라인(1230), 제1 흡입 라인(1240), 및 제2 흡입 라인(1250)을 통해 트랩 탱크(1220) 내로 유입되는 버블을 제거하고 이 과정에서 발생하는 처리액의 손실을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 기판 상으로 버블이 공급되는 것이 방지되어 궁극적으로 반도체 소자 제조의 수율이 제고될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다. 이하에서는 도 5의 기판 처리 장치(1000) 및 도 6의 기판 처리 장치(1001)의 중복된 내용은 생략하고, 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(1001)는 처리액 저장부(1100), 처리액 공급부(1200), 및 처리액 도포부(1300)를 포함할 수 있으며, 처리액 공급부(1200)는 제1 전단 공급 라인(1210), 트랩 탱크(1220), 유입 라인(1230), 제1 흡입 라인(1240), 제2 흡입 라인(1250), 후단 공급 라인(1290), 버블 감지 센서(1260) 및 제어기(1270)를 포함할 수 있다.
버블 감지 센서(1260)는 제1 전단 공급 라인(1210)을 통과하는 버블을 감지하도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면 버블 감지 센서(1260)는 광센서 또는 초음파 센서를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면 버블 감지 센서(1260)는 트랩 탱크(1220)의 하면에 부착될 수 있다. 버블 감지 센서(1260)는 제1 전단 공급 라인(1210)을 통과하여 개구(1211)를 통해 트랩 탱크(1220)로 유입되는 버블의 위치를 감지할 수 있다.
제어기(1270)는 버블 감지 센서(1260)로부터 측정된 버블의 위치를 기초로 유입 라인(1230)에 버블이 통과하는 경우 제1 흡입 라인(1240)에 흡입력을 가하고, 유입 라인(1230)에 처리액이 통과하는 경우 제2 흡입 라인(1250)에 흡입력을 가하는 제어 신호를 생성할 수 있다. 이에 따라, 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)에서 버블이 트랩 탱크(1220)로 유입되는 경우, 제1 흡입 라인(1240)에 흡입력이 가해져 상기 버블을 유입 라인(1230)으로 빨아들이고, 이때 버블은 제1 흡입 라인(1240)의 흡입력에 의해 제1 흡입 라인(1240)으로 이동하며, 버블과 함께 유입 라인(1230)에 처리액이 유입된 경우, 제2 흡입 라인(1250)에 흡입력이 가해져 상기 처리액을 제2 흡입 라인(1250)으로 이동시키고 제2 흡입 라인(1250)의 개구(1251)로 상기 처리액을 배출시킬 수 있다.
상기 DMD 제어기(1270)는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 DMD 제어기(1270)는 워크 스테이션 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터 등의 컴퓨팅 장치를 포함할 수 있다. DMD 제어기(1270)는 단순 컨트롤러, 마이크로 프로세서, CPU, GPU 등과 같은 복잡한 프로세서, 소프트웨어에 의해 구성된 프로세서, 전용 하드웨어 도는 펌웨어를 포함할 수도 있다. DMD 제어기(1270)는, 예를 들어, 범용 컴퓨터 또는 DSP(Digital Signal Process), FPGA(Field Programmable Gate Array) 및 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 등과 같은 애플리케이션 특정 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. DMD 제어기(1270)는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있는 기계 판독 가능 매체 상에 저장된 명령들로서 구현될 수 있다. 여기서, 기계 판독 가능 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 장치)에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장 및/또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독 가능 매체는 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 자기 디스크 저장 매체, 광학 저장 매체, 플래시 메모리 장치들, 전기적, 광학적, 음향적 또는 다른 형태의 전파 신호(예컨대, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 및 기타 임의의 신호를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 유입 라인의 개구 및 제1 전단 공급 라인의 개구를 설명하기 위한 평면도이다. 도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 유입 라인의 개구 및 제1 전단 공급 라인의 개구를 설명하기 위한 평면도 및 정면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 유입 라인(1230)의 개구(1231)의 면적(A2)은 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)의 면적(A1)보다 넓을 수 있다. 이에 따라, 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)를 통해 배출되는 버블이 상승하면서 제1 수평 방향(X) 또는 제2 수평 방향(Y)의 방향쪽으로 기울어도 유입 라인(1230)의 더 넓은 면적(A2)의 개구(1231)에 의해 상기 버블이 유입 라인(1230)의 개구(1231)로 유입될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)의 중심축과 유입 라인(1230)의 개구(1231)의 중심축(L)이 동일할 수 있다. 이에 따라, 제1 전단 공급 라인(1210)의 개구(1211)를 통해 배출되는 버블이 부력 등에 의해 상승할 때, 상승 경로가 일치하므로 버블이 더욱 용이하게 유입 라인(1230)의 개구(1231)로 유입될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략도이다. 이하에서는 도 5의 기판 처리 장치(1000) 및 도 9의 기판 처리 장치(1002)의 중복된 내용은 생략하고, 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
도 9를 참조하면, 기판 처리 장치(1002)는 처리액 저장부(1100), 처리액 공급부(1200), 및 처리액 도포부(1300)를 포함할 수 있으며, 처리액 공급부(1200)는 제1 전단 공급 라인(1210), 트랩 탱크(1220), 유입 라인(1230), 제1 흡입 라인(1240), 제2 흡입 라인(1250), 후단 공급 라인(1290), 제2 전단 공급 라인(1243), 배출 라인(1245) 및 밸브(1241)를 포함할 수 있다.
