JP4670383B2 - 基板ホルダ、および光導波路のための膜を堆積する方法 - Google Patents
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Description
図1(A)はプラズマCVD装置のための基板ホルダを示す平面図である。図1(B)は、図1(A)に示されたI−I線に沿ってとられた基板ホルダの断面図である。図2は、基板ホルダの構成部品を示す図面である。基板ホルダ11は、搭載部品13と、スペーサ15と、複数層の金属シート25とを備える。搭載部品13は、金属製のベース19と金属製の支持具21とを含む。ベース19は、被処理基板W(図1(B)に破線で示されている)を搭載するための搭載面19aを有する。支持具21は、ベース19に取り付けられている。この取り付けは、ボルトといった固定具23を用いて行われる。スペーサ15は、ベース19と支持具21とにより保持されており、また搭載部品13と共に用いることによって被処理基板Wを保持する。金属シート25は、ベース19の搭載面19a上に設けられている。
被処理基板W:石英ガラス基板(厚さ:0.5mm、直径:4インチ)
支持基板:シリコン板(厚さ:0.4mm、直径:4インチ)
金属シート:金属箔(厚さ:0.02mm、8枚重ね)
スペーサ:石英製リング(幅:25mm、厚さ:2.5mm)
であり、ベースとしてステンレス板を用いると共に、支持具としてステンレスリングを用いている。
図5(A)、図5(B)および図5(C)は、光導波路のための膜を堆積する方法を説明するための図面である。光導波路のための膜は、プラズマCVD装置37を用いて堆積される。プラズマCVD装置37としては、例えば二周波誘導結合プラズマ(ICP)CVD装置を用いることができる。
高周波パワー:1000ワット
バイアスパワー:500ワット
成膜ガス:酸素ガス、TEOS(テトラエトキシシラン)ガス
を用いることができる。
Claims (4)
- プラズマ装置のための基板ホルダであって、
被処理基板を搭載するための搭載面を有する金属製のベースと前記ベースに取り付けられる金属製の支持具とを含む搭載部品と、
前記ベースと前記支持具とにより保持されており、前記搭載部品と共に用いることによって前記被処理基板を保持する絶縁性のスペーサと、
前記ベースの前記搭載面と前記被処理基板との間に設けられた複数層の金属シートと
を備える、ことを特徴とする基板ホルダ。 - 前記被処理基板を支持する支持面を有する支持基板を更に備え、
前記金属シートは、前記搭載面と前記支持基板との間に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載された基板ホルダ。 - 前記支持具と前記スペーサとの間に設けられる弾性部材を更に備える、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された基板ホルダ。
- 光導波路のための膜を堆積する方法であって、
金属製支持具、金属製ベース、支持基板、複数層の金属箔および絶縁性のスペーサを含む基板ホルダに、前記金属製支持具、前記金属製ベースおよび前記スペーサを用いて、被処理基板を取り付ける工程と、
プラズマ成膜法を用いて光導波路のための膜を前記被処理基板に堆積する工程と
を備え、
前記支持基板は前記金属製ベースの搭載面と前記被処理基板との間に位置しており、
前記複数層の金属箔は前記金属製ベースの前記搭載面と前記支持基板との間に位置している、ことを特徴とする方法。
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---|---|---|---|---|
JPH08262260A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-11 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | 光導波路チップの製造方法 |
JP2000178749A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-27 | Toshiba Mach Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JP2004133184A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路の製造方法およびプラズマcvd装置 |
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