TWI710048B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

在由升降機支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間包括狹縫板31。21個狹縫33於第1外區域AR1及第2外區域AR2中的寬度WD2、寬度WD3比中央區域ARC的寬度WD1大。因此，自一對噴出管7供給，並於中央區域ARC中沿著基板W面上升的處理液的強液流於穿過狹縫板31而朝基板W側上升時，其勢頭被減弱。因此，可緩和基板W面附近的處理液的流動的差異，可於基板W面內形成速度差少的整流。

Description

基板處理裝置
本發明是有關於一種利用處理液對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機電致發光（Electroluminescence，EL）用基板、場發射顯示器（Field Emission Display，FED）用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板等各種基板（以下，僅稱為基板）進行處理的基板處理裝置。
先前，作為此種裝置，有包括儲存處理液並收容多片基板來進行處理的處理槽及配置於處理槽內的底部的液流分散構件，使基板浸漬於處理液中來進行處理者（例如，參照專利文獻1）。
該裝置所包括的液流分散構件使處理槽內的處理液的流動分散成面向處理槽的中央的底面側的流動及朝面向處理槽的中央的斜上方的流動。藉此，可緩和基板面附近的處理液的流動的差異，因此可提升處理的面內均勻性。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-130483號公報（圖1及圖2） [發明所欲解決之課題]
但是，於具有此種結構的習知例的情況下，存在如下的問題。 即，先前的裝置雖然可藉由液流分散構件來提升處理的面內均勻性，但最近以面內均勻性的進一步的提升為目標，期望進一步緩和基板面附近的處理液的流動的差異。即，期望一種形成基板面內的速度差少的整流的技術。
本發明是鑒於此種情況而成者，其目的在於提供一種可於基板面內形成速度差少的整流的基板處理裝置。 [解決課題之手段]
為了達成此種目的，本發明採用如下的結構。 即，技術方案1中記載的發明是使多片基板浸漬於處理槽中所儲存的處理液中來進行處理的基板處理裝置，其包括：升降機，於所述處理槽內在規定的排列方向上支持多片基板；一對噴出管，分別配置於所述處理槽的下部、且自所述基板的排列方向觀察分別配置於兩側，朝沿著所述處理槽的底面的方向、且面向所述處理槽的中央的方向供給處理液；以及狹縫板，配置於由所述升降機支持的基板的下方與所述處理槽的底面之間，形成有多個使長軸朝向所述多片基板的排列方向的狹縫，所述多個狹縫以相互平行的位置關係來形成，且當自所述基板的排列方向觀察所述狹縫板時，關於所述處理槽的中央區域與比所述中央區域更位於所述一對噴出管側的外區域的兩個區域中的所述多個狹縫，所述外區域中的狹縫的寬度比所述中央區域中的狹縫的寬度大。
[作用・效果]根據技術方案1中記載的發明，在由升降機支持的基板的下方與處理槽的底面之間包括狹縫板。形成於該狹縫板上的多個狹縫於外區域中的寬度比自基板的排列方向觀察的中央區域的寬度大。因此，自一對噴出管供給，並於中央區域中沿著基板面上升的處理液的強液流於穿過狹縫板而朝基板側上升時，其勢頭被減弱。另外，於處理液的液流比強液流上升的中央區域弱的外區域中狹縫的寬度變大，因此處理液的液流的勢頭不怎麼被減弱。因此，可緩和基板面附近的處理液的流動的差異，可於基板面內形成速度差少的整流。
另外，於本發明中，較佳為當自所述基板的排列方向觀察所述狹縫板時，所述外區域被劃分成比所述中央區域更位於所述一對噴出管側的第1外區域以及位於所述中央區域與所述第1外區域之間的第2外區域，且所述多個狹縫的寬度按所述中央區域、所述第2外區域、所述第1外區域的順序變大（技術方案2）。
狹縫的寬度自中央區域起按第2外區域、第1外區域的順序變大，因此可對應於處理液的液流的勢頭精細地緩和差異。因此，可進一步緩和基板面附近的處理液的流動的差異，可於基板面內形成速度差少的整流。
另外，技術方案3中記載的發明是使多片基板浸漬於處理槽中所儲存的處理液中來進行處理的基板處理裝置，其包括：升降機，於所述處理槽內在規定的排列方向上支持多片基板；一對噴出管，分別配置於所述處理槽的下部、且自所述基板的排列方向觀察分別配置於兩側，朝沿著所述處理槽的底面的方向、且面向所述處理槽的中央的方向供給處理液；狹縫板，配置於由所述升降機支持的基板的下方與所述處理槽的底面之間，形成有多個使長軸朝向所述多片基板的排列方向的狹縫，所述多個狹縫以相互平行的位置關係來形成；以及遮板（louver），設置於所述狹縫板上，包括多個沿著所述狹縫的長軸來配置長邊的板狀構件，所述多個板狀構件以相互平行的位置關係朝向所述處理槽的底面側而立設。
[作用・效果]根據技術方案3中記載的發明，在由升降機支持的基板的下方與處理槽的底面之間包括狹縫板。進而，於狹縫板上設置有朝向底面而立設的遮板。自一對噴出管供給的處理液的勢頭由遮板減弱，於中央區域中沿著基板面上升的處理液的強液流於穿過狹縫板而朝基板側上升時，其勢頭被進一步減弱。因此，可緩和基板面附近的處理液的流動的差異，可於基板面內形成速度差少的整流。
另外，於本發明中，較佳為當自所述基板的排列方向觀察所述遮板時，所述多個板狀構件的下端面與所述處理槽的底面的距離自所述一對噴出管側朝向所述處理槽的中央依序變短（技術方案4）。
越是液流相互碰撞的中央，多個板狀構件的下端面與處理槽的底面的距離變得越短，因此可對應於處理液的液流的勢頭精細地緩和差異。因此，可進一步緩和基板面附近的處理液的流動的差異，可於基板面內形成速度差少的整流。
另外，技術方案5中記載的發明是使多片基板浸漬於處理槽中所儲存的處理液中來進行處理的基板處理裝置，其包括：升降機，於所述處理槽內在規定的排列方向上支持多片基板；一對噴出管，分別配置於所述處理槽的下部、且自所述基板的排列方向觀察分別配置於兩側，朝沿著所述處理槽的底面的方向、且面向所述處理槽的中央的方向供給處理液；以及遮板，配置於由所述升降機支持的基板的下方與所述處理槽的底面之間，包括多個將長邊配置於所述多片基板的排列方向上的板狀構件，所述多個板狀構件以相互平行的位置關係朝向所述處理槽的底面側而立設，且當自所述基板的排列方向觀察所述遮板時，所述多個板狀構件的下端面與所述處理槽的底面的距離自所述一對噴出管側朝向所述處理槽的中央依序變短。
[作用・效果]根據技術方案5中記載的發明，在由升降機支持的基板的下方與處理槽的底面之間包括遮板。當自基板的排列方向觀察時，遮板所包括的多個板狀構件的下端面與處理槽的底面的距離自一對噴出管側朝向處理槽的中央依序變短。因此，自一對噴出管供給的處理液的勢頭由遮板減弱，因此於中央區域中沿著基板面上升的液流的勢頭被減弱。因此，可緩和基板面附近的處理液的流動的差異，可於基板面內形成速度差少的整流。
另外，於本發明中，較佳為所述升降機包括保持基板的下緣中央部的中央部保持部以及自所述基板的排列方向觀察保持兩側的下緣的一對側部保持部，且自所述基板的排列方向觀察，所述多個板狀構件配置於所述中央部保持部與所述側部保持部之間（技術方案6）。
若於中央部保持部的位置上配置遮板的多個板狀構件，則處理液於某種程度上已分散，因此減弱處理液的流動的勢頭的效果變低。另一方面，若於比側部保持部更靠近一對噴出管的位置上配置遮板的多個板狀構件，則處理液由板狀構件與側部保持部阻斷，處理液的流動變得極差。因此，藉由將多個板狀構件配置在中央部保持部與側部保持部之間，可適宜地減弱處理液的液流。
另外，於本發明中，較佳為所述一對噴出管朝比所述處理槽的底面中央更靠近跟前的供給位置供給處理液（技術方案7）。
處理液的液流由處理槽的底面反射而分散，因此可抑制處理液的液流集中於中央附近。因此，可減弱於中央附近沿著基板面上升的處理液的強液流。 [發明的效果]
根據本發明的基板處理裝置，在由升降機支持的基板的下方與處理槽的底面之間包括狹縫板。形成於該狹縫板上的多個狹縫於外區域中的寬度比自基板的排列方向觀察的中央區域的寬度大。因此，自一對噴出管供給，並於中央區域中沿著基板面上升的處理液的強液流於穿過狹縫板而朝基板側上升時，其勢頭被減弱。另外，於處理液的液流比強液流上升的中央區域弱的外區域中狹縫的寬度變大，因此處理液的液流的勢頭不怎麼被減弱。因此，可緩和基板面附近的處理液的流動的差異，可於基板面內形成速度差少的整流。
以下對本發明的各實施方式進行說明。 [實施例1]
以下，參照圖式對本發明的實施例1進行說明。 圖1是表示實施例1的基板處理裝置的概略結構的方塊圖，圖2是表示升降機與狹縫板的立體圖，圖3是狹縫板的縱剖面圖。
實施例1的基板處理裝置是可利用處理液對多片基板W一併進行處理的批次式的裝置。該基板處理裝置包括處理槽1、溢流槽3及升降機5。
處理槽1儲存處理液，於使多片基板W變成平行的狀態且排列於規定的排列方向上的狀態下收容所述多片基板W，並對多片基板W同時進行處理。如圖1所示，處理槽1的底部具有若自基板W的排列方向觀察，則底部的中央變成低谷的形狀。供給處理液的一對噴出管7分別配置於位於處理槽1的下部的底部側、且自基板W的排列方向觀察分別配置於兩側（圖1的左右方向）。一對噴出管7朝沿著處理槽1的底面的方向、且面向處理槽1的中央的方向供給處理液。具體而言，一對噴出管7朝比處理槽1的底面中央更靠近跟前的供給位置SP分別供給處理液。藉此，處理液的液流由處理槽1的底面反射而分散，因此可抑制處理液的液流集中於中央附近。因此，可稍微減弱於中央附近沿著基板W面上升的處理液的強液流。
溢流槽3配置於處理槽1的上緣的周圍。溢流槽3回收越過處理槽1的上緣而溢出的處理液。溢流槽3藉由循環配管9而與處理槽1的一對噴出管7連通連接。循環配管9自溢流槽3側朝向處理槽1側，包括泵11、線上加熱器（inline heater）13、及過濾器15。泵11將儲存於溢流槽3中的處理液吸入循環配管9中，並朝一對噴出管7側壓送處理液。線上加熱器13將於循環配管9中流通的處理液調節成處理溫度。例如，當處理液為含有對黏附於基板W上的氮化膜（SiN）進行蝕刻的磷酸者時，處理溫度例如為160℃。過濾器15對在循環配管9中流通的處理液中所包含的粒子進行過濾並去除。
供給管17是沿著處理槽1的內壁而延伸出，一端側的開口部朝向處理槽1的底面來配置。供給管17的另一端側與處理液供給源19連通連接。於供給管17中設置有開閉閥21。開閉閥21對自處理液供給源19朝供給管17中的處理液的流通進行控制。處理液供給源19儲存處理液，藉由開閉閥21被打開，而朝供給管17中供給常溫的處理液。
升降機5橫跨相當於處理槽1的內部的圖1中所示的「處理位置」與相當於處理槽1的上方的圖1中省略圖示的「待機位置」進行升降移動。升降機5具有背板23、中央部保持部25、及一對側部保持部27。背板23是沿著處理槽1的內壁的板狀的構件。中央部保持部25與一對側部保持部27於圖1的紙面內外方向上自背板23的下部延伸出來設置。中央部保持部25與一對側部保持部27於已將多片基板W平行地排列的狀態下，於成為圖1的紙面內外方向的規定的排列方向上保持多片基板W。一對側部保持部27隔著中央部保持部25來配置，抵接並支持立起姿勢的基板W的左右側的下緣。
如圖3所示，在由升降機5支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間配置有狹縫板31。狹縫板31呈薄板狀的外觀，形成有上下貫穿的細長形狀的開口，即多個狹縫33。狹縫板31安裝於處理槽1的前後的內壁上。另外，作為高度位置，狹縫板31以其上表面位於比處於處理位置上的升降機5的中央部保持部25的下端面更下方的方式配置。藉此，穿過了狹縫板31的處理液不會被中央部保持部25妨礙。於本實施例中，作為一例，於狹縫板31中形成有21個狹縫33。各狹縫33使長軸朝向基板W的排列方向而形成有多條，並以相互平行的位置關係來形成。
此處，當自基板W的排列方向（圖1及圖3的紙面內外方向）觀察時，將狹縫板31劃分成三個區域。例如，劃分成中央區域ARC、第1外區域AR1、及第2外區域AR2。中央區域ARC是包含中心且具有朝外的擴展的區域。第1外區域AR1是位於一對噴出管7側的外側的區域。第2外區域AR2是中央區域ARC與第1外區域AR1之間的區域。
各狹縫33之中，位於中央區域ARC中的七個狹縫33以變成寬度WD1的方式形成。位於第1外區域AR1中的四個狹縫33以寬度WD2來形成。位於第2外區域AR2中的兩個狹縫33以寬度WD3來形成。所述寬度WD1～寬度WD3的大小關係變成WD1＜WD3＜WD2。即，以WD1的寬度最窄，按WD3、WD2的順序變大的方式設定各狹縫33。
再者，與於板狀構件中設置有多個小孔的沖孔板不同，所述狹縫板31具有容易加工這一優點。
此處，若返回至圖1，則控制部61內置有未圖示的中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）或存儲器。控制部61對升降機5的升降動作、泵11的開關動作、線上加熱器13的調溫動作、開閉閥21的開閉動作等進行統一控制。
根據如此構成的實施例1的基板處理裝置，在由升降機5支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間包括狹縫板31。形成於該狹縫板31上的21個狹縫33於第1外區域AR1及第2外區域AR2中的寬度WD2、寬度WD3比自基板W的排列方向觀察的中央區域ARC的寬度WD1大。因此，自一對噴出管7供給，並於中央區域ARC中沿著基板W面上升的處理液的強液流於穿過狹縫板31而朝基板W側上升時，其勢頭被減弱。另外，於處理液的液流比強液流上升的中央區域ARC弱的第1外區域AR1及第2外區域AR2中，狹縫33的寬度WD2、寬度WD3比寬度WD1大，因此處理液的液流的勢頭不怎麼被減弱。因此，可緩和基板W面附近的處理液的流動的差異，可於基板W面內形成速度差少的整流。
另外，由於自中央區域ARC起按第2外區域AR2、第1外區域AR1的順序增大狹縫的寬度，因此可對應於處理液的液流的勢頭精細地緩和差異。因此，可進一步緩和基板W面附近的處理液的流動的差異，可於基板W面內形成速度差少的整流。 [實施例2]
繼而，參照圖式對本發明的實施例2進行說明。圖4是實施例2的基板處理裝置的狹縫板與遮板的縱剖面圖。
再者，於以下的說明中，僅對與所述實施例1的不同點進行說明，關於共同的結構，藉由賦予相同的符號來省略說明。
本實施例2的基板處理裝置在由升降機5支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間配置有狹縫板71及遮板73。狹縫板71與所述實施例1同樣地呈薄板狀的外觀，形成有上下貫穿的多個狹縫75。於本實施例中，作為一例，於狹縫板71中形成有21個狹縫75。但是，本實施例中的狹縫75自基板W的排列方向觀察，任何區域中的狹縫75均具有相同的寬度。
遮板73設置於狹縫板71上。具體而言，遮板73包含多個板狀構件77。此處，作為一例，包含六根板狀構件77。六根板狀構件77沿著狹縫75的長軸來配置長邊，且六根板狀構件77以相互平行的位置關係朝向處理槽1的底面側而立設。各板狀構件77於相互之間隔著三個狹縫75來設置。
進而，當自基板W的排列方向觀察遮板73時，六根板狀構件77的各下端面與處理槽1的底面的距離自一對噴出管7側朝向處理槽1的中央依序變短。換言之，構成遮板73的六個板狀構件77隨著自外側朝向中央，使自狹縫板71起的長度變長。
根據如此構成的實施例2的基板處理裝置，在由升降機5支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間包括狹縫板71。進而，於狹縫板71上設置有朝向底面而立設的遮板73。自一對噴出管7供給的處理液的勢頭由遮板73減弱，於中央區域中沿著基板W面上升的處理液的強液流於穿過狹縫板71而朝基板W側上升時，其勢頭被進一步減弱。因此，可緩和基板W面附近的處理液的流動的差異，可於基板W面內形成速度差少的整流。
另外，越是液流相互碰撞的中央，六個板狀構件77的下端面與處理槽1的底面的距離變得越短，因此可對應於處理液的液流的勢頭精細地緩和差異。因此，可進一步緩和基板W面附近的處理液的流動的差異，可於基板W面內形成速度差少的整流。 [實施例3]
繼而，參照圖式對本發明的實施例3進行說明。圖5是實施例3的基板處理裝置的遮板的縱剖面圖。
再者，於以下的說明中，僅對與所述實施例1的不同點進行說明，關於共同的結構，藉由賦予相同的符號來省略詳細的說明。
本實施例3的基板處理裝置在由升降機5支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間包括遮板81。遮板81包含多片板狀構件83，被固定於處理槽1的前後的內側面上。各遮板81以相互平行的位置關係朝向處理槽1的底面側而立設。於所述本實施例中，例如由四個板狀構件83構成遮板81。
另外，當自基板W的排列方向觀察遮板81時，各板狀構件83的下端面與處理槽1的底面的距離自一對噴出管7側朝向處理槽1的中央依序變短。換言之，構成遮板81的四個板狀構件83以隨著自外側朝向中央，下端面靠近處理槽1的底面的方式配置。
進而，於俯視及自基板W的排列方向觀察，各板狀構件83配置在中央部保持部25與側部保持部27之間。若於中央部保持部25的位置上配置遮板81的四個板狀構件的任一個，則處理液於某種程度上已分散，因此減弱處理液的流動的勢頭的效果變低。另一方面，若於比側部保持部27更靠近一對噴出管7的位置上配置遮板81的四個板狀構件83的任一個，則處理液由板狀構件83與側部保持部27阻斷，處理液的流動變得極差。因此，將四個板狀構件83在中央部保持部25與側部保持部27之間分別各配置兩個，藉此可適宜地減弱處理液的液流。
根據如此構成的實施例3的基板處理裝置，在由升降機5支持的基板W的下方與處理槽1的底面之間包括遮板81。當自基板W的排列方向觀察時，遮板81所包括的四個板狀構件83的下端面與處理槽1的底面的距離自一對噴出管7側朝向處理槽1的中央依序變短。因此，不會使來自一對噴出管7的處理液的流量減少，自一對噴出管7供給的處理液的勢頭由遮板81減弱，因此於中央區域中沿著基板W面上升的液流的勢頭被減弱。因此，可緩和基板W面附近的處理液的流動的差異，可於基板W面內形成速度差少的整流。
＜處理液的流動的評價＞
此處，參照圖6～圖9，對關於所述實施例1～實施例3與習知例的處理液的流動進行評價。再者，圖6是表示實施例1中的處理液的流動的模擬結果，圖7是表示實施例2中的處理液的流動的模擬結果，圖8是表示實施例3中的處理液的流動的模擬結果。另外，圖9是表示習知例中的處理液的流動的模擬結果。但是，此處所述的習知例於底面上不包括液流分散構件。
雖然於灰階的圖式中難以判明，但於所述圖6～圖9中，於表示基板W的圓形的區域中白色區域越少，表示於基板W面內變成速度差越少的整流。另外，較佳為於表示基板W的圓形的區域內，由箭線所形成的旋渦少。
若對所述圖6～圖9進行比較，則可知與習知例相比，各實施例1～實施例3於基板W面內獲得速度差少的整流。於習知例中，於基板W的左右的下部產生大的旋渦而產生速度差。實施例2於基板W的左右的邊緣部，流速變得比實施例1快，而比實施例1遜色。實施例3於基板W的中央下部，流速變得比實施例1、實施例2快，而比實施例1、實施例2遜色。
本發明並不限定於所述實施方式，可如下述般實施變形。
（1）於所述各實施例1～實施例3中，作為處理液，以含有磷酸者為例進行了說明，但本發明的處理液並不限定於含有磷酸者。
（2）於所述各實施例1～實施例3中，於處理槽1的周圍包括溢流槽3，但本發明並不限定於此種形態。例如，亦可為包括包圍處理槽1的腔室，並於腔室的底部回收自處理槽1中溢出的處理液的結構。
（3）於所述各實施例1～實施例3中是包括循環配管9，使處理液於處理槽1與溢流槽3中循環的結構，但本發明並不限定於此種結構。例如，亦可為將自處理槽1中溢出的處理液直接排出的方式。
（4）於所述各實施例1、實施例2中，形成有21個狹縫33，但本發明並不限定於所述個數。例如，亦可將狹縫33的個數設為20個以下或22個以上。
（5）於所述實施例1中，將狹縫33的寬度於處理槽1的一側的區域中劃分成三種，而設為於各區域中寬度不同的狹縫33，但本發明並不限定於該形態。即，亦可劃分成四種以上，只要以於經劃分的各區域中自一對噴出管7朝向中央寬度變小的方式形成即可。另外，亦可不進行劃分，自一對噴出管7朝向中央所形成的所有狹縫33以不同的寬度構成，即以狹縫33的寬度逐漸變窄的方式構成。
（6）於所述實施例2中，由六個板狀構件77構成遮板73，但亦可由兩個以上的板狀構件77構成遮板73。
（7）於所述實施例3中，由四個板狀構件83構成遮板81，但本發明亦可利用六個以上的板狀構件83構成遮板81。 [產業上之可利用性]
如以上般，本發明適合於利用處理液對各種基板進行處理的基板處理裝置。
1‧‧‧處理槽 3‧‧‧溢流槽 5‧‧‧升降機 7‧‧‧噴出管 9‧‧‧循環配管 11‧‧‧泵 13‧‧‧線上加熱器 15‧‧‧過濾器 17‧‧‧供給管 19‧‧‧處理液供給源 21‧‧‧開閉閥 23‧‧‧背板 25‧‧‧中央部保持部 27‧‧‧側部保持部 31、71‧‧‧狹縫板 33、75‧‧‧狹縫 61‧‧‧控制部 73、81‧‧‧遮板 77、83‧‧‧板狀構件 ARC‧‧‧中央區域 AR1‧‧‧第1外區域 AR2‧‧‧第2外區域 SP‧‧‧供給位置 W‧‧‧基板 WD1～WD3‧‧‧寬度
圖1是表示實施例1的基板處理裝置的概略結構的方塊圖。 圖2是表示升降機與狹縫板的立體圖。 圖3是狹縫板的縱剖面圖。 圖4是實施例2的基板處理裝置的狹縫板與遮板的縱剖面圖。 圖5是實施例3的基板處理裝置的遮板的縱剖面圖。 圖6是表示實施例1中的處理液的流動的模擬結果。 圖7是表示實施例2中的處理液的流動的模擬結果。 圖8是表示實施例3中的處理液的流動的模擬結果。 圖9是表示習知例中的處理液的流動的模擬結果。
1‧‧‧處理槽
5‧‧‧升降機
7‧‧‧噴出管
25‧‧‧中央部保持部
27‧‧‧側部保持部
31‧‧‧狹縫板
33‧‧‧狹縫
ARC‧‧‧中央區域
AR1‧‧‧第1外區域
AR2‧‧‧第2外區域
SP‧‧‧供給位置
W‧‧‧基板
WD1~WD3‧‧‧寬度

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，使多片基板浸漬於處理槽中所儲存的處理液中來進行處理，所述基板處理裝置包括：升降機，於所述處理槽內在規定的排列方向上支持多片基板；一對噴出管，分別配置於所述處理槽的下部、且自所述基板的排列方向觀察分別配置於兩側，朝沿著所述處理槽的底面的方向、且面向所述處理槽的中央的方向供給處理液；以及狹縫板，配置於由所述升降機支持的基板的下方與所述處理槽的底面之間，形成有多個使長軸朝向所述多片基板的排列方向的狹縫，所述多個狹縫以相互平行的位置關係來形成，當自所述基板的排列方向觀察所述狹縫板時，關於所述處理槽的中央區域與比所述中央區域更位於所述一對噴出管側的外區域的兩個區域中的所述多個狹縫，所述外區域中的狹縫的寬度比所述中央區域中的狹縫的寬度大。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中當自所述基板的排列方向觀察所述狹縫板時，所述外區域被劃分成比所述中央區域更位於所述一對噴出管側的第1外區域以及位於所述中央區域與所述第1外區域之間的第2外區域，且所述多個狹縫的寬度按所述中央區域、所述第2外區域、所述第1外區域的順序變大。
  3. 一種基板處理裝置，使多片基板浸漬於處理槽中所儲存的處理液中來進行處理，所述基板處理裝置包括： 升降機，於所述處理槽內在規定的排列方向上支持多片基板；一對噴出管，分別配置於所述處理槽的下部、且自所述基板的排列方向觀察分別配置於兩側，朝沿著所述處理槽的底面的方向、且面向所述處理槽的中央的方向供給處理液；狹縫板，配置於由所述升降機支持的基板的下方與所述處理槽的底面之間，形成有多個使長軸朝向所述多片基板的排列方向的狹縫，所述多個狹縫以相互平行的位置關係來形成；以及遮板，設置於所述狹縫板上，包括多個沿著所述狹縫的長軸來配置長邊的板狀構件，所述多個板狀構件以相互平行的位置關係朝向所述處理槽的底面側而立設。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中當自所述基板的排列方向觀察所述遮板時，所述多個板狀構件的下端面與所述處理槽的底面的距離自所述一對噴出管側朝向所述處理槽的中央依序變短。
  5. 一種基板處理裝置，使多片基板浸漬於處理槽中所儲存的處理液中來進行處理，所述基板處理裝置包括：升降機，於所述處理槽內在規定的排列方向上支持多片基板；一對噴出管，分別配置於所述處理槽的下部、且自所述基板的排列方向觀察分別配置於兩側，朝沿著所述處理槽的底面的方向、且面向所述處理槽的中央的方向供給處理液；以及遮板，配置於由所述升降機支持的基板的下方與所述處理槽的底面之間，包括多個將長邊配置於所述多片基板的排列方向上 的板狀構件，所述多個板狀構件以相互平行的位置關係朝向所述處理槽的底面側而立設，所述遮板與所述升降機分開，當自所述基板的排列方向觀察所述遮板時，所述多個板狀構件的下端面與所述處理槽的底面的距離自所述一對噴出管側朝向所述處理槽的中央依序變短。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板處理裝置，其中所述升降機包括保持基板的下緣中央部的中央部保持部以及自所述基板的排列方向觀察保持兩側的下緣的一對側部保持部，且自所述基板的排列方向觀察，所述多個板狀構件配置於所述中央部保持部與所述側部保持部之間。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的基板處理裝置，其中所述一對噴出管朝比所述處理槽的底面中央更靠近跟前的供給位置供給處理液。
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