CN102637573B - 半导体处理装置及制作方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23％，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，可以提高半导体处理装置的使用寿命。

Description

半导体处理装置及制作方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种抗腐蚀性的半导体处理装置及制作方法。

背景技术

在现有的化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置中，往往需要将反应气体离子化形成等离子体，然后利用所述等离子进行化学气相沉积或等离子体刻蚀。当所述反应气体中含有Cl、F时，所述化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置的反应腔内会形成有Cl、F的等离子体，所述Cl、F的等离子体具有较强的腐蚀能力。而现有技术的化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置中，所述反应腔的材料多为不锈钢，所述Cl、F的等离子体会腐蚀不锈钢的反应腔内壁。且由于化学气相沉积装置或等离子体刻蚀装置通常是在高温、高频的环境中进行沉积工艺或刻蚀工艺，所述高温、高频的环境会加速所述Cl、F的等离子体腐蚀所述不锈钢内壁，使得所述反应腔的使用寿命变短。

授权公告号为CN101296553B的中国专利文献公开了一种等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：反应腔；位于所述反应腔顶部的喷头电极，反应气体可以通过所述喷头电极的进气孔流入到所述等离子体处理设备的反应腔中；位于所述喷头电极朝向所述反应腔的表面的衬板，所述衬板可拆卸，且所述衬板具有与所述进气孔相对应的通孔。所述衬板的材料为阳极氧化铝、单晶硅、碳化硅、氮化硅或石英。当所述衬板被反应腔内具有腐蚀性的反应离子腐蚀到一定程度后，通过更换所述衬板，所述喷头电极仍能正常使用，使得喷头电极的使用寿命可以显著的延长。

但是利用上述的技术，经常更换衬板会增加使用成本，且所述衬板只能保护喷头电极朝向所述反应腔的表面不受Cl、F的等离子体的腐蚀，其他暴露在等离子体中的反应腔内壁仍会被腐蚀，反应腔的使用寿命仍然会变短。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置的处理腔室内壁和处理部件暴露于等离子体的部位的材料具有抗腐蚀性，使得所述半导体处理装置的使用寿命变长。

为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。

可选的，所述含有铬的镍合金层为哈氏镍合金或因科镍合金。

可选的，所述处理腔内壁和/或处理部件的主体的材料为不锈钢或铝，所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面具有含有铬的镍合金层。

可选的，所述含有铬的镍合金层的厚度为10μm~500μm。

可选的，所述含有铬的镍合金层为单层镍合金层或多层堆叠的镍合金层。

可选的，所述处理腔室内壁和/或处理部件的材料为含有铬的镍合金。

可选的，所述半导体处理装置为等离子体处理设备。

可选的，所述半导体处理装置为MOCVD设备，所述MOCVD设备具有等离子体产生装置，利用所述等离子体产生装置产生等离子体来清洁所述MOCVD设备的处理腔。

可选的，所述处理部件为用于通入源气体的气体喷淋头。

本发明技术方案还提供了一种半导体处理装置的制作方法，包括：

提供处理腔室和/或处理部件，在所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层。

可选的，形成所述含有铬的镍合金层的工艺包括电镀、喷涂、溅射或沉积工艺。

可选的，所述含有铬的镍合金层为单层镍合金层或多层堆叠的镍合金层。

可选的，所述含有铬的镍合金为哈氏镍合金或因科镍合金。

本发明技术方案还提供了一种半导体处理装置的制作方法，包括：

提供处理腔室和/或处理部件，所述处理腔室内壁和/或处理部件利用含有铬的镍合金铸造或压制成型而成。

可选的，所述含有铬的镍合金为哈氏镍合金或因科镍合金。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

在本发明实施例的半导体处理装置中，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23％，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，使得形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头的使用寿命变长，可以提高半导体处理装置的使用寿命。

附图说明

图1是本发明实施例的金属有机化合物化学气相沉积设备的结构示意图。

具体实施方式

由于现有的等离子体处理设备需要经常更换衬板，会增加所述等离子体处理设备的使用成本，发明人经过研究，提出了一种半导体处理装置及制作方法，所述半导体处理装置的至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%，所述镍的重量百分比范围为30%~63%。由于所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%，所述镍的重量百分比范围为30%~63%的镍合金能有效的防止Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，利用所述含有铬的镍合金作为处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料，可以大幅降低卤族元素的等离子体对所述腔室内壁和/或处理部件的腐蚀，提高了所述半导体处理装置的使用寿命。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

