CN115642118A - 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种基板处理设备，包括：处理容器，所述处理容器中具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑并旋转所述基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元用于将液体供应到所述基板上，其中所述支撑单元包括：主体，在所述主体上安置所述基板；以及支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体，并且所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，并且在所述中心部分中形成真空孔，并且在所述边缘部分中形成凹槽。

Description

支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备
技术领域
本发明涉及一种支撑单元和一种包括该支撑单元的用于处理基板的设备，并且更具体地，涉及一种用于通过将液体供应到旋转基板来处理基板的基板处理设备，以及一种在该基板处理设备中使用的支撑单元。
背景技术
为了制造半导体器件，执行诸如清洁、沉积、摄影、蚀刻和离子注入的各种过程。在这些过程中，摄影过程包括通过将诸如光致抗蚀剂的光敏液体施加到基板的表面来形成膜的涂覆过程、将电路图案转移到在基板上形成的膜的曝光过程，以及在已经执行曝光处理的区域和其相反区域选择性地移除在基板上形成的膜的显影过程。
在多层、精细图案化和更大基板的最近趋势中，基板中产生翘曲现象。例如，在蚀刻过程中，在蚀刻具有不同蚀刻速率的图案目标膜时由于杂质或堆叠的材料之间的相互吸引导致图案的临界尺寸(CD)的差异，并且图案会倾斜而使基板翘曲。作为另一个示例，当半导体基板是多层时，在相应的层之间产生压力差，从而使基板的一侧翘曲。另外，在诸如基板上的膜形成的各种预处理过程的影响上，基板中发生翘曲。当执行后续单元处理时，基板的翘曲会增加过程缺陷率。特别地，当执行在旋转由支撑单元支撑的基板时将处理液体供应到基板上的涂覆过程和显影过程时，出现问题。
当处于翘曲状态的基板W位于支撑单元上时，出现支撑单元的主体的边缘附近与基板之间彼此间隔开预定距离的现象。通过在基板与支撑单元的主体的边缘区域之间形成空间，将外部气流引入该空间中。当支撑单元以真空吸附方法吸附并固定基板时，负压的强度在支撑单元的中心处相对较大，并且负压的强度在支撑单元的边缘处相对较小。由于这个原因，支撑单元对基板的吸附和固定并不平稳。此外，由于基板的中心部分与边缘部分之间的相对压力的偏差，导致加强基板的翘曲的问题。这在涂覆过程和显影过程中会阻止处理液体均匀地涂覆在基板上。
发明内容
本发明致力于提供一种能够最小化外部气流的影响的支撑单元，以及一种包括所述支撑单元的基板处理设备。
本发明还致力于便提供一种能够使向位于支撑单元上的基板传输的压力的变化最小化的支撑单元，以及一种包括所述支撑单元的基板处理设备。
本发明的目的不限于此，并且本领域的普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。
本发明的示例性实施例提供了一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：处理容器，所述处理容器中具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑并旋转所述基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元将液体供应到所述基板上，其中所述支撑单元包括：主体，在所述主体上安置所述基板；以及支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体，并且所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，并且在所述中心部分中形成真空孔，并且在所述边缘部分中形成凹槽。
根据示例性实施例，所述凹槽可以设置为狭缝形状。
根据示例性实施例，所述狭缝可以沿着所述边缘部分的圆周设置为环形。
根据示例性实施例，所述狭缝可以设置有第一侧表面和第二侧表面，当从在所述狭缝的宽度方向上剖切的横截面观察时，所述第二侧表面定位成比所述第一侧表面更远离所述主体的所述中心。
根据示例性实施例，所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成。
根据示例性实施例，所述第一侧表面可以平行于所述支撑轴的轴向方向形成，并且所述第二侧表面可以形成为在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜。
根据示例性实施例，在所述狭缝中，在远离所述中心的方向上突出的突起可以在所述第一侧表面的上部部分上形成。
根据示例性实施例，当从顶部观察时，所述上表面可以设置有小于所述基板的区域，所述中心部分的上表面可以形成为低于所述边缘部分的上表面，用于支撑所述基板的支撑突起可以设置在所述中心部分的所述上表面上，并且所述边缘部分的所述上表面和所述支撑突起的上端可以设置在相同的高度处。
根据示例性实施例，被所述边缘部分包围的部分可以设置为减压空间，所述基板通过所述真空孔被吸附到该减压空间中，并且所述凹槽的内部空间可以设置为供引入到所述基板与所述边缘部分的所述上表面之间的外部气流停留的气流捕获空间。
根据示例性实施例，所述多个狭缝可以设置在所述边缘部分中，同时在到所述中心部分的方向上彼此隔开，并且所述多个狭缝可以设置为具有彼此不同的形状。
根据示例性实施例，所述狭缝可以具有以下任一者：第一形状，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成；第二形状，其中所述第一侧表面平行于所述支撑轴的所述轴向方向形成，并且所述第二侧在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜；第三形状，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的所述轴向方向形成，并且进一步形成在远离所述支撑轴的所述中心的方向上突出并设置在所述第一侧表面的上端上的突起；以及第四形状，其中所述第一侧表面平行于所述支撑轴的所述轴向方向形成，并且所述第二侧表面形成为在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜，并且进一步形成在远离所述支撑轴的所述中心的方向上突出并设置在所述第一侧表面的所述上端上的突起。
本发明的另一示例性实施例提供了一种用于支撑并旋转基板的支撑单元，所述支撑单元包括：主体，在所述主体上安置基板；以及支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体并且在其中形成有真空流动路径，其中所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，在所述中心部分的中心中形成与所述真空流动路径的一端连通的真空孔，并且沿着所述边缘部分的圆周形成环形狭缝，并且所述狭缝设置有第一侧表面和第二侧表面，当从在所述狭缝的宽度方向上剖切的横截面观察时，所述第二侧表面定位成比所述第一侧表面更远离所述主体的所述中心。
根据示例性实施例，所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成。
根据示例性实施例，所述第一侧表面可以平行于所述支撑轴的轴向方向形成，并且所述第二侧表面可以形成为在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜。
根据示例性实施例，在所述狭缝中，在远离所述中心的方向上突出的突起可以在所述第一侧表面的上部部分上形成。
根据示例性实施例，当从顶部观察时，所述上表面可以设置有小于所述基板的区域。
根据示例性实施例，所述中心部分的上表面可以形成为低于所述边缘部分的上表面并且设置有支撑所述基板的支撑突起，并且所述边缘部分的所述上表面和所述支撑突起的上端可以设置在相对于地面的相同高度处。
根据示例性实施例，所述多个狭缝可以设置在所述边缘部分中，同时在到所述中心部分的方向上彼此隔开，并且所述多个狭缝可以设置为具有彼此不同的形状。
本发明的又一示例性实施例提供了一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：壳体，所述壳体具有内部空间；处理容器，所述处理容器位于所述内部空间内并且具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑并旋转所述基板；液体供应单元，所述液体供应单元用于将液体供应到所述基板上；以及气流供应单元，所述气流供应单元联接到所述壳体的上表面并且将形成向下气流的气体供应到所述内部空间，其中所述支撑单元包括：主体，在所述主体上安置基板；以及支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体并且在其中形成有真空流动路径，并且所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，在所述中心部分的中心中形成与所述真空流动路径的一端连通的真空孔，所述中心部分的上表面形成为低于所述边缘部分的上表面并且设置有支撑所述基板的支撑突起，沿着所述边缘部分的圆周形成环形狭缝，并且所述狭缝设置有第一侧表面和第二侧表面，当从在所述狭缝的宽度方向上剖切的横截面观察时，所述第二侧表面定位成比所述第一侧表面更远离所述主体的所述中心。
