CN105531810A - 静电式夹盘及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种静电式夹盘，其特征在于，包括：基材；利用静电力吸附晶片的吸附部；将所述吸附部黏合在所述基材上的黏合层；及为了覆盖所述黏合层的露出面而形成的黏合层防侵蚀涂层。所述黏合层防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，无气泡无裂缝而形成的。本发明还公开了一种静电式夹盘的制造方法，包括：(a)利用静电力吸附晶片的吸附部黏合在基材上，形成黏合层的步骤；及(b)将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，覆盖所述黏合层的露出面而形成无气泡无裂缝之黏合层防侵蚀涂层的步骤。

Description

静电式夹盘及其制造方法
技术领域
本发明涉及在半导体制造工程中，利用静电力固定晶片的静电式夹盘及其制造方法，尤指具有将固定晶片的吸附部黏合在基材上的黏合层以及防止黏合层侵蚀的黏合层防侵蚀涂层的静电式夹盘及其制造方法。
背景技术
静电式夹盘(electrostaticchuck)是在半导体制造工程中，吸附并固定晶片(wafer)的装置，用于沉积(deposition)、蚀刻(etching)、灰化(ashing)、扩散(diffusion)、洗净(cleaning)等工程。
在半导体制造工程之等离子体环境中，在静电式夹盘上，直接固定晶片的静电式夹盘之吸附部主要是具有抗等离子体(anti-plasma)的陶瓷片(ceramicsheet)或绝缘树脂片(insulatingresinsheet)。该静电式夹盘属于高价装置，为了延长其使用寿命，通常会再使用，一般采用换新形成吸附部的陶瓷片或绝缘树脂片的方式来再使用。
现有技术的静电式夹盘，其将上述吸附部黏合在基材上的黏合层，在半导体制造工程中，持续受影响于等离子体，在该黏合层上发生侵蚀，其结果导致该黏合层脱落，在工程中生成微粒。此外，在形成该吸附部的陶瓷片或绝缘树脂片的中心部和外周部之间，因有温度差，造成被吸附的晶片弯曲变形等缺失。
为了防止上述问题中黏合层因为等离子体侵蚀而黏合层脱落、或生成微粒，先行技术中公开了美国专利“MethodAndApparatusForReparingAnElectrostaticChuckDevice，AndTheElectrostaticChuckDevice”(USPat.No.8，252，132)。在该先行技术中，利用线团(bobbin)装置将线条(string-like)形的黏合剂包在静电式夹盘的基材和吸附部之间的黏合层上，使黏合层不露在等离子体中。但是，所述先行技术使用与黏合层材质相同的丙烯酸橡胶和热固性树脂作为黏合剂，该黏合剂很难具有抗等离子体的能力，而且受温度影响较大，结果会导致黏合剂因等离子体侵蚀而脱落，并生成微粒等缺失。
为了防止黏合层蚀刻为等离子体环境的方法，将陶瓷粉直接喷射在黏合层的露出表面上而形成防侵蚀涂层，但会产生以下的问题。
第一，用15，000k以上的温度把陶瓷粉融化喷涂的热喷涂方法(thermalspraying)或利用以数百度高温把陶瓷粉加热喷涂的冷喷涂方法(coldspraying)，静电式夹盘和陶瓷片的粘合树脂而形成的黏合层露出面上喷涂陶瓷粉时导致融化该黏合层的问题，而要保护黏合层涂抺是不可能的。
第二，考虑到化学气相沉积(CVD；chemicalvapordeposition)方法或物理气相沉积(PVD；Physicalvapordeposition)方法，所述两种方法在1μm以下形成之薄膜的适当的方法，放置在等离子体环境中，很难适用于形成所述静电吸盘侧黏合层露出面与保护涂层，因为要维持2μm以上的厚度时，容易导致涂层中裂痕产生，此外，沿着在静电式夹盘的外侧面之黏合层露出面的三次元形状而形成均匀的涂层具有难度。
第三，考虑到陶瓷粉真空状态时喷射涂料之气溶胶喷涂(AD；aerosoldeposition)方法，上述热喷涂方法和低温喷涂方法不同，因为可以在常温喷涂的关系，静电式夹盘在树脂涂层构成的黏合层，可以在不融化的状态下执行喷涂，但该AD方法是以美国专利US7，153，567“CompositeStructureAndMethodAndApparatusForFormingTheSame”；PCT/JPOO/07076)的明细书Fig.3的第23号，美国专利登记US7，993，701“CompositeStructureFormingMethod”的明细书Fig.l的13号和气溶胶发生器(aerosolgenerator)为基本，在装有粉未的气溶胶发生器上，装上压缩器，因为利用了气溶胶化的粉未在输送管供给的方式，粉未因为压缩器的关系，不规则的喷射，在输送管内喷射的粉未，是不可能以定量供给，也无法控制定量的粉未而导致表面卷绕、孔(hole)、突出部等，三次元形状规律的喷涂因厚度而难以实现。
