KR20090013958A - 가스분배판 고정용 결합부재 및 이를 포함하는박막처리장치 - Google Patents

가스분배판 고정용 결합부재 및 이를 포함하는박막처리장치 Download PDF

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Abstract

이 발명은 박막처리장치에 관한 것으로 특히, 챔버 내부에서 가스분배판의 휨현상을 방지하기 위한 결합부재에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 3단으로 분리되는 결합부재를 통해 가스분배판의 중심부를 상부전극에 고정시킴으로써, 상기 가스분배판의 처짐을 방지하고자 하는 것이다.
이를 통해, 가스분배판 간의 이격간격을 전체적으로 균일하게 유지시켜줌으로써, 균일한 두께로의 증착 및 식각이 가능하며, 결합부재의 착탈이 가능하여 파손 시 교체가 손쉬우며, 특히 상기 결합부재의 끼움과정에서 상기 가스분배판과 맞닿지 않게 됨으로써, 이물의 발생가능성을 줄일 수 있다.
박막처리장치, 가스분배판

Description

가스분배판 고정용 결합부재 및 이를 포함하는 박막처리장치{A connective material of gas distribution plate fixation and thin film treatment apparatus including the same}
본 발명은 박막처리장치에 관한 것으로 특히, 챔버 내부에서 가스분배판의 휨현상을 방지하기 위한 결합부재에 관한 것이다.
일반적으로 태양전지(solar cell)과 같은 반도체 장치 또는 액정표시장치의 제조를 위해서는 실리콘웨이퍼 또는 글래스(이하, 기판이라 함)를 대상으로 여러 가지 다양한 공정을 진행하는데, 이중 기판 표면에 회로패턴을 형성하기 위해서 소정물질의 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 상기 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo-lithography)공정, 상기 박막의 노출된 부분을 제거함으로써 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 식각(etching) 공정이 수 차례 반복되고, 그 외에 세정, 합착, 절단 등의 다양한 공정이 수반된다.
이 같은 박막증착 및 식각 등의 박막처리공정은 통상 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 챔버형 박막처리장치에서 진행되어 왔는데, 최근에는 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 챔버 내에서 RF(Radio Frequence) 고전압을 이용하여 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 상태에서 박막처리공정을 진행하는 플라즈마 화학기상증착, 이른바 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)방법이 폭넓게 사용되고 있다.
도 1은 일반적인 평판표시장치의 제조를 위한 PECVD 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 2는 PECVD 챔버형 박막처리장치 내부에서 변형된 가스분배판을 확대 도시한 단면도이다.
보이는 바와 같이 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 공정챔버(10)를 필수적인 구성요소로 하며, 이의 내부로는 처리대상물인 기판(2)이 실장되며, 상기 기판(2)이 실장된 공정챔버(10)의 반응영역(A) 내로 소정의 반응가스를 유입시킨 후 이를 활성화 시켜 목적하는 박막처리공정을 진행한다.
즉, 공정챔버(10) 내부에는 기판(2) 상의 박막에 대한 증착 및 식각을 위한 밀폐된 반응공간(A)을 제공하며, 특히 이의 내부로는 RF 전압이 인가되는 상부전극(34)과, 이의 하단으로 구비되며 외부의 반응가스가 반응영역(A) 내로 균일 분사되도록 다수의 분사홀(32)이 전 면적에 걸쳐 상하로 투공된 가스분배판(30)이 구성되는데, 상기 가스분배판(30)과 상기 상부전극(34)은 가장자리에서 볼트와 같은 제 1 연결부재(42)를 통해 접촉되어 연결된다.
또한, 상기 상부전극(34)과 반응영역(A)을 사이에 두고 이와 대면되어 기판(2)이 안착되는 척의 역할과 함께 바이어스 전압이 인가되는 하부전극(60)이 구 비되는데, 이는 상하 승강이 가능하도록 이루어져 있다.
이때, 상기 기판(2)은 가장자리에 박막의 증착을 방지하기 위한 쉐도우프레임(64)을 통해 움직이지 않도록 고정하며, 상기 하부전극(60)의 내부로는 히터(heater : 62) 등의 발열수단이 내장될 수 있다.
더불어 상기 공정챔버(10)의 상부에는 상기 반응영역(A) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스공급로(70)가 구비된다. 상기 반응가스공급로(70)는 상기 상부전극(34)의 중앙을 관통하여 설치되며, 상기 상부전극(34)의 하부에는 상기 반응가스공급로(70)를 통해 유입되는 반응가스의 확산을 위한 배플(baffle : 36)이 더욱 구비된다.
또한, 공정챔버(10)에는 배기포트(52)가 마련되어 외부의 흡기시스템(미도시)을 통해서 내부 반응영역(A)을 배기할 수 있도록 이루어진다.
한편, 이와 같은 공정챔버(10)는 최근 반도체 장치 또는 액정표시장치의 대면적화에 따른 몇 가지 문제점을 수반하게 된다.
즉, 최근 들어 반도체 장치 또는 액정표시장치의 사이즈(size)가 확대되는 추세에 있으며 이의 제조공정에 이용되는 기판(2)이 실장될 수 있도록 공정챔버(10) 또한 날이 갈수록 대형화되어 가고 있는 실정이다.
따라서, 공정챔버(10)가 대형화됨에 따라 상기 공정챔버(10) 내부의 가스분배판(30)의 크기도 커지게 되어, 이의 자체 하중으로 인하여 상기 가스분배판(30)이 중력방향으로 처지게 되는 현상이 발생하게 된다.
이러한 현상은 특히, 공정챔버(10) 내부의 고온 환경에 따라 상기 가스분배 판(30)의 열팽창을 가속화시킴으로써 더욱 두드러지게 된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 가스분배판(30)이 중력방향으로 처지는 경우, 상기 가스분배판(30)과 하부전극(60) 간의 거리차가 중심부(Dcen)와 에지부(Dedg)에서 달라지게 되고, 이로 인하여 공정챔버(10) 공간에서 분사된 공정가스의 분포밀도가 불균일해지며 결과적으로 공정 균일도가 저하되는 요인이 되고 있다.
이에 따라 기판(2)으로의 증착 및 식각 두께 역시 균일하지 못하게 되는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반응영역이 정의된 챔버와, 이의 내부에 RF 전압이 인가되는 상부전극과, 상기 상부전극의 하부에 이격하여 위치하는 가스분배판과, 상기 상부전극과 반응영역을 사이에 두고 구성되며 접지된 하부전극을 포함하는 박막처리장치에 있어서 상기 가스분배판과 상기 상부전극 간의 이격간격을 일정하게 유지하기 위한 결합부재로서, 상기 가스분배판의 상부면의 나사공이형성된 삽입홈에 고정되는 제 1 결합부재와 상기 상부전극을 관통하여 상기 제 1 결합부재에 일단이 나사 체결되고, 이의 타단은 상기 상부전극의 상부로 노출되는 제 2결합부재와 상기 노출된 제 2 결합부재의 타단에 조립 체결된 제 3 결합부재를 포함하는 가스분배판 고정용 결합부재를 제공한다.
상기 제 2 결합부재는 양단 외면에 나사산이 형성된 소정길이의 환봉(丸棒) 형상이며, 나사산이 형성된 양단의 외주면은 제 2 결합부재의 중심부 외주면에 비해 작은 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 결합부재의 나사산이 형성된 일단에는 걸림턱이 더욱 구성되며, 상기 제 2 결합부재는 상기 걸림턱이 형성된 일단이 상기 제 1 결합부재와 나사 체결되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 결합부재는 상기 제 2 결합부재의 나사산과 대응되도록 내주면에 암나사산이 형성된 나사공을 포함하는 끼움부와 상기 끼움부의 저면으로 돌출되며 외면에 나사산이 형성된 고정부로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 고정부는 상기 가스분배판의 삽입홈에 나사체결하여 고정되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 3 결합부재는 상기 제 2 결합부재의 나사산과 대응되는 나사홈이 형성된 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제 3 결합부재의 외경은 상기 제 2 결합부재의 내경 보다 큰 것을 특징으로 하며, 상기 제 3 결합부재가 체결되어 상기 상부전극의 상부로 노출된 제 2 결합부재의 타단을 덮도록 나사캡을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 반응영역을 정의하며, 기판을 안착하며 접지되는 하부전극을 수용하는 공정챔버와 상기 하부전극의 상부에 위치하며, 탭홀을 포함하며 바이어스 전압이 인가되는 상부전극과 상기 상부전극의 하부에 이격되어 위치하며, 상기 탭홀과 대응되는 상부면에 나사공이 형성된 삽입홈이 형성되며 다수의 분사구를 가지는 가스분배판과 상기 상부전극과 상기 가스분배판의 이격 간격이 변하지 않도록 연결하며, 제 1 내지 제 3 결합부재로 분리되는 결합부재를 포함하는 박막처리장치 를 제공한다.
상기 제 1 결합부재는 상기 삽입홈에 나사체결되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 결합부재는 상기 탭홀을 관통하는 환봉(丸棒)형상으로, 이의 일단이 상기 제 1 결합부재에 나사 체결되며 이의 타단은 상기 상부전극 상부로 노출되어 너트형상의 제 3 결합부재와 조립 체결되는 것을 특징으로 한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 3단으로 분리되는 결합부재를 통해 가스분배판의 중심부를 상부전극에 고정시킴으로써, 상기 가스분배판의 처짐을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이를 통해, 가스분배판 간의 이격간격을 전체적으로 균일하게 유지시켜줌으로써, 균일한 두께로의 증착 및 식각이 가능한 효과가 있다.
또한, 상기 결합부재를 분리 가능하도록 구성함으로써, 상기 결합부재와 상기 결합부재와 체결되는 가스분배판 및 상부전극의 마모를 최소화할 수 있으며, 결합부재의 착탈이 가능하여 파손 시 교체가 손쉽다. 이를 통해 상기 결합부재의 끼움과정에서 상기 가스분배판과 맞닿지 않게 됨으로써, 이들의 마모를 최소화 하게 되며 이물의 발생가능성을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 이를 통해 유지 보수가 용이하므로, 이에 따라 공정의 생산성 향상 및 공정비용 절감의 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판표시장치의 제조를 위한 PECVD 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 플라즈마 박막처리장치는 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 공정챔버(110)를 필수적인 구성요소로 한다.
이를 보다 세부적으로 살펴보면, 먼저 상기 공정챔버(110) 내부에는 기판(102) 상의 박막에 대한 증착을 위한 밀폐된 반응공간(A)을 제공하며, 특히 이의 내부로는 RF 전압이 인가되는 상부전극(134)과, 상기 상부전극(134)과 반응영역(A)을 사이에 두고 이와 대면되어 기판(102)이 안착되는 척의 역할과 함께 바이어스 전압이 인가되는 하부전극(160)이 구비된다.
이때, 상기 하부전극(160)은 상하 승강이 가능하도록 이루어진다.
또한, 외부로부터 공급되는 반응가스를 반응영역(A) 내의 전면적으로 확산시킬 수 있도록 다수의 분사홀(132)이 전 면적에 걸쳐 상하로 투공된 가스분배판(130) 그리고 배기포트(152)가 마련되어 외부의 흡기시스템(미도시)을 통해서 내부 반응영역(A)을 배기할 수 있도록 이루어진다.
이때, 상기 가스분배판(130)은 상기 상부전극(134)과 소정의 간격을 두고 가장자리를 통해 볼트와 같은 제 1 연결부재(142)를 통해 접촉되어 고정된다.
더불어 상기 공정챔버(110)의 상부에는 상기 반응영역(A) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스공급로(170)가 구비된다. 상기 반응가스공급로(170)는 상기 상부 전극(134)의 중앙을 관통되며, 상기 상부전극(134)의 하부에는 상기 반응가스공급로(170)를 통해 유입되는 반응가스의 확산을 위한 배플(136)이 더욱 구비된다.
또한, 기판(102)의 가장자리로 박막이 증착되는 것을 억제하기 위한 쉐도우프레임(164)이 공정챔버(110) 내부에 고정 설치된다.
이상에서 살펴본 본 발명에 따른 박막처리장치를 통한 증착 메커니즘을 살펴보면, 먼저 공정챔버(110)의 하부전극(134) 상에 기판(102)이 안착된 후, 상기 하부전극(160)이 상승하여 상기 기판(102)을 가스분배판(130)과 소정 간격으로 대면시키고, 이어서 상, 하부전극(134, 160)으로는 RF 전압과 바이어스전압이 인가됨과 동시에, 상기 반응가스공급로(170)를 통해 외부로부터 유입되는 반응가스를 상기 가스분배판(130)의 분사홀(132)을 통해 공정챔버(110) 내부로 분사한다.
그 결과 반응영역으로 유입된 반응가스는 플라즈마로 여기되어 여기에 함유된 라디칼의 화학반응 결과물이 기판(102) 상에 박막으로 증착되며, 박막증착이 완료되면 상기 하부전극(160)이 하강한 후 배기포트(152)를 이용해서 반응영역(A)을 배기하여 기판(102) 교체에 이은 새로운 박막증착공정을 준비한다.
아울러 이 과정 중에 하부전극(160)에 내장된 히터(162)를 통해 기판(102)을 가열함으로써 보다 효율적인 공정을 진행할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 공정챔버(110)가 대형화됨에 따라 상기 공정챔버(110) 내부의 가스분배판(130)이 자체 하중으로 인하여 상기 가스분배판(130)이 중력방향으로 처지게 되는 현상을 미연에 방지하기 위하여, 상기 가스분배판(130)의 중심부를 상기 상부전극(134)에 고정하는 제 2 결합부재(120)를 이용하여 조립 체결하는 데, 상기 제 2 결합부재(120)는 3단으로 분리되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에 따른 박막처리장치는 일반적인 경우와 비교하여 가스분배판(130)의 처짐을 방지하기 위하여 상기 가스분배판(130)의 중심부에 별도의 제 2 체결부재(120)를 더욱 구비하여, 상기 제 2 체결부재(120)를 통해 상기 가스분배판(130)의 중심부를 한번 더 상기 상부전극(134)과 조립 체결하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 더 나아가 이 같은 제 2 체결부재(120)는 탈착 가능하게 조립되하는 것을 특징으로 하는데, 이에 대하서는 제 2 체결부재(120)를 분해하여 나타낸 도 4와 상기 도 3의 원내 부분을 확대하여 나타낸 도 5a ~ 5b를 함께 참조하여 설명하도록 하겠다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제 2 결합부재의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 제 2 결합부재(120)는 적어도 3단으로 분리되는데, 크게 고정브라켓(124), 샤프트(122), 너트부재(126)로 구분되어 분리된다.
이들 각각에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 상기 샤프트(122)는 양단에 샤프트(122) 외면을 따라서 적어도 하나 이상의 나선형상 홈이 파여 나사산을 형성하고 있는 소정 길이의 환봉(丸棒)형상으로, 이의 일단에는 샤프트(122) 외면에 형성된 나사산과 대응되는 나사홈(126a)이 형성된 너트부재(126)가 조립 체결된다.
이때, 상기 나사산이 형성된 샤프트(122)의 양단은 상기 샤프트(122)의 중심부 외주면에 비해 작은 외주면을 갖는 것이 바람직하며, 상기 너트부재(126)의 외 경은 상기 샤프트(122)의 내경 보다 크고, 상기 샤프트(122)에 체결된 너트부재(126)를 적적히 회전시킴으로써 상기 샤프트(122)의 높이를 조절할 수 있다.
또한, 상기 샤프트(122)의 타단은 상기 고정브라켓(124)에 끼움 조립되는데, 상기 고정브라켓(124)은 상기 샤프트(122)의 나사산과 대응되도록 내주면에 암나사산이 형성된 나사공(128)을 포함하는 끼움부(124a)와 상기 끼움부(124a)의 저면으로 돌출된 고정부(124b)로 구성된다.
이때, 상기 고정부(124b)는 가스분배판(도 3의 130)의 삽입홈(미도시)에 끼워지는 부분으로서, 상기 끼움부(124a)에 비하여 직경을 작게 구성한다.
따라서 이러한 제 2 결합부재(120)는 박막처리장치의 상부전극(도 3의 134)을 관통하여, 상기 가스분배판(130)을 상기 상부전극(도 3의 134)에 결합시키게 된다.
이때, 상기 고정브라켓(124)에 끼움되는 샤프트(122)의 타단에는 걸림턱(123)을 형성하는데, 상기 걸림턱(123)은 상기 샤프트(122)의 타단이 상기 고정브라켓(124)의 고정부(124b)에 끼움되는 과정에서 적절한 샤프트(122)의 높이를 유지하도록 할 수 있도록 한다.
도 5a ~ 5b는 도 3의 B영역을 확대 도시한 도면으로, 상기 도 4의 제 2 결합부재를 통해 가스분배판의 중심부를 상부전극에 고정하는 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 가스분배판(130) 중심부의 상부면에는 내면에 나사공이 형성된 적어도 한개의 삽입홈(137)이 형성되어 있으며,상기 가스분배 판(130)과 소정의 간격을 두고 위치하는 상기 상부전극(134)에는 상기 가스분배판(130)의 삽입홈(137)과 대응되는 탭홀(138)이 형성되어 있다.
상기 가스분배판(130)의 삽입홈(137)에는 고정브라켓(124)이 끼움 고정되는데, 이는 고정브라켓(124)의 고정부(도 4의 124b)의 외면에 형성된 나사산이 상기 삽입홈(137)의 나사공과 나사 조립됨으로써 고정된다.
이렇듯, 상기 가스분배판(130)에 고정브라켓(124)이 고정되면, 상기 상부전극(134)의 상부면으로부터 샤프트(122)를 상부전극(134)의 탭홀(138) 및 가스분배판(130)의 삽입홈(137)의 길이방향에 나란하도록 곧바르게 삽입하여, 상기 샤프트(122)의 일단 외면에 형성된 나사산이 상기 고정브라켓(124)의 끼움부(도 4의 124a)의 나사공과 서로 맞물리면서 조립 체결되도록 한다.
즉, 상기 샤프트(122)는 상기 상부전극(134)을 관통하여 가스분배판(130)의 고정브라켓(124)과 나사 결합하는 것이다. 이때, 상기 샤프트(122)는 일단에 형성된 걸림턱(123)에 의해 상기 샤프트(122)의 높이를 조절할 수 있어, 상기 상기 가스분배판(130)과 상기 상부전극(134) 사이의 정확한 이격 간격을 유지할 수 있다.
이때, 상기 나사산이 형성된 샤프트(122)의 양단을 상기 샤프트(122)의 중심부 외주면(D)에 비해 작은 외주면(D')을 갖도록 구성하고 상기 샤프트(122)의 일끝단이 조립 체결되는 고정브라켓(124)도 상기 양단의 외주면(D')에 대응되도록 구성함으로써, 상기 제 2 결합부재(120)를 통해 상기 가스분배판(130)과 상부전극(134)을 단단하게 고정하는 동시에 상기 제 2 결합부재(120)에 의해 공정챔버(110) 내부 의 반응가스의 흐름에 영향을 미치지 않도록 하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 고정브라켓(124)이 고정되는 가스분배판(130)에 구성된 다수의 분사홀(132)이 상기 고정브라켓(124)의 존재에 의해 영향을 받지 않도록 하는 것이다.
다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이 상기 상부전극(134)의 상부면으로 노출된 샤프트(122)의 타단에 너트부재(126)를 끼움 조립함으로써, 상기 가스분배판(130)의 중심부는 상기 제 2 결합부재(120)를 통해 상기 상부전극(134)에 단단히 고정된다.
이때, 상기 제 2 결합부재(120)가 인입되는 탭홀(138) 등의 관통부를 통해 공기와 같은 이물질의 유입을 방지하여 공정챔버(도 3의 110) 내부를 진공상태로 유지시키기 위해 상기 상부전극(134)의 상면에 나사캡(140)을 더욱 구성하는 것이 바람직하다.
한편, 이러한 제 2 결합부재(120)는 알루미늄(Al) 재질로 구성하는 것이 바람직하며, 공정챔버(110) 내부의 조성환경에 따라 산화처리(anodizing)를 할 수도 있다.
또한, 제 2 결합부재(102)는 하나 이상 구성되는 것이 바람직하며, 이의 구성위치는 상기 반응가스공급(170)로 영역을 제외한 가스분배판(130)의 중심부가 바람직하며, 상기 가스분배판(130)의 중심부 하부에 위치하는 베플(136)을 더욱 포함하여 상기 제 2 결합부재(120)를 구성할 수 있다.
즉, 상기 가스분배판(130)의 크기와 무게 등을 고려하여 처짐을 효과적으로 개선할 수 있는 위치이면 상기 제 2 결합부재(120)의 구성위치는 어디든 무관한 것이며, 제 2 결합부재(120)의 수도 제한이 없을 것이다.
또한, 상기 제 2 결합부재(120)는 분리 가능함으로, 상기 제 2 결합부재(120) 및 상기 제 2 결합부재(120)와 체결되는 가스분배판(130)이나 상부전극(134)의 마모를 최소화 할 수 있으며, 특히, 상기 고정브라켓(124)을 상기 가스분배판(130)의 삽입홈(137)에 나사체결하여 상기 가스분배판(130)과 상기 샤프트(122)가 직접 맞닿지 않도록 함으로써, 상기 가스분배판(130)과 상기 샤프트(122)의 맞닿음으로 인하여 다른 이물이 발생될 수 있는 가능성을 미연에 방지하게 된다. 이는, 상기 가스분배판(130)의 삽입홈(137)이 마모되는 문제점 또한 미연에 방지하게 된다.
그리고 이 같은 제 2 결합부재(120)는 착탈이 가능하게 조립되어지므로 파손 등의 경우에 손쉽게 교체가 가능하다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 일반적인 평판표시장치의 제조를 위한 PECVD 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 PECVD 챔버형 박막처리장치 내부에서 변형된 가스분배판을 확대 도시 한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판표시장치의 제조를 위한 PECVD 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제 2 결합부재의 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 5a ~ 5b는 도 3의 B영역을 확대 도시한 도면.

Claims (11)

  1. 반응영역이 정의된 챔버와, 이의 내부에 RF 전압이 인가되는 상부전극과, 상기 상부전극의 하부에 이격하여 위치하는 가스분배판과, 상기 상부전극과 반응영역을 사이에 두고 구성되며 접지된 하부전극을 포함하는 박막처리장치에 있어서 상기 가스분배판과 상기 상부전극 간의 이격간격을 일정하게 유지하기 위한 결합부재로서,
    상기 가스분배판의 상부면의 나사공이 형성된 삽입홈에 고정되는 제 1 결합부재와
    상기 상부전극을 관통하여 상기 제 1 결합부재에 일단이 나사 체결되고, 이의 타단은 상기 상부전극의 상부로 노출되는 제 2결합부재와
    상기 노출된 제 2 결합부재의 타단에 조립 체결된 제 3 결합부재
    를 포함하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 결합부재는 양단 외면에 나사산이 형성된 소정길이의 환봉(丸棒) 형상이며, 나사산이 형성된 양단의 외주면은 제 2 결합부재의 중심부 외주면에 비해 작은 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 결합부재의 나사산이 형성된 일단에는 걸림턱이 더욱 구성되며, 상기 제 2 결합부재는 상기 걸림턱이 형성된 일단이 상기 제 1 결합부재와 나사 체결되는 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 결합부재는 상기 제 2 결합부재의 나사산과 대응되도록 내주면에 암나사산이 형성된 나사공을 포함하는 끼움부와 상기 끼움부의 저면으로 돌출되며 외면에 나사산이 형성된 고정부로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 고정부는 상기 가스분배판의 삽입홈에 나사체결하여 고정되는 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 결합부재는 상기 제 2 결합부재의 나사산과 대응되는 나사홈이 형성된 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 결합부재의 외경은 상기 제 2 결합부재의 내경 보다 큰 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 결합부재가 체결되어 상기 상부전극의 상부로 노출된 제 2 결합부재의 타단을 덮도록 나사캡을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배판 고정용 결합부재.
  9. 반응영역을 정의하며, 기판을 안착하며 접지되는 하부전극을 수용하는 공정챔버와
    상기 하부전극의 상부에 위치하며, 탭홀을 포함하며 바이어스 전압이 인가되는 상부전극과
    상기 상부전극의 하부에 이격되어 위치하며, 상기 탭홀과 대응되는 상부면에 나사공이 형성된 삽입홈이 형성되며 다수의 분사구를 가지는 가스분배판과
    상기 상부전극과 상기 가스분배판의 이격 간격이 변하지 않도록 연결하며, 제 1 내지 제 3 결합부재로 분리되는 결합부재
    를 포함하는 박막처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 결합부재는 상기 삽입홈에 나사체결되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 결합부재는 상기 탭홀을 관통하는 환봉형상으로, 이의 일단이 상기 제 1 결합부재에 나사 체결되며 이의 타단은 상기 상부전극 상부로 노출되어 너트형상의 제 3 결합부재와 조립 체결되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치.
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