TW202227200A - 基板處理設備及用於其之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種基板處理設備。基板處理設備包括：處理容器，其具有用於處理基板的處理空間；待用埠，其定位於處理容器之一側處以允許排出處理液體的噴嘴待用；及液體供應單元，其在處理容器與待用埠之間移動且具有噴嘴。前述待用埠包括：噴嘴收納構件，其包括具有收納空間的噴嘴收納單元，收納空間形成於噴嘴收納單元內部以收納噴嘴及清潔液體；及排出部分，其具有設置於噴嘴清潔單元的一側處以將清潔液體排出至噴嘴的排出埠。前述排出埠經設置以在自上方檢視時與噴嘴的至少一部分重疊。

Description

基板處理設備及用於其之方法
本文中所描述之本發明概念的實施例係關於一種基板處理設備及一種用於基板處理設備的方法。
為了製造半導體裝置，需要執行諸如清潔、沈積、光學微影、蝕刻及離子植入製程的各種製程。在前述製程之間，光學微影製程包括：將諸如光阻劑之光阻劑液體塗佈至基板上以在基板上形成光阻劑層的塗佈製程、將電路圖案轉印至形成於基板上之層上的曝光製程，及自基板選擇性地移除曝光區或曝光區之相反區的顯影製程。
在液體處理製程中，噴嘴定位於面向基板的位置以在液體處理製程期間將處理液體供應至基板上，且在液體處理製程之前及之後於待用埠中待用。待用埠包括有包括收納空間的共同本體，且複數個噴嘴收納於共同本體的收納空間中。收納於收納空間中的複數個噴嘴在待用同時朝向噴嘴的排出端排出清潔液體，且排出端及周邊部分一起被清潔。
然而，即使噴嘴的面向用以排出清潔液體之埠的區經清潔，區的相反側仍可能不能經平滑地清潔。
此外，複數個噴嘴在待用同時使諸如光阻劑之處理液體排出至共同本體。在將處理液體排出至共同本體之製程期間產生的大量水氣可污染周圍噴嘴。
此外，由於收納於噴嘴收納空間中之複數個噴嘴經同時清潔，甚至並不需要被清潔的噴嘴經清潔，因此噴嘴之清潔液體被過量使用。
本發明概念之實施例提供一種能夠個別或選擇性地清潔複數個噴嘴的基板處理設備。
本發明概念之實施例提供一種能夠清潔噴嘴之整個表面的基板處理設備。
本發明概念之實施例提供一種能夠在噴嘴待用同時防止噴嘴被污染的基板處理設備。
本發明概念之實施例提供一種能夠防止清潔液體自供應管洩漏的基板處理設備，前述供應管用以將噴嘴清潔液體供應至待用埠中。
本發明概念之實施例提供一種能夠調整在待用埠中收納之清潔液體之水位且能夠防止清潔液體在待用埠上方流動的基板處理設備。
本發明概念之實施例提供一種能夠在清潔液體在清潔噴嘴之後被排出時防止清潔液體之排出速率滯後的基板處理設備。
本發明概念之實施例提供一種能夠防止噴嘴管中之光阻劑固化的用於處理基板的方法。
將在本發明概念中達成的目標不限於以上目標，而且並未提及的其他目標將由熟習此項技術者顯而易見地理解。
本發明概念揭示一種基板處理設備。
基板處理設備包括：處理容器，前述處理容器具有用於處理基板的處理空間；待用埠，前述待用埠定位於處理容器之一側處以允許排出處理液體的噴嘴待用；及液體供應單元，前述液體供應單元在處理容器與待用埠之間移動且具有噴嘴。待用埠包括：噴嘴收納構件，前述噴嘴收納構件包括噴嘴清潔單元，前述噴嘴清潔單元具有形成於噴嘴清潔單元內部以收納噴嘴及清潔液體的收納空間；及排出部分，前述排出部分具有設置於噴嘴清潔單元之一側處，以將清潔液體排出至噴嘴的排出埠。排出埠經設置以在自上方檢視時與噴嘴的至少一部分重疊。
自排出埠供應之清潔液體可沿著噴嘴之外表面及噴嘴收納單元的壁旋轉。
自排出埠排出之清潔液體可旋轉至噴嘴之外表面的表面，前述表面在清潔液體之排出方向上定位於相對側處。
複數個噴嘴清潔單元經設置、經定位為彼此相互獨立的，且在自上方檢視時在一個方向上配置。
待用埠可包括防溢流孔，前述防溢流孔經設置以在垂直於複數個噴嘴清潔單元之配置方向的方向上與複數個噴嘴清潔單元連通。
待用埠可包括管固定構件，前述管固定構件耦接至噴嘴收納構件以固定清潔液體供應管以將清潔液體供應至排出埠，且管固定埠可包括清潔液體供應管被插入的管插入孔及形成於管插入孔中的防洩漏溝槽(結構)。
排出埠可包括自噴嘴收納構件之側表面突出的耦接部分，其中清潔液體供應管耦接至耦接部分。耦接部分可包括具有第一寬度的第一部分，及自第一部分延伸且具有小於第一寬度之寬度的第二部分。管插入孔的直徑可經設置以係小於耦接部分之第二部分之末端的寬度。
噴嘴收納構件可包括設置於噴嘴收納構件之底表面中的防移動溝槽(結構)。防移動溝槽(結構)可沿著噴嘴清潔單元及防溢流孔的圓周延伸。
噴嘴收納構件可包括定位於噴嘴清潔單元下方的排出部分。排出部分可包括自噴嘴清潔單元之下端向下延伸的第一埠、及自第一埠向下延伸且具有在遠離第一埠之方向上增大之寬度的第二埠。第一埠與第二埠之間的角度可設置為鈍角。
第一埠在垂直方向上的長度可經設置為小於噴嘴之排出端的內徑。
處理液體可包括光阻劑，且清潔液體可包括稀釋劑(thinner)。
本發明概念揭示一種基板處理設備。
基板處理設備包括：處理容器，前述處理容器具有用於處理基板的處理空間；待用埠，前述待用埠定位於處理容器之一側處以允許排出處理液體的噴嘴待用；及液體供應單元，前述液體供應單元在處理容器與待用埠之間移動且具有噴嘴。待用埠包括：噴嘴收納構件，前述噴嘴收納構件包括噴嘴清潔單元，前述噴嘴清潔單元具有形成於噴嘴清潔單元內部以收納噴嘴及清潔液體的收納空間；及排出部分，前述排出部分具有設置於噴嘴清潔單元的一側處以將清潔液體供應至噴嘴的排出埠。排出埠經設置以與噴嘴之至少一部分重疊，且在自上方檢視時可設置於自噴嘴之中心軸線起的一側處。
自排出埠供應之清潔液體可沿著噴嘴之外表面旋轉，且清潔液體可旋轉至噴嘴之外表面的表面，前述表面在清潔液體之排出埠方向上定位於相對側處。
複數個噴嘴清潔單元經設置、經定位為彼此相互獨立的，且在自上方檢視時在一個方向上配置。
待用埠可包括防溢流孔，前述防溢流孔經設置以在垂直於複數個噴嘴清潔單元之配置方向的方向上與複數個噴嘴清潔單元連通；及設置於噴嘴收納構件之底表面中的防移動溝槽(結構)。防移動溝槽(結構)可沿著噴嘴清潔單元及防溢流孔的圓周延伸。
待用埠可包括管固定構件，前述管固定構件耦接至噴嘴收納構件以固定清潔液體供應管以將清潔液體供應至排出埠，且管固定埠可包括清潔液體供應管被插入的管插入孔及形成於管插入孔中的防洩漏溝槽(結構)。
處理液體可包括光阻劑，且清潔液體可包括稀釋劑。
