JP6016174B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6016174B2
JP6016174B2 JP2014527860A JP2014527860A JP6016174B2 JP 6016174 B2 JP6016174 B2 JP 6016174B2 JP 2014527860 A JP2014527860 A JP 2014527860A JP 2014527860 A JP2014527860 A JP 2014527860A JP 6016174 B2 JP6016174 B2 JP 6016174B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
bubbles
liquid
solar cell
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014527860A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2014020687A1 (ja
Inventor
島　正樹
正樹 島
小林　伸二
伸二 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of JPWO2014020687A1 publication Critical patent/JPWO2014020687A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6016174B2 publication Critical patent/JP6016174B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、太陽電池の製造方法に関する。
近年、環境負荷の低いエネルギー源として、太陽電池に対する注目が高まってきている。なかでも、結晶シリコン基板などの半導体材料からなる基板を有する太陽電池に対する注目が高まってきている。
このような半導体材料からなる基板を備える太陽電池の製造に際しては、例えば半導体材料からなる基板の表面にテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造を形成する工程などといった基板をウェットエッチングする工程を行う必要がある（例えば特許文献１を参照）。
特開平１０−３０３４４３号公報
基板をエッチングする工程などを行った後には、基板を洗浄する工程が必要となる。この洗浄工程や上述のエッチング工程などにおいては、基板の全体が均一に薬液と接触するようにする必要がある。基板に洗浄が不十分な部分やエッチングが不十分な部分が生じると、所望の太陽電池が得られない場合があり、良品率が低下する場合があるためである。
本発明の主な目的は、改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供することにある。
本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法は、処理工程を備える。処理工程では、一の方向に沿って配した複数の基板を薬液に浸漬すると共に、薬液中に気泡または液体を供給することにより薬液を撹拌することによって複数の基板を処理する。処理工程において、基板の一の方向の一方側に供給される気泡または液体の量が基板の一の方向の他方側に供給される気泡または液体の量よりも多い第１の状態と、基板の一の方向の一方側に供給される気泡または液体の量が基板の一の方向の他方側に供給される気泡または液体の量よりも少ない第２の状態とが交互に生じるように気泡または液体を供給する。
本発明によれば、改善された良品率で太陽電池を製造し得る方法を提供することができる。
図１は、第１の実施形態におけるカセットの略図的斜視図である。 図２は、第１の実施形態におけるカセットの略図的平面図である。 図３は、第１の実施形態における処理工程を説明するための模式的正面図である。 図４は、第１の実施形態における気泡供給口と基板との関係を表す模式的平面図である。 図５は、第１の実施形態におけるパイプ１５ａ〜１５ｄから気泡を発生させるタイミングを説明するためのタイムチャートである。 図６は、第２の実施形態における気泡供給口と基板との関係を表す模式的平面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
（第１の実施形態）
本実施形態では、半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法について説明する。半導体材料からなる基板は、結晶シリコン基板であってもよい。即ち、本発明に係る太陽電池の製造方法は、結晶シリコン太陽電池の製造方法であってもよい。
太陽電池は、例えば、半導体材料からなる基板と、基板の一主面の上に配された一の導電型を有する第１の半導体層と、基板の他主面の上に配された他の導電型を有する第２の半導体層と、第１の半導体層の上に配された第１の電極と、第２の半導体層の上に配された第２の電極とを備えていてもよい。
