KR102590817B1 - 적층 장치를 세정하는 방법 - Google Patents

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에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.
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Abstract

CVD, PECVD, ALD, PVD 및 증발 중 하나를 이용하여 적어도 한 개의 층을 적용하도록 기판들을 처리하는 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법. 적층 공간 벽들로 구속되는 적층 공간을 가지는 적층 장치 내 적어도 하나의 적층 처리가 적층 공간 내의 기판 상에 층에 적용되기 위해 수행된다. 상기 적층 공간 벽들은 코팅이 제공된다. 상기 적층 공간 벽들은 선택적인 습식-에칭 처리로 세정된다. 상기 적층 공간 벽 코팅의 조성은 상기 적층 처리 중 적층 공간 벽 상에 적층되는 상기 적층 잔여물 및 상기 선택적인 습식 에칭 처리 중 상기 액체 에칭제의 조성에 맞게 조정되어, 상기 적층 잔여물은 적층 공간 벽에 영향을 미치지 않고 제거되는 것이다.

Description

적층 장치를 세정하는 방법
본 발명은 층 적층의 분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적층 장치 내의 적층 공간 부품들(components)로부터 적층 잔여물(residues)을 제거하는 분야에 관한 것이다.
CVD(화학적 기상 적층). PECVD(플라즈마 화학적 기상 적층), ALD(원자 층 적층), PVD(물리적 기상 적층) 및 증발(D. opdampen)을 이용한 적층 장치 내 기판 상에 층의 적층은 종래의 기술로서 알려져 있다. 적층 장치를 이용하여 적층 처리가 수행되는 동안, 전구체 물질(precursor material)은 하나 또는 그 이상의 기판이 존재하는 적층 공간 내로 도입된다. 처리가 수행되는 동안 상기 전구체 물질의 적어도 부분(at least part of the precursor material)은 기판 상에 적층되고, 그 위에 하나 또는 몇몇의 층들을 형성한다. 전구체 물질의 또 다른 부분은 적층 공간 부품들 상에 적층되고, 적층 공간 벽들과 같은 곳 위에 적층 잔여물을 형성한다. 상기 적층 잔여물은 상기 기판들 상에 적층되는 층들의 품질에 부정적인 효과를 가져올 수 있고, 상기 적층 장치의 작동을 손상시킬 수 있다. 이러한 관점에서, 적층 잔여물은 복수의 적층 처리가 수행된 후 적층 공간 벽들로부터 제거되어야만 한다.
출원인에 의해 테스트된 첫번째 방법은, 적층 잔여물을 제거하기 위해 양극화 된(anodized) 알루미늄 적층 공간 벽들로부터 예를 들어, 붉은 돌(red stone) 또는 다른 폴리싱 도구들을 이용하여, 상기 적층 잔여물을 제거하는 것이다. 출원인에 의해 테스트된 두 번째 방법은 습식 에칭 처리 후에 상기 처리된 알루미늄 벽들의 재-양극화 단계(re-anodization step)를 수행하는 것이다.
상술한 두 방법들의 단점은 선택적이지 않다는 것이다. 그 결과로서, 적층 잔여물이 제거될 뿐 아니라, 하부에 놓인 적층 공간 벽들 또한 부정적인 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 상기 적층 공간 벽들 상의 양극화된 층은 상기 에칭 처리 또는 폴리싱 처리에 의해 제거될 수 있다. 또한, 폴리싱을 하는 동안, 세정될 필요 없는 인접한 적층 공간 벽들- 왜냐하면 적층 잔여물이 이 인접한 적층 공간 벽들에 없기 때문에- 은 손상될 수 있다. 예를 들어 EP- 2502265 A2에 기재된, 출원인의 Levitrack™에서, 상기 적층 공간의 측벽들은 폴리싱 과정에서 손상될 수 있다. 그러한 손상들은 측벽들을 거칠게 만들고, 이는 트랙과 같은 적층 공간에서 이송된, 몇몇의 웨이퍼들이 측벽에 충돌하여 정지하는 것을 발생시킬 수 있다. 결과로서, 상기 적층 장치들의 생산은 방해받고, 상기 적층 공간 챔버는 열려야(opened) 하며, 상기 충돌된 웨이퍼는 제거되어야 하고, 상기 생산은 다시 시작되어야만 한다. 이것은 커다란 단점이자 생산 능력에 있어서의 중대한 손실이다.
상기 두 번째 방법의 단점은 상기 처리된 알루미늄 벽들의 필수적인 재-양극화 단계(re-anodization step)의 비용이다.
US 2006/0105182 A1은 반도체 웨이퍼들과 디스플레이들과 같은 기판 처리 과정에서의 처리 챔버를 개시한다. 상기 벽들과 같은 상기 처리 챔버의 구성요소들은 상기 부품을 세정하는데 사용될 수 있는 세정 용액으로부터의 부식에, 내구성 있는 물질을 포함하는 금속 코팅으로 코팅될 수 있다. 금속의 물질이 될 수 있는 아래에 놓인 구조에 사용될 수 있는 물질들의 예로서, 예를 들어 타이타늄, 스테인리스 스틸, 구리, 탄탈륨 및 알루미늄 등이 있다. 코팅 물질로서 언급된 예들은 스테인리스 스틸, 구리, 니켈, 탄탈륨 및 타이타늄이다. 상기 코팅의 표면은 상기 금속 코팅 표면의 원하는 질감(texture)- 예를 들어 원하는 거칠기와 같은-을 제공하기 위해서 전자 빔(electron beam)으로 처리될 수 있다.
본 발명은 적층 공간 벽과 같은, 상기 적층 공간 부품들에 대한 손상을 실질적으로 방지하는 동시에 적층 잔여물을 제거하기 위한 비용 효율적인 방법을 제공하기 위함이다.
이를 위해, 본 발명은, CVD, PECVD, ALD, PVD 및 증발 중 하나를 이용하여 적어도 한 개의 층을 적용하기 위해 기판들이 처리되는 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하기 위한 방법을 제공하며, 상기 방법은 다음을 포함한다:
-전기 도금 또는 무전해 도금 처리가 적용된 Ni- 또는 Cr-코팅이 코팅된 적층 공간 벽들에 의해 한정되는(bounded) 적층 공간을 가지는 적층 장치를 제공하는 단계;
-상기 적층 공간에 도입되어 있는 적어도 하나의 기판 상에 층을 적층하기 위해 상기 적층 공간에 도입되는 적어도 하나의 전구체 물질을 제공하는 단계;
-상기 적어도 하나의 기판 상에 층을 적층하기 위해 적어도 하나의 적층 처리를 수행하는 단계;
-상기 적층 처리 동안에 적층 공간 벽들 상에 형성된 적층 잔여물을 제거하기 위해서, 상기 적층 공간 벽이 액체(liquid) 에칭제(etching agent)로 처리되는, 선택적인 습식-에칭 처리로 상기 적층 처리 후의 상기 적층 공간 벽들을 세정하는 단계;
상기 적층 공간 벽 코팅의 조성은 상기 적층 처리 중 적층 공간 벽 상에 적층되는 상기 적층 잔여물 및 상기 선택적인 습식 에칭 처리 중 상기 액체 에칭제의 조성에 맞게 조정되어, 상기 적층 잔여물은 적층 공간 벽에 영향을 미치지 않고 제거되고, 상기 Ni- 또는 Cr-코팅의 상기 표면은 적어도 1.5 μm, 바람직하게는(preferably) 적어도 2.5 μm, 더욱(more) 바람직하게는 적어도 3.2 μm 의 표면 거칠기(Ra)를 제공하도록 처리되고, 상기 표면 거칠기를 제공하기 위한 상기 표면의 처리는 HVOF-코팅 처리(고속 산소 연료 코팅, high velocity oxygen fuel coating) 또는 HP-HVOF-코팅 처리(고압 고속 산소 연료 코팅, high pressure high velocity oxygen fuel coating) 되는 것.
상기 방법은 선택적인 습식-에칭 처리로 상기 적층 공간 벽들을 세정할 때, 상기 적층 공간 벽들이 영향 받지 않도록 하는 이점이 있다. 상기 선택적인 습식-에칭 처리는 연속적인 재-양극화 단계가 뒤따라야 할 필요가 없고, 그 결과로서 상기 세정 처리는 비용-효율적인 방식이 될 수 있다.
더욱이, 상기 적층 공간 벽들의 손상의 기회는 최소화되고, 이는 위에서 설명된 폴리싱을 이용하는 세정 방법과 대조된다.
결과로서, 상기 적층 공간 벽들의 수명이 종래의 기술에 비해 증가되고, 동시에, 이전에 사용된 세정 방법들 보다 더 빠르고 더 비용 효율적인 세정 방법이 확보된다.
상기 액체 에칭제는 각각의 적층 잔여물을 제거하는데 효과적이도록 선택된다. 그 뒤에, 코팅층은 사용된 액체 에칭제에 둔감한 것으로 선택된다. 그 결과로, 상기 적층 공간 벽들에 영향을 주지 않고, 적층 잔여물을 제거할 수 있다.