本发明实施例的半导体处理装置包括处理腔室，所述处理腔室内通入有源气体，利用所述源气体对待处理基片进行刻蚀、沉积。本发明实施例的半导体处理装置还具有等离子体产生设备，利用所述等离子产生装置将所述源气体离子化变为等离子体，利用所述等离子体对所述半导体处理装置的处理腔室内壁进行清洗。

本发明实施例首先提供了一种金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）设备，请参考图1，为本发明实施例的MOCVD设备的结构示意图，包括：处理腔室110，所述处理腔室110包括内壁111；位于所述处理腔室110内部的一个或多个基座115，所述基座115用于承载待处理基片；位于所述反应腔室顶部的气体喷淋头120，所述气体喷淋头120用于向反应腔室110输送反应气体或清洁气体，且所述气体喷淋头120作为所述电容耦合等离子体产生装置的电极，射频供应源122通过射频匹配器121与所述气体喷淋头120相连接。在本实施例中，所述MOCVD设备的处理部件包括基座115和气体喷淋头120。

在本实施例中，所述等离子体产生装置为电容耦合等离子体产生装置，射频供应源122通过射频匹配器121与所述气体喷淋头120相连接，使得处理腔室内产生射频电场，将清洁气体离子化为等离子体。在其他实施例中，所述等离子体产生装置为电感耦合等离子体产生装置，射频供应源通过射频匹配器与位于所述反应腔侧壁的电感线圈相连接，使得处理腔室内产生射频电场，将清洁气体离子化为等离子体。

利用所述MOCVD设备形成半导体薄膜的工艺是通过将Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的源气体，以热分解反应方式在待处理基片上进行气相外延，形成各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜。由于所述Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜在形成于待处理基片表面的同时，还会形成于所述处理腔室的内壁111、基座115和气体喷淋头120表面，因此，在经过一段时间的MOCVD薄膜沉积工艺后，必须停止沉积工艺，利用等离子体清洁工艺将所述反应腔室内的残余Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜清除掉。为了能有效清除掉所述反应腔室内的残余Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜，清洁气体的等离子体中往往含有Cl、F的等离子体，但现有技术中，所述含有Cl、F的等离子体不仅能有效的去除反应腔室内的残余Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜，还会腐蚀MOCVD设备的不锈钢内壁、不锈钢气体喷淋头和不锈钢基座，使得所述MOCVD设备的使用寿命变短。

因此，在本发明实施例中，所述MOCVD设备的处理腔室内壁111、基座115和气体喷淋头120暴露于等离子体的部位表面具有含有铬的镍合金层，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。具体的，在本实施例，所述含有铬的镍合金为哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金，所述哈氏（Hastelloy）镍合金中主要包括铬、镍、钼，所述哈氏镍合金的具体型号为HastelloyB-2、HastelloyB-3、HastelloyC-22、HastelloyC-276、HastelloyG-3等，所述因科（Inconel）镍合金中主要包括铬、镍，所述因科镍合金的具体型号为Inconel625、Inconel600、Inconel601等。

发明人对现有技术用于形成处理腔室内壁的不锈钢316L与HastelloyC-22、HastelloyC-276、Inconel625合金在等离子体处理下重量的损耗值进行了实验。其中，所述HastelloyC-22合金中铬的重量百分比范围为20%~22.5％，镍的重量百分比范围为50%~63%，钼的重量百分比范围为12.5%~14.5%。所述HastelloyC-276合金中铬的重量百分比范围为14.5%~16.5％，镍的重量百分比范围为51%~63%，钼的重量百分比范围为15%~17%。所述Inconel625合金中铬的重量百分比范围为20%~23%，镍的重量百分比范围为58%~68%，钼的重量百分比范围为8%~10%。

发明人将相同面积的不锈钢316L、HastelloyC-22合金、HastelloyC-276合金、Inconel625合金放置在气体喷淋头120的表面，所述不锈钢316L、HastelloyC-22合金、HastelloyC-276合金、Inconel625合金表面经过抛光，并在处理腔室内通入HCl/Ar的清洁气体，利用频率为13.56MHz、功率为1500W的射频供应源将所述HCl/Ar的清洁气体等离子体化，使得所述不锈钢316L与HastelloyC-22合金、HastelloyC-276合金、Inconel625合金暴露在等离子体的环境中3小时，并通过测量各种材料所损耗的重量，判断含有Cl的等离子体对各种材料所造成的腐蚀程度。

