CN114695196A - 基板处理设备和用于基板处理设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理设备和用于基板处理设备的方法。基板处理设备包括：处理容器，其具有用于处理基板的处理空间；待用端口，其定位于处理容器的一侧处以允许排出处理液体的喷嘴待用；及液体供应单元，其在处理容器与待用端口之间移动且具有喷嘴。所述待用端口包括：喷嘴接收构件，其包括具有接收空间的喷嘴接收单元，接收空间形成于喷嘴接收单元内部以接收喷嘴及清洁液体；及排出部分，其具有设置于喷嘴清洁单元的一侧处以将清洁液体排出至喷嘴的排出端口。所述排出端口经设置以在自上方观察时与喷嘴的至少一部分重叠。

Description

基板处理设备和用于基板处理设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月31日提交韩国专利局的韩国专利申请号10-2020-0189124的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文中所描述的本发明概念的实施例涉及一种基板处理设备和一种用于基板处理设备的方法。
背景技术
为了制造半导体装置，需要执行诸如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入工艺的各种工艺。在前述工艺中，光刻工艺包括：将诸如光致抗蚀剂/光刻胶的光致抗蚀剂液体涂覆至基板上以在基板上形成光致抗蚀剂层的涂覆工艺、将电路图案转印至形成于基板上的层上的曝光工艺，及自基板选择性地移除曝光区或曝光区的相反区的显影工艺。
在液体处理工艺中，喷嘴定位于面向基板的位置以在液体处理工艺期间将处理液体供应至基板上，且在液体处理工艺之前及之后于待用端口中待用。待用端口包括有包括接收空间的共同本体，且多个喷嘴接收于共同本体的接收空间中。接收于接收空间中的多个喷嘴在待用同时朝向喷嘴的排出端排出清洁液体，且排出端及周边部分一起被清洁。
然而，即使喷嘴的面向用以排出清洁液体的端口的区经清洁，区的相反侧仍可能不能经平滑地清洁。
此外，多个喷嘴在待用同时使诸如光致抗蚀剂的处理液体排出至共同本体。在将处理液体排出至共同本体的工艺期间产生的大量水气可污染周围喷嘴。
此外，由于接收于喷嘴接收空间中的多个喷嘴经同时清洁，甚至并不需要被清洁的喷嘴经清洁，因此喷嘴的清洁液体被过量使用。
发明内容
本发明概念的实施例提供一种能够个别或选择性地清洁多个喷嘴的基板处理设备。
本发明概念的实施例提供一种能够清洁喷嘴的整个表面的基板处理设备。
本发明概念的实施例提供一种能够在喷嘴待用同时防止喷嘴被污染的基板处理设备。
本发明概念的实施例提供一种能够防止清洁液体自供应管泄漏的基板处理设备，前述供应管用以将喷嘴清洁液体供应至待用端口中。
本发明概念的实施例提供一种能够调整在待用端口中接收的清洁液体的水位且能够防止清洁液体在待用端口上方流动的基板处理设备。
本发明概念的实施例提供一种能够在清洁液体在清洁喷嘴之后被排出时防止清洁液体的排出速率滞后的基板处理设备。
本发明概念的实施例提供一种能够防止喷嘴管中的光致抗蚀剂固化的用于处理基板的方法。
将在本发明概念中达成的目标不限于以上目标，而且并未提及的其他目标将由本领域技术人员显而易见地理解。
本发明概念公开一种基板处理设备。
基板处理设备包括：处理容器，前述处理容器具有用于处理基板的处理空间；待用端口，前述待用端口定位于处理容器的一侧处以允许排出处理液体的喷嘴待用；及液体供应单元，前述液体供应单元在处理容器与待用端口之间移动且具有喷嘴。待用端口包括：喷嘴接收构件，前述喷嘴接收构件包括喷嘴清洁单元，前述喷嘴清洁单元具有形成于喷嘴清洁单元内部以接收喷嘴及清洁液体的接收空间；及排出部分，前述排出部分具有设置于喷嘴清洁单元的一侧处，以将清洁液体排出至喷嘴的排出端口。排出端口经设置以在自上方观察时与喷嘴的至少一部分重叠。
自排出端口供应的清洁液体可沿着喷嘴的外表面及喷嘴接收单元的壁旋转。
自排出端口排出的清洁液体可旋转至喷嘴的外表面的表面，前述表面在清洁液体的排出方向上定位于相对侧处。
多个喷嘴清洁单元经设置、经定位为彼此相互独立的，且在自上方观察时在一个方向上配置。
待用端口可包括防溢流孔，前述防溢流孔经设置以在垂直于多个喷嘴清洁单元的配置方向的方向上与多个喷嘴清洁单元连通。
待用端口可包括管固定构件，前述管固定构件耦接至喷嘴接收构件以固定清洁液体供应管以将清洁液体供应至排出端口，且管固定端口可包括清洁液体供应管被插入的管插入孔及形成于管插入孔中的防泄漏沟槽结构。
排出端口可包括自喷嘴接收构件的侧表面突出的耦接部分，其中清洁液体供应管耦接至耦接部分。耦接部分可包括具有第一宽度的第一部分，及自第一部分延伸且具有小于第一宽度的宽度的第二部分。管插入孔的直径可经设置以小于耦接部分的第二部分的末端的宽度。
喷嘴接收构件可包括设置于喷嘴接收构件的底表面中的防移动沟槽结构。防移动沟槽结构可沿着喷嘴清洁单元及防溢流孔的圆周延伸。
喷嘴接收构件可包括定位于喷嘴清洁单元下方的排出部分。排出部分可包括自喷嘴清洁单元的下端向下延伸的第一端口、及自第一端口向下延伸且具有在远离第一端口的方向上增大的宽度的第二端口。第一端口与第二端口之间的角度可设置为钝角。
第一端口在垂直方向上的长度可经设置为小于喷嘴的排出端的内径。
处理液体可包括光致抗蚀剂，且清洁液体可包括稀释剂(thinner)。
本发明概念公开一种基板处理设备。
基板处理设备包括：处理容器，前述处理容器具有用于处理基板的处理空间；待用端口，前述待用端口定位于处理容器的一侧处以允许排出处理液体的喷嘴待用；及液体供应单元，前述液体供应单元在处理容器与待用端口之间移动且具有喷嘴。待用端口包括：喷嘴接收构件，前述喷嘴接收构件包括喷嘴清洁单元，前述喷嘴清洁单元具有形成于喷嘴清洁单元内部以接收喷嘴及清洁液体的接收空间；及排出部分，前述排出部分具有设置于喷嘴清洁单元的一侧处以将清洁液体供应至喷嘴的排出端口。排出端口经设置以与喷嘴的至少一部分重叠，且在自上方观察时可设置于自喷嘴的中心轴线起的一侧处。
自排出端口供应的清洁液体可沿着喷嘴的外表面旋转，且清洁液体可旋转至喷嘴的外表面的表面，前述表面在清洁液体的排出端口方向上定位于相对侧处。
多个喷嘴清洁单元经设置、经定位为彼此相互独立的，且在自上方观察时在一个方向上配置。
