KR20220094882A

KR20220094882A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20220094882A
Application number: KR1020200186546A
Authority: KR
Inventors: 이대운; 이정현; 안영서; 백혜빈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2020-12-29
Filing date: 2020-12-29
Publication date: 2022-07-06

Abstract

본 발명은 제1유닛과; 상기 제1유닛을 수용하는 박스 유닛을 포함하고, 상기 박스 유닛은, 내부에 상기 제1유닛을 수용하는 수용 공간이 형성되는 몸체부와; 상기 몸체부의 상기 수용 공간을 개폐하도록 제공되는 도어부와; 상기 몸체부와 상기 도어부 사이에 제공되는 필터 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판에 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 여기서, HMDS 처리 공정은 감광액(Photo-resist, PR)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS를 공급하는 공정이다.

HMDS는 대기중의 수분과 반응하여 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분이 발생된다. HMDS 처리 공정중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분이 장치 외부로 방출될 경우, 스캐너(Scanner) 내부의 렌즈를 오염시키는 문제가 있다.

또한, 발생된 HMDS Odor는 광범위한 표면 청소 및 스캐너 내부의 렌즈 교체가 요구되며, 렌즈를 교체한 이후에 새로 얼라인먼트(alignment)가 요구되므로 장치의 가동 중지 시간과 비용이 많이 드는 문제가 있다.

또한, HMDS 공정 진행중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분의 외부 방출 차단을 위해 장치의 외장 도어에 실링(sealing)을 설치할 경우에도, 외장 도어와 실링 사이의 조립 공차, 실링을 설치하는 작업자의 숙련도 등에 따른 조립성의 차이로 인하여 기구적인 밀폐가 어려워 HMDS Odor가 장치 외부로 방출되는 문제가 여전히 존재한다.

본 발명은 HMDS 공정 진행중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분의 외부 방출을 차단할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 개시한다.

기판 처리 장치는 제1유닛과; 상기 제1유닛을 수용하는 박스 유닛을 포함하고, 상기 박스 유닛은, 내부에 상기 제1유닛을 수용하는 수용 공간이 형성되는 몸체부와; 상기 몸체부의 상기 수용 공간을 개폐하도록 제공되는 도어부와; 상기 몸체부와 상기 도어부 사이에 제공되는 필터 유닛을 포함한다.

상기 필터 유닛은 이중 필터로 마련될 수 있다.

상기 필터 유닛은, 제1필터와; 상기 제1필터보다 상기 도어부에 가깝게 위치되는 제2필터를 포함할 수 있다.

상기 제1필터는 IER 필터(Ion Exchange Resin Filter)로 제공되고, 상기 제2필터는 활성탄 필터(Activated Carbon Filter)로 제공될 수 있다.

상기 제1필터는 TMS 성분을 HMDSO 성분으로 변경하고, NH3 성분을 제거할 수 있다.

상기 제2필터는 상기 HMDSO 성분을 제거할 수 있다.

상기 필터 유닛은, 상기 도어부에 설치되되, 상기 도어부가 상기 몸체부를 향하는 면에 제공될 수 있다.

상기 제1필터와 상기 제2필터는 상기 몸체부에서 상기 도어부를 향하는 방향으로 적층되도록 제공될 수 있다.

상기 제1유닛은 복수의 제1유닛을 포함하고, 상기 박스 유닛은 상기 복수의 제1유닛을 수용하도록 제공될 수 있다.

상기 제1유닛에서는 HMDS 공정이 진행될 수 있다.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 개시한다.

기판 처리 장치는 HMDS 공정이 진행되는 제1유닛과; 상기 제1유닛을 수용하는 박스 유닛을 포함하고, 상기 박스 유닛은, 내부에 상기 제1유닛을 수용하는 수용 공간이 형성되는 몸체부와; 상기 몸체부의 상기 수용 공간을 개폐하도록 제공되는 도어부와; 상기 몸체부와 상기 도어부 사이에 제공되는 필터 유닛을 포함하고, 상기 필터 유닛은, 제1필터와, 상기 제1필터보다 상기 도어부에 가깝게 위치되는 제2필터를 포함하는 이중 필터로 제공된다.

상기 HMDS 공정에서는 기판 상으로 HMDS를 공급하며, 상기 HMDS는 수분과 반응하여 TMS 성분, HMDSO 성분 및 NH3 성분 중 적어도 하나의 성분을 생성할 수 있다.

