KR101385950B1 - 정전척 및 정전척 제조 방법 - Google Patents

정전척 및 정전척 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 「정전기력을 이용하여 웨이퍼를 고정시켜 주는 정전척에 있어서, 베이스 기재; 상기 웨이퍼를 흡착하는 흡착층; 상기 흡착층을 상기 베이스 기재에 접착하는 접착층; 및 상기 접착층의 노출면에 형성된 접착층 침식방지 코팅층;을 포함하여 구성되며, 상기 접착층 침식방지 코팅층은 상기 접착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 형성된 것을 특징으로 하는 정전척」을 제공한다.
또한 본 발명은 「(a) 세라믹 시트 또는 절연수지 시트로 구성된 흡착층을 베이스 기재에 접착하여 접착층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 접착층의 노출면에 접착층 침식방지 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조 방법」을 함께 제공한다.

Description

정전척 및 정전척 제조 방법{Electrostatic chuck and Manufacturing method of the same}
본 발명은 반도체 제조 공정에서 정전력을 이용해 웨이퍼를 고정시키는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 웨이퍼를 고정시켜 주는 흡착층을 베이스 기재에 접착하는 접착층의 침식을 방지하여 주는 접착층 침식방지 코팅층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정전척(electrostatic chuck)은 반도체 제조 공정 중 웨이퍼(wafer)를 흡착하여 고정시켜주는 장치로서, 증착(deposition), 에칭(etching), 애싱(ashing), 확산(diffusion), 세정(cleaning) 등의 공정에 사용된다.
반도체 제조 공정 중에는 플라즈마가 발생하기 때문에 정전척에서 웨이퍼를 직접 고정하여 주는 부분인 흡착층은 주로 내플라즈마성(anti-plasma)을 가지는 세라믹 시트(ceramic sheet) 또는 절연수지 시트(insulating resin sheet)로 이루어진다. 또한 정전척은 고가의 장비이므로 수명을 연장시키기 위해 재생하여 사용하는 것이 일반적인데 구체적으로 흡착층을 이루는 세라믹 시트 또는 절연수지 시트를 새 것으로 교체하여 주는 방식으로 재생이 이루어진다.
종래의 정전척의 경우 상기 흡착층을 베이스 기재에 접착하는 접착층이 반도체 제조 공정 중 지속적으로 플라즈마에 노출되게 되어 있으므로 상기 접착층에 침식이 발생하고 그 결과 상기 접착층이 탈리되어 공정 중 파티클로 생성되는 문제가 있다. 한편, 상기 흡착층을 이루는 세라믹 시트 또는 절연수지 시트의 중심부와 외주 부분 사이의 온도차이로 인하여 흡착되는 웨이퍼가 벤딩(bending)되는 현상이 발생하기도 한다.
이러한 종래의 문제점인 접착층의 플라즈마 침식을 방지하기 위한 선행기술로는 미합중국 특허 "Method And Apparatus For Reparing An Electrostatic Chuck Device, And The Electrostatic Chuck Device"(US Pat. No.8,252,132)가 공지되어 있다. 상기 선행기술은 실타래 장치를 이용하여 줄형태(string-like)의 접착제를 정전척의 베이스 기재와 흡착층 사이의 접착층에 감아줌으로써 접착층이 플라즈마에 노출되지 않도록 해주는 것을 특징으로 한다.
그러나 상기 선행기술은 접착층 소재와 동일한 물질인 아크릴 고무와 열경화성 수지를 접착제로 사용하고 있기 때문에 상기 접착제 역시 플라즈마에 강한 내성을 가지기 어렵고, 온도의 영향도 크게 받게 되며, 그 결과 접착제 또한 플라즈마 침식에 의해 탈리되어 파티클로 생성되는 문제점을 가지고 있다.
[문헌 1] 대한민국 등록특허 제0310111호 "반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전척", 2001.12.15. [문헌 2] 대한민국 등록특허 제1071248호 "정전척 및 정전척의 제조방법", 2011.10.10.
