KR101141155B1

KR101141155B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101141155B1
Application number: KR1020090096804A
Authority: KR
Inventors: 지현
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2009-10-12
Filing date: 2009-10-12
Publication date: 2012-05-02
Also published as: KR20110039799A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 에칭공정이 수행되는 챔버의 측벽에 장착되며, 측벽에 형성된 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함한다. 나이프 유닛은 측벽과 접촉하는 일측면을 가진 플레이트를 포함한다. 유체를 분사하는 분사라인은 플레이트의 상기 일측면에 개구의 길이방향으로 형성된 분사 홈과 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성된다. 분사된 유체는 코안다 효과(coanda effect)에 의하여 상기 측벽에 개구와 인접하여 제공되는 안내면을 따라 챔버의 내부공간으로 제공되어, 에칭액이 인접한 챔버로 유입되는 것을 방지한다.

기판, 패널, 에칭, 식각, 코안다 효과, 나이프 유닛

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판에 대한 에칭공정을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하는 표시 패널(display panel)을 가진다. 최근 이러한 표시 패널의 하나로서, 가볍고 공간을 작게 차지하는 액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널의 사용이 급격히 증대하고 있다.

이러한 평판 표시 패널은 기판의 표면에 각종의 박막을 증착하는 증착공정, 증착된 박막으로부터 불필요한 부분을 제거하는 에칭 공정, 그리고 기판을 세정 및 건조하는 세정공정등이 반복 수행되며 제조된다. 이러한 제조 공정은 기판이 복수의 챔버들로 이송되고, 각각의 챔버들에서 기판으로 처리액들을 공급하여 진행된다.

이러한 처리액들 중 에칭 공정에 사용되는 에칭액은 강산성의 성질을 가져 주변 장치를 부식시키는 특성이 있다. 특히, 에칭공정을 수행하는 챔버와 인접한 챔버들의 경우, 에칭공정을 수행하는 챔버로 기판이 이송되는 과정 또는 에칭공정이 완료된 기판이 인접한 챔버로 이송되는 과정에서 에칭액 또는 그로부터 발생된 퓸(fume)이 쉽게 유입되어 인접한 챔버내에 제공된 장치들이 부식된다.

본 발명은 에칭공정에 제공된 에칭액으로부터 장치를 보호할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

또한, 본 발명은 설치 비용을 절감할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부공간을 가지며, 측벽에 기판이 이송되는 개구가 형성된 챔버; 상기 측벽에 장착되며, 상기 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함한다.

상기 나이프 유닛은 상기 측벽과 접촉하는 일측면을 가지며, 상기 일측면에 상기 유체가 분사되는 분사라인으로 제공되는 홈이 상기 개구의 길이방향을 따라 형성된 플레이트를 포함하며, 상기 분사라인은 상기 홈과 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성된다. 상기 유체는 에어 또는 불활성 가스이다.

상기 나이프 유닛은 상기 챔버의 외측면에 위치한다. 상기 외측면은 상기 개 구와 인접하여 위치하며, 분사된 상기 유체가 상기 내부공간으로 제공되도록 상기 유체를 안내하는 안내면을 가진다. 상기 안내면은 곡면으로 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 순차적으로 일직선으로 배치된 제1챔버, 제2챔버, 제3챔버; 상기 제2챔버의 양측벽에 형성된 개구를 통해 상기 제1챔버, 상기 제2챔버, 그리고 상기 제3챔버 간에 기판을 이송하는 이송유닛; 상기 제2챔버의 일측벽 또는 양측벽에 장착되며, 상기 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함하되, 상기 제2챔버는 에칭 공정을 수행하는 챔버이고, 상기 나이프 유닛은 상기 개구의 상부 또는 하부에 위치하며, 상기 유체를 분사하는 분사라인이 형성된 플레이트를 포함한다.

상기 분사라인은 상기 측벽과 접촉하는 상기 플레이트의 일측면에 상기 개구의 길이방향을 따라 형성된 홈과 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성된다.

상기 개구의 상면과 하면은 상기 분사라인에서 분사된 유체가 상기 개구의 상면 또는 하면을 따라 상기 제2챔버의 내부공간으로 공급되도록 라운드지어 제공된다.

본 발명에 의하면, 기판이 출입하는 개구를 향해 에어 또는 불활성 가스가 분사되어 에칭액이 인접한 챔버로 유입되는 것이 예방되므로, 인접한 챔버에 제공된 장치가 에칭액으로부터 부식되는 것이 예방된다.

또한, 본 발명에 의하면 분사공간의 일부분으로 챔버의 측벽 일면이 제공되도록 나이프 유닛이 챔버의 측벽에 장착되므로, 간단한 구성으로 나이프 유닛이 제 공되어 기판 처리 장치의 설치비용이 감소된다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예에서 기판(P)은 평판 디스플레이용 패널의 일종인 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD)용 패널이거나 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이용 패널 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(P)을 예로 들어 설명하였으나, 기판(P)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)가 제공될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 복수개의 챔버들(10, 20, 30), 처리유체 공급 유닛(40), 이송유닛(50), 그리고 나이프 유닛(100)을 포함한다. 각각의 챔버들(10, 20, 30)은 기판(P)에 대한 공정처리가 수행되는 공간을 제공하며, 처리유체 공급유닛(40)은 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에서 이송되는 기 판(P)으로 처리유체를 공급한다. 그리고, 이송유닛(50)은 챔버들(10, 20, 30)간에, 그리고 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에서 기판(P)을 이송하며, 나이프 유닛(100)은 분사된 처리유체 및 처리유체로부터 발생된 퓸(fume)이 인접한 챔버(10, 20, 30)로 유입되지 않도록 챔버(20)의 측벽(22, 23)에 형성된 개구(24, 25)를 향해 유체를 분사한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다.

기판 처리 장치(1)는 기판(P)에 대한 공정처리를 수행하는 복수개의 챔버들(10, 20, 30)을 포함한다. 실시예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)에는 세 개의 챔버(10, 20, 30)가 제공된다. 제1챔버 내지 제3챔버(10, 20, 30)는 일직선으로 배치되며, 기판(P)에 대한 공정처리가 수행되는 내부공간(11, 22, 33)이 각각 제공된다. 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 22, 33)에서는 상이한 공정처리가 진행된다. 실시예에 의하면, 제1챔버(10)의 내부공간(11)에서는 기판(P)이 제1챔버(10)의 이송유닛(50)으로 로딩되고, 제2챔버(20)의 내부공간(21)에서는 기판(P)에 대한 에칭공정이 수행된다. 그리고, 제3챔버(30)의 내부공간(31)에서는 에칭공정이 완료된 기판(P)에 대한 세정 및 건조공정이 진행된다. 선택적으로, 제2챔버(20)의 내부공간(21)은 다시 복수개의 공간들로 구분될 수 있으며, 각각의 공간들에서는 서로 상이한 종류의 처리액이 기판(P)으로 공급되어 에칭공정이 수행될 수 있다. 제2챔버(20)의 양측벽(22, 23)에는 개구(24, 25)가 각각 형성되며, 기판(P)은 개구(24, 25)를 통하여 각 챔버들(10, 20, 30)에 이송된다. 제1챔버(10)와 제3챔버(30)에서는 상이한 공정이 수행될 수 있다.

제1챔버 내지 제3챔버(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에는 각 챔버 들(10, 20, 30)간에, 그리고 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에서 기판(P)을 이송하는 이송유닛(50)이 제공된다. 이송유닛(50)은 제2챔버(20)의 측벽(22, 23)에 형성된 개구(24, 25)를 통하여 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)으로 기판(P)을 이송한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송유닛을 나타내는 평면도이다.

