JP2018160607A - 貫通電極基板、貫通電極基板を備える実装基板並びに貫通電極基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な導電性を有する貫通電極を備える貫通電極基板並びに貫通電極基板の製造方法を提供する。【解決手段】貫通電極基板１０は、第１面１３及び第１面の反対側に位置する第２面１４を含むとともに第１面１３と第２面１４との間を貫通する貫通孔２０が設けられた基板１２と、基板１２の第１面１３上に設けられ、貫通孔２０の第１面１３側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝ＤＭ１及びこの第１の電極用溝ＤＭ１に隣接する第１の配線用溝ＬＭ１が形成された第１の有機層Ｘ１と、第１の配線用溝ＬＭ１に埋め込まれた第１の配線Ｌ１と、貫通孔２０の側壁２１に沿って延在する貫通部分と、第１の電極用溝ＤＭ１に埋め込まれ、且つ、貫通部分に接続された第１の電極部分２２ａと、を有する貫通電極２２と、を備える。第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａとが電気的に接続されている。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、貫通電極を備える貫通電極基板に関する。また、本開示の実施形態は、貫通電極基板を備える実装基板、及び貫通電極基板の製造方法に関する。

第１面及び第２面を含む基板と、基板に設けられた複数の貫通孔と、貫通孔の内部に位置する貫通電極と、を備える部材、いわゆる貫通電極基板が、様々な用途で利用されている。

例えば、この貫通電極基板は、ＬＳＩの実装密度を高めるために複数のＬＳＩチップを積層させる際に２つのＬＳＩチップの間に介在させるインターポーザとして利用される。また、貫通電極基板は、ＬＳＩチップなどの素子とマザーボードなどの実装基板との間に介在されることもある。

ここで、例えば、特許文献１では、ガラス基板にレーザ光を用いて貫通孔を形成し、この貫通孔にめっきを施して成る、インターポーザに関する技術を開示している。そして、この特許文献１に記載のガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板にテーパ状を成す貫通孔を形成することができるものである。

また、特許文献２では、ガラス基板上に多層配線層を形成して成るインターポーザに関する技術を開示している。このインターポーザは、貫通孔の内部のみに無機密着層を形成し、この無機密着層の上に導電層を形成し、当該導電層は、導電ビアを介して配線群と電気的に接続され、無機密着層の熱膨張率は、基材の熱膨張率よりも大きく且つ導電層の熱膨張率よりも小さくなっている。そして、この特許文献２に記載のインターポーザによれば、熱膨張、熱収縮による導電層パターンの剥離を防止することができるものである。

特開２０１４−１３９９６３号公報 特開２０１５−１９８０９３号公報

ここで、既述の特許文献１、２に記載の発明では、配線の表面の平滑性や形状再現性については十分検討されておらず、配線の表面の平滑性や形状再現性が劣化しその導電性が低下した場合には、高周波特性が低くなることが懸念される。

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る貫通電極基板、貫通電極基板を備える実装基板並びに貫通電極基板の製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられた基板と、
前記基板の前記第１面上に設けられ、前記貫通孔の前記第１面側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝及びこの第１の電極用溝に隣接する第１の配線用溝が形成された第１の有機層と、
前記第１の配線用溝に埋め込まれた第１の配線と、
前記貫通孔の側壁に沿って延在する貫通部分と、前記第１の電極用溝に埋め込まれ且つ前記貫通部分に接続された第１の電極部分と、を有する貫通電極と、を備え、
前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが電気的に接続されている。

前記貫通電極基板において、
前記貫通孔の側壁に沿って延在し、前記貫通孔の前記側壁と前記貫通電極の前記貫通部分との間に位置する側壁有機層を更に備えていてもよい。
前記貫通電極基板において、
前記第１の配線用溝の底部及び前記第１の電極用溝の底部では、前記基板の前記第１面が露出していてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが前記第１の有機層上で直接接続されていてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記第１の配線及び前記貫通電極は、前記第１の有機層の前記第１の配線用溝及び前記第１の電極用溝の内面及び前記貫通孔の側壁に沿って成膜されたシード層と、前記シード層の表面に成膜されためっき層と、を有していてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分の表面は、前記第１の有機層の表面の高さと同じ高さであってもよい。

前記貫通電極基板において、
前記基板の前記第２面上に設けられ、前記貫通孔の前記第２面側の開口部近傍に位置する第２の電極用溝及びこの第２の電極用溝に隣接する第２の配線用溝が形成された第２の有機層と、
前記第２の配線用溝に埋め込まれた第２の配線と、を更に備え、
前記貫通電極は、前記第２の電極用溝に埋め込まれ且つ前記貫通部分に接続された第２の電極部分を有し、
前記第２の配線と前記貫通電極の前記第２の電極部分とが電気的に接続されていてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記第２の配線用溝の底部及び前記第２の電極用溝の底部では、前記基板の前記第２面が露出していてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記貫通電極と、前記貫通電極に電気的に接続されるとともに前記第１面側に位置する第１面導電層と、前記貫通電極に電気的に接続されるとともに前記第２面側に位置する第２面導電層と、を有するインダクタを更に備えていてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記貫通電極に電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層上に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する第２導電層と、を有するキャパシタを更に備えていてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記キャパシタは、前記基板の前記第１面側において前記第１の有機層上に位置していてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記キャパシタは、前記基板の前記第１面上に設けられ、前記基板の前記第１面上で前記第１の有機層により被覆されていてもよい。

前記貫通電極基板において、
前記第１の有機層及び側壁有機層は、感光性樹脂であってもよい。

本開示の他の実施形態は、
貫通電極基板と、
前記貫通電極基板に搭載された素子と、を備え、
前記貫通電極基板は、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられた基板と、
前記基板の前記第１面上に設けられ、前記貫通孔の前記第１面側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝及びこの第１の電極用溝に隣接する第１の配線用溝が形成された第１の有機層と、
前記第１の配線用溝に埋め込まれた第１の配線と、
前記貫通孔の側壁に沿って延在する貫通部分と、前記第１の電極用溝に埋め込まれ且つ前記貫通部分に接続された第１の電極部分と、を有する貫通電極と、を備え、
前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが電気的に接続されていてもよい。