待用端口可包括防溢流孔，前述防溢流孔经设置以在垂直于多个喷嘴清洁单元的配置方向的方向上与多个喷嘴清洁单元连通；及设置于喷嘴接收构件的底表面中的防移动沟槽结构。防移动沟槽结构可沿着喷嘴清洁单元及防溢流孔的圆周延伸。
待用端口可包括管固定构件，前述管固定构件耦接至喷嘴接收构件以固定清洁液体供应管以将清洁液体供应至排出端口，且管固定端口可包括清洁液体供应管被插入的管插入孔及形成于管插入孔中的防泄漏沟槽结构。
处理液体可包括光致抗蚀剂，且清洁液体可包括稀释剂。
本发明概念公开一种用于借由使用基板处理设备来处理基板的方法。
用于处理基板的方法包括：随着喷嘴在移动至待用端口之前抽吸回填充于喷嘴的排出端中的处理液体，在喷嘴的排出端处形成第一气体层；借由在形成第一气体层的状态下将排出端插入至接收空间中来清洁排出端；随着在排出端浸渍至清洁液体的状态下排出端抽吸回清洁液体，形成液体层；及随着喷嘴在清洁液体自接收空间排出的状态下抽吸回，在排出端处形成第二气体层。在排出端的清洁中，清洁液体经排出，使得清洁液体旋转至喷嘴的外表面的表面，前述表面在排出端口的排出方向上定位于相对侧处。
在排出端的清洁中，随着接收空间填充有通过喷嘴排出的清洁液体，排出端经清洁。在形成第一气体层的状态下，喷嘴插入至接收空间中，使得排出端浸渍至填充在接收空间中的清洁液体中。
处理液体可包括光致抗蚀剂，且清洁液体可包括稀释剂。
附图说明
以上及其他目标及特征参见以下附图、根据以下描述将变得显而易见，其中贯穿各种附图，相似附图标记指类似部分，除非以其他方式指明。
图1为根据本发明概念的实施例的示意性地图示用于处理基板的设备的视图。
图2为基板处理设备的横截面图，前述横截面图图示图1的涂覆区块或显影区块。
图3为图示图1的基板处理设备的平面图。
图4为图标图3的传送单元的手柄的视图。
图5为示意性地图示图3的热处理腔室的平面图。
图6为图示图5的热处理腔室的正视图。
图7为示意性地图示图3的液体处理腔室的视图。
图8为图示图7的喷嘴的透视图。
图9为图示图7的液体处理腔室的平面图。
图10为根据本发明概念的待用端口的透视图。
图11为根据本发明概念的实施例的待用端口的分解透视图。
图12为图10的喷嘴接收构件的自一侧观察时的横截面图；
图13为图10的喷嘴接收构件的自相反侧观察时的横截面图。
图14为图10的喷嘴接收构件的自底部观察时的仰视图。
图15为图示图10的喷嘴接收构件的喷嘴清洁单元的横截面图。
图16为图示图10的喷嘴接收构件及管固定构件耦接至彼此的视图。
图17为示意性地图示图16的喷嘴接收构件及管固定构件耦接至彼此的程序的视图。
图18为根据本发明概念的实施例的示意性地图示在待用端口中清洁喷嘴的工艺的视图。
*附图标记清单*
1：基板处理设备
10：容器
12：第一方向
14：第二方向
16：第三方向
20：索引模块
22：载入端口
24：索引框架
30：处理模块
30a：涂覆区块
30b：显影区块
40：接口模块
50：外部曝光装置
1000：液体供应单元
1100：喷嘴
2200：索引机械臂
2220、3420：手柄
2300、3249、3300：导引轨条
3200：热处理腔室
3210、3610：外壳
3220：冷却单元
3222：冷却板
3224：冷却构件
3230：加热单元
3232：加热板
3233：加热器
3234：盖子
3236、3246：驱动器
3238：提升销
3240：传送板
3242：导引沟槽
3244：凹口
3400：传送腔室
3422：传送机械臂
3428：基座
3429：支撑突出部
3600、3602：液体处理腔室
3604：后部液体处理腔室
3620：杯部
3640：基板支撑单元
3670：扇形过滤器单元
3800：缓冲腔室
3802：前部缓冲器
3804：后部缓冲器
4100：界面框架
4200：额外工艺腔室
4400：界面缓冲器
4600：传送构件
4602：第一机械臂
4606：第二机械臂
5000：待用端口
5002：清洁液体供应管
5200：喷嘴接收构件
5202：顶表面
5204：底表面
5220：喷嘴接收单元
5220a：喷嘴清洁单元
5220b：排出单元
5221：接收空间
5222：上部本体部分
5223：第一倾斜部分
5224：排出端接收部分
5225：第二倾斜部分
5226：第一端口
5227：第二端口
5230：步阶式部分
5240：防溢流孔
5260：防移动沟槽结构
5280：排出部分
5282：排出端口
5284：排出流体通路
5286：耦接部分
5286a：第一部分
5286b：第二部分
5400：管固定构件
5420：管插入孔
5440：防泄漏沟槽结构
5442：第一表面
5444：第二表面
5600：排泄构件
L：清洁液体
W：基板
P1：点
具体实施方式
下文中，本发明概念的实施例将详细参见附图来描述以允许本领域技术人员易于再现本发明概念。然而，本发明概念可以各种形式实施，且不限于本文中所描述的实施例。此外，在本发明概念的以下描述内容中，熟知技术或功能的详细描述将不予考虑以便不会不必要地使本发明概念的主旨混淆。此外，贯穿附图，执行类似功能及类似操作的部分将被指派有相同附图标记。
当某部分“包括”某组件时，某部分并不排除其他组件，而且在存在特定相对描述内容情况下可进一步包括其他组件。详细而言，应进一步理解，术语“包含(comprise、comprising)”、“包括(include、including)”或“具有”指定所陈述特征、数字、步骤、操作、组件、部分或期组合的存在，但并不排除一或多个其他特征、数字、步骤、操作、组件、部分及/或其组合的存在或添加。
单数形式意欲包括多形式，除非上下文以其他方式清楚地指示。此外，附图中组件的形状及大小将为了更清楚的描述予以夸示。
术语“及/或”包括相关联组件中的任一者及一或多者的所有组合。此外，在本说明书中，词语“经连接”指示不仅构件A与构件B之间的直接连接，而且指示构件A与构件B之间的间接连接，这是由于构件C插入于构件A与构件B之间。
本发明概念的实施例可以各种形式修改，且本发明概念的范畴不应解译为受以下内容中描述的本发明概念的实施例限制。本发明概念的实施例经提供以针对本领域技术人员更完整地描述本发明的概念。因此，附图中组件的形状及类似者经夸示以强调更清楚描述。
控制器(所图示)可控制基板处理设备的总体操作。控制器(未图标)可包括中央处理单元(central processing unit；CPU)、只读存储器(read only memory；ROM)及随机存取内存(random access memory；RAM)。依据储存于储存器区中的各种配方，CPU执行所要处理工艺，诸如液体处理或干燥处理。配方具有工艺时间、工艺压力、工艺温度及各种气体流动速率，前述各者是装置的针对工艺条件的控制信息，前述控制信息被输入至配方。同时，指示程序或处理条件的配方可记忆在硬盘或半导体内存中。此外，配方可设定于储存器区域中的特定位置处，同时接收于诸如CD-ROM或DVD的携带型计算机可读储存媒体中。
根据本发明的实施例的基板处理设备可用以执行光刻工艺、形成圆形基板。详细地，根据本发明的实施例，基板处理设备可用以连接至曝光装置以执行涂覆工艺及显影工艺。然而，本发明概念的技术精神并不限于此，而是可用于在使基板旋转同时供应处理液体至基板的各种类型的工艺中。以下描述内容将在集中于晶圆用作基板同时进行。
下文中，本发明概念的实施例将参见图1至图18来描述。
图1为根据本发明概念的实施例的示意性地图示基板处理设备的透视图；
图2为基板处理设备的横截面图，前述图2图示图1的涂覆区块或显影区块；且图3为图1的基板处理设备的平面图。
参见图1至图3，根据本发明概念的实施例，基板处理设备1包括索引模块(indexmodule)20、处理模块30及接口模块40。根据实施例，索引模块20、处理模块30及接口模块40彼此一致地依序对准。下文中，索引模块20、处理模块30及接口模块40经配置的方向将被称作第一方向12，在自上文观察时垂直于第一方向12的方向将被称作第二方向14，且垂直于所有第一方向12及第二方向14的方向将被称作第三方向16。
索引模块20将基板“W”自接收基板“W”的容器10传送至处理模块30，且经完全处理的基板“W”接收至容器10中。索引模块20的纵向方向设置于第二方向14上。索引模块20具有加载端口22及索引框架24。加载端口22基于索引框架24定位于处理模块30的相对侧处。具有基板“W”的容器10置放于加载端口22上。多个加载端口22可经设置且可配置于第二方向14上。
容器10可包括用于密封的容器10，诸如前开式整合舱(front open unified pod；FOUP)。容器10可由运输单元(未图标)，诸如空中传送、空中输送器或自动化导引载具或工作人员置放于加载端口22上。
索引机械臂2200设置于索引框架24内部。具有设置于第二方向14上的纵向方向的导引轨条2300可设置于索引框架24中，且索引机械臂2200可经设置为在导引轨条2300上可移动的。索引机械臂2200可包括定位基板“W”所在的手柄2220，且手柄2220可经设置为可前后移动的，围绕第三方向16可旋转的，且在第三方向16上可移动的。
处理模块30执行关于基板“W”的涂覆及显影工艺。处理模块30具有涂覆区块(COT)30a及显影区块(DEV)30b。涂覆区块30a形成关于基板“W”的涂覆工艺，且显影区块30b执行关于基板“W”的显影工艺。多个涂覆区块30a设置且堆栈于彼此上。多个显影区块30b设置且堆栈于彼此上。根据图1的实施例，提供两个涂覆区块30a，且提供两个显影区块30b。涂覆区块30a可安置于显影区块30b下方。根据实例，两个涂覆区块30a可经受同一工艺，且可设置于同一结构中。此外，两个显影区块30a可经受同一工艺，且可设置于同一结构中。
参见图3，涂覆区块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600及缓冲腔室3800。热处理腔室3200执行关于基板“W”的热处理工艺。热处理工艺可包括冷却工艺及加热工艺。液体处理腔室3600供应液体至基板“W”上以形成液体膜。液体膜可为光致抗蚀剂膜或抗反射膜。传送腔室3400将基板“W”在涂覆区块30a内部的加热处理腔室3200与液体处理腔室3600之间传送。
传送腔室3400具有平行于第一方向12的纵向方向。传送机械臂3422设置于传送腔室3400中。传送机械臂3422将基板“W”在加热处理腔室3200、液体处理腔室3600与缓冲腔室3800之间传送。根据实例，传送机械臂3422可包括定位基板“W”所在的手柄3420，且手柄3420可设置为可前后移动的，围绕第三方向16可旋转的，且在第三方向16上可移动的。具有平行于第二方向14的纵向方向的导引轨条3300设置于传送腔室3400中，且传送机械臂3422可设置为在导引轨条3300上可移动的。
图4为图标图3的传送单元的手柄的视图。
参见图4，手柄3420具有基座3428及支撑突出部3429。基座3428可具有圆周的一部分为弯曲的环孔形状。基座3428具有大于基板“W”的直径的内部直径。支撑突出部3429自基座3428向内延伸。多个支撑突出部3429经设置以支撑基板“W”的边缘区域。根据实例，四个支撑突出部3429可以相等距离设置。
设置多个热处理腔室3200。热处理腔室3200在第一方向12上配置。热处理腔室3200定位于传送腔室3400的一侧处。
图5为示意性地图示图3的热处理腔室的平面图，且图6为图示图5的热处理腔室的正视图。
参见图5及图6，热处理腔室3200具有外壳3210、冷却单元3220、加热单元3230及传送板3240。
外壳3210大体上具有矩形长方体形状。外壳3210以具有入口(未图示)的侧壁形成，前述侧壁用以引入或撤回基板“W”。入口可维持于开启状态。门(未图示)可经设置以选择性地开启或关闭入口。冷却单元3220、加热单元3230及传送板3240设置于外壳3210中。冷却单元3220及加热单元3230沿着第二方向14并排设置。根据实施例，冷却单元3220相较于加热单元3230可更靠近于传送腔室3400定位。
冷却单元3220具有冷却板3222。冷却板3222在自上方观察时可具有大体圆形形状。冷却板3222具有冷却构件3224。根据实施例，冷却构件3224可形成于冷却板3222内部，以充当冷却流体流过的流体通路。
加热单元3230具有加热板3232、盖子3234及加热器3233。加热板3232在自上方观察时可具有大体圆形形状。加热板3232可具有比基板“W”的直径大的直径。加热器3233置放于加热板3232中。加热器3233可以加热电阻器的形式提供，电流施加至前述加热电阻器。提升品脱3238设置于加热板3232上以沿着第三方向16垂直地驱动。提升销3238在加热单元3230外部自传送单元接收基板“W”以将基板“W”置放于加热板3232上或自加热板3232提升基板“W”以将基板“W”提供至加热单元3230外部的传送单元。根据实施例，可设置三个提升销3238。盖子3234具有内部空间，前述内部空间具有开放的下部部分。盖子3234定位于加热板3232的上部部分处，且在垂直方向上由驱动器3236移动。在盖子3234与加热板3232接触时，由盖子3234及加热板3232包围的空间经设置为用于加热基板“W”的加热空间。