上述AD方法中，为了改善气溶胶发生器中无法供给输送定量粉未的缺点，美国专利US8，241，703“Pre—FormedControlledParticleFormedOfFineParticlesNon-ChemicallyBondedTogether，CompositeStructureFormationMethodInvolvingControlledParticles，AndCompositeStructureFormationSystemInvolvingControlledParticle”的明细书中说明一样，同明细书Fig.16之4號氣溶胶發生器(aerosolationmechanism)設置前段2次定量供給器(constantsupplymechanism)，調製粒子放入容器中，并把粒子气溶胶化供给到输送管的改善方法，但上述专利明细书里述说的Fig.21到Fig.30中说明了，装有调制粒子的收容器和定量供给器(constantsupplymechanism)中定量供给，同明细书中的Fig.16中载明“US7，153，567与US7，153，567”一样，粉未在气溶胶发生器供给，终究粉未会不规则且非定量方式供给到输送管的状况，也就是说，AD涂抺装置在运转时，装置粉未的气溶胶发生器与装置器具变成真空状态，导致粉未以不规则方式吸入轮送管，定量的供给到输送管是很困难。
再另一面，美国专利US2008/0276865“ElectrostaticChuck，ManufacturingMethodThereofAndSubstrateTreatingApparatus”的技术是芯片吸附固定，利用靜電式夾盤的吸附面(mountingsurface)的AD方法，三氧化二钇(Y203)粉未喷射涂抺形成多晶结构转化才是关键，但靜電式夾盤存在着吸附面晶片底部和接触的凸出面，问题是与所述的一样气溶胶发生器输送管供给的粉未量的系统，不能固定的方式提供，凸出或凸出周围的涂膜厚度静电式夹盘的吸附面不均匀的关系，实际上AD涂抺实施后吸附面上产生固定的线路(line)问题，靜電式夾盤的特性可能造成负面影响，此外，200mm和300mm晶片吸附的靜電式夾盤的露出面，利用上述AD方法，防侵蚀涂层形成很困难的.因为，上述方法是利用AD装置实施系统，通过气溶胶发生器(aerosolgenerator；aerosolationmechanism)中粉未在输送管中不均匀的供给的关系，很难定量喷射，根据上述圆形的露出黏合層上实施涂层，黏合層露出面上陶瓷粉涂膜层脱落的现象会发生，上述黏合层的表面发生不能形成防止侵蚀的涂膜层问题。
结论，可以固定芯片吸附的静电式夹盘的吸附面和基材粘贴的黏合层露出面，以防在等离子体环境，因此需要防止脱落的黏合层防侵涂层。
发明内容
本发明的目的在与解决上述现有技术的问题，提供一种用于半导体制造工程中的静电式夹盘和静电式夹盘的制造方法，该静电式夹盘可保护黏合基材和吸附部的黏合层不受等离子体影响，防止黏合层被侵蚀及产生微粒，可提高使用寿命。
为了实现本发明的目的，本发明提出一种静电式夹盘，包括：基材；利用静电力吸附晶片的吸附部；将所述吸附部黏合在所述基材上的黏合层；及为了覆盖所述黏合层的露出面而形成的黏合层防侵蚀涂层；所述黏合层防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，无气泡无裂缝而形成的。
本发明还包括黏合层防侵蚀涂层，所述黏合层防侵蚀涂层是直接涂抹在所述黏合层的露出面而形成的。
所述黏合层防侵蚀涂层涂抹于覆盖部材的外面，其结合覆盖所述黏合层的露出面而形成的。
所述基材是由金属、聚合物或陶瓷形成的。
所述吸附部是由陶瓷片(ceramicsheet)或绝缘树脂片(insulatingresinsheet)形成的。
所述黏合层由含有热塑性树脂或热固性树脂的黏合剂形成的。
所述黏合层防侵蚀涂层是由选自Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG中任意一种以上而形成的陶瓷涂层。