また、太陽電池は、例えば、半導体材料からなる基板と、基板の一主面の上に配された第１及び第２の半導体層と、第１の半導体層の上に配された第１の電極と、第２の半導体層の上に配された第２の電極とを備える裏面接合型の太陽電池であってもよい。
半導体材料からなる基板の少なくとも一方の主面には、基板への光の入射効率を高めるためのテクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造が設けられていてもよい。テクスチャ構造は、例えば、結晶シリコン基板の表面を異方性エッチングすることにより形成することができる。
本実施形態の太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を薬液に浸漬することにより処理する処理工程を含む。処理工程の具体例としては、基板を洗浄液に浸漬することにより基板を洗浄する洗浄工程や、基板をエッチング液に浸漬することにより基板をエッチングするエッチング工程などが挙げられる。処理工程として、洗浄工程とエッチング工程との少なくとも一方を行うことが好ましい。
例えば、エッチング工程を行った後に、洗浄工程を行う場合などのように、太陽電池を製造するに際して、複数の処理工程を行う場合が考えられる。このような場合においては、複数の処理工程のうちの少なくともひとつの処理工程を本実施形態において説明する処理工程とすればよく、すべての処理工程を本実施形態において説明する処理工程と同様に行う必要は必ずしもない。
処理工程に供される基板は、半導体材料からなる基板のみにより構成されていてもよいし、表面上に半導体層や保護層などの層や、電極などの部材が設けられた半導体材料からなる基板であってもよい。
以下、本実施形態における処理工程の詳細について、図１〜図５を参照しながら詳細に説明する。
（カセット１０への基板１１のセット）
まず、例えば、図１及び図２に示すようなカセット１０に複数の基板１１をセットする。ここで、基板１１は、半導体材料からなる基板であってもよいし、半導体層などが表面上に配された半導体材料からなる基板であってもよい。
カセット１０は、一方向に沿って相互に間隔をおいて複数の基板１１を保持可能な形状を有するものである限りにおいて特に限定されない。本実施形態では、カセット１０の両側面には、複数の凹部１０ａが設けられている。カセット１０の一方側の側面に設けられた凹部１０ａと、他方側の側面に設けられた凹部１０ａとはｙ軸方向に対向している。このｙ軸方向において対向する凹部１０ａの対に基板１１が挿入される。これにより、複数の基板１１がｘ軸方向に沿って相互に間隔をおいた状態で保持される。
凹部１０ａは、鉛直方向であるｚ軸方向に沿って延びている、凹部１０ａを構成している２つの側壁部間の間隔は、基板１１側に向かって広くなっている。すなわち、凹部１０ａを構成している２つの側壁部間の間隔は、ｙ軸方向における中央側に向かって広くなっている。このため、基板１１がカセット１０と広い面積で接触することを抑制している。
カセット１０のｘ方向の両側に位置する側壁部には、薬液が通過するための切欠１０ｂや開口が設けられている。また、カセット１０の底部には壁面が設けられていない。従って、カセット１０の下方からカセット１０内に薬液や泡等が浸入可能である。
基板１１の形状は、特に限定されない。基板１１は、例えば、矩形状、正方形状、多角形状、円形状等であってもよい。また、基板１１は、例えば、角部が直線または曲線で切り取られた形状である略矩形状、略正方形状等であってもよい。以下、基板１１が、略矩形状である例について説明する。
基板１１の一辺の長さは、例えば、１００ｍｍ〜２００ｍｍ程度とすることができる。基板１１の厚さは、２００μｍ程度以下であることが好ましく、５０μｍ〜２５０μｍ程度であることがより好ましい。基板１１の厚みに対する基板１１の一辺の長さの比（（基板１１の一辺の長さ）／（基板１１の厚み））は、４００〜４００００であることが好ましい。
なお、ひとつのカセット１０に保持される基板１１の数は、特に限定されないが、例えば、２５枚〜１００枚程度とすることができる。ひとつのカセット１０にセット可能な基板１１の枚数を多くする観点からは、ｘ軸方向に隣接する基板１１間の距離Ｌは、６ｍｍ以下であることが好ましく、５ｍｍ以下であることが好ましい。ｘ軸方向に隣接する基板１１間の距離Ｌは、基板１１の一辺の長さの１／２０以下であることが好ましく、１／３０以下であることがより好ましい。但し、ｘ軸方向に隣接する基板１１間の距離Ｌが小さすぎると、基板１１のセットが困難になったり、隣接する基板１１どうしがウェットエッチング時に張り付く等の弊害が生じる場合がある。従って、ｘ軸方向に隣接する基板１１間の距離Ｌは、３ｍｍ以上であることが好ましく、４ｍｍ以上であることがより好ましい。ｘ軸方向に隣接する基板１１間の距離Ｌは、基板１１の一辺の長さの１／４２以上であることが好ましく、基板１１の一辺の長さの１／３２以上であることがより好ましい。
（基板１１の処理工程）
次に、図３に示されるように、カセット１０にセットされ、ｘ軸方向に沿って相互に間隔をおいて配された複数の基板１１を、カセット１０ごと、薬液槽１２に溜められた薬液１３に浸漬することにより複数の基板１１を処理する処理工程を行う。この処理工程は、基板１１のエッチング工程や洗浄工程等である。例えばエッチング工程を行う場合は、薬液１３をエッチング液とすることができる。例えば洗浄工程を行う場合は、薬液１３を洗浄液とすることができる。
この処理工程においては、複数の基板１１を薬液１３に浸漬すると共に、薬液１３中に気泡１４（典型的には空気や窒素ガスなどの不活性ガス等の気泡）または液体を供給することにより、薬液１３を撹拌することによって複数の基板１１を処理する。本実施形態では、具体的には、薬液１３に気泡１４を供給する例について説明する。但し、薬液１３に気泡１４を供給する必要は必ずしもない。薬液１３に供給されるものは、薬液１３を撹拌できるものであれば特に限定されない。例えば、薬液１３に、薬液１３と同じ組成を有する液体を供給してもよい。もちろん、薬液１３に気泡１４を供給しつつ、液体をさらに供給してもよい。
詳細には、本実施形態では、処理工程において、第１の状態と第２の状態とが交互に生じるように薬液１３中に気泡１４を供給する。ここで、第１の状態とは、基板１１のｘ軸方向の一方側に供給される気泡１４の量が、基板１１のｘ軸方向の他方側に供給される気泡１４の量よりも多い状態である。第２の状態とは、基板１１のｘ軸方向の一方側に供給される気泡１４の量が、基板１１のｘ軸方向の他方側に供給される気泡１４の量よりも少ない状態である。
具体的には、図４に示されるように、複数の基板１１の下方に、複数のパイプ１５ａ〜１５ｄが配されている。複数のパイプ１５ａ〜１５ｄは、それぞれ、開口１６を有しており、開口１６から複数の基板１１に向けて気泡１４を発生させる。
パイプ１５ａ〜１５ｄは、それぞれ、基板１１の配列方向であるｘ軸方向に沿って延びている。複数のパイプ１５ａ〜１５ｄは、基板１１の延びる方向と平行なｙ軸方向に沿って相互に間隔をおいて配されている。パイプ１５ａとパイプ１５ｂとは、基板１１のｙ軸方向における中央よりもｙ１側に配されている。パイプ１５ａは、パイプ１５ｂよりも外側に配されている。パイプ１５ｃとパイプ１５ｄとは、基板１１のｙ軸方向における中央よりもｙ２側に配されている。パイプ１５ｄは、パイプ１５ｃよりも外側に配されている。
パイプ１５ａ〜１５ｄには、基板１１間のギャップ１７に位置するように、複数の開口１６が設けられている。各パイプ１５ａ〜１５ｄにおいて、複数の開口１６は、ひとつおきのギャップ１７に設けられている。すなわち、各パイプ１５ａ〜１５ｄにおいて、開口１６が位置するギャップ１７と、開口１６が位置していないギャップ１７とが、ｘ軸方向に沿って交互に生じるように、複数の開口１６が設けられている。
外側に位置するパイプ１５ａ、１５ｄの開口１６と、内側に位置するパイプ１５ｂ、１５ｃの開口１６とは、異なるギャップ１７に位置している。このため、外側に配されたパイプ１５ａ、１５ｄの開口１６が位置しているギャップ１７と、内側に配されたパイプ１５ｂ、１５ｃの開口１６が位置しているギャップ１７とがｘ軸方向において交互に設けられている。
図５に示されるように、第１の状態においては、パイプ１５ａ、１５ｄの開口１６から発生する気泡１４の量が、パイプ１５ｂ、１５ｃの開口１６から発生する気泡１４の量よりも多くなる一方、第２の状態においては、パイプ１５ａ、１５ｄの開口１６から発生する気泡１４の量が、パイプ１５ｂ、１５ｃの開口１６から発生する気泡１４の量よりも少なくなるように制御される。このように制御することによって、基板１１のｘ軸方向の一方側に供給される気泡１４の量が、基板１１のｘ軸方向の他方側に供給される気泡１４の量よりも多い第１の状態と、基板１１のｘ軸方向の一方側に供給される気泡１４の量が、基板１１のｘ軸方向の他方側に供給される気泡１４の量よりも少ない第２の状態とが交互に生じる。このため、第１の状態において供給される気泡１４と、第２の状態において供給される気泡とによって基板１１がｘ軸方向に沿って振動したり揺動したりする。よって、例えば基板１１のある部分が、他の基板１１やカセット１０と接触した状態が継続しにくく、基板１１の全体が均一に薬液１３と接触しやすい。従って、複数の基板１１を好適に処理することができる。複数の基板１１の表面に洗浄不足の部分が生じたり、エッチング不足の部分が生じたりしにくい。また、処理工程が異方性エッチングを行うことにより、所謂テクスチャ構造と呼ばれる凹凸構造を形成するエッチング工程においては、形成される凹凸構造に形状むらや寸法むらが生じにくい。従って、改善された良品率で太陽電池を製造することが可能となる。
基板１１の振動や揺動をより促進する観点からは、第１の状態において、基板１１のｘ軸方向の一方側に気泡１４を供給する一方、基板１１のｘ軸方向の他方側に気泡１４を供給せず、第２の状態において、基板１１のｘ軸方向の一方側に気泡１４を供給しない一方、基板１１のｘ軸方向の他方側に気泡１４を供給するようにすることが好ましい。また、基板１１のｘ軸方向の一方側における気泡１４の供給位置と、基板１１のｘ軸方向の他方側における気泡１４の供給位置とが、基板１１の延びる方向であるｙ軸方向において相互に異なることが好ましい。また、凹部１０ａが内側に向かって間隔が広くなるように設けられているため、基板１１の振動や揺動がより促進されている。