传送板3240以大体圆形板的形状提供，且具有对应于基板“W”的直径的直径。凹口3244形成于传送板3240的边缘中。凹口3244可具有对应于突出部3429的形状，前述突出部形成于传送机械臂3422的手柄3420上。此外，凹口3244可以对应于形成于手柄3420中的突出部3429的数目的数目提供，且可形成于对应于突出部3429的位置处。当手柄3420及传送板3240的垂直位置在手柄3420及传送板3240在垂直方向上对准的状态下改变时，基板“W”在手柄3420与传送板3240之间传送。传送板3240可安装于导引轨条3249上，且可沿着导引轨条3249由驱动器3246移动。多个导引沟槽3242以狭缝的形状设置于传送板3240中。导引沟槽3242自传送板3240的末端部分延伸至传送板3240的内部部分。导引沟槽3242的纵向方向在第二方向14上设置，且导引沟槽3242经定位以在第一方向12上彼此隔开。当基板“W”在传送板3240与加热单元3230之间传送时，导引沟槽3242防止传送板3240与提升销3238之间的干涉。
基板“W”的加热在基板“W”直接置放于加热板3232上时达成，且基板“W”的冷却在具有基板“W”的传送板3240与冷却板3222接触的状态下达成。传送板3240由具有较高传热系数的材料形成，使得热在冷却板3222与基板“W”之间平滑地转移。根据实施例，传送板3240可由金属材料形成。
设置于热处理腔室3200中的一些中的加热单元3230可在加热基板“W”期间借由馈入气体来改良光致抗蚀剂至基板“W”的附接速率。根据实例，气体可包括六甲基二硅烷气体。
设置多个液体处理腔室3600。液体处理腔室3600中的一些可经设置以彼此堆栈。液体处理腔室3600定位于传送腔室3400的一侧处。液体处理腔室3600在第一方向12上彼此对准。液体处理腔室3600中的一些在靠近于索引模块20的位置中提供。下文中，此等液体处理腔室3602被称作前部液体处理腔室。液体处理腔室3600中的其他设置于靠近于接口模块40的位置中。下文中，此等液体处理腔室被称作后部液体处理腔室3604。
第一液体施加至前部液体处理腔室3602中的基板“W”上，且第二液体施加至后部液体处理腔室3604中的基板“W”。第一液体可不同于第二液体。根据实施例，第一液体为抗反射液体，且第二液体为光致抗蚀剂。光致抗蚀剂可施加于具有抗反射膜的基板“W”上。替代地，第一液体可为光致抗蚀剂，且第二液体可为抗反射液体。在此状况下，抗反射液体可涂覆于基板“W”上，前述基板“W”涂覆有光致抗蚀剂。替代地，第一液体及第二液体可为相同类型的液体，且所有第一液体及第二液体可为光致抗蚀剂。
回看图2及图3，提供多个缓冲腔室3800。缓冲腔室3800中的一些插入于索引模块20与传送腔室3400之间。下文中，缓冲腔室被称作前部缓冲器3802。多个前部缓冲器3802经设置且在垂直方向上堆栈于彼此上。缓冲腔室3800中的其他缓冲腔室插入于传送腔室3400与接口模块40之间。缓冲腔室被称作后部缓冲器3804。多个前部缓冲器3802经设置且在垂直方向上堆栈于彼此上。前部缓冲器3802及后部缓冲器3804临时储存多个基板“W”。储存于前部缓冲器3802中的基板“W”经引入，且由索引机械臂2200、传送机械臂3422及第一机械臂4602撤回。储存于后部缓冲器3804中的基板“W”经引入，且由传送机械臂3422撤回。
显影区块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400及液体处理腔室3600。显影区块30b中的热处理腔室3200及传送腔室3400具有大体上类似于涂覆区块30a中热处理腔室3200及传送腔室3400的彼等结构及配置的结构及配置，因此其细节将被省略。
显影区块30b中的所有液体处理腔室3600供应同一显影液体，使得结构“W”经受显影处理。
接口模块40连接处理模块30与外部曝光装置50。接口模块40具有接口框架4100、额外工艺腔室4200、接口缓冲器4400及传送构件4600。
扇形过滤器单元可设置于接口框架4100的上部末端上，以在接口框架4100中形成下倾气流。额外工艺腔室4200、接口缓冲器4400及传送构件4600设置于接口框架4100内部。在涂覆区块30a中经受工艺的基板“W”在引入至曝光装置50中之前可在额外工艺腔室4200中经受特定额外工艺。替代地，在曝光装置50中经受工艺的基板“W”在引入至显影区块30b中之前可在额外工艺腔室4200中经受预定额外工艺。根据实施例，额外工艺可为用以暴露基板“W”的边缘区域的边缘曝光装置、用以清洁基板“W”的顶表面的顶表面清洁工艺，或用以清洁基板“W”的底表面的底表面清洁工艺。多个额外工艺腔室4200可经设置且可设置以彼此堆栈。所有额外工艺腔室4200可经设置以执行同一工艺。替代地，额外工艺腔室4200中的一些可经设置以执行相互不同的工艺。
接口缓冲器4400提供空间以临时驻留基板“W”，前述基板在界面缓冲器4400、涂覆区块30a、额外工艺腔室4200、曝光装置50与显影区块30b之间传送。多个接口缓冲器4400经设置且可设置以彼此堆栈。
根据实施例，在基于在传送腔室3400的纵向方向上延伸的线观察时，额外工艺腔室4200可安置于一侧处，且界面缓冲器4400可安置于相对侧处。
传送构件4600在涂覆区块30a、额外工艺腔室4200、曝光装置50及显影区块30b之间传送基板“W”。传送构件4600可具备一个机械臂或多个机械臂。根据实施例，传送构件4600具有第一机械臂4602及第二机械臂4606。第一机械臂4602可经设置以在涂覆区块30a、额外工艺腔室4200与接口缓冲器4400之间传送基板“W”，且第二机械臂4606可经设置以在接口缓冲器4400与曝光装置50之间或接口缓冲器4400与显影区块30b之间传送基板“W”。
第一机械臂4602及第二机械臂4606可包括置放基板“W”所在的手柄，且手柄可设置为可前后移动的，围绕平行于第三方向16的轴线可旋转的，且在第三方向16上可移动。
