KR101687303B1 - 기판 증착시스템 - Google Patents
기판 증착시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101687303B1 KR101687303B1 KR1020150067014A KR20150067014A KR101687303B1 KR 101687303 B1 KR101687303 B1 KR 101687303B1 KR 1020150067014 A KR1020150067014 A KR 1020150067014A KR 20150067014 A KR20150067014 A KR 20150067014A KR 101687303 B1 KR101687303 B1 KR 101687303B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- chamber
- chambers
- unit
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 388
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 266
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 259
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 68
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
-
- H01L51/0012—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
기판 증착시스템이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착시스템은, 상호 인접하게 연속적으로 배치되며, 상호 다른 공정가스가 주입되어 기판에 대한 성막공정이 연속적으로 진행되는 복수의 공정챔버; 공정챔버들 사이에 각각 마련되며, 인접하는 공정챔버로부터 유입되는 공정가스를 배출하여 하나의 공정챔버에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버로 유입되는 것을 방지하는 복수의 가스유입 방지챔버; 및 복수의 공정챔버를 따라 기판에 대한 성막공정이 연속적으로 진행되도록, 복수의 공정챔버와 복수의 가스유입 방지챔버를 따라 기판을 연속적으로 이송하는 기판 이송유닛을 포함한다.
Description
본 발명은, 기판 증착시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판에 대한 성막공정을 연속적으로 진행함에 있어서 공정챔버들 간의 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 증착시스템에 관한 것이다.
정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 패널(Display Panel)이 각광 받고 있다.
디스플레이 패널은 TV나 컴퓨터 모니터 등의 디스플레이(Display)로 종래 주로 사용된 음극선관(CRT, Cathode Ray Tube)보다 두께가 얇고 가벼운 영상표시장치이며, LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diodes), AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes), FED(Field Emission Display) 등 그 종류가 다양하다.
이 중에서 OLED는 휴대전화, 카오디오, 디지털카메라와 같은 소형기기의 디스플레이 및 조명기기 등에 주로 사용되고 있으며, 최근에는 TV 등 대형기기의 디스플레이, 플렉서블 디스플레이 등에 이용될 수 있는 차세대 디스플레이 패널로 주목받고 있다.
특히, OLED는 빠른 응답속도, 기존의 LCD보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 패널로 각광받고 있다.
이러한 OLED는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 증착하고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다.
다시 말해, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며, 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도펀트 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.
도 1은 유기전계 발광소자의 구조도이다.
도 1에서 도시한 바와 같이, OLED는 기판에 애노드(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(electron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 캐소드(cathode) 등의 막이 순서대로 적층되어 형성된다.
여기서, 애노드는 면 저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용되고, 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층, 전자 주입층 등의 다층으로 구성되며, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 사용된다. 그리고, 캐소드는 LiF-Al 금속막이 사용된다.
유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.
한편, 도 1에서 도시한 바와 같이, OLED는 구동 시 정공이 애노드로부터 발광층으로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 발광층으로 주입된다.
발광층으로 주입된 정공과 전자는 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
이러한 OLED는 구현하는 색상에 따라 단색 또는 풀 칼라(full color) OLED로 구분된다.
상기한 OLED는 기판에 애노드, 유기박막, 캐소드, 봉지막 등 박막을 증착하기 위해 가열, 냉각, 플라즈마로 이루어지는 일련의 증착공정이 수행되어야 한다.
이를 위해, 종래에는 복수의 공정챔버들을 연속적으로 배치하고 기판을 공정챔버들을 관통하여 이송하면서 일련의 증착공정을 연속적으로 수행하였다.
그러나, 연속적으로 배치된 복수의 공정챔버들을 관통하여 기판이 이송되므로 하나의 공정챔버에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버로 확산되어 다른 공정챔버를 오염시키는 경우에 기판에 형성되는 박막의 품질과 균일도를 저해시키는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 공정챔버들 사이에 가스유입 방지챔버를 마련하여 가스유입 방지챔버로 하여금 공정챔버로부터 유입되는 공정가스를 배출하고 하나의 공정챔버에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버로 유입되는 것을 방지함으로써, 성막공정에서 공정챔버들 간의 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지할 수 있는 기판 증착시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상호 인접하게 연속적으로 배치되며, 상호 다른 공정가스가 주입되어 기판에 대한 성막공정이 연속적으로 진행되는 복수의 공정챔버; 상기 공정챔버들 사이에 각각 마련되며, 인접하는 상기 공정챔버로부터 유입되는 공정가스를 배출하여 하나의 상기 공정챔버에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 상기 공정챔버로 유입되는 것을 방지하는 복수의 가스유입 방지챔버; 및 복수의 상기 공정챔버를 따라 기판에 대한 성막공정이 연속적으로 진행되도록, 복수의 상기 공정챔버와 복수의 상기 가스유입 방지챔버를 따라 기판을 연속적으로 이송하는 기판 이송유닛을 포함하는 기판 증착시스템이 제공될 수 있다.
상기 가스유입 방지챔버는, 챔버바디; 상기 챔버바디에 형성되며, 인접하는 상기 공정챔버로부터 공정가스가 유입되는 복수의 가스 유입구; 및 상기 챔버바디의 내부에 상기 가스 유입구를 통해 유입된 공정가스를 수용하는 복수의 수용공간을 형성하는 복수의 격벽을 포함할 수 있다.