经过实验发现，原本白亮的不锈钢316L暴露在所述等离子体的环境中3小时后表面变成灰黑色，不锈钢316L的重量减小了0.01克，而原本白亮的HastelloyC-22合金、HastelloyC-276合金、Inconel625合金暴露在所述等离子体的环境中3小时后表面仅部分区域出现污点，大部分区域仍然闪亮呈银白色，且所述HastelloyC-276合金的重量减小了0.004克，所述HastelloyC-22合金的重量减小了0.006克，所述Inconel625合金的重量减小了0.003克，所述哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金对含Cl的等离子体的抗腐蚀能力明显比现有工艺中的不锈钢316L的抗腐蚀能力强，利用所述哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金可以有效的防止半导体处理装置处理腔室内的含有Cl、F等卤族元素的等离子体对处理腔室内壁、处理部件的腐蚀。

在本发明实施例中，所述MOCVD设备的处理腔室的内壁111、基座115和气体喷淋头120暴露于等离子体的部位表面具有含有铬的镍合金层，所述处理腔室的内壁111、基座115和气体喷淋头120的主体材料为不锈钢、铝或其他合适的材料，所述含有铬的镍合金层的厚度为10μm~500μm，且所述含有铬的镍合金层可以为单层镍合金层也可以为多层堆叠的镍合金层。由于所述处理腔室的内壁111、基座115和气体喷淋头120暴露于等离子体的部位表面都具有含有铬的镍合金层，所述处理腔室的内壁111、基座115和气体喷淋头120都不容易受到含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，且所述处理腔室的内壁111、基座115和气体喷淋头120的主体材料为不锈钢、铝或其他合适的材料，可以节省制作成本。

在其他实施例中，所述含有铬的镍合金层仅位于MOCVD设备的气体喷淋头表面。由于所述MOCVD设备的气体喷淋头位于待处理基片的上方，所述气体喷淋头表面的残余Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜容易剥落并落在待处理基片表面，使得待处理基片表面形成的薄膜产生缺陷，因此，在其他实施例中，利用等离子体清洁工艺对所述反应腔室内的残余Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的清除过程中，所述等离子体产生装置会产生偏压，使得所述含有Cl、F等卤族元素的清洁气体的等离子体被加速并轰击到气体喷淋头表面，虽然气体喷淋头表面的残余Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜更容易去除，但气体喷淋头也容易受到含有Cl、F的清洁气体的等离子体的腐蚀。由于所述含有铬的镍合金层位于MOCVD设备的气体喷淋头表面，且所述含有铬的镍合金机械强度较高，所述气体喷淋头不容易被腐蚀，延长了MOCVD设备的寿命。

在其他实施例中，所述MOCVD设备的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。具体的，所述含有铬的镍合金为哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金。由于所述含有铬的镍合金能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，利用所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，延长了MOCVD设备的寿命。

在其他实施例中，半导体处理装置为等离子处理装置，具体为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）装置、高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）装置或等离子体干法刻蚀装置等。所述等离子处理装置包括处理腔室，所述处理腔室内通入有源气体，所述等离子处理装置还具有等离子体产生设备，利用所述等离子产生装置将所述源气体离子化变为等离子体，利用所述等离子体对待处理基片进行刻蚀、沉积。由于现有技术中，所述等离子处理装置的处理腔室内壁、用于承载待处理基片的基座、用于通入源气体的气体喷淋头暴露于所述等离子体中，当所述等离子体中包含有Cl、F等卤族元素时，所述等离子处理装置的处理腔室内壁、基座和气体喷淋头表面会被腐蚀，其中，所述基座和气体喷淋头为处理部件。为此，本实施例的等离子处理装置的处理腔室内壁、处理部件暴露于所述等离子体的部位表面具有含有铬的镍合金层或所述处理腔室内壁、处理部件的材料为所述含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23%，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。具体的，所述含有铬的镍合金为哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金。由于所述含有铬的镍合金能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，利用所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，延长了等离子处理装置的寿命。

当所述半导体处理装置的处理腔内壁和/或处理部件的主体的材料为不锈钢、铝及其他合适的材料，所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面需要形成有含有铬的镍合金层时，本发明实施例还相对应提供了一种半导体处理装置的制作方法，包括：提供处理腔室和/或处理部件，处理腔室内壁和/或处理部件的材料为不锈钢、铝及其他合适的材料，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，所述处理腔室还用于容纳等离子体和所述处理部件；在所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层。

在所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层的工艺包括电镀、喷涂、溅射或沉积工艺。

在本发明实施例中，形成所述含有铬的镍合金层的工艺为电镀工艺，以所述含有铬的镍合金为阳极，所述含有铬的镍合金具体为哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金，所述处理腔室内壁和/或处理部件为阴极，将所述阳极和阴极浸入含有稳定剂的硫酸盐-氯化物的镀液中，所述硫酸盐中包含铬、镍等金属元素，通过控制施加在阳极和阴极之间的电流量、镀液的温度和PH值，使得在处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层。