索引机械臂2200、第一机械臂4602及第二机械臂4606的手柄可皆具有与传送机械臂3422的手柄3420相同的形状。替代地，用以与热处理腔室的传送板3240一起直接传送且接收基板“W”的机械臂的手柄设置于与传送机械臂3422的手柄3420的形状相同的形状，且剩余机械臂的手柄可以不同于前述形状的形状设置。
根据实施例，索引机械臂2200可经设置以与设置于涂覆区块30a中的前部热处理腔室3200的加热单元3230一起直接传输且接收基板“W”。
此外，设置于涂覆区块30a及显影区块30b中的传送机械臂3342可经设置以与定位于热处理腔室3200中的传送板3240直接交换基板“W”。
以下描述内容将关于根据本发明概念的基板处理设备的结构详细地进行，前述基板处理设备借由供应处理液体至在工艺腔室中旋转的基板而处理基板。以实例说明，在以下描述内容将关于基板处理设备为涂覆光致抗蚀剂的设备进行描述。然而，基板处理设备可为用以在基板“W”旋转时形成诸如保护膜或抗反射膜的膜的设备。替代地，基板处理设备可为用以供应处理液体，诸如显影液体至基板“W”的设备。
图7为示意性地图示图3的液体处理腔室的视图。图8为图示图7的喷嘴的透视图。图9为图示图7的液体处理腔室的平面图。
参见图7，液体处理腔室3600具有外壳3610、杯部3620、基板支撑单元3640、液体供应单元1000及待用端口5000。外壳3610具有大体上矩形长方体形状。外壳3610以具有入口(未图示)的侧壁形成，前述入口用以引入或抽取基板“W”。入口可由门(未图示)开启。杯部3620、基板支撑单元3640、液体供应单元1000及待用端口5000设置于外壳3610中。扇形过滤器单元3670可设置于外壳3610的顶壁上，以在外壳3610内部形成下倾气流。杯部3620具有处理空间，前述处理空间具有开放的上部部分。基板支撑单元3640设置于处理空间中以支撑基板“W”。基板支撑单元3640经设置，使得基板“W”在液体处理期间为可旋转的。液体供应单元1000供应液体至借由基板支撑单元3640支撑的基板“W”。
液体供应单元1000包括多个喷嘴1100。多个喷嘴1100中的每一者供应不同类型的处理液体。相互独立的液体供应管连接至喷嘴1100。喷嘴1100在待用位置与工艺位置之间移动以供应处理液体。工艺位置为喷嘴1100可使处理液体排出至基板“W”的中心的位置，且待用位置为喷嘴1100在待用端口5000中待用的位置。举例而言，处理液体可为诸如光致抗蚀剂的光敏液体。
待用端口5000提供喷嘴1100的空间以在处理容器的一侧处待用。在执行液体处理工艺之前且之后，喷嘴1100在待用端口5000处待用。待用端口5000清洁喷嘴1100，且防止在喷嘴1100的排出端中剩余的处理液体硬化，同时喷嘴1100待用。
图10为根据本发明概念的实施例的待用端口的透视图，图11为根据本发明概念的实施例的待用端口的分解透视图，图12为在图10的喷嘴接收构件自一侧观察时的横截面图，图13为图示自相反侧观察时图10的喷嘴接收构件的横截面图，图14为图示在自底部观察时图10的喷嘴接收构件的仰视图，且图15为图10的喷嘴接收构件的喷嘴清洁单元的横截面图。
参见图7及图9，待用端口5000安置于外壳3610中。待用端口5000在外壳3610中安置于杯部3620外部。待用端口5000设置于对应于喷嘴1100的待用位置的位置处。待用端口5000可定位于动作路径中，喷嘴1100经由前述动作路径在工艺位置与待用位置之间移动。
参见图10及图11，待用端口5000包括喷嘴接收构件5200及管固定构件5400。此外，待用端口5000可进一步包括排泄构件5600。喷嘴接收构件5200接收喷嘴1100以供待用。喷嘴接收构件5200清洁喷嘴1100，前述喷嘴1100正在待用且防止剩余在喷嘴1100的排出端中的处理液体固化。
参见图12及图13，喷嘴接收构件5200包括喷嘴接收单元5220、防溢流孔5240及防移动沟槽结构5260。
喷嘴接收单元5220经设置以接收喷嘴1100。设置多个喷嘴接收单元5220。举例而言，喷嘴接收单元5220可以与喷嘴1100的数目一对一对应的数目提供。喷嘴接收单元5220彼此独立地定位。因此，可防止产生自任一喷嘴1100的粒子对另一喷嘴1100或整个喷嘴1100产生影响。当自上方观察时，喷嘴接收单元5220可经定位以在一个方向上彼此一致地对准。举例而言，多个喷嘴接收单元5220可沿着喷嘴清洁构件5200的较长侧彼此一致地对准。
参见图15，用以接收喷嘴1100或清洁液体“L”的接收空间5221形成于喷嘴接收单元5220内部。喷嘴接收单元5220具有面向垂直方向的圆柱体的形状。喷嘴接收单元5220具有喷嘴接收单元5220的宽度向下经变窄且再次变宽的形状。喷嘴接收单元5220具有喷嘴清洁单元5220a及排出单元5220b。喷嘴清洁单元5220a接收喷嘴1100。喷嘴清洁单元5220a提供用于清洁所接收喷嘴1100的空间。在清洁液体“L”在喷嘴清洁单元5220a的接收空间中以特定水位填充的状态下，或在喷嘴1100的尖端向下移动至接收空间(5221)中且清洁液体“L”以特定水位填充状态下，喷嘴1100的尖端浸渍至清洁液体“L”以进行清洁。
多个喷嘴清洁单元5220a分别设置于多个喷嘴接收单元5220中。多个喷嘴清洁单元5220a以与多个喷嘴1100的数目一对一对应的数目提供。清洁液体“L”填充于对应于待清洁的喷嘴1100的喷嘴清洁单元5220a中，且喷嘴清洁工艺关于个别喷嘴1100经个别且选择性地执行。
喷嘴清洁单元5220a包括上部本体部分5222、第一倾斜部分5223、排出端接收部分5224及第二倾斜部分5225。上部本体部分5222、第一倾斜部分5223、排出端接收部分5224及第二倾斜部分5225经设置以依序向下延伸。上部本体部分5222设置为喷嘴清洁单元5220a的上部区。上部本体部分5222经设置以在垂直方向上具有均一宽度。待描述的上部本体部分5222及下部本体部分5228经设置以具有大于另一部分的宽度的宽度。
排出端口5282形成于上部本体部分5222的内部表面上。排出端口5282充当孔以使清洁液体“L”排出至上部本体部分5222。清洁液体供应管5002连接至排出端口5282，且清洁液体供应管5002将清洁液体自储存槽(未图示)供应至排出端口5282。举例而言，清洁液体可提供为用于移除处理液体的液体及附接至喷嘴1100的排出端及周边部分的外部物质。清洁液体可为包括气泡的液体。清洁液体可包括稀释剂。排出端口5282经定位以在自上方观察时与喷嘴1100的尖端重叠。
