KR20080071708A - 기판의 식각 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 식각액이 수용된 배스에 기판을 딥핑시켜 상기 기판을 식각하는 단계; 및상기 식각액에 와류를 형성하여 상기 기판으로 상기 와류를 갖는 식각액을 제공하여 상기 기판의 식각 상태를 조절하는 단계를 포함하는 기판의 식각 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 와류는 상기 배스 내부에 딥핑된 기판을 고정시킨 상태에서 상기 배스 내부에서 상기 식각액을 일정한 방향으로 저어서 형성하는 것을 특징으로 하는 기판이 식각 방법.
- 제2 항에 있어서, 상기 와류는 상기 고정시킨 상태의 기판 식각면을 향하는 부위에서 상기 식각액을 일정한 방향으로 저어서 형성하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 방법.
- 제3 항에 있어서, 상기 와류는 상기 고정시킨 상태의 기판 식각면을 향하는 부위에서 상기 기판 식각면을 기준으로 상,하 또는 좌,우로 상기 식각액을 저어서 형성하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 와류는 상기 기판 전면(whole surface)을 대상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판을 포함하고, 상기 식각액은 불산, 불화물염 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 방법.
- 제6 항에 있어서, 상기 식각액은 황산, 계면활성제 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 와류는 상기 식각액 속에서 바 구조를 갖는 물체를 일정한 방향으로 저어서 상기 바 구조를 갖는 물체의 후단에 서로 반대 방향의 소용돌이가 번갈아 나타나 규칙적으로 2열로 늘어서는 카르만 소용돌이인 것을 특징으로 하는 기판이 식각 방법.
- 식각액을 수용하는 배스; 및상기 식각액을 일정한 방향으로 저어서 상기 식각액에 와류를 형성하여 상기 기판으로 와류를 갖는 식각액을 제공하여 상기 기판의 식각 상태를 조절하는 와류 형성부를 포함하는 기판의 식각 장치.
- 제9 항에 있어서, 상기 와류 형성부는 상기 기판과 접촉하지 않게 기판 식각면을 향하는 부위에 설치되고, 상기 기판 식각면을 기준으로 상,하 또는 좌,우로 움직임이 가능한 바(bar)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
- 제10 항에 있어서, 상기 와류 형성부는 상기 바와 연결되고, 상기 바에 상기 기판 식각면을 기준으로 상,하 또는 좌,우로 움직임이 가능한 구동력을 제공하는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
- 제9 항에 있어서, 상기 와류는 상기 기판 전면(whole surface)을 대상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
- 제9 항에 있어서, 상기 배스는 상기 식각액을 수용하는 내부-배스와 상기 내부-배스로부터 오버 플로우되는 식각액을 수용하는 외부-배스를 포함하고,상기 배스가 상기 내부-배스와 외부-배스를 포함할 경우,상기 외부-배스로부터 상기 내부-배스로 상기 식각액을 순환시키는 순환 라인을 포함하고,상기 순환 라인에는 상기 순환이 이루어지는 식각액에 포함된 반응-부산물을 필터링하는 필터, 상기 식각액을 임시 저장하는 버퍼 탱크 및 상기 식각액을 강제로 순환시키기 위한 펌핑을 수행하는 펌프가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
- 제9 항에 있어서, 상기 배스에 다수매의 기판이 딥핑될 경우,상기 와류 형성부는 다수매의 기판 사이 마다에 위치하는 것을 특징으로 하 는 기판의 식각 장치.
- 제14 항에 있어서, 상기 와류 형성부가 다수매의 기판 사이 마다에 위치할 때,상기 와류 형성부는 그 각각이 서로 연결된 구조를 갖고, 상기 기판 식각면을 기준으로 동시에 상,하 또는 좌,우로 움직여서 상기 다수매의 기판 각각에 와류를 갖는 식각액을 제공하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
- 제9 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판을 포함하고, 상기 식각액은 불산, 불화물염 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
- 제16 항에 있어서, 상기 식각액은 황산, 계면활성제 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 식각 장치.
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WO2022059895A1 (ko) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | 삼성전자 주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 그 제조 방법 |
WO2023068395A1 (ko) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | 이상로 | 습식식각용액조성물, 및 글래스의 습식식각방법, 및 그 습식식각방법으로 패터닝된 글래스 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101047465B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2011-07-07 | 한국표준과학연구원 | 경량화가공부를 포함하는 대형광학계의 균일에칭장치 및 그 대형광학계의 균일에칭방법 |
WO2022059895A1 (ko) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | 삼성전자 주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 그 제조 방법 |
WO2023068395A1 (ko) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | 이상로 | 습식식각용액조성물, 및 글래스의 습식식각방법, 및 그 습식식각방법으로 패터닝된 글래스 |
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