本發明概念揭示一種用於藉由使用基板處理設備來處理基板的方法。
用於處理基板的方法包括：隨著噴嘴在移動至待用埠之前抽吸回填充於噴嘴之排出端中的處理液體，在噴嘴之排出端處形成第一氣體層；藉由在形成第一氣體層的狀態下將排出端插入至收納空間中來清潔排出端；隨著在排出端浸漬至清潔液體的狀態下排出端抽吸回清潔液體，形成液體層；及隨著噴嘴在清潔液體自收納空間排出的狀態下抽吸回，在排出端處形成第二氣體層。在排出端的清潔中，清潔液體經排出，使得清潔液體旋轉至噴嘴之外表面的表面，前述表面在排出埠之排出方向上定位於相對側處。
在排出端的清潔中，隨著收納空間填充有通過噴嘴排出的清潔液體，排出端經清潔。在形成第一氣體層的狀態下，噴嘴插入至收納空間中，使得排出端浸漬至填充在收納空間中的清潔液體中。
處理液體可包括光阻劑，且清潔液體可包括稀釋劑。
下文中，本發明概念之實施例將詳細參看隨附圖式來描述以允許熟習此項技術者易於再現本發明概念。然而，本發明概念可以各種形式實施，且不限於本文中所描述的實施例。此外，在本發明概念之以下描述內容中，熟知技術或功能的詳細描述將不予考慮以便不會不必要地使本發明概念的主旨混淆。此外，貫穿圖式，執行類似功能及類似操作的部分將被指派有相同參考數字。
當某部分「包括」某組件時，某部分並不排除其他組件，而且在存在特定相對描述內容情況下可進一步包括其他組件。詳細而言，應進一步理解，術語「包含(comprise、comprising)」、「包括(include、including)」或「具有」指定所陳述特徵、數字、步驟、操作、組件、部分或期組合的存在，但並不排除一或多個其他特徵、數字、步驟、操作、組件、部分及/或其組合的存在或添加。
單數形式意欲包括複數形式，除非上下文以其他方式清楚地指示。此外，隨附圖式中元件的形狀及大小將為了更清楚的描述予以誇示。
術語「及/或」包括相關聯組件中的任一者及一或多者的所有組合。此外，在本說明書中，詞語「經連接」指示不僅構件A與構件B之間的直接連接，而且指示構件A與構件B之間的間接連接，此係由於構件C插入於構件A與構件B之間。
本發明概念之實施例可以各種形式修改，且本發明概念之範疇不應解譯為受以下內容中描述之本發明概念之實施例限制。本發明概念之實施例經提供以針對熟習此項技術者更完整地描述本發明之概念。因此，圖式中組件的形狀及類似者經誇示以強調更清楚描述。
控制器(所圖示)可控制基板處理設備的總體操作。控制器(未圖示)可包括中央處理單元(central processing unit；CPU)、唯讀記憶體(read only memory；ROM)及隨機存取記憶體(random access memory；RAM)。依據儲存於儲存器區中的各種配方，CPU執行所要處理製程，諸如液體處理或乾燥處理。配方具有製程時間、製程壓力、製程溫度及各種氣體流動速率，前述各者係裝置的針對製程條件之控制資訊，前述控制資訊被輸入至配方。同時，指示程式或處理條件的配方可記憶在硬碟或半導體記憶體中。此外，配方可設定於儲存器區域中的特定位置處，同時收納於諸如CD-ROM或DVD的攜帶型電腦可讀儲存媒體中。
根據本發明之實施例的基板處理設備可用以執行光學微影製程、形成圓形基板。詳言之，根據本發明之實施例，基板處理設備可用以連接至曝光裝置以執行塗佈製程及顯影製程。然而，本發明概念的技術精神並不限於此，而是可用於在使基板旋轉同時供應處理液體至基板之各種類型的製程中。以下描述內容將在集中於晶圓用作基板同時進行。
下文中，本發明概念之實施例將參看圖1至圖18來描述。
圖1為根據本發明概念之實施例的示意性地圖示基板處理設備的透視圖；圖2為基板處理設備之橫截面圖，前述圖2圖示圖1之塗佈區塊或顯影區塊；且圖3為圖1之基板處理設備的平面圖。
參看圖1至圖3，根據本發明概念之實施例，基板處理設備1包括索引模組(index module) 20、處理模組30及介面模組40。根據實施例，索引模組20、處理模組30及介面模組40彼此一致地依序對準。下文中，索引模組20、處理模組30及介面模組40經配置的方向將被稱作第一方向12，在自上文檢視時垂直於第一方向12的方向將被稱作第二方向14，且垂直於所有第一方向12及第二方向14的方向將被稱作第三方向16。
索引模組20將基板「W」自收納基板「W」的容器10傳送至處理模組30，且經完全處理之基板「W」收納至容器10中。索引模組20的縱向方向設置於第二方向14上。索引模組20具有載入埠22及索引框架24。載入埠22基於索引框架24定位於處理模組30的相對側處。具有基板「W」的容器10置放於載入埠22上。複數個載入埠22可經設置且可配置於第二方向14上。
容器10可包括用於密封的容器10，諸如前開式整合艙(front open unified pod；FOUP)。容器10可由運輸單元(未圖示)，諸如空中傳送、空中輸送器或自動化導引載具或工作人員置放於載入埠22上。
索引機械臂2200設置於索引框架24內部。具有設置於第二方向14上之縱向方向的導引軌條2300可設置於索引框架24中，且索引機械臂2200可經設置為在導引軌條2300上可移動的。索引機械臂2200可包括定位基板「W」所在的手柄2220，且手柄2220可經設置為可前後移動的，圍繞第三方向16可旋轉的，且在第三方向16上可移動的。
處理模組30執行關於基板「W」的塗佈及顯影製程。處理模組30具有塗佈區塊30a及顯影區塊30b。塗佈區塊30a形成關於基板「W」的塗佈製程，且顯影區塊30b執行關於基板「W」的顯影製程。複數個塗佈區塊30a設置且堆疊於彼此上。複數個顯影區塊30b設置且堆疊於彼此上。根據圖1之實施例，提供兩個塗佈區塊30a，且提供兩個顯影區塊30b。塗佈區塊30a可安置於顯影區塊30b下方。根據實例，兩個塗佈區塊30a可經受同一製程，且可設置於同一結構中。此外，兩個顯影區塊30a可經受同一製程，且可設置於同一結構中。
參看圖3，塗佈區塊30a具有熱處理腔室3200、傳送腔室3400、液體處理腔室3600及緩衝腔室3800。熱處理腔室3200執行關於基板「W」的熱處理製程。熱處理製程可包括冷卻製程及加熱製程。液體處理腔室3600供應液體至基板「W」上以形成液體膜。液體膜可為光阻劑膜或抗反射膜。傳送腔室3400將基板「W」在塗佈區塊30a內部的加熱處理腔室3200與液體處理腔室3600之間傳送。
