KR102279718B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102279718B1
KR102279718B1 KR1020190068587A KR20190068587A KR102279718B1 KR 102279718 B1 KR102279718 B1 KR 102279718B1 KR 1020190068587 A KR1020190068587 A KR 1020190068587A KR 20190068587 A KR20190068587 A KR 20190068587A KR 102279718 B1 KR102279718 B1 KR 102279718B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pipe
temperature water
constant
substrate
liquid
Prior art date
Application number
KR1020190068587A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200142140A (ko
Inventor
김대성
박은우
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190068587A priority Critical patent/KR102279718B1/ko
Priority to US16/896,538 priority patent/US11442363B2/en
Priority to CN202010525555.3A priority patent/CN112071774B/zh
Publication of KR20200142140A publication Critical patent/KR20200142140A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102279718B1 publication Critical patent/KR102279718B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/001—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/46—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/06—Silver salts
    • G03F7/063—Additives or means to improve the lithographic properties; Processing solutions characterised by such additives; Treatment after development or transfer, e.g. finishing, washing; Correction or deletion fluids
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 액을 공급하는 장치를 제공한다. 기판을 액 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액이 흐르는 처리액 배관, 상기 처리액 배관을 감싸며 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액을 설정온도로 유지시키는 항온수가 흐르는 항온수 배관, 상기 항온수 배관으로 항온수를 공급하는 항온수 공급관, 그리고 상기 항온수 공급관에 설치되어 상기 항온수를 이온 활성화시키는 활성화 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판에 액을 공급하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위한 기판에는 다양한 공정들이 수행되며, 이들 공정 중 기판 상에 패턴을 형성하는 포토 리소그라피 공정은 필수 공정에 포함된다. 포토 리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정, 감광액에 광을 조사하여 패턴을 형성하는 사진 공정, 그리고 패턴을 현상하는 현상 공정을 포함한다.
이 중 도포 공정에서 사용되는 감광액은 균일 두께, 혹은 설정된 두께로 도포하는 것은 매우 중요하며, 이러한 두께 및 균일도는 온도에 큰 영향을 받는다. 따라서 감광액이 공급되는 공급 라인에는 감광액의 온도를 일정하게 유지 또는 조절하기 위한 항온수 배관이 설치되며, 항온수 배관은 감광액 공급 라인을 감싸도록 제공된다.
일반적으로 항온수는 비용 절감 및 안정성을 위해 순수가 사용된다. 그러나 순수는 금속 배관을 부식시키는 치명적 단점이 있으며, 배관 부식은 항온수의 누수로 이어지며, 이는 감광액 및 주변 장치의 오염을 일으킨다.
본 발명은 액의 온도를 일정하게 유지 및 조절할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한 본 발명은 배관 부식을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한 본 발명은 배관 부식으로 인한 누수로 인해 주변 환경이 오염되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판에 액을 공급하는 장치를 제공한다. 기판을 액 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액이 흐르는 처리액 배관, 상기 처리액 배관을 감싸며 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액을 설정온도로 유지시키는 항온수가 흐르는 항온수 배관, 상기 항온수 배관으로 항온수를 공급하는 항온수 공급관, 그리고 상기 항온수 공급관에 설치되어 상기 항온수를 이온 활성화시키는 활성화 부재를 포함한다.
상기 항온수 공급관은 항온수 공급원과 상기 활성화 부재를 연결하는 상류측 공급관과 상기 항온수 배관과 상기 활성화 부재를 연결하는 하류측 공급관을 포함하고, 상기 활성화 부재는 상기 상류측 공급관 및 상기 하류측 공급관에 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 상기 활성화 부재는, 금속관과 상기 금속관과 인접하게 배치되는 유기관을 포함할 수 있다.
상기 유기관은 상기 상류측 공급관과 상기 금속관의 일단을 연결하는 제1유기관과 상기 하류측 공급관과 상기 금속관의 타단을 연결하는 제2유기관을 포함할 수 있다. 상기 제1유기관 및 상기 제2유기관 각각에는 항온수가 흐르는 복수의 유로들이 형성될 수 있다. 상기 유기관에는 항온수가 흐르는 복수의 유로들이 형성되고, 상기 금속관에는 상기 유로들과 연통되는 단일의 유로가 형성될 수 있다.
상기 금속관은 아연을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 제1유기관 및 상기 제2유기관 각각은 탄소를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
상기 액 공급 유닛은, 상기 항온수 배관과 상기 항온수 공급관을 연결하는 매니폴더와 상기 매니폴더에서 상기 항온수 공급원으로 항온수를 회수하는 항온수 회수관을 더 포함할 수 있다. 상기 활성화 부재는 상기 항온수 회수관에 더 설치될 수 있다.