所述吸附部防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下，喷向吸附部的露出面上的喷涂方式，而形成无气泡无裂缝。
此时，所述吸附部防侵蚀涂层是由选自Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG中任意一种以上而形成的陶瓷涂层。
本发明还提供一种静电式夹盘的制造方法，其包括：(a)利用静电力吸附晶片的吸附部黏合在基材上，形成黏合层的步骤；及(b)将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，覆盖所述黏合层的露出面而形成无气泡无裂缝之黏合层防侵蚀涂层的步骤。此时，在所述(b)步骤中，还包括：所述黏合层防侵蚀涂层是直接涂抹在所述黏合层的露出面而形成的。
所述(b)步骤中，还包括：所述黏合层防侵蚀涂层涂抹于覆盖部材的外面，其结合覆盖所述黏合层的露出面而形成的。
所述陶瓷粉的供给量为0.1～100g/min，偏差质未满±1wt％。
此外，维持于大气压状态下可供给所述陶瓷粉。
所述移送空气的流量为5～500m3/min，偏差质未满±1vol％。
所述(b)步骤中，还包括：将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下，喷向吸附部的露出面上，形成无气泡无裂缝的吸附部防侵蚀涂层。
本发明的有益效果是：
1.黏合层的的露出面可将静电式夹盘用于吸附固定晶片的吸附部黏合在基材上、并可以防止脱落现象而具备的防侵蚀涂层。
2.黏合层的的露出面被等离子体侵蚀、而防止微粒发生的现象。
3.可以防止上述吸附部的中心和外周部分因温差而导致的晶片弯曲变形等缺失。
4.可提高静电式夹盘的使用寿命。
5.可提高使用半导体、显示器、发光二极管等制造工程上的工程收益率。
附图说明
图1是本发明的静电式夹盘的剖视图；
图2是图示图1的静电式夹盘的吸附部上吸附有晶片的状态下的剖视图；
图3及4是图示用于形成本发明的静电式夹盘的黏合层防侵蚀涂层的陶瓷粉涂层装置的概要图；
图5是在本发明的静电式夹盘中附加形成吸附部防侵蚀涂层的实施方式之剖视图；
图6是图示本发明的静电式夹盘中由在阳极电镀(anodizing)的铝基材上等离子体喷涂(atmosphericplasmaspray)的基座、陶瓷片形成的吸附部、环氧树脂形成的黏合层及黏合层防侵蚀涂层构成的静电式夹盘的照片(a)及黏合层防侵蚀涂层周边的光学显微镜照片(b、c、d)。
图7是图示本发明的静电式夹盘中由阳极电镀(anodizing)的铝基材基座、Al2O3陶瓷片形成的吸附部、环氧树脂形成的黏合层及黏合层防侵蚀涂层构成的静电式夹盘的照片(a)；黏合层防侵蚀涂层形成前的黏合层周边的光学显微镜照片(b)；及黏合层防侵蚀涂层形成后的黏合层周边的光学显微镜照片(c)。
附图符号说明
1流动控制阀
20流量调节器
30流动调节器
40长度调节装置
50压力检测器
60压力控制阀
100供气部
110空气泵
111空气吸入管
120空气储存槽
200空气处理部
2101次过滤器
2201次干燥器
2302次过滤器
231水分过滤器
232油份过滤器
233灰尘过滤器
2402次干燥器
300固型粉功给装置
310连接管
400喷涂腔
500输送管
600狭缝喷嘴
700真空泵
710真空连接管
800排气泵
810排气管
900移送装置
具体实施方式
以下，结合本发明的图式，对本发明之静电式夹盘及静电式夹盘的制造方法进行详细说明。
1.静电式夹盘
如图1所示，本发明的静电式夹盘10包括：基材11、吸附晶片的吸附部12、将吸附部12黏合在基材11上的黏合层13，以及在黏合层13的露出面上形成的黏合层防侵蚀涂层14。
上述黏合层防侵蚀涂层14不只是直接涂抹在所述黏合层的露出面，或是涂抹于覆盖部材的外面，其结合覆盖所述黏合层13的露出面而形成的。此时，构成所述覆盖部材的材料是由金属、陶瓷或聚合物。
上述基材11由金属如铝、聚合物如聚酰亚胺或陶瓷如Al2O3等构成。当基材11为金属时，为了不发生电弧，可进行阳极电镀处理，并可与阳极电镀处理一起进行等离子体喷涂。
上述吸附部12如图2所示，是吸附固定晶片16的部分，可由Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG等具有带电体作用的陶瓷或其混合两种以上的复合陶瓷构成的陶瓷片或绝缘树脂片来构成，可包括施加用于吸附晶片16的电压的电极；还可以包括用于冷气(coolinggas)流动的复数个孔(hole)及使与晶片16的接触面积最小化的突出的凸印(embossing)。
