JP6797816B2 - 成膜装置の洗浄方法 - Google Patents
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Description
− 電気めっきまたは無電解めっき法で付与されたNiまたはCr皮膜で被覆されている成膜空間壁にて囲まれた成膜空間を有する成膜装置を用意するステップと、
− 成膜空間中に導入されている少なくとも1つの基材上に1つの層を堆積するために、成膜空間中に導入される少なくとも1つの前駆体材料を用意するステップと、
− 少なくとも1回の成膜処理を行って、少なくとも1つの基材上に1つの層を付与するステップと、
− 選択的ウェットエッチング処理によって前記成膜処理後の成膜空間壁を洗浄するステップであって、成膜処理の間に成膜空間壁上に形成される成膜残渣の除去用の液体エッチング剤にて成膜空間壁を処理するステップと、
を含み、
成膜空間壁に影響を与えずに成膜残渣が除去されるように、成膜空間壁の皮膜の組成が、成膜処理の間に成膜空間壁上に付着する成膜残渣、および選択的ウェットエッチング処理の間に使用される液体エッチング剤の組成に適応しており、NiまたはCr皮膜の表面が、少なくとも1.5μm、好ましくは少なくとも2.5μm、より好ましくは少なくとも3.2μmの表面粗さ(Ra)となるように処理されており、その表面粗さとするための表面の処理が、HVOF溶射処理(高速酸素燃料溶射)またはHP−HVOF溶射処理(高圧高速酸素燃料溶射)である、方法を提供する。
Claims (14)
- CVD、PECVD、ALD、PVDおよび蒸着の1つを使用して少なくとも1つの層を付与するために基材が処理される、成膜装置の成膜空間部材から成膜残渣を容易に除去するための方法であって、
− 電気めっきまたは無電解めっき法で付与されたNiまたはCr皮膜で被覆されている成膜空間壁にて囲まれた成膜空間を有する成膜装置を用意するステップと、
− 成膜空間中に導入されている少なくとも1つの基材上に1つの層を堆積するために、成膜空間中に導入される少なくとも1つの前駆体材料を用意するステップと、
− 少なくとも1回の成膜処理を行って、少なくとも1つの基材上に1つの層を付与するステップと、
− 選択的ウェットエッチング処理によって前記成膜処理後の成膜空間壁を洗浄するステップであって、成膜処理の間に成膜空間壁上に形成される成膜残渣の除去用の液体エッチング剤にて成膜空間壁を処理するステップと、
を含み、
成膜空間壁に影響を与えずに成膜残渣が除去されるように、成膜空間壁の皮膜の組成が、成膜処理の間に成膜空間壁上に付着する成膜残渣、および選択的ウェットエッチング処理の間に使用される液体エッチング剤の組成に適応しており、NiまたはCr皮膜の表面が、少なくとも1.5μmの表面粗さ(Ra)となるように処理されており、その表面粗さとするための表面の処理が、高速酸素燃料溶射を意味するHVOF溶射処理、または高圧高速酸素燃料溶射を意味するHP−HVOF溶射処理である、方法。 - 成膜処理は、ALDである、
請求項1に記載の方法。 - 成膜空間壁は、アルミニウムで製造されている、
請求項1または2に記載の方法。 - 成膜壁は、チタンで製造されている、
請求項1または2に記載の方法。 - 前駆体材料は、Alを含み、
成膜空間壁から除去される成膜残渣は、Al2O3を含み、
液体エッチング剤は、KOH、NaOH、またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAOH)の水溶液を含む、
請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 液体エッチング剤中のKOH、NaOH、またはTMAOHの濃度は、20〜600g/lの範囲内である、
請求項5に記載の方法。 - 液体エッチング剤中のKOH、NaOH、またはTMAOHの濃度は、40〜400g/lの範囲内である、
請求項6に記載の方法。 - 液体エッチング剤中のKOH、NaOH、またはTMAOHの濃度は、250g/lである、
請求項7に記載の方法。 - 選択的ウェットエッチング処理の間、液体エッチング剤の温度は、15℃〜90℃の範囲である、
請求項5から請求項8のいずれかに記載の方法。 - 液体エッチング剤の温度は、20℃〜80℃の範囲である、
請求項9に記載の方法。 - 液体エッチング剤の温度は、60℃である、
請求項10に記載の方法。 - HVOF溶射処理またはHP−HVOF溶射処理は、炭化クロム(Cr3C2)、炭化タングステン(化学式:WC)、およびコバルト(Co)の少なくとも1つを含む粉末を用いて行う、
請求項1に記載の方法。 - 前記Niまたは前記Cr皮膜の表面が、少なくとも2.5μmの表面粗さ(Ra)となるように処理される、
請求項1に記載の方法。 - 前記Niまたは前記Cr皮膜の表面が、少なくとも3.2μmの表面粗さ(Ra)となるように処理される、
請求項1に記載の方法。
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