TW201344825A - 半導體處理裝置及製作方法 - Google Patents

Abstract

一種半導體處理裝置及製作方法，所述半導體處理裝置包括：處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基板進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述處理腔室內具有處理部件，至少所述處理腔室內壁和/或處理部件暴露於等離子體的部位的材料為含有鉻的鎳合金，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%，由於所述含有鉻的鎳合金形成的處理腔室的內壁、基座和/或氣體噴淋頭能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，可以提高半導體處理裝置的使用壽命。

Description

半導體處理裝置及製作方法

本發明係關於半導體領域的半導體處理裝置及製作方法，特別是關於一種抗腐蝕性的半導體處理裝置及製作方法。

在習知的化學氣相沉積裝置或等離子體刻蝕裝置中，往往需要將反應氣體離子化形成等離子體，然後利用所述等離子進行化學氣相沉積或等離子體刻蝕。當所述反應氣體中含有Cl、F時，所述化學氣相沉積裝置或等離子體刻蝕裝置的反應腔內會形成有Cl、F的等離子體，所述Cl、F的等離子體具有較強的腐蝕能力。而習知技術的化學氣相沉積裝置或等離子體刻蝕裝置中，所述反應腔的材料多為不銹鋼，所述Cl、F的等離子體會腐蝕不銹鋼的反應腔內壁。且由於化學氣相沉積裝置或等離子體刻蝕裝置通常是在高溫、高頻的環境中進行沉積工藝或刻蝕工藝，所述高溫、高頻的環境會加速所述Cl、F的等離子體腐蝕所述不銹鋼內壁，使得所述反應腔的使用壽命變短。

授權公告號為CN101296553B的中國專利文獻揭露了一種等離子體處理設備，所述等離子體處理設備包括：反應腔；位於所述反應腔頂部的噴頭電極，反應氣體可以通過所述噴頭電極的進氣孔流入到所述等離子體處理設備的反應腔中；位於所述噴頭電極朝向所述反應腔的表面的襯板，所述襯板可拆卸，且所述襯板具有與所述進氣孔相對應的通孔。所述襯板的材料為陽極氧化鋁、單晶矽、碳化矽、氮化矽或石英。當所述襯板被反應腔內具有腐蝕性的反應離子腐蝕到一定程度後，通過更換所述 襯板，所述噴頭電極仍能正常使用，使得噴頭電極的使用壽命可以顯著的延長。

但是利用上述的技術，經常更換襯板會增加使用成本，且所述襯板只能保護噴頭電極朝向所述反應腔的表面不受Cl、F的等離子體的腐蝕，其他暴露在等離子體中的反應腔內壁仍會被腐蝕，反應腔的使用壽命仍然會變短。

本發明解決的問題是提供一種半導體處理裝置及製作方法，所述半導體處理裝置的處理腔室內壁和處理部件暴露於等離子體的部位的材料具有抗腐蝕性，使得所述半導體處理裝置的使用壽命變長。

為解決上述問題，本發明技術方案提供了一種半導體處理裝置，包括處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基板進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述處理腔室內具有處理部件，至少所述處理腔室內壁和/或處理部件暴露於等離子體的部位的材料為含有鉻的鎳合金，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%。

可選的，所述含有鉻的鎳合金層為赫史特鎳合金或英高鎳合金。

可選的，所述處理腔內壁和/或處理部件的主體的材料為不銹鋼或鋁，所述處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面具有含有鉻的鎳合金層。

可選的，所述含有鉻的鎳合金層的厚度為10μm~500μm。

可選的，所述含有鉻的鎳合金層為單層鎳合金層或多層堆疊的鎳合金層。

可選的，所述處理腔室內壁和/或處理部件的材料為含有鉻 的鎳合金。

可選的，所述半導體處理裝置為等離子體處理設備。

可選的，所述半導體處理裝置為MOCVD設備，所述MOCVD設備具有等離子體產生裝置，利用所述等離子體產生裝置產生等離子體來清潔所述MOCVD設備的處理腔。

可選的，所述處理部件為用於通入源氣體的氣體噴淋頭。

本發明技術方案還提供了一種半導體處理裝置的製作方法，包括：提供處理腔室和/或處理部件，在所述處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面形成含有鉻的鎳合金層。