상기 제2필터는 상기 HMDSO 성분을 제거할 수 있다.

본 발명에 따르면, HMDS 공정 진행중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분의 외부 방출을 차단할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 3의 박스 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 필터 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 도 9의 필터 유닛에 특정 성분이 여과되는 과정을 도식적으로 보여주는 도면이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.

어떤 구성요소를 '포함한다'는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.

용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.

본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예의 장치는 원형 기판에 대해 사진 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 장치는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 기판을 회전시키면서 기판에 처리액을 공급하는 다양한 종류의 공정에 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.

이하에서는, 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.

도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.

도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.

도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(5000)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(5000)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(5000) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착력을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이하에서는, 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000) 중 기판에 포토레지스트의 부착력을 향상시키는 가스를 공급하는 장치를 예를 들어 설명한다.

도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 7을 참조하면, 가열 유닛(5000)에 제공되는 기판 처리 장치는, 공정 챔버(5010), 실링부재(5020), 지지 유닛(5030), 가스 공급 유닛(5050), 농도 조절 유닛(5050), 배기 유닛(5070), 그리고 제어기(5090)를 포함한다.

공정 챔버(5010)는 내부에 처리 공간(5001)을 제공한다. 공정 챔버(5010)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(5010)는 상부 챔버(5011)와 하부 챔버(5013)를 포함할 수 있다. 상부 챔버(5010)와 하부 챔버(5013)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(5001)을 가질 수 있다.

상부 챔버(5011)는 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5013)는 상부 챔버(5011)의 하부에 위치할 수 있다. 하부 챔버(5013)는 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다.

구동기(5015)는 상부 챔버(5011)와 결합할 수 있다. 구동기(5015)는 상부 챔버(5011)를 상하로 승하강시킬 수 있다. 구동기(5015)는 공정 챔버(5010) 내부로 기판(W)을 반입시 상부 챔버(5011)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(5010)의 내부를 개방할 수 있다. 구동기(5015)는 기판(W)을 처리하는 공정 시 상부(5011)를 하부 챔버(5013)와 접촉시켜 공정 챔버(5010) 내부를 밀폐시킬 수 있다. 본 실시예에서는 구동기(5015)가 상부 챔버(5011)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와 달리 구동기(5015)는 하부 챔버(5013)와 연결되어 하부챔버(5013)를 승하강 시킬 수 있다.

실링 부재(5020)는 처리 공간(5001)의 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 부재(5020)는 상부 챔버(5011)와 하부 챔버(5013)의 접촉면에 설치된다. 일 예로 실링 부재(5020)는 하부 챔버(5013)의 접촉면에서 설치될 수 있다.

지지 유닛(5030)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5030)은 처리 공간(5001) 내에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5030)은 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 지지 유닛(5030)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지 유닛(5030)은 열 전도성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 지지 유닛(5030)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다.

지지 유닛(5030)은 기판(W)을 승하강 시키는 리프트 핀 모듈(5032)을 포함할 수 있다. 리프트 핀 모듈(5032)은 공정 챔버(5010) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 지지 유닛(5030) 상에 내려 놓거나, 기판(W)을 들어올려 공정 챔버(5010)의 외부의 반송 수단으로 인계할 수 있다. 일 예에 의하면, 리프트 핀 모듈(5032)의 리프트 핀은 3개가 제공될 수 있다.

또한, 지지 유닛(5030)은 지지 유닛(5030)에 놓인 기판(W)을 가열하는 가열 부재(5040)를 포함할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(5040)는 지지 유닛(5030)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로, 가열 부재(5040)는 히터로 제공될 수 있다. 히터는 지지 유닛(5030)의 내부에 복수개로 제공될 수 있다.

가스 공급 유닛(5050)은 처리 공간(5001) 내에 위치한 기판(W)으로 처리 가스를 공급할 수 있다. 처리 가스는 밀착용 가스를 포함할 수 있다. 일 예로 처리 가스는 헥사메틸다이사이레인(HMDS)을 포함할 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 성실을 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 또한 처리 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 캐리어 가스는 불활성가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불활성 가스는 질소 가스일 수 있다.

가스 공급 유닛(5050)은 가스 공급관(5051), 처리 가스 공급 라인(5053), 그리고, 탱크(5054)를 포함할 수 있다. 가스 공급관(5051)은 상부 챔버(5011)의 중앙 영역에 연결될 수 있다. 가스 공급관(5051)은 처리 가스 공급 라인(5053)에서 전달된 처리 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 가스 공급관(5051)이 공급하는 처리 가스의 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향되도록 위치할 수 있다.