上述黏合层13是将吸附部12吸附到基材11上的部分。黏合层13由含有热塑性树脂或热固性树脂的黏合剂形成，也可以在黏合后进行另外热处理而取得。上述黏合层防侵蚀涂层14在黏合层13的露出面上形成，起到保护黏合层13的露出面不受等离子体侵蚀的作用，这样就要求黏合层防侵蚀涂层14可盖住由树脂形成的黏合层13不发生气泡(pore)和裂缝(crack)，此外还要具有等离子体阻性。
在半导体制造工程中，当黏合层13被侵蚀时，晶片16的中央部和外周部会发生温差，从而导致晶片弯曲变形等缺失。并且受侵蚀的黏合层13的黏合物质会生成微粒等不纯物。这样一来就要求要有防止上述黏合层13受侵蚀的手段，具体的防侵蚀手段要考虑到工程中等离子体影响程度、温度、黏合层的树脂材料、黏合层的收缩/膨胀/裂痕、黏合层的表面状态、黏合层的硬度等因素。但是在上述的现有静电式夹盘中，并没有提出可以根本上解决上述缺失的方案，一般主要是使用去除黏合层，换上新的黏合层的方法。现有的方法不仅会导致费用上升，还无法解决脱离的黏合物质生成微粒的缺失。
由此，上述黏合层防侵蚀涂层14要无气泡无裂缝地盖住由树脂形成的黏合层13，还要有等离子体阻性。但是对于一般使用黏合树脂和陶瓷混合树脂涂层的方法来说，工程中的高温和等离子体的影响，无法实现防侵蚀性能。对于融化陶瓷粉在基材上进行喷洒涂层的等离子体喷涂来说，因其也需要在数百摄氏度的高温下进行涂层，会导致黏合层13融化，无法使用。
此外，静电式夹盘中，在作为黏合层13的构成材料的树脂上，进行陶瓷粉喷涂时，树脂的表面要比金属或陶瓷基材更柔和，很难形成涂层。可见，有必要对陶瓷粉的大小、比重、喷涂速度等条件进行适当的调节，选择适当种类的黏合层13树脂，并结合上述诸多要因，选择适合的喷涂方法及材料。并且较佳为黏合层防侵蚀涂层14的厚度为1～10μm。
考虑到上述问题，在本发明中，上述黏合层防侵蚀涂层14的喷涂方法，是在0～50度的真空状态下，采用上述黏合层13于露出面上喷陶瓷粉方式，并以三次元形状的黏合层露出面形成防侵蚀涂层，所述涂层防止从黏合层的露出面脱落为特征。以下所述为形成黏合层防侵蚀涂层14的涂层方法。
上述黏合层防侵蚀涂层14如图3所示，通过固型粉涂层装置，以如下所述之(a)至(d)工程，采用固型粉连续喷涂之方法而形成。
(a)吸入并储存空气的工程；
(b)对所吸入的空气进行过滤及干燥处理，移送一定量的工程；
(c)在经过上述(b)工程的空气中供入定量的陶瓷粉，在控制一定流量的状态下连续移送陶瓷粉的工程；
及(d)将经过上述(c)工程的陶瓷粉，通过狭缝喷嘴，在0～50度的真空状态下，喷向喷涂腔内部的基材上的工程。
具体来说，上述陶瓷粉选自Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG中的一种以上而形成。并且上述工程中图3所示的固型粉涂层装置包括：一供气部100，包括抽取通过空气吸入口111所吸入空气的空气泵110及储存冷却所抽取空气的空气储存槽120；一空气处理部200，可对来自上述供气部100的空气进行过滤及干燥处理后排出；一固型粉供给部300，向空气处理部200排出的空气供入一定量的陶瓷粉；一喷涂腔400，其内部具有基材；一输送管500，是连接空气处理部200和喷涂腔400的管，将从空气处理部200排出的空气中混入固型粉的混合空气移送到喷涂腔400；一狭缝喷嘴600，在上述输送管500的末端，将混合空气喷到喷涂腔400内部的基材上；一真空泵700，通过真空连接管710与喷涂腔400连接，维持喷涂腔400的真空状态。除了上述的基本构成以外，还包括：通过排气管810将喷涂腔400内部的残留固型粉强制排出的排气泵800及移动基材的移送装置900。
本发明的静电式夹盘10的黏合层防侵蚀涂层14的形成方法和装置，可参考韩国授权专利第10-0916944号之“固型粉连续沉积装置及固型粉连续沉积方法”(PCT/KR2009/04041；US2011/0104369，US2013/0149471”ApparatusandMethodforContinuousPowderCoating”)。