根据示例性实施例，在所述狭缝中，在远离所述中心的方向上突出的突起可以在所述第一侧表面的上部部分上形成。
根据本发明的示例性实施例，可以提高液体处理过程的效率。
此外，根据本发明的示例性实施例，可以使传输到支撑单元的外部气流的影响最小化。
此外，根据本发明的示例性实施例，可以使传输到安置于支撑单元上的基板的压力的偏差最小化。
此外，根据本发明的示例性实施例，当处于翘曲状态的基板被支撑在支撑单元上时，可以使基板的翘曲状态的劣化最小化。
本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理设备的透视图。
图2是示出图1的涂覆块和显影块的基板处理设备的前视图。
图3是图1的基板处理设备的顶视平面图。
图4是示出设置在图3的传送室中的手的示例的图。
图5是示意性地示出图3的热处理室的示例的顶视平面图。
图6是图5的热处理室的前视图。
图7是示意性地示出图3的液体处理室的示例的图。
图8是示意性地示出图7的支撑单元的示例的剖视透视图。
图9是示意性地示出在从前面观察时外部气流在图7的支撑单元内流动的状态的图。
图10是示意性地示出图9的部分A的放大状态的图。
图11是图7的支撑单元的另一示例的前视图。
图12是示意性地示出图11的部分B的放大状态的视图。
图13是图7的支撑单元的另一示例的前视图。
图14是示意性地示出图13的部分C的放大状态的图。
图15是图7的支撑单元的另一示例的前视图。
图16是图7的支撑单元的另一示例的前视图。
图17是示意性地示出图7的支撑单元的另一示例的剖视透视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施例。可以各种形式修改本发明的示例性实施例，并且本发明的范围不应被解释为由下面描述的示例性实施例限制。将提供本示例性实施例以向本领域技术人员更完整地解释本发明。因此，附图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。
在下文中，将参考图1至图17详细地描述本发明的示例。在以下示例性实施例中，将描述用于在基板上涂覆光致抗蚀剂和在曝光之后使基板显影的设备作为基板处理设备的示例。然而，本发明不限于此，并且可以应用于通过向旋转基板供应液体来处理基板的各种类型的设备。例如，基板处理设备可以是执行通过向基板供应清洁液体来从基板移除异物或者通过向基板供应化学液体来从基板移除薄膜的过程的设备。
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理设备的透视图，并且图2是示出图1的涂覆块和显影块的基板处理设备的前视图。图3是图1的基板处理设备的顶视平面图。
参考图1至图3，基板处理设备1包括转位模块10、处理模块20和接口模块30。根据示例性实施例，转位模块10、处理模块20和接口模块30按顺序布置成列。在下文中，转位模块10、处理模块20和接口模块30的布置方向被定义为第一方向2，当从顶部观察时垂直于第一方向2的方向被定义为第二方向4，并且垂直于包括第一方向2和第二方向4两者的平面的方向被定义为第三方向6。
转位模块10将基板W传送到处理模块20，该处理模块处理来自容器F的基板W，基板W容纳在该容器中。转位模块10将已经在处理模块20中被完全处理的基板W容纳到容器F中。转位模块10的纵向方向是在第二方向4。转位模块10包括装载端口110和转位框架140。
容纳有基板W的容器F位于装载端口120中。装载端口120基于转位框架140位于处理模块20的相对侧处。可以设置多个装载端口120，并且多个装载端口120可以沿着第二方向4布置成列。装载端口120的数量可以根据处理模块20的处理效率和占用空间的条件等来增加或减少。
可以在容器F中形成用于在基板W相对于地面水平地布置的状态下容纳多个基板W的多个狭槽(未示出)。作为容器F，可以使用密封容器，诸如前开式晶圆传输盒(FOUP)。容器F可以通过传送装置(未示出)(诸如高处传送装置、高处输送器或自动引导载具)或由操作员放置在装载端口120上。
转位轨道142和转位机器人144设置在转位框架140内部。转位轨道142设置在转位框架140内部，使得纵向方向是第二方向4。转位机器人144可以传送基板W。转位机器人144可以在转位模块10与稍后将描述的缓冲室240之间传送基板W。转位机器人144可以包括转位手1440。基板W可以放置在转位手1440上。转位手1440可以包括具有圆周的一部分对称地弯曲的圆环形状的转位底座1442，以及移动转位底座1442的转位支撑部分1444。转位手1440的配置与稍后将描述的传送手2240的配置相同或相似。转位手1440可以设置为在转位轨道142上沿第二方向4可移动。因此，转位手1440可沿着转位轨道142前后移动。此外，转位手1440可以设置为绕第三方向6可旋转且在第三方向6上可移动。
处理模块20可以接纳容纳在容器F中的基板W并且在基板W上执行涂覆过程和显影过程。处理模块20包括涂覆块20a和显影块20b。涂覆块20a在基板W上执行涂覆过程。显影块20b在基板W上执行显影过程。设置多个涂覆块20a，并且涂覆块20a设置为彼此堆叠。设置多个显影块20b，并且显影块20b设置为彼此堆叠。根据图3的示例性实施例，设置了两个涂覆块20a并且设置了两个显影块20b。涂覆块20a可以设置在显影块20b的下方。根据示例，两个涂覆块20a执行相同的过程，并且可以以相同的结构设置。另外，两个显影块20b可以执行彼此相同的过程，并且可以以相同的结构设置。
参考图3，涂覆块20a包括传送室220、缓冲室240、热处理室260和液体处理室280。传送室220提供空间以在缓冲室240与热处理室260之间、在缓冲室240与液体处理室280之间以及在热处理室260与液体处理室280之间传送基板W。缓冲室240提供供装载到涂覆块20a中的基板W和从涂覆块20a卸载的基板W暂时停留的空间。热处理室260在基板W上执行热处理过程。热处理过程可以包括冷却过程和加热过程。液体处理室260将液体供应在基板W上以形成液膜。液膜可以是光致抗蚀剂膜或防反射膜。
传送室220的纵向方向可以设置在第一方向2上。传送室220设置有导轨222和传送机器人224。导轨222设置在传送室220中，使得纵向方向是第一方向2。传送机器人244可以设置为在导轨222上沿第一方向2可线性地移动。传送机器人224在缓冲室240与热处理室260之间、在缓冲室240与液体处理室280之间以及在热处理室260与液体处理室280之间传送基板。
根据示例，传送机器人224具有放置基板W的传送手2240。传送手2240可以设置为可前后移动、绕第三方向6可旋转并且沿着第三方向6可移动。
图4是示出设置在图3的传送室中的传送手的示例的图。参考图4，传送手2240具有底座2242和支撑突起2244。底座2242可以具有圆环形状，其中圆周的一部分是弯曲的。底座2242可以为环形，其中圆周的一部分是对称弯曲的。底座2242具有比基板W的直径大的内径。支撑突起2244从底座2242向内延伸。设置多个支撑突起2244，并且多个支撑突起支撑基板W的边缘区域。根据示例，四个支撑突起2244可以以等间隔设置。
返回参考图2和图3，设置了多个缓冲室240。缓冲室240中的一些设置在转位模块10与传送室220之间。在下文中，前述缓冲室被称为前缓冲器242。设置多个前缓冲器242并将其定位成在竖直方向上彼此堆叠。缓冲室240中的另一部分设置在传送室220与接口模块30之间。在下文中，前述缓冲室被称为后缓冲器244。设置多个后缓冲器244并将其定位成在竖直方向上彼此堆叠。前缓冲器242和后缓冲器244中的每一个临时地储存多个基板W。储存在前缓冲器242中的基板W由转位机器人144和传送机器人224装载或卸载。储存在后缓冲器244中的基板W由传送机器人224和稍后将描述的第一机器人3820装载或卸载。
缓冲机器人2420和2440可以设置在缓冲室240的一侧上。缓冲机器人2420和2440可以包括前缓冲机器人2420和后缓冲机器人2440。前缓冲机器人2420可以设置在前缓冲器242的一侧上。后缓冲机器人2440可以设置在后缓冲器244的一侧上。本发明不限于此，并且缓冲机器人2420和2440可以设置在缓冲室240的两侧上。
前缓冲机器人2420可以在前缓冲器242之间传送基板W。前缓冲机器人2420可以包括前缓冲手2422。前缓冲手2422可以沿着第三方向6上下移动。前缓冲手2422可以旋转。前缓冲手2422可以传送基板W。前缓冲手2422可以将基板W装载到设置在稍后将描述的支撑板2482上的销2486或从该销卸载基板。后缓冲机器人2440可以在后缓冲器244之间传送基板W。后缓冲机器人2440可以包括后端缓冲手2442。后缓冲手2442的配置与前缓冲手2422的配置相同或相似。因此，将省略后缓冲手2442的描述。
图5是示意性地示出图3的热处理室的示例的顶视平面图，并且图6是图5的热处理室的前视图。参考图5和图6，设置了多个热处理室260。热处理室260沿着第一方向2设置。热处理室260位于传送室220的一侧处。热处理室260包括壳体2620、冷却单元2640、加热单元2660和传送板2680。
壳体2620设置为大体矩形的平行六面体形状。壳体2620在其中提供空间。在壳体2620的侧壁上形成入口(未示出)，基板W穿过该入口进入和离开。入口可以保持打开。可以设置门(未示出)以选择性地打开和关闭入口。
冷却单元2640、加热单元2660和传送板2680设置在壳体2620的内部空间中。冷却单元2640和加热单元2660沿着第二方向4并排设置。根据示例，冷却单元2640可以比加热单元2660相对更靠近传送室220定位。冷却单元2640包括冷却板2642。当从顶部观察时，冷却板2642可以具有大体圆形形状。冷却板2642设置有冷却构件2644。根据示例，冷却构件2644形成在冷却板2642内部，并且可以设置为供冷却流体流过的流动路径。