傳送腔室3400具有平行於第一方向12的縱向方向。傳送機械臂3422設置於傳送腔室3400中。傳送機械臂3422將基板「W」在加熱處理腔室3200、液體處理腔室3600與緩衝腔室3800之間傳送。根據實例，傳送機械臂3422可包括定位基板「W」所在的手柄3420，且手柄3420可設置為可前後移動的，圍繞第三方向16可旋轉的，且在第三方向16上可移動的。具有平行於第二方向14之縱向方向的導引軌條3300設置於傳送腔室3400中，且傳送機械臂3422可設置為在導引軌條3300上可移動的。
圖4為圖示圖3之傳送單元之手柄的視圖。
參看圖4，手柄3420具有基座3428及支撐突出部3429。基座3428可具有圓周之一部分為彎曲的環孔形狀。基座3428具有大於基板「W」之直徑的內部直徑。支撐突出部3429自基座3428向內延伸。複數個支撐突出部3429經設置以支撐基板「W」的邊緣區域。根據實例，四個支撐突出部3429可以相等距離設置。
設置複數個熱處理腔室3200。熱處理腔室3200在第一方向12上配置。熱處理腔室3200定位於傳送腔室3400的一側處。
第5圖為示意性地圖示圖3之熱處理腔室的平面圖，且圖6為圖示第5圖之熱處理腔室的正視圖。
參看圖5及圖6，熱處理腔室3200具有外殼3210、冷卻單元3220、加熱單元3230及傳送板3240。
外殼3210大體上具有矩形長方體形狀。外殼3210以具有入口(未圖示)的側壁形成，前述側壁用以引入或撤回基板「W」。入口可維持於開啟狀態。門(未圖示)可經設置以選擇性地開啟或關閉入口。冷卻單元3220、加熱單元3230及傳送板3240設置於外殼3210中。冷卻單元3220及加熱單元3230沿著第二方向14並排設置。根據實施例，冷卻單元3220相較於加熱單元3230可更靠近於傳送腔室3400定位。
冷卻單元3220具有冷卻板3222。冷卻板3222在自上方檢視時可具有大體圓形形狀。冷卻板3222具有冷卻構件3224。根據實施例，冷卻構件3224可形成於冷卻板3222內部，以充當冷卻流體流過的流體通路。
加熱單元3230具有加熱板3232、蓋子3234及加熱器3233。加熱板3232在自上方檢視時可具有大體圓形形狀。加熱板3232可具有比基板「W」之直徑大的直徑。加熱器3233置放於加熱板3232中。加熱器3233可以加熱電阻器的形式提供，電流施加至前述加熱電阻器。提升品脫3238設置於加熱板3232上以沿著第三方向16垂直地驅動。提升銷3238在加熱單元3230外部自傳送單元收納基板「W」以將基板「W」置放於加熱板3232上或自加熱板3232提升基板「W」以將基板「W」提供至加熱單元3230外部的傳送單元。根據實施例，可設置三個提升銷3238。蓋子3234具有內部空間，前述內部空間具有開放之下部部分。蓋子3234定位於加熱板3232的上部部分處，且在垂直方向上由驅動器3236移動。在蓋子3234與加熱板3232接觸時，由蓋子3234及加熱板3232包圍的空間經設置為用於加熱基板「W」的加熱空間。
傳送板3240以大體圓形板的形狀提供，且具有對應於基板「W」之直徑的直徑。凹口3244形成於傳送板3240的邊緣中。凹口3244可具有對應於突出部3429的形狀，前述突出部形成於傳送機械臂3422的手柄3420上。此外，凹口3244可以對應於形成於手柄3420中之突出部3429之數目的數目提供，且可形成於對應於突出部3429的位置處。當手柄3420及傳送板3240的垂直位置在手柄3420及傳送板3240在垂直方向上對準的狀態下改變時，基板「W」在手柄3420與傳送板3240之間傳送。傳送板3240可安裝於導引軌條3249上，且可沿著導引軌條3249由驅動器3246移動。複數個導引溝槽3242以狹縫的形狀設置於傳送板3240中。導引溝槽3242自傳送板3240的末端部分延伸至傳送板3240的內部部分。導引溝槽3242的縱向方向在第二方向14上設置，且導引溝槽3242經定位以在第一方向12上彼此隔開。當基板「W」在傳送板3240與加熱單元3230之間傳送時，導引溝槽3242防止傳送板3240與提升銷3238之間的干涉
基板「W」之加熱在基板「W」直接置放於加熱板3232上時達成，且基板「W」之冷卻在具有基板「W」的傳送板3240與冷卻板3222接觸的狀態下達成。傳送板3240由具有較高傳熱係數的材料形成，使得熱在冷卻板3222與基板「W」之間平滑地轉移。根據實施例，傳送板3240可由金屬材料形成。
設置於熱處理腔室3200中之一些中的加熱單元3230可在加熱基板「W」期間藉由饋入氣體來改良光阻劑至基板「W」的附接速率。根據實例，氣體可包括六甲基二矽烷氣體。
設置複數個液體處理腔室3600。液體處理腔室3600中的一些可經設置以彼此堆疊。液體處理腔室3600定位於傳送腔室3400的一側處。液體處理腔室3600在第一方向12上彼此對準。液體處理腔室3600中的一些在靠近於索引模組20的位置中提供。下文中，此等液體處理腔室3602被稱作前部液體處理腔室。液體處理腔室3600中的其他設置於靠近於介面模組40的位置中。下文中，此等液體處理腔室被稱作後部液體處理腔室3604。
第一液體施加至前部液體處理腔室3602中的基板「W」上，且第二液體施加至後部液體處理腔室3604中的基板「W」。第一液體可不同於第二液體。根據實施例，第一液體為抗反射液體，且第二液體為光阻劑。光阻劑可施加於具有抗反射膜的基板「W」上。替代地，第一液體可為光阻劑，且第二液體可為抗反射液體。在此狀況下，抗反射液體可塗佈於基板「W」上，前述基板「W」塗佈有光阻劑。替代地，第一液體及第二液體可為相同類型的液體，且所有第一液體及第二液體可為光阻劑。
回看圖2及圖3，提供複數個緩衝腔室3800。緩衝腔室3800中的一些插入於索引模組20與傳送腔室3400之間。下文中，緩衝腔室被稱作前部緩衝器3802。複數個前部緩衝器3802經設置且在垂直方向上堆疊於彼此上。緩衝腔室3800中的其他緩衝腔室插入於傳送腔室3400與介面模組40之間。緩衝腔室被稱作後部緩衝器3804。複數個前部緩衝器3802經設置且在垂直方向上堆疊於彼此上。前部緩衝器3802及後部緩衝器3804臨時儲存複數個基板「W」。儲存於前部緩衝器3802中之基板「W」經引入，且由索引機械臂2200、傳送機械臂3422及第一機械臂4602撤回。儲存於後部緩衝器3804中之基板「W」經引入，且由傳送機械臂3422撤回。