可選的，形成所述含有鉻的鎳合金層的工藝包括電鍍、噴塗、濺射或沉積工藝。

可選的，所述含有鉻的鎳合金層為單層鎳合金層或多層堆疊的鎳合金層。

可選的，所述含有鉻的鎳合金為赫史特鎳合金或英高鎳合金。

本發明技術方案還提供了一種半導體處理裝置的製作方法，包括：提供處理腔室和/或處理部件，所述處理腔室內壁和/或處理部件利用含有鉻的鎳合金鑄造或壓制成型而成。

可選的，所述含有鉻的鎳合金為赫史特鎳合金或英高鎳合金。

與習知技術相比，本發明具有以下優點：在本發明的一實施例的半導體處理裝置中，至少所述處理腔室內壁和/或處理部件暴露於等離子體的部位的材料為含有鉻的鎳合金，在 所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%。由於所述含有鉻的鎳合金能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，使得形成的處理腔室的內壁、基座和/或氣體噴淋頭的使用壽命變長，可以提高半導體處理裝置的使用壽命。

本發明所採用的具體實施例，將藉由以下之實施例及附呈圖式作進一步之說明。

110‧‧‧處理腔室

111‧‧‧內壁

115‧‧‧基座

120‧‧‧氣體噴淋頭

121‧‧‧射頻匹配器

122‧‧‧射頻供應源

圖1是本發明的一實施例的金屬有機化合物化學氣相沉積設備的結構示意圖。

由於習知的等離子體處理設備需要經常更換襯板，會增加所述等離子體處理設備的使用成本，發明人經過研究，提出了一種半導體處理裝置及製作方法，所述半導體處理裝置的至少所述處理腔室內壁和/或處理部件暴露於等離子體的部位的材料為含有鉻的鎳合金，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~63%。由於所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~63%的鎳合金能有效的防止Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，利用所述含有鉻的鎳合金作為處理腔室內壁和/或處理部件暴露於等離子體的部位的材料，可以大幅降低鹵族元素的等離子體對所述腔室內壁和/或處理部件的腐蝕，提高了所述半導體處理裝置的使用壽命。

為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

在以下描述中闡述了具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可 以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面揭露的具體實施的限制。

本發明的一實施例的半導體處理裝置包括一處理腔室，所述處理腔室內通入有源氣體，利用所述源氣體對待處理基板進行刻蝕、沉積。本發明的實施例的半導體處理裝置還具有等離子體產生設備，利用所述等離子產生裝置將所述源氣體離子化變為等離子體，利用所述等離子體對所述半導體處理裝置的處理腔室內壁進行清洗。

本發明的一實施例首先提供了一種金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)設備，請參考圖1，為本發明的一實施例的MOCVD設備的結構示意圖，包括：處理腔室110，所述處理腔室110包括內壁111；位於所述處理腔室110內部的一個或多個基座115，所述基座115用於承載待處理基板；位於所述反應腔室頂部的氣體噴淋頭120，所述氣體噴淋頭120用於向反應腔室110輸送反應氣體或清潔氣體，且所述氣體噴淋頭120作為所述電容耦合等離子體產生裝置的電極，射頻供應源122通過射頻匹配器121與所述氣體噴淋頭120相連接。在本實施例中，所述MOCVD設備的處理部件包括基座115和氣體噴淋頭120。

在本實施例中，所述等離子體產生裝置為電容耦合等離子體產生裝置，射頻供應源122通過射頻匹配器121與所述氣體噴淋頭120相連接，使得處理腔室內產生射頻電場，將清潔氣體離子化為等離子體。在其他實施例中，所述等離子體產生裝置為電感耦合等離子體產生裝置，射頻供應源通過射頻匹配器與位於所述反應腔側壁的電感線圈相連接，使得處理腔室內產生射頻電場，將清潔氣體離子化為等離子體。

