JP7038497B2 - 静電チャックの製造方法 - Google Patents
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Description
まず、基板処理装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。本実施形態にかかる基板処理装置1は、容量結合型の平行平板基板処理装置であり、略円筒形の処理容器(チャンバ)2を有している。処理容器2の内面には、アルマイト処理(陽極酸化処理)が施されている。処理容器2の内部は、プラズマによりエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。
次に、第1~第6実施形態に係る静電チャック10の構成について、図2~図9を参照しながら順に説明する。
まず、第1実施形態に係る静電チャック10の構成について、図2を参照しながら説明する。静電チャック10は、基台12の上に形成される。基台12は、外周側に凹み部があり、凹み部に環状のフォーカスリング11が載置されるようになっている。図2(a)の左側を図2(b)にて拡大して示すように、基台12の外周側の凹み部及び基台12の側壁は、溶射セラミックス121により被覆されている。
ε0:真空の誘電率、ε:比誘電率、S:誘電層10bの面積、d:誘電層10bの厚さ
例えば、ある絶縁値[kV]を確保しようとした場合、アルミナの板厚を1とすると、ポリイミドであればアルミナの1/21の厚さで実現できる。これは、図3の上段に示すように、ポリイミドの絶縁破壊電圧がアルミナ(セラミックス)の絶縁破壊電圧の21倍であるためである。
次に、第2実施形態に係る静電チャック10の構成について、図4を参照しながら説明する。第2実施形態に係る静電チャック10は、ポリイミド層が2層になっている点が、図2に示す第1実施形態に係る静電チャック10の構成と異なる。
次に、第3実施形態に係る静電チャック10の構成について、図5を参照しながら説明する。第3実施形態に係る静電チャック10は、ポリイミド層123及び接着層122が、基台12の側面及び凹み部の上面に延在して形成されている点、及びフォーカスリング11用の電極層10cが、電極層10aとは別に設けられる点が、図2の第1実施形態と異なる。
次に、第4実施形態に係る静電チャック10の構成について、図6を参照しながら説明する。図5の第3実施形態と比べると、第4実施形態に係る静電チャック10は、ポリイミド層が2層になっている点が異なる。
次に、第5実施形態に係る静電チャック10の構成について、図7を参照しながら説明する。図5の第3実施形態と比べると、第5実施形態に係る静電チャック10は、基台12の側面にポリイミド層及び接着層が存在しない点が、基台12の全面にポリイミド層及び接着層が存在する第3実施形態と異なる。
次に、第6実施形態に係る静電チャック10の構成について、図8を参照しながら説明する。図6の第4実施形態と比べると、第6実施形態に係る静電チャック10は、基台12の側面にポリイミド層が存在しない点が、基台12の全面にポリイミド層が存在する第4実施形態と異なる。
次に、電極層10a、10cとのコンタクト部及び貫通孔近傍の構造について、図9を参照しながら説明する。図9(a)は、電極層10aとのコンタクト部の構造の一例を示し、図9(b)は、貫通孔の構造の一例を示す。電極層10cとのコンタクト部の構造については、電極層10aとのコンタクト部の構造と同様であるため、ここでは説明を省略する。
静電チャック10の電極に所定の直流電圧を印加したときに流れる電流をIとすると、ポリイミド及びシリコーンの誘電層、及びセラミックス板材にかかる電圧Vcは、式(3)により表される。
式(2)及び式(3)のより、ポリイミド及びシリコーンの誘電層の合成静電容量C1は、セラミックス板材の静電容量C2よりも大きいため、リアクタンスXcが小さくなり、電圧Vc、つまり、ウェハWと静電チャック10との電位差を低下させることができる。
第1~第6実施形態に係る静電チャック10の製造方法では、溶射セラミックス121、124の溶射材料は、セラミックス又はセラミックスに金属又は炭化ケイ素(SiC)を添加した複合材料であってもよい。具体的には、溶射セラミックス121、124の溶射材料は、アルミナ(Al2O3)、アルミナに金属又は炭化ケイ素の添加材を添加した複合材料、イットリア(Y2O3)又はイットリアに金属又は炭化ケイ素の添加材を添加した複合材料であってもよい。このとき、金属の添加材は、チタン、アルミニウムであってもよい。例えば、アルミナにチタン、アルミニウム又は炭化ケイ素(SiC)を添加した材料や、イットリアにチタン、アルミニウム又は炭化ケイ素(SiC)を添加した材料を使用することができる。
上記各実施形態に係る静電チャック10では、セラミックス溶射することで、誘電体を約0.6mm程度の薄さに製造することができる。このために、本発明の一実施形態に係るプラズマ溶射装置150を使用して、溶射セラミックス121,124を形成する。以下、本実施形態に係るプラズマ溶射装置150の構成の一例について、図10を参照しながら説明する。
かかる構成の本実施形態に係るプラズマ溶射装置150では、図11(b)に示すように、供給部50のノズル51とプラズマジェットPとの軸芯を共通にする構造となっている。これにより、アルミナ粉末R1の噴出方向をプラズマジェットPの進行方向とを同一にすることができる。つまり、プラズマジェットPと同一軸でアルミナ粉末R1が供給される。これにより、溶射の指向性を高め、基台12の特定の面にアルミナセラミックスの薄膜を形成することができる。
図10に戻り、プラズマ溶射装置150のチャンバCについて説明する。チャンバCは、円柱状の中空の容器であり、例えばアルミニウムやステンレスや石英により形成されている。チャンバCは、天井部にて本体部52を支持し、供給部50及びプラズマ生成部65を閉空間とする。基台12は、チャンバCの底部81に配置されたステージ80に置かれている。本実施形態では、チャンバCの内部は、所定の圧力に減圧されている。ただし、チャンバCの内部は必ずしも減圧されなくてもよい。
プラズマ溶射装置150は、制御部101を有する。制御部101は、プラズマ溶射装置150を制御する。制御部101は、ガス供給源41、フィーダー60(アクチュエータ62)、直流電源47、チラーユニット70及び回収廃棄機構83等を制御する。
・フィーダー60からノズル51内に投入したアルミナ等の溶射材料の粉末R1を、プラズマ生成ガスにより運び、ノズル51の先端部の開口51bから噴射するステップ
・噴射されたプラズマ生成ガスを、直流電源47から出力された500W~10kWの電力により乖離させて、ノズル51と軸芯が共通するプラズマを生成するステップ
・生成したプラズマにより溶射材料の粉末を液状にして成膜し、溶射セラミックスを形成するステップ
以上、静電チャックの製造方法及び静電チャックを上記実施形態により説明したが、本発明にかかる静電チャックの製造方法及び静電チャックは上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
2 処理容器(チャンバ)
3 載置台
10 静電チャック
10a、10c 電極層
10b 誘電層
11 フォーカスリング
12 基台
12a 冷媒流路
17 ゲートバルブ
20 ガスシャワーヘッド
21 シールドリング
22 ガス導入口
23 ガス供給源
24a、24b ガス拡散室
25 ガス供給孔
26 可変直流電源
30 直流電源
31 スイッチ
32 第1高周波電源
33 第1整合器
34 第2高周波電源
35 第2整合器
36 チラー
37 伝熱ガス供給源
38 排気装置
100 制御装置
121 溶射セラミックス
122,127 接着層
123,125,126,128,129 ポリイミド層
121、124 溶射セラミックス
150 プラズマ溶射装置
50 供給部
51 ノズル
51a 流路
51b 開口
52 本体部
52b 凹み部
52d 張出部
60 フィーダー
61 容器
62 アクチュエータ
101 制御部
40 ガス供給部
41 ガス供給源
47 直流電源
65 プラズマ生成部
70 チラーユニット
80 ステージ
83 回収廃棄機構
88 ドライ室
C チャンバ
U プラズマ生成空間
Claims (11)
- 第1の電極層に電圧を印加することにより基板を吸着する静電チャックの製造方法であって、
基台の上面に配置された第1の樹脂層の上に前記第1の電極層を形成するステップであり、前記第1の樹脂層の直径は前記基台の上面の直径よりも大きく、前記第1の樹脂層の直径は前記第1の電極層の直径よりも大きい、ステップと、
前記第1の樹脂層の上面露出部分及び前記第1の電極層の上に第2の樹脂層を形成するステップと、
前記第2の樹脂層の上にセラミックス又はセラミックス含有物を溶射するステップと、
を有し、
前記セラミックス又はセラミックス含有物を溶射するステップは、
フィーダーからノズルの軸に対して同一方向に前記ノズル内に投入した1μm~20μmの粒径である溶射材料の粉末を、前記ノズル内に供給されたプラズマ生成ガスにより運び、前記ノズルの先端部の開口から噴射するステップと、
噴射されたプラズマ生成ガスを500W~10kWの電力により解離させて、前記ノズルと軸芯が共通するプラズマを生成するステップと、
生成したプラズマにより前記溶射材料の粉末を液状にして前記第2の樹脂層の上に成膜するステップと、を含む、
静電チャックの製造方法。 - 前記溶射材料は、セラミックス又はセラミックスに金属を添加した複合材料である、
請求項1に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記溶射材料は、Al2O3、Al2O3に金属の添加材又は炭化ケイ素(SiC)を添加した複合材料、Y2O3又はY2O3に金属の添加材又は炭化ケイ素を添加した複合材料のいずれかである、
請求項2に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記金属の添加材は、チタン又はアルミニウムである、
請求項3に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層は、ポリイミド、シリコーン、エポキシ又はアクリルのいずれかである、
請求項1~4のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層との組み合わせは、ポリイミド、シリコーン、エポキシ又はアクリルのうちの、同種又は異種のいずれかの組み合わせである、
請求項1~5のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層を覆うように前記セラミックス又はセラミックス含有物を溶射する、
請求項1~6のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層の上にフォーカスリング用の第2の電極層を形成するステップを有し、
上面が露出した前記第1の樹脂層、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の上にセラミックス又はセラミックス含有物を溶射する、
請求項7に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層は、前記基台の上面に形成され、該基台の側面には形成されていない、
請求項8に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層の上にフォーカスリング用の第2の電極層を形成するステップと、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の上に前記第2の樹脂層を形成するステップとを有し、
前記第2の樹脂層の上にセラミックス又はセラミックス含有物を溶射する、
請求項9に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層は、前記基台の上面に形成され、該基台の側面には形成されていない、
請求項10に記載の静電チャックの製造方法。
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