도 1 및 2를 참조하면, 이송유닛(50)은 복수의 샤프트(51)들, 롤러들(52), 그리고 구동부(53)를 가진다. 샤프트(51)들은 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 샤프트(51)들은 개구(24, 25)에 대응하는 높이에 위치한다. 각각의 샤프트(51)는 길이방향이 상부에서 바라볼 때, 제1챔버 내지 제3챔버(10, 20, 30)가 배치된 방향에 수직하게 배치된다. 각각의 샤프트(51)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러(52)들이 이격하여 고정결합된다. 롤러(52)들은 이송되는 기판(P)의 하면과 접촉하며, 기판(P)을 지지한다. 롤러(52)들은 이송되는 기판(P)이 평평한 상태를 유지할 수 있도록 일정 간격 이격되어 복수개 제공된다. 샤프트(51)들은 길이방향의 중심축을 기준으로 구동부(53)에 의해 회전된다. 구동부(53)는 복수개의 풀리(54)들, 벨트(55)들, 그리고 모터(56)를 가진다. 풀리(54)들은 각각의 샤프트(51)의 양단에 각각 결합된다. 인접한 샤프트(51)들에 결합된 풀리(54)들은 벨트(55)에 의해 서로 연결된다. 복수개의 풀리(54)들 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(56)가 결합된다. 상술한, 풀리(54)들, 벨트(55)들 그리고 모터(56)의 조립체에 의해 샤프트(51)들과 롤러(52)들이 회전되고, 기판(P)은 그 하면이 롤러(52)에 접촉된 상태로 샤프트(51)들을 따 라 직선이동된다. 각각의 샤프트(51)들은 기판(P)이 수평상태로 이송되도록 일단과 타단이 동일 높이로 제공될 수 있다. 또는, 선택적으로 샤프트(51)들은 기판(P)이 경사진 상태로 이송될 수 있도록 일단과 타단이 상이한 높이로 제공될 수 있다.

각 챔버들(10, 20, 30) 중 적어도 어느 하나의 챔버(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에는 이송되는 기판(P)으로 처리유체를 공급하는 처리유체 공급유닛(40)이 제공된다. 처리유체 공급 유닛(40)은 이송유닛(50)의 상부에 위치하며 이송되는 기판(P)의 상면으로 처리유체를 공급한다. 선택적으로, 처리유체 공급유닛(40)은 이송유닛(50)의 하부에 위치하여 기판(P)의 저면으로 처리유체를 공급할 수 있으며, 또는 이송유닛(50)의 상부 및 하부에 위치하여 기판(P)의 상면 및 저면으로 동시에 처리유체를 공급할 수 있다. 처리유체 공급유닛(40)은 처리유체를 분사하는 복수개의 분사노즐(41)들 및 각각의 분사노즐(41)들로 처리유체를 공급하는 처리유체 공급라인(미도시)을 포함한다. 분사노즐(41)들은 바(bar) 형상으로 제공되며, 챔버들(10, 20, 30)이 배치된 방향을 따라 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 분사노즐(41)들은 샤프트들(51)과 나란하도록 배치될 수 있다. 또는, 선택적으로 분사노즐(41)들은 상부에서 바라보았을 때 샤프트(51)들과 일정각도를 이루도록 배치될 수 있다. 분사노즐(41)이 샤프트(51)와 일정각도를 이루도록 배치되는 경우, 나란하게 배치되는 경우보다 분사노즐(41)의 길이를 길게 제공할 수 있으므로, 기판(P)으로 더 많은 양의 처리유체를 공급할 수 있다. 분사노즐(41)의 저면에는 처리유체를 분사하는 분사공간이 형성된다. 분사공간은 복수개의 홀(hole)들로 제공될 수 있으며, 홀들은 서로 이격하여 분사노즐(41)의 길이방향을 따라 형성된다. 선택적으로, 분사공간(41)은 분사노즐의 길이방향을 따라 슬릿(slit)형상으로 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 제2챔버(20)에 제공된 처리유체 분사노즐(41)은 에칭공정을 수행할 수 있는 에칭액을 공급하며, 제3챔버(30)에 제공된 처리유체 분사노즐(미도시)은 에칭공정이 완료된 기판(P)에 머무르는 에칭액을 세정하는 세정액 및 세정된 기판(P)을 건조하는 건조유체를 공급한다.

