KR20230107520A - 기판지지장치 제조방법 - Google Patents

기판지지장치 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230107520A
KR20230107520A KR1020230087032A KR20230087032A KR20230107520A KR 20230107520 A KR20230107520 A KR 20230107520A KR 1020230087032 A KR1020230087032 A KR 1020230087032A KR 20230087032 A KR20230087032 A KR 20230087032A KR 20230107520 A KR20230107520 A KR 20230107520A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric film
support body
electrode part
substrate
anodizing
Prior art date
Application number
KR1020230087032A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102678315B1 (ko
Inventor
김지훈
신승철
유진혁
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020230087032A priority Critical patent/KR102678315B1/ko
Publication of KR20230107520A publication Critical patent/KR20230107520A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102678315B1 publication Critical patent/KR102678315B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시키는 전극부를 애노다이징(Anodizing) 처리하여 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계; 상기 기판을 지지하기 위한 지지본체를 애노다이징 처리하여 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계; 및 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계를 포함하고, 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는, 상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 단계; 상기 제2통과공이 형성된 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계; 및 상기 제2유전막에 제2체결탭을 형성하는 단계를 포함하는 기판지지장치 제조방법에 관한 것이다.

Description

기판지지장치 제조방법{Substrate Supporting Apparatus Manufacturing Method}
본 발명은 정전력을 이용하여 기판을 지지하는 기판지지장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.
이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다. 기판처리장치는 처리공정이 이루어지는 동안 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함한다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판지지장치의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 기판지지장치(100)는 정전력을 이용하여 기판(200)이 고정되도록 지지하는 것이다. 종래 기술에 따른 기판지지장치(100)는 지지부(110), 전극부(120), 및 용사코팅부(130)를 포함한다.
상기 전극부(120)는 상기 지지부(110)에 결합된다. 상기 전극부(120)가 상기지지부(110)에 결합된 상태에서, 상기 전극부(120)의 상면 및 상기 지지부(110)의 상면에 대해 용사코팅 처리를 수행하여 상기 용사코팅부(130)를 형성한다. 상기 용사코팅부(130)는 유전막으로 기능한다.
여기서, 종래 기술에 따른 기판지지장치(100)는 상기 용사코팅부(130)를 형성하기 위해 용사코팅 처리를 수행하는 과정에서, 상기 지지부(110) 및 상기 전극부(120)에 휨이 발생함에 따라 상기 기판(200) 및 상기 용사코팅부(130) 간에 간격이 발생하게 된다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판지지장치(100)는 상기 기판(200)을 고정하기 위한 정전력이 감소되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 유전막을 형성하는 과정에서 발생하는 휨을 감소시킬 수 있는 기판지지장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시키는 전극부를 애노다이징(Anodizing) 처리하여 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계; 상기 기판을 지지하기 위한 지지본체를 애노다이징 처리하여 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계; 및 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는, 상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 단계; 상기 제2통과공이 형성된 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계; 및 상기 제2유전막에 제2체결탭을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 유전막을 형성하는 과정에서 발생하는 휨을 감소시킬 수 있도록 구현됨으로써, 기판을 고정하기 위한 정전력을 증대시켜서 기판을 견고하게 고정할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판지지장치의 개략적인 단면도
도 2는 본 발명에 따른 기판지지장치의 개략적인 사시도
도 3은 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법의 개략적인 순서도
도 4는 본 발명에 따른 기판지지장치를 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 결합 단면도
도 5는 본 발명에 따른 기판지지장치를 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 분해 단면도
도 6은 본 발명에 따른 기판지지장치에 있어서 유전막을 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 결합 단면도
도 7은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법의 개략적인 순서도
도 8은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치를 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 분해 단면도
도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치를 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 결합 단면도
도 10은 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법의 개략적인 순서도
도 11은 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치를 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 개략적인 결합 단면도
이하에서는 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법에 대한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 정전력을 이용하여 기판을 지지하는 기판지지장치(1)를 제조하기 위한 것이다. 상기 기판은 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법을 통해 제조된 기판지지장치(1)는 상기 기판에 대해 증착공정, 식각공정 등과 같이 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 동안 상기 기판을 지지한다. 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 다음과 같은 구성을 포함할 수 있다.
우선, 전극부(2)에 제1유전막(3)을 형성한다(S20). 상기 전극부(2)는 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시키는 것이다. 상기 전극부(2)는 전원이 인가됨에 따라 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시킬 수 있다. 상기 제1유전막(3)은 상기 기판 및 상기 전극부(2)를 절연시키는 것이다. 상기 기판은 상기 제1유전막(3)의 상면에 안착됨으로써, 상기 기판지지장치(1)에 지지될 수 있다. 상기 전극부(2)는 DC전극일 수 있다.
다음, 지지본체(4)에 제2유전막(5)을 형성한다(S30). 상기 지지본체(4)는 상기 기판 및 상기 전극부(2)를 지지하는 것이다. 상기 제2유전막(5)은 상기 기판 및 상기 지지본체(4)를 절연시키는 것이다. 상기 기판은 상기 제2유전막(5)의 상면에 안착됨으로써, 상기 기판지지장치(1)에 지지될 수 있다. 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)이 수행된 이후에 수행될 수 있다. 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)이 수행되기 이전에 수행될 수도 있다. 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30) 및 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)은 병행하여 수행될 수도 있다.
다음, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)에 결합시킨다(S40). 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 공정(S40)은, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)을 거쳐 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)을 거쳐 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)에 결합시킴으로써 이루어질 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4)에 대해 각각 별개의 공정을 통해 유전막들(3, 5)을 형성한 후에, 유전막들(3, 5)이 형성된 상태로 상기 전극부(2)를 상기 지지본체(4)에 결합시키도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 전극부(120)가 상기 지지부(110)에 결합된 이후에 상기 전극부(120)의 상면 및 상기 지지부(110)의 상면에 대해 용사코팅 처리를 수행하는 종래 기술과 대비할 때, 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4) 각각에 대한 휨 발생량을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 기판 및 상기 유전막들(3, 5) 간의 간격을 감소시킬 수 있으므로, 상기 기판을 고정하기 위한 정전력이 증대된 기판지지장치(1)를 제조할 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)은 상기 전극부(2)를 애노다이징(Anodizing) 처리함으로써, 상기 전극부(2)에 상기 제1유전막(3)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은 상기 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써, 상기 지지본체(4)에 상기 제2유전막(5)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 애노다이징 처리를 통해 상기 유전막들(3, 5)을 형성하도록 구현됨으로써, 상기 유전막들(3, 6)을 형성하는 과정에서 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4) 각각에 대한 휨 발생량을 더 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 기판을 고정하기 위한 정전력이 더 증대된 기판지지장치(1)를 제조할 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 애노다이징 처리를 통해 상기 유전막들(3, 5)을 형성하도록 구현됨으로써, 종래 기술과 같이 용사코팅 처리를 통해 형성된 유전막과 대비할 때 더 치밀한 구조를 갖는 유전막들(3, 5)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 유전막들(3, 5)의 상면에 반복적으로 기판을 안착시킴에 따라 상기 유전막들(3, 5)에 절연파괴가 발생할 가능성을 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 기판지지장치(1)의 사용수명을 증대시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 유전막들(3, 5)의 두께를 더 얇게 구현할 수 있으므로, 상기 기판 및 상기 전극부(2)가 서로 이격된 거리를 감소시켜서 상기 기판을 고정하기 위한 정전력이 더 증대된 기판지지장치(1)를 제조할 수 있다.
셋째, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 증대시킬 수 있으므로, 용사코팅 처리를 통해 유전막을 형성한 종래 기술과 동일한 크기의 정전력으로 상기 기판을 고정할 때 상기 전극부(2)에 전원을 인가하는데 드는 운용비용을 절감할 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)은 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)을 포함할 수 있다. 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)을 통해 상기 전극부(2)에는 상기 제1유전막(3)이 형성될 수 있다.
상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)은, 상기 전극부(2)의 전면(全面)에 상기 제1유전막(3)이 형성되도록 상기 전극부(2)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 전극부(2)의 전면(全面)에 대해 균일하게 애노다이징 처리가 이루어지록 구현됨으로써, 상기 제1유전막(3)을 형성하는 과정에서 상기 전극부(2)에 대한 휨 발생량을 더 감소시킬 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)을 포함할 수 있다. 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)을 통해 상기 지지본체(4)에는 상기 제2유전막(5)이 형성될 수 있다.
상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은, 상기 지지본체(4)의 전면(全面)에 상기 제2유전막(5)이 형성되도록 상기 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 지지본체(4)의 전면(全面)에 대해 균일하게 애노다이징 처리가 이루어지록 구현됨으로써, 상기 제2유전막(5)을 형성하는 과정에서 상기 전극부(2)에 대한 휨 발생량을 더 감소시킬 수 있다.
상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은, 상기 전극부(2)와 동일한 재질로 이루어진 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)에서 사용하는 전해질과 동일한 전해질을 이용하여 상기 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 제1유전막(3) 및 상기 제2유전막(5)은 서로 동일한 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4)에 대해 각각 별개의 공정을 통해 유전막들(3, 5)을 형성하더라도, 동일한 공정조건으로 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4) 각각을 애노다이징 처리하도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4)에 대해 각각 별개의 공정을 통해 유전막들(3, 5)을 형성하더라도, 공정의 용이성을 확보할 수 있다.
여기서, 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)은 상기 제1유전막(3)이 제1두께로 형성되도록 상기 전극부(2)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은 상기 제2유전막(5)이 상기 제1두께로 형성되도록 상기 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 즉, 상기 제1유전막(3)의 두께(3a, 도 5에 도시됨) 및 상기 제2유전막(5)의 두께(5a, 도 5에 도시됨)는 동일하게 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 동일한 공정조건으로 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4) 각각을 애노다이징 처리하도록 구현됨으로써, 상기 전극부(2) 및 상기 지지본체(4)에 대해 각각 별개의 공정을 통해 유전막들(3, 5)을 형성하더라도, 공정의 용이성을 확보할 수 있다. 예컨대, 상기 제1두께는 70㎛일 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 공정(S40)은, 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)을 포함할 수 있다. 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)은, 상기 지지본체(4)에 형성된 수용부(41, 도 5에 도시됨)에 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 삽입함으로써 이루어질 수 있다. 상기 수용부(41)는 상기 지지본체(4)의 상면에 일정 깊이로 가공된 홈으로 형성될 수 있다. 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)가 상기 수용부(41)에 삽입되면, 상기 제1유전막(3)의 상면 및 상기 제2유전막(5)의 상면은 하나의 평면(平面)을 이룰 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은 상기 기판 및 상기 유전막들(3, 5) 간에 간격이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 기판을 고정하기 위한 정전력이 더 증대된 기판지지장치(1)를 제조할 수 있다.
여기서, 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)은 상기 전극부(2)에서 상기 수용부(41)에 삽입되는 부분에도 상기 제1유전막(3)이 형성되도록 상기 전극부(2)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은 상기 수용부(41)가 형성된 지지본체(41)의 내면에도 상기 제2유전막(5)이 형성되도록 상기 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 수용부(41)는 상기 전극부(2)의 두께(2a, 도 5에 도시됨)에 상기 제1유전막(3)의 두께(3a)와 상기 제2유전막(5)의 두께(5a)를 합한 깊이(41a, 도 5에 도시됨)로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)은, 상기 제2유전막(5)이 형성된 수용부(41)에 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 삽입함으로써, 상기 제1유전막(3)의 상면과 상기 제2유전막(5)의 상면이 하나의 평면을 이루는 기판지지장치(1)를 제조할 수 있다.
도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법에 있어서, 상기 제1유전막(3, 도 4에 도시됨)과 상기 제2유전막(5, 도 4에 도시됨)은 유전막(10)을 이루도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 전극부(2)와 상기 지지본체(4)의 사이에 위치한 유전막(10)의 두께(10b, 10c)는 상기 지지본체(4)의 상면에 위치한 유전막(10)의 두께(10a)에 비해 더 두꺼울 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법은, 상기 유전막(10)의 두께를 달리하여 상기 전극부(2)와 상기 지지본체(4) 간의 절연 성능을 강화할 수 있음과 동시에 상기 전극부(2)가 정전력을 이용하여 상기 기판을 고정하는 고정력을 강화할 수 있도록 구현된다. 상기 유전막(10)은 상기 전극부(2)의 상면에 위치한 상부두께(10a), 상기 전극부(2)의 하면과 상기 지지본체(4)의 사이에 위치한 하부두께(10b), 및 상기 전극부(2)의 측면과 상기 지지본체(4)의 사이에 위치한 측면두께(10c)를 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 상부두께(10a)는 상기 하부두께(10b) 또는 상기 측면두께(10c)에 비해 더 얇을 수 있다.
도 2 내지 도 9를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법에 있어서, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20), 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30), 및 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 공정(S40)은 다음과 같이 구현될 수 있다.
우선, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)은, 전극부의 하면에 제1체결탭을 형성하는 공정(S22), 및 제1체결탭을 제1마스크로 가리는 공정(S23)을 포함할 수 있다.
상기 전극부의 하면에 제1체결탭을 형성하는 공정(S22)은, 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)이 수행되기 이전에 수행될 수 있다. 상기 전극부의 하면에 제1체결탭을 형성하는 공정(S22)은, 상기 전극부(2)의 하면(2b)에 상기 제1체결탭(21, 도 8에 도시됨)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1체결탭(21)이 형성된 전극부(2)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다.
상기 제1체결탭을 제1마스크로 가리는 공정(S23)은, 상기 전극부의 하면에 제1체결탭을 형성하는 공정(S22)을 수행한 이후, 그리고 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)이 수행되기 이전에 수행될 수 있다. 상기 제1체결탭을 제1마스크로 가리는 공정(S23)은, 상기 제1체결탭(21)을 상기 제1마스크(미도시)로 가림으로써 이루어질 수 있다. 상기 제1마스크는 상기 제1체결탭(21)에 상기 제1유전막(3)이 형성되는 것을 차단할 수 있다.
상기 제1체결탭을 제1마스크로 가리는 공정(S23)이 수행된 이후에, 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 공정(S21)은 상기 제1체결탭(21)이 상기 제1마스크로 가려진 전극부(2)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제1체결탭(21)에는 상기 제1유전막(3)이 형성되지 않는다. 또한, 상기 제1유전막(3)에는 상기 제1체결탭(21)에 연결된 제1통과공(31, 도 8에 도시됨)이 형성될 수 있다.
다음, 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은, 지지본체에 제2체결탭을 형성하는 공정(S32), 및 제2체결탭을 제2마스크로 가리는 공정(S33)을 포함할 수 있다.
상기 지지본체에 제2체결탭을 형성하는 공정(S32)은, 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)이 수행되기 이전에 수행될 수 있다. 상기 지지본체에 제2체결탭을 형성하는 공정(S32)은, 상기 수용부(41)에 연결되도록 상기 지지본체(4)에 상기 제2체결탭(42)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2체결탭(42)은 상기 지지본체(4)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(42)이 형성된 지지본체(4)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다.
상기 제2체결탭을 제2마스크로 가리는 공정(S33)은, 상기 지지본체에 제2체결탭을 형성하는 공정(S32)을 수행한 이후, 그리고 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)이 수행되기 이전에 수행될 수 있다. 상기 제2체결탭을 제2마스크로 가리는 공정(S33)은, 상기 제2체결탭(42)을 상기 제2마스크(미도시)로 가림으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2마스크는 상기 제2체결탭(42)에 상기 제2유전막(5)이 형성되는 것을 차단할 수 있다.
상기 제2체결탭을 제2마스크로 가리는 공정(S33)이 수행된 이후에, 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은 상기 제2체결탭(42)이 상기 제2마스크로 가려진 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제2체결탭(42)에는 상기 제2유전막(5)이 형성되지 않는다. 또한, 상기 제2유전막(5)에는 상기 제2체결탭(42)에 연결된 제2통과공(51)이 형성될 수 있다.
다음, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 공정(S40)은, 제1체결탭과 제2체결탭에 체결부를 체결하는 공정(S42)을 포함할 수 있다.
상기 제1체결탭과 상기 제2체결탭에 체결부를 체결하는 공정(S42)은, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)이 수행된 이후에 수행될 수 있다. 상기 제1체결탭과 제2체결탭에 체결부를 체결하는 공정(S42)은, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)의 수용부(41)에 삽입한 후에, 상기 체결부(6)를 상기 제1체결탭(21)과 상기 제2체결탭(42)에 체결함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)는 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)에 견고하게 결합될 수 있다. 상기 체결부(6)는 외면에 나사산이 형성된 것으로, 볼트 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)은, 상기 제1마스크 및 상기 제2마스크 모두가 제거된 상태에서 이루어질 수 있다. 상기 체결부(6)는 절연재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 체결부(6)는 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyether ether ketone)으로 형성될 수 있다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법에 있어서, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20), 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30), 및 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 공정(S40)은 다음과 같이 구현될 수 있다.
우선, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 공정(S20)은, 상술한 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법에서 설명한 것과 동일하게 구현될 수 있으므로, 구체적인 설명은 생략한다.
다음, 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은, 지지본체에 제2통과공을 형성하는 공정(S34), 및 제2유전막에 제2체결탭을 형성하는 공정(S35)을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법에 있어서 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 공정(S30)은, 상술한 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치의 제조방법과 대비할 때 제2마스크를 이용하지 않도록 구현된다.
상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 공정(S34)은, 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)이 수행되기 이전에 수행될 수 있다. 상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 공정(S34)은, 상기 수용부(41)에 연결되도록 상기 지지본체(4)에 상기 제2통과공(43)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2통과공(43)은 상기 지지본체(4)를 관통하도록 형성될 수 있다.
상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 공정(S34)이 수행된 이후에, 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)은 상기 제2통과공(43)이 형성된 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 도 11에 도시된 바와 같이 상기 제2통과공(43)에는 상기 제2유전막(5)이 형성될 수 있다.
상기 제2유전막에 제2체결탭을 형성하는 공정(S35)은 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 공정(S31)이 수행된 이후에 수행될 수 있다. 상기 제2유전막에 제2체결탭을 형성하는 공정(S35)은 상기 수용부(41)에 연결되도록 상기 제2유전막(5)에 상기 제2체결탭(52)을 형성함으로써 이루어질 수 있다. 상기 제2체결탭(52)은 상기 제2유전막(5)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(52)이 형성된 제2유전막(5)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(52)은 상기 제2통과공(43)의 내측에 위치하도록 배치될 수 있다.
다음, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 공정(S40)은, 제1체결탭과 제2체결탭에 체결부를 체결하는 공정(S42)을 포함할 수 있다.
상기 제1체결탭과 상기 제2체결탭에 체결부를 체결하는 공정(S42)은, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)이 수행된 이후에 수행될 수 있다. 상기 제1체결탭과 제2체결탭에 체결부를 체결하는 공정(S42)은, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)의 수용부(41)에 삽입한 후에, 상기 체결부(6)를 상기 제1체결탭(21)과 상기 제2체결탭(52)에 체결함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)는 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)에 견고하게 결합될 수 있다. 상기 체결부(6)는 외면에 나사산이 형성된 것으로, 볼트 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 공정(S41)은, 상기 제1마스크가 제거된 상태에서 이루어질 수 있다. 상기 체결부(6)가 상기 제2유전막(5)에 형성된 제2체결탭(52)에 체결되므로, 상기 제2유전막(5)은 상기 체결부(6) 및 상기 지지본체(4)를 절연시킨다. 이에 따라, 상기 체결부(6)가 절연재질로 형성되지 않더라도, 상기 전극부(2) 및 지지본체(4)는 상기 체결부(6)를 통해 전기적으로 연결되지 않도록 구현된다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판지지장치에 대한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 정전력을 이용하여 기판을 지지하는 것이다. 상기 기판은 태양전지, 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판에 대해 증착공정, 식각공정 등과 같이 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 동안 상기 기판을 지지한다. 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상술한 본 발명에 따른 기판지지장치 제조방법을 통해 제조될 수 있다. 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2), 상기 제1유전막(3), 상기 지지본체(4), 및 상기 제2유전막(5)을 포함할 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 전극부(2)는 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시키는 것이다. 상기 전극부(2)는 전원이 인가됨에 따라 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시킬 수 있다. 상기 전극부(2)는 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시킬 수 있는 형태이면 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 전극부(2)는 DC전극일 수 있다.
상기 전극부(2)는 3mm 이상의 두께(2a, 도 5에 도시됨)를 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2)의 두께(2a)가 3mm 이상으로 두껍게 형성될 수 있으므로, 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 증대시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판을 견고하게 고정할 수 있으므로, 상기 처리공정이 완료된 기판의 품질을 향상시키는데 기여할 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2)의 두께(2a)가 3mm 이상으로 두껍게 형성될 수 있으므로, 상기 전극부(2)를 애노다이징 처리하여 상기 제1유전막(3)을 형성하는 과정에서 상기 전극부(2)에 휨이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판 및 상기 유전막들(3, 5) 간의 간격을 감소시킬 수 있으므로, 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 더 증대시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판에 대한 온도조절기능을 갖추지 않도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2)의 두께(2a)가 3mm 이상으로 두껍게 형성되더라도, 상기 기판에 대한 처리공정에 영향을 미치지 않도록 구현될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 제1유전막(3)은 상기 전극부(2)에 형성된 것이다. 상기 제1유전막(3)은 상기 전극부(2)에 형성됨으로써, 상기 기판 및 상기 전극부(2)를 절연시킬 수 있다. 상기 기판은 상기 제1유전막(3)의 상면에 안착될 수 있다. 상기 제1유전막(3)은 상기 전극부(2)를 애노다이징 처리함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1유전막(3)은 상기 전극부(2)의 전면(全面)에 형성될 수도 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 지지본체(4)는 상기 기판을 지지하기 위한 것이다. 상기 지지본체(4)에는 상기 전극부(2)가 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 지지본체(4)는 상기 전극부(2)를 지지할 수 있다. 상기 지지본체(4)는 전체적으로 원반 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 기판을 지지할 수 있는 형태이면 직방체 형태 등과 같이 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 지지본체(4)는 상기 수용부(41)를 포함할 수 있다. 상기 수용부(41)는 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)가 삽입되는 것이다. 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)는 상기 수용부(41)에 삽입됨으로써, 상기 지지본체(4)에 결합될 수 있다. 상기 수용부(41)는 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)에 대응되는 형태로 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 제2유전막(5)은 상기 지지본체(4)에 형성된 것이다. 상기 제2유전막(5)은 상기 지지본체(4)에 형성됨으로써, 상기 기판 및 상기 지지본체(4)를 절연시킬 수 있다. 상기 기판은 상기 제2유전막(5)의 상면에 안착될 수 있다. 상기 제2유전막(5)은 상기 지지본체(4)를 애노다이징 처리함으로써 형성될 수 있다. 상기 제2유전막(5)은 상기 수용부(41)가 형성된 지지본체(4)의 내면을 포함하여 상기 지지본체(4)에 형성될 수 있다. 상기 제2유전막(5)은 상기 지지본체(4)의 전면(全面)에 형성될 수도 있다.
상기 제2유전막(5)이 형성된 수용부(41)에는 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)가 삽입될 수 있다. 이 경우, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)가 상기 제2유전막(5)이 형성된 수용부(41)에 삽입되면, 상기 제1유전막(3)의 상면 및 상기 제2유전막(5)의 상면은 하나의 평면을 이룰 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 기판 및 상기 유전막들(3, 5) 간에 간격이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 기판을 고정하기 위한 정전력을 더 증대시킬 수 있다. 이 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 수용부(41)는 상기 전극부(2)의 두께(2a)에 상기 제1유전막(3)의 두께(3a)와 상기 제2유전막(5)의 두께(5a)를 합한 깊이(41a)로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 수용부(41)는 상기 전극부(2)의 길이에 상기 제1유전막(3)의 두께(3a)와 상기 제2유전막(5)의 두께(5a)를 합한 길이로 형성되고, 상기 전극부(2)의 폭에 상기 제1유전막(3)의 두께(3a)와 상기 제2유전막(5)의 두께(5a)를 합한 폭으로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)는 상기 제2유전막(5)이 형성된 수용부(41) 내에서 진동, 흔들림 등에 의해 유동하지 않도록 견고하게 고정될 수 있다.
상기 제2유전막(5) 및 상기 제1유전막(3)은 서로 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2유전막(5) 및 상기 제1유전막(3)이 각각 상기 지지본체(4) 및 상기 전극부(2)에 대한 애노다이징 처리를 통해 형성되는 경우, 상기 지지본체(4) 및 상기 전극부(2)는 서로 동일한 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 지지본체(4) 및 상기 전극부(2) 각각을 동일한 전해질을 이용하는 등 동일한 공정조건으로 애노다이징 처리함으로써 상기 제2유전막(5) 및 상기 제1유전막(3)이 형성될 수 있으므로, 공정의 용이성이 확보되도록 구현될 수 있다.
도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2)를 복수개 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 지지본체(4)는 상기 수용부(41)를 복수개 포함할 수 있다. 상기 수용부(41)들은 서로 이격된 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 전극부(2)들은 상기 수용부(41)들 각각에 삽입됨으로써, 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2)들이 상기 기판의 서로 다른 부분을 정전력을 이용하여 고정함으로써, 상기 기판에 대한 고정력을 더 증대시킬 수 있다. 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 전극부(2)들을 이용하여 복수개의 기판을 고정하여 지지하도록 구현될 수도 있다.
도 6을 참고하면, 상기 제1유전막(3, 도 4에 도시됨)과 상기 제2유전막(5, 도 4에 도시됨)은 상기 유전막(10)을 이루도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 전극부(2)와 상기 지지본체(4)의 사이에 위치한 유전막(10)의 두께(10b, 10c)는 상기 지지본체(4)의 상면에 위치한 유전막(10)의 두께(10a)에 비해 더 두꺼울 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판지지장치(1)는 상기 유전막(10)의 두께를 달리하여 상기 전극부(2)와 상기 지지본체(4) 간의 절연 성능을 강화할 수 있음과 동시에 상기 전극부(2)가 정전력을 이용하여 상기 기판을 고정하는 고정력을 강화할 수 있다. 상기 유전막(10)은 상기 전극부(2)의 상면에 위치한 상부두께(10a), 상기 전극부(2)의 하면과 상기 지지본체(4)의 사이에 위치한 하부두께(10b), 및 상기 전극부(2)의 측면과 상기 지지본체(4)의 사이에 위치한 측면두께(10c)를 갖도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 상부두께(10a)는 상기 하부두께(10b) 또는 상기 측면두께(10c)에 비해 더 얇을 수 있다. 상기 유전막(10)은 상기 전극부(2)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 상기 전극부(2)가 DC전극인 경우, 상기 유전막(10)은 상기 DC전극을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 9를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치(1)는 상기 체결부(6)를 포함할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치(1)는 상술한 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법을 통해 제조될 수 있다.
상기 체결부(6)는 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)에 체결을 통해 결합시키는 것이다. 상기 체결부(6)는 상기 제1체결탭(21) 및 상기 제2체결탭(42)에 체결됨으로써, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2) 및 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)를 결합시킬 수 있다. 상기 체결부(6)는 절연재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 체결부(6)는 폴리에테르에테르케톤(PEEK)으로 형성될 수 있다.
상기 제1체결탭(21)은 상기 전극부(2)의 하면(2b)에 형성될 수 있다. 상기 제1체결탭(21)은 상기 전극부(2)의 하면(2b)에 일정 깊이로 형성된 홈으로 구현될 수 있다. 상기 제1체결탭(21)이 형성된 전극부(2)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 전극부(2)에는 상기 제1체결탭(21)이 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1체결탭(21)들은 서로 이격된 위치에 형성될 수 있다.
상기 전극부(2)의 하면(2b)에 상기 제1체결탭(21)이 형성된 경우, 상기 제1유전막(3)에는 상기 제1통과공(31, 도 8에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 체결부(6)는 상기 제1통과공(31)을 통해 상기 제1유전막(3)에 삽입되어서 상기 제1체결탭(21)에 체결될 수 있다.
상기 제2체결탭(42)은 상기 수용부(41)에 연결되도록 상기 지지본체(4)에 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(42)은 상기 지지본체(4)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(42)이 형성된 지지본체(4)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 지지본체(4)에는 상기 제2체결탭(42)이 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2체결탭(42)들은 서로 이격된 위치에 형성될 수 있다. 상기 지지본체(4)에는 상기 전극부(2)에 형성된 제1체결탭(21)과 동일한 개수의 제2체결탭(42)이 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(42)들 및 상기 제1체결탭(21)들 각각에는 상기 체결부(6)가 체결될 수 있다.
상기 지지본체(4)에 상기 제2체결탭(42)이 형성된 경우, 상기 제2유전막(5)에는 상기 제2통과공(51, 도 8에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 체결부(6)는 상기 제2통과공(51)을 통해 상기 제2유전막(5)에 삽입되어서 상기 제2체결탭(42)에 체결될 수 있다.
도 11을 참고하면, 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치(1)는 상기 체결부(6)를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치(1)는 상술한 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 기판지지장치 제조방법을 통해 제조될 수 있다.
상기 체결부(6)는 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2)를 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)에 체결을 통해 결합시키는 것이다. 상기 체결부(6)는 상기 제1체결탭(21) 및 상기 제2체결탭(52)에 체결됨으로써, 상기 제1유전막(3)이 형성된 전극부(2) 및 상기 제2유전막(5)이 형성된 지지본체(4)를 결합시킬 수 있다.
상기 제1체결탭(21)은 상기 전극부(2)의 하면(2b)에 형성될 수 있다. 상기 제1체결탭(21)은 상기 전극부(2)의 하면(2b)에 일정 깊이로 형성된 홈으로 구현될 수 있다. 상기 제1체결탭(21)이 형성된 전극부(2)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 전극부(2)에는 상기 제1체결탭(21)이 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1체결탭(21)들은 서로 이격된 위치에 형성될 수 있다.
상기 전극부(2)의 하면(2b)에 상기 제1체결탭(21)이 형성된 경우, 상기 제1유전막(3)에는 상기 제1통과공(31, 도 8에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 체결부(6)는 상기 제1통과공(31)을 통해 상기 제1유전막(3)에 삽입되어서 상기 제1체결탭(21)에 체결될 수 있다.
상기 제2체결탭(52)은 상기 수용부(41)에 연결되도록 상기 제2유전막(5)에 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(52)은 상기 제2유전막(5)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(52)이 형성된 제2유전막(5)의 내벽에는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 제2유전막(5)에는 상기 제2체결탭(52)이 복수개 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2체결탭(52)들은 서로 이격된 위치에 형성될 수 있다. 상기 제2유전막(5)에는 상기 전극부(2)에 형성된 제1체결탭(21)과 동일한 개수의 제2체결탭(52)이 형성될 수 있다. 상기 제2체결탭(52)들 및 상기 제1체결탭(21)들 각각에는 상기 체결부(6)가 체결될 수 있다. 상기 제2유전막(5)에 상기 제2체결탭(52)이 형성된 경우, 상기 지지본체(4)에는 상기 제2통과공(43)이 형성될 수 있다. 상기 제2유전막(5)은 상기 제2통과공(43)을 포함한 상기 지지본체(4)의 전면(全面)에 형성될 수 있다. 상기 체결부(6)가 상기 제2유전막(5)에 형성된 제2체결탭(52)에 체결되므로, 상기 제2유전막(5)은 상기 체결부(6) 및 상기 지지본체(4)를 절연시킨다. 이에 따라, 상기 체결부(6)가 절연재질로 형성되지 않더라도, 상기 전극부(2) 및 지지본체(4)는 상기 체결부(6)를 통해 전기적으로 연결되지 않도록 구현된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (11)

  1. 기판을 고정하기 위한 정전력을 발생시키는 전극부를 애노다이징(Anodizing) 처리하여 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계;
    상기 기판을 지지하기 위한 지지본체를 애노다이징 처리하여 상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계를 포함하고,
    상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는,
    상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 단계;
    상기 제2통과공이 형성된 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계; 및
    상기 제2유전막에 제2체결탭을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계는, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계는 상기 전극부의 전면(全面)에 상기 제1유전막이 형성되도록 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는 상기 지지본체의 전면(全面)에 상기 제2유전막이 형성되도록 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하는 것을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계는, 상기 제1유전막이 제1두께로 형성되도록 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는, 상기 제2유전막이 상기 제1두께로 형성되도록 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는, 수용부가 형성된 지지본체의 내면에도 상기 제2유전막이 형성되도록 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계는, 상기 전극부에서 상기 수용부에 삽입되는 부분에도 상기 제1유전막이 형성되도록 상기 전극부를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하며,
    상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계는, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 단계를 포함하고,
    상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 단계는, 상기 기판이 안착되는 상기 제1유전막의 상면과 상기 제2유전막의 상면이 하나의 평면(平面)을 이루도록 상기 전극부의 두께에 상기 제1유전막의 두께와 상기 제2유전막의 두께를 합한 깊이로 형성된 수용부에 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 삽입하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지본체에 제2유전막을 형성하는 단계는, 상기 전극부와 동일한 재질로 이루어진 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계는 상기 전극부에 상기 제1유전막을 형성하는 단계에서 사용하는 전해질과 동일한 전해질을 이용하여 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전극부에 제1유전막을 형성하는 단계는,
    상기 전극부의 하면에 제1체결탭을 형성하는 단계;
    상기 제1체결탭에 애노다이징 처리가 이루어지는 것을 차단하기 위해 상기 제1체결탭을 제1마스크로 가리는 단계;
    상기 제1체결탭이 제1마스크로 가려진 전극부를 애노다이징 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계는,
    상기 제1유전막과 상기 제1체결탭이 형성된 전극부를 상기 제2유전막과 상기 제2체결탭이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 단계; 및
    상기 제1체결탭 및 상기 제2체결탭에 체결부를 체결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지본체에 제2통과공을 형성하는 공정은 상기 지지본체를 애노다이징 처리하는 단계 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 전극부와 상기 지지본체의 사이에 위치한 유전막의 두께는 상기 지지본체의 상면에 위치한 유전막의 두께에 비해 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체에 결합시키는 단계는, 상기 제1유전막의 상면과 상기 제2유전막의 상면이 하나의 평면(平面)을 이루도록 상기 제1유전막이 형성된 전극부를 상기 제2유전막이 형성된 지지본체의 수용부에 삽입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치 제조방법.
KR1020230087032A 2017-12-11 2023-07-05 기판지지장치 제조방법 KR102678315B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230087032A KR102678315B1 (ko) 2017-12-11 2023-07-05 기판지지장치 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170169182A KR20190068922A (ko) 2017-12-11 2017-12-11 기판지지장치 및 그 제조방법
KR1020230087032A KR102678315B1 (ko) 2017-12-11 2023-07-05 기판지지장치 제조방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170169182A Division KR20190068922A (ko) 2017-12-11 2017-12-11 기판지지장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230107520A true KR20230107520A (ko) 2023-07-17
KR102678315B1 KR102678315B1 (ko) 2024-06-25

Family

ID=67104425

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170169182A KR20190068922A (ko) 2017-12-11 2017-12-11 기판지지장치 및 그 제조방법
KR1020230087032A KR102678315B1 (ko) 2017-12-11 2023-07-05 기판지지장치 제조방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170169182A KR20190068922A (ko) 2017-12-11 2017-12-11 기판지지장치 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR20190068922A (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5213349A (en) * 1991-12-18 1993-05-25 Elliott Joe C Electrostatic chuck
US5535507A (en) * 1993-12-20 1996-07-16 International Business Machines Corporation Method of making electrostatic chuck with oxide insulator
JP2005238097A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Oil Chem Co Ltd マスキング材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5213349A (en) * 1991-12-18 1993-05-25 Elliott Joe C Electrostatic chuck
US5535507A (en) * 1993-12-20 1996-07-16 International Business Machines Corporation Method of making electrostatic chuck with oxide insulator
JP2005238097A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Oil Chem Co Ltd マスキング材

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190068922A (ko) 2019-06-19
KR102678315B1 (ko) 2024-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006199998A (ja) 成膜装置、成膜方法
US20200168639A1 (en) Array substrate and method for fabricating the same, display panel, display device
JP6408936B2 (ja) めっき装置
KR20230107520A (ko) 기판지지장치 제조방법
TWI772135B (zh) 貫通電極基板及其製造方法
CN108682692A (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
JP2006002243A (ja) マスク、マスクの製造方法、成膜方法、電子デバイス、及び電子機器
KR101198005B1 (ko) 전해 도금장치
US20060292727A1 (en) Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method
KR20080010192A (ko) 서로 다른 전위면 사이의 갭에 완충 절연재가 삽입된기판처리장치
JPH11274087A (ja) シャワープレート
TWI570763B (zh) 蝕刻裝置
KR102670160B1 (ko) 기판처리장치
JP7254097B2 (ja) 基板処理装置
KR20130045081A (ko) 전기도금 장치
KR101503117B1 (ko) 경화장치
CN108989959A (zh) 驻极体麦克风及其制造方法、显示装置
JP2019014954A (ja) 原子層成長装置
KR20120104841A (ko) 정전 척 및 그것의 제조 방법
JP3149264U (ja) プラズマ処理装置
JP4831803B2 (ja) 基板処理装置
KR100721572B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 처리장치
JP4670383B2 (ja) 基板ホルダ、および光導波路のための膜を堆積する方法
KR20240058804A (ko) 쌍극형 정전척 캐리어의 구조화한 도전층 제조방법
KR20130070623A (ko) 정전 척 및 그것의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant