KR100916143B1 - 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100916143B1
KR100916143B1 KR1020070138760A KR20070138760A KR100916143B1 KR 100916143 B1 KR100916143 B1 KR 100916143B1 KR 1020070138760 A KR1020070138760 A KR 1020070138760A KR 20070138760 A KR20070138760 A KR 20070138760A KR 100916143 B1 KR100916143 B1 KR 100916143B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
constant temperature
temperature water
line
water line
photosensitive liquid
Prior art date
Application number
KR1020070138760A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090070665A (ko
Inventor
최진호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070138760A priority Critical patent/KR100916143B1/ko
Publication of KR20090070665A publication Critical patent/KR20090070665A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100916143B1 publication Critical patent/KR100916143B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 감광액을 공급하는 분사유닛을 제공한다. 분사 유닛은 노즐, 노즐로 감광액을 공급하는 감광액 공급라인, 감광액 공급라인을 흐르는 감광액의 온도를 기설정 온도로 유지하는 항온수가 흐르며 감광액 공급라인을 감싸는 제1 항온수 라인, 그리고 제1 항온수 라인의 외부에 배치되어 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제2 항온수 라인을 포함한다.
노즐, 분사, 감광액, 항온수

Description

분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{INJECTION UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE UNIT}
본 발명은 반도체 기판 제조에 사용되는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 감광액을 공급하는 분사 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 및 평판 디스플레이 제조 공정은 웨이퍼 및 유리 기판과 같은 기판에 다양한 처리 공정을 수행하는 장치를 구비한다. 이러한 기판 처리 장치들 중 처리유체를 사용하여 기판을 처리하는 장치는 노즐과 같은 분사유닛을 구비한다. 예를 들면, 반도체 기판에 감광액을 도포하는 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 척 및 척에 놓여진 기판으로 감광액을 공급하는 분사유닛을 구비한다.
그러나, 이러한 구조의 기판 처리 장치는 분사유닛에 구비되는 다수의 배관들의 처리가 어렵다. 예컨대, 분사유닛은 노즐로 감광액을 공급하는 처리액 라인들과 처리액 배관들 내 감광액을 기설정된 온도를 유지시키기 위한 항온수 라인들을 포함한다. 이러한 라인들은 노즐에 연결되어 있으므로, 노즐이 수평 및 회전, 그리고 상하 운동을 하는 경우에는 노즐의 이동시 배관들이 서로 엉키거나 한쪽으로 쓰러지는 현상이 발생될 수 있다.
또한, 노즐에 연결되는 배관들은 노즐이 이동되면 노즐의 이동에 따라 이동 가능하도록 설치되어야 한다. 따라서, 일반적인 분사유닛은 감광액을 공급하는 라인을 감싸도록 항온수를 공급라인이 배치되고, 또 이를 감싸도록 항온수를 회수하는 라인이 배치되므로, 분사 유닛의 직경이 매우 커진다.
본 발명은 분사유닛에 구비되는 배관들을 효율적으로 처리하는 분사유닛 및 상기 분사유닛의 배관처리방법, 그리고 상기 분사유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 분사유닛에 구비되는 배관들의 설치공간을 감소하는 분사유닛 및 상기 분사유닛의 배관처리방법, 그리고 상기 분사유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 분사유닛에 구비되는 배관들을 견고하게 설치할 수 있는 분사유닛 및 상기 분사유닛의 배관처리방법, 그리고 상기 분사유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 감강액을 공급하는 분사 유닛을 제공한다. 상기 분사 유닛은 노즐, 상기 노즐로 감광액을 공급하는 감광액 공급라인, 상기 감광액 공급라인을 흐르는 감광액의 온도를 기설정 온도로 유지하는 항온수가 흐르며 상기 감광액 공급라인을 감싸는 제1 항온수 라인, 그리고 상기 제1 항온수 라인의 외부에 배치되어 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제2 항온수 라인을 포함한다.