본 발명은 항온수를 이온 활성화하여 항온수 내 용존 산소를 제거한다. 이로 인해 항온수 배관의 부식을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 액 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 활성화 부재를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 활성화 부재를 보여주는 분해 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3202)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
도 7은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(1000)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.
도 8은 도 7의 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 액 공급 유닛은 노즐(1100), 처리액 배관(1200), 그리고 온도 조절 부재(1300)를 포함한다. 노즐(1100)은 기판 지지 유닛에 지지된 기판과 마주하는 공정 위치에서 기판 상에 액을 공급한다. 예컨대, 액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 공정 위치는 노즐(1100)이 감광액을 기판의 중심으로 토출 가능한 위치일 수 있다.
처리액 배관(1200)은 노즐(1100)에 감광액을 공급한다. 처리액 배관(1200) 내에는 감광액이 흐르며, 개폐 밸브, 석백 밸브, 그리고 펌프 등 다양한 장치들이 설치된다. 개폐 밸브는 처리액 배관(1200)을 개폐하는 밸브이고, 석백 밸브는 노즐(1100)의 토출단에 위치된 감광액의 수위를 조절하는 밸브로 제공된다. 또한 펌프는 감광액이 공급되도록 처리액 배관(1200)을 가압한다.
온도 조절 부재(1300)는 처리액 배관(1200) 내에 흐르는 감광액의 온도를 조절한다. 온도 조절 부재(1300)는 처리액 배관(1200)의 주변에 온도가 조절된 항온수가 흐르도록 제공되어 감광액의 온도를 조절한다. 온도 조절 부재(1300)는 항온수 배관(1320), 항온수 공급관(1400), 항온수 회수관(1500), 매니폴더(1600), 그리고 활성화 부재(1700)를 포함한다. 항온수 배관(1320)은 처리액 배관(1200)을 감싸도록 제공된다. 항온수 배관(1320)은 처리액 배관(1200)의 일단부터 타단까지 감싸도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 항온수 배관(1320)은 노즐(1100)이 연결된 체결단부터 일부 영역만을 감싸도록 제공될 수 있다. 항온수 공급관(1400)은 항온수 배관(1320)에 항온수를 공급한다. 항온수 공급관(1400)은 상류측 공급관(1420)과 하류측 공급관(1440)을 포함한다. 상류측 공급관(1420)은 항온수 공급원(1350)과 활성화 부재(1700)를 연결하고, 하류측 공급관(1440)은 활성화 부재(1700)와 매니폴더(1600)를 연결한다. 따라서 항온수 공급원(1350)에 수용된 항온수는 상류측 공급관(1420), 활성화 부재(1700), 하류측 공급관(1440)을 순차적으로 통해 매니폴더(1600)에 공급된다. 항온수 회수관(1500)은 매니폴더(1600)에 제공된 항온수 또는 항온수 배관(1320)에 제공된 항온수를 회수한다. 항온수 회수관(1500)은 매니폴더(1600) 또는 항온수 배관(1320)에 제공된 항온수를 항온수 공급원(1350)으로 회수하여 항온수를 순환시킨다. 일 예에 의하면, 매니폴더(1600)에 의해 항온수는 항온수 공급원(1350)으로부터 공급되어 항온수 공급관(1400), 매니폴더(1600), 항온수 배관(1320), 매니폴더(1600), 그리고 항온수 회수관(1500)을 순차적으로 거쳐 순환될 수 있다. 이와 달리 항온수는 매니폴더(1600)에 의해 항온수 공급원(1350)으로부터 공급되어 항온수 공급관(1400), 매니폴더(1600), 그리고 항온수 회수관(1500)을 순차적으로 거쳐 순환될 수 있다. 항온수 공급관(1400) 및 항온수 회수관(1500) 각각에는 항온수의 온도를 설정 온도로 조절하는 히터(1800)가 설치된다.
매니폴더(1600)는 항온수의 공급 방향을 조정한다. 매니폴더(1600)에는 항온수 공급관(1400), 항온수 회수관(1500), 그리고 항온수 배관(1320)이 각각 연결된다. 매니폴터는 항온수 공급관(1400)으로부터 항온수를 공급받아, 항온수 회수관(1500)과 항온수 배관(1320) 중 하나에 항온수를 공급한다.