나이프 유닛은(100) 제2챔버(20)의 일측벽(22) 또는 양측벽(22, 23)에 장착된다. 실시예에 의하면, 나이프 유닛(100)은 제2챔버(20)의 측벽 외측면에 장착된다. 나이프 유닛(100)은 개구(24, 25)의 상부 또는 하부에, 또는 상부 및 하부에 각각 설치되며, 분사노즐(41)에서 분사된 에칭액 및 에칭액으로부터 발생된 퓸(fume)이 인접한 챔버들(10, 30)로 유입되지 않도록 제2챔버(20) 측벽(22, 23)에 형성된 개구(24, 25)를 향해 유체를 분사한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 단면도이다.

도 1, 3 및 4를 참조하면, 나이프 유닛(100)은 플레이트(110) 및 유체공급부재(130)를 포함한다. 플레이트(110a, 110b)는 개구(24)의 길이방향을 따라 제공된 직사각형의 판형상으로, 제2챔버(20)의 측벽(22)과 접촉하는 일측면을 가진다. 플레이트(110a)의 저면에는 유체가 분사되는 분사라인(140)이 개구(24)의 길이방향을 따라 제공된다. 분사라인(140)은 플레이트(110a)의 상기 일측면에 개구(24)의 길이방향을 따라 형성된 분사 홈(115)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성된다. 그리고, 플레이트(110a)에는 유체공급부재(130)에서 공급된 유체가 제공되는 슬릿공간(142) 및 상기 슬릿공간(142)으로 공급된 유체가 분사라인(140)을 통해 분사되기 전 일시적으로 머무르는 공간을 제공하는 버퍼공간(143)이 형성된다. 슬릿공간(142)은 버퍼 홈(115)의 상부에 위치하며, 버퍼공간(143)은 슬릿공간(142)과 분사라인(141) 사이에 위치한다. 실시예에 의하면, 슬릿공간(142)은 분사 홈(115)의 상부에 개구(24)의 길이방향을 따라 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 슬릿 홈(111)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성된다. 그리고, 버퍼공간(143)은 상기 분사 홈(115)과 상기 슬릿 홈(111)의 사이에 개구(24)의 길이방향을 따라 형성된 슬릿 홈(114)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성된다. 슬릿공간(142)과 버퍼공간(143)은 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 연결 홈(113)을 통하여 연결된다. 연결 홈(113)은 슬릿 홈(111) 및 분사 홈(114)의 깊이보다 낮은 깊이로 형성된다. 연결 홈(113)은 슬릿 홈(111)으로 공급된 유체가 버퍼 홈(114)으로 공급되는 동안 유체에 포함된 불순물을 여과시키는 역할을 한다. 유체에 포함된 불순물은 슬릿 홈(111)에서 버퍼 홈(114)으로 공급되는 과정에서 연결 홈(113)에 정체되어 여과된다. 선택적으로, 슬릿 홈(111) 또는 버퍼 홈(114)에는 슬릿공간(142) 또는 버퍼공간(143)을 복수개의 공간으로 구획하는 구획판(미도시)이 이격하여 복수개 제공될 수 있다.