상기 노즐은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 직선 왕복 이동되고, 상기 감광액 공급라인, 상기 제1 항온수 라인, 그리고 제2 항온수 라인 은 상기 분사유닛이 설치되는 베이스에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 길게 놓여지는 라인들 및 상기 베이스의 상부에 놓여지는 라인들을 가지는 이층구조로 이루어져 상기 노즐의 상기 직선 왕복 이동에 따라 상기 베이스에 놓여진 라인이 말리면서 감겨 올려지거나 감겨진 라인들이 상기 베이스에 내려 놓이도록 제공될 수 있다.
상기 분사 유닛은 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제3 항온수 라인을 더 포함하며, 상기 제1 항온수 라인, 상기 제2 항온수 라인, 그리고 상기 제3 항온수 라인은 상기 제1 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분이 제2 항온수 라인 및 제3 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분들에 의해 지지되도록 배치될 수 있다.
본 발명의 분사 유닛의 다른 실시예에 의하면, 분사 유닛은 노즐, 상기 노즐로 감광액을 공급하는 감광액 공급라인, 상기 감광액 공급라인의 외부에 상기 감광액 공급라인과 인접하게 위치되어 상기 감광액 공급라인을 흐르는 감광액을 기설정온도로 유지하는 항온수가 공급되는 제1 항온수 라인, 상기 감광액 공급라인 및 상기 제1 항온수 라인의 외부에 위치되어 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제2 항온수 라인을 포함한다.
상기 노즐은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 직선 왕복 이동되고, 상기 감광액 공급라인, 상기 제1 항온수 라인, 그리고 제2 항온수 라인은 상기 분사유닛이 설치되는 베이스에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 길게 놓여지는 라인들 및 상기 베이스의 상부에 놓여지는 라인들을 가지는 이층구조로 이루어져, 상기 노즐의 상기 직선 왕복 이동에 따라 상기 베이스에 놓여진 라인이 말리면서 감겨 올려지거나 감겨진 라인들이 상기 베이스에 내려 놓이도록 제공될 수 있다.
상기 감광액 공급라인, 상기 제1 항온수 라인, 그리고 제2 항온수 라인은 상기 감광액 공급라인에서 아래층에 위치되는 부분이 제1 항온수 라인 및 제2 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분들에 의해 지지되도록 배치될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 감광액을 도포하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 베이스, 상기 베이스 상에 설치되며 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 용기, 공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척, 공정시 상기 척에 놓여진 기판으로 처리액을 공급하는 분사유닛을 포함한다. 상기 분사 유닛은 노즐, 상기 노즐로 감광액을 공급하는 감광액 공급라인, 상기 감광액 공급라인을 흐르는 감광액의 온도를 기설정 온도로 유지하는 항온수가 흐르며 상기 감광액 공급라인을 감싸는 제1 항온수 라인, 그리고 상기 제1 항온수 라인의 외부에 배치되어 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제2 항온수 라인을 포함한다.
본 발명에 따른 분사유닛 및 상기 분사유닛의 배관처리방법, 그리고 상기 분사유닛을 구비하는 기판 처리 장치는 분사유닛에 구비되는 배관들을 효과적으로 처리하여, 노즐의 이동에 따라 배관들이 서로 엉키거나 쓰러지는 것을 방지한다.
본 발명에 따른 분사유닛 및 상기 분사유닛의 배관처리방법, 그리고 상기 분 사유닛을 구비하는 기판 처리 장치는 분사유닛에 구비되는 배관들의 설치공간을 감소시켜 장치의 크기를 감소한다.
본 발명에 따른 분사유닛 및 상기 분사유닛의 배관처리방법, 그리고 상기 분사유닛을 구비하는 기판 처리 장치는 별도의 서포트 없이 배관들만으로 배관들을 견고하게 지지한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 실시예에서는 반도체 기판 처리 장치 중 감광액 도포 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 기판 처리 공정을 수행하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다. 예컨대, 본 실시예에서는 웨이퍼로 세정액을 분사하여 웨이퍼를 세정하는 세정 공정 장치를 수행하는 장치에 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 분사유닛의 배관들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 A- A'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 도포공정유닛(coating process unit)(10) 및 분사유닛(injection unit)(100), 그리고 구동유닛(driving unit)(60)을 포함한다.