利用所述MOCVD設備形成半導體薄膜的工藝是通過將Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長的源氣體，以熱分解反應方式在待處理基板上進行氣相外延，形成各種Ⅲ-V族、 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜。由於所述Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜在形成於待處理基板表面的同時，還會形成於所述處理腔室的內壁111、基座115和氣體噴淋頭120表面，因此，在經過一段時間的MOCVD薄膜沉積工藝後，必須停止沉積工藝，利用等離子體清潔工藝將所述反應腔室內的殘餘Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜清除掉。為了能有效清除掉所述反應腔室內的殘餘Ⅲ-V族、Ⅱ-VI族化合物半導體薄膜，清潔氣體的等離子體中往往含有Cl、F的等離子體，但習知技術中，所述含有Cl、F的等離子體不僅能有效的去除反應腔室內的殘餘Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜，還會腐蝕MOCVD設備的不銹鋼內壁、不銹鋼氣體噴淋頭和不銹鋼基座，使得所述MOCVD設備的使用壽命變短。

因此，在本發明的一實施例中，所述MOCVD設備的處理腔室內壁111、基座115和氣體噴淋頭120暴露於等離子體的部位表面具有含有鉻的鎳合金層，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%。具體的，在本實施例，所述含有鉻的鎳合金為赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金，所述赫史特(Hastelloy)鎳合金中主要包括鉻、鎳、鉬，所述赫史特鎳合金的具體型號為Hastelloy B-2、Hastelloy B-3、Hastelloy C-22、Hastelloy C-276、Hastelloy G-3等，所述英高(Inconel)鎳合金中主要包括鉻、鎳，所述英高鎳合金的具體型號為Inconel 625、Inconel 600、Inconel 601等。

發明人對習知技術用於形成處理腔室內壁的不銹鋼316L與Hastelloy C-22、Hastelloy C-276、Inconel 625合金在等離子體處理下重量的損耗值進行了實驗。其中，所述Hastelloy C-22合金中鉻的重量百分比範圍為20%~22.5%，鎳的重量百分比範圍為50%~63%，鉬的重量百分比範圍為12.5%~14.5%。所述Hastelloy C-276合金中鉻的重量百分比範圍為14.5%~16.5%，鎳的重量百分比範圍為51%~63%，鉬的重量百分比範圍為 15%~17%。所述Inconel 625合金中鉻的重量百分比範圍為20%~23%，鎳的重量百分比範圍為58%~68%，鉬的重量百分比範圍為8%~10%。

發明人將相同面積的不銹鋼316L、Hastelloy C-22合金、Hastelloy C-276合金、Inconel 625合金放置在氣體噴淋頭120的表面，所述不銹鋼316L、Hastelloy C-22合金、Hastelloy C-276合金、Inconel 625合金表面經過拋光，並在處理腔室內通入HCl/Ar的清潔氣體，利用頻率為13.56MHz、功率為1500W的射頻供應源將所述HCl/Ar的清潔氣體等離子體化，使得所述不銹鋼316L與Hastelloy C-22合金、Hastelloy C-276合金、Inconel 625合金暴露在等離子體的環境中3小時，並通過測量各種材料所損耗的重量，判斷含有Cl的等離子體對各種材料所造成的腐蝕程度。

經過實驗發現，原本白亮的不銹鋼316L暴露在所述等離子體的環境中3小時後表面變成灰黑色，不銹鋼316L的重量減小了0.01克，而原本白亮的Hastelloy C-22合金、Hastelloy C-276合金、Inconel 625合金暴露在所述等離子體的環境中3小時後表面僅部分區域出現污點，大部分區域仍然閃亮呈銀白色，且所述Hastelloy C-276合金的重量減小了0.004克，所述Hastelloy C-22合金的重量減小了0.006克，所述Inconel 625合金的重量減小了0.003克，所述赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金對含Cl的等離子體的抗腐蝕能力明顯比習知工藝中的不銹鋼316L的抗腐蝕能力強，利用所述赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金可以有效的防止半導體處理裝置處理腔室內的含有Cl、F等鹵族元素的等離子體對處理腔室內壁、處理部件的腐蝕。