本開示のさらに他の実施形態は、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられた基板を準備する第１工程と、
前記基板の前記第１面上及び前記貫通孔の内部に有機層を形成する第２工程と、
前記貫通孔の前記第１面側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝及びこの第１の電極用溝に隣接する第１の配線用溝を前記有機層に形成するとともに、前記有機層で充填された前記貫通孔の内部を貫通させる第３工程と、
前記第１の配線用溝に埋め込まれた第１の配線を形成するとともに、前記貫通孔の側壁に沿って延在する貫通部分と、前記第１の電極用溝に埋め込まれ且つ前記貫通部分に接続された第１の電極部分とを有する貫通電極を形成する第４工程と、を備え、
前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが電気的に接続されている。

前記貫通電極基板の製造方法において、
前記第２工程において、感光性樹脂を前記基板の前記第１面上及び前記貫通孔内に成膜することで前記有機層を形成し、
前記第３工程において、前記成膜された前記感光性樹脂を露光、現像して、前記第１の電極用溝及び第１の配線用溝を前記有機層に形成するとともに、前記感光性樹脂で充填された前記貫通孔の内部を貫通させてもよい。

前記貫通電極基板の製造方法において、
前記第４工程において、前記第１の配線及び前記貫通電極を、ダマシン法により同時に形成してもよい。

前記貫通電極基板の製造方法において、
前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分の表面を、ＣＭＰ法により、前記基板の前記第１面上の前記有機層の表面の高さまで選択的に研磨して平坦化する第５の工程を更に備えていてもよい。

前記貫通電極基板の製造方法において、
前記第５工程の後、前記基板の前記第１面側において前記貫通電極の前記第１の電極部分上に位置するキャパシタを形成する第６工程を更に備えていてもよい。

前記貫通電極基板の製造方法において、
前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、前記基板の前記第１面上にキャパシタを形成する第６工程を更に備え、
前記第２工程において、前記キャパシタを前記基板の前記第１面上で前記第１の有機層により被覆していてもよい。

前記貫通電極基板の製造方法において、
前記第６工程において、前記キャパシタの２つの電極間に位置する絶縁層はＣＶＤ法により第１の温度の条件で形成され、
前記有機層は、前記第１の温度よりも低い第２の温度で形成されていてもよい。

本開示の実施形態によれば、良好な導電性を有する貫通電極を備えた貫通電極基板を提供することができる。

図１は、実施形態に係る貫通電極基板を示す断面図である。 図２は、図１に示す貫通電極基板を部分的に拡大して示す断面図である。 図３は、図１に示す貫通電極基板を示す平面図である。 図４は、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図５は、図４に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図６は、図５に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図７は、図６に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図８は、図７に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図９は、図８に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１０は、図１１に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１１は、図１０に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１２は、図１１に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１３は、図１２に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１４は、図１４に続く、図１に示す貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１５は、第１の変形例に係る貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１６は、図１５に続く貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１７は、図１６に続く貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 図１８は、図１７に続く貫通電極基板の製造工程の一例示す図である。 貫通電極基板及び素子を備える実装基板の一例を示す断面図である。 貫通電極基板が搭載される製品の例を示す図である。

以下、本開示の実施形態に係る貫通電極基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

貫通電極基板
以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、本実施の形態に係る貫通電極基板１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係る貫通電極基板１０を示す断面図である。

貫通電極基板１０は、基板１２、貫通電極２２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０を備える。以下、貫通電極基板１０の各構成要素について説明する。

（基板）
基板１２は、第１面１３、及び、第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。また、基板１２には、第１面１３から第２面１４に至る、すなわち、第１面１３と第２面１４との間を貫通する複数の貫通孔２０が設けられている。

また、基板１２は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、ガラスエポキシ基板、シリコン基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板、リン化インジウム（ＩｎＰ）基板、アルミナ(Al₂O₃)基板、窒化アルミニウム(AlN)基板、酸化ジル子ニウム(ZrO₂)基板など、又は、これらが積層された基板を用いることができる。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。

この基板１２で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。

無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ−Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。基板１２がガラスを含む場合、基板１２の厚みは、例えば０．１０ｍｍ以上且つ０．４０ｍｍ以下である。基板１２がガラスを含むことにより、基板１２の絶縁性を高めることができる。これにより、後述するように第１配線構造部３０の一部によってキャパシタ１５が形成されている場合に、キャパシタ１５の耐電圧特性を高めることができる。

なお、図１の例では、キャパシタ１５は、基板１２の第１面１３側において第１の有機層Ｘ１上に位置している。

なお、貫通孔２０の側壁２１は、図示はしないが、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って広がっていてもよい。若しくは、側壁２１が、基板１２の第１面１３の法線方向からずれた方向で広がっていてもよく、また、側壁２１の一部が湾曲していてもよい。

また、貫通孔２０の長さ、すなわち第１面１３の法線方向における貫通孔２０の寸法は、基板１２の厚みに等しい。貫通孔２０の幅、すなわち第１面１３の面方向における貫通孔２０の寸法Ｓ（図４参照）は、例えば４０μｍ以上且つ１５０μｍ以下である。また、貫通孔２０の幅に対する長さの比、すなわち貫通孔２０のアスペクト比は、例えば４以上且つ１０以下である。

（貫通電極）
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に少なくとも部分的に位置し、且つ導電性を有する部材である。この貫通電極２２、例えば、図１、２に示すように、貫通孔２０の側壁に沿って延在する貫通部分２２ｍと、第１の有機層Ｘ１の第１の電極用溝に埋め込まれ且つ貫通部分２２ｍに接続された第１の電極部分２２ａと、第２の有機層Ｘ２の第２の電極用溝ＬＭ２に埋め込まれ且つ貫通部分２２ｍに接続された第２の電極部分２２ｂと、を有する。なお、図１、図３の例では、側壁有機層Ｘ２０が、貫通孔２０の側壁に沿って延在し、貫通孔２０の側壁と貫通電極２２の貫通部分２２ｍとの間に位置する。