유체공급부재(130)는 플레이트(110a)의 슬릿공간(142)과 연결되며, 슬릿공간(142)으로 유체를 공급한다. 유체공급부재(130)는 유체저장부(미도시) 및 유체공급라인(131)을 포함한다. 유체저장부는 슬릿공간(142)으로 공급되는 유체를 저장한다. 실시예에 의하며, 유체저장부에는 에어(air) 또는 불활성 가스가 저장된다. 유 체공급라인(131)은 유체저장부와 슬릿공간(142)을 연결하며, 유체저장부에 저장된 유체를 슬릿공간(142)으로 공급한다. 유체공급라인(131)에는 공급되는 유체의 양을 조절하는 밸브(미도시)가 제공된다. 그리고 유체공급라인(131)의 일단에는 유체공급라인(131)과 플레이트(110a)를 연결하는 이음부재(132)가 제공된다. 이음부재(132)는 플레이트(110a)에 슬릿 홈(111)과 연결되어 형성된 홀(112)에 삽입된다. 이음부재(132)는 유체공급라인(131)과 플레이트(110a)가 연결되는 영역에서 유체가 유출되는 것을 예방한다.

실시예에 의하면, 유체공급라인(131)은 플레이트(110)의 길이방향을 따라 일정간격 이격하여 복수개 제공되며, 이에 의하여 슬릿공간(142)의 각 영역으로 유체를 균일하게 공급할 수 있다.

상술한 바와 같이, 분사라인(141), 슬릿공간(142), 그리고 버퍼공간(143)이 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 홈들(111, 114, 115)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성되므로, 간단한 구성으로 나이프 유닛(100)을 제공할 수 있다.

플레이트(110a)가 장착되는 측벽(22)의 외측면은 평면(22a)과 안내면(22b)을 가진다. 평면(22a)은 플레이트(110a)의 상기 일측면과 나란하도록 제공되며 플레이트(110a)가 장착된다. 안내면(22b)은 평면(22a)으로부터 연장되어 개구(24)와 인접하여 위치한다. 안내면(22b)은 개구(24)에 인접할수록 제2챔버(20)의 내부공간(21)과 가까워지도록 라운드지게 제공되며, 분사라인(141)을 통해 분사된 유체가 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되도록 유체를 안내한다. 실시예에 의하면, 안내 면(22b)은 곡면으로 제공된다. 분사라인(141)을 통해 분사된 유체는 코안다 효과(coanda effect)에 의하여 평면(22a)과 안내면(22b)을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공된다. 본 발명에서는 분사라인(141)이 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 분사 홈(115)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성되므로, 코안다 효과에 의하여 유체가 용이하게 내부공간으로 제공될 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 나이프 유닛이 유체를 분사하는 과정을 나타낸 도면이다.

도 5를 참조하면, 이송유닛(50)에 의하여 기판(P)이 제2챔버(20)의 측벽(22)에 형성된 개구(24)를 통하여 제1챔버(10)의 내부공간(11)에서 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송된다. 기판(P)의 일측이 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송되면, 분사노즐(41)에서 에칭액을 분사한다. 분사된 에칭액은 개구(24)를 통과중인 기판(P)의 상면 또는 저면을 따라 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입된다. 에칭액은 주로 질산, 불산, 탈이온수로 이루어진 약액이 사용되며, 이러한 에칭액은 강한 산성의 성질을 가진다. 에칭액이 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입되는 경우, 에칭액과 제1챔버(10)의 내부공간(11)에 설치된 장치들이 반응하여 상기 장치들이 부식된다. 그리고, 반응에서 발생된 퓸(fume) 또는 반응 부산물들은 이송되는 기판(P)에 부착되어 기판(P)을 오염시키는 요인으로 제공될 수 있다. 그러나, 본 발명에서는 측벽(22)의 외측면(22a, 22b)에 개구(24)를 향해 대향하여 설치된 한 쌍의 플레이트(110a, 110b)에서 유체가 분사되고, 분사된 유체는 코안다 효과에 의하여 측벽(22)의 안내면(22b, 22d)을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되 므로, 에칭액이 기판(P)의 상면 또는 하면을 따라 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입되는 것이 예방된다.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판(P) 처리 장치를 사용하여 기판(P)을 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.