제2 전단 공급 라인(1243)은 제1 흡입 라인(1240)에서 분기되고 제1 흡입 라인(1240)을 통과하는 처리액을 제1 전단 공급 라인(1210)으로 공급하도록 구성될 수 있다. 제2 전단 공급 라인(1243)은 제1 흡입 라인(1240) 및 제1 전단 공급 라인(1210)에 연결될 수 있다. 제2 전단 공급 라인(1243)은 수직 방향(Z)에 따라 연장될 수 있다.
배출 라인(1245)은 제1 흡입 라인(1240)에서 분기되고 제1 흡입 라인(1240)을 통과하는 버블을 배출할 수 있다. 배출 라인(1245)은 제1 수평 방향(X)에 따라 연장될 수 있다. 밸브(1241)는 제2 전단 공급 라인(1243)에 연결되어 제1 흡입 라인(1240)으로부터 제1 전단 공급 라인(1210)에 유입되는 처리액의 유량을 조절할 수 있다.
제1 흡입 라인(1240)에서 유입 라인(1230)을 통과하는 버블을 빨아들일 때, 상기 버블뿐 아니라 처리액도 함께 빨려 들어올 수 있다. 이때, 제2 전단 공급 라인(1243)이 수직 방향(Z)에 따라 연장되므로, 상기 처리액은 상대적으로 강한 중력 또는 큰 밀도에 의해 제2 전단 공급 라인(1243)으로 이동하며, 버블은 약한 중력 또는 작은 밀도에 의해 배출 라인(1245)으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 처리액은 제2 전단 공급 라인(1243)을 통해 제1 전단 공급 라인(1210)으로 이동하여 다시 트랩 탱크(1220)로 공급될 수 있고, 이에 따라, 버블 제거시 손실되는 처리액을 최소화할 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
410: 레지스트 도포 챔버, 411: 하우징, 413: 지지 플레이트, 414: 공급 라인, 415: 노즐,1000, 1001, 1002: 기판 처리 장치, 1100: 처리액 저장부, 1200: 처리액 공급부, 1210: 제1 전단 공급 라인, 1211: 개구, 1220: 트랩 탱크, 1230: 유입 라인, 1231: 개구, 1240: 제1 흡입 라인, 1241: 밸브, 1243: 제2 전단 공급 라인, 1245: 배출 라인, 1250: 제2 흡입 라인, 1251: 개구, 1260: 버블 감지 센서, 1270: 제어기, 1290: 후단 공급 라인, 1300: 처리액 도포부

Claims (10)

  1. 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트;
    처리액을 저장하는 저장 탱크를 적어도 하나 이상 포함하는 처리액 저장부; 및
    상기 처리액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 처리액 공급부;를 포함하고,
    상기 처리액 공급부는,
    처리액을 보관하는 트랩 탱크;
    상기 처리액 저장부에 저장된 처리액을 상기 트랩 탱크에 공급하며, 상기 트랩 탱크의 하면 및 상기 처리액 저장부에 연결되고, 상기 트랩 탱크의 하면으로 상기 처리액 저장부에 저장된 상기 처리액을 토출하는 개구를 포함하는 제1 전단 공급 라인;
    상기 트랩 탱크 내에서 수직한 방향으로 연장되고, 유체가 유입되는 개구를 포함하며, 상기 개구는 상기 트랩 탱크의 하면 상에서 수직한 방향으로 이격되도록 구성된 유입 라인;
    상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 버블을 빨아들이는 제1 흡입 라인;
    상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 빨아들이며, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 배출하는 개구를 포함하는 제2 흡입 라인; 및
    상기 트랩 탱크에 보관된 상기 처리액을 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 후단 공급 라인을 포함하며,
    상기 유입 라인은 상기 유입 라인의 개구가 상기 제1 전단 공급 라인의 개구에 대향하도록 위치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유입 라인의 개구의 면적이 상기 제1 전단 공급 라인의 개구의 면적보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유입 라인의 개구의 중심축과 상기 제1 전단 공급 라인의 개구의 중심축이 일치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 흡입 라인을 통과하는 처리액을 상기 제1 전단 공급 라인에 공급하는 제2 전단 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 전단 공급 라인을 통과하는 처리액의 유량을 조절하도록 구성된 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전단 공급 라인을 통과하는 버블을 감지하도록 구성된 버블 감지 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 버블 감지 센서로부터 측정된 버블의 위치를 기초로 상기 유입 라인에 버블이 통과하는 경우 제1 흡입 라인에 흡입력을 가하고 상기 유입 라인에 처리액이 통과하는 경우 제2 흡입 라인에 흡입력을 가하도록 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트;
    처리액을 저장하는 저장 탱크를 적어도 하나 이상 포함하는 처리액 저장부; 및
    상기 처리액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 처리액 공급부;를 포함하고,
    상기 처리액 공급부는,
    처리액을 보관하는 트랩 탱크;
    상기 처리액 저장부에 저장된 처리액을 상기 트랩 탱크에 공급하며, 상기 트랩 탱크의 하면 및 상기 처리액 저장부에 연결되고, 상기 트랩 탱크의 하면으로 상기 처리액 저장부에 저장된 상기 처리액을 토출하는 개구를 포함하는 제1 전단 공급 라인;