なお、本実施の形態においては、貫通電極２２の厚みは、貫通孔２０の幅よりも小さく、このため、貫通電極２２の内部には、貫通電極２２が存在しない空間がある。すなわち、貫通電極２２は、いわゆるコンフォーマルビアである。

また、貫通電極２２は、ここでは、ダマシン法により形成される。このダマシン法により、例えば、貫通電極２２を、第１、２の配線Ｌ１、Ｌ２と同時に形成することができる。

なお、貫通電極２２は、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成されていてもよく、化学成膜法やめっき法で形成されていてもよい。また、貫通電極２２は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。

ここでは、図２に示すように、貫通電極２２が、貫通孔２０の側壁２１側から貫通孔２０の中心側へ順に並ぶ密着層３６１、シード層３６２及びめっき層３６３を含む例について説明する。

密着層３６１は、シード層３６２やめっき層３６３などのその他の貫通電極２２の構成要素と基板１２の貫通孔２０の側壁２１との間に、必要に応じて形成される層である。密着層３６１は、シード層３６２やめっき層３６３などのその他の貫通電極２２の構成要素に比べて、基板１２に対する高い密着性を有する。また、密着層３６１は、シード層３６２やめっき層３６３などのその他の貫通電極２２の構成要素中の金属元素が貫通孔２０の側壁２１を介して基板１２の内部に拡散することを抑制するという役割を果たしてもよい。シード層３６２又はめっき層３６３が銅を含む場合、密着層３６１の材料として、例えば、チタン、チタン窒化物、モリブデン、モリブデン窒化物、タンタル、タンタル窒化物等、又はこれらを積層したものを用いることができる。また、密着層３６１の材料として、基板１２に対する高い密着性を有する導電性材料を用いてもよい。

例えば、密着層３６１の材料として、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金など、又はこれらを積層したものを使用することができる。密着層３６１の厚みは、例えば１０ｎｍ以上且つ１μｍ以下である。密着層３６１は、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成される。

また、シード層３６２は、電解めっき処理によってめっき層３６３を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層３６３を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層３６２の材料としては、例えば、銅などの、めっき層３６３と同一の金属材料を用いることができる。シード層３６２の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ３μｍ以下である。シード層３６２は、例えば、無電解めっき処理によって形成される。

なお、図示はしないが、貫通孔２０の側壁２１とめっき層３６３との間に、密着層としての役割及びシード層としての役割の両方を果たすことができる１つの層を設けてもよい。

また、めっき層３６３は、めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層３６３を構成する材料としては、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。

また、図２に示すように、貫通電極２２は、貫通孔２０の側壁に沿って成膜された密着層３６１及びシード層３６２と、シード層３６２の表面に成膜されためっき層３６３と、を有する。

ここで、図１に示すように、貫通電極基板１０は、貫通電極２２よりも貫通孔２０の中心側に位置する有機層２６を備えていてもよい。なお、「中心側」とは、貫通孔２０の内部において、有機層２６と側壁２１との間の距離が貫通電極２２と側壁２１との間の距離よりも大きいことを意味する。有機層２６は、誘電正接を有する有機材料を含む。有機層２６の有機材料としては、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。誘電正接の小さい有機材料を用いて有機層２６を構成することにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を通るべき電気信号の一部が有機層２６を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を備える貫通電極基板１０の帯域を高周波側に広げることができる。

（第１配線構造部）
図１に示すように、第１配線構造部３０は、基板１２の第１面１３上に位置する第１面第１配線層３１、第１面第１配線層３１上に位置する第１面第２配線層３２、及び第１面第２配線層３２上に位置する第１面第３配線層３３を含む。以下、第１面第１配線層３１、第１面第２配線層３２及び第１面第３配線層３３の構成について説明する。

〔第１面第１配線層〕
図１に示すように、第１面第１配線層３１は、第１の有機層Ｘ１、第１面第１導電層３１１及び第１面第１絶縁層３１２を有する。

第１面第１導電層３１１は、第１の配線Ｌ１及び貫通電極２２の第１の電極部分２２ａ含み、基板１２の第１面１３上に第１の有機層Ｘ１を介して位置する、導電性を有する層である。

この第１面第１導電層３１１は、貫通電極２２に接続されていてもよい。また、第１面第１導電層３１１は、貫通電極２２と同様に、第１の有機層Ｘ１上に順に積層された密着層３６１、シード層３６２及びめっき層３６３を含んでいてもよい。なお、第１面第１導電層３１１を構成する材料は、貫通電極２２を構成する材料と同様である。第１面第１導電層３１１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

ここで、第１の有機層Ｘ１は、基板１２の第１面１３上に設けられ、貫通孔２０の第１面１３側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝ＤＭ１及びこの第１の電極用溝ＤＭ１に隣接する第１の配線用溝ＬＭ１が形成されている。

なお、第１の配線用溝ＬＭ１の底部及び第１の電極用溝ＤＭ１の底部では、基板１２の第１面１３が露出するようにしてもよい。第１の配線Ｌ１は、第１の配線用溝ＬＭ１に埋め込まれている。

すなわち、第１の配線Ｌ１は、第１の有機層Ｘ１の第１の配線用溝ＬＭ１及び第１の電極用溝ＤＭ１の内面に成膜された密着層３６１及びシード層３６２と、シード層３６２の表面に成膜されためっき層３６３と、を有する。

ここで、第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａの表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により、第１の有機層Ｘ１の表面の高さまで選択的に研磨されて平坦化されている。これにより、第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａの表面は、第１の有機層Ｘ１の表面の高さと同じ高さになっており、リーク電流や応力集中の原因になる突起等の異物が第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａの表面から除去されている。

なお、図３に示す例では、第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａとが、配線ＬＸを介して、電気的に接続されている。また、図示しないが第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａと第１の有機層Ｘ１上で直接接続されていてもよい。

また、第１面第１絶縁層３１２は、少なくとも部分的に第１面第１導電層３１１及び第１の有機層Ｘ１上に位置する、絶縁性を有する層である。第１面第１絶縁層３１２は、第１面第１導電層３１１及び第１の有機層Ｘ１を部分的に覆っていてもよい。この場合、第１面第１絶縁層３１２は、第１面第１導電層３１１だけでなく基板１２の第１面１３にも接していてもよい。なお「覆う」とは、図３に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って貫通電極基板１０を見た場合に、第１面第１導電層３１１の端部３１１ｅと第１面第１絶縁層３１２とが少なくとも部分的に重なっていることを意味する。

また、第１面第１絶縁層３１２は、絶縁破壊電界を有する無機材料を含む。第１面第１絶縁層３１２の無機材料としては、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、第１面第１絶縁層３１２の無機材料の例として、酸化シリコン、酸化アルミ、五酸化タンタルなどを挙げることができる。これにより、第１面第１絶縁層３１２を含むキャパシタ１５の耐電圧特性を更に改善することができる。第１面第１絶縁層３１２の無機材料の比誘電率は、例えば３以上且つ５０以下である。また、第１面第１絶縁層３１２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下である。

〔第１面第２配線層〕
第１面第２配線層３２は、第１面第２導電層３２１及び第１面第２絶縁層３２２を有する。第１面第２導電層３２１は、第１面第１絶縁層３１２上に位置する、導電性を有する層である。図１に示すように、貫通電極２２に電気的に接続された第１面第１導電層３１１と、第１面第１導電層３１１上に位置する第１面第１絶縁層３１２と、第１面第１絶縁層３１２上に位置する第１面第２導電層３２１とによって、キャパシタ１５が構成されている。

また、第１面第２導電層３２１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１と同様に、第１面第１絶縁層３１２上に順に積層された密着層、シード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１面第２導電層３２１を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１を構成する材料と同様である。第１面第２導電層３２１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

また、第１面第２絶縁層３２２は、第１面第１絶縁層３１２上及び第１面第２導電層３２１に位置する、絶縁性を有する層である。第１面第２絶縁層３２２は、誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第２絶縁層３２２の有機材料としては、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。誘電正接の小さい有機材料を用いて第１面第２絶縁層３２２を構成することにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を通るべき電気信号が第１面第２絶縁層３２２を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を備える貫通電極基板１０の帯域を高周波側に広げることができる。

〔第１面第３配線層〕
第１面第３配線層３３は、第１面第３導電層３３１及び第１面第３絶縁層３３２を有する。第１面第３導電層３３１は、第１面第１導電層３１１上又は第１面第２導電層３２１上に位置する、導電性を有する層である。図１に示す例において、第１面第３導電層３３１は、キャパシタ１５の一方の電極である第１面第１導電層３１１に接続された部分、及び、キャパシタ１５の他方の電極である第１面第２導電層３２１に接続された部分を含む。

また、第１面第３導電層３３１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１と同様に、順に積層された密着層、シード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１面第３導電層３３１を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１を構成する材料と同様である。

また、第１面第３絶縁層３３２は、第１面第２絶縁層３２２上及び第１面第３導電層３３１上に位置する、絶縁性を有する層である。第１面第３絶縁層３３２は、第１面第２絶縁層３２２と同様に、誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第３絶縁層３３２の有機材料としては、第１面第２絶縁層３２２と同様に、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。

（第２配線構造部）
図１に示すように、第２配線構造部４０は、基板１２の第２面１４上に位置する第２面第１配線層４１を含む。第２面第１配線層４１は、第２の有機層Ｘ２、第２面第１導電層４１１及び第２面第１絶縁層４１２を有する。

第２面第１導電層４１１は、第２の配線Ｌ２及び貫通電極２２の第２の電極部分２２ｂを含み、基板１２の第２面１４上に第２の有機層Ｘ２を介して位置する、導電性を有する層である。

この第２面第１導電層４１１は、貫通電極２２に接続されていてもよい。また、第２面第１導電層４１１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１と同様に、第２の有機層Ｘ２上に順に積層された密着層３６１、シード層３６２及びめっき層３６３を含んでいてもよい。なお、第２面第１導電層４１１を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１を構成する材料と同様である。第２面第１導電層４１１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

すなわち、第２の配線Ｌ２は、第２の有機層Ｘ２の第２の配線用溝ＬＭ２及び第２の電極用溝ＤＭ２の内面に成膜された密着層３６１及びシード層３６２と、シード層３６２の表面に成膜されためっき層３６３と、を有する。

第２の有機層Ｘ２は、基板１２の第２面１４上に設けられ、貫通孔２０の第２面１４側の開口部近傍に位置する第２の電極用溝ＤＭ２及びこの第２の電極用溝ＤＭ１２に隣接する第２の配線用溝ＬＭ２が形成されている。

なお、第２の配線用溝ＬＭ２の底部及び第２の電極用溝ＤＭ２の底部では、基板１２の第２面１４が露出するようにしてもよい。

第２の配線Ｌ２は、第２の配線用溝ＬＭ２に埋め込まれている。この第２の配線Ｌ２と貫通電極２２の第２の電極部分２２ｂとが電気的に接続されている。

ここで、第２の配線Ｌ２と貫通電極２２の第２の電極部分２２ｂの表面はＣＭＰ法により、第２の有機層Ｘ２の表面の高さまで選択的に研磨されて平坦化されている。これにより、リーク電流や応力集中の原因になる突起等の異物が第２の配線Ｌ２と貫通電極２２の第２の電極部分２２ｂの表面から除去されている。

ここで、既述の第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２及び側壁有機層Ｘ２０は、感光性樹脂である。そして、後述のように、有機材料を含む感光層と、基材とを有するフィルムを、基板１２の第１面側と第２面１４側にそれぞれ貼り付けて、真空ラミネートし、それぞれ露光処理及び現像処理を施すことによって、感光性樹脂からなる第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２を基板１２に形成することができる。なお、当該フィルムを基板１２の貫通孔２０の内部まで充填することにより、側壁有機層Ｘ２０を貫通孔２０の内部の側壁２１に形成することができる。