图4是图示为包括固型粉涂层装置：提供固型粉涂914的运输路之运输管910、气体供给装置901中供给气体的油路为气体供给管909、所述运输管910或气体供给管909的尾端上结合之喷射喷嘴903、收容所述喷射喷嘴903的喷涂腔400、维持于大气压状态下被收容之固型粉涂914使供给运输管910的固型粉涂供给部(无图示)、调节所述喷涂腔400的内部压力之压力调节装置902而构成，驱动所述压力调节装置902通过喷涂腔400的负压，使大气压状态的气体吸入所述运输管910而构成，吸入气体911与供给气体912能作用于固型粉涂914的运输气体913。
利用图4的固型粉涂层装置时，由于固型粉涂层方法而形成所述黏合层防侵蚀涂层14是喷涂腔内部发生负压使吸入运输管910的吸入气体911和气体供给装置901中提供至所述气体供给管909的将混合供给气体912的运输气体913，维持于大气压状态下流入所述运输管910内的固型粉涂914可运输，通过所述喷射喷嘴903可喷射，其喷射的固型粉涂914涂层于配置在所述喷涂腔400内部的基材。
与图4相同的固型粉涂层方法和关于利用其固型粉涂层方法，已被公开说明在韩国授权专利第10-2013-0081638之“固型粉涂层方法及其涂层方法”及韩国授权专利第10-2014-0069017之”固型粉涂层方法及其涂层方法”(PCT/KR2014/006217)。
此外，本发明的静电式夹盘10如图5所示，还包括在上述吸附部12上形成的吸附部防侵蚀涂层15。吸附部防侵蚀涂层15的喷涂材料及方法与上述黏合层防侵蚀涂层14的说明一致。作为喷涂材料，可使用选自Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG中一种以上形成的陶瓷粉。用于形成上述吸附部防侵蚀涂层14的喷涂方法，采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，利用所述吸附部12于露出面上喷陶瓷粉方式，无气泡无裂缝而形成三次元形状的吸附部12的露出面，防止吸附部12的露出面脱落(尤其现有方法中在静电式夹盘吸附部的孔(hole)周围、突出的凸印周围、吸附部边缘常发生有脱落现象，而本发明静电式夹盘不会有此现象发生)。
本发明的静电式夹盘10的具体实施方式如图6及图7所示。
图6是图示本发明的静电式夹盘中由在阳极电镀(anodizing)的铝基材上等离子体喷涂(atmosphericplasmaspray)的基座、陶瓷片形成的吸附部、环氧树脂形成的黏合层及黏合层防侵蚀涂层构成的静电式夹盘的照片(a)及黏合层防侵蚀涂层周边的光学显微镜照片(b、c、d)。
图7是图标本发明的静电式夹盘中由阳极电镀(anodizing)的铝基材基座、Al2O3陶瓷片形成的吸附部、环氧树脂形成的黏合层及黏合层防侵蚀涂层构成的静电式夹盘的照片(a)；黏合层防侵蚀涂层形成前的黏合层周边的光学显微镜照片(b)；及黏合层防侵蚀涂层形成后的黏合层周边的光学显微镜照片(c)。
在图6的(b)及(c)中可见，由陶瓷片形成的吸附部的侧面一部和由环氧树脂形成的黏合层被Y2O3陶瓷层覆盖；在图6的(d)中可见，由环氧树脂形成的黏合层与电浆涂层的一部分被Y2O3陶瓷层覆盖。
在图7的(c)中可见，由Al2O3陶瓷片形成的吸附部的侧面和由环氧树脂形成的黏合层被Y2O3陶瓷层覆盖。
2.静电式夹盘的制造方法
本发明提供一种静电式夹盘的制造方法，其特征在于，包括：(一)利用静电力吸附晶片的吸附部12黏合在基材11上，形成黏合层13的步骤；及(二)将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，覆盖所述黏合层13的露出面而形成无气泡无裂缝之黏合层防侵蚀涂层14的步骤。
在所述(一)步骤中，静电式夹盘的吸附部12黏合固定在基材11上，形成黏合层13。本步骤中所述吸附部12与所述基材11相互结合，形成所述黏合层13的露出面。所述黏合层13的露出面可为环形、方形等多样的形态。
在所述(二)步骤中，所述黏合层防侵蚀涂层14不只是直接喷射涂层在所述黏合层13的露出面，或是涂抹于覆盖部材的外面，其结合覆盖所述黏合层13的露出面而形成的。
在所述(二)步骤中，还包括：将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下，喷向吸附部12的露出面上，形成无气泡无裂缝的吸附部防侵蚀涂层15。
而特征为所述陶瓷粉的供给量为0.1～100g/min，偏差质未满±1wt％，或维持于大气压状态下可供给所述陶瓷粉，所述移送空气的流量为5～500m3/min，偏差质未满±1vol％。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的任何修改、等同替换、改进等，都包含在本发明的保护范围之内。