顯影區塊30b具有熱處理腔室3200、傳送腔室3400及液體處理腔室3600。顯影區塊30b中的熱處理腔室3200及傳送腔室3400具有大體上類似於塗佈區塊30a中熱處理腔室3200及傳送腔室3400之彼等結構及配置的結構及配置，因此其細節將被省略。
顯影區塊30b中之所有液體處理腔室3600供應同一顯影液體，使得結構「W」經受顯影處理。
介面模組40連接處理模組30與外部曝光裝置50。介面模組40具有介面框架4100、額外製程腔室4200、介面緩衝器4400及傳送構件4600。
扇形過濾器單元可設置於介面框架4100之上部末端上，以在介面框架4100中形成下傾氣流。額外製程腔室4200、介面緩衝器4400及傳送構件4600設置於介面框架4100內部。在塗佈區塊30a中經受製程的基板「W」在引入至曝光裝置50中之前可在額外製程腔室4200中經受特定額外製程。替代地，在曝光裝置50中經受製程的基板「W」在引入至顯影區塊30b中之前可在額外製程腔室4200中經受預定額外製程。根據實施例，額外製程可為用以暴露基板「W」之邊緣區域的邊緣曝光裝置、用以清潔基板「W」之頂表面的頂表面清潔製程，或用以清潔基板「W」之底表面的底表面清潔製程。複數個額外製程腔室4200可經設置且可設置以彼此堆疊。所有額外製程腔室4200可經設置以執行同一製程。替代地，額外製程腔室4200中的一些可經設置以執行相互不同的製程。
介面緩衝器4400提供空間以臨時駐留基板「W」，前述基板在介面緩衝器4400、塗佈區塊30a、額外製程腔室4200、曝光裝置50與顯影區塊30b之間傳送。複數個介面緩衝器4400經設置且可設置以彼此堆疊。
根據實施例，在基於在傳送腔室3400之縱向方向上延伸的線檢視時，額外製程腔室4200可安置於一側處，且介面緩衝器4400可安置於相對側處。
傳送構件4600在塗佈區塊30a、額外製程腔室4200、曝光裝置50及顯影區塊30b之間傳送基板「W」。傳送構件4600可具備一個機械臂或複數個機械臂。根據實施例，傳送構件4600具有第一機械臂4602及第二機械臂4606。第一機械臂4602可經設置以在塗佈區塊30a、額外製程腔室4200與介面緩衝器4400之間傳送基板「W」，且第二機械臂4606可經設置以在介面緩衝器4400與曝光裝置50之間或介面緩衝器4400與顯影區塊30b之間傳送基板「W」。
第一機械臂4602及第二機械臂4606可包括置放基板「W」所在的手柄，且手柄可設置為可前後移動的，圍繞平行於第三方向16的軸線可旋轉的，且在第三方向16上可移動。
索引機械臂2200、第一機械臂4602及第二機械臂4606的手柄可皆具有與傳送機械臂3422之手柄3420相同的形狀。替代地，用以與熱處理腔室之傳送板3240一起直接傳送且收納基板「W」的機械臂之手柄設置於與傳送機械臂3422之手柄3420之形狀相同的形狀，且剩餘機械臂的手柄可以不同於前述形狀的形狀設置。
根據實施例，索引機械臂2200可經設置以與設置於塗佈區塊30a中之前部熱處理腔室3200的加熱單元3230一起直接傳輸且收納基板「W」。
此外，設置於塗佈區塊30a及顯影區塊30b中的傳送機械臂3342可經設置以與定位於熱處理腔室3200中的傳送板3240直接交換基板「W」。
以下描述內容將關於根據本發明概念之基板處理設備之結構詳細地進行，前述基板處理設備藉由供應處理液體至在製程腔室中旋轉的基板而處理基板。以實例說明之，在以下描述內容將關於基板處理設備為塗覆光阻劑之設備進行描述。然而，基板處理設備可為用以在基板「W」旋轉時形成諸如保護膜或抗反射膜之膜的設備。替代地，基板處理設備可為用以供應處理液體，諸如顯影液體至基板「W」的設備。
圖7為示意性地圖示圖3之液體處理腔室的視圖。圖8為圖示圖7之噴嘴的透視圖。圖9為圖示圖7之液體處理腔室的平面圖。
參看圖7，液體處理腔室3600具有外殼3610、杯部3620、基板支撐單元3640、液體供應單元1000及待用埠5000。外殼3610具有大體上矩形長方體形狀。外殼3610以具有入口(未圖示)的側壁形成，前述入口用以引入或抽取基板「W」。入口可由門(未圖示)開啟。杯部3620、基板支撐單元3640、液體供應單元1000及待用埠5000設置於外殼3610中。扇形過濾器單元3670可設置於外殼3610的頂壁上，以在外殼3610內部形成下傾氣流。杯部3620具有處理空間，前述處理空間具有開放之上部部分。基板支撐單元3640設置於處理空間中以支撐基板「W」。基板支撐單元3640經設置，使得基板「W」在液體處理期間為可旋轉的。液體供應單元1000供應液體至藉由基板支撐單元3640支撐的基板「W」。
液體供應單元1000包括複數個噴嘴1100。複數個噴嘴1100中之每一者供應不同類型之處理液體。相互獨立的液體供應管連接至噴嘴1100。噴嘴1100在待用位置與製程位置之間移動以供應處理液體。製程位置為噴嘴1100可使處理液體排出至基板「W」之中心的位置，且待用位置為噴嘴1100在待用埠5000中待用的位置。舉例而言，處理液體可為諸如光阻劑的光敏液體。
待用埠5000提供噴嘴1100的空間以在處理容器的一側處待用。在執行液體處理製程之前且之後，噴嘴1100在待用埠5000處待用。待用埠5000清潔噴嘴1100，且防止在噴嘴1100之排出端中剩餘的處理液體硬化，同時噴嘴1100待用。
圖10為根據本發明概念之實施例之待用埠的透視圖，圖11為根據本發明概念之實施例的待用埠之分解透視圖，圖12為在圖10之噴嘴收納構件自一側檢視時的橫截面圖，圖13為圖示自相反側檢視時圖10之噴嘴收納構件的橫截面圖，圖14為圖示在自底部檢視時圖10之噴嘴收納構件的仰視圖，且圖15為圖10之噴嘴收納構件之噴嘴清潔單元的橫截面圖。
參看圖7及圖9，待用埠5000安置於外殼3610中。待用埠5000在外殼3610中安置於杯部3620外部。待用埠5000設置於對應於噴嘴1100之待用位置的位置處。待用埠5000可定位於移動路徑中，噴嘴1100經由前述移動路徑在製程位置與待用位置之間移動。
參看圖10及圖11，待用埠5000包括噴嘴收納構件5200及管固定構件5400。此外，待用埠5000可進一步包括排泄構件5600。噴嘴收納構件5200收納噴嘴1100以供待用。噴嘴收納構件5200清潔噴嘴1100，前述噴嘴1100正在待用且防止剩餘在噴嘴1100之排出端中的處理液體固化。