なお、当該フィルムにそれぞれ露光処理及び現像処理を施す際に、第１、第２の電極用溝ＤＭ１、ＤＭ２、第１、第２の配線用溝ＬＭ１、ＬＭ２が形成され、側壁有機層Ｘ２０が貫通するように形成される。

また、図１及び図３に示すように、第２面１４側に位置する第２面第１導電層４１１と、第２面第１導電層４１１に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に電気的に接続されるとともに第１面１３側に位置する第１面第１導電層３１１とによって、インダクタ１６が構成される。

第２面第１絶縁層４１２は、第２面第１導電層４１１上及び基板１２の第２面１４上に位置する、絶縁性を有する層である。第２面第１絶縁層４１２は、第１面第２絶縁層３２２や第１面第３絶縁層３３２と同様に、誘電正接を有する有機材料を含む。第２面第１絶縁層４１２の有機材料としては、第１面第２絶縁層３２２や第１面第３絶縁層３３２と同様に、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。

貫通電極基板の製造方法
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図４乃至図１４を参照して説明する。

（貫通孔形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、第１面１３又は第２面１４の少なくともいずれかにレジスト層を設ける。その後、レジスト層のうち貫通孔２０に対応する位置に開口を設ける。次に、レジスト層の開口において基板１２を加工することにより、図４に示すように、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。基板１２を加工する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。

なお、基板１２にレーザを照射することによって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。この場合、レジスト層は設けられていなくてもよい。レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。

その他にも、基板１２に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。

このようにして、第１面１３及びこの第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含むとともに第１面１３と第２面１４との間を貫通する貫通孔２０が設けられた基板１２を準備する。

（有機層形成工程）
次に、図５に示すように、基板１２の第１面１３上及び貫通孔２０の内部に感光性樹脂からなる有機層、すなわち、第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２及び側壁有機層Ｘ２０を形成する。ここでは、既述のように、有機材料を含む感光層と、基材とを有するフィルムを、基板１２の第１面側と第２面１４側にそれぞれ貼り付けて、当該フィルムを基板１２の貫通孔２０の内部まで充填するように真空ラミネートすることで、側壁有機層Ｘ２０を貫通孔２０の内部の側壁２１に形成することができる。

（溝形成工程）
次に、図６に示すように、成膜された感光性樹脂を選択的に露光、現像して、第１、第２の電極用溝ＤＭ１、ＤＭ２及び第１、第２の配線用溝ＬＭ１、ＬＭ２を第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２に形成するとともに、感光性樹脂で充填された貫通孔２０の内部を貫通させる。

なお、貫通孔２０の幅は、例えば、第１、第２の配線溝ＬＭ１、ＬＭ２の幅よりも大きくなるように設定されている。すなわち、同じ露光処理で、幅が狭い第１、第２の電極用溝ＤＭ１、ＤＭ２及び第１、第２の配線溝ＬＭ１、ＬＭ２に対応する領域は浅く感光し、幅が広い貫通孔２０に対応する部分は深く感光する。これにより、１回の露光処理及び現像処理により、第１、第２の配線溝ＬＭ１、ＬＭ２を形成しつつ、感光性樹脂で充填された貫通孔２０の内部を貫通させることができる。

このように、溝形成工程においては、基板１２の第１面側と第２面１４側に成膜した有機層をそれぞれ露光処理及び現像処理を施すことによって、貫通孔２０の第１面１３側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝ＤＭ１及びこの第１の電極用溝ＤＭ１に隣接する第１の配線用溝ＬＭ１を有機層に形成するとともに、有機層で充填された貫通孔２０の内部を貫通させる。

（配線、貫通電極形成工程）
次に、第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２とともに、貫通孔２０に貫通電極２２を形成する。本実施の形態においては、貫通電極２２と同時に上述の第１面第１導電層３１１及び第２面第１導電層４１１を形成する例について説明する。

図７に示すように、基板１２の第１面１３上、第２面１４及び側壁２１上に、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法によって密着層３６１を形成する。続いて、無電解めっきによって密着層３６１上にシード層３６２を形成する。その後、密着層３６１及びシード層３６２をアニールする工程を実施してもよい。

なお、密着層３６１及びシード層３６２を形成する方法が、上述の方法に限られることはない。例えば、ゾルゲル法によって酸化亜鉛などを含む密着層３６１を形成し、続いて、密着層３６１上に無電解めっき法によってシード層３６２を形成してもよい。また、密着層３６１及びシード層３６２の両方を、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法によって形成してもよい。

このように、第１、第２の配線用溝ＬＭ１、ＬＭ２に埋め込まれた第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２を形成するとともに、貫通孔２０の側壁に沿って延在する貫通部分２２ｍと、第１、第２の電極用溝ＤＭ１、ＤＭ２に埋め込まれ且つ貫通部分２２ｍに接続された第１、第２の電極部分２２ａ、２２ｂとを有する貫通電極２２を形成する。

特に、本実施形態においては、第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２及び貫通電極２２を、ダマシン法により同時に形成する。

さらに、その後、第１の配線Ｌ１と貫通電極２２の第１の電極部分２２ａの表面を、ＣＭＰ法により、基板１２の第１面１３上の第１の有機層Ｘ１の表面の高さまで、同一面になるように、選択的に研磨して平坦化する。同様に、第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２と貫通電極２２の第１、第２の電極部分２２ａ、２２ｂの表面を、ＣＭＰ法により、基板１２の第２面１４上の第２の有機層Ｘ２の表面の高さまで、同一面になるように、選択的に研磨して平坦化する。

これにより、リーク電流や応力集中の原因になる突起等の異物が第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２と貫通電極２２の第１、第２の電極部分２２ａ、２２ｂの表面から除去される。そして、第１面第１導電層３１１と、後に第１面第１導電層３１１上に形成される第１面第１絶縁層３１２との間の密着性を高めることができる。

このようにして、貫通電極２２、第１面第１導電層３１１及び第２面第１導電層４１１を形成することができる。これにより、第２面第１導電層４１１と、第２面第１導電層４１１に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に接続された第１面第１導電層３１１とを備えるインダクタ１６を構成することができる。なお、めっき層３６３をアニールする工程を実施してもよい。

（第１面第１絶縁層の形成工程）
次に、第１面第１導電層３１１上に第１面第１絶縁層３１２を形成する。

まず、図８に示すように、第１面第１導電層３１１上に部分的にレジスト層３８を形成する。続いて、図９に示すように、第１面第１導電層３１１及び基板１２の第１面１３のうちレジスト層３８によって覆われていない部分に、第１面第１絶縁層３１２を形成する。第１面第１絶縁層３１２を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどを採用することができる。その後、図１０に示すように、レジスト層３８を除去する。このようにして、第１面第１導電層３１１上に部分的に第１面第１絶縁層３１２を形成することができる。

（第１面第２導電層の形成工程）
次に、図１１に示すように、第１面第１絶縁層３１２上に第１面第２導電層３２１を形成する。これにより、第１面第１導電層３１１と、第１面第１導電層３１１上の第１面第１絶縁層３１２と、第１面第１絶縁層３１２上の第１面第２導電層３２１と、を備えるキャパシタ１５を構成することができる。第１面第２導電層３２１を形成する工程は、第１面第１導電層３１１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。

このように、配線、貫通電極形成工程の後、基板１２の第１面１３側において第１の有機層Ｘ１上に位置するキャパシタ１５を形成する。

（第１面第２絶縁層の形成工程）
次に、図１２に示すように、第１面第１絶縁層３１２上及び第１面第２導電層３２１上に第１面第２絶縁層３２２を形成する。また、基板１２の第２面１４上及び第２面第１導電層４１１上に第２面第１絶縁層４１２を形成する。

例えば、まず、有機材料を含む感光層と、基材とを有する第２面側フィルムを、基板１２の第２面１４側に貼り付ける。続いて、第２面側フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、第２面側フィルムの感光層からなる第２面第１絶縁層４１２を、基板１２の第２面１４側に形成することができる。

その後、有機材料を含む感光層と、基材とを有する第１面側フィルムを、基板１２の第１面１３側に貼り付ける。続いて、図１３に示す開口３２３が形成されるように第１面側フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、第１面第２導電層３２１上の一部及び第１面第１導電層３１１上の一部に開口３２３が形成された、第１面側フィルムの感光層からなる第１面第２絶縁層３２２を得ることができる。

なお、図１２に示すように、第１面第２絶縁層３２２の一部や第２面第１絶縁層４１２の一部を貫通孔２０の内部に設けることにより、貫通孔２０を埋める有機層２６を形成してもよい。例えば、上述の第２面側フィルムや第１面側フィルムを貫通孔２０の内部に押し込むことによって、第１面第２絶縁層３２２や第２面第１絶縁層４１２と同時に貫通孔２０の内部に有機層２６を形成することができる。なお、第２面第１絶縁層４１２や第１面第２絶縁層３２２とは別の工程で有機層２６を形成してもよい。

なお、第２面第１絶縁層４１２や第１面第２絶縁層３２２の形成方法が、フィルムを用いる方法に限られることはない。例えば、まず、ポリイミドなどの有機材料を含む液を、スピンコート法などによって塗布し、乾燥させることによって有機層を形成する。続いて、有機層に露光処理及び現像処理を施すことにより、第２面第１絶縁層４１２や第１面第２絶縁層３２２を形成することもできる。

（第１面第３導電層の形成工程）
次に、既述の図１３に示すように、第１面第１絶縁層３１２のうち第１面第２絶縁層３２２の開口３２３と重なる部分をエッチングして、第１面第１絶縁層３１２に開口を形成する。

続いて、第１面第２絶縁層３２２の開口３２３及び第１面第１絶縁層３１２の開口を介して第１面第１導電層３１１又は第１面第２導電層３２１に接続される第１面第３導電層３３１を形成する。第１面第３導電層３３１を形成する工程は、第１面第１導電層３１１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。

（第１面第３絶縁層の形成工程）
その後、第１面第２絶縁層３２２上及び第１面第３導電層３３１上に部分的に第１面第３絶縁層３３２を形成する。これによって、図１に示す貫通電極基板１０を得ることができる。第１面第３絶縁層３３２を形成する方法は特には限定されない。第１面第２絶縁層３２２の場合と同様に、有機材料を含むフィルムや液を用いることによって、第１面第３絶縁層３３２を形成することができる。

（貫通電極基板１０の作用）
以下、本実施の形態による貫通電極基板１０の作用について説明する。

既述のように、ダマシン法により、貫通電極２２を、第１、２の配線Ｌ１、Ｌ２同時に形成することにより、それぞれ個別に形成する場合と比較して、貫通電極基板１０を製造するための工程数を削減することができる。

さらに、第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２と貫通電極２２の第１、第２の電極部分２２ａ、２２ｂの表面はＣＭＰ法により、第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２の表面の高さまで選択的に研磨されて平坦化されている。これにより、リーク電流や応力集中の原因になる突起等の異物が第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２と貫通電極２２の第１、第２の電極部分２２ａ、２２ｂの表面から除去される。