设置在热处理室260中的一些中的加热单元2660可以在加热基板W的同时供应气体以提高光致抗蚀剂对基板W的粘附速率。根据示例，气体可以是六甲基二硅烷(HMDS)气体。
加热单元2660包括加热板2661、加热器2663、盖2665和驱动器2667。当从顶部观察时，加热板2661具有大体圆形形状。加热板2661具有比基板W的直径更大的直径。加热器2663安装在加热板2661中。加热器3233可以设置为加热电阻器，电流被施加到该加热电阻器。
加热板2661设置有升降销2669，所述升降销可沿着第三方向6在竖直方向上驱动。升降销2669从加热单元2660外部的传送装置接收基板W并将接收的基板W向下放置在加热板2661上，或者将基板W从加热板2661提升并将基板W移交到加热单元2660外部的传送装置。根据示例，可以设置三个升降销2669。
盖2665具有其中带有开放的下部部分的空间。盖2665位于加热板2661上方并且通过驱动器2667上下移动。根据盖2665的移动而由盖2665和加热板2661形成的空间被设置为用于加热基板W的加热空间。
传送板2680设置为大致盘形形状，并且具有与基板W的直径对应的直径。在传送板2680的边缘处形成凹口2682。凹口2682的数量设置为对应于在传送机器人224的传送手2240上形成的支撑突起2244的数量，并且在与支撑突起2244的位置对应的位置处形成。当传送手2240和传送板2680的上部和下部位置在传送手2240和传送板2680竖直地对齐的位置改变时，基板W在传送手2240和传送板2680之间传送。传送板2680安装在导轨2692上，并且可通过驱动器2694而在第一区域2696与第二区域2698之间沿着导轨2692移动。
多个狭缝形导向槽2680设置在传送板2684中。导向槽2684从传送板2680的端部延伸到传送板2680的内部。导向槽2684的纵向方向沿着第二方向4设置，并且导向槽2684在沿着第一方向2彼此隔开的同时定位。当在传送板2680与加热单元2660之间传送基板W时，导向槽2684防止传送板2680和升降销2669彼此干扰。
在放置有基板W的传送板2680与冷却板2642接触的状态下执行基板W的冷却。传送板2680由具有高热导率的材料制成，使得在冷却板2642与基板W之间很好地进行热传递。根据示例，传送板2680可以由金属材料制成。
返回参考图2和图3，设置了多个液体处理室280。液体处理室360中的一些可以设置为彼此堆叠。液体处理室360设置在传送室220的一侧处。液体处理室280沿着第一方向2并排布置。液体处理室360中的一些设置在与转位模块10相邻的位置。在下文中，液体处理室360被称为前液体处理室280。液体处理室360中的另外一些设置在与接口模块30相邻的位置。在下文中，液体处理室360被称为后液体处理室280。
前液体处理室282将第一液体施加在基板W上，并且后液体处理室284将第二液体施加在基板W上。第一液体和第二液体可以是不同类型的液体。根据示例性实施例，第一液体是防反射膜，并且第二液体是光致抗蚀剂。光致抗蚀剂可以施加在施加有防反射膜的基板W上。任选地，第一液体可以是光致抗蚀剂，并且第二液体可以是防反射膜。在这种情况下，防反射膜可以施加在施加有光致抗蚀剂的基板W上。任选地，第一液体和第二液体是相同类型的液体，并且两者都可以是光致抗蚀剂。
图7是示意性地示出图3的液体处理室的示例的图。参考图7，液体处理室280包括壳体2810、处理容器2820、支撑单元2830和液体供应单元2850。
壳体2810在其中提供空间。壳体2810设置为大体矩形的平行六面体形状。开口(未示出)可以形成在壳体2810的一侧处。开口充当入口，基板W穿过该入口装载到内部空间中或基板穿过该入口从内部空间卸载。另外，为了选择性地密封入口，门(未示出)可以安装在与入口相邻的区域中。当在装载到内部空间中的基板W上执行处理过程时，门可以通过挡住入口来密封内部空间。处理容器2820、支撑单元2830和液体供应单元2640设置在壳体2810内。
处理容器2820可以具有带有开放顶部的处理空间。处理容器2820可以是具有处理空间的碗状物。内部空间可以设置为包围处理空间。处理容器2820可以具有带有开放顶部的杯形形状。处理容器2820的处理空间可以是其中稍后将描述的支撑单元2830支撑并旋转基板W的空间。处理空间可以是其中液体供应单元2850供应流体以处理基板W的空间。
根据一个示例，处理容器2820可以包括内杯2822和外杯2824。外杯2824设置为包围支撑单元2830的圆周，并且内杯2822可以位于外杯2824的内部。当从顶部观察时，内杯2822和外杯2824中的每一者可以具有圆环形状。内杯2822与外杯2824之间的空间可以用作回收路径，通过该回收路径来回收引入到处理空间中的流体。
当从顶部观察时，内杯2822可以设置成包围稍后将描述的支撑单元2830的支撑轴2834的形状。例如，当从顶部观察时，内杯2822可以设置为包围支撑轴2834的圆板形状。当从顶部观察时，内杯2822可以定位成与稍后将描述的联接到壳体2810的排气管线2860重叠。
内杯2822可以具有内部部分和外部部分。内部部分和外部部分的上表面可以设置为基于虚拟水平线具有彼此不同的角度。例如，当从顶部观察时，内部部分可以定位成与稍后将描述的支撑单元2831的主体2832重叠。内部部分可以定位成与支撑轴2832相对。内部部分可以具有向外倾斜的上表面，因为它远离支撑轴2832延伸，并且外部部分可以从内部部分向外延伸。外部部分可以面向向下倾斜的方向，因为上表面远离支撑轴2832移动。内部部分的上端可以在竖直方向上与基板W的侧端重合。根据示例，外部部分和内部部分相遇的点可以是低于内部部分的上端的位置。内部部分和外部部分彼此相遇的点可以设置为圆形。外部部分可以与外杯2824组合以形成回收路径，通过该回收路径来回收处理介质。
外杯2824可以设置为包围支撑单元2830和内杯2822的杯形形状。外杯2824可以包括底部部分2824a、侧部分2824b和倾斜部分2824c。
底部部分2824a可以具有带有中空部的圆板形状。回收管线2870可以连接到底部部分2824a。回收管线2870可以回收供应到基板W上的处理介质。由回收管线2870回收的处理介质可以由外部再循环系统(未示出)再利用。
侧部分2824b可以具有包围支撑单元2830的圆环形状。侧部分2824b可以在垂直于底部部分2824a的侧端的方向上延伸。侧部分2824b可以从底部部分2824a向上延伸。
倾斜部分2824c可以从侧部分2824b的上端朝向外杯2824的中心轴线延伸。倾斜部分2824c的内表面可以设置为向上倾斜以接近支撑单元2830。倾斜部分2824c可以设置为具有环形形状。在基板W的处理期间，倾斜部分2824c的上端可以定位成比由支撑单元2830支撑的基板W高。
图8是示意性地示出图7的支撑单元的示例的剖视透视图。在下文中，将参考图8详细地描述本发明的支撑单元的示例性实施例。
支撑单元2830将基板W支撑在处理空间中并且旋转基板W。支撑单元2830可以是支撑并旋转基板W的卡盘。支撑单元2830可以包括主体2831、支撑轴2832和驱动单元2833。主体2831可以具有安置基板W的上表面。当从顶部观察时，主体2831的上表面设置为大体圆形形状。主体2831的上表面设置为具有小于基板W的直径。例如，当从顶部观察时，主体2831的上表面可以设置为小于基板W的上表面的区域。
主体2831的上表面可以设置有中心部分A1和边缘部分A2。中心部分A1可以是包括主体2831的中心的区域。边缘部分A2可以是包围中心部分A1的区域。例如，中心部分A1可以是包括形成有稍后将描述的支撑突起2836的区域的区域。例如，边缘部分A2可以是从中心部分A1到主体2831的端部的区域。
中心部分A1的上表面可以形成为低于边缘部分A2的上表面。例如，中心部分A1可以形成为相对于边缘部分A2成阶梯状。在中心部分A1中形成真空孔2835。真空孔2835可以用真空吸附方法吸附并固定基板W。被边缘部分A2包围的中心部分A1可以设置为减压空间，基板W通过真空孔2835被吸附到该减压空间中。用于支撑基板W的支撑突起2836可以设置在中心部分A1的上表面上。支撑突起2836的上端可以形成为圆形的。支撑突起2836的上端可以接触基板W的下表面以支撑基板W。支撑突起2836的上端可以设置在与边缘部分A2的上表面相同的高度处。可以设置多个支撑突起2836。
边缘部分A2提供在安置基板W的安置表面。基板W的下表面可以与边缘部分A2的上表面接触，使得可以支撑基板W。因此，基板W的下表面由支撑突起2836和边缘部分A2支撑，并且基板W可以因在中心部分A1中形成的低压空间而被吸附和支撑。
在边缘部分A2中形成凹槽3000。凹槽3000可以设置为狭缝形状。狭缝3000可以沿着边缘部分A2的圆周设置为环形。当从在狭缝3000的宽度方向上剖切的横截面观察时，狭缝3000设置有第一侧表面3100和第二侧表面3200。第二侧表面3200定位成比第一侧表面3100更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100可以设置在更靠近中心部分A1的位置，并且第二侧表面3200可以设置在比第一侧表面3100更远离中心部分A1的位置。
根据本发明的示例性实施例，第一侧表面3100可以平行于稍后将描述的支撑轴2832的轴向方向形成。第二侧表面3200可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。例如，底表面3300可以是连接第一侧表面3100和第二侧表面3200的表面。当从在宽度方向上剖切的横截面观察狭缝3000时，狭缝3000可以设置为其中第一侧表面3100、第二侧表面3200和底表面3300进行组合以提供具有矩形形状的开放上表面的形状。狭缝3000的内部空间设置为供引入到基板W与边缘A2的上表面之间的外部气流停留的气流捕获空间。例如，外部气流可以停留在通过将第一侧表面3100、第二侧表面3200、底表面3300和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W进行组合来形成的内部空间中。