參看圖12及圖13，噴嘴收納構件5200包括噴嘴收納單元5220、防溢流孔5240及防移動溝槽(結構) 5260。
噴嘴收納單元5220經設置以收納噴嘴1100。設置複數個噴嘴收納單元5220。舉例而言，噴嘴收納單元5220可以與噴嘴1100之數目一對一對應的數目提供。噴嘴收納單元5220彼此獨立地定位。因此，可防止產生自任一噴嘴1100的粒子對另一噴嘴1100或整個噴嘴1100產生影響。當自上方檢視時，噴嘴收納單元5220可經定位以在一個方向上彼此一致地對準。舉例而言，複數個噴嘴收納單元5220可沿著噴嘴清潔構件5200之較長側彼此一致地對準。
參看圖15，用以收納噴嘴1100或清潔液體「L」的收納空間5221形成於噴嘴收納單元5220內部。噴嘴收納單元5220具有面向垂直方向之圓柱體的形狀。噴嘴收納單元5220具有噴嘴收納單元5220之寬度向下經變窄且再次變寬的形狀。噴嘴收納單元5220具有噴嘴清潔單元5220a及排出單元5220b。噴嘴清潔單元5220a收納噴嘴1100。噴嘴清潔單元5220a提供用於清潔所收納噴嘴1100的空間。在清潔液體「L」在噴嘴清潔單元5220a之收納空間中以特定水位填充的狀態下，或在噴嘴1100之尖端向下移動至收納空間(5221)中且清潔液體「L」 以特定水位填充狀態下，噴嘴1100之尖端浸漬至清潔液體「L」以進行清潔。
複數個噴嘴清潔單元5220a分別設置於複數個噴嘴收納單元5220中。複數個噴嘴清潔單元5220a以與複數個噴嘴1100之數目一對一對應的數目提供。清潔液體「L」填充於對應於待清潔之噴嘴1100的噴嘴清潔單元5220a中，且噴嘴清潔製程關於個別噴嘴1100經個別且選擇性地執行。
噴嘴清潔單元5220a包括上部本體部分5222、第一傾斜部分5223、排出端收納部分5224及第二傾斜部分5225。上部本體部分5222、第一傾斜部分5223、排出端收納部分5224及第二傾斜部分5225經設置以依序向下延伸。上部本體部分5222設置為噴嘴清潔單元5220a的上部區。上部本體部分5222經設置以在垂直方向上具有均一寬度。待描述之上部本體部分5222及下部本體部分5228經設置以具有大於另一部分之寬度的寬度。
排出埠5282形成於上部本體部分5222的內部表面上。排出埠5282充當孔以使清潔液體「L」排出至上部本體部分5222。清潔液體供應管5002連接至排出埠5282，且清潔液體供應管5002將清潔液體自儲存槽(未圖示)供應至排出埠5282。舉例而言，清潔液體可提供為用於移除處理液體的液體及附接至噴嘴1100之排出端及周邊部分的外部物質。清潔液體可為包括氣泡的液體。清潔液體可包括稀釋劑。排出埠5282經定位以在自上方檢視時與噴嘴1100之尖端重疊。
第一傾斜部分5223具有自上部本體部分5222的下端向下延伸之圓柱體的形狀。第一傾斜部分5223經設置以具有向下逐漸減小的寬度。第一傾斜部分5223主要導引在收納空間5221中剩餘的液體以向下流動。
排出端收納部分5224具有自第一傾斜部分5223的下端向下延伸之圓柱體的形狀。排出端收納部分5224經設置以在垂直方向上具有均一寬度。係用於定位噴嘴1100之排出端之空間的排出端收納部分5224經設置以具有大於噴嘴1100之寬度的寬度。
第二傾斜部分5225自排出端收納部分5224的下端向下延伸。第二傾斜部分5225經設置以具有圓柱體形狀，前述圓柱體具有向下逐漸變窄的寬度。第一傾斜部分5223及第二傾斜部分5225可經設置以距地面分別具有範圍為30度至60度的傾斜角。
排出單元5220b安置於噴嘴清潔單元5220a下方。排出單元5220b與噴嘴清潔單元5220a連通。排出單元5220b於在噴嘴清潔單元5220a中清潔噴嘴之後使清潔液體向下排出。排出單元5220b包括第一埠5226及第二埠5227。排出單元5220b可進一步包括下部本體部分5228。第一埠5226、第二埠5227及下部本體部分5228依序向下延伸。
第一埠5226具有自第二傾斜部分5225之下端向下延伸之圓柱體的形狀。第一埠5226經設置以具有小於另一部分之寬度的寬度。舉例而言，第一埠5226之寬度可經設置以大於噴嘴1100之排出端的內部直徑。此外，第一埠5226經設置以具有小於垂直長度上另一部分之長度的長度。舉例而言，第一埠5226在垂直方向上之長度可經設置以小於噴嘴1100之排出端的內部直徑。第一埠5226之長度可防止通過第一埠5226之氣泡回流且向上流動。
第二埠5227具有自第一埠5226之下端向下延伸之圓柱體的形狀。第二埠5227具有圓柱體之形狀，前述圓柱體具有向下變寬的寬度。第二埠5227經形成以關於第一埠5226的延伸方向傾斜。在此狀況下，第一埠5226與第二埠5227之間的角度Θ可具有大於90°且小於180°的範圍。因此，通過第一埠5226的氣泡爆裂，或變得更大，以防止回流。
下部本體部分5228具有自第二埠5227之下端向下延伸之圓柱體的形狀。下部本體部分5228經設置以在垂直方向上具有均一寬度。舉例而言，下部本體部分5228可具有與上部本體部分5222之寬度相同的寬度。排出管線(未圖示)連接至下部本體部分5228。排出管線排出傳送至下部本體部分5228之清潔液體至外部。閥安裝於排出管線上以開啟或關閉排出管線。
控制器(未圖示)控制安裝於排出管線上的閥。控制器對閥進行控制以在排出清潔液體「L」中間關閉排出管線，使得清潔液體「L」填充於收納空間5221中。因此，噴嘴1100之排出端浸漬至填充於收納空間5221中的清潔液體「L」中，使得排出端經清潔。
參看圖12至圖14，噴嘴收納構件5200包括防溢流孔5240。隨著噴嘴收納構件5200之頂表面5202經凹入，形成防氣流孔5240。防溢流孔5240的橫截面面積小於或類似於噴嘴收納單元5220的橫截面面積。防溢流孔5240與噴嘴清潔單元5220a連通。設置複數個防溢流孔5240。複數個防溢流孔5240以與複數個噴嘴收納單元5220之數目一對一對應的數目提供。防溢流孔5240在垂直於複數個噴嘴清潔單元5220a之配置方向的方向上與複數個噴嘴清潔單元5220a連通。防溢流孔5240防止填充於收納空間5221中的清潔液體及光阻劑自收納空間5221的頂部溢出。此外，防溢流孔5240調整填充於噴嘴清潔單元5220a中清潔液體「L」的水位。因此，防溢流孔5240經形成以具有對應於噴嘴清潔單元5220a之縱向方向的長度。防溢流孔5240設置於排出埠5282的相對側處。