상기 가스유입 방지챔버는, 상기 챔버바디에 마련되되, 복수의 상기 수용공간과 연통하여 공정가스를 배출하는 적어도 하나의 배기펌프를 더 포함할 수 있다.
상기 배기펌프는 복수의 상기 수용공간에 대응되는 개수로 마련되며, 상기 가스 유입구와 상기 수용공간과 상기 배기펌프가 상호 연통되게 형성될 수 있다.
상기 가스유입 방지챔버가 상기 공정챔버의 양측에 각각 마련되는 경우에 인접하는 상기 가스유입 방지챔버들 사이에 배치되되, 인접하는 하나의 상기 가스유입 방지챔버에 유입된 공정가스가 다른 하나의 상기 가스유입 방지챔버로 유입되는 것을 방지하는 제1 공정가스 차단유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 공정가스 차단유닛은, 기판이 출입하도록 상기 가스유입 방지챔버들의 측벽에 각각 형성된 기판 개구부들 사이에 인접하게 배치되고 기체를 분사하여 상기 기판 개구부들 사이에 기체장벽을 형성하는 제1 기체 분사부를 포함할 수 있다.
상기 제1 기체 분사부는, 상기 가스유입 방지챔버를 관통하는 기판의 이송경로 상부에 배치되어 기판의 이송방향에 교차되는 방향으로 기체를 분사할 수 있다.
상기 제1 공정가스 차단유닛은, 인접하는 상기 가스유입 방지챔버들의 상기 기판 개구부들 사이에 인접하게 마련되되, 상기 제1 기체 분사부에 대향되게 배치되어 상기 제1 기체 분사부에서 분사된 기체를 배출하는 제1 기체 배출부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 공정가스 차단유닛은, 상기 제1 기체 분사부에 연결되어 상기 제1 기체 분사부에 기체를 공급하는 제1 기체 공급부; 및 상기 제1 기체 분사부에 연결되어 상기 제1 기체 분사부에서 분사되는 기체량을 조절하는 제1 기체량 조절부를 더 포함할 수 있다.
인접하는 상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버 사이에 마련되되, 기판이 출입하도록 상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버의 측벽에 각각 형성된 기판 개구부들 사이에 인접하게 배치되어 상기 기판 개구부들 사이에 기체장벽을 형성하는 제2 공정가스 차단유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 공정가스 차단유닛은, 인접하는 상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버의 측벽에 각각 형성된 상기 기판 개구부들 사이에 인접하게 배치되어 상기 기판 개구부들 사이에 기체를 분사하여 기체장벽을 형성하는 제2 기체 분사부를 포함할 수 있다.
상기 제2 공정가스 차단유닛은, 상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버의 상기 기판 개구부들 사이에 인접하게 마련되되, 상기 제2 기체 분사부에 대향되게 배치되어 상기 제2 기체 분사부에서 분사된 기체를 배출하는 제2 기체 배출부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 공정가스 차단유닛은, 상기 제2 기체 분사부에 연결되어 상기 제2 기체 분사부에 기체를 공급하는 제2 기체 공급부; 및 상기 제2 기체 분사부에 연결되어 상기 제2 기체 분사부에서 분사되는 기체량을 조절하는 제2 기체량 조절부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기체 분사부 및 상기 제2 기체 분사부에서 분사되는 기체는, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe), 라돈(Rn) 중 어느 하나인 비활성 기체일 수 있다.
상기 기판 이송유닛은, 상호 인라인되게 배치된 복수의 상기 공정챔버와 복수의 상기 가스유입 방지챔버를 관통하여 기판을 이송하는 복수의 이송롤러를 포함하며, 상기 제1 기체 분사부와 상기 제1 기체 배출부 및 상기 제2 기체 분사부와 상기 제2 기체 배출부는 인접하는 상기 이송롤러들 사이에 상호 대향되고 교차되게 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 연속적으로 배치된 공정챔버들 각각의 양측에 가스유입 방지챔버를 마련하여 가스유입 방지챔버로 하여금 공정챔버로부터 유입되는 공정가스를 배출하고 하나의 공정챔버에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버로 유입되는 것을 방지함으로써, 기판에 대한 성막공정에서 공정챔버들 간의 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지할 수 있어 기판에 형성되는 박막의 품질과 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 유기전계 발광소자의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착시스템을 나타내는 구조도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송유닛을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 C부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스유입 방지챔버를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2의 A부분 확대도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 공정가스 차단유닛을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2의 B부분 확대도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 공정가스 차단유닛을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착시스템을 나타내는 구조도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송유닛을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 C부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스유입 방지챔버를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2의 A부분 확대도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 공정가스 차단유닛을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 2의 B부분 확대도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 공정가스 차단유닛을 나타내는 도면이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도면 대비 설명에 앞서, 이하에서 설명될 기판은, 액정표시장치(LCD, liquid crystal display), 플라즈마 디스플레이 기판(PDP, Plasma Display Panel), 유기EL(OLED, Organic Light Emitting Diodes) 등을 포함하는 디스플레이용 기판과, 박막 태양전지(thin-film solar cells)용 기판을 포함할 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의를 위해 이들을 구분하지 않고 기판이라 하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착시스템을 나타내는 구조도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송유닛을 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 C부분 확대도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스유입 방지챔버를 나타내는 도면이고, 도 6은 도 2의 A부분 확대도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 공정가스 차단유닛을 나타내는 도면이고, 도 7은 도 2의 B부분 확대도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 공정가스 차단유닛을 나타내는 도면이다.