在本發明的一實施例中，所述MOCVD設備的處理腔室的內壁111、基座115和氣體噴淋頭120暴露於等離子體的部位表面具有含有鉻的鎳合金層，所述處理腔室的內壁111、基座115和氣體噴淋頭120的主體材料為不銹鋼、鋁或其他合適的材料，所述含有鉻的鎳合金層的厚度為 10μm~500μm，且所述含有鉻的鎳合金層可以為單層鎳合金層也可以為多層堆疊的鎳合金層。由於所述處理腔室的內壁111、基座115和氣體噴淋頭120暴露於等離子體的部位表面都具有含有鉻的鎳合金層，所述處理腔室的內壁111、基座115和氣體噴淋頭120都不容易受到含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，且所述處理腔室的內壁111、基座115和氣體噴淋頭120的主體材料為不銹鋼、鋁或其他合適的材料，可以節省製作成本。

在其他實施例中，所述含有鉻的鎳合金層僅位於MOCVD設備的氣體噴淋頭表面。由於所述MOCVD設備的氣體噴淋頭位於待處理基板的上方，所述氣體噴淋頭表面的殘餘Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜容易剝落並落在待處理基板表面，使得待處理基板表面形成的薄膜產生缺陷，因此，在其他實施例中，利用等離子體清潔工藝對所述反應腔室內的殘餘Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜的清除過程中，所述等離子體產生裝置會產生偏壓，使得所述含有Cl、F等鹵族元素的清潔氣體的等離子體被加速並轟擊到氣體噴淋頭表面，雖然氣體噴淋頭表面的殘餘Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體薄膜更容易去除，但氣體噴淋頭也容易受到含有Cl、F的清潔氣體的等離子體的腐蝕。由於所述含有鉻的鎳合金層位於MOCVD設備的氣體噴淋頭表面，且所述含有鉻的鎳合金機械強度較高，所述氣體噴淋頭不容易被腐蝕，延長了MOCVD設備的壽命。

在其他實施例中，所述MOCVD設備的處理腔室的內壁、基座和/或氣體噴淋頭的材料為含有鉻的鎳合金，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%。具體的，所述含有鉻的鎳合金為赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金。由於所述含有鉻的鎳合金能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，利用所述含有鉻的鎳合金形成的處理腔室的內壁、基座和/或氣體噴淋頭能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離 子體的腐蝕，延長了MOCVD設備的壽命。

在其他實施例中，半導體處理裝置為等離子處理裝置，具體為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)裝置、高密度等離子體化學氣相沉積(HDPCVD)裝置或等離子體幹法刻蝕裝置等。所述等離子處理裝置包括處理腔室，所述處理腔室內通入有源氣體，所述等離子處理裝置還具有等離子體產生設備，利用所述等離子產生裝置將所述源氣體離子化變為等離子體，利用所述等離子體對待處理基板進行刻蝕、沉積。由於習知技術中，所述等離子處理裝置的處理腔室內壁、用於承載待處理基板的基座、用於通入源氣體的氣體噴淋頭暴露於所述等離子體中，當所述等離子體中包含有Cl、F等鹵族元素時，所述等離子處理裝置的處理腔室內壁、基座和氣體噴淋頭表面會被腐蝕，其中，所述基座和氣體噴淋頭為處理部件。為此，本實施例的等離子處理裝置的處理腔室內壁、處理部件暴露於所述等離子體的部位表面具有含有鉻的鎳合金層或所述處理腔室內壁、處理部件的材料為所述含有鉻的鎳合金，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%。具體的，所述含有鉻的鎳合金為赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金。由於所述含有鉻的鎳合金能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，利用所述含有鉻的鎳合金形成的處理腔室的內壁、基座和/或氣體噴淋頭能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，延長了等離子處理裝置的壽命。