图9是示意性地示出在从前面观察时外部气流在图7的支撑单元内流动的状态的图。图10是示意性地示出图9的部分A的放大状态的图。在下文中，将参考图9和图10详细地描述外部气流在支撑单元内流动的状态。
气流在壳体2810的内部流动。例如，由稍后将描述的气流供应单元2880引入的外部气流在壳体2810内部流动。当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，基板W的下表面不与边缘部分A2紧密接触。产生在边缘部分A2与基板W之间隔开的空间。因此，在壳体2810中形成的气流可以引入到隔开的空间中。引入到隔开的空间中的气流流到气流捕获空间中，该气流捕获空间设置在形成于边缘部分A2中的狭缝3000中。气流通过在捕获空间中与第一侧表面3100、第二侧表面3200和基板W的下表面碰撞来形成涡流。由所形成的涡流再次引入到隔开的空间中的后续气流再次碰撞。因此，引入到隔开的空间中的后续气流的流速降低。因此，可能使从隔开的空间引入的气流到达中心部分A1最小化。通过最小化到达中心部分A1的气流，可能使在由形成于中心部分A1中的支撑突起2836支撑的基板W的中心附近的压力与在当安置于边缘部分A2处时被支撑的基板W的边缘附近的压力之间的压力偏差最小化。
此外，减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向减压空间提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W的中心附近提供负压。因此，与基板W的边缘附近相比，基板W的中心附近设置有相对高的负压。当基板W在翘曲状态下安置在支撑单元2830上并且外部气流被引入隔开的空间中时，气流在隔开的空间中与基板W的下表面碰撞，使得力相对于基板W作用于向上方向。在基板W的中心附近沿向下方向施加力，并且在基板W的边缘附近沿向上方向施加力。因此，在本发明的示例性实施例中，通过在边缘部分A2中形成狭缝3000，可能使外部气流引入中心部分A1中最小化。在基板W的中心附近与在基板的边缘附近之间的压力差可以被最小化。因此，当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，可能使基板W的翘曲状态的进一步劣化最小化。
支撑轴2832与主体2831联接。支撑轴2832可以联接到主体2831的下表面。支撑轴2832可以设置为使得其纵向方向朝竖直方向。支撑轴2832设置为可通过从驱动单元2833接收动力来旋转。支撑轴2832通过驱动单元2833的旋转进行旋转以使主体2831旋转。驱动单元2833可以改变支撑轴2832的旋转速度。驱动单元2833可以是提供驱动力的马达。然而，本发明不限于此，并且可以进行不同地修改为提供驱动力的众所周知的装置。真空流动路径2837可以在支撑轴2832的内部形成。真空流动路径2837的一端可以与真空孔2835连通。真空流动路径2837的另一端可以连接到减压构件2834。减压构件2834向真空流动路径2837中提供负压。因此，基板W的与被边缘部分A2包围的中心部分A1对应的下表面可以被吸附。
返回参考图7，升降单元2840设置在液体处理室280中。升降单元2840设置在壳体2810内。升降单元2840调节处理容器2820与支撑单元2830之间的相对高度。升降单元2840可以包括第一升降单元2842、第二升降单元2844和第三升降单元2846。第一升降单元2842可以联接到处理容器2820的内杯2822。第一升降单元2842可以在第三方向6上线性地移动内杯2822。第二升降单元2842可以联接到处理容器2820的外杯2824。第二升降单元2844可以在第三方向6上线性地移动外杯2824。第三升降单元2846可以联接到支撑单元2830。第三升降单元2846可以在第三方向6上线性地移动支撑单元2830。第一升降单元2842、第二升降单元2844和第三升降单元2846中的每一者可以由稍后将描述的控制器3000控制。
液体供应单元2850可以将液体供应到由支撑单元2830支撑的基板W。液体供应单元2850可以将液体供应到由支撑单元2830支撑的基板W。由液体供应单元2850向基板W供应的液体可以是涂覆液体。例如，涂覆液体可以是光敏液体，诸如光致抗蚀剂(PR)。另外，液体供应单元2850可以将预湿液体供应到由支撑单元2830支撑的基板W。由液体供应单元2850向基板W供应的预湿液体可以是能够改变基板W的表面性质的液体。例如，预湿液体可以是能够将基板W的表面性质改变为疏水性质的液体。例如，预湿液体可以是稀释剂。
液体供应单元2850可以包括自由湿喷嘴2851、液体喷嘴2853、臂2855、轨道2857和驱动器2859。预湿喷嘴2851可以将预湿液体供应到基板W。预湿喷嘴2851可以以流方式将预湿液体供应到基板W。处理液体喷嘴2853可以将处理液体供应到基板W。处理液体喷嘴2853可以是供应涂覆液体(诸如光致抗蚀剂)的涂覆液体喷嘴。处理液体喷嘴2853可以以流方式将处理液体供应到基板W。
臂2855可以支撑自由湿喷嘴2851和处理液体喷嘴2853。自由湿喷嘴2851和处理液体喷嘴2853可以安装在臂2855的一端处。自由湿喷嘴2851和处理液体喷嘴2853可以分别安装在臂2855的一端的下表面上。当从顶部观察时，自由湿喷嘴2851和处理液体喷嘴2853可以布置在与稍后将描述的轨道2857的纵向方向平行的方向上。臂2855的另一端可以联接到驱动器2859。
臂2855可以由驱动器2859移动。因此，安装在臂2855上的自由湿喷嘴2851和处理液体喷嘴2853的位置可以改变。臂2855的移动方向可以沿着安装有驱动器2859的轨道2857引导。轨道2857可以设置为使得纵向方向面向水平方向。例如，轨道2857可以设置为使得纵向方向面向平行于第一方向2的方向。任选地，臂2855可以通过联接到其纵向方向面向第三方向6的旋转轴线进行旋转。旋转轴可以由驱动器旋转。因此，安装在臂2855上的自由湿喷嘴2851和处理液体喷嘴2853的位置可以改变。
排气管线2860可以设置在液体处理室280的外部。排气管线2860设置有减压单元(未示出)。排气管线2860通过减压单元对处理空间内部的大气进行排气。排气管线2860可以联接到处理容器2820。任选地，排气管线2860可以联接到外杯2824的底部部分2824a。当从顶部观察时，排气管线2860可以定位成与内杯2822重叠。
气流供应单元2880向壳体2810的内部空间供应气流。气流供应单元2880可以向内部空间供应下降气流。气流供应单元2880可以向内部空间供应温度和/或湿度受控制的气流。气流供应单元2880可以安装在壳体2810中。气流供应单元2880安装在处理容器2820和支撑单元2830的上方。气流供应单元2860可以包括风扇2882、气流供应管线2884和过滤器2886。气流供应管线2884可以向内部空间供应温度和/或湿度受控制的外部气流。过滤器2886可以安装在气流供应管线2884中。过滤器2886可以去除流过气流供应管线2884的外部气流中包含的杂质。当风扇2882被驱动时，由气流供应管线2884供应的外部气流可以均匀地传输到内部空间。
返回参考图1至图3，显影块20b包括传送室220、缓冲室240、热处理室260和液体处理室280。显影块20b的传送室220、缓冲室240、热处理室260和液体处理室280以与涂覆块20a的传送室220、缓冲室240、热处理室260和液体处理室280的结构和布置基本上相似的结构和布置设置，并且因此，将省略其描述。然而，显影块20b的所有液体处理室280都以相同的方式执行向基板W供应显影剂并使基板显影的显影过程。
接口模块30连接处理模块20和外部曝光设备40。接口模块30包括接口框架320、附加工艺室340、接口缓冲器360和传送构件380。
接口框架320提供内部空间。风扇过滤器单元可以设置在接口框架320的上端处，以在内部空间中形成向下气流。附加工艺室340、接口缓冲器360和传送构件380设置在接口框架320的内部空间中。
附加工艺室340可以在将已经在涂覆块20a中处理过的基板W装载到曝光设备40中之前执行预定的附加工艺。任选地，附加工艺室340可以在将已经在曝光设备40中处理过的基板W装载到显影块20b中之前执行预定的附加工艺。根据一个示例，附加工艺是对基板W的边缘区域进行曝光的边缘曝光工艺、清洁基板W的上表面的顶表面清洁工艺、或者清洁基板W的下表面的下表面清洁工艺。设置了多个附加工艺室340，并且它们可以设置为彼此堆叠。所有的附加工艺室340可以设置为执行相同的工艺。任选地，附加工艺室340中的一些可以设置为执行不同的工艺。
接口缓冲器360提供供在涂覆块20a、附加工艺室340、曝光设备40与显影块20b之间传送的基板W在传送期间临时地停留的空间。可以设置多个接口缓冲器360，并且多个接口缓冲器360可以设置为彼此堆叠。根据示例，附加工艺室340可以基于在纵向方向上的延伸线设置在传送室220的一个侧表面上，并且接口缓冲器360可以设置在另一侧表面上。
传送构件380在涂覆块20a、附加工艺室340、曝光设备40与显影块20b之间传送基板W。传送构件380可以设置为一个或多个机器人。根据示例，传送构件380包括第一机器人3820、第二机器人3840和第三机器人3860。第一机器人3820在涂覆块20a、附加工艺室340与接口缓冲器360之间传送基板W。第二机器人3840在接口缓冲器360与曝光设备40之间传送基板W。第三机器人3860在接口缓冲器360与显影块20b之间传送基板W。
