TWI772135B - 貫通電極基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

貫通電極基板係具備基板、設置於基板的複數孔、設置於孔的內部的孔電極部、設置於基板之第1面側的第1電極部、及設置於基板之第2面側的第2電極部。複數孔，係包含孔電極部於基板的第1面側中電性連接於第1電極部，且孔電極部於基板的第2面側中電性連接於第2電極部的複數第1孔，與孔電極部於基板的第1面側中從第1電極部電性絕緣，或者孔電極部於基板的第2面側中從第2電極部電性絕緣的複數第2孔。

Description

貫通電極基板及其製造方法
本發明的實施形態係關於貫通電極基板及其製造方法。
具備包含第1面及第2面的基板、設置於基板的複數孔、及以從基板的第1面側到第2面側之方式設置於孔的內部的電極部的構件即所謂貫通電極基板，在各種用途中被利用。例如專利文獻1係揭示將貫通電極基板利用來作為為了提升LSI的安裝密度而層積複數LSI晶片時介於兩個LSI晶片之間的互連體的範例。又，貫通電極基板也有介於LSI晶片等的元件與主板等的安裝基板之間之狀況。再者，於以下記載中，有將設置於孔的內部的電極部稱為孔電極部之狀況。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-3925號公報
於基板設置孔的話，於設置孔的區域中基板的剛性會降低，結果，於設置孔的區域中基板容易變形。換句話說，在基板中設置孔的區域與未設置孔的區域中，剛性及變形的容易度等不同。基板的剛性及變形容易度因為場所而不同時，基板容易發生翹曲及歪曲等。所以，於基板設置複數孔時，以基板的面內之孔的分布密度成為均勻之方式配置孔為佳。
一方，貫通電極基板的孔是因應LSI晶片等的元件之端子的佈局而設置。因此，在元件之端子的佈局存在偏頗不均時，貫通電極基板之孔的佈局也會偏頗不均。例如，貫通電極基板之孔的分部密部會變成不均勻。結果，貫通電極基板會發生翹曲及歪曲等的問題。
本發明的實施形態，係考慮此種問題點所發明者，目的為提供可抑制翹曲及歪曲等發生的貫通電極基板及其製造方法。
本發明的一實施形態是一種貫通電極基板，係具備：基板，係包含第1面及位於前述第1面之相反側的第2面，且設置有複數孔；孔電極部，係設置於前述基板之前述孔的內部；第1電極部，係設置於前述基板的前述第1面側；及第2電極部，係設置於前述基板的前述第2面側；前述複數孔，係包含：複數第1孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中電性連接前述第1電極部，且前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中電性連 接於前述第2電極部；及複數第2孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中從前述第1電極部電性絕緣，或者前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中從前述第2電極部電性絕緣。
於本發明的一實施形態所致之貫通電極基板中，前述第2孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中從前述第1電極部電性絕緣，且前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中從前述第2電極部電性絕緣亦可。
本發明的一實施形態所致之貫通電極基板，係具備設置於前述基板之前述第1面側的第1絕緣層，與設置於前述基板之前述第2面側的第2絕緣層；前述第2孔，係於前述基板的前述第1面側中藉由前述第1絕緣層覆蓋，或者於前述基板的前述第2面側中藉由前述第2絕緣層覆蓋亦可。
本發明的一實施形態所致貫通電極基板中，前述孔電極部，係包含設置於前述孔的側壁上的導電層；前述貫通電極基板，係更具備於前述孔的內部中比前述孔電極部更靠前述孔的中心側的填充構件亦可。
本發明的一實施形態所致之貫通電極基板，係具備設置於前述基板之前述第1面側的第1絕緣層，與設置於前述基板之前述第2面側的第2絕緣層；前述填充構件中設置於前述複數第2孔之前述填充構件的至少一部分，係連接於前述第1絕緣層或前述第2絕緣層亦可。
本發明的一實施形態是一種貫通電極基板的製造方法，係搭載具有複數端子的元件之貫通電極基板的製造方法，具備：準備包含第1面及位於前述第1面之相反側的第2面之基板的工程；決定形成於前述基板之複數孔的配置的配置工程；依據前述配置工程中決定的配置，於前述基板形成前述複數孔的孔形成工程；及於前述複數孔的內部形成孔電極部的孔電極部形成工程；前述配置工程，係具有決定電性連接於前述元件的前述端子之複數第1孔的配置的第1配置工程，與決定未連接於前述元件的前述端子之複數第2孔的配置的第2配置工程。
依據本發明的實施形態，可提供可抑制翹曲及歪曲發生的貫通電極基板。
10:貫通電極基板
12:基板
13:第1面
14:第2面
16:無孔區域
20:孔
20A:第1孔
20B:第2孔
21:側壁
22:孔電極部
23:中空部
24:底部
25:填充構件
26:間隙
31:第1電極部
32:第1配線
33:第1絕緣層
34:虛設配線
36:第2電極部
37:第2配線
38:第2絕緣層
39:虛設配線
41:種子層
41a:第1種子層
41b:第2種子層
42:電鍍層
42a:第1電鍍層
42b:第2電鍍層
42c:隆起部
43:光阻層
50:光裝置
51:受光元件
52:透鏡
53:元件
55:裝置
60:晶圓
[圖1]揭示第1實施形態相關之貫通電極基板的俯視圖。
[圖2A]從IIA-IIA方向觀看圖1之貫通電極基板的剖面圖。
[圖2B]放大揭示圖2A之貫通電極基板的孔電極部的剖面圖。
[圖3A]揭示於基板形成孔之工程的圖。
[圖3B]揭示於基板的第1面及第2面以及孔的側壁，形成種子層之工程的圖。
[圖3C]揭示於基板的第1面及第2面，部分地形成光阻層之工程的圖。
[圖3D]揭示於種子層上形成電鍍層之工程的圖。
[圖3E]揭示去除光阻層及種子層的一部分之工程的圖。
[圖3F]揭示於基板的第1面及第2面形成絕緣層之工程的圖。
[圖3G]揭示於基板的第1面及第2面形成電極部之工程的圖。
[圖4A]揭示第1實施形態的第1變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖4B]揭示第1實施形態的第1變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖5A]揭示於第1實施形態的第2變形例中，於孔的內部形成孔電極部之工程的圖。
[圖5B]揭示於第1實施形態的第2變形例中，於基板的第1面及第2面形成絕緣層之工程的圖。
[圖5C]揭示於第1實施形態的第2變形例中，於基板的第1面及第2面形成配線之工程的圖。
[圖5D]揭示於第1實施形態的第2變形例中，於基板的第1面及第2面形成電極部之工程的圖。
[圖6A]揭示於第1實施形態的第3變形例中，於基板的第1面及第2面形成配線之工程的圖。
[圖6B]揭示於第1實施形態的第3變形例中，於基板 的第1面及第2面形成絕緣層之工程的圖。
[圖6C]揭示於第1實施形態的第3變形例中，於基板的第1面及第2面形成電極部之工程的圖。
[圖7]揭示第2實施形態相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖8A]揭示於基板的第1面及第2面，形成絕緣層之工程的圖。
[圖8B]揭示於孔的內部，設置填充構件之工程的圖。
[圖9]揭示第2實施形態的第1變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖10]揭示第3實施形態相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖11A]揭示於基板的第2面側，形成第1種子層之工程的圖。
[圖11B]揭示於基板的第2面側，形成第1電鍍層之工程的圖。
[圖11C]揭示從基板的第1面側，於基板的第1面及孔的側壁，形成第2種子層之工程的圖。
[圖11D]揭示從基板的第1面側，於第2種子層上，形成第2電鍍層之工程的圖。
[圖11E]揭示去除基板的第1面上及第2面上的電鍍層及種子層之工程的圖。
[圖12A]揭示第4實施形態相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖12B]揭示第4實施形態的一變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖12C]揭示第4實施形態的一變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖13A]揭示第5實施形態相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖13B]揭示第5實施形態的一變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖13C]揭示第5實施形態的一變形例相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖14]揭示第6實施形態相關之貫通電極基板的剖面圖。
[圖15]總括揭示各實施形態中所說明之孔的變化的圖。
[圖16]揭示複數孔的配置之第1變形例的俯視圖。
[圖17]揭示複數孔的配置之第2變形例的俯視圖。
[圖18]揭示複數孔的配置之第3變形例的俯視圖。
[圖19]揭示圖18所示之貫通電極基板的一應用例的圖。
[圖20]揭示形成有開口部的貫通電極基板之一例的圖。
[圖21]揭示複數孔的配置之第3變形例的俯視圖。
[圖22]揭示於晶圓編排複數貫通電極基板之例的俯視圖。
[圖23]揭示將本發明的實施形態相關之貫通電極基板，利用來作為互連體之一例的圖。
[圖24]揭示搭載本發明的實施形態相關之貫通電極基板的產品之例的圖。
以下，針對本發明的實施形態相關之貫通電極基板的構造及其製造方法，一邊參照圖面一邊詳細說明。再者，以下所示之實施形態為本發明的實施形態之一例，本發明並不是限定於該等實施形態來解釋者。又，於本說明書中，「基板」、「基材」、「薄片」及「薄膜」等用語，僅依據稱呼的不同，並不是相互區別者。例如，「基板」及「基材」是也包含可稱為薄片及薄膜的構件的概念。進而，關於本說明書中所用，特定形狀及幾何學的條件以及該等程度，例如「平行」及「正交」等的用語及長度及角度之值等，並不限定於嚴密的意義上，可包含解釋為可期待相同功能之程度的範圍。又，於本實施形態所參照的圖面中，對於相同部分或具有相同功能的部分附加相同的符號或類似的符號，有省略其重複說明的狀況。又，圖面的尺寸比率，在說明的便利上有與實際比率不同之狀況，及從圖面省略構造的一部分之狀況。
[第1實施形態]
以下，參照圖1乃至圖3G，針對第1實施形態進行 說明。
貫通電極基板
首先，參照圖1及圖2A，針對本實施形態相關的貫通電極基板10進行說明。圖1係揭示貫通電極基板10的俯視圖。又，圖2A係從IIA-IIA方向觀看沿著一點鏈線切斷的圖1之貫通電極基板10的剖面圖。
貫通電極基板10係具備基板12、設置於基板12的複數孔、及設置於孔的內部的孔電極部22。再者，如後述般，孔至少包含第1孔20A及第2孔20B之兩種類的孔。於以下的說明中，在說明適合孔的構造中第1孔20A及第2孔20B雙方的構造時，將第1孔20A及第2孔20B雙方總稱為孔20。
又，貫通電極基板10係更具備設置於基板12的第1面13側的第1電極部31、第1配線32及第1絕緣層33、以及設置於基板12的第2面14側的第2電極部36、第2配線37及第2絕緣層38。
以下，針對貫通電極基板10的各構成要素進行說明。
(基板)
基板12係包含第1面13及位於第1面13之相反側的第2面14。基板12由具有一定絕緣性的材料所構成。例如，基板12係玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、樹 脂基體、矽基板、碳化矽基板、氧化鋁(Al2O3)基板、氮化鋁(AlN)基板、氧化鋯(ZrO2)基板等，或層積該等基板者。基板12係包含鋁基板、不鏽鋼基板等，由具有導電性的材料所構成的基板亦可。
基板12的厚度並未特別限制，但例如使用100μm以上且800μm以下之厚度的基板12為佳。更理想為基板12具有200μm以上且600μm以下的厚度。藉由將基板12的厚度設為100μm以上，可抑制基板12的彎曲變大。因此，可抑制製造工程之基板12的處裡變得困難，或起因於形成在基板12上之薄膜等的內部應力而基板12翹曲之狀況。又，藉由將基板12的厚度設為800μm以下，可抑制於基板12形成孔20的工程所需時間變長，貫通電極基板10的製造成本提高之狀況。
(孔)
孔20係以從基板12的第1面13到第2面14之方式設置於基板12。換句話說，孔20係貫通基板12。孔20的直徑係例如20μm以上且150μm以下的範圍內。又，鄰接之兩個孔20之間的間隔，亦即孔20的排列間距，係例如50μm以上且300μm以下的範圍內。
(孔電極部)
孔電極部22係設置於孔20的內部，且具有導電性的構件。例如，孔電極部22係如圖2A所示，以從第1面 13側到第2面14側為止之方式，沿著孔20的側壁21延伸的導電層。於複數孔20中後述之第1孔20A中，孔電極部22透過孔20，電性連接設置於基板12之第1面13側的第1電極部31，與設置於基板12之第2面14側的第2電極部36。
針對孔電極部22的構造之一例，參照圖2B進行說明。圖2B係放大揭示孔電極部22的剖面圖。孔電極部22係包含設置於孔20之側壁21上的導電層。只要導電層具有導電性，導電層的形成方法並未特別限定。例如，導電層係利用蒸鍍法或濺鍍法等的物理成膜法來形成亦可，利用化學成膜法或電鍍法來形成亦可。又，導電層係由1個層構成亦可，或者包含複數層亦可。於本實施形態中，針對孔電極部22的導電層包含種子層41，與設置於種子層41上的電鍍層42之例進行說明。
種子層41係在形成電鍍層42的電鍍工程時，成為用以析出電鍍液中的金屬離子而使電鍍層42成長的基台且具有導電性之層。作為種子層41的材料，理想是使用具有對於基板12的材料之高密接性的導電性材料。例如，作為種子層41的材料，可使用鈦、鉬、鎢、鉭、鎳、鉻、鋁、該等化合物、該等合金等，或層積該等者。
堆積於種子層41的電鍍層42包含銅時，作為種子層41的材料，理想是使用抑制銅擴散至基板12的內部的材料。例如，可使用氮化鈦、氮化鉬、氮化鉭等， 或層積該等者。種子層41的厚度，係例如20nm以上且500nm以下的範圍內。
電鍍層42係為了提升孔電極部22的導電性而設置於種子層41上的具有導電性之層。作為電鍍層42的材料，理想是使用具有對於種子層41之高密接性，且具有高導電性的導電性材料。例如，作為電鍍層42的材料，可使用銅、金、銀、白金、銠、錫、鋁、鎳、鉻等的金屬，或使用該等的合金等，或者層積該等者。電鍍層42的厚度係例如1μm以上且10μm以下的範圍內。
電鍍層42的厚度，係因應對於孔電極部22所要求的導電性來訂定。例如，在孔電極部22是用以導通電源線或接地線的構件時，使用具有充分厚度的電鍍層42。又，孔電極部22是用以導通微弱的電性訊號的構件時，使用具有微厚度的電鍍層42亦可。或者，雖未圖示，不設置電鍍層42，僅將種子層41設置於孔20亦可。
如圖2A及圖2B所示，孔電極部22的電鍍層42，係以於孔20的內部形成中空部23之方式，設置於種子層41上亦可。所謂中空部23，係指孔20的內部之區域中不存在種子層41或電鍍層42等的固體的區域。
又，如後述般，孔電極部22填充於孔20之內部的全區域亦可。
(電極部)
第1電極部31及第2電極部36係分別是貫通電極基板10中安裝貫通電極基板10的元件或連接於安裝基板的端子的部分，也稱為焊墊或島墊的部分。第1電極部31係於基板12的第1面13側中露出於貫通電極基板10的表面。又，第2電極部36係於基板12的第2面14側中露出於貫通電極基板10的表面。作為電極部31、36的材料，使用金屬等，具有導電性的材料。例如，電極部31、36係包含藉由將包含金的電鍍液供給至基板12所形成的金電鍍層。
(配線)
第1配線32係以電性連接孔電極部22與第1電極部31之方式設置於基板12的第1面13側的導電層。同樣地，第2配線37係以電性連接孔電極部22與第2電極部36之方式設置於基板12的第2面14側的導電層。作為配線32、37的材料，使用金屬等，具有導電性的材料。
配線32、37具有與孔電極部22相同的層構造亦可。例如，如圖2B所示，孔電極部22包含種子層41及電鍍層42時，配線32、37也包含種子層41及電鍍層42亦可。又，雖未圖示，配線32、37係包含與孔電極部22不同構造的導電層亦可。
(絕緣層)
第1絕緣層33係以覆蓋基板12的第1面13的區域 中不需要來自外部之電性連結的區域之方式，設置於第1面13上的具有絕緣性之層。例如，如圖2A所示，第1絕緣層33係覆蓋複數孔20中，至少孔電極部22未電性連接於第1電極部31的孔20。又，第2絕緣層38係以覆蓋基板12的第2面14的區域中不需要來自外部之電性連結的區域之方式，設置於第2面14上的具有絕緣性之層。例如，如圖2A所示，第2絕緣層38係覆蓋複數孔20中，至少孔電極部22未電性連接於第2電極部36的孔20。作為絕緣層33、38，使用環氧樹脂等的樹脂材料、氧化矽等的無機材料、負型感光性乾膜光阻等之具有絕緣性的材料。
如圖2A所示，於第1絕緣層33，形成用以使第1配線32或孔電極部22從第1絕緣層33露出的開口部。上述的第1電極部31係以連接於第1配線32或孔電極部22之方式設置於第1絕緣層33的開口部。同樣地，於第2絕緣層38，形成用以使第2配線37或孔電極部22從第2絕緣層38露出的開口部。上述的第2電極部36係以連接於第2配線37或孔電極部22之方式設置於第2絕緣層38的開口部。
如圖1及圖2A所示，複數孔20的一部分，係電性連接於電極部31、36，複數孔20的其他一部分，並未電性連接於電極部31、36。於本實施形態中，將複數孔20中設置於孔20的孔電極部22於基板12的第1面13側中電性連接於第1電極部31，且設置於孔20的孔電 極部22於基板12的第2面14側中電性連接於第2電極部36的孔20稱為第1孔20A。設置於第1孔20A的孔電極部22具有作為電性連接第1電極部31與第2電極部36的貫通電極的功能。又，將複數孔20中設置於孔20的孔電極部22於基板12的第1面13側中從第1電極部31電性絕緣，且設置於孔20的孔電極部22於基板12的第2面14側中從第2電極部36電性絕緣的孔20稱為第2孔20B。
於本實施形態中，設置於第2孔20B的孔電極部22，藉由於第1面13側中第1絕緣層33覆蓋第2孔20B，從第1電極部31絕緣。又，設置於第2孔20B的孔電極部22，藉由於第2面14側中第2絕緣層38覆蓋第2孔20B，從第2電極部36絕緣。再者，將第2孔20B的孔電極部22從電極部31、36電性絕緣的方法並不限定於上述的方法。例如，雖未圖示，但藉由在孔電極部22與電極部31、36之間設置間隙，將孔電極部22從電極部31、36電性絕緣亦可。
於本實施形態中，複數第1孔20A沿著基板12的外緣並排配置。另一方面，複數第2孔20B配置於比配置複數第1孔20A的區域更靠內側的區域。包含複數第1孔20A及複數第2孔20B的複數孔20，係如圖1所示，於俯視中複數孔20以沿著基板12的外緣延伸的方向並排之方式配置。
以下，針對將第1孔20A及第2孔20B之兩 種類的孔設置於基板12的優點進行說明。
上述的第1孔20A是為了將電力或電性訊號在基板12的第1面13側與第2面14側之間傳達而設置於基板12的孔。於先前的貫通電極基板中，第1孔20A因應LSI晶片等的元件之端子的佈局而設置於基板12。此時，在元件之端子的佈局存在偏頗不均時，基板12之第1孔20A的佈局也會偏頗不均。例如，基板12之複數第1孔20A的分布密度不均勻。結果，基板12會發生翹曲及歪曲等的問題。因此，於將第1孔20A形成於基板12之後的貫通電極基板10的製造工程或利用貫通電極基板10之產品的製造工程中，會發生基板12的搬送不良，或難以進行基板12的處理。
相對於此，依據本實施形態，貫通電極基板10係除了上述的複數第1孔20A之外，更具備複數第2孔20B。設置於第2孔20B的孔電極部22，被第1絕緣層33及第2絕緣層38覆蓋，所以，第2孔20B不會有助於第1面13側與第2面14側之間的電力或電性訊號的傳達。亦即，第2孔20B不是發揮電性功能的孔。藉由將此種第2孔20B設置於基板12，可不依存於複數第1孔20A的佈局，讓基板12之孔20的分布密度更均勻。藉此，可抑制基板12的鋼性或變形容易度等因為場所而不均勻之狀況。藉此，於貫通電極基板10的製造工程或利用貫通電極基板10之產品的製造工程中，可抑制基板12發生翹曲或歪曲等的狀況。
理想來說，複數孔20以基板12的第1面13及第2面14之孔20的分布密度不依存於場所而成為均勻之方式形成於基板12。例如，於面方向中假設將基板12N等分時，形成於N個區域之孔20的數量，成為平均值±20%的範圍內。在此，N為適切的整數，例如16。理想來說，複數孔20分別具有相等的容積。
貫通電極基板的製造方法
以下，針對貫通電極基板10的製造方法之一例，參照圖3A乃至圖3G進行說明。
首先，實施設計複數孔20的配置的設計工程。例如，於電腦上，假設地配置基板12。接下來，於電腦上，實施決定基板12之複數孔20的配置的配置工程。
於配置工程中，首先，實施決定與搭載於貫通電極基板10之元件的複數端子電性連接之複數第1孔20A的配置的第1配置工程。接下來，實施決定未電性連接於元件的複數端子之複數第2孔20B的配置的第2配置工程。第2配置工程，係將複數第2孔20B的配置，以第2孔20B不重疊於第1孔20A，且包含複數第1孔20A及複數第2孔20B的複數孔20的分布密度於基板12的面方向中成為均勻之方式決定。
之後，準備決定12，接下來，如圖3A所示，實施依據配置工程中所決定的配置，對基板12進行 加工，於基板12形成複數孔20A、20B的孔形成工程。例如雖未圖示，首先，以光阻層覆蓋基板12的面13、14中未形成孔20A、20B的區域。接下來，去除基板12的面13、14中未被光阻層覆蓋的區域，形成複數孔20A、20B。作為去除未被光阻層覆蓋的區域的方法，可使用反應性離子蝕刻法、深反應性離子蝕刻法等的乾式蝕刻法、濕式蝕刻法等。
作為濕式蝕刻法所用的蝕刻液，可使用氟化氫(HF)、硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、鹽酸(HCl)的任一，或該等中的混合物。
作為乾式蝕刻法，可使用利用電漿的乾式蝕刻RIE(Reactive Ion Etching)法、利用波希法的DRIE(Deep Reactive Ion EtchingRIE)法、噴砂法、雷射剝蝕等的雷射加工等。
作為雷射加工所用的雷射，可使用準分子雷射、Nd：YAG雷射、飛秒雷射等。採用Nd：YAG雷射時，可使用波長為1064nm的基本波、波長為532nm的第2高諧波、波長為355nm的第3高諧波等。
又，也可適當組合雷射照射與濕式蝕刻。具體來說，首先，藉由雷射照射，於基板12中應形成孔20A、20B的區域，形成改質層。接下來，將基板12浸漬於氟化氫等，對改質層進行蝕刻。藉此，可於基板12形成孔20A、20B。
接下來，實施於基板12的孔20A、20B的內 部，形成孔電極部22的孔電極部形成工程。例如，首先如圖3B所示，於基板12的第1面13及第2面14以及孔20A、20B的側壁21，形成種子層41。作為形成種子層41的方法，例如，可使用蒸鍍法或濺鍍法等的物理成膜法，或化學成膜法等。
接下來，如圖3C所示，實施於基板12的第1面13上及第2面14上部分地形成光阻層43的光阻層形成工程。光阻層形成工程，係以基板12的第1面13及第2面14中未設置第1配線32及第2配線37的區域被光阻層43覆蓋之方式，形成光阻層43。
接下來，如圖3D所示，實施對基板12供給電鍍液，於種子層41上形成電鍍層42的電鍍工程。接下來，如圖3E所示，去除光阻層43及藉由光阻層43覆蓋的種子層41。如此一來，將包含種子層41及電鍍層42的孔電極部22，形成於孔20A、20B的內部。
此時，如圖3E所示，包含種子層41及電鍍層42，設置於基板12的第1面13側的第1配線32，與包含種子層41及電鍍層42，設置於基板12的第2面14側的第2配線37，和孔電極部22同時獲得。
接下來，如圖3F所示，實施於基板12的第1面13上形成第1絕緣層33，於基板12的第2面14上形成第2絕緣層38的絕緣層形成工程。第1絕緣層33係以使設置於第1孔20A的孔電極部22或連接於孔電極部22的第1配線32露出於外部，且覆蓋設置於第2孔20B的 孔電極部22或連接於孔電極部22的第1配線32之方式形成。同樣地，第2絕緣層38係以使設置於第1孔20A的孔電極部22或連接於孔電極部22的第2配線37露出於外部，且覆蓋設置於第2孔20B的孔電極部22或連接於孔電極部22的第2配線37之方式形成。
於絕緣層形成工程中，例如首先，將具有支持層，與包含設置於支持層上之絕緣性材料的絕緣層的薄膜，分別貼附於基板12的第1面13及第2面14。接下來，從絕緣層剝離貼附於基板12之薄膜的支持層。接下來，於絕緣層，加工用以使連接於第1孔20A之孔電極部22的配線32、37露出於外部的開口部。如此一來，可獲得圖3F所示的絕緣層33、38。
再者，雖未圖示，但於絕緣層形成工程中，藉由將包含絕緣性材料的液體塗布於基板12，之後讓液體固化，形成絕緣層33、38亦可。
接下來，如圖3G所示，實施於絕緣層33、38的開口部形成電極部31、36的電極部形成工程。例如，首先藉由電鍍法或濺鍍法等形成金屬層，接下來，藉由蝕刻法等對金屬層進行圖案化，藉此，於絕緣層33、38的開口部形成電極部31、36。如此一來，可獲得具備設置有電性連接於電極部31、36之孔電極部22的複數第1孔20A，與設置有從電極部31、36電性絕緣之孔電極部22的複數第2孔20B的貫通電極基板10。
依據本實施形態，藉由將複數第1孔20A及 複數第2孔20B形成於基板12，可讓基板12之孔20A、20B的分布密度更均勻。因此，電鍍工程時，即使於孔20A、20B的周圍中電鍍液的溫度及流向產生不均或凌亂之狀況中，也可讓此種不均或凌亂於基板12之面方向的各處中變得均勻。所以，可抑制電鍍層42的厚度因為場所而不均，或電鍍層42發生凹凸之狀況。藉此，可抑制起因於電鍍層42之厚度的不均勻的翹曲或歪曲發生於基板12之狀況。
(第1變形例)
於上述之本實施形態中，已揭示第1孔20A及第2孔20B之任一，都是從基板12的第1面13側貫通至第2面14側的貫通孔之範例。然而，並不限於此，第2孔20B是不貫通基板12的非貫通孔亦可。例如，如圖4A所示，第2孔20B是以不到達基板12的第2面14之方式形成於第1面13的非貫通孔亦可。又，第2孔20B係如圖4B所示，以不到達基板12的第1面13之方式形成於第2面14的非貫通孔亦可。在第2孔20B是非貫通孔時，第2孔20B包含側壁21及底部24。孔電極部22設置於側壁21上及底部24上。
即使第2孔20B是非貫通孔之狀況中，也可藉由除第1孔20A之外，也將第2孔20B設置於基板12，讓基板12之孔20A、20B的分布密度更均勻。藉此，可抑制基板12的鋼性或變形容易度等因為場所而不 均勻之狀況。藉此，於貫通電極基板10的製造工程或利用貫通電極基板10之產品的製造工程中，可抑制基板12發生翹曲或歪曲等的狀況。
(第2變形例)
於上述之本實施形態中，已揭示與孔電極部22同時形成具有與孔電極部22相同之層構造的配線32、37的範例。但是，並不限定於此，以與孔電極部22不同的時機，形成與孔電極部22不同構造的配線32、37亦可。以下，針對本變形例之貫通電極基板10的製造方法，參照圖5A乃至圖5D進行說明。
首先，與上述之本實施形態之狀況同樣地，於基板12的孔20A、20B形成種子層41及電鍍層42，獲得上述之圖3E所示之狀態的中間產品。接下來，如圖5A所示，去除種子層41及電鍍層42中存在於基板12的第1面13上及第2面14上的部份。作為去除第1面13上及第2面14上的種子層41及電鍍層42的方法，例如可使用化學機械研磨法。
接下來，如圖5B所示，實施於基板12的第1面13上形成第1絕緣層33，於基板12的第2面14上形成第2絕緣層38的絕緣層形成工程。第1絕緣層33係以使設置於第1孔20A的孔電極部22露出於外部，且覆蓋設置於第2孔20B的孔電極部22之方式形成。同樣地，第2絕緣層38係以使設置於第1孔20A的孔電極部 22露出於外部，且覆蓋設置於第2孔20B的孔電極部22之方式形成。
接下來，如圖5C所示，實施於基板12的第1面13上形成第1配線32，於基板12的第2面14上形成第2配線37配線形成工程。例如，於絕緣層33、38的開口部，形成連接於第1孔20A之孔電極部22的配線32、37。此時，雖未圖示，但形成未連接於第1孔20A之孔電極部22的配線32、37亦可。此時，於絕緣層33、38，在未對應第1孔20A之處，設置有用以形成配線32、37的開口部。
接下來，如圖5D所示，實施形成連接於配線32、37的電極部31、36的電極部形成工程。如此一來，可獲得具備設置有電性連接於電極部31、36之孔電極部22的複數第1孔20A，與設置有從電極部31、36電性絕緣之孔電極部22的複數第2孔20B的貫通電極基板10。
於本變形例中，如上所述，實施藉由化學機械研磨法，去除種子層41及電鍍層42中存在於基板12的第1面13上及第2面14上的部份的工程。也就是於化學機械研磨法中，對應去除的部分施加壓力。此時，被施加壓力的部分，在此電鍍層42的厚度因為場所而不均勻，或電鍍層42產生凹凸的話，施加於電鍍層42的壓力會因場所而不均勻。結果，電鍍層42及種子層41被不均勻地去除。例如，可想到因場所而無法充分去除電鍍層42及種子層41，產生導電性材料的殘渣。
在此，於本變形例中，藉由將複數第1孔20A及複數第2孔20B形成於基板12，可抑制電鍍層42的厚度因場所而不均勻，或於電鍍層42產生凹凸之狀況。因此，實施化學機械研磨法時，可抑制施加於基板12的第1面13及第2面14的壓力因場所而不均勻的狀況。藉此，可抑制產生導電性材料的殘渣之狀況。
(第3變形例)
於上述之第2變形例的形態中，已揭示形成絕緣層33、38之後形成配線32、37的範例。但是，並不限定於此，形成配線32、37之後形成絕緣層33、38亦可。以下，針對本變形例之貫通電極基板10的製造方法，參照圖6A乃至圖6C進行說明。
首先，與上述之第2變形例的狀況同樣地，獲得上述圖5A所示之狀態的中間產品。接下來，如圖6A所示，實施於基板12的第1面13上形成第1配線32，於基板12的第2面14上形成第2配線37配線形成工程。例如，於第1面13上及第2面14上，形成連接於第1孔20A之孔電極部22的配線32、37。此時，雖未圖示，但形成未連接於第1孔20A之孔電極部22的配線32、37亦可。
接下來，如圖6B所示，實施於基板12的第1面13上形成第1絕緣層33，於基板12的第2面14上形成第2絕緣層38的絕緣層形成工程。第1絕緣層33係 以使連接在設置於第1孔20A的孔電極部22的第1配線32露出於外部，且覆蓋連接在設置於第2孔20B的孔電極部22的第1配線32之方式形成。同樣地，第2絕緣層38係以使連接在設置於第1孔20A的孔電極部22的第2配線37露出於外部，且覆蓋連接在設置於第2孔20B的孔電極部22的第2配線37之方式形成。
接下來，如圖6C所示，實施於絕緣層33、38的開口部形成電極部31、36的電極部形成工程。如此一來，可獲得具備設置有電性連接於電極部31、36之孔電極部22的複數第1孔20A，與設置有從電極部31、36電性絕緣之孔電極部22的複數第2孔20B的貫通電極基板10。
即使於本變形例中，也藉由將複數第1孔20A及複數第2孔20B形成於基板12，抑制電鍍層42的厚度因場所而不均勻，或於電鍍層42產生凹凸之狀況。因此，實施化學機械研磨法時，可抑制施加於基板12的第1面13及第2面14的壓力因場所而不均勻的狀況。藉此，可抑制產生導電性材料的殘渣之狀況。
[第2實施形態]
接著，參照圖7乃至圖9，針對第2實施形態進行說明。第2實施形態僅於孔20A、20B填充填充構件25之處不同，其他構造與上述之第1實施形態大略相同。於第2實施形態中，對於與第1實施形態相同部分，附加相同 符號而省略詳細說明。又，於第1實施形態中所獲得之作用效果於本實施形態中也明顯可獲得時，有省略其說明之狀況。
圖7係揭示本實施形態相關之貫通電極基板10的剖面圖。貫通電極基板10係更具備於孔20A、20B中設置於比孔電極部22更靠孔20A、20B的中心側的填充構件25。再者，「設置於中心側」係代表於孔20A、20B的內部中，填充構件25與側壁21之間的距離大於孔電極部22與側壁21之間的距離。填充構件25係例如包含聚醯亞胺、苯並環丁烯等的絕緣性樹脂材料、氧化矽或氮化矽等的無機材料。
以下，針對於孔20A、20B的內部設置填充構件25的優點進行說明。
於貫通電極基板10的製造工程中，形成孔20A、20B及孔電極部22之後，有實施將包含金的電鍍液等供給至基板12，形成電極部31、36的工程之狀況。此時，孔20A、20B存在中空部23的話，浸入基板12與絕緣層33、38之間的間隙等的電鍍液，會進入孔20A、20B的中空部23。
又，在實施藉由化學機械研磨法來去除種子層41及電鍍層42等的導電層中存在於基板12的第1面13上及第2面14上的部分的工程時，也會有導電性材料的屑等作為殘渣而殘留於孔20A、20B的中空部23之狀況。
又，作為貫通電極基板10的用途之一，首先，有於貫通電極基板10上搭載元件，接下來以樹脂封止元件，製作出裝置的用途。此時，將包含樹脂的液體供給至貫通電極基板10上，並使液體固化，藉此形成封止元件的樹脂。此時，孔20A、20B存在中空部23的話，浸入基板12與絕緣層33、38之間的間隙等的包含樹脂的液體，會進入孔20A、20B的中空部23。
相對於此，依據本變形例，藉由於孔20A、20B的內部設置填充構件25，可抑制不需要的物質進入孔20A、20B的內部之狀況。藉此，可提升貫通電極基板10及利用貫通電極基板10之產品的良率，提升貫通電極基板10的品質。
貫通電極基板的製造方法
以下，針對貫通電極基板10的製造方法之一例，參照圖8A及圖8B進行說明。
首先，與上述之本實施形態之狀況同樣地，於基板12的孔20A、20B形成種子層41及電鍍層42，獲得上述之圖3E所示之狀態的中間產品。接下來，如圖8A所示，於基板12的第1面13上設置第1絕緣層33。具體來說，首先，準備包含第1絕緣層33及支持層的薄膜。接下來，在周圍的氣氛的壓力為第1壓力的環境下，將薄膜貼附於基板12的第1面13，於第1面13上設置第1絕緣層33。同樣地，於基板12的第2面14上設置 第2絕緣層38。
接下來，將設置第1絕緣層33及第2絕緣層38的基板12，配置於周圍的氣氛的壓力比上述之第1壓力還高的第2壓力的環境。結果，依據孔20A、20B之內部的壓力與絕緣層33、38之周圍的壓力的差，如圖8B所示，絕緣層33、38被押入孔20A、20B的內部。如此一來，可於孔20A、20B的內部設置填充構件25。
之後，於絕緣層33、38形成開口部，於絕緣層33、38的開口部形成電極部31、36。如此一來，可獲得於孔20A、20B的內部設置填充構件25的貫通電極基板10。
只要第2壓力比第1壓力高，第1壓力及第2壓力的具體值並未特別限制。例如，第1壓力為300Torr以下，第2壓力為大氣壓。又，第1壓力與第2壓力的差為460Torr以上。再者，第1壓力與第2壓力的差較小時，及絕緣層33、38的流動性較低時，如圖9所示，孔20A、20B的內部未完全被填充構件25填充，有殘留間隙26之狀況。
再者，如上述之本實施形態中，揭示構成被填充於孔20A、20B的填充構件25的絕緣性材料，與構成覆蓋基板12的第1面13及第2面14的絕緣層33、38的絕緣性材料相同的範例。但是，並不限定於此，構成填充構件25的絕緣性材料，與構成絕緣層33、38的絕緣性材料不同亦可。
又，於本實施形態中，也與上述之第1實施形態的第1變形例之狀況相同，複數第2孔20B包含非貫通孔亦可。又，於本實施形態中，也與上述之第1實施形態的第2變形例或第3變形例之狀況相同，形成孔電極部22、配線32、37及絕緣層33、38的順序並未特別限制。
[第3實施形態]
接著，參照圖10乃至圖11E，針對第3實施形態進行說明。
第3實施形態僅於孔20A、20B填充孔電極部22之處不同，其他構造與上述之第1實施形態大略相同。於第3實施形態中，對於與第1實施形態相同部分，附加相同符號而省略詳細說明。又，於第1實施形態中所獲得之作用效果於本實施形態中也明顯可獲得時，有省略其說明之狀況。
圖10係揭示本實施形態相關之貫通電極基板10的剖面圖。於本實施形態中，孔電極部22填充於孔20A、20B的內部。如此藉由以固體填充孔20A、20B的內部，即使於本實施形態中，也上述之第2實施形態之狀況相同，可抑制不需要的物質進入孔20A、20B的內部之狀況。
貫通電極基板的製造方法
以下，針對貫通電極基板10的製造方法之一例，參 照圖11A乃至圖11E進行說明。
首先，與上述之本實施形態之狀況同樣地，於基板12形成複數孔20A、20B，獲得上述之圖3A所示之狀態的中間產品。接下來，如圖11A所示，於基板12的第2面14側形成第1種子層41a。具體來說，於基板12的第2面14上及孔20A、20B的側壁21中連接於第2面14的部分，形成第1種子層41a。作為形成第1種子層41a的方法，與種子層41之狀況相同，可使用蒸鍍法或濺鍍法等的物理成膜法，或化學成膜法等。
接下來，如圖11B所示，對基板12供給電鍍液，於第1種子層41a上形成第1電鍍層42a。此時，如圖11B所示，藉由於電場密度高的孔20A、20B的部分中，第1電鍍層42a集中性地析出於第1種子層41a上，於第2面14側中可藉由第1電鍍層42a封堵孔20A、20B。
接下來，如圖11C所示，從基板12的第1面13側到基板12的第1面13上及孔20A、20B的側壁21上，形成第2種子層41b。作為形成第2種子層41b的方法，與種子層41及第2種子層41b之狀況相同，可使用蒸鍍法或濺鍍法等的物理成膜法，或化學成膜法等。
接下來，如圖11D所示，對基板12供給電鍍液，於第2種子層41b上及第1電鍍層42a上形成第2電鍍層42b。該工程係例如圖11D所示，實施到於對應孔20A、20B的場所中在第1面13側隆起的隆起部42c形成 於第2電鍍層42b為止。
接下來，如圖11E所示，去除種子層41a、41b及電鍍層42a、42b中存在於基板12的第1面13上及第2面14上的部份。作為去除第1面13上及第2面14上的種子層41a、41b及電鍍層42a、42b的方法，例如可使用化學機械研磨法。
之後，於基板12的第1面13上及第2面14上，形成配線32、37、絕緣層33、38及電極部31、36。如此一來，可獲得於孔20A、20B的內部填充孔電極部22的貫通電極基板10。
於本實施形態中，如上所述，實施藉由化學機械研磨法，去除種子層41a、41b及電鍍層42a、42b中存在於基板12的第1面13上及第2面14上的部份的工程。在此，於本變形例中，藉由將複數第1孔20A及複數第2孔20B形成於基板12，可讓形成於對應孔20A、20B的場所之第2電鍍層42b的隆起部42c，更均勻地分布於基板12的第1面13上。因此，實施化學機械研磨法時，可抑制施加於第2電鍍層42b的壓力因場所而不均勻的狀況。藉此，可抑制產生導電性材料的殘渣之狀況。
再者，於本實施形態中，也與上述之第1實施形態的第1變形例之狀況相同，複數第2孔20B包含非貫通孔亦可。又，於本實施形態中，也與上述之第1實施形態的第2變形例或第3變形例之狀況相同，形成孔電極部22、配線32、37及絕緣層33、38的順序並未特別限 制。
[第4實施形態]
接著，參照圖12A，針對第4實施形態進行說明。第4實施形態僅孔20B的孔電極部22連接於第1電極部31或第2電極部36之處不同，其他構造與上述之第1實施形態大略相同。於第4實施形態中，對於與第1實施形態相同部分，附加相同符號而省略詳細說明。又，於第1實施形態中所獲得之作用效果於本實施形態中也明顯可獲得時，有省略其說明之狀況。
於本實施形態中，第2孔20B係界定為孔電極部22於基板12的第1面13側或第2面14側的一方中電性連接於電極部，且於第1面13側或第2面14側的另一方中從電極部電性絕緣的孔。例如，如圖12A所示，設置於第2孔20B的孔電極部22，係於基板12的第1面13側中電性連接於第1電極部31，且於基板12的第2面14側中從第2電極部36電性絕緣。或者，雖未圖示，設置於第2孔20B的孔電極部22，係於基板12的第1面13側中從第1電極部31電性絕緣，且於基板12的第2面14側中電性連接於第2電極部36亦可。
即使於本實施形態中，也可藉由將複數第1孔20A及複數第2孔20B形成於基板12，讓基板12之孔20的分布密度更均勻。藉此，可抑制基板12的鋼性或變形容易度等因為場所而不均勻之狀況。藉此，於貫通電極 基板10的製造工程或利用貫通電極基板10之產品的製造工程中，可抑制基板12發生翹曲或歪曲等的狀況。
(變形例)
於圖12A中，複數第2孔20B中之一部分的第2孔20B的孔電極部22，係於基板12的第1面13側中電性連接於第1電極部31，且於基板12的第2面14側中從第2電極部36電性絕緣。但是並不限定於此，如圖12B所示，所有第2孔20B的孔電極部22，係於基板12的第1面13側中電性連接於第1電極部31，且於基板12的第2面14側中從第2電極部36電性絕緣亦可。或者，雖未圖示，所有第2孔20B的孔電極部22，係於基板12的第1面13側中從第1電極部31電性絕緣，且於基板12的第2面14側中電性連接於第2電極部36亦可。
又，如圖12C所示，一部分之第2孔20B的孔電極部22，電性連接於第1電極部31，其他所有第2孔20B的孔電極部22，電性連接於第2電極部36亦可。此時，於基板12的第1面13側中電性連接於第1電極部31的孔電極部22，係於基板12的第2面14側中從第2電極部36電性絕緣。又，於基板12的第1面13側中從第1電極部31電性絕緣的孔電極部22，係於基板12的第2面14側中電性連接於第2電極部36。
連接於第2孔20B的孔電極部22的第1電極部31及第2電極部36，規則地分布亦可。例如，沿著基 板12的面方向觀察複數第2孔20B的孔電極部22時，連接於第1電極部31的孔電極部22與連接於第2電極部36的孔電極部22交互並排亦可。又，連接於第2孔20B的孔電極部22的第1電極部31及第2電極部36，不規則地分布亦可。
如圖12A乃至圖12C所示，可藉由連接孔20B的孔電極部22與第1電極部31或第2電極部36，將積存於孔20B的孔電極部22的電荷，透過第1電極部31或第2電極部36放電至外部。又，藉由將第1電極部31或第2電極部36連接於孔20B的孔電極部22，相較於僅於孔20A的孔電極部22連接第1電極部31或第2電極部36之狀況，可讓第1電極部31或第2電極部36於基板12的面方向中均勻地分布。藉此，例如，在第1電極部31或第2電極部36與第1配線32或第2配線37之間產生應力時，可抑制起因於應力而基板12或後述的晶圓60發生翹曲之狀況。又，可抑制藉由電鍍處理形成第1電極部31或第2電極部36時，第1電極部31或第2電極部36的厚度因為場所而不均，或第1電極部31或第2電極部36產生凹凸之狀況。
[第5實施形態]
接著，參照圖13A，針對第5實施形態進行說明。第5實施形態僅孔20B的孔電極部22連接於虛設配線之處不同，其他構造與上述之第1實施形態大略相 同。於第5實施形態中，對於與第1實施形態相同部分，附加相同符號而省略詳細說明。又，於第1實施形態中所獲得之作用效果於本實施形態中也明顯可獲得時，有省略其說明之狀況。
於本實施形態中，第2孔20B係孔電極部22於基板12的第1面13側或第2面14側中連接於虛設配線。例如，如圖13A所示，設置於第2孔20B的孔電極部22，係於基板12的第1面13側中連接於虛設配線34。虛設配線34係設置於基板12的第1面13或第2面14，且未連接於第1電極部31或第2電極部36的配線。於圖13A所示範例中，虛設配線34係設置於基板12的第1面13，且被第1絕緣層33覆蓋。或者，雖未圖示，設置於第2孔20B的孔電極部22，係連接於設置在基板12的第2面14的虛設配線亦可。又，設置於第2孔20B的孔電極部22，係於第1面13側及第2面14側雙方中連接於虛設配線亦可。
即使於本實施形態中，也可藉由將複數第1孔20A及複數第2孔20B形成於基板12，讓基板12之孔20的分布密度更均勻。藉此，可抑制基板12的鋼性或變形容易度等因為場所而不均勻之狀況。藉此，於貫通電極基板10的製造工程或利用貫通電極基板10之產品的製造工程中，可抑制基板12發生翹曲或歪曲等的狀況。
(變形例)
於圖13A中，已揭示1個虛設配線34連接於1個第2孔20B的孔電極部22的範例。但是並不限定於此，1個虛設配線34連接於複數第2孔20B的孔電極部22亦可。例如，如圖13B所示，1個虛設配線34連接於兩個第2孔20B的孔電極部22雙方亦可。換句話說，兩個第2孔20B的孔電極部22，於基板12的第1面13側中藉由虛設配線34電性連接。又，兩個第2孔20B的孔電極部22，於基板12的第2面14側中藉由虛設配線39電性連接亦可。藉由虛設配線34或虛設配線39電性連接的兩個第2孔20B的孔電極部22，作為相鄰的兩個第2孔20B的孔電極部22亦可，或者作為不相鄰的兩個第2孔20B的孔電極部22亦可。
又，如圖13C所示，於藉由虛設配線34或虛設配線39電性連接於其他第2孔20B的孔電極部22之第2孔20B的孔電極部22，進而連接第1電極部31或第2電極部36亦可。此時，連接於1個第2孔20B的孔電極部22的虛設配線及電極部都位於基板12的同一側亦可。例如，如圖13C所示，於基板12的第1面13側中藉由虛設配線34連接於其他第2孔20B的孔電極部22之第2孔20B的孔電極部22，於第1面13側中連接第1電極部31亦可。又，連接於1個第2孔20B的孔電極部22的虛設配線及電極部位於基板12的不同側亦可。例如，如圖13C所示，於基板12的第1面13側中藉由虛設配線34連接於其他第2孔20B的孔電極部22之第2孔20B的孔 電極部22，於第2面14側中連接第2電極部36亦可。依據圖13C所示範例，與圖12A乃至圖12C所示範例之狀況相同，可將積存於孔20B的孔電極部22的電荷，透過第1電極部31或第2電極部36放電至外部。
又，如圖13A乃至圖13C所示，藉由於第1面13上設置虛設配線34，或於第2面14上設置虛設配線39，可讓配線更均勻地分布於第1面13上或第2面14上。藉此，例如，在第1配線32及虛設配線34等的第1面13上的配線與基板12之間產生應力時，可抑制起因於應力而基板12發生翹曲之狀況。同樣地，在第1配線37及虛設配線39等的第2面14上的配線與基板12之間產生應力時，可抑制起因於應力而基板12或後述之晶圓60發生翹曲之狀況。又，可抑制藉由電鍍處理形成第1面13上的配線及第2面14上的配線時，配線的厚度因為場所而不均，或配線產生凹凸之狀況。
[第6實施形態]
接著，參照圖14，針對第6實施形態進行說明。第6實施形態僅於孔20B未設置孔電極部22之處不同，其他構造與上述之第2實施形態大略相同。於第5實施形態中，對於與第2實施形態相同部分，附加相同符號而省略詳細說明。又，於第2實施形態中所獲得之作用效果於本實施形態中也明顯可獲得時，有省略其說明之狀況。
於本實施形態中，於第1孔20A及第2孔20B，填充有填充構件25。另一方面，於第1孔20A設置有孔電極部22，但於第2孔20B未設置孔電極部22。再者，雖未圖示，但如上述的圖9所示，孔20A、20B的內部未完全以填充構件25填充，殘留間隙26亦可。又，構成填充構件25的絕緣性材料，與構成絕緣層33、38的絕緣性材料相同亦可，不同亦可。
即使於本實施形態中，也可藉由於孔20A、20B的內部設置填充構件25，抑制不需要的物質進入孔20A、20B的內部之狀況。藉此，可提升貫通電極基板10及利用貫通電極基板10之產品的良率，提升貫通電極基板10的品質。
[孔的變化]
於圖14總括揭示上述之第1乃至第3實施形態中所說明的孔20A、20B的變化。圖15(a)係揭示上述第1實施形態中所說明之於內部形成中空部23的孔20A、20B。圖15(b)係揭示上述第2實施形態中所說明之於內部設置填充構件25的孔20A、20B。圖15(c)係揭示上述第2實施形態的變形例中所說明之在孔電極部22與填充構件25之間形成間隙26的孔20A、20B。圖15(d)係揭示上述第3實施形態的變形例中所說明之於內部填充孔電極部22的孔20A、20B。
[孔的配置的變形例]
於上述之第1實施形態中，揭示於俯視中複數孔20沿著基板12的外緣延伸的方向並排的範例。但是，只要可讓基板12之複數孔20的分布密度更均勻，複數孔20的具體配置方法並未特別限制。
例如，如圖16所示，複數孔20沿著從基板12的外緣延伸的方向偏離的方向並排亦可。又，如圖17所示，複數孔20並排成同心圓狀亦可。
又，於上述之第1實施形態中，已揭示複數孔20的分布密度不依存於場所而均勻的範例，但並不限定於此。例如，如圖18所示，於基板12，具有不存在孔20的無孔區域16亦可。無孔區域16係例如存在於比配置複數第1孔20A及複數第2孔20B的區域更靠內側。以下，針對設置此種無孔區域16的優點，參照圖19進行說明。
圖19係作為圖18所示之貫通電極基板10的一應用例，揭示具備貫通電極基板10的光裝置50的剖面圖。光裝置50係例如相機用的圖像感測器模組。光裝置50係具備於基板12的中央部設置無孔區域16的貫通電極基板10、將光線L導引至貫通電極基板10之無孔區域16的透鏡52、承受透射無孔區域16之光線L的受光元件51。依據圖19所示之光裝置50，藉由於基板12設置無孔區域16，可一邊抑制未企圖的反射產生，一邊讓透射透鏡52的光線L到達受光元件51。
作為圖19所示之光裝置50的比較對象，如圖20所示，為了讓透射透鏡52的光線L到達受光元件51，考量於基板12中光線L通過的區域形成有開口部101的貫通電極基板100及光裝置150。此時，光線L通過開口部，故可防止未企圖的反射產生。另一方面，於貫通電極基板的基板12的中央部形成有開口部，故基板12的剛性會降低。所以，為了充分確保基板12整體的剛性，需要增加基板12的厚度。
相對於此，依據圖19所示之光裝置50，因為於基板12中光線L通過的區域不形成開口部，所以，相較於形成開口部之狀況，基板12的剛性提升。此時，相較於形成開口部之狀況，可減少基板12的厚度，結果，光線通過基板12的無孔區域16時的衰減度也降低。
又，即使於圖19所示之光裝置50的貫通電極基板10中，於基板12中無孔區域16以外的區域，也與上述之各實施型態相同，除了複數第1孔20A之外，設置有複數第2孔20B。因此，相較於僅設置複數第1孔20A之狀況，可抑制基板12的剛性及變形的容易度等因為場所而不均之狀況。藉此，於貫通電極基板10或光裝置50的製造工程中，可抑制基板12發生翹曲或歪曲等的狀況。
又，於上述之第1實施形態中，已揭示複數第2孔20B配置於比配置複數第1孔20A的區域更靠內側的區域的範例，但並不限定於此。例如，如圖21所 示，複數第2孔20B配置於比配置複數第1孔20A的區域更靠外側的區域亦可。
[對晶圓配設複數貫通電極基板的範例]
於貫通電極基板10的製造方法中，如圖22所示，以於晶圓60等的大型基板形成複數貫通電極基板10之方式對晶圓60進行加工，之後，切斷晶圓60，可獲得各個貫通電極基板10。此時，如圖22所示，於未形成貫通電極基板10的區域也形成孔20亦可。形成於未形成貫通電極基板10的區域的孔20，作為第1孔20A或第2孔20B任一亦可。藉由於未形成貫通電極基板10的區域也形成孔20，可抑制晶圓60的剛性及變形的容易度等，在形成貫通電極基板10的區域與未形成貫通電極基板10的區域中相異之狀況。藉此，於貫通電極基板10的製造工程或利用貫通電極基板10之產品的製造工程中，可抑制晶圓60發生翹曲或歪曲等的狀況。又，對晶圓60施加電鍍處理時，可抑制電鍍層的厚度因為場所而不均，或電鍍層發生凹凸之狀況。
[貫通電極基板的應用例]
以下，參照圖23，針對將實施形態相關的貫通電極基板10利用來作為互連體的範例進行說明。圖23係揭示具備實施形態相關之貫通電極基板10的裝置55的剖面圖。
裝置55係具備被層積的LSI晶片等的複數元件53，與介在於兩個元件53之間的貫通電極基板10。元件53的端子54被連接於與設置於貫通電極基板10的第1孔20A之孔電極部22電性連接的電極部31、36。
再者，貫通電極基板10所搭載的元件53，並不限於LSI晶片等的主動元件。貫通電極基板10所搭載的元件53，作為電阻器或電感器等的被動元件亦可。
[搭載貫通電極基板之產品的範例]
圖24係揭示可搭載實施形態相關之貫通電極基板10的產品之範例的圖。實施形態相關的貫通電極基板10可利用於各種產品中。例如，筆記型個人電腦110、平板電腦終端120、手機130、智慧型手機140、數位視訊相機150、數位相機160、數位手錶170等。
10:貫通電極基板
12:基板
13:第1面
14:第2面
20A:第1孔
20B:第2孔
21:側壁
22:孔電極部
23:中空部
31:第1電極部
32:第1配線
33:第1絕緣層
36:第2電極部
37:第2配線
38:第2絕緣層

Claims (7)

  1. 一種貫通電極基板，係具備：
    基板，係包含第1面及位於前述第1面之相反側的第2面，且設置有複數孔；
    孔電極部，係設置於前述基板之前述孔的內部；
    第1電極部，係設置於前述基板的前述第1面側；
    第1絕緣層，係設置於前述基板之前述第1面側；
    第2電極部，係設置於前述基板的前述第2面側；及
    第2絕緣層，係設置於前述基板之前述第2面側；
    前述複數孔，係包含：
    複數第1孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中電性連接前述第1電極部，且前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中電性連接於前述第2電極部；及
    複數第2孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中從前述第1電極部電性絕緣，或者前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中從前述第2電極部電性絕緣；
    前述第2孔，係於前述基板的前述第1面側中藉由前述第1絕緣層覆蓋，或者於前述基板的前述第2面側中藉由前述第2絕緣層覆蓋；
    於前述第2孔的內部形成中空部。
  2. 如請求項1所記載之貫通電極基板，其中，
    於前述第2孔的內部並未填充樹脂。
  3. 如請求項1所記載之貫通電極基板，其 中，
    前述第2孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中從前述第1電極部電性絕緣，且前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中從前述第2電極部電性絕緣。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之貫通電極基板，其中，
    前述複數第2孔之前述孔電極部的一部分，係於前述基板的前述第1面側中從前述第1電極部電性絕緣，且於前述基板的前述第2面側中，透過設置於前述第2面的第2配線電性連接於前述第2電極部；
    前述複數第2孔之前述孔電極部的其他一部分，係於前述基板的前述第1面側中，透過設置於前述第1面的第1配線電性連接於前述第1電極部，且於前述基板的前述第2面側中從前述第2電極部電性絕緣。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之貫通電極基板，其中，
    前述貫通電極基板，係更具備設置於前述基板的前述第1面，藉由前述第1絕緣層覆蓋的第1虛設配線，或者設置於前述基板的前述第2面，藉由前述第2絕緣層覆蓋的第2虛設配線。
  6. 如請求項5所記載之貫通電極基板，其中，
    兩個前述第2孔的前述孔電極部，係藉由前述第1虛設配線或前述第2虛設配線電性連接。
  7. 一種貫通電極基板，係具備：
    基板，係包含第1面及位於前述第1面之相反側的第2面，且設置有複數孔；
    孔電極部，係設置於前述基板之前述孔的內部；
    第1電極部，係設置於前述基板的前述第1面側；
    第1絕緣層，係設置於前述基板之前述第1面側；
    第2電極部，係設置於前述基板的前述第2面側；及
    第2絕緣層，係設置於前述基板之前述第2面側；
    前述複數孔，係包含：
    複數第1孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中電性連接前述第1電極部，且前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中電性連接於前述第2電極部；及
    複數第2孔，係前述孔電極部於前述基板的前述第1面側中從前述第1電極部電性絕緣，或者前述孔電極部於前述基板的前述第2面側中從前述第2電極部電性絕緣；
    前述第2孔，係於前述基板的前述第1面側中藉由前述第1絕緣層覆蓋，或者於前述基板的前述第2面側中藉由前述第2絕緣層覆蓋；
    更具備：
    第1虛設配線，係設置於前述基板的前述第1面，藉由前述第1絕緣層覆蓋；及
    第2虛設配線，係設置於前述基板的前述第2面，藉由前述第2絕緣層覆蓋；
    前述複數第2孔，係包含於前述第1面側中藉由前述 第1虛設配線電性連接，於前述第2面側中並未電性連接的2個前述第2孔的組合，與於前述第2面側中藉由前述第2虛設配線電性連接，於前述第1面側中並未電性連接的2個前述第2孔的組合。
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