도포공정유닛(10)은 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)에 감광액(photoresist)를 도포하는 공정을 수행한다. 도포공정유닛(10)은 적어도 하나가 베이스(2)에 설치된다. 도포공정유닛(10)이 복수가 구비되는 경우에는 도포공정유닛(10)은 베이스(2)를 따라 일렬로 배치될 수 있다. 도포공정유닛(10)은 용기(12) 및 척(chuck)(14)을 가진다. 용기(12)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 용기(12)의 개방된 상부는 용기(12) 내 공간으로 웨이퍼(W)가 이동되기 위한 통로로 사용된다. 척(14)은 도포 공정시 용기(12) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 척(14)으로는 스핀척(spin chuck)이 사용될 수 있다. 따라서, 척(14)은 도포 공정시 척(14)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킬 수 있다.
분사유닛(100)은 도포 공정시 스핀척(14)에 놓여진 웨이퍼(W)의 처리면을 향해 감광액을 분사한다. 분사유닛(100)의 구성들에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
구동유닛(60)은 공정시 분사유닛(100)을 구동시켜, 처리유체 공급시 노즐(110)이 제1 및 제2 방향으로의 수평 운동, 회전 운동, 그리고 상하 운동하도록 한다. 또한, 구동유닛(60)는 분사유닛(100)을 구동시켜, 노즐(112, 114, 116)들 중 어느 하나의 노즐을 선택하여 제1 로드(34)에 장착시킨다. 분사유닛(100)은 사용 가능한 도포액의 종류에 대응하여 복수개가 제공될 수 있다. 여기에서는 3개의 분 사유닛이 제공된 경우로 도시하였다.
계속해서, 본 발명에 따른 분사유닛의 구성들을 상세히 설명한다. 여기서, 제1 내지 제3 노즐 배관들(120, 130, 140) 각각의 구성 및 구조는 동일할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 제1노즐 배관들(120)에 대한 구조 및 구성들을 상세히 설명하고, 제2 및 제3노즐 배관들(130, 140)의 구조 및 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
분사유닛(100)은 제1 이동로드(102), 제2 이동로드(104), 도포노즐(110), 그리고 배관부(120, 130, 140)을 가진다.
제1 이동로드(102) 및 제2 이동로드(104)는 도포노즐(110)의 구동을 위해 제공된다. 제1 이동로드(102)는 용기(12)의 상부에서 대체로 평행하도록 설치되고, 제2 이동로드(104)는 베이스(2) 상에서 제1 이동로드(102)와 수직하게 설치된다. 제1 이동로드(102)는 일단에 도포노즐(100)이 장착되고, 타단은 제2 이동로드(104)의 상단과 회전가능하도록 결합된다. 제2 이동로드(104)의 하단은 구동유닛(60)과 연결된다. 따라서, 제1 및 제2 이동로드(102, 104)는 구동유닛(60)에 의해 서로 유기적으로 동작되어, 도포 공정시 도포노즐(110)을 구동시킨다.
도포노즐(110)은 도포 공정시 도포공정유닛(10)으로 감광액을 분사한다. 도포노즐(110)은 제1 노즐(112), 제2 노즐(114), 그리고 제3 노즐(116)을 가진다. 제1 내지 제3 노즐(112, 114, 116)은 대체로 동일한 구조를 가진다. 제1 내지 제3 노즐(112, 114, 116)은 도포 공정 전 도포공정유닛(10) 외부 일측에 마련되는 노즐 대기부(106)에 나란히 대기하고, 도포 공정시 공정상 요구되는 노즐이 선택적으로 제1 이동로드(102)의 일단에 장착되어 처리액을 분사한다. 제1 내지 제3 노즐(112, 114, 116) 각각은 서로 동일한 감광액을 분사할 수 있다. 또는, 선택적으로 제1 내지 제3 노즐(112, 114, 116)은 상이한 온도 조건으로 설정되는 감광액을 분사할 수 있다.
배관부(120, 130, 140)는 각각의 노즐(112, 114, 116)로 감광액을 공급하기 위한 감광액 공급라인 및 감광액의 온도 조절을 위한 복수의 항온수 라인들을 가진다. 배관부는 제1노즐 라인들(120), 제2노즐 라인들(130), 그리고 제3노즐 라인들(140)을 포함한다. 제1 내지 제3노즐 라인들(120, 130, 140)은 베이스(2) 상에 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 놓여지는 라인 부분(L1) 및 베이스(2)의 상부에 놓여지는 라인 부분(L2)을 가지는 이층구조로 이루어진다. 즉, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3노즐 라인들(120, 130, 140)은 일단이 베이스(2)의 일측으로부터 시작되어 제2 방향(X2)을 따라 평행하게 놓여지고, 중간에서 베이스(2)의 상부를 향해 한차례 감겨져 다시 제1 방향(X1)을 따라 놓여진 후 타단이 도포노즐(110)에 연결되는 구조를 가진다. 따라서, 도포 공정시 제1 내지 제3 노즐(112, 114, 116)들 중 어느 하나가 제1 방향(X1) 또는 제2 방향(X2)으로 이동되면, 제1 내지 제3노즐 라인들(120, 130, 140) 중 제1 방향(X1)으로 이동되는 노즐과 연결되는 라인 부분 중 베이스(2)에 놓여지는 라인 부분(L1)은 제1 방향(X1)으로 말리면서 감겨 올려지고, 제2 방향(X2)으로 이동되는 노즐과 연결되는 라인 부분 중 베이스(2) 상부에 위치되는 라인 부분(L2)은 점차 베이스(2) 상에 내려 놓여 지게 된다.
제1노즐 라인들(120)은 감광액 공급라인(122) 및 항온수 라인들(124, 126, 128)을 포함한다. 감광액 공급라인(122)은 제1 노즐(112)로 감광액을 공급한다. 항온수 라인들(124, 126, 128)은 감광액 공급라인(122)을 통해 공급되는 제1 감광액이 기설정된 온도를 유지하도록 한다. 또한, 항온수 라인들(124, 126, 128)은 감광액 공급라인(122)의 베이스(2)의 상부에 놓여지는 부분(L2) 및 감겨지는 부분(L3)이 상하좌우로 쓰러지지 않도록 지지한다. 항온수 라인들(124, 126, 128)은 제1 항온수라인(124), 제2 항온수라인(126),그리고 제3 항온수라인(128)을 가진다. 제1 항온수라인(124)은 감광액 공급라인(122)이 내부에 배치되도록 설치되고, 제2 및 제3 항온수라인(126, 128)은 제1 항온수라인(124)의 외부에서 제1 항온수라인(124)을 감싸도록 배치된다. 항온수는 제1 내지 제3 항온수라인(124, 126, 128)을 따라 흐르면서 감광액 공급라인(122) 내 감광액의 온도를 유지시킨다. 여기서, 항온수는 제1 항온수라인(124)을 통해 공급된 후 제2 및 제3 항온수라인(126, 128)을 통해 회수될 수 있다. 또는, 항온수는 제2 및 제3 항온수라인(126, 128)을 통해 공급된 후 제1 항온수라인(124)을 통해 회수될 수 있다.
여기서, 상술한 감광액 공급라인(122) 및 항온수 라인들(124, 126, 128)의 구부러지는 라인 부분(L3)의 곡률 반경은 최대한 작게 제공되는 것이 바람직하다. 즉, 각각의 라인들(122, 124, 126, 128)의 구부러지는 부분(L3)의 곡률 반경이 커지면, 라인들(122, 124, 126, 128)의 설치 면적이 증가하여 분사유닛(100)의 크기가 커진다. 따라서, 각각의 라인들(122, 124, 126, 128)들의 구부러지는 부분(L3) 의 곡률 반경은 최소화되도록 설치된다.
본 실시예에서는 세 개의 항온수라인을 가지는 배관부(120, 130, 140)를 예로 들어 설명하였으나, 배관부(120, 130, 140)가 구비되는 항온수라인의 개수는 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 배관부(120a)는 감광액 공급라인(122a), 그리고 제1 및 제2 항온수라인(124a, 126a)을 가진다. 감광액 공급라인(122a)은 제1 항온수라인(124a) 내부에 설치되며, 제2 항온수라인(126a)은 제1 항온수라인(124a)의 외부에 구비된다. 이러한 구조의 배관부(120a)는 두 가닥의 배관만 사용하여 감광액의 공급 및 감광액의 온도조절을 수행할 수 있어, 일 실시예에 따른 배관부(120)에 비해 구조를 단순화할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 처리유체를 분사하는 분사유닛에 구비되는 배관들을 효과적으로 처리하여, 노즐에 연결되는 배관들이 노즐의 직선 및 회전 운동시 서로 엉키거나 한쪽으로 쓰러지는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에 따른 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 노즐에 연결되는 배관들의 설치 공간을 감소한다. 즉, 본 발명은 배관들을 지지하기 위한 별도의 서포트(support) 없이 배관들만으로 배관들의 지지 및 약액의 항온 유지를 수행할 수 있고, 또한 배관들의 구부러지는 부분(L3)의 곡률반경을 최소화하여 노 즐의 동작에 따른 배관들의 이동 공간을 감소시켜 분사유닛의 설치 공간을 감소시킬 수 있다.
상술한 예에서는 항온수를 공급하는 제1 항온수 라인이 감광액 공급 라인을 감싸는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 제1 항온수 라인은 제2 항온수 라인과 같이 감광액 공급 라인의 외부에 위치될 수 있다. 이 경우, 온도 전달이 용이하도록 제1 항온수 라인은 감광액 공급라인에 접촉되거나 이와 인접하게 위치되는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, 제1 항온수 라인과 제2 항온수 라인은 감광액 공급라인을 지지하도록 배치될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 분사유닛의 배관들을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 분사유닛의 배관들을 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치 100 : 제1 처리액 분사유닛
10 : 세정유닛 110 : 노즐
20 : 반전유닛 120 : 제1노즐 배관
30 : 제1 처리액 분사유닛 130 : 제2노즐 배관
40 : 제2 처리액 분사유닛 140 : 제3노즐 배관
50 : 초음파제공유닛

Claims (10)

  1. 노즐과,
    상기 노즐로 감광액을 공급하는 감광액 공급라인과,
    상기 감광액 공급라인을 흐르는 감광액의 온도를 기설정 온도로 유지하는 항온수가 흐르는, 그리고 상기 감광액 공급라인을 감싸는 제1 항온수 라인과;
    상기 제1 항온수 라인의 외부에 배치되어 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제2 항온수 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 분사유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐은,
    제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 직선 왕복 이동되고,
    상기 감광액 공급라인, 상기 제1 항온수 라인, 그리고 제2 항온수 라인은,
    상기 분사유닛이 설치되는 베이스에서 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 길게 놓여지는 라인들 및 상기 베이스의 상부에 놓여지는 라인들을 가지는 이층구조로 이루어져, 상기 노즐의 상기 직선 왕복 이동에 따라 상기 베이스에 놓여진 라인이 말리면서 감겨 올려지거나 감겨진 라인들이 상기 베이스에 내려 놓이도록 제공되는 것을 특징으로 하는 분사유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 분사 유닛은 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제3 항온수 라인을 더 포함하되,
    상기 제1 항온수 라인, 상기 제2 항온수 라인, 그리고 상기 제3 항온수 라인은 상기 제1 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분이 제2 항온수 라인 및 제3 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분들에 의해 지지되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 분사 유닛.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 베이스와,
    상기 베이스 상에 설치되는, 그리고 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 용기와,
    공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척과,
    공정시 상기 척에 놓여진 기판으로 처리액을 공급하는 분사유닛을 포함하되,
    상기 분사 유닛은,
    노즐과,
    상기 노즐로 감광액을 공급하는 감광액 공급라인과,
    상기 감광액 공급라인을 흐르는 감광액의 온도를 기설정 온도로 유지하는 항온수가 흐르는, 그리고 상기 감광액 공급라인을 감싸는 제1 항온수 라인과;
    상기 제1 항온수 라인의 외부에 배치되어 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제2 항온수 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 분사유닛은,
    일단에서 상기 노즐이 장착되는 제1 이동로드와,
    상단이 상기 제1 이동로드와 연결되며, 상기 제1 이동로드과 수직하게 설치되는 제2 이동로드를 포함하고,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 용기 외부에서 상기 제2 이동로드를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 직선 왕복 이동시켜, 상기 제1 이동로드에 장착된 노즐을 구동시키는 구동유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 노즐은 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 직선 왕복 이동되고,
    상기 감광액 공급라인, 상기 제1 항온수라인, 그리고 제2 항온수 라인은,
    상기 베이스 상에 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 길게 놓여지는 라인 부분 및 상기 베이스의 상부에 놓여지는 라인 부분으로 이루어지는 이층구조로 이루어져, 상기 노즐의 상기 직선 왕복 이동에 따라 상기 베이스에 놓여진 라인 부분이 말리면서 감겨 올려지거나 감겨 올려진 라인 부분이 상기 베이스에 내려 놓이도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 분사 유닛은 상기 제1 항온수 라인을 통해 공급된 항온수를 회수하는 제3 항온수 라인을 더 포함하되,
    상기 제1 항온수 라인, 상기 제2 항온수 라인, 그리고 상기 제3 항온수 라인은 상기 제1 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분이 제2 항온수 라인 및 제3 항온수 라인에서 아래층에 위치되는 부분들에 의해 지지되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020070138760A 2007-12-27 2007-12-27 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 KR100916143B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070138760A KR100916143B1 (ko) 2007-12-27 2007-12-27 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070138760A KR100916143B1 (ko) 2007-12-27 2007-12-27 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090070665A KR20090070665A (ko) 2009-07-01
KR100916143B1 true KR100916143B1 (ko) 2009-09-08

Family

ID=41322179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070138760A KR100916143B1 (ko) 2007-12-27 2007-12-27 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100916143B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102387277B1 (ko) * 2014-08-01 2022-04-18 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102279718B1 (ko) 2019-06-11 2021-07-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020083375A (ko) * 2001-04-27 2002-11-02 윤희선 포토레지스트 공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트공급방법
KR20050039054A (ko) * 2003-10-23 2005-04-29 삼성전자주식회사 스핀코팅장치
KR100664779B1 (ko) 2002-12-30 2007-01-04 동부일렉트로닉스 주식회사 포토 레지스트 공급장치
KR20070080520A (ko) * 2006-02-07 2007-08-10 삼성전자주식회사 처리액 공급부재 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020083375A (ko) * 2001-04-27 2002-11-02 윤희선 포토레지스트 공급 장치 및 이를 이용한 포토레지스트공급방법
KR100664779B1 (ko) 2002-12-30 2007-01-04 동부일렉트로닉스 주식회사 포토 레지스트 공급장치
KR20050039054A (ko) * 2003-10-23 2005-04-29 삼성전자주식회사 스핀코팅장치
KR20070080520A (ko) * 2006-02-07 2007-08-10 삼성전자주식회사 처리액 공급부재 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090070665A (ko) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100732519B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3560962B1 (ja) 基板処理法及び基板処理装置
US20090061642A1 (en) Nozzle assembly, apparatus for supplying processing solutions having the same and method of supplying processing solutions using the same
WO2005015625A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2016082177A (ja) 基板液処理装置
JP5613636B2 (ja) 液処理装置、液処理装置の制御方法、コンピュータプログラム、及びコンピュータ可読記憶媒体
JP4421956B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
KR100916143B1 (ko) 분사유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR100832395B1 (ko) 특정 분사 각도로 배치되는 다수의 승강 노즐을 이용한 비회전방식의 생수통 세척방법 및 장치
CN111906102B (zh) 清洗腔室及清洗设备
KR20120031118A (ko) 기판 처리 장치
KR20110057679A (ko) 아이피에이 공급 장치
KR100717866B1 (ko) 평판 디스플레이용 기판 전달장치
US20070181160A1 (en) Supporter and apparatus for cleaning substrates with the supporter, and method for cleaning substrates
KR100648455B1 (ko) 기판 건조 방법 및 그 장치
US20060254625A1 (en) Sprayer and cleaning apparatus using the same
KR101141155B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20070036398A (ko) 기판세정장치
KR20080099625A (ko) 웨이퍼 제조 공정에서 약액을 공급하는 노즐 및 웨이퍼세정 장치
JP2004006518A (ja) エッチング装置
KR20140088238A (ko) 기판 처리 장치
KR102096944B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
CN102446707A (zh) 用于处理硅衬底的方法和设备
CN208452577U (zh) 一种印刷版的清洗装置
US20080267619A1 (en) Developing apparatus, developing method, coating and developing system and storage medium

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120829

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130903

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140902

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150902

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160902

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170904

Year of fee payment: 9