도 1, 4 및 5를 참조하면, 제1챔버(10)의 내부공간(11)에 위치하는 이송유닛(50)으로 기판(P)이 로딩된다. 로딩된 기판(P)은 이송유닛(50)에 의하여 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송된다. 기판(P)의 일측이 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송되면, 분사노즐(41)에서 기판(P)으로 에칭액을 분사한다. 기판(P)이 이송되는 동안 플레이트들(110a 내지 110d)은 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 유체를 분사한다. 유체공급라인(130)을 통해 유체저장부에 저장된 유체가 플레이트(110a)의 슬릿공간(142)으로 공급된다. 슬릿공간(142)으로 공급된 유체는 버퍼공간(143)으로 공급되며, 버퍼공간(143)으로 공급되는 과정에서 유체에 포함된 불순물은 연결 홈(113)과 측벽(22)의 일면(22a) 사이에 머무르게 된다. 버퍼공간(143)으로 공급된 유체는 버퍼공간(143)에서 일시적으로 머무른 후 분사라인(141)을 통해 개구(24)를 향해 분사된다. 분사된 유체는 코안다 효과에 의하여 측벽(22)의 안내면(22b)을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되어 개구(24)를 통과하는 기판(P)의 상?하면을 따라 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입되려는 에칭액의 이동을 방해한다. 기판(P)이 제2챔버(20)의 내부공간(21)을 이송하는 동안 분사노즐(41)에서 분사된 에칭액에 의하여 에칭공정이 수행된다. 에칭공정이 완료된 기 판(P)은 이송유닛(50)에 의하여 제3챔버(30)의 내부공간(31)으로 이송된다. 기판(P)의 일측이 제3챔버(30)와 인접한 제2챔버(20)의 측벽(23)에 형성된 개구(25)로 이송되는 동안, 플레이트들(110a 내지 110d)은 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 유체를 분사한다. 분사된 유체는 코안다 효과에 의하여 측벽(23)의 안내면을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되어, 기판(P)의 상?하면을 따라 제3챔버(30)의 내부공간(31)으로 유입되려는 에칭액의 이동을 방해한다. 제3챔버(30)의 내부공간(31)으로 이송된 기판(P)은 제3챔버(30)에 제공된 처리유체 분사노즐(미도시)에서 분사된 세정액 및 건조유체에 의해 세정?건조되어 후속공정에 제공된다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 사시도이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 단면도이다.

Claims

내부공간을 가지며, 측벽에 기판이 이송되는 개구가 형성된 챔버;

상기 측벽에 장착되며, 상기 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함하고,

상기 나이프 유닛은

상기 측벽과 접촉하는 일측면을 가지며, 상기 일측면에 상기 유체가 분사되는 분사라인으로 제공되는 홈이 상기 개구의 길이방향을 따라 형성된 플레이트를 포함하며,

상기 분사라인은

상기 플레이트와 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 유체는 에어 또는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 나이프 유닛은 상기 챔버의 외측면에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 외측면은

상기 개구와 인접하여 위치하며, 분사된 상기 유체가 상기 내부공간으로 제공되도록 상기 유체를 안내하는 안내면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 안내면은 곡면인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
순차적으로 일직선으로 배치된 제1챔버, 제2챔버, 제3챔버;

상기 제2챔버의 양측벽에 형성된 개구를 통해 상기 제1챔버, 상기 제2챔버, 그리고 상기 제3챔버 간에 기판을 이송하는 이송유닛;

상기 제2챔버의 일측벽 또는 양측벽에 장착되며, 상기 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함하되,

상기 제2챔버는 에칭 공정을 수행하는 챔버이고,

상기 나이프 유닛은

상기 측벽과 접촉하는 일측면을 가지며, 상기 일측면에 상기 유체가 분사되는 분사라인으로 제공되는 홈이 상기 개구의 길이방향을 따라 형성된 플레이트를 포함하며,

상기 분사라인은

상기 플레이트와 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
삭제
제 7 항에 있어서,

상기 개구의 상면과 하면은

상기 분사라인에서 분사된 유체가 상기 개구의 상면 또는 하면을 따라 상기 제2챔버의 내부공간으로 공급되도록 라운드진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.