當所述半導體處理裝置的處理腔內壁和/或處理部件的主體的材料為不銹鋼、鋁及其他合適的材料，所述處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面需要形成有含有鉻的鎳合金層時，本發明的一實施例還相對應提供了一種半導體處理裝置的製作方法，包括：提供處理腔室和/或處理部件，處理腔室內壁和/或處理部件的材料為不銹鋼、 鋁及其他合適的材料，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基板進行相應處理，所述處理腔室還用於容納等離子體和所述處理部件；在所述處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面形成含有鉻的鎳合金層。

在所述處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面形成含有鉻的鎳合金層的工藝包括電鍍、噴塗、濺射或沉積工藝。

在本發明的實施例中，形成所述含有鉻的鎳合金層的工藝為電鍍工藝，以所述含有鉻的鎳合金為陽極，所述含有鉻的鎳合金具體為赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金，所述處理腔室內壁和/或處理部件為陰極，將所述陽極和陰極浸入含有穩定劑的硫酸鹽-氯化物的鍍液中，所述硫酸鹽中包含鉻、鎳等金屬元素，通過控制施加在陽極和陰極之間的電流量、鍍液的溫度和PH值，使得在處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面形成含有鉻的鎳合金層。

所述含有鉻的鎳合金層的厚度為10μm~500μm，且所述含有鉻的鎳合金層可以為單層含有鉻的鎳合金層也可以為多層堆疊的含有鉻的鎳合金層。當利用多次電鍍工藝在處理腔室內壁表面和/或處理部件表面形成多層堆疊的含有鉻的鎳合金層時，所述多層堆疊的含有鉻的鎳合金層中每一層的材料可以相同，也可以不同，通過調整不同層的鎳合金層的材料，可以提高處理腔室內壁表面和/或處理部件表面的抗腐蝕能力，也可以提高所述含有鉻的鎳合金層與處理腔室內壁表面、處理部件表面之間的粘附能力。

在所述處理腔室內壁表面和/或處理部件暴露於等離子體的部位的表面形成含有鉻的鎳合金層後，將所述處理腔室內壁表面和處理部件與半導體處理裝置的其他部件通過焊接或組裝在一起，形成半導體處理 裝置。

當所述半導體處理裝置的處理腔內壁和/或處理部件的主體的材料為含有鉻的鎳合金時，本發明的一實施例還相對應提供了一種半導體處理裝置的製作方法，包括：提供處理腔室和/或處理部件，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基板進行相應處理，所述處理腔室還用於容納等離子體和所述處理部件，所述處理腔室內壁和/或處理部件利用含有鉻的鎳合金鑄造或壓制成型而成。

在本發明的一實施例中，所述處理腔室內壁和處理部件採用壓制成型工藝形成，具體包括：利用水下數控等離子切割工藝將含有鉻的鎳合金進行切割，形成具有一定形狀的含有鉻的鎳合金板材，不但可以得到光滑的切割面，防止熱切割對材料的污染，影響材料的抗腐蝕性，而且切口熱影響區很小，除去所述切口熱影響區的費用較少；對所述板材在滾板機上壓制成特定的形狀，並進行固熔熱處理和酸洗，防止金屬和油對材料的污染，並進行組裝或焊接，形成處理腔室內壁和處理部件。

當利用含有鉻的鎳合金形成處理腔室內壁和處理部件後，將所述處理腔室內壁表面和處理部件與半導體處理裝置的其他部件通過焊接或組裝在一起，形成半導體處理裝置。在本實施例中，所述含有鉻的鎳合金為赫史特(Hastelloy)鎳合金或英高(Inconel)鎳合金。由於本發明的一實施例的處理腔室內壁和處理部件是由一整塊含鉻的鎳合金形成的，不會出現處理腔室內壁和處理部件表面的含鉻的鎳合金層剝落的問題，使用壽命較長。

