CN101728297A - 静电吸盘装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种静电吸盘装置及其制造方法，其能够延长静电吸盘的使用寿命，并且通过防止绝缘材料被刻蚀而在整个衬底上实现均匀的温度梯度。所述静电吸盘装置包括：基座构件，以及装载在所述基座构件上的静电吸盘，用于通过静电力吸附衬底，其中所述静电吸盘包括：绝缘构件，其形成于所述基座构件上，并且设有多个由氮化铝构成的第一绝缘板；加热器，用于加热衬底，所述加热器位于所述多个第一绝缘板之间；直流电极，形成于所述多个第一绝缘板中的设在所述加热器之上的至少一个第一绝缘板上，所述直流电极与直流电源电连接；以及绝缘刻蚀停止层，其由氧化铝构成并形成于所述绝缘构件的整个表面，用于防止所述绝缘构件被刻蚀。

Description

静电吸盘装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2008年10月28号提交的韩国专利申请No.P2008-0105949的权益，通过引用将其包含于此，如同在本文中完全阐述。
技术领域
本发明涉及一种静电吸盘及其制造方法，更具体地，涉及一种静电吸盘装置及其制造方法，所述静电吸盘装置能够通过防止绝缘材料被刻蚀，使得静电吸盘的使用寿命延长，并且实现在整个衬底上均匀的温度梯度。
背景技术
一般说来，半导体器件，平板显示器件或太阳能电池可通过氧化、沉积和刻蚀的过程来制造。这些过程是在衬底固定地装载在腔室上的情况下进行的。为了将衬底固定地装载到腔室上，广泛采用机械方法或真空吸盘方法。近年来，使用静电力的静电吸盘装置是更首选的。
静电吸盘装置可以应用于制造半导体器件的全部步骤中，例如，化学气相沉积，刻蚀，溅射和离子注入的步骤。
静电吸盘装置通过在电极和衬底之间的绝缘层上产生的库伦力(Coulombic Force)和约翰生-拉别克力(Johnson-Rahbeck Force)来吸附衬底。
图1示出现有技术的静电吸盘装置。
参考图1，现有技术的静电吸盘装置包括基座构件10和静电吸盘20，基座构件10由铝材料形成，以及静电吸盘形成于基座构件10上。
基座构件10包括吸附到静电吸盘20的通道12(未示出)，通道12用于将衬底加热到预定的温度。如果从外部提供的具有高温度的液体15通过通道12，则基座元件10将液体15的温度传递给衬底，由此，被静电吸附在静电吸盘20上的衬底被加热到预定温度。
静电吸盘20包括绝缘构件22和形成于绝缘构件22内部的直流电极(DC电极)24。由于静电吸盘20向DC电极24提供直流电源，在绝缘构件22中产生静电力，由此，衬底(未示出)被静电吸附到静电吸盘20上。并且，静电吸盘20通过使用从基座构件10传递来的液体15的热量来将被静电吸附到静电吸盘20上的基座加热到预定的温度。
然而，现有技术的静电吸盘装置具有下面的缺点。
在现有技术的静电吸盘装置中，在加工过程中或其之后，当通过刻蚀来清洁腔室时，绝缘构件22可能被等离子体(或刻蚀气体)刻蚀，因而静电吸盘20的使用寿命会缩短。由于静电吸盘20的使用寿命短，静电吸盘20不得不被频繁地更换，因而产率减少而维修费用增加。
由于基座构件10与静电吸盘20的绝缘构件22的导热性不同，并且通道15离衬底远，因此难以在整个衬底上实现均匀的温度。而且，由于在衬底中的温度调节不精确，因此难以在整个衬底上实现均匀的温度梯度。
发明内容
因此，本发明涉及一种静电吸盘装置及其制造方法，基本上避免了由于现有技术的限制和不足产生的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种静电吸盘装置及其制造方法，所述静电吸盘装置能够延长静电吸盘的使用寿命，并且能够通过阻止绝缘材料被刻蚀而实现整个基座上均匀的温度梯度。
本发明的其它优点、目的和功能将会在下面的描述中部分地提出，并且对于本领域的技术人员来说，部分的所述其它优点、目的和方面通过分析下文是显而易见的，或者可以通过实施本发明而了解。本发明的目的以及其他优点可通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构实现并获得。
为达到这些目的以及其他的优点并且与本发明的目的相一致，如在此具体地和概括地描述的，一种静电吸盘装置包括：基座构件；以及静电吸盘，装载在所述基座构件上，所述静电吸盘用于通过静电力吸附衬底，其中，所述静电吸盘包括：绝缘构件，形成于所述基座构件上，并且设有多个由氮化铝构成的第一绝缘板；加热器，用于加热衬底，所述加热器位于所述多个第一绝缘板之间；直流电极，形成于所述多个第一绝缘板中的设于加热器之上的至少一个第一绝缘板上，所述DC电极与直流电源电连接；以及绝缘刻蚀停止层，由氧化铝构成并形成于所述绝缘构件的整个表面上，以用来防止所述绝缘构件被刻蚀。
同时，绝缘构件包括：第一绝缘层，位于所述基座构件上，所述第一绝缘层包括至少一个相接触的第一绝缘板；第二绝缘层，所述第二绝缘层在加热器插置于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层之间的情况下位于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层包括至少一个相接触的第一绝缘板；以及第三绝缘层，所述第三绝缘层在直流电极插置于所述第三绝缘层和所述第二绝缘层之间的情况下位于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层包括至少一个相接触的第一绝缘板。
并且，所述绝缘刻蚀停止层包括至少一个与所述绝缘构件相接触的由氧化铝构成的第二绝缘板。
所述加热器包括：内部加热器，其由第一加热源加热，并且位于所述第一绝缘层的中心部分；以及外部加热器，其由第二加热源加热，并且位于所述第一绝缘层的边缘。
另外，所述静电吸盘装置还包括覆盖在所述静电吸盘的侧面的聚焦环，所述聚焦环形成于所述基座构件上。
所述聚焦环由氧化铝形成。
根据本发明的另一方面，一种静电吸盘装置的制造方法包括：形成由第一绝缘材料构成的第一绝缘层；在第一绝缘层上设置加热器；在加热器插置于第一和第二绝缘层之间的情况下，在第一绝缘层上形成由第一绝缘材料构成的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成直流电极，所述DC电极与直流电源电连接；在直流电极上形成由第一绝缘材料构成的第三绝缘层；在第三绝缘层上形成绝缘刻蚀停止层，其中，所述绝缘刻蚀停止层由与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料形成；通过将包括加热器和直流电极的第一至第三绝缘层粘附到绝缘刻蚀停止层来制造静电吸盘；以及将所述静电吸盘装载到所述基座构件上。
所述第一至第三绝缘层的每一个都由至少一个由第一绝缘材料构成的第一绝缘板形成。
第一绝缘材料是氮化铝。
第二绝缘材料是氧化铝。
在第一绝缘层上设置加热器的过程包括：在第一绝缘层的中心部分设置由第一加热源加热的内部加热器；以及在第一绝缘层的边缘设置由第二加热源加热的外部加热器。
另外，所述方法也包括在基座构件上形成覆盖静电吸盘侧面的聚焦环。
所述聚焦环由氧化铝形成。
应当理解，前面提到的本发明的概括描述以及下面的详细描述都是示范的和说明性的，并且旨在提供所主张的本发明的更进一步的说明。
附图说明
所包括的附图用于提供本发明的进一步理解，包括在本申请中且构成本申请的一部分，其示出了本发明的实施例，并与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1示出现有技术的静电吸盘装置；
图2示出根据本发明一个实施例的静电吸盘装置；
图3示出根据本发明另一个实施例的静电吸盘装置；
图4A至4I是示出根据本发明的实施例的静电吸盘装置制造方法的剖视图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的优选实施例，其实例在附图中示出。在任何可能的情况下，所有附图中采用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
下文中，将参考附图描述根据本发明的静电吸盘装置以及静电吸盘装置的制造方法。
图2示出了根据本发明的一个实施例的静电吸盘装置。
参考图2，根据本发明的一个实施例的静电吸盘装置包括基座构件200和静电吸盘300.