产业利用之方法
静电式夹盘(electrostaticchuck)是在半导体制造工程中，吸附并固定晶片(wafer)的装置，用于沉积(deposition)、蚀刻(etching)、灰化(ashing)、扩散(diffusion)、洗净(cleaning)等工程。本发明涉及静电式夹盘及其制造方法，尤指具有将固定晶片的吸附部黏合在基材上的黏合层以及防止黏合层侵蚀的黏合层防侵蚀涂层的静电式夹盘及其制造方法。

Claims (16)

1.一种静电式夹盘，其特征在于，包括：基材；利用静电力吸附晶片的吸附部；将所述吸附部黏合在所述基材上的黏合层；及为了覆盖所述黏合层的露出面而形成的黏合层防侵蚀涂层；所述黏合层防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，无气泡无裂缝而形成的。
2.根据权利要求1所述的静电式夹盘，其特征在于，还包括黏合层防侵蚀涂层，所述吸附部防侵蚀涂层是直接涂抹在所述黏合层的露出面而形成的。
3.根据权利要求1所述的静电式夹盘，其特征在于，所述黏合层防侵蚀涂层涂抹于覆盖部材的外面，其结合覆盖所述黏合层的露出面而形成的。
4.根据权利要求1的静电式夹盘，其特征在于，所述基材是由金属、聚合物或陶瓷形成的。
5.根据权利要求1的静电式夹盘，其特征在于，所述吸附部是由陶瓷片(ceramicsheet)或绝缘树脂片(insulatingresinsheet)形成的。
6.根据权利要求1的静电式夹盘，其特征在于，所述黏合层由含有热塑性树脂或热固性树脂的黏合剂形成的。
7.根据权利要求1的静电式夹盘，其特征在于，所述黏合层防侵蚀涂层是由选自Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG中任意一种以上而形成的陶瓷涂层。
8.根据权利要求1的静电式夹盘，其特征在于，所述吸附部防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下，喷向吸附部的露出面上的喷涂方式，而形成无气泡无裂缝。
9.根据权利要求8所述的静电式夹盘，其特征在于，所述吸附部防侵蚀涂层是由选自Y2O3，YF3，Al2O3，AlN，SiC，TiO2，YAG，AYG中任意一种以上而形成的陶瓷涂层。
10.一种静电式夹盘的制造方法，其特征在于，包括：(a)利用静电力吸附晶片的吸附部黏合在基材上，形成黏合层的步骤；及(b)将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下的喷涂方式，覆盖所述黏合层的露出面而形成无气泡无裂缝之黏合层防侵蚀涂层的步骤。
11.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法，其特征在于，所述(b)步骤中，还包括：所述黏合层防侵蚀涂层是直接涂抹在所述黏合层的露出面而形成的。
12.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法，其特征在于，所述(b)步骤中，还包括：所述黏合层防侵蚀涂层涂抹于覆盖部材的外面，其结合覆盖所述黏合层的露出面而形成的。
13.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法，其特征在于，所述陶瓷粉的供给量为0.1～100g/min，偏差质未满±1wt％。
14.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法，其特征在于，维持于大气压状态下可供给所述陶瓷粉。
15.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法，其特征在于，所述移送空气的流量为5～500m3/min，偏差质未满±1vol％。
16.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法，其特征在于，所述(b)步骤中，还包括：将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量，在0～50度的真空状态下，喷向吸附部的露出面上，形成无气泡无裂缝的吸附部防侵蚀涂层。
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