綜上，本發明的實施例的半導體處理裝置，包括處理腔室，所述處理腔室用於通入源氣體，對放置於處理腔室內的基板進行相應處理，且所述處理腔室還用於容納等離子體，所述處理腔室內具有處理部件，至少所述處理腔室內壁和/或處理部件暴露於等離子體的部位的材料為含有 鉻的鎳合金，在所述含有鉻的鎳合金中，所述鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，所述鎳的重量百分比範圍為30%~68%。由於所述含有鉻的鎳合金形成的處理腔室的內壁、基座和/或氣體噴淋頭能有效的防止含有Cl、F等鹵族元素的等離子體的腐蝕，可以提高半導體處理裝置的使用壽命。

以上之敘述僅為本發明之較佳實施例說明，凡精於此項技藝者當可依據上述之說明而作其它種種之改良，惟這些改變仍屬於本發明之發明精神及以下所界定之專利範圍中。

110‧‧‧處理腔室

111‧‧‧內壁

115‧‧‧基座

120‧‧‧氣體噴淋頭

121‧‧‧射頻匹配器

122‧‧‧射頻供應源

Claims (15)

1. 一種半導體處理裝置，包括一處理腔室，該處理腔室用於通入源氣體，對放置於該處理腔室內的一基板進行相應處理，且該處理腔室還用於容納等離子體，該處理腔室內具有處理部件，其中至少該處理腔室內壁及/或該處理部件暴露於等離子體的部位的材料為含有鉻的鎳合金，在該含有鉻的鎳合金中，該鉻的重量百分比範圍為14.5%~23%，該鎳的重量百分比範圍為30%~68%。
2. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該含有鉻的鎳合金層為赫史特鎳合金或英高鎳合金。
3. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該處理腔內壁及/或該處理部件的主體的材料為不銹鋼或鋁，該處理腔室內壁表面及/或該處理部件暴露於等離子體的部位的表面具有含有鉻的鎳合金層。
4. 如請求項3所述的半導體處理裝置，其中該含有鉻的鎳合金層的厚度為10μm~500μm。
5. 如請求項3所述的半導體處理裝置，其中該含有鉻的鎳合金層為單層鎳合金層或多層堆疊的鎳合金層。
6. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該處理腔室內壁及/或該處理部件的材料為含有鉻的鎳合金。
7. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該半導體處理裝置為等離子體處理設備。
8. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該半導體處理裝置為MOCVD設備，該MOCVD設備具有等離子體產生裝置，利用 該等離子體產生裝置產生等離子體來清潔該MOCVD設備的處理腔。
9. 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中該處理部件為用於通入源氣體的氣體噴淋頭。
10. 一種如請求項3所述的半導體處理裝置的製作方法，包括：提供該處理腔室及/或該處理部件，在該處理腔室內壁表面及/或該處理部件暴露於等離子體的部位的表面形成含有鉻的鎳合金層。
11. 如請求項10所述的半導體處理裝置的製作方法，其中形成該含有鉻的鎳合金層的工藝係為電鍍、噴塗、濺射或沉積工藝。
12. 如請求項10所述的半導體處理裝置的製作方法，其中該含有鉻的鎳合金層為單層鎳合金層或多層堆疊的鎳合金層。
13. 如請求項10所述的半導體處理裝置的製作方法，其中該含有鉻的鎳合金為赫史特鎳合金或英高鎳合金。
14. 一種如請求項6所述的半導體處理裝置的製作方法，包括：提供該處理腔室及/或該處理部件，該處理腔室內壁及/或該處理部件利用含有鉻的鎳合金鑄造或壓制成型而成。
15. 如請求項14所述的半導體處理裝置的製作方法，其中該含有鉻的鎳合金為赫史特鎳合金或英高鎳合金。