第一机器人3820、第二机器人3840和第三机器人3860中的每一者包括在放置有基板W的手。手可以设置为可前后移动、绕平行于第三方向6的轴线可旋转并且沿着第三方向6可移动。第一机器人3820、第二机器人3840和第三机器人3860的手可以全部具有与传送机器人224的手2240的形状相同或相似的形状。任选地，将基板W与热处理室的冷却板2642直接交换的机器人的手设置为与传送机器人224的传送手2240的形状相同或相似的形状，并且剩余机器人的手可以设置为不同的形状。
在下文中，将描述图7的支撑单元的其他示例。在本发明的示例性实施例中，除了支撑单元2830的主体2831外的其他配置在本发明的其他实施例中相似地设置。因此，在下文，将省略对相似地设置的部件的描述以避免重复描述。
图11是图7的支撑单元的另一示例的前视图。图12是示意性地示出图11的部分B的放大状态的视图。
参考图11和图12，主体2831可以具有安置有基板W的上表面。当从顶部观察时，主体2831的上表面设置为大体圆形形状。例如，当从顶部观察时，主体2831的上表面可以设置为小于基板W的上表面的区域。主体2831的上表面可以设置有中心部分A1和边缘部分A2。中心部分A1可以是包括主体2831的中心的区域。边缘部分A2可以是包围中心部分A1的区域。例如，中心部分A1可以是包括形成有稍后将描述的支撑突起2836的区域的区域。例如，边缘部分A2可以是从中心部分A1到主体2831的端部的区域。
中心部分A1的上表面可以形成为低于边缘部分A2的上表面。例如，中心部分A1可以形成为相对于边缘部分A2成阶梯状。在中心部分A1中形成真空孔2835。真空孔2835可以用真空吸附方法吸附并固定基板W。被边缘部分A2包围的中心部分A1可以设置为减压空间，基板W通过真空孔2835被吸附到该减压空间中。用于支撑基板W的支撑突起2836可以设置在中心部分A1的上表面上。支撑突起2836的上端可以形成为圆形的。支撑突起2836的上端可以接触基板W的下表面以支撑基板W。支撑突起2836的上端可以设置在与边缘部分A2的上表面相同的高度处。可以设置多个支撑突起2836。
边缘部分A2提供安置有基板W的安置表面。基板W的下表面可以与边缘部分A2的上表面接触，使得可以支撑基板W。因此，基板W的下表面由支撑突起2836和边缘部分A2支撑，并且基板W可以因在中心部分A1中形成的低压空间而被吸附和支撑。
在边缘部分A2中形成凹槽3000。凹槽3000可以设置为狭缝形状。狭缝3000可以沿着边缘部分A2的圆周设置为环形。当从在狭缝3000的宽度方向上剖切的横截面观察时，狭缝3000设置有第一侧表面3100和第二侧表面3200。第二侧表面3200定位成比第一侧表面3100更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100可以设置在更靠近中心部分A1的位置，并且第二侧表面3200可以设置在比第一侧表面3100更远离中心部分A1的位置。
根据本发明的示例性实施例，第一侧表面3100可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。第二侧表面3200可以形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜。根据示例，底表面3300可以是连接第一侧表面3100和第二侧表面3200的表面。当从在宽度方向上剖切的横截面观察狭缝3000时，第一侧表面3100、狭缝3000可以设置为梯形形状，其中第一侧表面3100、第二侧表面3200和底表面3300彼此组合以具有开放上表面。狭缝3000的内部空间设置为供引入到基板W与边缘A2的上表面之间的外部气流停留的气流捕获空间。例如，外部气流可以停留在通过将第一侧表面3100、第二侧表面3200、底表面3300和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W进行组合来形成的内部空间中。
参考作为图11的部分B的放大视图的图12，气流在壳体2810的内部流动。例如，由稍后将描述的气流供应单元2880引入的外部气流在壳体2810内部流动。当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，基板W的下表面不与边缘部分A2紧密接触。产生在边缘部分A2与基板W之间隔开的空间。因此，在壳体2810中形成的气流可以引入到隔开的空间中。引入到隔开的空间中的气流流到设置在形成于边缘部分A2中的狭缝3000中的气流捕获空间中。
根据本发明的示例性实施例，第二侧表面3200形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜，使得引入到隔开的空间中的气流可以容易地流到气流捕获空间中。因此，引入到捕获空间中的气流在捕获空间中与第一侧表面3100和基板W的下表面碰撞以形成涡流。也就是说，由于第二侧表面3200形成为倾斜的，因此流入捕获空间中的气流增加，从而在气流捕获空间的内部积极地形成涡流。
由所形成的涡流被再次引入到隔开的空间中的后续气流再次碰撞。因此，引入到隔开的空间中的后续气流的流速降低。因此，可能使从隔开的空间引入的气流到达中心部分A1最小化。通过最小化到达中心部分A1的气流，可能使在由形成于中心部分A1中的支撑突起2836支撑的基板W的中心附近的压力与在当安置于边缘部分A2处时支撑的基板W的边缘附近的压力之间的压力偏差最小化。
此外，减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向减压空间提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W的中心附近提供负压。因此，与基板W的边缘附近相比，基板W的中心附近设置有相对高的负压。当基板W在翘曲状态下安置在支撑单元2830上并且外部气流被引入隔开的空间中时，气流在隔开的空间中与基板W的下表面碰撞，使得力相对于基板W作用于向上方向。在基板W的中心附近沿向下方向施加力，并且在基板W的边缘附近沿向上方向施加力。
因此，在本发明的示例性实施例中，通过在边缘部分A2中形成狭缝3000，可能使外部气流引入中心部分A1中最小化。在基板W的中心附近与在基板的边缘附近之间的压力差可以被最小化。因此，当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，可能基板W的翘曲状态的进一步劣化最小化。
图13是图7的支撑单元的另一示例的前视图。图14是示意性地示出图13的部分C的放大状态的图。
参考图13和图14，主体2831可以具有安置有基板W的上表面。当从顶部观察时，主体2831的上表面设置为大体圆形形状。例如，当从顶部观察时，主体2831的上表面可以设置为小于基板W的上表面的区域。主体2831的上表面可以设置有中心部分A1和边缘部分A2。中心部分A1可以是包括主体2831的中心的区域。边缘部分A2可以是包围中心部分A1的区域。例如，中心部分A1可以是包括形成有稍后将描述的支撑突起2836的区域的区域。例如，边缘部分A2可以是从中心部分A1到主体2831的端部的区域。
中心部分A1的上表面可以形成为低于边缘部分A2的上表面。例如，中心部分A1可以形成为相对于边缘部分A2成阶梯状。在中心部分A1中形成真空孔2835。真空孔2835可以用真空吸附方法吸附并固定基板W。被边缘部分A2包围的中心部分A1可以设置为基板W通过真空孔2835被吸附的减压空间。用于支撑基板W的支撑突起2836可以设置在中心部分A1的上表面上。支撑突起2836的上端可以形成为圆形的。支撑突起2836的上端可以接触基板W的下表面以支撑基板W。支撑突起2836的上端可以设置在与边缘部分A2的上表面相同的高度处。可以设置多个支撑突起2836。
边缘部分A2提供安置有基板W的安置表面。基板W的下表面可以与边缘部分A2的上表面接触，使得可以支撑基板W。因此，基板W的下表面由支撑突起2836和边缘部分A2支撑，并且基板W可以因在中心部分A1中形成的低压空间而被吸附和支撑。
在边缘部分A2中形成凹槽3000。凹槽3000可以设置为狭缝形状。狭缝3000可以沿着边缘部分A2的圆周设置为环形。当从在狭缝3000的宽度方向上剖切的横截面观察时，狭缝3000设置有第一侧表面3100和第二侧表面3200。第二侧表面3200定位成比第一侧表面3100更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100可以设置在更靠近中心部分A1的位置，并且第二侧表面3200可以设置在比第一侧表面3100更远离中心部分A1的位置。
根据本发明的示例性实施例，第一侧表面3100可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。在远离支撑轴2832的轴线的方向上突出的突起3400可以在第一侧表面3100的上端处形成。在远离主体2831的中心的方向上突出的突起3400可以在第一侧表面3100的上端处形成。第二侧表面3200可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。根据示例，底表面3300可以是连接第一侧表面3100和第二侧表面3200的表面。
狭缝3000的内部空间设置为供引入到基板W与边缘A2的上表面之间的外部气流停留的气流捕获空间。例如，外部气流可以停留在通过将第一侧表面3100、第二侧表面3200、底表面3300、突起3400和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W彼此组合而形成的内部空间中。