본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 정전척으로서 베이스 기재와 흡착층을 접착시켜 주는 접착층이 플라즈마로부터 보호될 수 있도록 구성되어 접착층의 침식 및 그로 인한 파티클 생성을 방지하여 주는 한편, 수명도 향상된 정전척 및 상기 정전척의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
전술한 과제의 해결을 위해 본 발명은 「정전기력을 이용하여 웨이퍼를 고정시켜 주는 정전척에 있어서, 베이스 기재; 상기 웨이퍼를 흡착하는 흡착층; 상기 흡착층을 상기 베이스 기재에 접착하는 접착층; 및 상기 접착층의 노출면에 형성된 접착층 침식방지 코팅층;을 포함하여 구성되며, 상기 접착층 침식방지 코팅층은 이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 접착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 기공과 크랙(crack) 없이 형성된 것을 특징으로 하는 정전척」을 제공한다.
본 발명은 「이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 흡착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 형성된 기공과 크랙이 없는 흡착층 침식방지 코팅층;을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 정전척」을 함께 제공한다.
본 발명은 「상기 흡착층은 세라믹 시트(ceramic sheet) 또는 절연수지 시트(insulating resin sheet)로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척」을 함께 제공한다.
본 발명은 「상기 베이스 기재는 금속, 폴리머 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척」을 함께 제공한다.
본 발명은 「상기 접착층은 열가소성수지 또는 열경화성수지를 포함하는 접착제로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척」을 함께 제공한다.
본 발명은 「상기 접착층 침식방지 코팅층은 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 중 하나 이상으로 이루어진 세라믹 코팅층인 것을 특징으로 하는 정전척」을 함께 제공한다.
본 발명은 「상기 흡착층 침식방지 코팅층은 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 중 하나 이상으로 이루어진 세라믹 코팅층인 것을 특징으로 하는 정전척」을 함께 제공한다.
본 발명은 「(a) 세라믹 시트 또는 절연수지 시트로 구성된 흡착층을 베이스 기재에 접착하여 접착층을 형성하는 단계; 및 (b) 이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 접착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 기공과 크랙이 없는 접착층 침식방지 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조 방법」을 함께 제공한다. 이때, 상기 (b)단계는 이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 흡착층에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 기공과 크랙이 없는 흡착층 침식방지 코팅층을 형성하는 공정을 더 포함하여 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
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본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
1. 정전척에서 웨이퍼를 흡착 고정시켜주는 흡착층을 베이스 기재에 접착하는 접착층이 플라즈마에 의해 침식되어 파티클로 생성되는 현상을 막아준다.
2. 상기 흡착층의 중심과 외주 부분의 온도차이로 인해 발생하는 웨이퍼의 벤딩 현상을 방지할 수 있게 된다.
3. 정전척의 수명을 향상시킬 수 있게 된다.
[도 1]은 본 발명에 따른 정전척의 단면 모식도이다.
[도 2]는 [도 1]의 정전척의 흡착층에 웨이퍼가 흡착된 상태를 나타낸 단면 모식도이다.
[도 3]은 본 발명에 따른 정전척의 접착층 침식방지 코팅층의 형성을 위한 고상파우더 코팅장치의 개요도이다.
[도 4]는 본 발명에 따른 정전척 중 흡착층 침식방지 코팅층이 추가로 형성된 실시예의 단면 모식도이다.
[도 5]는 본 발명에 따른 정전척 중 양극산화(anodizing)된 알루미늄 기재에 용사코팅(atmospheric plasma spray)된 베이스, 세라믹 시트로 이루어진 흡착층, 에폭시 수지로 형성된 접착층 및 접착층 침식방지 코팅층을 포함하여 구성된 정전척의 사진(a)과 접착층 침식방지 코팅층 주변의 광학 현미경 사진(b, c, d)이다.
[도 6]은 본 발명에 따른 정전척 중 양극산화(anodizing)된 알루미늄 기재로 된 베이스, Al2O3 세라믹 시트로 이루어진 흡착층, 에폭시 수지로 형성된 접착층 및 접착층 침식방지 코팅층을 포함하여 구성된 정전척의 사진(a), 접착층 침식방지 코팅층 형성 전의 접착층 주변의 광학 현미경 사진(b) 및 접착층 침식방지 코팅층 형성 후의 접착층 주변의 광학 현미경 사진(c)이다.