第一倾斜部分5223具有自上部本体部分5222的下端向下延伸的圆柱体的形状。第一倾斜部分5223经设置以具有向下逐渐减小的宽度。第一倾斜部分5223主要导引在接收空间5221中剩余的液体以向下流动。
排出端接收部分5224具有自第一倾斜部分5223的下端向下延伸的圆柱体的形状。排出端接收部分5224经设置以在垂直方向上具有均一宽度。用于定位喷嘴1100的排出端的空间的排出端接收部分5224经设置以具有大于喷嘴1100的宽度的宽度。
第二倾斜部分5225自排出端接收部分5224的下端向下延伸。第二倾斜部分5225经设置以具有圆柱体形状，前述圆柱体具有向下逐渐变窄的宽度。第一倾斜部分5223及第二倾斜部分5225可经设置以距地面分别具有范围为30度至60度的倾斜角。
排出单元5220b安置于喷嘴清洁单元5220a下方。排出单元5220b与喷嘴清洁单元5220a连通。排出单元5220b于在喷嘴清洁单元5220a中清洁喷嘴之后使清洁液体向下排出。排出单元5220b包括第一端口5226及第二端口5227。排出单元5220b可进一步包括下部本体部分5228。第一端口5226、第二端口5227及下部本体部分5228依序向下延伸。
第一端口5226具有自第二倾斜部分5225的下端向下延伸的圆柱体的形状。第一端口5226经设置以具有小于另一部分的宽度的宽度。举例而言，第一端口5226的宽度可经设置以大于喷嘴1100的排出端的内部直径。此外，第一端口5226经设置以具有小于垂直长度上另一部分的长度的长度。举例而言，第一端口5226在垂直方向上的长度可经设置以小于喷嘴1100的排出端的内部直径。第一端口5226的长度可防止通过第一端口5226的气泡回流且向上流动。
第二端口5227具有自第一端口5226的下端向下延伸的圆柱体的形状。第二端口5227具有圆柱体的形状，前述圆柱体具有向下变宽的宽度。第二端口5227经形成以关于第一端口5226的延伸方向倾斜。在此状况下，第一端口5226与第二端口5227之前的角度Θ可具有大于90°且小于180°的范围。因此，通过第一端口5226的气泡爆裂，或变得更大，以防止回流。
下部本体部分5228具有自第二端口5227的下端向下延伸的圆柱体的形状。下部本体部分5228经设置以在垂直方向上具有均一宽度。举例而言，下部本体部分5228可具有与上部本体部分5222的宽度相同的宽度。排出管线(未图示)连接至下部本体部分5228。排出管线排出传送至下部本体部分5228的清洁液体至外部。阀安装于排出管在线以开启或关闭排出管线。
控制器(未图示)控制安装于排出管在线的阀。控制器对阀进行控制以在排出清洁液体“L”中间关闭排出管线，使得清洁液体“L”填充于接收空间5221中。因此，喷嘴1100的排出端浸渍至填充于接收空间5221中的清洁液体“L”中，使得排出端经清洁。
参见图12至图14，喷嘴接收构件5200包括防溢流孔5240。随着喷嘴接收构件5200的顶表面5202经凹入，形成防气流孔5240。防溢流孔5240的横截面面积小于或类似于喷嘴接收单元5220的横截面面积。防溢流孔5240与喷嘴清洁单元5220a连通。设置多个防溢流孔5240。多个防溢流孔5240以与多个喷嘴接收单元5220的数目一对一对应的数目提供。防溢流孔5240在垂直于多个喷嘴清洁单元5220a的配置方向的方向上与多个喷嘴清洁单元5220a连通。防溢流孔5240防止填充于接收空间5221中的清洁液体及光致抗蚀剂自接收空间5221的顶部溢出。此外，防溢流孔5240调整填充于喷嘴清洁单元5220a中清洁液体“L”的水位。因此，防溢流孔5240经形成以具有对应于喷嘴清洁单元5220a的纵向方向的长度。防溢流孔5240设置于排出端口5282的相对侧处。
参见图12，步阶式部分5230插入于防溢流孔5240与喷嘴接收单元5220之间。步阶式部分5230形成用于允许防溢流孔5240及喷嘴接收单元5220彼此连通的通路。步阶式部分5230形成喷嘴接收单元5220的上部本体部分5222与防溢流孔5240之间的通信路径。在自上方观察时，步阶式部分5230经设置以自上部本体部分5222及防溢流孔5240向内突出。步阶式部分5230经设置以自上部本体部分5222及第一倾斜部分5223连接至彼此的部分向上突出。因此，自排出端口5282排出的清洁液体“L”可经诱发以首先填充于喷嘴清洁单元5220a中。
防移动沟槽结构5260自喷嘴接收构件5200的底表面5204向上凹入。防移动沟槽结构5260经形成以沿着喷嘴接收单元5220及防溢流孔5240的外部圆周延伸。更详细而言，防移动沟槽结构5260沿着排出单元5220b的下部本体部分5228及防溢流孔5240的圆周延伸。当排泄清洁液体“L”时，防移动沟槽结构5260防止清洁液体“L”左右移动，借此防止排泄速率滞后。
图16为图示图10的喷嘴接收构件及管固定构件耦接至彼此的视图。图17为示意性地图示图16的喷嘴接收构件及管固定构件耦接至彼此的程序的视图。
参见图16，喷嘴接收构件5200包括排出部分5280。排出部分5280设置于喷嘴接收构件5200的侧表面中。排出部分5280自喷嘴接收构件5200的侧表面突出。清洁液体供应管5002耦接至排出部分5280。流过清洁液体供应管5002的清洁液体经由排出部分5280排出至接收空间5221。
排出部分5280包括耦接部分5286，清洁液体供应管5002插入至前述耦接部分5286中且耦接至管固定构件5400。耦接部分5286自喷嘴接收构件5200的侧表面突出。耦接部分5286包括具有第一宽度的第一部分5286a，及自第一部分5286a延伸且具有小于第一宽度的宽度的第二部分5286b。耦接部分5286的第二部分5286b的宽度在远离第一部分的方向上减小。自清洁液体供应管5002排出的清洁液体“L”流过的排出流体通路5284形成于耦接部分5286内部。排出端口5282定位于排出流体通路5284的末端中。排出端口5282设置于喷嘴清洁单元5220a的侧表面中。排出端口5282设置于上部本体部分5222的内部表面上。排出端口5282的宽度经设置以与接收于喷嘴接收单元5220中的喷嘴1100的末端的一部分重叠。因此，自排出端口5282排出的清洁液体“L”沿着喷嘴1100的外部圆周表面旋转以移动至喷嘴1100的外部圆周表面的表面，前述表面与清洁液体“L”的排出方向相对。在此状况下，喷嘴1100的整个表面可经均一地清洁。