활성화 부재(1700)는 항온수를 이온 활성화시킨다. 활성화 부재(1700)는 항온수 공급관(1400) 및 항온수 회수관(1500) 각각에 설치되며, 활성화 부재(1700)를 통과하는 항온수에 대해 이온을 활성화하고, 활성화된 이온은 항온수에 포함된 용존 산소를 제거할 수 있다. 활성화 부재(1700)는 금속관(1740) 및 유기관(1720)을 포함한다. 여기서 금속관(1740)은 금속 재질의 관이고, 유기관(1720)은 유기 재질의 관으로 정의한다. 일 예에 의하면, 활성화 부재(1700)가 설치되는 항온수 공급관(1400) 및 항온수 회수관(1500)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
도 9는 도 8의 활성화 부재를 보여주는 단면도이고, 도 10은 도 9의 활성화 부재를 보여주는 분해 사시도이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 유기관(1720)은 제1유기관(1722) 및 제2유기관(1724)을 포함한다. 제1유기관(1722)은 금속관(1740)의 일단에 체결되고, 제2유기관(1724)은 금속관(1740)의 타단에 체결된다. 따라서 제1유기관(1722)은 상류측 공급관(1420)과 금속관(1740)을 연결하고, 제2유기관(1724)은 하류측 공급관(1440)과 금속관(1740)을 연결한다. 유기관(1720)은 금속관(1740)의 양단에 각각 설치되어 금속관(1740)과 항온수 공급관(1400) 간의 정전기를 구분하고, 안정적인 정전기장을 형성할 수 있다.
제1유기관(1722) 및 제2유기관(1724) 각각에는 복수의 유로들이 형성된다. 이러한 유로들은 항온수와 유기관(1720) 간의 접촉 면적을 넓혀, 마찰되는 면적을 증가시킨다. 유기관(1720) 및 금속관(1740)은 유기관(1720)과 항온수 간의 마찰로 인해 정전기가 집적된다. 유기관(1720)에는 양전하가 집적되고, 금속관(1740)에는 음전하가 집적되며, 유기관(1720)과 금속관(1740)의 사이에는 정전기장이 형성된다. 이에 따라 항온수가 흐르는 방향을 축으로 회전되는 정전기장이 형성되며, 항온수는 그 정전기장을 통과하면서 이온이 활성화된다. 예커대, 항온수는 순수(H2O)이며, 수소이온(H+)과 수산화이온(OH-)이 활성화될 수 있다. 유기관(1720)은 탄소(C)를 포함하는 재질일 수 있다.
금속관(1740)은 제1유기관(1722)과 제2유기관(1724)의 사이에 위치된다. 금속관(1740)은 일단으로부터 타단까지 연장되는 통공을 가진다. 통공은 복수의 유로들과 연통되게 제공된다. 예컨대, 금속관(1740)은 아연(Zn)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
본 실시예에는 활성화 부재(1700)가 항온수 공급관(1400) 및 항온수 회수관(1500) 각각에 설치되는 것으로 설명하였다. 그러나 활성화 부재(1700)는 항온수 공급관(1400)에만 설치될 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.
도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.
현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.
현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.
기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.
상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1300: 온도 조절 부재 1320: 항온수 배관
1400: 항온수 공급관 1500: 항온수 회수관
1600: 매니폴더 1700: 활성화 부재
1720: 유기관 1722: 제1유기관
1724: 제2유기관 1740: 금속관

Claims (9)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 액 공급 유닛은,
    처리액이 흐르는 처리액 배관과;
    상기 처리액 배관을 감싸며 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액을 설정온도로 유지시키는 항온수가 흐르는 항온수 배관과;
    상기 항온수 배관으로 항온수를 공급하는 항온수 공급관과;
    상기 항온수 배관과 상기 항온수 공급관을 연결하는 매니폴더와;
    상기 매니폴더에서 항온수 공급원으로 항온수를 회수하는 항온수 회수관과;
    상기 항온수 공급관과 상기 항온수 회수관에 각각 설치되어 상기 항온수를 이온 활성화시키는 활성화 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 항온수 공급관은,
    상기 항온수 공급원과 상기 활성화 부재를 연결하는 상류측 공급관과;
    상기 항온수 배관과 상기 활성화 부재를 연결하는 하류측 공급관을 포함하고,
    상기 활성화 부재는 상기 상류측 공급관 및 상기 하류측 공급관에 탈착 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 활성화 부재는,
    금속관과;
    상기 금속관과 인접하게 배치되는 유기관을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유기관은,
    상기 상류측 공급관과 상기 금속관의 일단을 연결하는 제1유기관과;
    상기 하류측 공급관과 상기 금속관의 타단을 연결하는 제2유기관을 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1유기관 및 상기 제2유기관 각각에는 항온수가 흐르는 복수의 유로들이 형성되는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 유기관에는 항온수가 흐르는 복수의 유로들이 형성되고,
    상기 금속관에는 상기 유로들과 연통되는 단일의 유로가 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속관은 아연을 포함하는 재질로 제공되고,
    상기 유기관은 탄소를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 항온수 공급관과 상기 항온수 회수관에 각각 설치되고, 상기 매니폴더와 상기 활성화 부재 사이에 각각 위치하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치.


  9. 삭제
KR1020190068587A 2019-06-11 2019-06-11 기판 처리 장치 KR102279718B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190068587A KR102279718B1 (ko) 2019-06-11 2019-06-11 기판 처리 장치
US16/896,538 US11442363B2 (en) 2019-06-11 2020-06-09 Apparatus for treating substrate
CN202010525555.3A CN112071774B (zh) 2019-06-11 2020-06-10 用于处理基板的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190068587A KR102279718B1 (ko) 2019-06-11 2019-06-11 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200142140A KR20200142140A (ko) 2020-12-22
KR102279718B1 true KR102279718B1 (ko) 2021-07-21

Family

ID=73657293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190068587A KR102279718B1 (ko) 2019-06-11 2019-06-11 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11442363B2 (ko)
KR (1) KR102279718B1 (ko)
CN (1) CN112071774B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102168380B1 (ko) * 2019-07-18 2020-10-21 세메스 주식회사 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002361156A (ja) 2001-06-06 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
KR101326144B1 (ko) * 2013-08-08 2013-11-07 (주)이오렉스 배관의 스케일 제거장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381267U (ko) * 1986-11-14 1988-05-28
JP2949547B2 (ja) * 1993-02-08 1999-09-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5670041A (en) * 1995-10-17 1997-09-23 Electronic De-Scaling 2000,Inc. Reduced corrosion electronic descaling technology
KR20010056088A (ko) 1999-12-14 2001-07-04 윤종용 반도체 장치 제조용 현상설비의 현상액 온도 제어장치
KR100664779B1 (ko) * 2002-12-30 2007-01-04 동부일렉트로닉스 주식회사 포토 레지스트 공급장치
KR100916143B1 (ko) * 2007-12-27 2009-09-08 세메스 주식회사 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR100862970B1 (ko) * 2008-05-22 2008-10-13 (주)이오렉스 이온화 수처리기용 탄소전극, 그 제조방법 및 상기탄소전극을 포함하는 이온화 수처리기
JP6146075B2 (ja) * 2013-03-22 2017-06-14 栗田工業株式会社 スケール防止方法及びスケール防止剤
KR20160078582A (ko) * 2014-12-24 2016-07-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102385264B1 (ko) * 2015-08-28 2022-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN205324225U (zh) * 2016-01-22 2016-06-22 纳晶科技股份有限公司 基板的清洗装置
KR101955898B1 (ko) 2017-02-06 2019-03-11 운해이엔씨(주) 양자에너지 발생장치가 내장된 스케일 생성 방지를 위한 수처리장치
CN206779090U (zh) * 2017-05-22 2017-12-22 上海怡口环保设备有限公司 一种热水系统的新型水管排垢装置
KR101994425B1 (ko) * 2017-09-29 2019-07-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002361156A (ja) 2001-06-06 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
KR101326144B1 (ko) * 2013-08-08 2013-11-07 (주)이오렉스 배관의 스케일 제거장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200142140A (ko) 2020-12-22
CN112071774A (zh) 2020-12-11
US11442363B2 (en) 2022-09-13
US20200393766A1 (en) 2020-12-17
CN112071774B (zh) 2024-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8739729B2 (en) Chemical liquid supply unit, and substrate treating apparatus and method using the same
KR102279718B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220097765A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102168380B1 (ko) 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102280035B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102282146B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102256689B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102296276B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20210042628A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20210052796A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102281045B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102298086B1 (ko) 가스 공급 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR102264292B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102259066B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102207310B1 (ko) 가스 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102319198B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102359532B1 (ko) 기판 처리 장치 및 지지 유닛
KR102247040B1 (ko) 유체 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102282147B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102277543B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102303596B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102403199B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102081707B1 (ko) 밸브 유닛 및 액 공급 유닛
KR102243063B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant