JP2018060905A - 静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極への給電停止後における被加工物に対する吸着力をより良好に維持可能な静電チャックプレートを提供する。【解決手段】板状の基板2の主面側に設定された一対の櫛歯電極3でウエーハWを保持する双極型の静電チャックプレートであって、櫛歯電極3は、隙間を空けて並列する複数の枝部311、321と、複数の枝部311が連結する幹部312、複数の枝部321が連結する幹部321とを有し、一対の櫛歯電極3は、枝部311、321が互い違いに入り組みつつも間隔を空けて設定され、枝部311は、電極の太さが異なる太幅領域311aと細幅領域311bとが、延在方向に交互に形成され、枝部321は、電極の太さが異なる太幅領域321aと細幅領域321bとが、延在方向に交互に形成され、一方の櫛歯電極3の太幅領域311a、321aの両隣に、他方の櫛歯電極3の細幅領域311b、321bが配置される。【選択図】図2
Description
本発明は、静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法に関する。
従来、半導体ウエーハ等の被加工物をCVD装置や研削装置、レーザー加工装置、バイト切削装置といった各種加工装置を用いて加工する際に、被加工物に保護部材を取り付け、被加工物の保護部材の取り付け面を保護したり、被加工物の破損を防いだりする技術が知られている。一般に、保護部材は、例えばバックグラインドテープやダイシングテープ等の粘着テープ、またはワックス等により貼着されるガラスやセラミックスといった硬質基板等が用いられる。このように、被加工物に保護部材を粘着剤により貼着する場合、保護部材の被加工物への貼着や剥離に手間がかかる。また、保護部材の一部が使い捨てになる場合がある。
粘着剤を用いない保護部材としては、静電チャックプレートやバキュームチャックプレートがある。例えば、特許文献1には、電極部が埋設された平坦な電気絶縁層を表面に備えるプレート本体と、吸着する被加工物(ウエーハ)の周縁部と対面する電気絶縁層の領域に配設された弾性部材とを備えた静電支持プレートが開示されている。この静電支持プレートは、電極部に電圧を印加することで発生する静電気力により、電気絶縁層上に配置された被加工物を吸着する。
静電チャックプレートは、被加工物の加工時や搬送時等に、その取扱いを容易とするために、電極部への給電停止後にも被加工物に対する吸着力が維持されるように、より強い吸着力を得ることが好ましい。上記特許文献1に記載の静電支持プレートは、被加工物を吸着する電気絶縁層を平坦に形成したり、被加工物の周縁部に対応して配設された弾性部材によって被加工物と静電支持プレートとの隙間に異物が侵入しないようにしたりすることで、強い吸着力を得ている。しかしながら、静電チャックプレートの電極部への給電停止後における被加工物に対する吸着力の維持には、なお改善の余地がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電極への給電停止後における被加工物に対する吸着力をより良好に維持可能な静電チャックプレートの提供を目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、板状の基板の主面側に設定された一対の櫛歯電極で被加工物を保持する双極型の静電チャックプレートであって、該櫛歯電極は、隙間を空けて並列する複数の枝部と、複数の該枝部が連結する幹部と、を有し、一対の該櫛歯電極は、該枝部が互い違いに入り組みつつも間隔を空けて設定され、該枝部は、電極の太さが異なる太幅領域と細幅領域が、延在方向に交互に形成され、一方の該櫛歯電極の該太幅領域の両隣には、他方の該櫛歯電極の該細幅領域が配置されることを特徴とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、上記静電チャックプレートの製造方法であって、板状の基板の主面側に絶縁層を被覆する絶縁層被覆ステップと、該基板の該絶縁層に電極となる金属層を被覆する金属層被覆ステップと、該櫛歯電極となる領域を残して該金属層をレーザー光線で除去する櫛歯電極形成ステップと、を備えることを特徴とする。
また、該絶縁層被覆ステップ又は該金属層被覆ステップでは、該基板の主面側と反対側の裏面側にも絶縁層または金属層を被覆することが好ましい。
また、該櫛歯電極形成ステップの後に、該櫛歯電極を覆い被加工物を保持する保持面となる保持面絶縁層を被覆する保持面絶縁層被覆ステップを備えることが好ましい。
また、該絶縁層被覆ステップ、該金属層被覆ステップ又は該保持面絶縁層被覆ステップで被覆した表面をバイト工具で切削し平坦化する平坦化ステップを備えることが好ましい。
本発明にかかる静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法は、電極への給電停止後における被加工物に対する吸着力をより良好に維持することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
本発明の実施形態にかかる静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態に係る静電チャックプレート1を示す斜視図であり、図2は、図1の静電チャックプレート1を示す平面図であり、図3は、図2中のII−II線に沿う断面図である。図4は、静電チャックプレート1に含まれる一対の櫛歯電極3を示す拡大図である。図5は、図1から図3に示された静電チャックプレート1により保持される被加工物としてのウエーハWを示す斜視図である。
実施形態に係る静電チャックプレート1は、板状の基板2の主面2a(図3参照)側に設定された一対の櫛歯電極3で、図5に示すウエーハW(被加工物)を保持する双極型の静電チャックプレートである。ウエーハWは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハWは、図5に示すように、表面WSの交差する複数の分割予定ラインSによって区画された各領域にデバイスDが形成されている。デバイスDとして、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微少電気機械システム)等が、各領域に形成される。本実施形態に係る静電チャックプレート1は、ウエーハWを複数の分割予定ラインSに沿って複数のデバイスチップに分割するダイシング加工工程を実施する際に、各工程においてウエーハWを支持する支持部材として用いられる。
実施形態に係る静電チャックプレート1は、図1および図2に示すように、円盤状に形成されている。静電チャックプレート1は、四角形状に形成されてもよい。静電チャックプレート1は、図3に示すように、上記基板2と、上記一対の櫛歯電極(電極回路)3を含み、基板2の主面2a側および主面2aと反対側の裏面2b側に被覆された金属層4と、基板2の表面(主面2a、裏面2b)に被覆された内側絶縁層5aおよび金属層4上に被覆された外側絶縁層(保持面絶縁層)5bを含む絶縁層5と、一対の櫛歯電極3に接続される電極端子部6とを備える。なお、図2においては、説明の簡略化のため、外側絶縁層5aの記載を省略している。
基板2は、シリコン、ガラス、石英、またはセラミックスで形成された比較的硬質の板状の基板である。本実施形態では、基板2は、円盤状に形成される。なお、基板2は、平板上に形成されてもよい。基板2は、例えば径が300mm程度であり、基板2は、厚さが100μm〜800μm程度である。
金属層4は、内側絶縁層5a上に被覆された金属材料からなる被膜層である。本実施形態において、金属層4は、一方の面に金属箔を施したポリイミドフィルム(例えば、宇部エクシモ株式会社製の銅箔ポリイミドフィルム)を用いて形成される。また、本実施形態において、金属層4は、基板2の表面(主面2a、裏面2b)に沿って平坦に形成される。基板2の主面2a側における金属層4は、レーザーアブレーションによりパターニング除去されて一対の櫛歯電極3を構成している。また、金属層4は、図3に示すように、基板2の側面2cの一部にも被覆されており、側面2cに被覆された金属層4は、電極端子部6を形成する。
一対の櫛歯電極3は、正極電極31および負極電極32を備える。正極電極31は、図2に示すように、基板2の主面2aに沿って一方向に真っ直ぐ延びる複数の枝部311と、基板2の外縁部に沿って延びる幹部312とを有する。複数の枝部311は、基板2の電極端子部6が形成された外縁部2d側から対向する外縁部2e側に向けて、互いに隙間を空けて並列して配置される。各枝部311は、一方の端部において幹部312に連結される。各枝部311は、図2および図4に示すように、櫛歯状に形成されており、電極の太さが異なる太幅領域311aと細幅領域311bが、延在方向に一定の間隔を空けながら交互に形成される。本実施形態において、太幅領域311aは、細幅領域311bから円形に膨らんだ形状となっている。