例えば、基板１１の厚みが２００μｍ以下と薄い場合は、基板１１が撓みやすい。よって、隣り合う基板１１同士が接触し、基板１１の接触部に薬液が好適に供給されにくくなる場合がある。同様に、隣り合う基板１１間の間隔が、基板１１の平面形状を矩形に近似したときの一辺の長さの１／２０以下である場合、さらには１／３０以下である場合には、隣り合う基板１１同士が接触し、基板１１の接触部に薬液が好適に供給されにくくなる場合がある。よって、本実施形態の技術が特に有用である。
なお、第１の実施形態では、基板１１の一方側に気泡１４を供給するパイプ１５ａ、１５ｄと、基板１１の他方側に気泡１４を供給するパイプ１５ｂ、１５ｃとを、それぞれ２つずつ設ける例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図６に示されるように、基板１１の一方側に気泡１４を供給するパイプ１５ａと、基板１１の他方側に気泡１４を供給するパイプ１５ｃとを、それぞれひとつずつ設けてもよい。
また、第１の実施形態では、パイプ１５ａ、１５ｄの開口１６から同時に基板１１に気泡１４を供給し、パイプ１５ｂ、１５ｃの開口１６から同時に基板１１に気泡１４を供給する例について説明した。ただし、本発明は、この構成に限定されない。例えば、パイプ１５ａ、１５ｃの開口１６から同時に基板１１に気泡１４を供給し、パイプ１５ｂ、１５ｄの開口１６から同時に基板１１に気泡１４を供給してもよい。パイプ１５ａ、１５ｃの開口１６から同時に基板１１に気泡１４を供給するとき、基板１１は図４において時計回りの方向に基板が振動したり揺動したりする。パイプ１５ｂ、１５ｄの開口１６から同時に基板１１に気泡１４を供給するとき、基板１１は図４において反時計回りの方向に基板が振動したり揺動したりする。
パイプ１５ａ〜１５ｄに設けられた開口１６が、隣接する基板１１間のギャップ１７に位置するように設けられた例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、ギャップ１７の位置や基板１１の位置に関係なく、所定の基板１１の一方側と他方側とにそれぞれ開口１６を設けてもよい。
また、パイプをｘ軸方向に沿って揺動させ、パイプに設けられた開口が基板の一方側に位置する第１の状態と、他方側に位置する第２の状態とを設けてもよい。
１０…カセット
１０ａ…凹部
１１…基板
１２…薬液槽
１３…薬液
１４…気泡
１５ａ〜１５ｄ…パイプ
１６…開口
１７…ギャップ

Claims (7)

  1. 半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法であって、
    一の方向に沿って配した複数の前記基板を薬液に浸漬すると共に、前記薬液中に気泡または液体を供給することにより前記薬液を撹拌することによって前記複数の基板を処理する処理工程を備え、
    前記処理工程において、前記基板の前記一の方向の一方側および前記基板に隣接する他の基板の前記一の方向の他方側に供給される気泡または液体の量が前記基板の前記一の方向の他方側および前記他の基板の前記一の方向の前記一方側に供給される気泡または液体の量よりも多い第１の状態と、前記基板の前記一の方向の一方側および前記基板に隣接する他の基板の前記一の方向の前記他方側に供給される気泡または液体の量が前記基板の前記一の方向の他方側および前記他の基板の前記一の方向の前記一方側に供給される気泡または液体の量よりも少ない第２の状態とが交互に生じるように気泡または液体を供給する、太陽電池の製造方法。
  2. 半導体材料からなる基板を有する太陽電池の製造方法であって、
    一の方向に沿って配した複数の前記基板を薬液に浸漬すると共に、前記薬液中に気泡または液体を供給することにより前記薬液を撹拌することによって前記複数の基板を処理する処理工程を備え、
    前記処理工程において、第１の状態と第２の状態とが交互に生じるように気泡または液体を供給し、
    前記第１の状態において、前記基板の前記一の方向の一方側に気泡または液体を供給する一方、前記基板の前記一の方向の他方側には気泡または液体を供給せず、
    前記第２の状態において、前記基板の前記一の方向の一方側に気泡または液体を供給しない一方、前記基板の前記一の方向の他方側には気泡または液体を供給する、太陽電池の製造方法。
  3. 前記基板の前記一の方向の一方側における気泡または液体の供給位置と、前記基板の前記一の方向の他方側における気泡または液体の供給位置とが、前記基板の延びる方向において相互に異なる、請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
  4. 鉛直方向に沿って延び、前記基板の幅方向における端部が挿入され、前記基板側に向かって間隔が広くなる凹部を有するカセットに前記複数の基板を取り付けた状態で前記処理工程を行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  5. 前記隣り合う基板間の間隔が、前記基板の平面形状を矩形に近似したときの一辺の長さの１／２０以下となるように前記複数の基板を配する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  6. 前記基板の厚さが２００μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
