JPH10303167A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH10303167A
JPH10303167A JP11153297A JP11153297A JPH10303167A JP H10303167 A JPH10303167 A JP H10303167A JP 11153297 A JP11153297 A JP 11153297A JP 11153297 A JP11153297 A JP 11153297A JP H10303167 A JPH10303167 A JP H10303167A
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JP
Japan
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processing
processing liquid
processing tank
tank
vane
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Application number
JP11153297A
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English (en)
Inventor
Yoshitaka Abiko
良隆 我孫子
Toshiro Hiroe
敏朗 廣江
Shuji Nagara
修治 長良
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】処理液に層流を生じさせて基板を処理する場合
に、処理液が滞留するのを防ぐことにより、処理液の清
浄度を向上させることができる基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】処理槽1の下部には、処理液供給ノズル2
が配設されており、その上方には、貫通孔3が規則的に
形成された整流板4が配設されている。処理槽1と整流
板4との間の隙間5には、断面形状がくさび状であるシ
ール部材6がはめ込まれている。シール部材6は、テー
パ面である第3面が整流板4の上面に対して傾斜した角
度で整流板4に接触している。さらに、シール部材6
は、締め付け部材7によって上方から押さえつけられて
おり、これにより整流板4との密着性が確保されてい
る。これにより、処理液は貫通孔を介してのみ上方に流
れるから、乱れのない層流を生じさせることができ、そ
の結果処理液の滞留を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマディス
プレイパネル)用ガラス基板などの各被処理基板を処理
液に浸漬させて処理するための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、複数枚の半
導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。 )を一括して
処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合が
ある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを処
理槽に貯留されている処理液に一括して浸漬させ、これ
によりウエハ表面を洗浄したりウエハ表面に形成された
薄膜を除去したりする。
【0003】図6は、従来のウエハ処理装置の構成例を
示す断面図である。このウエハ処理装置は、石英ガラス
製の処理槽100にウエハWを収容した状態で当該処理
槽100から処理液をオーバーフローさせつつウエハW
を処理するためのものである。処理槽100の下部に
は、当該処理槽100に処理液を供給するための処理液
供給ノズル101が設けられている。
【0004】処理液をオーバーフローさせながらウエハ
Wを処理する際には、処理液の滞留箇所をなくし、処理
液を常に流動させることが好ましい。すなわち、処理液
が滞留すれば、その滞留箇所において不純物(イオン)
が増加したりする場合があり、その結果処理液が汚染さ
れるからである。そこで、このウエハ処理装置において
は、処理槽101内において上方に向く規則的な流れで
ある層流を発生させるために、貫通孔102が規則的に
形成された石英ガラス製の整流板103が処理液供給ノ
ズル101の上方に配置されている。この場合、整流板
103は、たとえば処理液供給ノズル101のメンテナ
ンスなどのために、処理槽103から容易に取り外すこ
とができるように、処理槽100の下部に取り付けられ
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理槽
100および整流板103は石英ガラス製であるから、
高精度な加工を施すには限界がある。したがって、整流
板103と処理槽100との隙間104を完全に塞ぐよ
うな加工を処理槽100および整流板103に施すこと
ができない。その結果、処理液供給ノズル101から供
給された処理液は、整流板103に規則的に形成された
貫通孔102だけでなく隙間104からも漏れ出してい
た。この漏れ出した処理液は、貫通孔102を処理液が
通ることによって形成されている層流を乱して乱流を形
成し、結果的に、処理液が滞留する箇所を形成してい
た。そのため、処理液が汚染され、ウエハWを良好に処
理することができないという問題があった。
【0006】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、処理液に層流を生じさせて基板を処理する
場合に、処理液が滞留するのを防ぐことにより、処理液
の清浄度を向上させることができる基板処理装置を提供
することである。
【0007】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記目
的を達成するための請求項1記載の発明は、貯留された
処理液に基板を浸漬させて処理を施すための処理槽と、
この処理槽の下部に設けられ、処理液を処理槽に供給す
るための処理液供給手段と、上記処理槽の上記処理液供
給手段よりも上方に設けられ、複数の貫通孔が形成され
たほぼ平面状の整流板と、上記処理槽の内壁と上記整流
板との間にはめ込まれ、上記整流板の主面に対して傾斜
した角度で上記整流板に接するテーパ面を有するシール
部材と、このシール部材を締め付けるための締め付け部
材とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0008】本発明によれば、処理槽の内壁と整流板と
の間にシール部材がはめ込まれているから、処理槽の内
壁と整流板との間を塞ぐことができる。しかも、シール
部材は締め付けられるから、そのシール機能をより確実
なものとすることができる。したがって、処理液供給手
段から処理槽に供給される処理液は、整流板に形成され
た貫通孔を介してのみ処理槽の上方に流れることにな
る。すなわち、乱れのない層流を形成することができ
る。そのため、処理液の滞留を防止し、その結果不純物
(イオン)の増加を防止できるから、処理液を常に清浄
な状態に保つことができる。よって、基板を良好に処理
できる。
【0009】また、シール部材は、整流板の主面に対し
て傾斜した角度で整流板に接するテーパ面を有している
から、締め付け部材によってシール部材を締め付ける場
合、テーパ面が整流板によって案内され、処理槽と整流
板との間にきつくはまりこんでいく。したがって、取付
時においてはめ込み状態の良否を考慮する必要はなく、
取付時の作業性が非常に良い。
【0010】さらに、シール部材によって処理槽と整流
板との間を確実にシールできるから、処理槽および整流
板の加工精度はあまり要求されない。したがって、たと
えば請求項2記載の発明のように、上記処理槽および整
流板が、石英を含む材質で形成されている場合でも、層
流を良好に形成することができる。そのため、処理液の
汚染を防止できるから、基板を良好に処理することがで
きる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ処理装置の
構成を示す断面図である。このウエハ処理装置は、複数
枚のウエハWを石英ガラス製の処理槽1に貯留されてい
る処理液に浸漬させた状態で、処理槽1内の処理液に層
流を生じさせつつ処理液を処理槽1からオーバーフロー
させることにより、ウエハWを処理するものである。
【0012】処理槽1の下部には、純水ならびにフッ
酸、塩酸、燐酸、アンモニアおよびこれらの過酸化水素
溶液などの薬液を処理液として処理槽1に供給するため
の処理液供給ノズル2が配設されている。処理液供給ノ
ズル2は、処理槽1の底壁1eに向けて処理液を吐出す
るようになっており、吐出された処理液は、底壁1eに
当たって流れ方向を変え、上方に向かって流れる。処理
液供給ノズル2の上方には、複数の貫通孔3が千鳥格子
状に規則的に形成された石英ガラス製の整流板4が配設
されている。処理槽1と整流板4との隙間5には、断面
形状がくさび状であるシール部材6がはめ込まれてい
る。シール部材6は、締め付け部材7によってその上方
から締め付けられており、これにより処理槽1と整流板
4との隙間5を確実にシールするようになっている。
【0013】処理液供給ノズル2から吐出され上方向に
流れている処理液は、整流板4の貫通孔3を通ってさら
に上方向に流れる。このとき、処理槽1と整流板4との
間はシール部材6によってシールされているから、処理
液が当該隙間5を通って上方に流れることはない。その
結果、処理槽1内では、処理液の規則的な流れである層
流が乱れることなく生じることになる。
【0014】図2は、ウエハ処理装置の構成を示す平面
図であり、図3は、図2のIII-III断面図であり、図4
は、処理槽1の一部を拡大して示す概略斜視図である。
処理槽1は、図2に示すように、4つの側壁1a、1
b、1c、1dを有する平面視においてほぼ矩形状のも
のである。処理槽1の4つの隅部1f、1g、1h、1
iからは、それぞれ、平面視においてほぼ矩形板状(図
4参照)の突出部11、12、13、14が水平に突出
している。突出部11、14は、側壁1cに沿って所定
長さで形成されており、突出部12、13は、側壁1a
に沿って所定長さで形成されている。
【0015】整流板4は、処理槽1の各側壁1a、1
b、1c、1dに沿う平面視においてほぼ矩形板状のも
ので、各側壁1a、1b、1c、1dに沿う縁部4a、
4b、4c、4dを有している。縁部4bの両端には、
それぞれ、内側に凹む切欠き部21、22が形成されて
いる。また、縁部4dの両端には、それぞれ、内側に凹
む切欠き部23、24が形成されている。整流板4は、
切欠き部21、22、23、24が突出部11、12、
13、14の上にそれぞれかかり、かつ整流板4の一部
が突出部11、12、13、14に載るように、処理槽
1内に設けられている。
【0016】整流板4の各縁部4a、4b、4c、4d
と処理槽1の各側壁1a、1b、1c、1dとの間に
は、それぞれ、細長いフッ素樹脂製のシール部材6a、
6b、6c、6dがはめ込まれている。図1における
「シール部材6」は、この4つのシール部材6a、6
b、6c、6dを総称したものである。シール部材6a
は、図3に示すように、断面形状がくさび状長尺のもの
で、第1面31、第2面32、およびテーパ面としての
第3面33を有している。シール部材6aは、第1面3
1が側壁1aに当接し、かつ第3面33が整流板4の主
面としての上面4eに対して傾斜した角度で整流板4に
接するように、整流板4の縁部4aと処理槽1の側壁1
aとの間にはめ込まれている。他のシール部材6b、6
c、6dも当該シール部材6aと同様の構成を有し、か
つ同じようなはめ込み形態となっている。
【0017】各シール部材6a、6b、6c、6dの上
部には、それぞれ、各シール部材6a、6b、6c、6
dの長手方向の長さとほぼ同様の長さの締め付け部材7
a、7b、7c、7dが配設されている。図1における
「締めつけ部材7」は、この4つの締め付け部材7a、
7b、7c、7dを総称したものである。締め付け部材
7a、7b、7c、7dは、PCTFE(poly chloro
tri fluoro ethylene)などの樹脂で構成されたもので
ある。締め付け部材7a、7b、7c、7dは、補助部
材40a、40b、40c、40dとともに、シール部
材6a、6b、6c、6dを上方から締め付けてそのは
め込み状態を強固なものとするためのものである。補助
部材40a、40b、40c、40dは、突出部11、
12、13、14の下方にそれぞれ配置され、PTFE
(poly tetra fluoro ethylene)などの樹脂で構成され
たものである。
【0018】補助部材40dは、図3に示すように、突
出部14の長手方向に沿って長いもので、その上面41
dには、突出部14の形状に対応する段差部42dが形
成されている。補助部材40dは、突出部14が段差部
42dに係合した状態でボルト54によって突出部14
に取り付けられている。この場合、補助部材40dの上
面41dは、突出部14とともにほぼ平坦面を形成す
る。
【0019】他の補助部材40a、40b、40cの構
成、および取付状態は、当該補助部材40dとほぼ同様
である。すなわち、各補助部材40a、40b、40c
は、それぞれ、ボルト51、52、53によって突出部
11、12、13に取り付けられており、その上面41
a、41b、41cは突出部11、12、13とともに
平坦面を形成している。
【0020】締め付け部材7aは、突出部11と突出部
14との間にまたがるように配設されている。締め付け
部材7cは、突出部12と突出部13との間にまたがる
ように配設されている。締め付け部材7bは、補助部材
40a、40bの各上面41a、41bの間にまたがる
ように配設されている。締め付け部材7dは、補助部材
40c、40dの各上面41c、41dの間にまたがる
ように配設されている。
【0021】締め付け部材7aの突出部14に対応する
端部は、図3に示すように、ボルト64によって突出部
14および補助部材40dに取り付けられている。締め
付け部材7aの突出部11に対応する端部においても同
様に、ボルト61によって突出部11および補助部材4
0aに取り付けられている。この構成により、ボルト6
4、61を締めることにより、締め付け部材7aの下面
がシール部材6aの第2面32を押し込む。その結果、
第3面33が整流板4に食い込むから、シール部材6a
と整流板4との密接状態が強固なものとなる。
【0022】締め付け部材7cに関連する構成は、締め
付け部材7aに関連する構成とほぼ同様である。すなわ
ち、図2に示すように、締め付け部材7cの突出部12
に対応する端部は、ボルト62によって突出部12およ
び補助部材40bに取り付けられている。また、締め付
け部材7cの突出部13に対応する端部は、ボルト63
によって突出部13および締付け補助部材40cに取り
付けられている。したがって、ボルト62、63を締め
ることによって、シール部材6cと整流板4との密着状
態を強固なものとすることができる。
【0023】締め付け部材7dの補助部材40dに対応
する端部は、図3に示すように、ボルト74によって補
助部材40dに取り付けられている。締め付け部材7d
の補助部材40cに対応する端部においても同様に、ボ
ルト73によって補助部材40cに取り付けられてい
る。したがって、ボルト74、73を締め付けることに
より、シール部材6dと整流板4との密着状態を強固な
ものとすることができる。
【0024】締め付け部材7bに関連する構成は、締め
付け部材7dに関連する構成とほぼ同様である。すなわ
ち、図2に示すように、締め付け部材7bの補助部材4
0aに対応する端部は、ボルト71によって補助部材4
0aに取り付けられている。また、締め付け部材7bの
補助部材40bに対応する端部は、ボルト72によって
補助部材40bに取り付けられている。したがって、ボ
ルト71、72を締めることによって、シール部材6b
と整流板4との密着状態を強固なものとすることができ
る。
【0025】なお、整流板4は、処理槽1から突出して
いる突出部11、12、13、14、および補助部材4
0a、40b、40c、40dの上に置かれ、かつシー
ル部材6a、6b、6c、6dが、締め付け部材7a、
7b、7c、7d、補助部材40a、40b、40c、
40d、およびボルト61、62、63、64、71、
72、73、74によって締め付けられることによっ
て、処理槽1内に取り付けられている。すなわち、突出
部11、12、13、14、補助部材40a、40b、
40c、40d、シール部材6a、6b、6c、6d、
締め付け部材7a、7b、7c、7d、補助部材40
a、40b、40c、40d、およびボルト61、6
2、63、64、71、72、73、74を含む取付部
材によって処理槽1内に取り付けられている。
【0026】図5は、このウエハ処理装置における処理
槽1内の処理液の比抵抗値R1と、従来のウエハ処理装置
における処理槽内の処理液の比抵抗値R2とを時間の推移
とともに示したグラフである。このグラフは、50枚の
ウエハWをフッ酸(HF)を用いた処理を行った後の純水
で洗浄する処理において比抵抗値を測定した結果を示す
グラフである。比抵抗値R1は記号「△」で示し、比抵抗
値R2は記号「□」で示している。
【0027】処理液の比抵抗値は、処理液の清浄度を表
す指標である。すなわち、処理液が汚染されている場合
には、処理液中に異物が混入しているということである
から、このような処理液中では電流は流れやすくなる。
つまり、電気抵抗値が小さい。したがって、単位長当た
りの電気抵抗値である比抵抗値を参照すれば、処理液の
清浄度を知ることができる。一方、層流が良好に生じ、
処理液が常に流動している場合には、不純物(イオン)
が増加することはないが、層流が乱れ、処理液が滞留す
る箇所が発生すると、不純物(イオン)が増加し、処理
液が汚染される。
【0028】このような点に鑑み、グラフを見ると、従
来のウエハ処理装置における比抵抗値R2の方がこの実施
形態のウエハ処理装置における比抵抗値R1よりも明らか
に小さい値となっている。つまり、この実施形態のウエ
ハ処理装置では、層流の乱れがほとんど起こらずに不純
物(イオン)の増加をほぼ確実に抑え、処理液の汚染を
確実に防止していることがわかる。
【0029】以上のようにこの実施形態によれば、処理
槽1の各側壁1a、1b、1c、1dと整流板4との間
をシール部材6a、6b、6c、6dによってシールし
ている。しかも、シール部材6a、6b、6c、6dを
上方から締め付け部材7a、7b、7c、7dによって
締め付けるようにしているから、十分なシール圧を確保
することができる。したがって、層流を良好な状態で生
じさせることができるから、処理液の汚染を防止でき
る。そのため、ウエハWを良好に処理することができ
る。
【0030】また、シール部材6a、6b、6c、6d
のテーパ面である第3面33が整流板4の上面4eに対
して傾斜した角度で整流板4に接するようにしている。
したがって、締め付け部材7a、7b、7c、7dによ
ってシール部材6a、6b、6c、6dを締め付ける
際、シール部材6a、6b、6c、6dは、第3面33
が整流板4に案内されることによって、処理槽1と整流
板4との間にきつくはまりこんでいく。そのため、シー
ル部材6a、6b、6c、6dのはめ込み状態の良否を
考慮することなく、シール部材6a、6b、6c、6d
の締め付けを行うことができる。
【0031】本発明の実施の一形態の説明は以上のとお
りであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもの
ではない。たとえば、上記実施形態では、シール部材6
a、6b、6c、6dの材質としてフッ素樹脂を適用す
る場合を例にとって説明しているが、弾性変形すること
ができ、処理液に耐え得るものであれば、任意の材質を
適用することができる。
【0032】また、上記実施形態では、処理槽1および
整流板4を石英ガラスで形成する場合について説明して
いるが、処理液に耐え得るものであれば、任意の材質を
適用することができる。さらに、ウエハWを処理する装
置を例にとって説明しているが、本発明は、たとえば液
晶表示装置用ガラス基板を処理する装置、およびPDP
用ガラス基板を処理する装置についても適用することが
できる。
【0033】その他、特許請求の範囲に記載された範囲
で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の基板処理装置であるウエ
ハ処理装置の構成を示す断面図である。
【図2】ウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。
【図3】図2のIII-III 断面図である。
【図4】処理槽の隅部付近の構成を示す概略斜視図であ
る。
【図5】このウエハ処理装置における処理槽内の処理液
の比抵抗値R1と、従来のウエハ処理装置における処理槽
内の処理液の比抵抗値R2とを時間の推移とともに示した
グラフである。
【図6】従来のウエハ処理装置の構成例を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
1 処理槽 2 処理液供給ノズル(処理液供給手段) 3 貫通孔 4 整流板 4e 上面(主面) 6、6a、6b、6c、6d シール部材 7、7a、7b、7c、7d 締め付け部材 33 第3面(テーパ面) 40a、40b、40c、40d 補助部材 61、62、63、64、71、72、73、74 ボ
ルト W ウエハ(基板)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長良 修治 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】貯留された処理液に基板を浸漬させて処理
    を施すための処理槽と、 この処理槽の下部に設けられ、処理液を処理槽に供給す
    るための処理液供給手段と、 上記処理槽内の上記処理液供給手段よりも上方に設けら
    れ、複数の貫通孔が形成されたほぼ平面状の整流板と、 上記処理槽の内壁と上記整流板との間にはめ込まれ、上
    記整流板の主面に対して傾斜した角度で上記整流板に接
    するテーパ面を有するシール部材と、 このシール部材を上記整流板との間で締め付けるための
    締め付け部材とを含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】上記処理槽および整流板は、石英を含む材
    質で形成されていることを特徴とする請求項1記載の基
    板処理装置。
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