도 2을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은, 상호 인접하게 연속적으로 배치되는 복수의 공정챔버(100)와, 공정챔버(100)들 사이에 마련되어 공정챔버(100)로부터 유입되는 공정가스를 배출하고 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버(100)로 유입되는 것을 방지하는 복수의 가스유입 방지챔버(300)와, 복수의 공정챔버(100)와 복수의 가스유입 방지챔버(300)를 따라 기판(G)을 연속적으로 이송하는 기판 이송유닛(200)을 포함한다.
본 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은, 상호 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)를 관통하여 기판(G)을 이송하면서 연속적으로 기판(G)에 대한 성막공정을 수행한다.
그리고, 공정챔버(100)들 사이에 가스유입 방지챔버(300)를 마련하여 공정챔버(100)로부터 유입되는 공정가스를 배출하고 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 인접한 다른 하나의 공정챔버(100)로 유입되는 것을 방지함으로써, 기판(G)에 대한 성막공정에서 복수의 공정챔버(100)에 주입되는 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지할 수 있으며 기판(G)에 형성되는 박막의 품질과 균일도를 향상시킬 수 있다.
도 2를 참조하면, 공정챔버(100)는 기판(G)에 증착물질을 증착하여 기판(G)에 박막을 형성하는 성막공정이 진행되는 공간을 형성한다.
성막공정이 진행되는 동안, 공정챔버(100)의 내부는 기판(G)에 대한 성막공정이 신뢰성 있게 진행될 수 있도로 진공상태를 유지한다.
이를 위해, 공정챔버(100)의 일측에는 공정챔버(100)의 내부를 진공분위기로 유지하기 위한 진공모듈(미도시)이 설치될 수 있다.
본 실시예에서 진공모듈은 도시되지는 않았으나, 진공배관(미도시) 등을 통해 공정챔버(100)와 연결될 수 있으며, 진공펌프, 압력센서, 압력 조절밸브 등을 포함한다.
그리고, 공정챔버(100)의 측벽에는 기판(G) 또는 기판(G)이 안착된 기판 캐리어(210)가 출입하는 제1 기판 개구부(110)가 형성된다.
본 실시예에서는 기판(G)에 대한 성막공정을 연속적으로 진행하기 위해 복수의 공정챔버(100)가 상호 인라인되게 배치되며, 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)를 관통하여 기판(G)이 이송되는 동안 기판(G)에 박막이 형성된다.
또한, 도 2에서 도시한 바와 같이, 공정챔버(100)의 내부에는 기판(G)에 대한 성막공정을 수행하도록 박막 증착장치(130)가 배치된다.
예를들어, 도 1에서 도시한 바와 같이 OLED는 기판(G)에 애노드(anode)와, 정공 주입층(hole injection layer)와 정공 운송층(hole transfer layer)와 발광층(emitting layer)과 전자 운송층(electron transfer layer)과 전자 주입층(electron injection layer)을 포함하는 유기 박막층과, 캐소드(cathode) 등의 막이 순서대로 적층되어 형성된다.
따라서, 도 2에서 도시한 바와 같이, 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)에는 기판(G)에 애노드, 유기 박막층 및 캐소드가 순차로 연속적으로 증착할 수 있도록 박막 증착장치(130)가 배치된다.
본 실시예에서는 기판(G)에 대한 성막공정을 수행하는 스퍼터(130)가 공정챔버(100)의 내부에 마련되도록 도시되었으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않고 기판(G)에 대한 성막공정을 수행하는 것이면 어느 것이든 사용가능하다.
또한, 본 실시예에서 기판 이송유닛(200)은 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)를 따라 연속적으로 성막공정을 수행하도록 복수의 공정챔버(100)와 후술할 가스유입 방지챔버(300)를 관통하여 기판(G)을 이송한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 이송유닛(200)은, 기판(G)을 지지하되 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 이송되는 기판 캐리어(210)와, 기판 캐리어(210)가 안착되되 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 길게 배치되어 기판 캐리어(210)를 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 이송하는 캐리어 이송부(230)를 포함한다.
본 실시예에서 기판(G)은 기판 캐리어(210)의 상부에 안착되어 지지되며, 기판 캐리어(210)는 캐리어 이송부(230)에 의해 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 이송된다.
그리고, 본 실시예에 따른 캐리어 이송부(230)는, 기판 캐리어(210)를 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 이송하는 역할을 한다.
캐리어 이송부(230)는 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 관통하며 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 하부 양측에 각각 마련되며 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 상호 이격되게 배치된 복수의 회전체(231)와, 복수의 회전체(231)에 각각 연결되어 복수의 회전체(231)에 회전력을 제공하는 회전체 구동부(235)를 포함한다.
회전체(231)는 기판 캐리어(210)의 하면을 지지하며, 그 자체가 회전함에 따라 기판 캐리어(210)를 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 이송하는 역할을 한다.
본 실시예에서 회전체(231)는 롤러 타입으로 형성될 수 있으며, 기판 캐리어(210)의 양측부가 회전체(231)에 안착된다.
복수의 회전체(231)는 상호 이격된 상태에서 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 하부 양측에 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300) 방향으로 나란하게 배치된다.
복수의 회전체(231) 각각은 기판 캐리어(210)의 테두리부에 접촉되는 이송롤러(232)와, 일단이 이송롤러(232)에 연결되고 타단이 회전체 구동부(235)에 연결되어 이송롤러(232)에 회전력을 전달하는 제1 연결부재(233)를 포함한다.