基座构件200由金属材料制成。例如，基座构件200可以由铝(A1)制成。基座构件200可以包括一个附加的延伸部分，在该延伸部分上装载静电吸盘300。
静电吸盘300包括绝缘构件310，加热器320，直流电极(DC电极)330，以及绝缘刻蚀停止层340。
绝缘构件310可包括第一，第二和第三绝缘层312、314、以及316。
第一绝缘层312沉积在基座构件200上。
第二绝缘层314在加热器320插置于第二绝缘层314和第一绝缘层312之间的情况下沉积在第一绝缘层312上。
第三绝缘层316在DC电极330插置于到第三绝缘层316和第二绝缘层314之间的情况下沉积在第二绝缘层314上。
第一，第二以及第三绝缘层312、314、以及316的每一层由至少一个第一绝缘板312a形成，第一绝缘板312a由具有90W/mk或更高的导热系数的氮化铝(AlN)制成。
加热器320包括内部加热器320a以及外部加热器320b，其中内部加热器和外部加热器320a和320b均放置在第一和第二绝缘层312和314之间。
内部加热器320a形成于第一绝缘层312的中心部分。内部加热器320a由外部提供的第一加热源加热，并且随后内部加热器320a将静电吸盘300的中心部分加热到预定的温度。在这种情况下，内部加热器320a可形成为具有同心圆形状。
外部加热器320b形成于第一绝缘层312的边缘。外部加热器320b由外部提供的第二加热源加热，并且随后外部加热器320b将静电吸盘300的边缘加热到预定的温度。在这种情况下，外部加热器320b可以在外部加热器320a的外部形成具有同心圆的形状。
为了实现制造静电吸盘300的简化过程，内部和外部加热器320a和320b的每一个可被插入到加热器插入槽中(未示出)中，所述加热器插入槽形成在第一绝缘层312的表面上的每一对应部分。
包括分别操作的内部和外部加热器320a和320b的加热器320能够实现对衬底的精确的温度控制，由此，可以选择性地控制整个衬底上相应部分的部位的温度，因此实现衬底上均匀的温度梯度。
DC电极330形成于放置在第二绝缘层314上的电极板中。DC电极330通过外部提供的直流电产生静电力，并且由DC电极330产生的静电力能够在静电吸盘300的整个表面上吸附衬底。为了实现制造静电吸盘330的简化过程，DC电极330可以被插入到在第二绝缘层314的表面上相应的部分形成的电极插入槽(未示出)中。
DC电极330和绝缘构件310可以由热膨胀系数和质量相近的材料制成。例如，DC电极330可由钛(Ti)，钨(W)或钽(Ta)制成。DC电极可通过加压(pressurizing)、丝网印刷(screen printing)、刮片(doctor blade)以及流延成形(tape casting)中的任何一种方法形成。
绝缘刻蚀停止层340在第三绝缘层316的整个表面形成。优选地，绝缘刻蚀停止层340由导热性高、用于有效地将加热器320产生的热量传递到衬底上、并且对等离子体的抗刻蚀性高的材料制成。因此，绝缘刻蚀停止层340利用由至少一个导热系数为18W/mk或更高的氧化铝(Al2O3)所构成的第二绝缘板形成。绝缘刻蚀停止层340可在高温和高压下在第三绝缘层316上形成。在这种情况下，绝缘刻蚀停止层340比绝缘构件310薄，以便实现衬底平稳的静电吸附和好的导热性。例如，优选地，绝缘刻蚀停止层340具有大约7mm的厚度。
在制造半导体器件的过程中或在此过程后，绝缘刻蚀停止层340可以防止在通过刻蚀清洁腔室时，第三绝缘层316被等离子体(或刻蚀气体)刻蚀。
上述的根据本发明的静电吸盘装置公开了由氧化铝构成的绝缘刻蚀停止层340形成于氮化铝的绝缘构件310上，以便防止绝缘构件310被等离子体刻蚀。因此，上述根据本发明的静电吸盘装置，能够延长静电吸盘300的使用寿命，由于静电吸盘300更换周期的延长而降低生产成本，并且能增加制造半导体器件的过程的收益。
上述根据本发明的静电吸盘装置中，由于绝缘刻蚀停止层340比绝缘构件310薄，由加热器320产生的热量均匀地传递给具有高导热性的绝缘构件310，由此使静电吸盘300的表面温度均匀。并且，绝缘构件310的高导热性能够迅速地控制静电吸盘300的加热和冷却，从而能够增加制造半导体器件的过程的收益。
图3示出了根据本发明的另一个实施例的静电吸盘装置，包括额外地提供的聚焦环400。
覆盖在静电吸盘300的侧面的聚焦环400，形成于基座构件200上。在这种情况下，聚焦环400可由与绝缘刻蚀停止层340相同的材料形成。
聚焦环400保护绝缘刻蚀停止层340的侧面以及绝缘构件310的侧面不受等离子体的刻蚀。尽管绝缘刻蚀停止层340保护静电吸盘300的绝缘构件310，但是绝缘构件310的侧面暴露在等离子体中。在这个方面，设置聚焦环400来防止静电吸盘300的侧面不受等离子体的刻蚀。
并且，聚焦环400被设置来在使用等离子体制造半导体器件的过程中，将等离子体集合在预定的部分上以用来装载基座。
图4A至4I是示出根据本发明的实施例的静电吸盘装置的制造方法的示意图。
下面将参考图4A至4I说明根据本发明的实施例的静电吸盘装置的制造方法。
首先，如图4A所示，第一绝缘层312利用由至少一个氮化铝构成的第一绝缘板312a形成。
如图4B所示，包括内部和外部加热器320a和320b的加热器320沉积在第一绝缘层312上。
此时，加热器320包括内部加热器320a和外部加热器320b。内部加热器320a形成于第一绝缘层312的中心部分，并且内部加热器320a由外部提供的第一加热源加热。而且，外部加热器312b形成于第一绝缘层312的边缘，并且外部加热器320b由第二加热源加热。为了简化制造静电吸盘300的过程，内部和外部加热器320a和320b的每一个都可插入到设在第一绝缘层312表面上的每一相应部分的加热器插入槽(未示出)中。
如图4C所示，第二绝缘层314形成于加热器320上，其中第二绝缘层314由至少一个第一绝缘层312a形成。
如图4D所示，DC电极330形成于第二绝缘层314上。为简化制造静电吸盘300的过程，DC电极330可以可插入到形成于第二绝缘层314表面上的相应部分的电极插入槽(未示出)中。
DC电极330可以形成于一个位于第二绝缘层314上面的附加的电极板上。
如图4E所示，第三绝缘层316在DC电极330插置于第三绝缘层316和第二绝缘层314之间的情况下形成于第二绝缘层314上，其中第三绝缘层316由至少一个第一绝缘板312a形成。
如图4F所示，绝缘刻蚀停止层340形成于第三绝缘层316上，其中，绝缘刻蚀停止层340利用至少一个由氧化铝构成的第二绝缘板形成。
如图4G所示，绝缘刻蚀停止层340和包括加热器320和DC电极330的第一至第三绝缘层312、314、以及316在高温和高压下形成，由此制造静电吸盘300。
如图4H所示，制成的静电吸盘300装载在基座构件200上，由此制造静电吸盘装置。
在根据本发明的实施例的静电吸盘装置的制造方法中，如图4I所示，覆盖在静电吸盘300侧面的聚焦环400形成于基座构件200上，此时，聚焦环400可由与绝缘刻蚀停止层340相同的材料制成。
因此，根据本发明的静电吸盘装置及其制造方法具有如下的优点。
由于氧化铝的绝缘刻蚀停止层340形成于由氮化铝构成的绝缘构件310上，因此可以防止绝缘构件310被等离子体刻蚀。因此，静电吸盘300延长的使用寿命能够延长更换静电吸盘300的周期，从而降低维修成本并且能增加制造半导体器件的过程的收益。
由于绝缘刻蚀停止层340比绝缘构件310薄，由加热器320产生的热量均匀的传递给具有高导热性的绝缘构件310，由此使静电吸盘300的表面温度均匀。并且，绝缘构件310的高导热性能够迅速地控制静电吸盘300的加热和冷却，以便能够增加制造半导体器件的过程的产率。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以进行多种改进和变型。因此，如果对本发明的改进和变型在所附权利要求或其等价物的范围内，则本发明意在涵盖本发明的改进和变型。

Claims (13)

1.一种静电吸盘装置，包括：
基座构件；以及
静电吸盘，其装载在所述基座构件上，用于通过静电力吸附衬底，
其中，所述静电吸盘包括：
绝缘构件，形成于所述基座构件上，并且设有多个由氮化铝构成的第一绝缘板；
加热器，用于加热所述衬底，所述加热器位于所述多个第一绝缘板之间；
直流电极，形成于所述多个第一绝缘板中的设在所述加热器之上的至少一个第一绝缘板上，所述直流电极与直流电源电连接；以及
绝缘刻蚀停止层，其由氧化铝构成并形成于所述绝缘构件的整个表面上，用于防止所述绝缘构件被刻蚀。
2.如权利要求1所述的静电吸盘装置，其中，所述绝缘构件包括：
第一绝缘层，位于所述基座构件上，所述第一绝缘层包括至少一个相接触的第一绝缘板。
第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述加热器插置于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层之间的情况下位于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层包括至少一个相接触的第一绝缘板；以及
第三绝缘层，所述第三绝缘层在所述直流电极插置于所述第三绝缘层和所述第二绝缘层之间的情况下位于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层包括至少一个相接触的第一绝缘板。
3.如权利要求1所述的静电吸盘装置，其中，所述绝缘刻蚀停止层包括至少一个与所述绝缘构件相接触的由氧化铝构成的第二绝缘板。
4.如权利要求2所述的静电吸盘装置，其中所述加热器包括：
内部加热器，其由第一加热源加热，并且位于所述第一绝缘层的中心部分；以及
外部加热器，其由第二加热源加热，并且位于所述第一绝缘层的边缘。
5.如权利要求1所述的静电吸盘装置，进一步包括覆盖所述静电吸盘的侧面的聚焦环，所述聚焦环形成于所述基座构件上。
6.如权利要求5所述的静电吸盘装置，其中，所述聚焦环由氧化铝形成。
7.一种静电吸盘装置的制造方法，包括：
形成由第一绝缘材料构成的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上设置加热器；
在所述加热器插置于所述第一和第二绝缘层之间的情况下，在所述第一绝缘层上形成由所述第一绝缘材料构成的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成直流电极，所述直流电极与直流电源电连接；
在所述直流电极上形成由所述第一绝缘材料构成的第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成绝缘刻蚀停止层，其中，所述绝缘刻蚀停止层由与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料形成；
通过将包括所述加热器和所述直流电极的所述第一至第三绝缘层粘附到所述绝缘刻蚀停止层来制造静电吸盘；以及
将所述静电吸盘装载在所述基座构件上。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一至第三绝缘层的每一层由至少一个由第一绝缘材料构成的第一绝缘板形成。
9.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一绝缘材料是氮化铝。
10.如权利要求7所述的方法，其中，所述第二绝缘材料是氧化铝。
11.如权利要求7所述的方法，其中，在所述第一绝缘层上设置加热器的过程包括：
在所述第一绝缘层的所述中心部分设置由第一加热源加热的内部加热器；以及
在所述第一绝缘层的所述边缘设置由第二加热源加热的外部加热器。
12.如权利要求7所述的方法，进一步包括在所述基座构件上形成覆盖所述静电吸盘的侧面的聚焦环。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述聚焦环由氧化铝形成。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104282611A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理腔室及其静电夹盘
CN104752136A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理装置及其静电卡盘
CN108054073A (zh) * 2017-11-02 2018-05-18 吴征威 一种等离子体放电电极的制备方法
CN109449907A (zh) * 2018-12-11 2019-03-08 广东海拓创新精密设备科技有限公司 一种透明静电吸盘及其制备方法
CN110323149A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种高温静电卡盘及其制作方法
CN111385917A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于组装esc的多平面多路可调节温度的加热器

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103283013B (zh) * 2010-12-27 2016-08-10 创意科技股份有限公司 工件加热装置及工件处理装置
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
KR101283184B1 (ko) * 2011-10-19 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 핫플레이트 및 핫플레이트 제조 방법
CN103165381B (zh) * 2011-12-15 2016-08-24 中微半导体设备(上海)有限公司 一种控制所负载基板温度的静电卡盘及等离子体处理装置
KR101976538B1 (ko) * 2012-02-16 2019-05-10 주식회사 미코 온도 가변형 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101463395B1 (ko) * 2012-02-29 2014-11-19 코리아세미텍 주식회사 정전척 및 그 제조방법
KR20130107001A (ko) * 2012-03-21 2013-10-01 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
US8937800B2 (en) * 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
JP6359236B2 (ja) * 2012-05-07 2018-07-18 トーカロ株式会社 静電チャック
KR101970301B1 (ko) 2012-07-11 2019-04-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 테스트 장치
US20140318455A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Low emissivity electrostatic chuck
CN104241183B (zh) * 2013-06-08 2017-09-08 中微半导体设备(上海)有限公司 静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置
KR101385950B1 (ko) * 2013-09-16 2014-04-16 주식회사 펨빅스 정전척 및 정전척 제조 방법
US9644269B2 (en) * 2014-01-30 2017-05-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc Diffusion resistant electrostatic clamp
JP6873058B2 (ja) 2015-06-29 2021-05-19 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 基板を保持するための装置
CN106898574A (zh) 2015-12-17 2017-06-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘机构以及半导体加工设备
WO2019187785A1 (ja) 2018-03-26 2019-10-03 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
JP3567855B2 (ja) * 2000-01-20 2004-09-22 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ウェハ保持体
JP2003023000A (ja) * 2001-07-11 2003-01-24 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2006179693A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd ヒータ付き静電チャック
US20080083700A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 Lexmark International, Inc. Method and Apparatus for Maximizing Cooling for Wafer Processing
US7648899B1 (en) * 2008-02-28 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. Interfacial layers for electromigration resistance improvement in damascene interconnects

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104282611A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理腔室及其静电夹盘
CN104752136A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理装置及其静电卡盘
CN104752136B (zh) * 2013-12-30 2017-06-27 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理装置及其静电卡盘
CN108054073A (zh) * 2017-11-02 2018-05-18 吴征威 一种等离子体放电电极的制备方法
CN110323149A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种高温静电卡盘及其制作方法
CN110323149B (zh) * 2018-03-30 2021-06-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种高温静电卡盘及其制作方法
CN109449907A (zh) * 2018-12-11 2019-03-08 广东海拓创新精密设备科技有限公司 一种透明静电吸盘及其制备方法
CN109449907B (zh) * 2018-12-11 2024-01-12 广东海拓创新技术有限公司 一种透明静电吸盘及其制备方法
CN111385917A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于组装esc的多平面多路可调节温度的加热器
CN111385917B (zh) * 2018-12-29 2022-07-15 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于组装esc的多平面多路可调节温度的加热器

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KR20100046909A (ko) 2010-05-07
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PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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