參看圖12，步階式部分5230插入於防溢流孔5240與噴嘴收納單元5220之間。步階式部分5230形成用於允許防溢流孔5240及噴嘴收納單元5220彼此連通的通路。步階式部分5230形成噴嘴收納單元5220之上部本體部分5222與防溢流孔5240之間的通信路徑。在自上方檢視時，步階式部分5230經設置以自上部本體部分5222及防溢流孔5240向內突出。步階式部分5230經設置以自上部本體部分5222及第一傾斜部分5223連接至彼此的部分向上突出。因此，自排出埠5282排出之清潔液體「L」可經誘發以首先填充於噴嘴清潔單元5220a中。
防移動溝槽(結構) 5260自噴嘴收納構件5200之底表面5204向上凹入。防移動溝槽(結構) 5260經形成以沿著噴嘴收納單元5220及防溢流孔5240的外部圓周延伸。更詳細而言，防移動溝槽(結構) 5260沿著排出單元5220b之下部本體部分5228及防溢流孔5240的圓周延伸。當排泄清潔液體「L」時，防移動溝槽(結構) 5260防止清潔液體「L」左右移動，藉此防止排泄速率滯後。
圖16為圖示圖10之噴嘴收納構件及管固定構件耦接至彼此的視圖。圖17為示意性地圖示圖16之噴嘴收納構件及管固定構件耦接至彼此之程序的視圖。
參看圖16，噴嘴收納構件5200包括排出部分5280。排出部分5280設置於噴嘴收納構件5200的側表面中。排出部分5280自噴嘴收納構件5200的側表面突出。清潔液體供應管5002耦接至排出部分5280。流過清潔液體供應管5002的清潔液體經由排出部分5280排出至收納空間5221。
排出部分5280包括耦接部分5286，清潔液體供應管5002插入至前述耦接部分5286中且耦接至管固定構件5400。耦接部分5286自噴嘴收納構件5200的側表面突出。耦接部分5286包括具有第一寬度的第一部分5286a，及自第一部分5286a延伸且具有小於第一寬度之寬度的第二部分5286b。耦接部分5286之第二部分5286b的寬度在遠離第一部分的方向上減小。自清潔液體供應管5002排出的清潔液體「L」流過之排出流體通路5284形成於耦接部分5286內部。排出埠5282定位於排出流體通路5284的末端中。排出埠5282設置於噴嘴清潔單元5220a的側表面中。排出埠5282設置於上部本體部分5222的內部表面上。排出埠5282之寬度經設置以與收納於噴嘴收納單元5220中的噴嘴1100之末端的一部分重疊。因此，自排出埠5282排出的清潔液體「L」沿著噴嘴1100之外部圓周表面旋轉以移動至噴嘴1100之外部圓周表面的表面，前述表面與清潔液體「L」的排出方向相對。在此狀況下，噴嘴1100之整個表面可經均一地清潔。
參看圖16及圖17，管固定構件5400耦接至噴嘴收納構件5200。管固定構件5400耦接至噴嘴收納構件5200的一側。管固定構件5400固定清潔液體供應管5002以供應清潔液體「L」至噴嘴收納構件5200。管固定構件5400包括管插入孔5420及防洩漏溝槽(結構) 5440。
管插入孔5420通過管固定構件5400的兩個側表面形成。清潔液體供應管5002插入至管插入孔5420中。管插入孔5420的直徑等於或稍微大於清潔液體供應管5002的外部直徑。管插入孔5420的直徑經設置以小於耦接部分5286之第二部分5286b之末端的直徑。管插入孔5420的直徑經設置以係小於耦接部分5286之第二部分5286b的最小寬度。因此，當噴嘴收納構件5200及管固定構件5400完全耦接至彼此時，耦接部分5286的末端壓入至管插入孔5420中，以防止清潔液體「L」洩漏。
防洩漏溝槽(結構) 5440形成於管插入孔5420的內表面中。防洩漏溝槽(結構) 5440形成於管插入孔5420之內表面的耦接部分5286耦接至的部分中。防洩漏溝槽(結構) 5440經設置以具有大於管插入孔5420之直徑的直徑。防洩漏溝槽(結構) 5440可經設置以具有小於或稍大於耦接部分5286之第一部分5286a之直徑的直徑。防洩漏溝槽(結構) 5440可經設置以具有大於耦接部分5286之第二部分5286b之最大直徑的直徑。
防洩漏溝槽(結構) 5440包括定位於管插入孔5420之內表面外部的第一表面5442，及用於將管插入孔5420的內表面鏈接至第一表面5442的第二表面5444。第一表面5442經設置為平行於管插入孔5420的內表面，且第二表面5444經設置為以垂直於管插入孔5420的內表面。當噴嘴收納構件5200及管固定構件5400耦接至彼此時，管插入孔5420之內表面及第二表面5444鏈接至彼此所在的點P1與耦接部分5286接觸，且經加壓，藉此防止清潔液體「L」洩漏。當噴嘴收納構件5200及管固定構件5400耦接至彼此時，管插入孔5420之內表面與第二表面5444鏈接至彼此所在的點P1與清潔液體供應管5002接觸，藉此防止清潔液體「L」洩漏。
圖18為根據本發明概念之實施例的示意性地圖示在待用埠中清潔噴嘴之製程的視圖。
參看圖18，排出埠5282自噴嘴1100之中心偏心地定位。在自上方檢視時，排出埠5282經設置以與噴嘴1100部分重疊。在此狀況下，自排出埠5282排出之清潔液體「L」可沿著面向噴嘴1100之外部圓周表面流動以清潔噴嘴1100的整個表面。
下文中，將描述用於藉由使用上述基板處理設備1來處理基板的方法。
下文中，將描述用於藉由使用上述基板處理設備1來處理基板的方法。用於處理基板的方法包括處理液體及清潔噴嘴1100。在液體處理中，噴嘴1100經定位至製程位置以供應處理液體於基板上。當處理液體經完全供應時，噴嘴1100停止供應處理液體，且執行噴嘴1100的清潔。
噴嘴1100之清潔包括形成第一氣體層，清潔噴嘴之排出端，形成液體層及形成第二氣體層。在形成第一氣體層中，在自製程位置移動噴嘴1100至待用位置之前，定位於噴嘴1100之排出端處的處理液體抽吸回以在與處理液體之排出方向相對的方向上移動。當處理液體之末端經定位以高於噴嘴1100的排出端時，噴嘴1100移動至待用位置。
在清潔排出端的步驟中，噴嘴1100之排出端經定位為插入至收納空間52221中，使得噴嘴1100之排出端浸漬至填充於收納空間5221中的清潔液體「L」中。在此狀況下，排出管線經維持為關閉以防止清潔液體「L」的水位改變。噴嘴1100之排出端藉由清潔液體「L」清潔。由於第一氣體層形成於噴嘴1100之排出端與處理液體之末端之間，因此防止清潔液體「L」引入至噴嘴1100中。當噴嘴1100之排出端及噴嘴1100的周邊部分經完全清潔時，執行形成液體層。
在形成液體層中，抽吸收納於收納空間5221中的清潔液體「L」。因此，設置於噴嘴1100中之處理液體及第一氣體層吸回在一起，且液體層由清潔液體「L」在與處理液體隔開的位置處形成。由清潔液體「L」製成之液體層可經部分蒸發以防止處理液體的末端被固化。
當形成液體層完成時，排出管線開啟以排出填充於收納空間5221中的清潔液體「L」。當排出清潔液體「L」時，噴嘴1100之內部部分經抽吸以形成第二氣體層。第二氣體層形成於噴嘴1100之排出端與液體層之間。因此，處理液體、第一氣體層、液體層及第二氣體層可依序向下形成於噴嘴1100內。
根據本發明概念，複數個噴嘴可經個別且選擇性地清潔。
此外，根據本發明概念之實施例，噴嘴的整個表面可經清潔。
此外，根據本發明概念的實施例，可在噴嘴待用同時防止噴嘴被污染。
此外，根據本發明概念之實施例，可防止針對噴嘴之清潔液體自供應管洩漏以供應清潔液體至待用埠。
此外，根據本發明概念之實施例，收納於待用埠中之清潔液體的水位可經調整，且可防止清潔液體自待用埠溢出。
此外，根據本發明概念之實施例，當清潔液體在執行清潔製程之後排出時，可防止排出速率滯後。
此外，根據本發明概念之實施例，可防止噴嘴管中的光阻劑固化。
在本發明概念中產生的效應不限於前述效應，且本文中未提及的任何其他效應將由熟習本發明概念係關於的技術者自詳細描述及隨附圖式來清楚地理解。
以上描述已出於說明性目的進行。此外，上述內容描述本發明概念的實施例，且本發明概念可用於各種其他組合、改變及環境中。即，本發明概念可在不偏離揭示於說明書中之本發明概念的範疇、所撰寫之揭示內容的等效範疇及/或熟習此項技術者的技術或知識範圍情況下修改且校正。所撰寫實施例描述用於實施本發明概念之技術精神的最佳狀態，且可進行在本發明概念之詳述應用領域及用途中要求的各種改變。所撰寫實施例描述用於實施本發明概念之技術精神的最佳狀態，且可進行在本發明概念之詳述應用領域及用途中要求的各種改變。此外，應理解，隨附申請專利範圍包括其他實施例。
雖然本發明概念已參看實施例進行了描述，但對於熟習此項技術者顯而易見的是，各種改變及修改可進行而不偏離本發明概念的精神及範疇。因此，應理解，以上實施例並非限制性而是說明性的。
1:基板處理設備 10:容器 12:第一方向 14:第二方向 16:第三方向 20:索引模組 22:載入埠 24:索引框架 30:處理模組 30a:塗佈區塊 30b:顯影區塊 40:介面模組 50:外部曝光裝置 1000:液體供應單元 1100:噴嘴 2200:索引機械臂 2220、3420:手柄 2300、3249、3300:導引軌條 3200:熱處理腔室 3210、3610:外殼 3220:冷卻單元 3222:冷卻板 3224:冷卻構件 3230:加熱單元 3232:加熱板 3233:加熱器 3234:蓋子 3236、3246:驅動器 3238:提升銷 3240:傳送板 3242:導引溝槽 3244:凹口 3400:傳送腔室 3422:傳送機械臂 3428:基座 3429:支撐突出部 3600、3602:液體處理腔室 3604:後部液體處理腔室 3620:杯部 3640:基板支撐單元 3670:扇形過濾器單元 3800:緩衝腔室 3802:前部緩衝器 3804:後部緩衝器 4100:介面框架 4200:額外製程腔室 4400:介面緩衝器 4600:傳送構件 4602:第一機械臂 4606:第二機械臂 5000:待用埠 5002:清潔液體供應管 5200:噴嘴收納構件 5202:頂表面 5204:底表面 5220:噴嘴收納單元 5220a:噴嘴清潔單元 5220b:排出單元 5221:收納空間 5222:上部本體部分 5223:第一傾斜部分 5224:排出端收納部分 5225:第二傾斜部分 5226:第一埠 5227:第二埠 5230:步階式部分 5240:防溢流孔 5260:防移動溝槽(結構) 5280:排出部分 5282:排出埠 5284:排出流體通路 5286:耦接部分 5286a:第一部分 5286b:第二部分 5400:管固定構件 5420:管插入孔 5440:防洩漏溝槽(結構) 5442:第一表面 5444:第二表面 5600:排泄構件 L:清潔液體 W:基板 P1:點
以上及其他目標及特徵參看以下諸圖自以下描述將變得顯而易見，其中貫穿各種諸圖，相似參考數字指類似部分，除非以其他方式指明。
圖1為根據本發明概念之實施例的示意性地圖示用於處理基板之設備的視圖。
圖2為基板處理設備的橫截面圖，前述橫截面圖圖示圖1之塗佈區塊或顯影區塊。
圖3為圖示圖1之基板處理設備的平面圖。
圖4為圖示圖3之傳送單元之手柄的視圖。
第5圖為示意性地圖示圖3之熱處理腔室的平面圖。
圖6為圖示第5圖之熱處理腔室的正視圖。
圖7為示意性地圖示圖3之液體處理腔室的視圖。
圖8為圖示圖7之噴嘴的透視圖。
圖9為圖示圖7之液體處理腔室的平面圖。
圖10為根據本發明概念之待用埠的透視圖。
圖11為根據本發明概念之實施例的待用埠的分解透視圖。
圖12為圖10之噴嘴收納構件的自一側檢視時的橫截面圖；圖13為圖10之噴嘴收納構件的自相反側檢視時的橫截面圖。
圖14為圖10之噴嘴收納構件的自底部檢視時的仰視圖。
圖15為圖示圖10之噴嘴收納構件之噴嘴清潔單元的橫截面圖。
圖16為圖示圖10之噴嘴收納構件及管固定構件耦接至彼此的視圖。
圖17為示意性地圖示圖16之噴嘴收納構件及管固定構件耦接至彼此之程序的視圖。
圖18為根據本發明概念之實施例的示意性地圖示在待用埠中清潔噴嘴之製程的視圖。
1:基板處理設備
12:第一方向
14:第二方向
16:第三方向
20:索引模組
22:載入埠
24:索引框架
30:處理模組
30a:塗佈區塊
30b:顯影區塊
40:介面模組
50:外部曝光裝置

Claims (20)