한편, 이송롤러(232)의 외주면에는 기판 캐리어(210)가 미끄러지는 것을 개선하기 위해 마찰계수가 높은 재질의 띠(미도시)가 설치될 수 있다. 이러한 띠는 기판 캐리어(210)와의 마찰력을 증대시켜 기판 캐리어(210)의 미끄러짐을 개선할 수 있다.
그리고, 회전체 구동부(235)는 회전체(231), 구체적으로 이송롤러(232)에 회전력을 전달하는 역할을 한다.
회전체 구동부(235)는 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 내부에 마련되되 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 하부 양측에 설치되며 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300) 방향에 교차되게 길게 배치되는 회전바(236)와, 회전바(236)에 이송롤러(232)의 개수에 대응되게 마련되되 복수의 제1 연결부재(233)에 각각 결합되는 복수의 제2 연결부재(237)와, 회전바(236)에 각각 연결되어 회전바(236)를 회전시키는 구동모터(238)를 포함한다.
회전바(236)는 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 하부 양측에 각각 길게 배치된다. 또한, 회전바(236)는 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 양측에 배치된 복수의 회전체(231)에 나란하게 배치된다.
회전바(236)에는 구동모터(238)의 작동에 의해 자전운동하도록 구동모터(238)와 제3 연결부재(239), 구체적으로 베벨기어로 연결된다.
그리고, 회전바(236)에는 복수의 이송롤러(232)의 개수에 대응되는 개수로 복수의 제2 연결부재(237)가 마련된다.
제2 연결부재(237)는 이송롤러(232)에 연결된 제1 연결부재(233)에 결합되어 회전바(236)의 자전운동을 이송롤러(232)의 회전운동으로 변환한다. 여기서, 제1 연결부재(233)와 제2 연결부재(237)는 베벨기어로 형성될 수 있다.
상기와 같이, 기판(G)이 안착된 기판 캐리어(210)는 복수의 이송롤러(232)에 의해 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 따라 이송되며, 기판(G)이 이송되는 동안 복수의 공정챔버(100)에 마련된 박막 증착장치(130)에 의해 기판(G)에 박막이 증착된다.
한편, 본 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은, 상호 인라인되게 배치된 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 관통하여 기판(G)을 이송하면서 연속적으로 기판(G)에 대한 성막공정을 수행한다.
그러므로, 복수의 공정챔버(100)에 주입되는 상호 다른 공정가스가 인접하는 하나의 공정챔버(100)에서 다른 하나의 공정챔버(100)로 유입될 수 있으며, 이러한 경우에 기판(G)에 형성되는 박막의 품질과 균일도를 저해하게 된다.
따라서, 본 실시예에서는 복수의 공정챔버(100) 사이에 가스유입 방지챔버(300)를 마련하여 공정챔버(100)로부터 유입되는 공정가스를 배출하고 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버(100)로 유입되는 것을 방지한다.
본 실시예에 따른 가스유입 방지챔버(300)는 내부에 인접하는 공정챔버(100)로부터 유입되는 공정가스가 수용되는 복수의 수용공간(S)을 형성하고, 복수의 수용공간(S)에 수용된 공정가스를 외부로 배출하도록 구성된다.
이를 위해, 도 2 및 도 5에서 도시한 바와 같이, 가스유입 방지챔버(300)는, 챔버바디(310)와, 챔버바디(310)에 형성되며 인접하는 공정챔버(100)로부터 공정가스가 유입되는 복수의 가스 유입구(313)와, 챔버바디(310)의 내부에 가스 유입구(313)를 통해 유입된 공정가스를 수용하는 복수의 수용공간(S)을 형성하는 복수의 격벽(311)과, 챔버바디(310)에 마련되어 복수의 수용공간(S)과 연통하여 공정가스를 배출하는 적어도 하나의 배기펌프(330)를 포함한다.
챔버바디(310)에는 공정챔버(100)와 연통되어 공정챔버(100)로부터 공정가스가 유입되는 복수의 가스 유입구(313)가 형성된다. 이러한 가스 유입구(313)를 통해 공정챔버(100)에서 기판(G)에 대한 성막공정 중에 주입되는 공정가스가 가스유입 방지챔버(300)의 챔버바디(310)로 유입된다.
이때, 챔버바디(310)에는 각각의 가스 유입구(313)를 통해 유입된 공정가스를 내부에 수용하기 복수의 수용공간(S)이 형성된다. 그리고, 복수의 수용공간(S)은 챔버바디(310)의 내부에 수평방향 및 수직방향 배치된 복수의 격벽(311)으로 형성된다.
그리고, 복수의 수용공간(S)에 수용된 공정가스는 배기펌프(330)를 통해 외부로 배출된다. 본 실시예에서 배기펌프(330)는 복수의 수용공간(S)의 상부에 배치되며, 복수의 수용공간(S)의 개수에 대응되는 개수로 마련된다.
또한, 본 실시예에서는 각각의 가스 유입구(313)와 수용공간(S)과 배기펌프(330)가 상호 연통되게 형성되어, 공정챔버(100)로부터 유입되는 공정가스를 신속하게 배출할 수 있도록 한다.
한편, 본 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은, 기판(G)에 대한 성막공정을 연속적으로 수행하기 위해 기판(G)을 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 관통하여 이송된다.
전술한 바와 같이, 기판 이송유닛(200)이 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)의 하부를 관통하도록 배치되며, 기판(G)이 복수의 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300)를 관통하여 이송되면서 성막공정이 진행된다.
그러므로, 기판(G)의 이송경로를 따라 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 기판(G)의 이송경로를 따라 인접하는 공정챔버(100)로 유입될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은, 가스유입 방지챔버(300)가 공정챔버(100)의 양측에 각각 마련되는 경우에 인접하는 가스유입 방지챔버(300)들 사이에 배치되어 인접하는 하나의 가스유입 방지챔버(300)에 유입된 공정가스가 다른 하나의 가스유입 방지챔버(300)로 유입되는 것을 방지하는 제1 공정가스 차단유닛(410)를 더 포함한다.
구체적으로, 도 6에서 도시한 바와 같이 제1 공정가스 차단유닛(410)은, 기판(G)이 출입하도록 가스유입 방지챔버(300)들의 측벽에 각각 형성된 제2 기판 개구부(315)들 사이에 인접하게 배치된 제1 기체 분사부(411)와, 제1 기체 분사부(411)에 기체를 공급하는 제1 기체 공급부(415)와, 제1 기체 분사부(411)에 연결되어 제1 기체 분사부(411)에서 분사되는 기체량을 조절하는 제1 기체량 조절부(417)와, 인접하는 가스유입 방지챔버(300)들의 제2 기판 개구부(315)들 사이에 인접하게 배치되어 제1 기체 분사부(411)에서 분사된 기체를 배출하는 제1 기체 배출부(413)를 포함한다.
본 실시예에서 제1 기체 분사부(411)는 가스유입 방지챔버(300)들 사이에 기체장벽을 형성하여 인접하는 하나의 가스유입 방지챔버(300)에서 다른 하나의 가스유입 방지챔버(300)로 공정가스가 유입되는 것을 방지하는 역할을 한다.
도 2에서 도시한 바와 같이, 기판(G)이 공정챔버(100)들과 가스유입 방지챔버(300)들을 관통하여 이송되므로 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 기판(G)의 이송경로를 따라 가스유입 방지챔버(300)를 거쳐 다른 공정챔버(100)로 유입될 수 있다.
그러므로, 본 실시예에서는 인접하게 배치된 가스유입 방지챔버(300)들의 측벽에 각각 형성된 제2 기판 개구부(315)들 사이에 인접하게 제1 기체 분사부(411)를 배치하고, 제1 기체 분사부(411)가 제2 기판 개구부(315)들 사이에 기체를 분사하여 제2 기판 개구부(315)들 사이에 기체장벽을 형성함으로써 기판(G)의 이송경로를 따라 공정가스가 이동되는 것을 방지할 수 있다.
또한 제1 기체 분사부(411)는 기판(G)의 이송경로 상부에 배치되어 기판(G)의 이송방향에 교차되는 방향으로 기체를 분사한다. 여기서, 제1 기체 분사부(411)에서 분사되는 기체는 공정가스와의 반응을 차단하기 위한 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe), 라돈(Rn) 중 어느 하나인 비활성 기체이다.
그리고, 제1 기체 분사부(411)에서 분사되는 기체는 제1 기체 배출부(413)에 의해 배출된다. 이는 제1 기체 분사부(411)에서 분사된 기체가 공정챔버(100)로 유입되어 공정조건에 영향을 미치는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 제1 기체 배출부(413)에는 제1 기체 분사부(411)에서 분사된 기체를 신속하고 전량 배출할 수 있도록 펌핑유닛(미도시)이 연결된다.
제1 기체 배출부(413)는 제1 기체 분사부(411)와 마찬가지로 가스유입 방지챔버(300)들의 측벽에 각각 형성된 제2 기판 개구부(315)들 사이에 인접하게 마련되며 제1 기체 분사부(411)에 대향되게 배치된다.
구체적으로, 제1 기체 분사부(411)와 제2 기체 배출부(453)는 가스유입 방지챔버(300)들의 제2 기판 개구부(315)들 사이에 마련되고 상호 대향되게 배치되어 제1 기체 분사부(411)에서 분사되는 기체가 분사됨과 동시에 제1 기체 배출부(413)에 의해 배출되게 한다. 또한 제1 기체 분사부(411)와 제1 기체 배출부(413)는 인접하는 이송롤러(232)들 사이에 상호 대향되고 교차되게 배치된다.
한편, 제1 기체 분사부(411)에서 분사되는 기체는 제1 기체 공급부(415)에 의해 공급되며, 제1 기체량 조절부(417)에 의해 분사되는 기체량이 조절된다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은, 인접하는 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300) 사이에 마련되어 기판(G)이 출입하도록 공정챔버(100)의 측벽에 형성된 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 측벽에 형성된 제2 기판 개구부(315) 사이에 인접하게 배치되어 제1 기판 개구부(110)와 제2 기판 개구부(315) 사이에 기체장벽을 형성하는 제2 공정가스 차단유닛(450)을 더 포함할 수 있다.
전술한 제1 공정가스 차단유닛(410)은 인접하는 가스유입 방지챔버(300)들 사이에 마련되어 기판(G)의 이송경로를 따라 하나의 가스유입 방지챔버(300)에서 다른 하나의 가스유입 방지챔버(300)로 공정가스가 유입되는 것을 방지하는 것임에 반하여, 제2 공정가스 차단유닛(450)은 인접하는 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300) 사이에 마련되어 기판(G)의 이송경로를 따라 공정챔버(100)에서 가스유입 방지챔버(300)로 공정가스가 유입되는 것을 사전에 방지하는 것이다.