参见图16及图17，管固定构件5400耦接至喷嘴接收构件5200。管固定构件5400耦接至喷嘴接收构件5200的一侧。管固定构件5400固定清洁液体供应管5002以供应清洁液体“L”至喷嘴接收构件5200。管固定构件5400包括管插入孔5420及防泄漏沟槽结构5440。
管插入孔5420通过管固定构件5400的两个侧表面形成。清洁液体供应管5002插入至管插入孔5420中。管插入孔5420的直径等于或稍微大于清洁液体供应管5002的外部直径。管插入孔5420的直径经设置以小于耦接部分5286的第二部分5286b的末端的直径。管插入孔5420的直径经设置以小于耦接部分5286的第二部分5286b的最小宽度。因此，当喷嘴接收构件5200及管固定构件5400完全耦接至彼此时，耦接部分5286的末端压入至管插入孔5420中，以防止清洁液体“L”泄漏。
防泄漏沟槽结构5440形成于管插入孔5420的内表面中。防泄漏沟槽结构5440形成于管插入孔5420的内表面的耦接部分5286耦接至的部分中。防泄漏沟槽结构5440经设置以具有大于管插入孔5420的直径的直径。防泄漏沟槽结构5440可经设置以具有小于或稍大于耦接部分5286的第一部分5286a的直径的直径。防泄漏沟槽结构5440可经设置以具有大于耦接部分5286的第二部分5286b的最大直径的直径。
防泄漏沟槽结构5440包括定位于管插入孔5420的内表面外部的第一表面5442，及用于将管插入孔5420的内表面链接至第一表面5442的第二表面5444。第一表面5442经设置为平行于管插入孔5420的内表面，且第二表面5444经设置为以垂直于管插入孔5420的内表面。当喷嘴接收构件5200及管固定构件5400耦接至彼此时，管插入孔5420的内表面及第二表面5444链接至彼此所在的点P1与耦接部分5286接触，且经加压，借此防止清洁液体“L”泄漏。当喷嘴接收构件5200及管固定构件5400耦接至彼此时，管插入孔5420的内表面与第二表面5444链接至彼此所在的点P1与清洁液体供应管5002接触，借此防止清洁液体“L”泄漏。
图18为根据本发明概念的实施例的示意性地图示在待用端口中清洁喷嘴的工艺的视图。
参见图18，排出端口5282自喷嘴1100的中心偏心地定位。在自上方观察时，排出端口5282经设置以与喷嘴1100部分重叠。在此状况下，自排出端口5282排出的清洁液体“L”可沿着面向喷嘴1100的外部圆周表面流动以清洁喷嘴1100的整个表面。
下文中，将描述用于借由使用上述基板处理设备1来处理基板的方法。
下文中，将描述用于借由使用上述基板处理设备1来处理基板的方法。用于处理基板的方法包括处理液体及清洁喷嘴1100。在液体处理中，喷嘴1100经定位至工艺位置以供应处理液体于基板上。当处理液体经完全供应时，喷嘴1100停止供应处理液体，且执行喷嘴1100的清洁。
喷嘴1100的清洁包括形成第一气体层，清洁喷嘴的排出端，形成液体层及形成第二气体层。在形成第一气体层中，在自工艺位置移动喷嘴1100至待用位置之前，定位于喷嘴1100的排出端处的处理液体抽吸回以在与处理液体的排出方向相对的方向上移动。当处理液体的末端经定位以高于喷嘴1100的排出端时，喷嘴1100移动至待用位置。
在清洁排出端的步骤中，喷嘴1100的排出端经定位为插入至接收空间52221中，使得喷嘴1100的排出端浸渍至填充于接收空间5221中的清洁液体“L”中。在此状况下，排出管线经维持为关闭以防止清洁液体“L”的水位改变。喷嘴1100的排出端借由清洁液体“L”清洁。由于第一气体层形成于喷嘴1100的排出端与处理液体的末端之间，因此防止清洁液体“L”引入至喷嘴1100中。当喷嘴1100的排出端及喷嘴1100的周边部分经完全清洁时，执行形成液体层。
在形成液体层中，抽吸接收于接收空间5221中的清洁液体“L”。因此，设置于喷嘴1100中的处理液体及第一气体层吸回在一起，且液体层由清洁液体“L”在与处理液体隔开的位置处形成。由清洁液体“L”制成的液体层可经部分蒸发以防止处理液体的末端被固化。
当形成液体层完成时，排出管线开启以排出填充于接收空间5221中的清洁液体“L”。当排出清洁液体“L”时，喷嘴1100的内部部分经抽吸以形成第二气体层。第二气体层形成于喷嘴1100的排出端与液体层之间。因此，处理液体、第一气体层、液体层及第二气体层可依序向下形成于喷嘴1100内。
根据本发明概念，多个喷嘴可经个别且选择性地清洁。
此外，根据本发明概念的实施例，喷嘴的整个表面可经清洁。
此外，根据本发明概念的实施例，可在喷嘴待用同时防止喷嘴被污染。
此外，根据本发明概念的实施例，可防止针对喷嘴的清洁液体自供应管泄漏以供应清洁液体至待用端口。
此外，根据本发明概念的实施例，接收于待用端口中的清洁液体的水位可经调整，且可防止清洁液体自待用端口溢出。
此外，根据本发明概念的实施例，当清洁液体在执行清洁工艺之后排出时，可防止排出速率滞后。
此外，根据本发明概念的实施例，可防止喷嘴管中的光致抗蚀剂固化。
在本发明概念中产生的效果不限于前述效果，且本文中未提及的任何其他效果将由本领域技术人员从详细描述及附图来清楚地理解。
以上描述已出于说明性目的进行。此外，上述内容描述本发明概念的实施例，且本发明概念可用于各种其他组合、改变及环境中。即，本发明概念可在不偏离公开于说明书中的本发明概念的范畴、所撰写的公开内容的等效范畴及/或本领域技术人员的技术或知识范围情况下修改且校正。所撰写实施例描述用于实施本发明概念的技术精神的最佳状态，且可进行在本发明概念的详述应用领域及用途中要求的各种改变。所撰写实施例描述用于实施本发明概念的技术精神的最佳状态，且可进行在本发明概念的详述应用领域及用途中要求的各种改变。此外，应理解，随附申请专利范围包括其他实施例。
虽然本发明概念已参见实施例进行了描述，但对于本领域技术人员显而易见的是，各种改变及修改可进行而不偏离本发明概念的精神及范畴。因此，应理解，以上实施例并非限制性而是说明性的。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，包含：
处理容器，所述处理容器具有用以处理基板的处理空间；
待用端口，所述待用端口定位于所述处理容器的一侧处，以允许排出处理液体的喷嘴待用；及
液体供应单元，所述液体供应单元在所述处理容器与所述待用端口之间移动且具有所述喷嘴，
其中所述待用端口包括：
喷嘴接收构件，所述喷嘴接收构件包括具有接收空间的喷嘴清洁单元，所述接收空间形成于所述喷嘴清洁单元内部以接收所述喷嘴、及清洁液体；及
排出部分，所述排出部分具有设置于所述喷嘴清洁单元的一侧处的排出端口，以将清洁液体排出至所述喷嘴，且
其中所述排出端口经设置以在自上方观察时与所述喷嘴的至少一部分重叠。
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中自所述排出端口供应的所述清洁液体沿着所述喷嘴的外表面及喷嘴接收单元的壁旋转。
3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中自所述排出端口排出的所述清洁液体旋转至所述喷嘴的所述外表面的表面，所述表面在所述清洁液体的排出方向上定位于相对侧处。
4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中多个所述喷嘴清洁单元经设置、经定位为彼此相互独立的，且在自上方观察时在一个方向上配置。
5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中所述待用端口包括防溢流孔，所述防溢流孔经设置以在垂直于多个所述喷嘴清洁单元的配置方向的方向上与多个所述喷嘴清洁单元连通。
6.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述待用端口包括：
管固定构件，所述管固定构件耦接至所述喷嘴接收构件以固定清洁液体供应管，以供应所述清洁液体至所述排出端口，
其中所述管固定构件包括所述清洁液体供应管插入的管插入孔、及形成于所述管插入孔中的防泄漏沟槽结构。
7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中所述排出端口包括：
耦接部分，所述耦接部分自所述喷嘴接收构件的侧表面突出，其中所述清洁液体供应管耦接至所述耦接部分，
其中所述耦接部分包括：
具有第一宽度的第一部分、及自所述第一部分延伸且具有小于所述第一宽度的宽度的第二部分，且
其中所述管插入孔的直径经设置为小于所述耦接部分的所述第二部分的末端的宽度。
8.如权利要求5所述的基板处理设备，其中所述喷嘴接收构件包括：
防移动沟槽结构，所述防移动沟槽结构设置于所述喷嘴接收构件的底表面中，且
其中所述防移动沟槽结构沿着所述喷嘴清洁单元及所述防溢流孔的圆周延伸。
9.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述喷嘴接收构件包括：
排出部分，所述排出部分定位于所述喷嘴清洁单元的下方，
其中所述排出部分包括：
第一端口，所述第一端口自所述喷嘴清洁单元的下端向下延伸；及
第二端口，所述第二端口自所述第一端口向下延伸且具有在远离所述第一端口的方向上增大的宽度，且
其中所述第一端口与所述第二端口之间的角度设置为钝角。
10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中所述第一端口在垂直方向上的长度设置为小于所述喷嘴的排出端的内部直径。
11.如权利要求1至10中任一项所述的基板处理设备，其中所述处理液体包括光致抗蚀剂，且所述清洁液体包括稀释剂。
12.一种基板处理设备，包含：
处理容器，所述处理容器具有用以处理基板的处理空间；
待用端口，所述待用端口定位于所述处理容器的一侧处，以允许排出处理液体的喷嘴待用；及
液体供应单元，所述液体供应单元在所述处理容器与所述待用端口之间移动且具有所述喷嘴，
其中所述待用端口包括：
喷嘴接收构件，所述喷嘴接收构件包括具有接收空间的喷嘴清洁单元，所述接收空间形成于所述喷嘴清洁单元内部以接收所述喷嘴、及清洁液体；及
排出部分，所述排出部分具有设置于所述喷嘴清洁单元的一侧处的排出端口，以将所述清洁液体供应至所述喷嘴，且
其中所述排出端口经设置以与所述喷嘴的至少一部分重叠，且在自上方观察时设置于所述喷嘴的中心轴线的一侧处。
13.如权利要求12所述的基板处理设备，其中自所述排出端口供应的所述清洁液体沿着所述喷嘴的外表面旋转，且
其中所述清洁液体旋转至所述喷嘴的所述外表面的表面，所述表面在所述排出端口的方向上定位于相对侧处。
14.如权利要求12所述的基板处理设备，其中多个所述喷嘴清洁单元经设置、经定位为彼此相互独立的，且在自上方观察时在一个方向上配置。
15.如权利要求14所述的基板处理设备，其中所述待用端口包括：
防溢流孔，所述防溢流孔经设置以在垂直于多个所述喷嘴清洁单元的配置方向的方向上与多个所述喷嘴清洁单元连通；及
防移动沟槽结构，所述防移动沟槽结构设置于所述喷嘴接收构件的底表面中，且
其中所述防移动沟槽结构沿着所述喷嘴清洁单元及所述防溢流孔的圆周延伸。
16.如权利要求12所述的基板处理设备，其中所述待用端口包括：
管固定构件，所述管固定构件耦接至所述喷嘴接收构件以固定清洁液体供应管，以供应所述清洁液体至所述排出端口，
其中所述管固定构件包括所述清洁液体供应管插入的管插入孔、及形成于所述管插入孔中的防泄漏沟槽结构。
17.如权利要求12至16中任一项所述的基板处理设备，其中所述处理液体包括光致抗蚀剂，且所述清洁液体包括稀释剂。
18.一种用于借由使用如权利要求1所述的基板处理设备来处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：
在移动至所述待用端口之前，随着所述喷嘴抽吸回填充于所述喷嘴的排出端中的所述处理液体，在所述喷嘴的所述排出端处形成第一气体层；
在所述第一气体层经形成的状态下，借由将所述排出端插入至所述接收空间中来清洁所述排出端；
在所述排出端浸渍至所述清洁液体中的状态下，随着所述排出端抽吸回所述清洁液体而形成液体层；及
在所述清洁液体自所述接收空间排出的状态下，随着所述喷嘴抽吸回，在所述排出端处形成第二气体层，
其中在所述排出端的所述清洁中，所述清洁液体经排出，使得所述清洁液体旋转至所述喷嘴的外表面的表面，所述表面在所述清洁液体的排出方向上定位于相对侧处。
19.如权利要求18所述的方法，其中在所述排出端的所述清洁中，
所述接收空间填充有经由所述喷嘴排出的所述清洁液体，且
其中在所述第一气体层经形成的状态下，随着所述喷嘴插入至所述接收空间中使得所述排出端浸渍至填充在所述接收空间中的所述清洁液体中，所述排出端经清洁。
20.如权利要求18或19所述的方法，其中所述处理液体包括光致抗蚀剂，且所述清洁液体包括稀释剂。
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