    상기 제1 전단 공급 라인을 통과하는 버블을 감지하도록 구성된 버블 감지 센서;
    상기 트랩 탱크 내에서 수직한 방향으로 연장되고, 유체가 유입되는 개구를 포함하며, 상기 개구는 상기 트랩 탱크의 하면 상에서 수직한 방향으로 이격되도록 구성된 유입 라인;
    상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 버블을 빨아들이는 제1 흡입 라인;
    상기 유입 라인에서 분기되고, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 빨아들이며, 상기 유입 라인을 통과하는 처리액을 배출하는 개구를 포함하는 제2 흡입 라인; 및
    상기 트랩 탱크에 보관된 상기 처리액을 상기 기판 상으로 공급하도록 구성된 후단 공급 라인을 포함하며,
    상기 유입 라인은 상기 유입 라인의 개구가 상기 제1 전단 공급 라인의 개구에 대향하도록 위치하고,
    상기 유입 라인의 개구의 면적이 상기 제1 전단 공급 라인의 개구의 면적보다 더 넓은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 흡입 라인을 통과하는 처리액을 상기 제1 전단 공급 라인에 공급하는 제2 전단 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 버블 감지 센서로부터 측정된 버블의 위치를 기초로 상기 유입 라인에 버블이 통과하는 경우 제1 흡입 라인에 흡입력을 가하고 상기 유입 라인에 처리액이 통과하는 경우 제2 흡입 라인에 흡입력을 가하도록 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020220081485A 2022-07-01 2022-07-01 기판 처리 장치 KR20240003653A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220081485A KR20240003653A (ko) 2022-07-01 2022-07-01 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220081485A KR20240003653A (ko) 2022-07-01 2022-07-01 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240003653A true KR20240003653A (ko) 2024-01-09

Family

ID=89538451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220081485A KR20240003653A (ko) 2022-07-01 2022-07-01 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240003653A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6740065B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
KR102593787B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US20100129526A1 (en) Substrate processing apparatus
TWI395622B (zh) 處理液供應單元、使用處理液供應單元的基板處理裝置及方法
KR102223763B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102046872B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240003653A (ko) 기판 처리 장치
KR102616521B1 (ko) 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
TW202227200A (zh) 基板處理設備及用於其之方法
KR20220097680A (ko) 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
KR102010261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102295573B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170072390A (ko) 기판 처리 장치, 대기 유닛 및 노즐 세정 방법
KR102666437B1 (ko) 액 공급 장치 및 기판 처리 장치
KR102572629B1 (ko) 탈기 장치, 기판 처리 장치 및 처리액 탈기 방법
KR20190117201A (ko) 노즐 세정 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20240056325A (ko) 약액 조절 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20240099623A (ko) 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20230205088A1 (en) Nozzle for supplying treatment liquid and substrate treating apparatus
KR20230143072A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101914481B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102108316B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240107909A (ko) 기판 이송 시스템 및 기판 이송 방법
KR101909186B1 (ko) 기판 처리 장치 및 누액 감지 방법
KR20230033851A (ko) 기판 처리 장치 및 처리액 공급 장치