JP5524213B2 - 調整可能な電気抵抗率を有するウェーハ処理装置 - Google Patents
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Description
であるので、コーティング(被膜)の全バルク抵抗率RTは、RT=R1+R2+R3である。
層状に積み重ねられたAlNの例を表1及び図8に示す。これらの例は、抵抗率が異なるAlN薄膜の3つのタイプを用いている。タイプAのAlNは、低密度で低抵抗率の薄膜であり、タイプBのAlNは、高密度で中程度の抵抗率の薄膜であり、タイプCのAlNは、抵抗率が極めて高いAlN薄膜である。600℃で測定された各タイプのAlNの抵抗率を表1に示す。サンプル70858は、AlNの3つの層からなり、層1及び層3がタイプAのAlNであり、層2がタイプBのAlNである。この例では、3層構造のコーティングの合成抵抗率は、個々の層の抵抗率の間に収まっており、個々の層の厚さを調整(または制御)することによって1.5×107Ω-cmに調整されている。サンプル80153は、2層構造であって、抵抗率が、1.3×1010Ω-cm(タイプCのAlNのみが使用された場合)〜4.1×109Ω-cmの間に調整された。第3の例は、タイプBとタイプCのAlNを用いた3層構造であり、該3層構造の合成抵抗率は6.9×108Ω-cmに調整されている。図8は、体積抵抗率がそれぞれ異なる2つのタイプのAlNの3つの層からなるAlN保護膜の断面を示す走査電子顕微鏡写真(SEM micro-graph)である。
Claims (22)
- 基板と電極要素からなる本体を備えるウェーハキャリアであって、該ウェーハキャリアがさらに、前記本体の外面の少なくとも一部分に配置された外側コーティングを有し、該外側コーティングは、誘電材料を有し、かつ、電気抵抗率が異なる少なくとも2つの領域を有し、
前記コーティングが、
前記電極に隣接する領域であって、前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%低い電気抵抗率を有する領域と、
前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%高い電気抵抗率を有する少なくとも1つの別の領域
を有する、ウェーハキャリア。 - 前記外側コーティングの厚さは、25〜500マイクロメートルである、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記領域の相対的な大きさは、150℃〜600℃の所望の温度において、前記外側コーティングに、ジョンソン・ラーベック型に入る所望のバルク電気抵抗率を与えるように選択される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記領域は、前記コーティングの厚さ方向に1つ以上の層を有する、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記電極に隣接する層が窒化アルミニウムから構成され、別の層がアルミニウム酸窒化物から構成される、請求項4のウェーハキャリア。
- 前記電極に隣接する前記領域が、少なくとも1つの他の領域よりも密度が高い窒化アルミニウムから構成され、前記少なくとも1つの別の領域が、前記電極に隣接する前記領域よりも密度が低い窒化アルミニウムから構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記コーティングが、
前記電極に隣接する領域であって、0.6wt%未満の酸素を含む窒化アルミニウムから構成された領域と、
0.6wt%を超える酸素を含む窒化アルミニウムから構成された少なくとも1つの別の領域
を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記電極に隣接する前記領域が、25℃において103Ω-cmと1014Ω-cmの間の電気抵抗率を有するAlNから構成され、
前記少なくとも1つの別の領域が、25℃において、前記電極に隣接する前記領域の電気抵抗率よりも大きく、かつ、109Ω-cmと1015Ω-cmの間の電気抵抗率を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記電極に隣接する前記領域が、600℃において1010Ω-cm未満の電気抵抗率を有するAlNから構成され、
前記少なくとも1つの別の領域が、600℃において106Ω-cmより大きな電気抵抗率を有する、請求項1のウェーハキャリア。 - 前記電極が熱分解グラファイトから構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記熱分解グラファイトから構成された電極が抵抗発熱体を構成する、請求項10のウェーハキャリア。
- 前記基板が導電性材料から構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記基板がグラファイトから構成される、請求項12のウェーハキャリア。
- 前記基板と前記電極の間に配置された非導電性の層をさらに有する、請求項12のウェーハキャリア。
- 前記非導電性の層が熱分解窒化ホウ素から構成される、請求項14のウェーハキャリア。
- 前記基板が、熱分解窒化ホウ素またはAlNから構成される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記ウェーハキャリアが、第1及び第2の熱分解グラファイト素子から構成され、前記基板が、前記2つの熱分解グラファイト素子の間に配置される、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記第1の熱分解グラファイト素子が抵抗発熱体であり、前記第2の熱分解グラファイト素子がチャック電極である、請求項17のウェーハキャリア。
- 前記ウェーハキャリアが、本体、該本体に堆積されたチャック電極、及び、該チャック電極の上に堆積された外側コーティングから構成された静電チャックを有し、前記外側コーティングは、異なる抵抗率を有する複数の層から構成され、前記外側コーティングは、AlNから構成された外側層を有する、請求項1のウェーハキャリア。
- 前記領域はAlNから構成され、第1の領域におけるAlNと第2の領域におけるAlNとは、密度、Nに対するAlの化学量論、結晶構造、または、AlNにおけるドーパントの存在の有無及び量、のうちの少なくとも1つが異なる、請求項1のウェーハキャリア。
- ウェーハキャリアを形成する方法であって、
a)ベース基板を設けるステップと、
b)前記ベース基板に電極を配置するステップと、
c)前記ベース基板及び電極の上に外側コーティングを堆積するステップ
を含み、
前記ステップc)は、それぞれが異なる体積抵抗率を有する材料からなる複数の領域を堆積するステップを含み、
前記堆積された材料の各々の相対的な量を変更することによって、所与の温度における前記外側コーティングの全バルク抵抗率を制御することが可能であり、
前記コーティングが、前記電極に隣接する領域であって、前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%低い電気抵抗率を有する領域と、前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%高い電気抵抗率を有する少なくとも1つの別の領域とを有する、方法。 - 基板と電極要素から構成された本体を有するウェーハキャリアであって、該ウェーハキャリアがさらに、前記本体を収容する誘電材料から構成された外側コーティングを有し、該外側コーティングが、微細構造が異なる少なくとも2つの領域を有し、前記異なる微細構造は、孔の数、孔の大きさ、結晶の形状、孔の形状、孔の位置のうちの少なくとも1つが互いに異なり、
前記コーティングが、前記電極に隣接する領域であって、前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%低い電気抵抗率を有する領域と、前記外側コーティングのバルク抵抗率よりも少なくとも25%高い電気抵抗率を有する少なくとも1つの別の領域とを有する、ウェーハキャリア。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/204,079 US7929269B2 (en) | 2008-09-04 | 2008-09-04 | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
US12/204,079 | 2008-09-04 | ||
PCT/US2009/055702 WO2010028023A1 (en) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012502478A JP2012502478A (ja) | 2012-01-26 |
JP5524213B2 true JP5524213B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=41562602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011526145A Expired - Fee Related JP5524213B2 (ja) | 2008-09-04 | 2009-09-02 | 調整可能な電気抵抗率を有するウェーハ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7929269B2 (ja) |
EP (1) | EP2335279A1 (ja) |
JP (1) | JP5524213B2 (ja) |
CN (1) | CN102203931B (ja) |
WO (1) | WO2010028023A1 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6195519B2 (ja) | 2010-08-06 | 2017-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 静電チャック及びその使用方法 |
KR101998440B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2019-07-09 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 선택적 이트리아 상부층을 가지는 AlON 피복 기판 |
KR101372333B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2014-03-14 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US9034199B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
US9212099B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics |
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US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
US9343289B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance |
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CN101360849B (zh) | 2005-11-18 | 2013-05-15 | 莱里斯奥鲁斯集团 | 一种形成多层结构的方法 |
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JP5036339B2 (ja) * | 2007-02-07 | 2012-09-26 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-04 US US12/204,079 patent/US7929269B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-02 CN CN200980143906.6A patent/CN102203931B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-02 EP EP09792160A patent/EP2335279A1/en not_active Withdrawn
- 2009-09-02 JP JP2011526145A patent/JP5524213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-02 WO PCT/US2009/055702 patent/WO2010028023A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010028023A1 (en) | 2010-03-11 |
CN102203931B (zh) | 2014-08-20 |
CN102203931A (zh) | 2011-09-28 |
JP2012502478A (ja) | 2012-01-26 |
EP2335279A1 (en) | 2011-06-22 |
US7929269B2 (en) | 2011-04-19 |
US20100053841A1 (en) | 2010-03-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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