負極電極32は、図2に示すように、基板2の主面2aに沿って一方向に真っ直ぐ延びる複数の枝部321と、基板2の外縁部に沿って延びる幹部322とを有する。複数の枝部321は、基板2の外縁部2d側から外縁部2e側に向けて、互いに隙間を空けて並列して配置される。各枝部321は、一方の端部(正極電極31の幹部312とは反対側の端部)において幹部322に連結される。各枝部321は、図2および図4に示すように、櫛歯状に形成されており、電極の太さが異なる太幅領域321aと細幅領域321bが、延在方向に一定の間隔を空けながら交互に形成される。本実施形態において、太幅領域311aは、細幅領域311bから円形に膨らんだ形状となっている。
正極電極31と負極電極32とは、図2に示すように、枝部311、321が互い違いに入り組みつつ、間隔を空けて設定される。すなわち、正極電極31と負極電極32とは、基板2の外縁部2d側から外縁部2e側に向けて、正極電極31の枝部311と負極電極32の枝部321とが順番に、互いに間隔を空けながら並列に配置される。
また、図2および図4に示すように、一方の櫛歯電極3の太幅領域311a、321aの両隣には、他方の櫛歯電極3の細幅領域311b、321bが配置される。すなわち、正極電極31の互いに隣り合う2本の枝部311の細幅領域311b同士の間に、負極電極32の枝部321の太幅領域321aが配置される。また、負極電極32の互いに隣り合う2本の枝部321の細幅領域321b同士の間に、正極電極31の枝部311の太幅領域311aが配置される。これにより、正極電極31の枝部311と負極電極32の枝部321との間隔をより詰めて配置することができる。なお、本実施形態において、太幅領域311a、321aの幅D1は、0.3mmとされ、細幅領域311b、321bの幅D2は、0.133mmとされる。また、枝部311の中心から隣り合う枝部321の中心までの間隔P1は、0.4mmとされ、隣り合う枝部311と枝部522との間隔P2は、0.135mmとされる。
絶縁層5は、基板2の周囲において金属層4(一対の櫛歯電極3)を覆う絶縁被膜である。絶縁層5は、例えばポリイミド樹脂により形成される。絶縁層5は、図3に示すように、基板2の主面2a、裏面2bおよび側面2cの一部に被覆された内側絶縁層5aと、電極端子部6を除く金属層4(一対の櫛歯電極3)上に被覆された外側絶縁層(保持面絶縁層)5bとを備える。外側絶縁層5bは、一対の櫛歯電極3を覆う。外側絶縁層5bは、ウエーハWを保持する保持面5cを形成する。本実施形態において、内側絶縁層5aおよび外側絶縁層5bは、基板2の表面(主面2aまたは裏面2b)に沿って平坦に形成される。
電極端子部6は、図1および図3に示すように、基板2の側面2cに形成されている。電極端子部6は、正極電極端子部6aと、負極電極端子部6bとを備える。正極電極端子部6aと、負極電極端子部6bとは、互いに近接して基板2の側面2cに配置される。なお、正極電極端子部6aと負極電極端子部6bとは、基板2の側面2cのいかなる位置に配置されてもよく、基板2の主面2a側に配置されてもよい。図2に示すように、正極電極端子部6aは、正極電極31の幹部312に接続され、負極電極端子部6bは、負極電極32の幹部322に接続される。正極電極端子部6aは、図示しない給電装置からプラスの電圧が印加され、負極電極端子部6bは、図示しない給電装置からマイナスの電圧が印加される。
静電チャックプレート1によりウエーハWを保持する際には、まず、外側絶縁層5bの保持面5c上にウエーハWを載置する。そして、図示しない給電装置から正極電極端子部6aを介して正極電極31にプラスの電圧が印加されると共に、負極電極端子部6bを介して負極電極32にマイナスの電圧が印加されると、正極電極31および負極電極32とウエーハWとの間で正負の電荷が引き寄せられ、静電気力(グラジエント力)が発生する。この静電気力により、ウエーハWは、静電チャックプレート1に吸引される。なお、実施形態において、図示しない給電装置から電極端子部6を介して一対の櫛歯電極3に印加される電圧は、1000V以上でかつ2000V以下であるのが望ましい。
次に、実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法を図面に基づいて説明する。図6は、実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法の流れを示すフローチャートである。図7は、内側絶縁層5aが被覆された静電チャックプレート1の基板2を示す断面図である。図8は、内側絶縁層5aを平坦化する様子を示す断面図である。図9は、金属層4が被覆された静電チャックプレート1の基板2を示す断面図である。図10は、櫛歯電極3を形成する様子を示す断面図である。図11は、静電チャックプレート1によりウエーハWを保持した様子を示す断面図である。
実施形態にかかる静電チャックプレートの製造方法は、図示するように、内側絶縁層被覆ステップST1と、内側絶縁層平坦化ステップST2と、金属層被覆ステップST3と、櫛歯電極形成ステップST4と、外側絶縁層被覆ステップST5と、外側絶縁層平坦化ステップST6とを備える。
内側絶縁層被覆ステップST1は、基板2の表面に内側絶縁層5aを被覆するステップである。内側絶縁層被覆ステップST1では、図7に示すように、例えば絶縁性のポリイミド樹脂を基板2の主面2a、裏面2bの全体および側面2cの一部にスキージにより塗り広げ、加熱により固定する。なお、内側絶縁層被覆ステップST1では、絶縁性のポリイミド樹脂をスピンコートにより基板2の主面2aおよび裏面2bに塗布してもよい。
内側絶縁層平坦化ステップST2は、内側絶縁層5aを基板2の表面(主面2aまたは裏面2b)に沿って平坦化するステップである。内側絶縁層平坦化ステップST2では、図8に示すように、切削装置100のポーラスセラミック等から形成された保持面101aを有するチャックテーブル101上に、支持部材110を介して静電チャックプレート1の上記主面2a側または裏面2b側を載置する。次に、切削装置100の切削ユニット102の円盤状のバイトホイール104を図示しない駆動モータにより切削ユニット102のスピンドル103と共に鉛直方向(図中の上下方向)と平行な軸周りに回転駆動させる。そして、切削ユニット102を図示しない加工送り手段によって図中の下方向に移動させると共に、バイトホイール104とチャックテーブル101とを保持面101aと平行方向に相対移動させて、バイトホイール104に設けられたバイト工具105により内側絶縁層5aの表面を切削して平坦化する。静電チャックプレート1の主面2a側および裏面2b側の双方に、切削を施すことで、内側絶縁層5aが平坦化される。なお、内側絶縁層平坦化ステップST2では、図示しない研削装置の研削砥石によって内側絶縁層5aの表面を研削して平坦化してもよい。
金属層被覆ステップST3は、基板2の内側絶縁層5a上に一対の櫛歯電極3となる金属層4を被覆するステップである。金属層被覆ステップST3では、図9に示すように、基板2の主面2a、裏面2bおよび側面2cの一部に被覆された内側絶縁層5a上に、金属箔を施したポリイミドフィルムを加熱圧着により被覆する。本実施形態では、ポリイミドフィルムを用いることで、金属層4の表面(すなわち、金属箔部分)を基板2の表面に沿って平坦とすることができる。
櫛歯電極形成ステップST4は、基板2の主面2a側の金属層4を一対の櫛歯電極3となる領域を残してレーザーアブレーション加工によってパターニング除去し、一対の櫛歯電極3を形成するステップである。櫛歯電極形成ステップST4は、レーザー加工装置120を用いて実施される。櫛歯電極形成ステップST4では、まず、レーザー加工装置120のポーラスセラミック等から形成された保持面121aを有するチャックテーブル121上に静電チャックプレート1(基板2)を搬送し、支持部材110を介して基板2の裏面2b側をチャックテーブル121に吸引保持させる。その後、図10に示すように、チャックテーブル121とレーザー加工装置120のレーザー光照射部122とを相対移動させながら、レーザー光照射部122から静電チャックプレート1の所定箇所にレーザー光を照射する。これにより、図10に示すように、金属層4がパターンニング除去され、図1および図2に示す一対の櫛歯電極3が形成される。また、基板2の側面2cの一部に被覆された金属箔ポリイミドフィルムが電極端子部6を形成する。
外側絶縁層被覆ステップ(保持面絶縁層被覆ステップ)ST5は、基板2の主面2a側および裏面2b側に外側絶縁層5bを被覆するステップである。外側絶縁層被覆ステップST5では、例えば絶縁性のポリイミド樹脂を基板2の主面2aに形成された一対の櫛歯電極3および内側絶縁層5a上にスキージにより塗り広げ、加熱により固定する。また、例えば絶縁性のポリイミド樹脂を基板2の裏面2bに形成された金属層4上にスキージにより塗り広げ、加熱により固定する。これにより、図3に示すように、基板2の主面2a側および裏面2b側の双方に外側絶縁層5bが被覆される。なお、外側絶縁層被覆ステップST5では、絶縁性のポリイミド樹脂をスピンコートにより、一対の櫛歯電極3および金属層4上に塗布してもよい。
外側絶縁層平坦化ステップST6は、外側絶縁層5bを基板2の表面(主面2aまたは裏面2b)に沿って平坦化するステップである。外側絶縁層平坦化ステップST6では、図示しないが、内側絶縁層平坦化ステップST2と同様に、切削装置100を用いて外側絶縁層5bの表面を研削する。これにより、図3に示すように、外側絶縁層5bが平坦化される。以上の処理により、本実施形態にかかる静電着プレート1の製造が終了する。このように製造された静電チャックプレート1により、図11に示すように、外側絶縁層5bの保持面5cでウエーハWの裏面WR側を保持し、ウエーハWを複数のデバイスチップに分割するダイシング加工や、レーザー光線により内部に改質層を形成するレーザー加工、表面を研削して薄化する研削加工等の各工程を実施することができる。
以上説明したように、本実施形態にかかる静電チャックプレート1は、一対の櫛歯電極3を構成する正極電極31の枝部311が太幅領域311aと細幅領域311bとを有し、一対の櫛歯電極3を構成する負極電極32の枝部321が太幅領域321aと細幅領域321bとを有する。これにより、各枝部311、321が太幅から細幅に変化する領域に集中的に電荷が蓄積する。この結果、各枝部311、321が太幅から細幅に変化する領域に強い静電気力(グラジエント力)が発生し、ウエーハWを吸引する吸引力をより向上させることができる。また、一対の櫛歯電極3への給電を停止しても、一旦発生した電荷をより長い時間を維持することができ、給電停止後にも静電チェックプレート1による吸引力を維持することが可能となる。その結果、ウエーハWにダイシング加工等を施す後の各工程において、各装置に給電装置を設ける必要がなく、また、ウエーハWの搬送時にも給電を行う必要がない。従って、ウエーハWのダイシング加工設備をより簡易化することができ、また、ウエーハWの加工時や搬送時における取扱いをより容易にすることができる。
また、本実施形態の静電チャックプレート1は、一方の櫛歯電極3の太幅領域311a、321aの両隣に他方の櫛歯電極3の細幅領域311b、321bが配置される。これにより、上述したように、正極電極31の枝部311と負極電極32の枝部321との間隔をより詰めて配置することができる。このように、正極電極31と負極電極32との間隔を狭めることで、正極電極31および負極電極32に電圧を印加することで得られる静電気力をさらに高めることが可能となる。この結果、静電チャックプレート1の吸引力をより向上させることが可能となる。
本実施形態にかかる静電チャックプレート1の製造方法は、板状の基板2の主面2a側に内側絶縁層5aを被覆する内側絶縁層被覆ステップST1と、基板2の内側絶縁層5aに櫛歯電極3となる金属層4を被覆する金属層被覆ステップST3と、櫛歯電極3となる領域を残して金属層4をレーザー光線で除去する櫛歯電極形成ステップST4と、を備える。このように、金属層4をレーザーアブレーション加工によりパターニング除去して一対の櫛歯電極3を形成することで、一対の櫛歯電極3を所望の構造に容易かつ安価に、また、精度良く形成することができる。
また、内側絶縁層被覆ステップST1では、基板2の主面2a側と反対側の裏面2b側にも内側絶縁層5aを被覆し、金属層被覆ステップST3では、基板2の主面2a側と反対側の裏面2b側にも金属層4を被覆し、外側絶縁層被覆ステップST5では、基板2の主面2a側と反対側の裏面2b側にも外側絶縁層5aを被覆する。これにより、内側絶縁層5a、金属層4、外側絶縁層5bを基板2の表面2aだけに被覆する場合に比べて、各層を積層することで基板2に働く応力を主面2a側と裏面2b型とで均衡させることができる。この結果、静電チャックプレート1の製造工程において、基板2が変形してしまうことをより良好に抑制することが可能となる。ただし、内側絶縁層5a、金属層4および外側絶縁層5bは、いずれも基板2の裏面2b側から省略してもよい。
また、櫛歯電極形成ステップST4の後に、櫛歯電極3を覆いウエーハW(被加工物)を保持する保持面5cとなる外側絶縁層(保持面絶縁層)5bを被覆する外側絶縁層被覆ステップ(保持面絶縁層被覆ステップ)ST6を備える。これにより、保持面5cによってウエーハW(被加工物)を良好に保持することが可能となる。
また、内側絶縁層被覆ステップST1で基板2に被覆した内側絶縁層5aの表面をバイト工具で切削し平坦化する内側絶縁層平坦化ステップST2、及び外側絶縁層被覆ステップ(保持面絶縁層被覆ステップ)ST5で被覆した外側絶縁層5bの表面をバイト工具で切削し平坦化する外側絶縁層平坦化ステップST6を備える。また、上述したように、金属層4は、金属箔を施したポリイミドフィルムを用いることで、表面(金属箔部分)を基板2に沿って平坦とすることができる。すなわち、本実施形態の静電チャックプレート1は、内側絶縁層5a、金属層4、外側絶縁層5bが、基板2の表面に沿って平坦に形成される。これにより、ウエーハWを静電チャックプレート1に載置したときに、ウエーハWと保持面5cとの間に隙間ができないようにして、静電チャックプレート1によるウエーハWの吸着力をより高めることができる。特に、ウエーハWを保持する保持面5cを形成する外側絶縁層5bを平坦に形成することで、吸着力のより一層の向上を図ることが可能となる。ただし、内側絶縁層平坦化ステップST2、及び外側絶縁層平坦化ステップST6は、省略されてもよい。
本実施形態では、内側絶縁層被覆ステップST1において基板2に内側絶縁層5aを被覆した後、金属層被覆ステップST2において内側絶縁層5a上に金属箔を施したポリイミドフィルムを貼着して金属層4を被覆し、櫛歯電極形成ステップST4において金属層4にレーザーアブレーション加工を施して一対の櫛歯電極3を形成するものとしたが、金属層4や一対の櫛歯電極3を形成する手法は、これに限られない。
例えば、内側絶縁層被覆ステップST1を省略し(静電チャックプレート1から内側絶縁層5aを省略し)、両面接着シートを基板2の表面に貼着して、当該両面粘着シートを介して基板2上に金属層4としての金属箔を施したポリイミドフィルムを貼着してもよい。
また、金属層4は、金属材料からなる被膜であれば、金属箔を施したポリイミドフィルムを用いるものでなくてもよい。例えば、金属層被覆ステップST3において、スパッタリングにより内側絶縁層5上に金属層4を被覆してもよい。また、金属層被覆ステップST3および櫛歯電極形成ステップST4を一体の工程とし、金属材料からなる半田材等をスクリーン印刷又はインクジェット方式の印刷によって内側絶縁層5上に被覆することにより、基板2の裏面2a側の金属層4、基板2の主面2a側の一対の櫛歯電極3、及び電極端子部6を形成してもよい。このように、金属層4を、スパッタリングやスクリーン印刷、インクジェット方式の印刷等によって形成する場合、金属層4の表面を切削装置100で切削して平坦化する金属層平坦化ステップを実施してもよい。
また、一対の櫛歯電極3は、金属層4にフォトエッチングを施すことで形成されてもよい。すなわち、櫛歯電極形成ステップST5において、まず、金属層4の表面にレジスト膜を被覆し、一対の櫛歯電極3のパターンに沿って予め形成されたマスクを介してレジスト膜の一部を露光によりパターニング除去し、パターニング除去されたフォトレジスト膜を介して金属層4にドライエッチングやウェットエッチングを施すことにより、一対の櫛歯電極3を形成してもよい。
また、一対の櫛歯電極3の枝部311、321の形状は、正極電極31の枝部311が太幅領域311aと細幅領域311bとを有し、負極電極32の枝部321が太幅領域321aと細幅領域321bとを有し、一方の櫛歯電極3の太幅領域311a、321aの両隣に他方の櫛歯電極3の細幅領域311b、321bが配置されるものであれば、本実施形態に示したものに限られない。
例えば、本実施形態では、櫛歯電極3の各枝部311、321は、基板2に沿って一方向に真っ直ぐ延びるものとしたが、各枝部311、321は、屈曲または湾曲するものであってもよい。また、本実施形態では、太幅領域311aと細幅領域311bとの形成間隔、および太幅領域321aと細幅領域321bとの形成間隔を一定としたが、太幅領域と細幅領域との形成間隔は、一定でなくともよい。
図12から図16は、変形例にかかる一対の櫛歯電極3の形状を示す拡大図である。正極電極31の太幅領域311aおよび負極電極32の太幅領域321aは、図12から図14に示すように、楕円形上に形成されてもよい。また、図12から図16に示すように、太幅領域311a、321aの幅D1、細幅領域311b、321bの幅D2、枝部311の中心から隣り合う枝部321の中心までのピッチP1、及び隣り合う枝部311と枝部321とのピッチP2は、図4に示した例に限られない。太幅領域311a、321aの幅D1は、0.3mm以上かつ0.6mm以下であることが望ましく、細幅領域311b、321bの幅D2は、0.1mm以上かつ0.6mm以下であることが望ましい。また、枝部311の中心から隣り合う枝部321の中心までの間隔P1は、0.4mm以上かつ1.0mm以下であることが望ましく、隣り合う枝部311と枝部321との間隔P2は、0.135mm以上かつ0.4mm以下が望ましい。
1 静電チャックプレート
2 基板
2a 主面
2b 裏面
2c 側面
2d,2e 外縁部
3 櫛歯電極
31 正極電極
311,321 枝部
311a,321a 太幅領域
311b,321b 細幅領域
312,322 幹部
32 負極電極
4 金属層
5 絶縁層
5a 内側絶縁層
5b 外側絶縁層
5c 保持面
6 電極端子部
6a 正極電極端子部
6b 負極電極端子部
100 切削装置
101 チャックテーブル
101a 保持面
102 切削ユニット
103 スピンドル
104 バイトホイール
105 バイト工具
120 レーザー加工装置
121 チャックテーブル
121a 保持面
122 レーザー光照射部
2 基板
2a 主面
2b 裏面
2c 側面
2d,2e 外縁部
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31 正極電極
311,321 枝部
311a,321a 太幅領域
311b,321b 細幅領域
312,322 幹部
32 負極電極
4 金属層
5 絶縁層
5a 内側絶縁層
5b 外側絶縁層
5c 保持面
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105 バイト工具
120 レーザー加工装置
121 チャックテーブル
121a 保持面
122 レーザー光照射部
Claims (5)
- 板状の基板の主面側に設定された一対の櫛歯電極で被加工物を保持する双極型の静電チャックプレートであって、
該櫛歯電極は、
隙間を空けて並列する複数の枝部と、
複数の該枝部が連結する幹部と、を有し、
一対の該櫛歯電極は、該枝部が互い違いに入り組みつつも間隔を空けて設定され、
該枝部は、
電極の太さが異なる太幅領域と細幅領域が、延在方向に交互に形成され、
一方の該櫛歯電極の該太幅領域の両隣には、他方の該櫛歯電極の該細幅領域が配置されることを特徴とする静電チャックプレート。 - 請求項1記載の静電チャックプレートの製造方法であって、
板状の基板の主面側に絶縁層を被覆する絶縁層被覆ステップと、
該基板の該絶縁層に電極となる金属層を被覆する金属層被覆ステップと、
該櫛歯電極となる領域を残して該金属層をレーザー光線で除去する櫛歯電極形成ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。 - 該絶縁層被覆ステップ又は該金属層被覆ステップでは、該基板の主面側と反対側の裏面側にも絶縁層または金属層を被覆することを特徴とする請求項2記載の静電チャックプレートの製造方法。
- 該櫛歯電極形成ステップの後に、該櫛歯電極を覆い被加工物を保持する保持面となる保持面絶縁層を被覆する保持面絶縁層被覆ステップを備えることを特徴とする請求項2又は3記載の静電チャックプレートの製造方法。
- 該絶縁層被覆ステップ、該金属層被覆ステップ又は該保持面絶縁層被覆ステップで被覆した表面をバイト工具で切削し平坦化する平坦化ステップを備えることを特徴とする請求項2、3又は4記載の静電チャックプレートの製造方法。
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