이하에서는 본 발명에 따른 정전척 및 정전척 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
1. 정전척
[도 1]에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 정전척(10)은 베이스 기재(11), 웨이퍼를 흡착하는 흡착층(12), 상기 흡착층(12)을 상기 베이스 기재(11)에 접착하는 접착층(13) 및 상기 접착층(13)의 노출면에 형성된 접착층 침식방지 코팅층(14)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 베이스 기재(11)는 알루미늄과 같은 금속, 폴리이미드(polyimid)와 같은 폴리머 또는 Al2O3 등과 같은 세라믹으로 구성된다. 상기 베이스 기재(11)가 금속으로 이루어진 경우 아킹(arcing)이 발생하지 않도록 양극산화(anodizing) 처리를 할 수도 있고, 양극산화와 더불어 용사 코팅(atmospheric plasma spray)을 실시할 수도 있다.
상기 흡착층은(12)은 [도 2]에 나타난 바와 같이 웨이퍼(16)를 흡착 고정하는 부분으로서 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 등과 같이 유전체 역할을 하는 세라믹이나 이들이 둘 이상 혼합된 복합세라믹으로 구성된 세라믹 시트 또는 절연수지 시트로 구성될 수 있으며, 웨이퍼(16) 흡착을 위한 전압이 인가되는 전극을 포함할 수 있다. 그 밖에 쿨링가스(cooling gas)를 흘리기 위한 다수개의 홀(hole) 및 웨이퍼(16)와 맞닿는 면적을 최소화하기 위한 돌출 엠보싱을 포함할 수 있다.
상기 접착층(13)은 상기 흡착층(12)을 상기 베이스 기재(11)에 접착시켜 주는 부분이다. 상기 접착층(13)은 열가소성수지 또는 열경화성수지를 포함하는 접착제로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있으며, 접착 후 열처리를 추가적으로 수행하여 얻어진 것일 수도 있다.
상기 접착층 침식방지 코팅층(14)은 상기 접착층(13)의 노출면에 형성되어 상기 접착층(13)의 노출면을 플라즈마 침식으로부터 보호하는 역할을 수행한다. 따라서 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)은 수지로 이루어진 접착층(13)을 기공(pore)과 크랙(crack) 없이 커버해주어야 할 뿐만 아니라 플라즈마 저항성을 지니고 있어야 한다.
반도체 제조 공정 중에 상기 접착층(13)의 침식이 진행된 경우 웨이퍼(16)의 중앙부와 외주 부분의 온도차이가 발생하게 되고, 그 결과 웨이퍼 벤딩 현상이 유발된다. 또한 침식된 접착층(13)의 접착 물질은 불순물인 파티클로 생성되게 된다. 따라서 상기 접착층(13)의 침식방지를 위한 수단이 요구되며, 구체적인 침식방지 수단은 공정 중 플라즈마 노출정도, 온도, 접착층의 수지재료, 접착층의 수축/팽창/균열, 접착층의 표면상태, 접착층의 경도 등의 요인을 고려하여 강구하여야 한다. 그러나 전술한 바와 같이 종래의 정전척에 있어서는 근본적인 대책이 마련되지 않아 침식된 접착층을 제거하고 새롭게 접착층을 형성하여 주는 방법이 일반적으로 사용되었다. 그러나 이와 같은 수단은 주기적 재생으로 인한 비용 상승 문제를 가져올 뿐만 아니라 탈리된 접착 물질로 인한 파티클 생성 문제는 해결해주지 못한다.
위에서 언급한 바와 같이 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)은 수지로 이루어진 접착층(13)을 기공과 크랙 없이 커버해주어야 할 뿐만 아니라 플라즈마 저항성을 지니고 있어야 한다. 그런데 일반적인 바인더와 세라믹의 혼합 수지로 코팅하는 방법의 경우 공정 중의 고온 및 플라즈마에 노출되어 침식방지 기능을 할 수 없어 적용이 불가하다. 또한 파우더를 녹여 기재에 분사코팅하는 용사코팅 방법도 고려할 수 있는데, 이 또한 수백℃의 고온으로 코팅이 진행되기 때문에 상기 접착층(13)이 녹는 문제가 있어 적용이 불가하다.
한편, 정전척에 있어서 접착층(13)의 구성재료인 수지(resin)에 세라믹 파우더를 분사 코팅하는 것은 수지의 표면이 금속이나 세라믹 기재보다 상대적으로 소프트(soft) 하기 때문에 코팅층을 형성하기 매우 어려운 문제가 있다. 따라서, 파우더의 크기, 비중, 분사속도 등의 조건을 적절하게 조합하여야 하며, 상기 접착층(13)을 이루고 있는 수지의 종류 및 전술한 여러 인자에 따라 적절한 코팅 방법 및 재료를 선택해야 한다. 또한 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)의 두께는 1~10㎛인 것이 바람직하다.
이와 같은 점들을 고려한 결과, 본 발명에서 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)은 상기 접착층(13)의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하는 방식으로 형성된 것을 특징으로 한다. 이하에서는 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)의 형성을 위한 코팅방법에 대하여 자세히 설명하기로 한다.
상기 접착층 침식방지 코팅층(14)은 [도 3]에 도시된 고상파우더 코팅장치를 통해 구현되는 다음의 (a)공정 내지 (d)공정으로 실시되는 고상파우더 연속코팅방법에 의해 형성될 수 있다.
(a) 공기를 흡입, 저장하는 공정;
(b) 흡입된 공기를 필터링 및 건조처리하여 일정량으로 이송하는 공정;
(c) 세라믹 파우더를 상기 (b)공정을 거친 공기에 정량공급하여 밀도, 속도, 유량을 일정하게 통제한 상태로 연속적으로 수송하는 공정; 및
(d) 상기 (c)공정을 거친 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅챔버 내부의 기재에 분사하는 공정.
구체적으로 상기 세라믹 파우더는 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 중에서 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 또한 위 공정의 구현을 위한 [도 3]의 고상파우더 코팅장치는 공기흡입구(111)를 통해 흡입한 공기를 펌핑하여 주는 에어펌프(110) 및 펌핑된 공기를 저장 냉각하여 주는 공기저장탱크(120)를 포함하는 에어공급부(100), 상기 에어공급부(100)로부터 제공받은 공기를 필터링 및 건조처리하여 배출하는 에어처리부(200), 상기 에어처리부(200)를 통해 배출된 공기에 세라믹 파우더를 일정량으로 공급하는 고상파우더공급부(300), 내부에 기재가 구비된 코팅챔버(400), 상기 에어처리부(200)와 코팅챔버(400)를 연결하는 관으로서, 상기 에어처리부(200)에서 배출된 공기에 고상파우더가 혼입된 혼합공기를 상기 코팅챔버(400)로 이송하는 수송관(500), 상기 수송관(500)의 말단에 구비되어 상기 혼합공기를 상기 코팅챔버(400) 내부의 기재에 분사하는 슬릿노즐(600) 및 진공연결관(710)에 의해 상기 코팅챔버(400)와 연결되어 상기 코팅챔버(400)를 진공상태로 유지시키는 진공펌프(700)를 기본적인 구성으로 하면서, 상기 코팅챔버(400) 내부의 잔량 고상파우더를 배기관(810)을 통해 강제 배기시키는 배기펌프(800) 및 기재를 이동시키는 이송장치(900)를 더 포함하여 구성되어 있다.
본 발명에 따른 정전척(10)의 접착층 침식방지 코팅층(14)을 형성하기 위한 방법과 장치에 대한 자세한 내용은 대한민국 특허등록 10-0916944 "고상파우더 연속증착장치 및 고상파우더 연속증착 방법"(PCT/KR2009/04041)을 추가적으로 참조할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 정전척(10)은 [도 4]에 도시된 바와 같이 상기 흡착층(12)에 형성된 흡착층 침식방지 코팅층(15)을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 할 수 있다. 상기 흡착층 침식방지 코팅층(15)의 코팅재료 및 방법은 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)과 관련하여 설명한 것과 동일하다. 코팅재료로는 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 가운데 하나 이상으로 이루어진 세라믹 파우더가 사용될 수 있으며, 상기 흡착층(12)에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하는 방법으로 코팅층을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 정전척(10)의 구체적인 실시예를 [도 5] 및 [도 6]을 통해 확인할 수 있다.
[도 5]에는 본 발명에 따른 정전척 중 양극산화(anodizing)된 알루미늄 기재에 용사코팅(atmospheric plasma spray)된 베이스, 세라믹 시트로 이루어진 흡착층, 에폭시 수지로 형성된 접착층 및 접착층 침식방지 코팅층을 포함하여 구성된 정전척의 사진(a)과 접착층 침식방지 코팅층 주변의 광학 현미경 사진(b, c, d)이 나타나 있다.
[도 5]의 (b) 및 (c)에서는 세라믹 시트로 이루어진 흡착층의 측면 일부와 에폭시 수지로 형성된 접착층이 Y2O3 세라믹층으로 덮여 있는 것과 [도 5]의 (d)에서는 에폭시 수지로 형성된 접착층과 용사코팅층 일부가 Y2O3 세라믹층으로 덮여 있는 것을 확인할 수 있다.
[도 6]에는 본 발명에 따른 정전척 중 양극산화(anodizing)된 알루미늄 기재로 된 베이스, Al2O3 세라믹 시트로 이루어진 흡착층, 에폭시 수지로 형성된 접착층 및 접착층 침식방지 코팅층을 포함하여 구성된 정전척의 사진(a), 접착층 침식방지 코팅층 형성 전의 접착층 주변의 광학 현미경 사진(b) 및 접착층 침식방지 코팅층 형성 후의 접착층 주변의 광학 현미경 사진(c)이 나타나 있다.
[도 6]의 (c)에서는 Al2O3 세라믹 시트로 이루어진 흡착층의 측면과 에폭시 수지로 형성된 접착층이 Y2O3 세라믹층으로 덮여 있는 것을 확인할 수 있다.
2. 정전척 제조 방법
본 발명은 (a) 세라믹 시트 또는 절연수지 시트로 구성된 흡착층(12)을 베이스 기재(11)에 접착하여 접착층(13)을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 접착층(13)의 노출면에 접착층 침식방지 코팅층(14)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조 방법을 함께 제공한다.
상기 (b)단계는 상기 접착층(13)의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 상기 접착층 침식방지 코팅층(14)을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한 상기 (b)단계는 상기 흡착층(12)에 흡착층 침식방지 코팅층(15)을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 구체적으로 상기 흡착층 침식방지 코팅층(15)은 상기 흡착층(12)에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 형성시킬 수 있다.
본 발명을 첨부된 도면과 관련하여 설명하였으나 본 발명의 요지를 벗어남이 없는 범위에서 다소간의 수정 및 변형이 가능하며, 다양한 분야에서 사용될 수도 있다. 따라서 본 발명의 청구범위는 이건 발명의 진정한 범위 내에 속하는 수정 및 변형을 포함한다.
10 : 정전척 11 : 베이스 기재
12 : 흡착층 13 : 접착층
14 : 접착층 침식방지 코팅층 15 : 흡착층 침식방지 코팅층
16 : 웨이퍼

Claims (11)

  1. 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 고정시켜 주는 정전척에 있어서,
    베이스 기재;
    상기 웨이퍼를 흡착하는 흡착층;
    상기 흡착층을 상기 베이스 기재에 접착하는 접착층; 및
    상기 접착층의 노출면에 형성된 접착층 침식방지 코팅층;을 포함하여 구성되며,
    상기 접착층 침식방지 코팅층은 이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 접착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 기공과 크랙(crack) 없이 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  2. 제1항에서,
    이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 흡착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 형성된 기공과 크랙이 없는 흡착층 침식방지 코팅층;을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 흡착층은 세라믹 시트(ceramic sheet) 또는 절연수지 시트(insulating resin sheet)로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척.
  4. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 베이스 기재는 금속, 폴리머 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척.
  5. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 접착층은 열가소성수지 또는 열경화성수지를 포함하는 접착제로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척.
  6. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 접착층 침식방지 코팅층은 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 중 하나 이상으로 이루어진 세라믹 코팅층인 것을 특징으로 하는 정전척.
  7. 제2항에서,
    상기 흡착층 침식방지 코팅층은 Y2O3, YF3, Al2O3, AIN, SiC, TiO2, YAG, AYG 중 하나 이상으로 이루어진 세라믹 코팅층인 것을 특징으로 하는 정전척.
  8. (a) 세라믹 시트 또는 절연수지 시트로 구성된 흡착층을 베이스 기재에 접착하여 접착층을 형성하는 단계; 및
    (b) 이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 접착층의 노출면에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 기공과 크랙이 없는 접착층 침식방지 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에서,
    상기 (b)단계는 이송 공기에 정량공급되어 밀도, 속도, 유량이 일정하게 통제되는 상태로 연속적으로 이송되는 세라믹 파우더를 슬릿노즐을 통해 진공상태의 코팅 챔버 내부로 분사하는 방식으로 상기 흡착층에 열을 가하지 않은 세라믹 파우더를 분사하여 기공과 크랙이 없는 흡착층 침식방지 코팅층을 형성하는 공정을 더 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 정전척 제조 방법.
  11. 삭제
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