これにより、第１、第２の配線Ｌ１、Ｌ２と貫通電極２２の導電性を向上して、貫通電極基板１０の高周波特性を向上することができる。

なお、本実施の形態においては、貫通電極基板１０の基板１２がガラスを含む。ガラスは、従来の貫通電極基板の基板として用いられているシリコンに比べて、高い絶縁性を有する。このため、キャパシタ１５やインダクタ１６を通る高周波信号の一部が基板１２を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６の帯域を高周波側に広げることができる。また、キャパシタ１５やインダクタ１６の耐電圧特性を改善することができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（第１変形例）
上述の実施の形態においては、キャパシタ１５が基板１２の第１面１３側の第１の有機層Ｘ１上に位置する例を示した。この例では、第１の有機層Ｘ１を形成した後にキャパシタ１５を形成する。この場合、例えば、キャパシタ１５の２つの電極である第１面第１導電層３１１と第１面第２導電層３２１との間に位置する絶縁層である第１面第１絶縁層３１２をＣＶＤ法により成膜する温度を、第１の有機層Ｘ１を形成する温度よりも高くできないことが懸念される。

そこで、当該第１変形例においては、キャパシタ１５は、基板１２の第１面１３上に設けられ、基板１２の第１面１３上で第１の有機層Ｘにより被覆されているようにする（図１８）。

これにより、例えば、キャパシタ１５の２つの電極である第１導電層ＤＣ１と第２導電層ＤＣ２との間に位置する絶縁層である絶縁層ＭＣをＣＶＤ法により成膜する温度を、第１の有機層Ｘ１を形成する温度よりも高くできる。すなわち、キャパシタ１５の絶縁層の緻密性を向上して、キャパシタ１５の特性を向上させることができる。

ここで、この第１変形例に係る貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図１５乃至図１８を参照して説明する。

先ず、図１５に示すように、既述の図４に示す貫通孔２０が設けられた基板１２を準備した後、基板１２の第１面１３上に、電極を構成する第１導電層ＤＣ１、第１導電層ＤＣ１上の絶縁層ＭＣ、絶縁層ＭＣ上の電極を構成する第２導電層ＤＣと、を備えるキャパシタ１５形成する。

ここで、この図１５に示すキャパシタ１５を形成する工程において、キャパシタ１５の２つの電極ＤＣ１、ＤＣ２間に位置する絶縁層ＭＣはＣＶＤ法により第１の温度の条件（例えば、４００度）で形成する。

このように、この第１変形例では、既述の実施形態の貫通孔形成工程の後であって有機層形成工程の前に、例えば、既述の実施形態と同様の真空ラミネートにより、基板１２の第１面１３上にキャパシタ１５を形成する。

そして、図１６に示すように、有機層形成工程において、このキャパシタ１５を基板１２の第１面１３上で第１の有機層Ｘ１により被覆する。

なお、この第１の有機層Ｘ１は、既述の第１の温度（例えば、４００度）よりも低い第２の温度（例えば、３００度）で形成される。さらに、実施形態と同様に、第２の有機層Ｘ２及び側壁有機層Ｘ２０も形成する。

その後、図１７に示すように、実施形態と同様に、成膜された感光性樹脂である第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２及び側壁有機層Ｘ２０を選択的に露光、現像して、第１、第２の電極用溝ＤＭ１、ＤＭ２及び第１、第２の配線用溝ＬＭ１、ＬＭ２を第１、第２の有機層Ｘ１、Ｘ２に形成するとともに、感光性樹脂で充填された貫通孔２０の内部を貫通させる。このとき、第１導電層ＤＣ１の一端及び他端の表面が露出するように開口ＹＭ１、ＹＭ２を形成するとともに、第２導電層ＤＣ２の中央部の表面が露出するように開口ＹＭ３を形成する。

その後、図１８に示すように、ダマシン法により、貫通電極２２、第１、２の配線Ｌ１、Ｌ２を形成する。このとき、開口ＹＭ１、ＹＭ２、ＹＭ３それぞれに埋め込まれた配線Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３も同時に形成される。なお、配線Ｙ１は、第１導電層ＤＣ１の一端と貫通電極２２とを電気的に接続する。また、配線Ｙ２は、第１導電層ＤＣ１の他端と電気的に接続される。また、配線Ｙ３は、第２の導電層ＤＣ２の中央部と電気的に接続される。

その後の工程として、キャパシタ１５に関する部分を除いて、既述の実施形態と同様の工程が実施されることで、当該第１の変形例に係る貫通電極基板が完成することとなる。

既述のように、当該第１の変形例によれば、キャパシタ１５の２つの電極である第１導電層ＤＣ１と第２導電層ＤＣ２との間に位置する絶縁層である絶縁層ＭＣをＣＶＤ法により成膜する温度を、第１の有機層Ｘ１を形成する温度よりも高くできる。すなわち、キャパシタ１５の絶縁層の緻密性を向上して、キャパシタ１５の特性を向上させることができる。

（第２変形例）
図１９は、貫通電極基板１０と、貫通電極基板１０に搭載された素子５０と、を備える実装基板６０の一例を示す断面図である。素子５０は、ロジックＩＣやメモリＩＣなどのＬＳＩチップである。また、素子５０は、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)チップであってもよい。ＭＥＭＳチップとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などが１つの基板上に集積化された電子デバイスである。図１９に示すように、素子５０は、貫通電極基板１０の第１面第３導電層３５などの導電層に電気的に接続された端子５１を有する。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

貫通電極基板が搭載される製品の例
図２０は、本開示の実施形態に係る貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。

１０ 貫通電極基板
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
１５ キャパシタ
１６ インダクタ
２０ 貫通孔
２１ 側壁
２２ 貫通電極
２２１ シード層
２２２ めっき層
２６ 有機層
３０ 第１配線構造部
４０ 第２配線構造部
５０ 素子
５１ 端子
６０ 実装基板
Ｌ１ 第１の配線
２２ａ 第１の電極部分
Ｘ１ 第１の有機層
ＬＭ１ 第１の配線用溝
ＤＭ１ 第１の電極用溝
Ｌ２ 第２の配線
２２ｂ 第２の電極部分
Ｘ２ 第２の有機層
ＬＭ２ 第２の配線用溝
ＤＭ２ 第２の電極用溝
２２ｍ 貫通部分
Ｘ２０ 側壁有機層

Claims (21)