구체적으로, 도 7에서 도시한 바와 같이, 제2 공정가스 차단유닛(450)은, 공정챔버(100)의 측벽에 형성된 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 측벽에 형성된 제2 기판 개구부(315) 사이에 인접하게 배치된 제2 기체 분사부(451)와, 제2 기체 분사부(451)에 기체를 공급하는 제2 기체 공급부(455)와, 제2 기체 분사부(451)에 연결되어 제2 기체 분사부(451)에서 분사되는 기체량을 조절하는 제2 기체량 조절부(457)와, 공정챔버(100)의 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 제2 기판 개구부(315) 사이에 인접하게 배치되어 제2 기체 분사부(451)에서 분사된 기체를 배출하는 제2 기체 배출부(453)를 포함한다.
본 실시예에서 제2 기체 분사부(451)는 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300) 사이에 기체장벽을 형성하여 인접하는 공정챔버(100)에서 가스유입 방지챔버(300)로 공정가스가 유입되는 것을 방지하는 역할을 한다.
도 2에서 도시한 바와 같이, 기판(G)이 공정챔버(100)들과 가스유입 방지챔버(300)들을 관통하여 이송되므로 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 기판(G)의 이송경로를 따라 가스유입 방지챔버(300)를 거쳐 다른 공정챔버(100)로 유입될 수 있다.
그러므로, 본 실시예에서는 인접하게 배치된 공정챔버(100)의 측벽에 형성된 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 측벽에 형성된 제2 기판 개구부(315) 사이에 인접하게 제2 기체 분사부(451)를 배치하고, 제2 기체 분사부(451)가 제1 기판 개구부(110)와 제2 기판 개구부(315) 사이에 기체를 분사하여 제1 기판 개구부(110)와 제2 기판 개구부(315) 사이에 기체장벽을 형성함으로써, 기판(G)의 이송경로를 따라 공정가스가 이동되는 것을 사전에 방지할 수 있다.
또한 제2 기체 분사부(451)는 기판(G)의 이송경로 상부에 배치되어 기판(G)의 이송방향에 교차되는 방향으로 기체를 분사한다.
여기서, 제2 기체 분사부(451)에서 분사되는 기체는 제1 기체 분사부(411)에서 분사되는 기체와 마찬가지로 공정가스와의 반응을 차단하기 위한 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe), 라돈(Rn) 중 어느 하나인 비활성 기체이다.
그리고, 제2 기체 분사부(451)에서 분사되는 기체는 제2 기체 배출부(453)에 의해 배출된다. 이는 제2 기체 분사부(451)에서 분사된 기체가 공정챔버(100)로 유입되어 공정조건에 영향을 미치는 것을 방지하기 위함이다.
따라서, 제2 기체 배출부(453)에는 제2 기체 분사부(451)에서 분사된 기체를 신속하고 전량 배출할 수 있도록 펌핑유닛(미도시)이 연결된다.
제2 기체 배출부(453)는 제2 기체 분사부(451)와 마찬가지로 공정챔버(100)의 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 제2 기판 개구부(315) 사이엥 인접하게 마련되며 제2 기체 분사부(451)와 대향되게 배치된다.
구체적으로, 제2 기체 분사부(451)와 제2 기체 배출부(453)는 제1 기판 개구부(110)와 제2 기판 개구부(315) 사이에 마련되고 상호 대향되게 배치되어 제2 기체 분사부(451)에서 분사되는 기체가 분사됨과 동시에 제2 기체 배출부(453)에 의해 배출되게 한다.
또한 제2 기체 분사부(451)와 제2 기체 배출부(453)는 인접하는 이송롤러(232)들 사이에 상호 대향되고 교차되게 배치된다.
한편, 제2 기체 분사부(451)에서 분사되는 기체는 제2 기체 공급부(455)에 의해 공급되며, 제2 기체량 조절부(457)에 의해 분사되는 기체량이 조절된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 증착시스템(1)은 기판(G)에 대한 성막공정을 연속적으로 수행하기 위해 복수의 공정챔버(100)가 인라인되게 배치된다.
이때, 각각의 공정챔버(100)에는 상호 다른 공정가스가 주입되므로, 기판(G)을 이송하면서 연속적으로 성막공정을 진행함에 있어서 하나의 공정챔버(100)에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 공정챔버(100)에 유입되어 공정챔버(100)들 간에 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지하여야 한다.
이를 위해, 본 실시예에서는 복수의 공정챔버(100) 사이에 공정챔버(100)로부터 유입되는 공정가스를 배출하여 공정챔버(100)들 간에 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지하기 위한 가스유입 방지챔버(300)가 마련된다.
가스유입 방지챔버(300)는 챔버바디(310)에 격벽(311)을 설치하여 가스 유입구(313)를 통해 유입된 공정가스를 수용하며, 수용된 공정가스를 배기펌프(330)를 통해 외부로 배출하도록 구성된다.
또한, 본 실시예에서는 기판(G)의 이송경로를 따라 공정가스가 인접하는 다른 공정챔버(100)로 유입되는 것을 방지하고자, 가스유입 방지챔버(300)들 사이에 제1 공정가스 차단유닛(410)을 마련한다.
제1 공정가스 차단유닛(410)은, 인접하는 가스유입 방지챔버(300)들에 형성된 제2 기판 개구부(315)들 사이에 제1 기체 분사부(411)를 마련하고, 제1 기체 분사부(411)에서 비활성 기체를 분사하여 인접하는 가스유입 방지챔버(300)들에 형성된 제2 기판 개구부(315)들 사이에 기체장벽을 형성함으로써 기판(G)의 이송경로를 따라 인접하는 하나의 가스유입 방지챔버(300)에서 다른 하나의 가스유입 방지챔버(300)로 공정가스가 유입되는 것을 차단한다.
또한, 본 실시예에서는 인접하는 공정챔버(100)와 가스유입 방지챔버(300) 사이에 제2 공정가스 차단유닛(450)을 마련한다.
제2 공정가스 차단유닛(450)은, 공정챔버(100)의 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 제2 기판 개구부(315) 사이에 제2 기체 분사부(451)를 마련하고, 제2 기체 분사부(451)에서 비활성 기체를 분사하여 인접하는 공정챔버(100)의 제1 기판 개구부(110)와 가스유입 방지챔버(300)의 제2 기판 개구부(315) 사이에 기체장벽을 형성함으로써 기판(G)의 이송경로를 따라 인접하는 공정챔버(100)에서 가스유입 방지챔버(300)로 공정가스가 유입되는 것을 차단한다.
상기한 바와 같이, 본 실시예는 기판(G)에 대한 연속적인 성막공정에서 인라인되게 배치된 공정챔버(100)들 간의 공정가스가 상호 오염되는 것을 방지하여 기판(G)에 형성되는 박막의 품질과 균일도를 향상시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
1: 기판 증착시스템 100: 공정챔버
110: 제1 기판 개구부 200: 기판 이송유닛:
210: 기판 캐리어 230: 캐리어 이송부
300: 가스유입 방지챔버 310: 챔버바디
311: 격벽 313: 가스 유입구
315: 제2 기판 개구부 330: 배기펌프
410: 제1 공정가스 차단유닛 411: 제1 기체 분사부
413: 제1 기체 배출부 415: 제1 기체 공급부
417: 제1 기체량 조절부 450: 제2 공정가스 차단유닛
451: 제2 기체 분사부 453: 제2 기체 배출부
455: 제2 기체 공급부 457: 제2 기체량 조절부
110: 제1 기판 개구부 200: 기판 이송유닛:
210: 기판 캐리어 230: 캐리어 이송부
300: 가스유입 방지챔버 310: 챔버바디
311: 격벽 313: 가스 유입구
315: 제2 기판 개구부 330: 배기펌프
410: 제1 공정가스 차단유닛 411: 제1 기체 분사부
413: 제1 기체 배출부 415: 제1 기체 공급부
417: 제1 기체량 조절부 450: 제2 공정가스 차단유닛
451: 제2 기체 분사부 453: 제2 기체 배출부
455: 제2 기체 공급부 457: 제2 기체량 조절부
Claims (15)
- 상호 인접하게 연속적으로 배치되며, 상호 다른 공정가스가 주입되어 기판에 대한 성막공정이 연속적으로 진행되는 복수의 공정챔버;
상기 공정챔버의 양측에 각각 마련되며, 인접하는 상기 공정챔버로부터 유입되는 공정가스를 배출하여 하나의 상기 공정챔버에 주입된 공정가스가 인접하는 다른 하나의 상기 공정챔버로 유입되는 것을 방지하는 복수의 가스유입 방지챔버; 및
복수의 상기 공정챔버를 따라 기판에 대한 성막공정이 연속적으로 진행되도록, 복수의 상기 공정챔버와 복수의 상기 가스유입 방지챔버를 따라 기판을 연속적으로 이송하는 기판 이송유닛;
인접하는 상기 가스유입 방지챔버들 사이에 배치되되, 인접하는 하나의 상기 가스유입 방지챔버에 유입된 공정가스가 다른 하나의 상기 가스유입 방지챔버로 유입되는 것을 방지하는 제1 공정가스 차단유닛; 및
인접하는 상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버 사이에 마련되되, 상기 공정챔버에 유입된 공정가스가 상기 가스유입 방지챔버로 유입되는 것을 방지하는 제2 공정가스 차단유닛을 포함하며,
상기 제1 공정가스 차단유닛은,
기판이 출입하도록 상기 가스유입 방지챔버들의 측벽에 각각 형성된 기판 개구부들 사이에 인접하게 배치되고 기체를 분사하여 상기 기판 개구부들 사이에 기체장벽을 형성하는 제1 기체 분사부; 및
인접하는 상기 가스유입 방지챔버들의 상기 기판 개구부들 사이에 인접하게 마련되되, 상기 제1 기체 분사부에 대향되게 배치되어 상기 제1 기체 분사부에서 분사된 기체를 배출하는 제1 기체 배출부를 포함하고,
상기 제2 공정가스 차단유닛은,
인접하는 상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버의 측벽에 각각 형성된 상기 기판 개구부들 사이에 인접하게 배치되어 상기 기판 개구부들 사이에 기체를 분사하여 기체장벽을 형성하는 제2 기체 분사부; 및
상기 공정챔버와 상기 가스유입 방지챔버의 상기 기판 개구부들 사이에 인접하게 마련되되, 상기 제2 기체 분사부에 대향되게 배치되어 상기 제2 기체 분사부에서 분사된 기체를 배출하는 제2 기체 배출부를 포함하며,
상기 기판 이송유닛은,
상호 인라인되게 배치된 복수의 상기 공정챔버와 복수의 상기 가스유입 방지챔버를 관통하여 기판을 이송하며, 상호 이격되어 배치되는 복수의 이송롤러를 포함하며,
상기 제1 기체 분사부와 상기 제1 기체 배출부 및 상기 제2 기체 분사부와 상기 제2 기체 배출부는 인접하는 상기 이송롤러들 사이에 상호 대향되고 교차되게 배치되고,
상기 제1 기체 분사부와 상기 제1 기체 배출부 및 상기 제2 기체 분사부와 상기 제2 기체 배출부는 상기 이송롤러들 사이에 배치되는 기판 증착시스템. - 제1항에 있어서,
상기 가스유입 방지챔버는,
챔버바디;
상기 챔버바디에 형성되며, 인접하는 상기 공정챔버로부터 공정가스가 유입되는 복수의 가스 유입구; 및
상기 챔버바디의 내부에 상기 가스 유입구를 통해 유입된 공정가스를 수용하는 복수의 수용공간을 형성하는 복수의 격벽을 포함하는 기판 증착시스템. - 제2항에 있어서,
상기 가스유입 방지챔버는,
상기 챔버바디에 마련되되, 복수의 상기 수용공간과 연통하여 공정가스를 배출하는 적어도 하나의 배기펌프를 더 포함하는 기판 증착시스템. - 제3항에 있어서,
상기 배기펌프는 복수의 상기 수용공간에 대응되는 개수로 마련되며,
상기 가스 유입구와 상기 수용공간과 상기 배기펌프가 상호 연통되게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 증착시스템. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 기체 분사부는,
상기 가스유입 방지챔버를 관통하는 기판의 이송경로 상부에 배치되어 기판의 이송방향에 교차되는 방향으로 기체를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 증착시스템. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 공정가스 차단유닛은,
상기 제1 기체 분사부에 연결되어 상기 제1 기체 분사부에 기체를 공급하는 제1 기체 공급부; 및
상기 제1 기체 분사부에 연결되어 상기 제1 기체 분사부에서 분사되는 기체량을 조절하는 제1 기체량 조절부를 더 포함하는 기판 증착시스템. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서
상기 제2 공정가스 차단유닛은,
상기 제2 기체 분사부에 연결되어 상기 제2 기체 분사부에 기체를 공급하는 제2 기체 공급부; 및
상기 제2 기체 분사부에 연결되어 상기 제2 기체 분사부에서 분사되는 기체량을 조절하는 제2 기체량 조절부를 더 포함하는 기판 증착시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 기체 분사부 및 상기 제2 기체 분사부에서 분사되는 기체는,
헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe), 라돈(Rn) 중 어느 하나인 비활성 기체인 것을 특징으로 하는 기판 증착시스템. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150067014A KR101687303B1 (ko) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 기판 증착시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150067014A KR101687303B1 (ko) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 기판 증착시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160133890A KR20160133890A (ko) | 2016-11-23 |
| KR101687303B1 true KR101687303B1 (ko) | 2016-12-16 |
Family
ID=57541834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150067014A KR101687303B1 (ko) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 기판 증착시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101687303B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102477944B1 (ko) * | 2018-01-04 | 2022-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 유기 증착 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070068089A (ko) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 건조 장치 및 방법 |
| KR101141155B1 (ko) * | 2009-10-12 | 2012-05-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR101708420B1 (ko) | 2010-09-15 | 2017-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 증착 시스템 및 이를 이용한 증착 방법 |
| KR101243028B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2013-03-20 | 주식회사 테스 | 플렉시블 박막 태양전지의 가스차단장치 |
-
2015
- 2015-05-14 KR KR1020150067014A patent/KR101687303B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160133890A (ko) | 2016-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101880865B (zh) | 用于沉积有机材料的装置及其沉积方法和沉积系统 | |
| KR101997808B1 (ko) | 유기 재료를 위한 증발 소스 | |
| KR101983213B1 (ko) | 유기 재료를 위한 증발 소스 | |
| JP5173175B2 (ja) | 蒸着装置 | |
| KR20190101303A (ko) | 모듈식 한정형 유기 프린트 헤드 및 시스템 | |
| KR101197403B1 (ko) | 다중 증착 방식을 적용한 인라인 증착장치 | |
| KR100780042B1 (ko) | 유기전계 발광 디스플레이 소자 증착장치 | |
| KR101687303B1 (ko) | 기판 증착시스템 | |
| KR20140060236A (ko) | 성막 장치 | |
| KR101081625B1 (ko) | 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치 | |
| CN110656310B (zh) | 成膜装置、有机设备的制造装置以及有机设备的制造方法 | |
| US20080145534A1 (en) | Deposition apparatus with cavities for a substrate and an evaporation source, and deposition method using the same | |
| KR101595005B1 (ko) | 인라인 방식의 열증착 장치 | |
| WO2012127982A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、有機発光素子の製造方法、及び有機発光素子 | |
| KR101213965B1 (ko) | 스핀노즐 방식의 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치 | |
| KR20130068926A (ko) | 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치 | |
| KR101921481B1 (ko) | 마스크 스토커 | |
| KR101388593B1 (ko) | 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 | |
| US9797038B2 (en) | Organic material deposition apparatus, and organic material deposition method using same | |
| KR20150133076A (ko) | 박막 증착 인라인 시스템 | |
| KR20130074169A (ko) | 기판처리시스템 | |
| KR101129058B1 (ko) | 분사홀이 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치 | |
| KR101561218B1 (ko) | Oled 제조용 박막 증착장치 | |
| KR20150046565A (ko) | 박막 증착 장치 | |
| KR20120054778A (ko) | 기판처리시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190930 Year of fee payment: 4 |