所述含有铬的镍合金层的厚度为10μm~500μm，且所述含有铬的镍合金层可以为单层含有铬的镍合金层也可以为多层堆叠的含有铬的镍合金层。当利用多次电镀工艺在处理腔室内壁表面和/或处理部件表面形成多层堆叠的含有铬的镍合金层时，所述多层堆叠的含有铬的镍合金层中每一层的材料可以相同，也可以不同，通过调整不同层的镍合金层的材料，可以提高处理腔室内壁表面和/或处理部件表面的抗腐蚀能力，也可以提高所述含有铬的镍合金层与处理腔室内壁表面、处理部件表面之间的粘附能力。

在所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层后，将所述处理腔室内壁表面和处理部件与半导体处理装置的其他部件通过焊接或组装在一起，形成半导体处理装置。

当所述半导体处理装置的处理腔内壁和/或处理部件的主体的材料为含有铬的镍合金时，本发明实施例还相对应提供了一种半导体处理装置的制作方法，包括：提供处理腔室和/或处理部件，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，所述处理腔室还用于容纳等离子体和所述处理部件，所述处理腔室内壁和/或处理部件利用含有铬的镍合金铸造或压制成型而成。

在本发明实施例中，所述处理腔室内壁和处理部件采用压制成型工艺形成，具体包括：利用水下数控等离子切割工艺将含有铬的镍合金进行切割，形成具有一定形状的含有铬的镍合金板材，不但可以得到光滑的切割面，防止热切割对材料的污染，影响材料的抗腐蚀性，而且切口热影响区很小，除去所述切口热影响区的费用较少；对所述板材在滚板机上压制成特定的形状，并进行固熔热处理和酸洗，防止金属和油对材料的污染，并进行组装或焊接，形成处理腔室内壁和处理部件。

当利用含有铬的镍合金形成处理腔室内壁和处理部件后，将所述处理腔室内壁表面和处理部件与半导体处理装置的其他部件通过焊接或组装在一起，形成半导体处理装置。在本实施例中，所述含有铬的镍合金为哈氏（Hastelloy）镍合金或因科（Inconel）镍合金。由于本发明实施例的处理腔室内壁和处理部件是由一整块含铬的镍合金形成的，不会出现处理腔室内壁和处理部件表面的含铬的镍合金层剥落的问题，使用寿命较长。

综上，本发明实施例的半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5%~23％，所述镍的重量百分比范围为30%~68%。由于所述含有铬的镍合金形成的处理腔室的内壁、基座和/或气体喷淋头能有效的防止含有Cl、F等卤族元素的等离子体的腐蚀，可以提高半导体处理装置的使用寿命。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (15)

1.一种半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述处理腔室内具有处理部件，其特征在于，

至少所述处理腔室内壁和/或处理部件暴露于等离子体的部位的材料为含有铬的镍合金，在所述含有铬的镍合金中，所述铬的重量百分比范围为14.5％～23％，所述镍的重量百分比范围为30％～68％，所述铬的重量百分比范围为14.5％～23％且镍的重量百分比范围为30％～68％的镍合金适于防止含有卤族元素的等离子体的腐蚀。

2.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述含有铬的镍合金层为哈氏镍合金或因科镍合金。

3.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔内壁和/或处理部件的主体的材料为不锈钢或铝，所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面具有含有铬的镍合金层。

4.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述含有铬的镍合金层的厚度为10μm～500μm。

5.如权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述含有铬的镍合金层为单层镍合金层或多层堆叠的镍合金层。

6.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室内壁和/或处理部件的材料为含有铬的镍合金。

7.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置为等离子体处理设备。

8.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置为MOCVD设备，所述MOCVD设备具有等离子体产生装置，利用所述等离子体产生装置产生等离子体来清洁所述MOCVD设备的处理腔。

9.如权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述处理部件为用于通入源气体的气体喷淋头。

10.一种如权利要求3所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供处理腔室和/或处理部件，在所述处理腔室内壁表面和/或处理部件暴露于等离子体的部位的表面形成含有铬的镍合金层。

11.如权利要求10所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，形成所述含有铬的镍合金层的工艺包括电镀、喷涂、溅射或沉积工艺。

12.如权利要求10所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述含有铬的镍合金层为单层镍合金层或多层堆叠的镍合金层。

13.如权利要求10所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述含有铬的镍合金为哈氏镍合金或因科镍合金。

14.一种如权利要求6所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供处理腔室和/或处理部件，所述处理腔室内壁和/或处理部件利用含有铬的镍合金铸造或压制成型而成。

15.如权利要求14所述的半导体处理装置的制作方法，其特征在于，所述含有铬的镍合金为哈氏镍合金或因科镍合金。