参考作为图13的部分C的放大视图的图14，气流在壳体2810的内部流动。例如，由稍后将描述的气流供应单元2880引入的外部气流在壳体2810内部流动。当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，基板W的下表面不与边缘部分A2紧密接触。产生在边缘部分A2与基板W之间隔开的空间。因此，在壳体2810中形成的气流可以引入到隔开的空间中。引入到隔开的空间中的气流流到设置在形成于边缘部分A2中的狭缝3000中的气流捕获空间中。
根据本发明的示例性实施例，由于突起3400在第一侧表面3100的上端上形成，因此可能使引入到隔开的空间中的气流从气流捕获空间的内部向中心部分A1的排气最小化。也就是说，引入到气流捕获空间中的气流可能不会移动到中心部分A1，而是可以再次与突起3400碰撞以停留在气流捕获空间的内部。由于与突起3400碰撞的气流再次与后续引入的气流碰撞，因此可以在气流捕获空间中积极地形成涡流。因此，引入到隔开的空间中的后续气流的流速降低。因此，可能使从隔开的空间引入的气流到达中心部分A1最小化。通过最小化到达中心部分A1的气流，可能使在由形成于中心部分A1中的支撑突起2836支撑的基板W的中心附近的压力与在当安置于边缘部分A2处时支撑的基板W的边缘附近的压力之间的压力偏差最小化。
此外，减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向减压空间提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W的中心附近提供负压。因此，与基板W的边缘附近相比，基板W的中心附近设置有相对高的负压。当基板W在翘曲状态下安置在支撑单元2830上并且外部气流被引入隔开的空间中时，气流在隔开的空间中与基板W的下表面碰撞，使得力相对于基板W作用于向上方向。在基板W的中心附近沿向下方向施加力，并且在基板W的边缘附近沿向上方向施加力。
因此，在本发明的示例性实施例中，通过在边缘部分A2中形成狭缝3000，可能使外部气流引入中心部分A1中最小化。在基板W的中心附近与在基板的边缘附近之间的压力差可以被最小化。因此，当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，可能使基板W的翘曲状态的进一步劣化最小化。
图15是图7的支撑单元的另一示例的前视图。参考图15，主体2831可以具有安置有基板W的上表面。当从顶部观察时，主体2831的上表面设置为大体圆形形状。例如，当从顶部观察时，主体2831的上表面可以设置为小于基板W的上表面的区域。主体2831的上表面可以设置有中心部分A1和边缘部分A2。中心部分A1可以是包括主体2831的中心的区域。边缘部分A2可以是包围中心部分A1的区域。例如，中心部分A1可以是包括形成有稍后将描述的支撑突起2836的区域的区域。例如，边缘部分A2可以是从中心部分A1到主体2831的端部的区域。
中心部分A1的上表面可以形成为低于边缘部分A2的上表面。例如，中心部分A1可以形成为相对于边缘部分A2成阶梯状。在中心部分A1中形成真空孔2835。真空孔2835可以用真空吸附方法吸附并固定基板W。被边缘部分A2包围的中心部分A1可以设置为减压空间，基板W通过真空孔2835被吸附到减压空间中。用于支撑基板W的支撑突起2836可以设置在中心部分A1的上表面上。支撑突起2836的上端可以形成为圆形的。支撑突起2836的上端可以接触基板W的下表面以支撑基板W。支撑突起2836的上端可以设置在与边缘部分A2的上表面相同的高度处。可以设置多个支撑突起2836。
边缘部分A2提供安置有基板W的安置表面。基板W的下表面可以与边缘部分A2的上表面接触，使得可以支撑基板W。因此，基板W的下表面由支撑突起2836和边缘部分A2支撑，并且基板W可以因在中心部分A1中形成的低压空间而被吸附和支撑。
在边缘部分A2中形成凹槽3000。凹槽3000可以设置为狭缝形状。狭缝3000可以沿着边缘部分A2的圆周设置为环形。当从在狭缝3000的宽度方向上剖切的横截面观察时，狭缝3000设置有第一侧表面3100和第二侧表面3200。第二侧表面3200定位成比第一侧表面3100更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100可以设置在更靠近中心部分A1的位置处，并且第二侧表面3200可以设置在比第一侧表面3100更远离中心部分A1的位置处。
根据本发明的示例性实施例，第一侧表面3100可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。在远离支撑轴2832的轴线的方向上突出的突起3400可以形成在第一侧表面3100的上端处。在远离主体2831的中心的方向上突出的突起3400可以形成在第一侧表面3100的上端处。第二侧表面3200可以形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜。根据示例，底表面3300可以是连接第一侧表面3100和第二侧表面3200的表面。
狭缝3000的内部空间设置为供引入到基板W与边缘A2的上表面之间的外部气流停留的气流捕获空间。例如，外部气流可以停留在通过将第一侧表面3100、第二侧表面3200、底表面3300、突起3400和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W彼此组合而形成的内部空间中。
参考作为图13的部分C的放大视图的图14，气流在壳体2810的内部流动。例如，由稍后将描述的气流供应单元2880引入的外部气流在壳体2810内部流动。当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，基板W的下表面不与边缘部分A2紧密接触。产生在边缘部分A2与基板W之间隔开的空间。因此，在壳体2810中形成的气流可以引入到隔开的空间中。引入到隔开的空间中的气流流到设置在形成于边缘部分A2中的狭缝3000中的气流捕获空间中。
根据本发明的示例性实施例，第二侧表面3200形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜，使得引入到隔开的空间中的气流可以容易地流到气流捕获空间中。此外，由于突起3400形成在第一侧表面3100的上端上，因此可能使引入到隔开的空间中的气流从气流捕获空间的内部向中心部分A1的排气最小化。也就是说，引入到气流捕获空间中的气流可能不会移动到中心部分A1，而是可以再次与突起3400碰撞以停留在气流捕获空间的内部。由于与突起3400碰撞的气流再次与后续引入的气流碰撞，因此可以在气流捕获空间中积极地形成涡流。因此，引入到隔开的空间中的后续气流的流速降低。因此，可能使从隔开的空间引入的气流到达中心部分A1最小化。通过最小化到达中心部分A1的气流，可能使在由形成于中心部分A1中的支撑突起2836支撑的基板W的中心附近的压力与在当安置于边缘部分A2处时被支撑的基板W的边缘附近的压力之间的压力偏差最小化。
此外，减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向减压空间提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W的中心附近提供负压。因此，与基板W的边缘附近相比，基板W的中心附近设置有相对高的负压。当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上并且外部气流被引入隔开的空间中时，气流在隔开的空间中与基板W的下表面碰撞，使得力相对于基板W作用于向上方向。在基板W的中心附近沿向下方向施加力，并且在基板W的边缘附近沿向上方向施加力。
因此，在本发明的示例性实施例中，通过在边缘部分A2中形成狭缝3000，可能使外部气流引入中心部分A1中最小化。在基板W的中心附近与在基板的边缘附近之间的压力差可以被最小化。因此，当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，可能使基板W的翘曲状态的进一步劣化最小化。
图16是图7的支撑单元的另一示例的前视图。参考图16，主体2831可以具有安置有基板W的上表面。当从顶部观察时，主体2831的上表面设置为大体圆形形状。例如，当从顶部观察时，主体2831的上表面可以设置为小于基板W的上表面的区域。主体2831的上表面可以设置有中心部分A1和边缘部分A2。中心部分A1可以是包括主体2831的中心的区域。边缘部分A2可以是包围中心部分A1的区域。例如，中心部分A1可以是包括形成有稍后将描述的支撑突起2836的区域的区域。例如，边缘部分A2可以是从中心部分A1到主体2831的端部的区域。
中心部分A1的上表面可以形成为低于边缘部分A2的上表面。例如，中心部分A1可以形成为相对于边缘部分A2成阶梯状。在中心部分A1中形成真空孔2835。真空孔2835可以用真空吸附方法吸附并固定基板W。被边缘部分A2包围的中心部分A1可以设置为减压空间，基板W通过真空孔2835被吸附到该减压空间中。用于支撑基板W的支撑突起2836可以设置在中心部分A1的上表面上。支撑突起2836的上端可以形成为圆形的。支撑突起2836的上端可以接触基板W的下表面以支撑基板W。支撑突起2836的上端可以设置在与边缘部分A2的上表面相同的高度处。可以设置多个支撑突起2836。
边缘部分A2提供安置有基板W的安置表面。基板W的下表面可以与边缘部分A2的上表面接触，使得可以支撑基板W。因此，基板W的下表面由支撑突起2836和边缘部分A2支撑，并且基板W可以因在中心部分A1中形成的低压空间而被吸附和支撑。
在边缘部分A2中形成凹槽3000。凹槽3000可以设置为狭缝形状。狭缝3000可以沿着边缘部分A2的圆周设置为环形。可以设置多个狭缝3000。多个狭缝3000可以设置为在从边缘部分A2朝向中心部分A1的方向上彼此隔开。
在下文中，为了便于描述，将以多个狭缝3000设置为三个的情况作为示例进行描述。然而，本发明不限于此，并且多个狭缝3000可以设置为两个或者4或更多的自然数。
多个狭缝3000可以设置为不同的形状。多个狭缝3000可以包括第一狭缝3000a、第二狭缝3000b和第三狭缝3000c。第一狭缝3000a、第二狭缝3000b和第三狭缝3000c可以在从主体的边缘部分A2朝向中心部分A1的方向上按顺序彼此隔开。第一狭缝3000a可以定位成比第二狭缝3000b和第三狭缝3000c更靠近边缘部分A2的外端。第二狭缝3000b可以定位成比第三狭缝3000c更靠近边缘部分A2的外端。
当从在宽度方向上剖切的横截面观察第一狭缝3000a时，第一狭缝3000a设置有第一狭缝3000a的第一侧表面3100a和第一狭缝3000a的第二侧表面3200a。第二侧表面3200a定位成比第一侧表面3100a更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100a可以设置在更靠近中心部分A1的位置处，并且第二侧表面3200a可以设置在比第一侧表面3100a更远离中心部分A1的位置处。
当从在宽度方向上剖切的横截面观察第二狭缝3000b时，第二狭缝3000b设置有第二狭缝3000b的第一侧表面3100b和第二狭缝3000b的第二侧表面3200b。第二侧表面3200b定位成比第一侧表面3100b更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100b可以设置在更靠近中心部分A1的位置，并且第二侧表面3200b可以设置在比第一侧表面3100b更远离中心部分A1的位置。
当从在宽度方向上剖切的横截面观察第三狭缝3000c时，第三狭缝3000c设置有第三狭缝3000c的第一侧表面3100c和第三狭缝3000c的第二侧表面3200c。第二侧表面3200c定位成比第一侧表面3100c更远离主体2831的中心。例如，第一侧表面3100c可以设置在更靠近中心部分A1的位置处，并且第二侧表面3200c可以设置在比第一侧表面3100c更远离中心部分A1的位置处。
根据本发明的示例性实施例，第一狭缝3000a的第一侧表面3100a可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。第一狭缝3000a的第二侧表面3200a可以形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜。根据示例，第一狭缝3000a的底表面3300a可以是连接第一侧表面3100a和第二侧表面3200a的表面。当从在宽度方向上剖切的横截面观察第一狭缝3000a时，第一狭缝3000a可以设置为梯形形状，其中第一侧表面3100a、第二侧表面3200a和底表面3300a进行组合以具有开放上表面。第一狭缝3000a的内部空间设置为供引入到基板W与边缘部分A2的上表面之间的外部气流停留的第一捕获空间。例如，外部气流可以停留在通过将第一侧表面3100a、第二侧表面3200a、底表面3300a和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W彼此组合而形成的内部空间中。
第二狭缝3000b的第一侧表面3100b可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。第二狭缝3000b的第二侧表面3200b可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。根据示例，第二狭缝3000b的底表面3300b可以是连接第一侧表面3100b和第二侧表面3200b的表面。当从在宽度方向上剖切的横截面观察第二狭缝3000b时，第二狭缝3000b可以设置为四边形形状，其中第一侧表面3100b、第二侧表面3200b和底表面3300b彼此组合以具有开放上表面。第二狭缝3000b的内部空间设置为供从第一捕获空间引入的气流停留的第二捕获空间。例如，通过将第一侧表面3100b、第二侧表面3200b、底表面3300b和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W彼此组合而形成的内部空间可以设置为供从第一捕获空间引入的气流停留的空间。
第三狭缝3000c的第一侧表面3100c可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。在远离支撑轴2832的轴线的方向上突出的突起3400可以在第一侧表面3100c的上端上形成。在远离主体2831的中心的方向上突出的突起3400可以在第一侧表面3100c的上端上形成。第三狭缝3000c的第二侧表面3200c可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。根据示例，第三狭缝3000c的底表面3300c可以是连接第一侧表面3100c和第二侧表面3200c的表面。第三狭缝3000c的内部空间设置为供从第二捕获空间引入的气流停留的第三捕获空间。例如，通过将第一侧表面3100c、第二侧表面3200c、底表面3300c、突起3400和安置在边缘部分A2的上表面上的基板W彼此组合而形成的内部空间可以设置为供从第二捕获空间引入的气流停留的空间。
气流在壳体2810的内部流动。例如，由稍后将描述的气流供应单元2880引入的外部气流在壳体2810内部流动。当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，基板W的下表面不与边缘部分A2紧密接触。产生在边缘部分A2与基板W之间隔开的空间。因此，在壳体2810中形成的气流可以引入到隔开的空间中。引入到隔开的空间中的气流流到设置在形成于边缘部分A2中的狭缝3000中的气流捕获空间中。
根据本发明的示例性实施例，第一狭缝3000a的第二侧表面3200a形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜，使得引入到隔开的空间中的气流可以被容易地引入到第一捕获空间中。因此，引入到第一捕获空间中的气流在第一捕获空间中与第一狭缝3000a的第一侧表面3100a和基板W的下表面碰撞以形成涡流。也就是说，形成首先引入外部气流的第一捕获空间的第二侧表面3200a被形成为倾斜的，使得气流向第一捕获空间的引入增加，从而在第一捕获空间中积极地形成涡流。
由所形成的涡流再次引入到隔开的空间中的后续气流再次碰撞。因此，引入到隔开的空间中的后续气流的流速降低。由于这个原因，可能使从隔开的空间引入的气流到达在第二狭缝3000b中形成的第二捕获空间最小化。
其次在由第二狭缝3000b形成的第二捕获空间中形成涡流。因此，可能使气流流入由设置为与中心部分A1相邻的第三狭缝3000c形成的第三捕获空间最小化。通过在第三狭缝3000c的第一侧表面3100c的上端上形成突起3400，可能使引入到第三捕获空间中的气流从第三捕获空间的内部泄漏到中心部分A1最小化。也就是说，引入到气流捕获空间中的气流可能不会移动到中心部分A1，而是可以再次与突起3400碰撞以停留在气流捕获空间的内部。由于与突起3400碰撞的气流再次与后续引入的气流碰撞，因此可以在气流捕获空间中积极地形成涡流。
由于这个原因，可能使从隔开的空间引入的气流在按顺序流过第一捕获空间、第二捕获空间和第三捕获空间时到达中心部分A1最小化。通过最小化到达中心部分A1的气流，可能使在由形成于中心部分A1中的支撑突起2836支撑的基板W的中心附近的压力与在当安置于边缘部分A2处时被支撑的基板W的边缘附近的压力之间的压力偏差最小化。
此外，减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向减压空间提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W提供负压。减压构件2834通过形成于中心部分A1中的真空孔2835向基板W的中心附近提供负压。因此，与基板W的边缘附近相比，基板W的中心附近设置有相对高的负压。当基板W在翘曲状态下安置在支撑单元2830上并且外部气流被引入隔开的空间中时，气流在隔开的空间中与基板W的下表面碰撞，使得力相对于基板W作用于向上方向。在基板W的中心附近沿向下方向施加力，并且在基板W的边缘附近沿向上方向施加力。
因此，在本发明的示例性实施例中，通过在边缘部分A2中形成多个狭缝3000，可能使外部气流引入中心部分A1中最小化。在基板W的中心附近与在基板的边缘附近之间的压力差可以被最小化。因此，当处于翘曲状态的基板W安置在支撑单元2830上时，可能使基板W的翘曲状态的进一步劣化最小化。
不同于本发明的示例性实施例，多个狭缝3000的组合可以设置为各种形状。当从在宽度方向上剖切的横截面观察狭缝3000时，狭缝3000可以具有第一侧表面3100和第二侧表面3200，该第二侧表面定位成比第一侧表面3100更远离主体2831的中心。多个狭缝3000可以具有第一形状、第二形状、第三形状和第四形状中的任一者。例如，在第一形状中，第一侧表面3100和第二侧表面3200可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成。在第二形状中，第一侧表面3100可以平行于支撑轴2832的轴向方向形成，并且第二侧表面3200可以形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜。在第三形状中，第一侧表面3100和第二侧表面3200平行于支撑轴2832的轴向方向形成，并且在远离支撑轴2832的中心的方向上突出的突起3400可以进一步在第一侧表面3100的上端上形成。在第四形状中，第一侧表面3100平行于支撑轴2832的轴向方向形成，并且第二侧表面3200形成为在远离支撑轴2832的轴向方向的方向上向上倾斜，并且在远离支撑轴2832的中心的方向上突出的突起3400可以进一步在第一侧表面3100的上端上形成。多个狭缝3000可以设置为除了狭缝3000的上述形状外的各种形状。