  1. 一種基板處理設備，包含： 處理容器，前述處理容器具有用以處理基板的處理空間； 待用埠，前述待用埠定位於前述處理容器的一側處，以允許排出處理液體的噴嘴待用；及 液體供應單元，前述液體供應單元在前述處理容器與前述待用埠之間移動且具有前述噴嘴， 其中前述待用埠包括： 噴嘴收納構件，前述噴嘴收納構件包括具有收納空間的噴嘴清潔單元，前述收納空間形成於前述噴嘴清潔單元內部以收納前述噴嘴、及清潔液體；及 排出部分，前述排出部分具有設置於前述噴嘴清潔單元之一側處的排出埠，以將清潔液體排出至前述噴嘴，且 其中前述排出埠經設置以在自上方檢視時與前述噴嘴的至少一部分重疊。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中自前述排出埠供應之前述清潔液體沿著前述噴嘴之外表面及噴嘴收納單元的壁旋轉。
  3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中自前述排出埠排出之前述清潔液體旋轉至前述噴嘴之前述外表面的表面，前述表面在前述清潔液體之排出方向上定位於相對側處。
  4. 如請求項1所述之基板處理設備，其中複數個前述噴嘴清潔單元經設置、經定位為彼此相互獨立的，且在自上方檢視時在一個方向上配置。
  5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中前述待用埠包括防溢流孔，前述防溢流孔經設置以在垂直於複數個前述噴嘴清潔單元之配置方向的方向上與複數個前述噴嘴清潔單元連通。
  6. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述待用埠包括： 管固定構件，前述管固定構件耦接至前述噴嘴收納構件以固定清潔液體供應管，以供應前述清潔液體至前述排出埠， 其中前述管固定構件包括前述清潔液體供應管插入的管插入孔、及形成於前述管插入孔中的防洩漏溝槽(結構)。
  7. 如請求項6所述之基板處理設備，其中前述排出埠包括： 耦接部分，前述耦接部分自前述噴嘴收納構件之側表面突出，其中前述清潔液體供應管耦接至前述耦接部分， 其中前述耦接部分包括： 具有第一寬度的第一部分、及自前述第一部分延伸且具有小於前述第一寬度之寬度的第二部分，且 其中前述管插入孔的直徑經設置為小於前述耦接部分之前述第二部分之末端的寬度。
  8. 如請求項5所述之基板處理設備，其中前述噴嘴收納構件包括： 防移動溝槽(結構)，前述防移動溝槽(結構)設置於前述噴嘴收納構件之底表面中，且 其中前述防移動溝槽(結構)沿著前述噴嘴清潔單元及前述防溢流孔的圓周延伸。
  9. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述噴嘴收納構件包括： 排出部分，前述排出部分定位於前述噴嘴清潔單元下方， 其中前述排出部分包括： 第一埠，前述第一埠自前述噴嘴清潔單元的下端向下延伸；及 第二埠，前述第二埠自前述第一埠向下延伸且具有在遠離前述第一埠的方向上增大的寬度，且 其中前述第一埠與前述第二埠之間的角度設置為鈍角。
  10. 如請求項9所述之基板處理設備，其中前述第一埠在垂直方向上的長度設置為小於前述噴嘴之排出端的內部直徑。
  11. 如請求項1至10中任一項所述之基板處理設備，其中前述處理液體包括光阻劑，且前述清潔液體包括稀釋劑。
  12. 一種基板處理設備，包含： 處理容器，前述處理容器具有用以處理基板的處理空間； 待用埠，前述待用埠定位於前述處理容器的一側處，以允許排出處理液體的噴嘴待用；及 液體供應單元，前述液體供應單元在前述處理容器與前述待用埠之間移動且具有前述噴嘴， 其中前述待用埠包括： 噴嘴收納構件，前述噴嘴收納構件包括具有收納空間的噴嘴清潔單元，前述收納空間形成於前述噴嘴清潔單元內部以收納前述噴嘴、及清潔液體；及 排出部分，前述排出部分具有設置於前述噴嘴清潔單元之一側處的排出埠，以將前述清潔液體供應至前述噴嘴，且 其中前述排出埠經設置以與前述噴嘴之至少一部分重疊，且在自上方檢視時設置於前述噴嘴之中心軸線的一側處。
  13. 如請求項12所述之基板處理設備，其中自前述排出埠供應之前述清潔液體沿著前述噴嘴之外表面旋轉，且 其中前述清潔液體旋轉至前述噴嘴之前述外表面的表面，前述表面在前述排出埠的方向上定位於相對側處。
  14. 如請求項12所述之基板處理設備，其中複數個前述噴嘴清潔單元經設置、經定位為彼此相互獨立的，且在自上方檢視時在一個方向上配置。
  15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中前述待用埠包括： 防溢流孔，前述防溢流孔經設置以在垂直於複數個前述噴嘴清潔單元之配置方向的方向上與複數個前述噴嘴清潔單元連通；及 防移動溝槽(結構)，前述防移動溝槽(結構)設置於前述噴嘴收納構件之底表面中，且 其中前述防移動溝槽(結構)沿著前述噴嘴清潔單元及前述防溢流孔的圓周延伸。
  16. 如請求項12所述之基板處理設備，其中前述待用埠包括： 管固定構件，前述管固定構件耦接至前述噴嘴收納構件以固定清潔液體供應管，以供應前述清潔液體至前述排出埠， 其中前述管固定構件包括前述清潔液體供應管插入的管插入孔、及形成於前述管插入孔中的防洩漏溝槽(結構)。
  17. 如請求項12至16中任一項所述之基板處理設備，其中前述處理液體包括光阻劑，且前述清潔液體包括稀釋劑。
  18. 一種用於藉由使用如請求項1所述之基板處理設備來處理基板的方法，前述方法包含以下步驟： 在移動至前述待用埠之前，隨著前述噴嘴抽吸回填充於前述噴嘴之排出端中的前述處理液體，在前述噴嘴的前述排出端處形成第一氣體層； 在前述第一氣體層經形成的狀態下，藉由將前述排出端插入至前述收納空間中來清潔前述排出端； 在前述排出端浸漬至前述清潔液體中的狀態下，隨著前述排出端抽吸回前述清潔液體而形成液體層；及 在前述清潔液體自前述收納空間排出的狀態下，隨著前述噴嘴抽吸回，在前述排出端處形成第二氣體層， 其中在前述排出端的前述清潔中，前述清潔液體經排出，使得前述清潔液體旋轉至前述噴嘴之外表面的表面，前述表面在前述清潔液體之排出方向上定位於相對側處。
  19. 如請求項18所述之方法，其中在前述排出端的前述清潔中， 前述收納空間填充有經由前述噴嘴排出的前述清潔液體，且 其中在前述第一氣體層經形成的狀態下，隨著前述噴嘴插入至前述收納空間中使得前述排出端浸漬至填充在前述收納空間中的前述清潔液體中，前述排出端經清潔。
  20. 如請求項18或19所述之方法，其中前述處理液體包括光阻劑，且前述清潔液體包括稀釋劑。
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