  7. 前記処理工程として、
    前記基板を洗浄液に浸漬することにより洗浄する洗浄工程と、
    前記基板をエッチング液に浸漬することによりエッチングするエッチング工程と、
    のうちの少なくとも一方を行う、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
JP2014527860A 2012-07-31 2012-07-31 太陽電池の製造方法 Expired - Fee Related JP6016174B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/069421 WO2014020687A1 (ja) 2012-07-31 2012-07-31 太陽電池の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014020687A1 JPWO2014020687A1 (ja) 2016-07-11
JP6016174B2 true JP6016174B2 (ja) 2016-10-26

Family

ID=50027419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014527860A Expired - Fee Related JP6016174B2 (ja) 2012-07-31 2012-07-31 太陽電池の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9818904B2 (ja)
JP (1) JP6016174B2 (ja)
DE (1) DE112012006759T5 (ja)
WO (1) WO2014020687A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6645900B2 (ja) * 2016-04-22 2020-02-14 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6707412B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6895295B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN110170468A (zh) * 2019-05-23 2019-08-27 通威太阳能（成都）有限公司 一种降低太阳能电池组件明暗片不良比例的分选方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4251317A (en) * 1979-04-30 1981-02-17 Fairchild Camera And Instrument Corporation Method of preventing etch masking during wafer etching
US4675067A (en) * 1984-06-13 1987-06-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Solar cell coverslide extraction apparatus
JPH0644098Y2 (ja) * 1989-02-27 1994-11-14 黒谷 信子 半導体ウェハーの洗浄用バブラー
US5340437A (en) * 1993-10-08 1994-08-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for etching semiconductor wafers
JPH08299883A (ja) * 1995-05-10 1996-11-19 Fujitsu Ltd 基板の洗浄方法
DE19644253A1 (de) * 1996-10-24 1998-05-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP3772456B2 (ja) 1997-04-23 2006-05-10 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
US5849091A (en) * 1997-06-02 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Megasonic cleaning methods and apparatus
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
JP2001093891A (ja) 1999-09-22 2001-04-06 Honda Motor Co Ltd 半導体基板のテクスチャー構造形成方法
JP2004288967A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW200801853A (en) 2006-04-20 2008-01-01 Zenkyo Corp Treating device and manufacturing method for substrate
KR101244896B1 (ko) 2006-06-05 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 기판 식각장치
WO2008075970A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-26 Rec Scanwafer As Method and device for se aration of silicon wafers
KR100855541B1 (ko) * 2007-01-31 2008-09-01 이기정 기판의 식각 방법 및 장치
JP4841604B2 (ja) * 2008-09-30 2011-12-21 三菱電機株式会社 微細気泡供給装置および液体処理装置
WO2010082567A1 (ja) * 2009-01-13 2010-07-22 株式会社エクサ ウエハ分離装置、ウエハ分離搬送装置、ウエハ分離方法、ウエハ分離搬送方法及び太陽電池用ウエハ分離搬送方法
JP2012015135A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板カセット

Also Published As

Publication number Publication date
US9818904B2 (en) 2017-11-14
JPWO2014020687A1 (ja) 2016-07-11
WO2014020687A1 (ja) 2014-02-06
DE112012006759T5 (de) 2015-08-20
US20150125986A1 (en) 2015-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6032623B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6016174B2 (ja) 太陽電池の製造方法
KR20130111269A (ko) 강화 유리 절단 방법
Lianto et al. Vertical etching with isolated catalysts in metal-assisted chemical etching of silicon
JP2009111363A5 (ja)
JP2020531679A (ja) マスクストリップ及びその製造方法、マスクプレート
JP2020136537A (ja) 基板処理装置
JP2015021179A (ja) メタルマスクの製造方法及びメタルマスク
JP2006294752A (ja) 基板表面処理用の基板のキャリアホルダー
JP2010517314A (ja) 基板のエッチング方法及び装置
JP6108120B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP5824620B2 (ja) ノンプラズマドライエッチング装置
JP5923736B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP2006261347A (ja) 基板保持構造、基板処理方法および基板搬送方法
JP2019029612A (ja) 基板用カセット
JP4885064B2 (ja) ウェーハキャリヤおよびそれを使用したウェーハエッチング方法
JP5795172B2 (ja) 半導体製造装置
JP2015035502A (ja) シリコン基板のエッチング方法
CN105324850A (zh) 太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置
CN208336154U (zh) 一种陶瓷覆铜板蚀刻工装
TWI710048B (zh) 基板處理裝置
JPH02161745A (ja) 半導体ウェーハ用キャリア
JP5902546B2 (ja) 音叉型屈曲水晶振動素子
JP2007009239A (ja) エッチング装置、基板、基板の製造方法、型、ならびに成型品
JP2017017082A (ja) ウェハ処理装置、ウェハカセット搬送装置、太陽電池用基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160830

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160916

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6016174

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees