JPH11274087A - シャワープレート - Google Patents
シャワープレートInfo
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- JPH11274087A JPH11274087A JP7816298A JP7816298A JPH11274087A JP H11274087 A JPH11274087 A JP H11274087A JP 7816298 A JP7816298 A JP 7816298A JP 7816298 A JP7816298 A JP 7816298A JP H11274087 A JPH11274087 A JP H11274087A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャワープレート４の反りの防止と流通孔22
の精度の向上とを両立し、半導体製造装置に用いた場合
に成膜やエッチングのプロセスの均一性を得る。 【解決手段】 シャワープレート本体11に複数の貫通孔
12を設ける。シャワープレート本体11の貫通孔12に、流
通孔22を有する流通部材21を嵌合する。シャワープレー
ト本体11には反りを防止可能とする材質や厚みを採用
し、流通部材21には孔加工の容易な材質や厚みを選択し
て流通孔22の精度の向上を図る。シャワープレート本体
11と流通部材21とを組み合わせて用いることで、半導体
製造装置に用いた場合に成膜やエッチングのプロセスの
均一性を得る。
の精度の向上とを両立し、半導体製造装置に用いた場合
に成膜やエッチングのプロセスの均一性を得る。 【解決手段】 シャワープレート本体11に複数の貫通孔
12を設ける。シャワープレート本体11の貫通孔12に、流
通孔22を有する流通部材21を嵌合する。シャワープレー
ト本体11には反りを防止可能とする材質や厚みを採用
し、流通部材21には孔加工の容易な材質や厚みを選択し
て流通孔22の精度の向上を図る。シャワープレート本体
11と流通部材21とを組み合わせて用いることで、半導体
製造装置に用いた場合に成膜やエッチングのプロセスの
均一性を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
装置に用いられるシャワープレートに関する。
装置に用いられるシャワープレートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶画面用の大型ガラスパネルな
どの大面積の基板を生産するため、プラズマＣＶＤ装置
やドライエッチング装置などの半導体製造装置が利用さ
れている。
どの大面積の基板を生産するため、プラズマＣＶＤ装置
やドライエッチング装置などの半導体製造装置が利用さ
れている。
【０００３】これらの半導体製造装置では、基板とガス
を吹き出すシャワープレート（電極）との間に高周波電
源を加えてプラズマ状態にし、基板上に成膜を行なった
り、基板上の材料のエッチングを行なうようにしてい
る。
を吹き出すシャワープレート（電極）との間に高周波電
源を加えてプラズマ状態にし、基板上に成膜を行なった
り、基板上の材料のエッチングを行なうようにしてい
る。
【０００４】例えば、図５にプラズマＣＶＤ装置を示
し、装置本体１内に基板２が装着されるヒータ３および
シャワープレート４を対向配置しており、シャワープレ
ート４からガスを吹き出しながら、ヒータ３とシャワー
プレート４とに高周波電源を加えてプラズマ状態にし、
基板２上に成膜を行なう。
し、装置本体１内に基板２が装着されるヒータ３および
シャワープレート４を対向配置しており、シャワープレ
ート４からガスを吹き出しながら、ヒータ３とシャワー
プレート４とに高周波電源を加えてプラズマ状態にし、
基板２上に成膜を行なう。
【０００５】シャワープレート４には、図６および図７
に示すように、ガスが吹き出す複数の流通孔５が形成さ
れている。
に示すように、ガスが吹き出す複数の流通孔５が形成さ
れている。
【０００６】ところで、シャワープレート４からのガス
の吹き出しが不均一であると、ガス濃度分布が不均一に
なり、成膜やエッチングのプロセスの均一性が損なわれ
る。特に、シャワープレート４の流通孔５の孔加工が不
均一であると、成膜やエッチングのプロセスの均一性が
得られない。また、成膜装置などの３００℃以上の高温
で使用する半導体製造装置では、熱的影響によってシャ
ワープレート４に反りか生じる問題があるため、板厚を
厚くし、硬い材料を用いなければならないが、流通孔５
の均一な孔加工が難しくなる。この流通孔５の孔径が大
きいと、シャワープレート４の流通孔５内で放電が起こ
るので、一定以下の孔径にしなければならない。また、
フッ化窒素（ＮＦ3 ）などの腐食ガスを使用する場合
は、腐食を防ぐ材料を用いなければならない。
の吹き出しが不均一であると、ガス濃度分布が不均一に
なり、成膜やエッチングのプロセスの均一性が損なわれ
る。特に、シャワープレート４の流通孔５の孔加工が不
均一であると、成膜やエッチングのプロセスの均一性が
得られない。また、成膜装置などの３００℃以上の高温
で使用する半導体製造装置では、熱的影響によってシャ
ワープレート４に反りか生じる問題があるため、板厚を
厚くし、硬い材料を用いなければならないが、流通孔５
の均一な孔加工が難しくなる。この流通孔５の孔径が大
きいと、シャワープレート４の流通孔５内で放電が起こ
るので、一定以下の孔径にしなければならない。また、
フッ化窒素（ＮＦ3 ）などの腐食ガスを使用する場合
は、腐食を防ぐ材料を用いなければならない。
【０００７】しかし、シャワープレート４の反りを防止
するために、硬い材料で板厚を１０ｍｍ以上にすると、
０．５ｍｍ程度の流通孔５をあけることが困難になる。
このような場合には、図８に示すように、座ぐり６を入
れてから流通孔５を孔加工しなければならない。また、
ハステロイなどの硬い材料の場合には、ドリルでは孔加
工できず、レーザー加工が用いられるが、焦点を制御す
ることが必須であり、シャワープレート４の反りや座ぐ
り６の深さに対して敏感に流通孔５の孔径が変わってし
まう。
するために、硬い材料で板厚を１０ｍｍ以上にすると、
０．５ｍｍ程度の流通孔５をあけることが困難になる。
このような場合には、図８に示すように、座ぐり６を入
れてから流通孔５を孔加工しなければならない。また、
ハステロイなどの硬い材料の場合には、ドリルでは孔加
工できず、レーザー加工が用いられるが、焦点を制御す
ることが必須であり、シャワープレート４の反りや座ぐ
り６の深さに対して敏感に流通孔５の孔径が変わってし
まう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
シャワープレート４では、成膜装置などの温度の高い環
境での反りの問題があり、また、反りを防止するために
硬い材料で板厚を厚くすると、流通孔の孔加工が困難に
なり、流通孔の精度が低下する問題がある。
シャワープレート４では、成膜装置などの温度の高い環
境での反りの問題があり、また、反りを防止するために
硬い材料で板厚を厚くすると、流通孔の孔加工が困難に
なり、流通孔の精度が低下する問題がある。
【０００９】このようなシャワープレート４の反りや流
通孔５の精度の問題によって、成膜やエッチングのプロ
セスの均一性を損ねる問題がある。
通孔５の精度の問題によって、成膜やエッチングのプロ
セスの均一性を損ねる問題がある。
【００１０】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、反りの防止と流通孔の精度の向上とを両立し、半
導体製造装置に用いた場合に成膜やエッチングのプロセ
スの均一性を得られるシャワープレートを提供すること
を目的とする。
ので、反りの防止と流通孔の精度の向上とを両立し、半
導体製造装置に用いた場合に成膜やエッチングのプロセ
スの均一性を得られるシャワープレートを提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のシャワープレー
トは、複数の貫通孔を有するシャワープレート本体と、
このシャワープレート本体の貫通孔に嵌合された流通孔
を有する流通部材とを具備しているもので、シャワープ
レート本体に反りを防止できる材質や厚みを採用して
も、流通部材には孔加工の容易な材質や厚みを選択して
流通孔の精度の向上を図れる。そのため、このシャワー
プレートを半導体製造装置に用いた場合、温度が高い環
境でも、成膜やエッチングのプロセスの均一性を得られ
る。
トは、複数の貫通孔を有するシャワープレート本体と、
このシャワープレート本体の貫通孔に嵌合された流通孔
を有する流通部材とを具備しているもので、シャワープ
レート本体に反りを防止できる材質や厚みを採用して
も、流通部材には孔加工の容易な材質や厚みを選択して
流通孔の精度の向上を図れる。そのため、このシャワー
プレートを半導体製造装置に用いた場合、温度が高い環
境でも、成膜やエッチングのプロセスの均一性を得られ
る。
【００１２】さらに、シャワープレート本体の貫通孔と
流通部材とはテーパー嵌合されているもので、嵌合固定
が容易になるとともに高い嵌合精度を得られる。
流通部材とはテーパー嵌合されているもので、嵌合固定
が容易になるとともに高い嵌合精度を得られる。
【００１３】さらに、シャワープレート本体と流通部材
との材質が異なる。シャワープレート本体および流通部
材は、アルミニウムにアルマイト処理、陽極酸化処理、
およびアルミナ溶射処理の少なくともいずれかが施され
ている。ニッケルを含む材料で形成されている。シャワ
ープレート本体は、ニッケルを含む材料にニッケル溶射
処理が施されるとともにアルミナ溶射処理が施されてい
る。このように、シャワープレート本体と流通部材との
組み合わせが任意に可能であることから、シャワープレ
ート本体および流通部材にそれぞれ適した材質、厚み、
表面処理などを採用可能となるとともに、流通量や流通
分布に対応した流通孔を有する任意の流通部材を採用可
能となる。
との材質が異なる。シャワープレート本体および流通部
材は、アルミニウムにアルマイト処理、陽極酸化処理、
およびアルミナ溶射処理の少なくともいずれかが施され
ている。ニッケルを含む材料で形成されている。シャワ
ープレート本体は、ニッケルを含む材料にニッケル溶射
処理が施されるとともにアルミナ溶射処理が施されてい
る。このように、シャワープレート本体と流通部材との
組み合わせが任意に可能であることから、シャワープレ
ート本体および流通部材にそれぞれ適した材質、厚み、
表面処理などを採用可能となるとともに、流通量や流通
分布に対応した流通孔を有する任意の流通部材を採用可
能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１５】図１および図２に第１の実施の形態を示
し、図１はシャワープレートの断面図、図２はシャワー
プレートの斜視図である。
し、図１はシャワープレートの断面図、図２はシャワー
プレートの斜視図である。
【００１６】なお、図５に示した構造と同一構造につい
ては同一符号を用いて説明する。
ては同一符号を用いて説明する。
【００１７】図１および図２において、シャワープレー
ト４は、シャワープレート本体11を有し、このシャワー
プレート本体11には、例えば、厚さ１０ｍｍ程度のニッ
ケル（Ｎｉ）を主成分としたインコネル（商標名）や、
ニッケル（Ｎｉ）を含む材料にニッケル溶射処理を施す
とともにアルミナ溶射処理を施したものや、アルミニウ
ム（Ａｌ）にアルマイト処理、陽極酸化処理、およびア
ルミナ溶射処理の少なくともいずれかを施したものなど
で、温度が高い環境でも反りが生じにくい材質、厚みが
それぞれ採用されるとともに、腐食にも強いものが採用
される。
ト４は、シャワープレート本体11を有し、このシャワー
プレート本体11には、例えば、厚さ１０ｍｍ程度のニッ
ケル（Ｎｉ）を主成分としたインコネル（商標名）や、
ニッケル（Ｎｉ）を含む材料にニッケル溶射処理を施す
とともにアルミナ溶射処理を施したものや、アルミニウ
ム（Ａｌ）にアルマイト処理、陽極酸化処理、およびア
ルミナ溶射処理の少なくともいずれかを施したものなど
で、温度が高い環境でも反りが生じにくい材質、厚みが
それぞれ採用されるとともに、腐食にも強いものが採用
される。
【００１８】このシャワープレート本体11には、複数の
貫通孔12が等間隔に並んで貫通形成されている。各貫通
孔12は円錐形のテーパ状に形成されており、プラズマが
生じる方向に向けて細くなるよう形成されている。
貫通孔12が等間隔に並んで貫通形成されている。各貫通
孔12は円錐形のテーパ状に形成されており、プラズマが
生じる方向に向けて細くなるよう形成されている。
【００１９】また、シャワープレート本体11の各貫通孔
12には流通部材21がそれぞれテーパ嵌合されて固定され
ている。この流通部材21には、例えば、アルミニウム
（Ａｌ）にアルマイト処理、陽極酸化処理、およびアル
ミナ溶射処理の少なくともいずれかを施したものなど
で、高い精度の孔加工が容易な材質、厚みがそれぞれ採
用されるとともに、腐食にも強いものが採用される。な
お、例えば、流通部材21は陽極酸化されている。
12には流通部材21がそれぞれテーパ嵌合されて固定され
ている。この流通部材21には、例えば、アルミニウム
（Ａｌ）にアルマイト処理、陽極酸化処理、およびアル
ミナ溶射処理の少なくともいずれかを施したものなど
で、高い精度の孔加工が容易な材質、厚みがそれぞれ採
用されるとともに、腐食にも強いものが採用される。な
お、例えば、流通部材21は陽極酸化されている。
【００２０】流通部材21の形状は、貫通孔12内に嵌合可
能とする円板状で、シャワープレート本体11より薄く形
成され、周面が貫通孔12にテーパ嵌合するテーパ状に形
成されている。流通部材21の中央には例えば約０．５ｍ
ｍ程度の流通孔22が貫通形成されている。
能とする円板状で、シャワープレート本体11より薄く形
成され、周面が貫通孔12にテーパ嵌合するテーパ状に形
成されている。流通部材21の中央には例えば約０．５ｍ
ｍ程度の流通孔22が貫通形成されている。
【００２１】そして、このように構成されたシャワープ
レート４は、半導体製造装置の成膜装置やエッチング装
置に使用される。例えば、前述の図５に示したプラズマ
ＣＶＤに用いられるもので、装置本体１内に基板２が装
着されるヒータ３およびシャワープレート４が対向配置
され、シャワープレート４の複数の流通孔22から基板２
側へガスを吹き出しながら、電極となるヒータ３とシャ
ワープレート４とに高周波電源を加えてプラズマ状態に
し、基板２上に成膜を行なう。
レート４は、半導体製造装置の成膜装置やエッチング装
置に使用される。例えば、前述の図５に示したプラズマ
ＣＶＤに用いられるもので、装置本体１内に基板２が装
着されるヒータ３およびシャワープレート４が対向配置
され、シャワープレート４の複数の流通孔22から基板２
側へガスを吹き出しながら、電極となるヒータ３とシャ
ワープレート４とに高周波電源を加えてプラズマ状態に
し、基板２上に成膜を行なう。
【００２２】このとき、シャワープレート４の流通孔22
は高い精度で孔加工されているため、ガスの吹き出しを
均一にでき、ガス濃度分布が均一になって、成膜のプロ
セスの均一性が得られる。
は高い精度で孔加工されているため、ガスの吹き出しを
均一にでき、ガス濃度分布が均一になって、成膜のプロ
セスの均一性が得られる。
【００２３】以上のように、シャワープレート本体11の
貫通孔12に、流通孔22を有する流通部材21を嵌合する構
造であるため、シャワープレート本体11に反りを防止で
きる材質や厚みを採用しても、流通部材21には孔加工の
容易な材質や厚みを選択して流通孔22の精度の向上を図
れる。そのため、このシャワープレート４を半導体製造
装置に用いた場合、温度が高い環境でも、成膜やエッチ
ングのプロセスの均一性を得られる。
貫通孔12に、流通孔22を有する流通部材21を嵌合する構
造であるため、シャワープレート本体11に反りを防止で
きる材質や厚みを採用しても、流通部材21には孔加工の
容易な材質や厚みを選択して流通孔22の精度の向上を図
れる。そのため、このシャワープレート４を半導体製造
装置に用いた場合、温度が高い環境でも、成膜やエッチ
ングのプロセスの均一性を得られる。
【００２４】さらに、シャワープレート本体11の貫通孔
12と流通部材21とをテーパー嵌合することで、容易に嵌
合固定できるとともに高い嵌合精度を得られる。
12と流通部材21とをテーパー嵌合することで、容易に嵌
合固定できるとともに高い嵌合精度を得られる。
【００２５】さらに、シャワープレート本体11と流通部
材21との組み合わせが任意に可能で、シャワープレート
本体11および流通部材21にそれぞれ適した材質、厚み、
表面処理などを採用できるとともに、ガスの吹出量やガ
ス濃度分布に対応した流通孔22を有する任意の流通部材
21を採用できる。
材21との組み合わせが任意に可能で、シャワープレート
本体11および流通部材21にそれぞれ適した材質、厚み、
表面処理などを採用できるとともに、ガスの吹出量やガ
ス濃度分布に対応した流通孔22を有する任意の流通部材
21を採用できる。
【００２６】次に、図３および図４に第２の実施の形態
を示し、図３はシャワープレートの断面図、図４はシャ
ワープレートの平面図である。
を示し、図３はシャワープレートの断面図、図４はシャ
ワープレートの平面図である。
【００２７】シャワープレート本体11の複数の貫通孔12
は、四角錘状のテーパ状に形成される。
は、四角錘状のテーパ状に形成される。
【００２８】流通部材21は、貫通孔12と同形状のテーパ
状に形成され、貫通孔12にテーパ嵌合されて固定されて
いる。流通部材21には、複数の流通孔22が貫通形成され
ている。
状に形成され、貫通孔12にテーパ嵌合されて固定されて
いる。流通部材21には、複数の流通孔22が貫通形成され
ている。
【００２９】なお、シャワープレート本体11および流通
部材21の材質や処理などは第１の実施の形態と同様であ
る。
部材21の材質や処理などは第１の実施の形態と同様であ
る。
【００３０】そして、このようなシャワープレート４の
構成では、第１の実施の形態と同様の作用効果を得られ
る。さらに、各流通部材21毎に流通孔22の孔径や孔分布
を変えることができ、任意のガス濃度分布を実現するこ
とができる。
構成では、第１の実施の形態と同様の作用効果を得られ
る。さらに、各流通部材21毎に流通孔22の孔径や孔分布
を変えることができ、任意のガス濃度分布を実現するこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明のシャワープレートによれば、シ
ャワープレート本体の貫通孔に、流通孔を有する流通部
材を嵌合する構造であるため、シャワープレート本体に
反りを防止できる材質や厚みを採用しても、流通部材に
は孔加工の容易な材質や厚みを選択して流通孔の精度の
向上を図れる。そのため、このシャワープレートを半導
体製造装置に用いた場合、温度が高い環境でも、成膜や
エッチングのプロセスの均一性を得られる。
ャワープレート本体の貫通孔に、流通孔を有する流通部
材を嵌合する構造であるため、シャワープレート本体に
反りを防止できる材質や厚みを採用しても、流通部材に
は孔加工の容易な材質や厚みを選択して流通孔の精度の
向上を図れる。そのため、このシャワープレートを半導
体製造装置に用いた場合、温度が高い環境でも、成膜や
エッチングのプロセスの均一性を得られる。
【００３２】さらに、シャワープレート本体の貫通孔と
流通部材とをテーパー嵌合することで、容易に嵌合固定
できるとともに高い嵌合精度を得られる。
流通部材とをテーパー嵌合することで、容易に嵌合固定
できるとともに高い嵌合精度を得られる。
【００３３】さらに、シャワープレート本体と流通部材
との組み合わせが任意に可能で、シャワープレート本体
および流通部材にそれぞれ適した材質、厚み、表面処理
などを採用できるとともに、流通量や流通分布に対応し
た流通孔を有する任意の流通部材を採用できる。
との組み合わせが任意に可能で、シャワープレート本体
および流通部材にそれぞれ適した材質、厚み、表面処理
などを採用できるとともに、流通量や流通分布に対応し
た流通孔を有する任意の流通部材を採用できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すシャワープレ
ートの断面図である。
ートの断面図である。
【図２】同上シャワープレートの斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示すシャワープレ
ートの断面図である。
ートの断面図である。
【図４】同上シャワープレートの平面図である。
【図５】シャワープレートを用いるプラズマＣＤＶ装置
の説明図である。
の説明図である。
【図６】従来のシャワープレートの平面図である。
【図７】従来のシャワープレートの断面図である。
【図８】他の従来のシャワープレートの断面図である。
４ シャワープレート 11 シャワープレート本体 12 貫通孔 21 流通部材 22 流通孔
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の貫通孔を有するシャワープレート
本体と、 このシャワープレート本体の貫通孔に嵌合された流通孔
を有する流通部材とを具備していることを特徴とするシ
ャワープレート。 - 【請求項２】 シャワープレート本体の貫通孔と流通部
材とはテーパー嵌合されていることを特徴とする請求項
１記載のシャワープレート。 - 【請求項３】 シャワープレート本体と流通部材との材
質が異なることを特徴とする請求項１または２記載のシ
ャワープレート。 - 【請求項４】 シャワープレート本体および流通部材
は、アルミニウムにアルマイト処理、陽極酸化処理、お
よびアルミナ溶射処理の少なくともいずれかが施されて
いることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の
シャワープレート。 - 【請求項５】 シャワープレート本体は、ニッケルを含
む材料で形成されていることを特徴とする請求項１ない
し３いずれか記載のシャワープレート。 - 【請求項６】 シャワープレート本体は、ニッケルを含
む材料にニッケル溶射処理が施されるとともにアルミナ
溶射処理が施されていることを特徴とする請求項１ない
し３いずれか記載のシャワープレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7816298A JPH11274087A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | シャワープレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7816298A JPH11274087A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | シャワープレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274087A true JPH11274087A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13654242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7816298A Pending JPH11274087A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | シャワープレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274087A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10200279B4 (de) * | 2001-01-11 | 2006-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Gasinjektor-Anordnung mit Gasinjektoren aus einem Keramikmaterialblock mit Gasinjektorlöchern, die sich durch diesen erstrecken, und ein die Gasinjektor-Anordnung enthaltenes Ätzgerät |
| JP2006289359A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-26 | Jusung Engineering Co Ltd | ガス噴射装置 |
| JP2008047869A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-02-28 | Hokuriku Seikei Kogyo Kk | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
| CN103871818A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 世界中心科技股份有限公司 | 干法刻蚀反应室腔体的上电极及其制造方法 |
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-
1998
- 1998-03-25 JP JP7816298A patent/JPH11274087A/ja active Pending
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