1. 第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられた基板と、
   前記基板の前記第１面上に設けられ、前記貫通孔の前記第１面側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝及びこの第１の電極用溝に隣接する第１の配線用溝が配置された第１の有機層と、
   前記第１の配線用溝に配置された第１の配線と、
   前記貫通孔の側壁に沿って延在する貫通部分と、前記第１の電極用溝に配置され且つ前記貫通部分に接続された第１の電極部分と、を有する貫通電極と、を備え、
   前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが電気的に接続されている、貫通電極基板。
2. 前記貫通孔の側壁に沿って延在し、前記貫通孔の前記側壁と前記貫通電極の前記貫通部分との間に位置する側壁有機層を更に備える、請求項１に記載の貫通電極基板。
3. 前記第１の配線用溝の底部及び前記第１の電極用溝の底部では、前記基板の前記第１面が露出している、請求項２に記載の貫通電極基板。
4. 前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが前記第１の有機層上で直接接続されている、請求項１に記載の貫通電極基板。
5. 前記第１の配線及び前記貫通電極は、前記第１の有機層の前記第１の配線用溝及び前記第１の電極用溝の内面及び前記貫通孔の側壁に沿って配置されたシード層と、前記シード層の表面に配置されためっき層と、を有する、請求項２に記載の貫通電極基板。
6. 前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分の表面は、前記第１の有機層の表面の高さと同じ高さである、請求項５に記載の貫通電極基板。
7. 前記基板の前記第２面上に設けられ、前記貫通孔の前記第２面側の開口部近傍に位置する第２の電極用溝及びこの第２の電極用溝に隣接する第２の配線用溝が配置された第２の有機層と、
   前記第２の配線用溝に配置された第２の配線と、を更に備え、
   前記貫通電極は、前記第２の電極用溝に配置され且つ前記貫通部分に接続された第２の電極部分を有し、
   前記第２の配線と前記貫通電極の前記第２の電極部分とが電気的に接続されている、請求項１に記載の貫通電極基板。
8. 前記第２の配線用溝の底部及び前記第２の電極用溝の底部では、前記基板の前記第２面が露出している、請求項７に記載の貫通電極基板。
9. 前記貫通電極と、前記貫通電極に電気的に接続されるとともに前記第１面側に位置する第１面導電層と、前記貫通電極に電気的に接続されるとともに前記第２面側に位置する第２面導電層と、を有するインダクタを更に備える、請求項２に記載の貫通電極基板。
10. 前記貫通電極に電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層上に位置し、無機材料を含み、絶縁性を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する第２導電層と、を有するキャパシタを更に備える、請求項２に記載の貫通電極基板。
11. 前記キャパシタは、前記基板の前記第１面側において前記第１の有機層上に位置する、請求項１０に記載の貫通電極基板。
12. 前記キャパシタは、前記基板の前記第１面上に設けられ、前記基板の前記第１面上で前記第１の有機層により被覆されている、請求項１０に記載の貫通電極基板。
13. 前記第１の有機層及び側壁有機層は、感光性樹脂である、請求項２に記載の貫通電極基板。
14. 貫通電極基板と、
    前記貫通電極基板に搭載された素子と、を備え、
    前記貫通電極基板は、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられた基板と、
    前記基板の前記第１面上に設けられ、前記貫通孔の前記第１面側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝及びこの第１の電極用溝に隣接する第１の配線用溝が配置された第１の有機層と、
    前記第１の配線用溝に配置された第１の配線と、
    前記貫通孔の側壁に沿って延在する貫通部分と、前記第１の電極用溝に埋め込まれ且つ前記貫通部分に接続された第１の電極部分と、を有する貫通電極と、を備え、
    前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが電気的に接続されている、実装基板。
15. 第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられた基板を準備する第１工程と、
    前記基板の前記第１面上及び前記貫通孔の内部に有機層を形成する第２工程と、
    前記貫通孔の前記第１面側の開口部近傍に位置する第１の電極用溝及びこの第１の電極用溝に隣接する第１の配線用溝を前記有機層に形成するとともに、前記有機層で充填された前記貫通孔の内部を貫通させる第３工程と、
    前記第１の配線用溝に埋め込まれた第１の配線を形成するとともに、前記貫通孔の側壁に沿って延在する貫通部分と、前記第１の電極用溝に埋め込まれ且つ前記貫通部分に接続された第１の電極部分とを有する貫通電極を形成する第４工程と、を備え、
    前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分とが電気的に接続されている、貫通電極基板の製造方法。
16. 前記第２工程において、感光性樹脂を前記基板の前記第１面上及び前記貫通孔内に成膜することで前記有機層を形成し、
    前記第３工程において、前記成膜された前記感光性樹脂を露光、現像して、前記第１の電極用溝及び第１の配線用溝を前記有機層に形成するとともに、前記感光性樹脂で充填された前記貫通孔の内部を貫通させる、請求項１５に記載の貫通電極基板の製造方法。
17. 前記第４工程において、前記第１の配線及び前記貫通電極を、ダマシン法により同時に形成する、請求項１５に記載の貫通電極基板の製造方法。
18. 前記第１の配線と前記貫通電極の前記第１の電極部分の表面を、ＣＭＰ法により、前記基板の前記第１面上の前記有機層の表面の高さまで選択的に研磨して平坦化する第５工程を更に備える、請求項１７に記載の貫通電極基板の製造方法。
19. 前記第５工程の後、前記基板の前記第１面側において前記貫通電極の前記第１の電極部分上に位置するキャパシタを形成する第６工程を更に備える、請求項１８に記載の貫通電極基板の製造方法。
20. 前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、前記基板の前記第１面上にキャパシタを形成する第６工程を更に備え、
    前記第２工程において、前記キャパシタを前記基板の前記第１面上で前記有機層により被覆する、請求項１５に記載の貫通電極基板の製造方法。
21. 前記第６工程において、前記キャパシタの２つの電極間に位置する絶縁層はＣＶＤ法により第１の温度の条件で形成され、
    前記有機層は、前記第１の温度よりも低い第２の温度で形成される、請求項２０に記載の貫通電極基板の製造方法。

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