처리 가스 공급 라인(5053)은 탱크(5054)와 연결될 수 있다. 처리 가스 공급 라인(5053)은 탱크(5054)에서 발생시키는 처리 가스를 가스 공급관(5051)에 전달할 수 있다. 또한, 처리 가스 공급 라인(5053)에는 제1밸브(5056)가 설치될 수 있다. 제1밸브(5056)는 온/오프 밸브이거나, 유량조절밸브일 수 있다.

탱크(5054)는 액상의 처리 가스가 수용된 내부 공간을 가질 수 있다. 또한, 탱크(5054)에는 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급라인(5055)이 연결될 수 있다. 캐리어 가스 공급라인(5055)은 탱크(5054)의 내부 공간으로 캐리어 가스를 공급하여 액상의 처리 가스를 버블링한다. 이에 액상의 처리 가스는 증기화 된다. 증기화 된 처리 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 처리 가스 공급 라인(5053)으로 전달될 수 있다. 캐리어 가스는 불활성가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불활성 가스는 질소 가스일 수 있다.

배기 유닛(5070)은 처리 공간(5001)을 배기한다. 배기 유닛(5070)은 상부 배기라인(5071), 하부 배기라인(5073), 통합 배기라인(5075), 그리고 감압 부재(5077)를 포함할 수 있다.

상부 배기라인(5071)은 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 상부 배기라인(5071)은 공정 챔버(5010)의 측벽에 제공될 수 있다. 이에 상부 배기라인(5071)는 처리 공간(5001)의 내부를 측방향으로 배기할 수 있다. 상부 배기라인(5071)은 하부 배기라인(5073) 보다 상부의 위치에서 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 상부 배기라인(5071)은 지지 유닛(5030)의 상면의 주변 위치에서 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 예컨대, 상부 배기라인(5071)은 지지 유닛(5030)의 상면과 같거나 높은 위치에서 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 상부 배기 라인(5071)은 상부 배기홀(5072)과 연결될 수 있다. 상부 배기홀(5072)은 하부 챔버(5013)에 형성될 수 있다. 예컨대, 상부 배기홀(5072)은 상부 챔버(5011)와 하부 챔버(5013)가 접촉되는 영역에 제공될 수 있다. 또한, 상부 배기홀(5072)은 지지 유닛(5030)을 기준으로 실링 부재(5020)보다 내측에 형성될 수 있다. 상부 배기홀(5072)은 상부 챔버(5011)에 링 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리 상부 배기홀(5072)은 복수개의 홀로 제공될 수 있다. 상부 배기라인(5071)은 상부 배기홀(5072)과 연결되어 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 상부 배기 라인(5071)은 상부 배기홀(5072)과 대응되는 개수로 제공될 수 있다.

하부 배기 라인(5073)은 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 하부 배기라인(5073)은 공정 챔버(5010)의 하벽에 제공될 수 있다. 이에 하부 배기라인(5073)은 처리 공간(5001)의 내부를 아래 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기라인(5073)은 상부 배기라인(5071)보다 아래의 위치에서 처리 공간(5001)의 내부를 배기할 수 있다. 예컨대, 하부 배기라인(5073)은 지지 유닛(5030)에 지지된 기판(W)보다 아래의 위치에서 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 하부 배기라인(5073)은 하부 배기홀(5074)과 연결될 수 있다. 하부 배기홀(5074)은 하부 챔버(5013)에 형성될 수 있다. 하부 배기홀(5074)은 처리 공간(5001)에 위치할 수 있다. 하부 배기홀(5074)은 지지 유닛(5030)의 외측에 위치할 수 있다. 하부 배기홀(5074)은 복수개로 제공될 수 있다. 하부 배기라인(5073)은 하부 배기홀(5074)과 대응되는 개수로 제공될 수 있다.

통합 라인(5075)은 하부 배기라인(5073) 및 상부 배기라인(5071)에 각각 연결된다. 통합 라인(5075)은 하부 배기라인(5073)과 상부 배기라인(5071)에 배기물이 외부로 배출되도록 제공된다.