图17是示意性地示出图7的支撑单元的另一示例的剖视透视图。在示例性实施例中，已经基于以凹槽3000设置为狭缝形状并且沿着边缘部分A2的圆周设置为环形的情况为例描述了本发明。然而，不同于此，狭缝3000一般可以具有圆弧形状，并且可以设置多个狭缝。参考图17，狭缝3000可以设置在边缘部分A2上。可以设置多个狭缝3000。多个狭缝3000可以具有大体弧形状。具有弧形状的多个狭缝3000可以共用主体2831的中心。多个狭缝3000可以被设置为在周向方向上彼此隔开。多个狭缝3000的形状可以进行不同地修改和设置，如在上述示例性实施例中那样。
在示例性实施例中，已经基于以设置将第一侧表面3100和第二侧表面3200相连接的底表面3300的情况为例描述了本发明，但本发明不限于此。例如，第一侧表面3100和第二侧表面3200可以彼此共用一个侧面。例如，当从前面观察时，根据第一侧3100和第二侧3200彼此的组合，狭缝3000可以设置为大体三角形形状。
另外，在示例性实施例中，已经基于以支撑突起2836设置在支撑单元2830的上表面上的情况为例描述了本发明，但本发明不限于此。中心部分A1和边缘部分A2中的每一者可以设置为安置有基板W的安置表面。例如，中心部分A1的上表面和边缘部分A2的上表面可以与基板W的下表面接触。
前述详细描述示出了本发明。此外，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施例，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。也就是说，在本文所公开的本发明的概念的范围内(该范围等效于书面公开)，和/或在本领域的技术或知识的范围内，改变或修改是可能的。前述示例性实施例描述了用于实现本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的特定应用领域和用途所需要的各种变化都是可能的。因此，以上本发明的详细描述不意图将本发明限于所公开的示例性实施例。此外，所附权利要求应被解释为也包括其他示例性实施例。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，包括：
处理容器，所述处理容器中具有处理空间；
支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑并旋转基板；以及
液体供应单元，所述液体供应单元将液体供应在所述基板上，
其中所述支撑单元包括：
主体，在所述主体上安置所述基板；以及
支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体，并且
所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，并且
在所述中心部分中形成真空孔，并且在所述边缘部分中形成凹槽。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述凹槽设置为狭缝形状。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述狭缝沿着所述边缘部分的圆周设置为环形。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中所述狭缝设置有第一侧表面和第二侧表面，当从在所述狭缝的宽度方向上剖切的横截面观察时，所述第二侧表面定位成比所述第一侧表面更远离所述主体的所述中心。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成。
6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述第一侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成，并且
所述第二侧表面形成为在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的基板处理设备，其中在所述狭缝中，在所述第一侧表面的上部部分上形成在远离所述中心的方向上突出的突起。
8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中当从顶部观察时，所述上表面设置有小于所述基板的区域，
所述中心部分的上表面形成为低于所述边缘部分的上表面，
在所述中心部分的所述上表面上设置用于支撑所述基板的支撑突起，并且
所述边缘部分的所述上表面和所述支撑突起的上端设置在相同的高度处。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中被所述边缘部分包围的部分设置为减压空间，所述基板通过所述真空孔被吸附到所述减压空间中，并且
所述凹槽的内部空间设置为供引入到所述基板与所述边缘部分的所述上表面之间的外部气流停留的气流捕获空间。
10.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中在所述边缘部分中设置多个所述狭缝，同时所述多个狭缝在到所述中心部分的方向上彼此隔开，并且
所述多个狭缝设置为具有彼此不同的形状。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中所述狭缝具有以下任一者：
第一形状，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成；
第二形状，其中所述第一侧表面平行于所述支撑轴的所述轴向方向形成，并且所述第二侧在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜；
第三形状，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的所述轴向方向形成，并且进一步形成在远离所述支撑轴的中心的方向上突出并设置在所述第一侧表面的上端上的突起；以及
第四形状，其中所述第一侧表面平行于所述支撑轴的所述轴向方向形成，并且所述第二侧表面形成为在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜，并且进一步形成在远离所述支撑轴的中心的方向上突出并设置在所述第一侧表面的所述上端上的突起。
12.一种用于支撑并旋转基板的支撑单元，所述支撑单元包括：
主体，在所述主体上安置基板；以及
支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体并且在其中形成有真空流动路径，
其中所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，
在所述中心部分的中心中形成与所述真空流动路径的一端连通的真空孔，并且沿着所述边缘部分的圆周形成环形狭缝，并且
所述狭缝设置有第一侧表面和第二侧表面，当从在所述狭缝的宽度方向上剖切的横截面观察时，所述第二侧表面定位成比所述第一侧表面更远离所述主体的所述中心。
13.根据权利要求12所述的支撑单元，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成。
14.根据权利要求12所述的支撑单元，其中所述第一侧表面平行于所述支撑轴的轴向方向形成，并且
所述第二侧表面形成为在远离所述支撑轴的所述轴向方向的方向上向上倾斜。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的支撑单元，其中在所述狭缝中，在所述第一侧表面的上部部分上形成在远离所述中心的方向上突出的突起。
16.根据权利要求15所述的支撑单元，其中当从顶部观察时，所述上表面设置有小于所述基板的区域。
17.根据权利要求16所述的支撑单元，其中所述中心部分的上表面形成为低于所述边缘部分的上表面并且设置有支撑所述基板的支撑突起，并且
所述边缘部分的所述上表面和所述支撑突起的上端设置在相对于地面的相同高度处。
18.根据权利要求17所述的支撑单元，其中所述多个狭缝设置在所述边缘部分中，同时在到所述中心部分的方向上彼此隔开，并且
所述多个狭缝设置为具有彼此不同的形状。
19.一种基板处理设备，包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
处理容器，所述处理容器位于所述内部空间内并且具有处理空间；
支撑单元，所述支撑单元用于在所述处理空间中支撑并旋转所述基板；
液体供应单元，所述液体供应单元用于将液体供应到所述基板上；以及
气流供应单元，所述气流供应单元联接到所述壳体的上表面并且将形成向下气流的气体供应到所述内部空间，
其中所述支撑单元包括：
主体，在所述主体上安置基板；以及
支撑轴，所述支撑轴联接到所述主体并且在其中形成有真空流动路径，并且
所述主体的上表面设置有包括所述主体的中心的中心部分和包围所述中心部分的边缘部分，
在所述中心部分的中心中形成与所述真空流动路径的一端连通的真空孔，
所述中心部分的上表面形成为低于所述边缘部分的上表面并且设置有支撑所述基板的支撑突起，
环形狭缝沿着所述边缘部分的圆周形成，并且
所述狭缝设置有第一侧表面和第二侧表面，当从在所述狭缝的宽度方向上剖切的横截面观察时，所述第二侧表面定位成比所述第一侧表面更远离所述主体的所述中心。
20.根据权利要求19所述的基板处理设备，其中在所述狭缝中，在所述第一侧表面的上部部分上形成在远离所述中心的方向上突出的突起。
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