감압부재(5077)는 처리 공간(5001)의 배기 시 감압을 제공한다. 감압부재(5077)는 통합 라인(5075)에 설치되어 제공될 수 있다. 이와는 달리 감압부재(5077)는 복수개로 제공되어 하부 배기라인(5073)과 상부 배기라인(5071)에 각각 설치될 수 있다. 일 예로 감압부재(5077)는 펌프로 제공될 수 있다. 이와는 달리 감압을 제공하는 공지된 다른 종류의 장치로 제공될 수 있다.

도 8은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.

도 8을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(1000)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.

도 9는 도 3의 박스 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 10은 도 9의 필터 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 11은 도 9의 필터 유닛에 특정 성분이 여과되는 과정을 도식적으로 보여주는 도면이다.

도 3을 참고하면, 열처리 챔버(3200)는 복수의 열처리 챔버(3200)를 포함한다. 복수의 열처리 챔버(3200)는 제1방향(12)을 따라 배열된다. 또한, 복수의 열처리 챔버(3200)는 제3방향(16)을 따라 적층된다. 기판 처리 장치(1)는 복수의 열처리 챔버(3200)를 수용하는 박스 유닛(100)을 포함한다. 일 예로, 박스 유닛(100)은 제1방향(12)을 따라 배열되는 복수의 열처리 챔버(3200)를 수용하도록 제공될 수 있다. 또는, 박스 유닛(100)은 제3방향(16)을 따라 적층되는 열처리 챔버(3200)를 수용하도록 제공될 수 있다. 또는, 박스 유닛(100)은 제1방향(12)을 따라 배열되는 열처리 챔버(3200)와 제3방향(16)을 따라 적층되는 열처리 챔버(3200)를 모두 수용하도록 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 박스 유닛(100)에 수용되는 열처리 챔버(3200)의 수는 공정 효율에 따라 다양하게 설정 가능하다.

도 9를 참고하면, 박스 유닛(100)은 몸체부(120), 도어부(140), 그리고 필터 유닛(160)을 포함한다. 몸체부(120)는 내부에 복수의 열처리 챔버(3200)을 수용할 수 있는 수용 공간(121)이 형성된다. 몸체부(120)는 일 면이 오픈되는 개구부(122)를 포함한다. 도어부(140)는 일측면이 몸체부(120)에 힌지 결합되며, 힌지 결합되는 축을 기준으로 안팎으로 밀거나 당겨서 몸체부(120)의 개구부(122)를 개폐할 수 있다. 즉, 도 9의 실시예에서는, 도어부(140)를 여닫이 도어로 설명하였다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 도어부(140)는 몸체부(120)에 대하여 슬라이스되어 개구부(122)를 개폐하는 미닫이 도어를 포함할 수 있다.

필터 유닛(160)은 몸체부(120)와 도어부(140) 사이에 제공된다. 일 예로, 필터 유닛(160)은 몸체부(120)에 결합되며, 몸체부(120)의 개구부(122)를 가로막도록 제공될 수 있다. 또한, 일 예로써, 필터 유닛(160)은 도어부(140)의 일 면에 제공될 수 있다. 필터 유닛(160)은 도어부(140)가 몸체부(120)의 개구부(122)와 마주하는 면에 제공될 수 있다.

도 10을 참고하면, 필터 유닛(160)은 제1필터(162)와 제2필터(164)를 포함한다. 제1필터(162)는 내측 필터로 호칭될 수 있고, 제2필터(164)는 외측 필터로 호칭될 수 있다. HMDS는 대기중의 수분과 반응하여 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분이 발생된다. HMDS 처리 공정중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분이 장치 외부로 방출될 경우, 스캐너(Scanner) 내부의 렌즈를 오염시키는 문제가 있다. 필터 유닛(160)은 HMDS 처리 공정중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO을 제거할 수 있다.

제1필터(162)는 제2필터(164)보다 몸체부(120)에 가깝게 위치되고, 제2필터(164)는 제1필터(162)보다 도어부(140)에 가깝게 위치된다. 도 10을 참고하면, 제1필터(162)와 제2필터(164)는 몸체부(120)에서 도어부(140)를 향하는 방향으로 적층되게 제공된다. 즉, 제1필터(162)와 제2필터(164)는 서로 접촉되어 이중 필터를 구성한다.

제1필터(162)는 IER 필터(Ion Exchange Resin Filter) 로 제공된다. 제2필터(164)는 활성탄 필터(Activated Carbon Filter)로 제공된다. 도 11을 참고하면, 제1필터(162)는 TMS를 HMDSO로 분해하고, NH3를 제거한다. 제2필터(164)는 HMDSO를 제거한다. 즉, HMDS Odor 성분 중 NH3는 제1필터(162)에 의해 제거되고, TMS는 제1필터(162)에 의해 HMDSO로 변경된 후 제2필터(164)에 의해 제거되며, HMDS Odor 성분인 HMDSO는 제1필터(162)는 통과한 뒤 제2필터(164)에 의해 제거된다.

본 발명에 따르면, 박스 유닛(100)에 필터 유닛(160)을 설치한 상태에서 가열 유닛(5000)에서 HMDS 공정이 수행된다. 이 경우, HMDS 공정 진행중 발생되는 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분이 필터 유닛(160)에 의해 제거되므로 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분이 외부로 방출되는 것을 차단할 수 있다.

또한, 도어부(140)에 실링을 설치하여 NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분을 차단하는 기구적인 방법과 비교하여, 필터 유닛(160)에 의해 NH3, TMS, HMDSO 각 성분을 제거하는 경우, NH3, TMS, HMDSO 등과 같은 HMDS Odor 성분의 차단 효율이 더욱 극대화될 수 있다.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

100: 박스 유닛
120: 몸체부
140: 도어부
160: 필터 유닛
162: 제1필터
164: 제2필터

Claims

기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1유닛과;
상기 제1유닛을 수용하는 박스 유닛을 포함하고,
상기 박스 유닛은,
내부에 상기 제1유닛을 수용하는 수용 공간이 형성되는 몸체부와;
상기 몸체부의 상기 수용 공간을 개폐하도록 제공되는 도어부와;
상기 몸체부와 상기 도어부 사이에 제공되는 필터 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 필터 유닛은 이중 필터로 마련되는 기판 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 필터 유닛은,
제1필터와;
상기 제1필터보다 상기 도어부에 가깝게 위치되는 제2필터를 포함하는 기판 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 제1필터는 IER 필터(Ion Exchange Resin Filter)로 제공되고,
상기 제2필터는 활성탄 필터(Activated Carbon Filter)로 제공되는 기판 처리 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1필터는 TMS 성분을 HMDSO 성분으로 변경하고, NH3 성분을 제거하는 기판 처리 장치.
제5항에 있어서,
상기 제2필터는 상기 HMDSO 성분을 제거하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 필터 유닛은,
상기 도어부에 설치되되,
상기 도어부가 상기 몸체부를 향하는 면에 제공되는 기판 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 제1필터와 상기 제2필터는 상기 몸체부에서 상기 도어부를 향하는 방향으로 적층되도록 제공되는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1유닛은 복수의 제1유닛을 포함하고,
상기 박스 유닛은 상기 복수의 제1유닛을 수용하도록 제공되는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제9항에 있어서,
상기 제1유닛에서는 HMDS 공정이 진행되는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
HMDS 공정이 진행되는 제1유닛과;
상기 제1유닛을 수용하는 박스 유닛을 포함하고,
상기 박스 유닛은,
내부에 상기 제1유닛을 수용하는 수용 공간이 형성되는 몸체부와;
상기 몸체부의 상기 수용 공간을 개폐하도록 제공되는 도어부와;
상기 몸체부와 상기 도어부 사이에 제공되는 필터 유닛을 포함하고,
상기 필터 유닛은,
제1필터와, 상기 제1필터보다 상기 도어부에 가깝게 위치되는 제2필터를 포함하는 이중 필터로 제공되는 기판 처리 장치.
제11항에 있어서,
상기 제1필터는 IER 필터(Ion Exchange Resin Filter)로 제공되고,
상기 제2필터는 활성탄 필터(Activated Carbon Filter)로 제공되는 기판 처리 장치.
제12항에 있어서,
상기 HMDS 공정에서는 기판 상으로 HMDS를 공급하며,
상기 HMDS는 수분과 반응하여 TMS 성분, HMDSO 성분 및 NH3 성분 중 적어도 하나의 성분을 생성하는 기판 처리 장치.
제13항에 있어서,
상기 제1필터는 TMS 성분을 HMDSO 성분으로 변경하고, NH3 성분을 제거하는 기판 처리 장치.
제14항에 있어서,
상기 제2필터는 상기 HMDSO 성분을 제거하는 기판 처리 장치.