본 발명에 따르는 방법은 또한, (기계적인) 폴리싱을 할 필요가 없게 하는데, 예를 들어 붉은 돌(red stone)을 사용하여, 상기 적층 공간 벽의 손상을 방지한다.
상기 방법은 다양한 적층 장치들에서 사용될 수 있다. 액체 에칭제 타입의 선택은 제거될 적층 잔여물의 타입에 따라 조정(tuned)되어야 하고, 이로써 효과적인 제거가 가능하다. 코팅 타입의 선택은 습식-에칭 처리에 사용된 액체 에칭제의 조성에 따라 준비되어야 한다. 게다가, 코팅 조성은 적층 공간 벽에 사용되는 물질에 따라 변화할 수 있고, 그것들에 따라서 선택되어야 한다.
선택적인 습식-에칭 처리는, 예를 들어, 습식 에칭 세정용 유체 내에 적층 공간 벽들을 잠기게(submerging) 하는 단계를 포함할 수 있다. 대안적으로, 선택적인 습식-에칭 처리는 상기 액체 에칭제로 습윤된(moistened) 습윤 천(moist cloth)을 이용하여 상기 적층 공간 벽들을 수동으로(manually) 세정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 Ni- 또는 Cr-코팅의 상기 표면은 적어도 1.5 μm, 바람직하게는 적어도 2.5 μm, 더욱 바람직하게는 적어도 3.2 μm 의 표면 거칠기(Ra)를 제공하도록 처리된다. 상기 표면 거칠기를 제공하기 위한 상기 표면의 처리는 HVOF-코팅(high velocity oxygen fuel coating) 처리 또는 HP-HVOF-코팅(high pressure high velocity oxygen fuel coating) 처리되는 것이다.
그러한 HVOF 또는 HP-HVOF 코팅 처리는, 예를 들어 청구된 범위 내의 고유의 표면 거칠기와 증가된 강도(hardness)와 같은 매우 좋은 특성의 추가적인 코팅을 적용한다.
전기 도금(electro-plating) 또는 무전해(electroless) 도금이 적용된 미처리된 Ni- 또는 Cr-코팅(untreated Ni- or Cr-coating)은, 매우 매끄러운 표면을 갖는다. 결과적으로, 예를 들어 Al2O3와 같은, 적층 잔여물은 그러한 매끄러운 표면에 매우 잘 달라붙지 않을 수 있다. 그 결과, 처리된 많은 수의 기판 이후에, 온도가 변동할 때 상기 적층 잔여물은 적층 공간 벽으로부터 떨어질 수 있다. 이것은 방지되어야 한다. 결과적으로, 선택적인 에칭 처리가 수행되어야 하기 전에 처리될 수 있는 상기 기판의 수는 특정한 제한 내로 유지되어야 한다. 그러나, 상기 Ni- 또는 Cr-코팅에 상기 표면 처리를 제공함으로써, 처리될 수 있는 기판의 수의 상한은 상기 표면 거칠기를 제공하기 위해 처리되지 않은 Ni- 또는 Cr-코팅에 비해 계수 3 또는 4로 증가되도록 처리될 수 있다. 이것은, 물론, 적층 장치의 생산 능력에 있어서 매우 유리한 것이고, 왜냐하면 세정 작업의 수가 적어지고, 결과적으로, 상기 적층 장치의 정지(standstill)가 급격히 감소되기 때문이다.
일 실시예에서, 적층 처리는 ALD 일 수 있고, 예를 들어, 출원인에 의해 판매되는 a Levitrack™ 에서 수행될 수도 있다.
일 실시예에서, 상기 적층 공간 벽들은 알루미늄으로 제조된다.
알루미늄은 적층 장치의 적층 공간 벽을 제조하기에 상대적으로 비용 효율적인 물질이다. 알루미늄은 비용 효율적인 방법으로 기계 가공할 수 있다. 게다가, 알루미늄은 광이 상기 적층 장치의 운송 및 배치에 유리하다.
대안적인 일 실시예로서, 타이타늄 또한 적층 공간 벽을 위한 실현가능한 물질일 수 있다.
일 실시예에서, 전구체 물질은 Al을 포함하고, 적층 공간 벽으로부터 제거되는 상기 적층 잔여물은 Al2O3를 포함하고, 상기 액체 에칭제는 KOH, NaOH 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAOH)의 수용액(solution in water)을 포함한다.
ALD-장치의 적층 공간 벽들로부터 AL2O3 의 적층 잔여물을 제거하기 위해, KOH, NaOH 또는 TMAOH의 수용액을 포함하는 액체 에칭제를 이용한 선택적인 습식-에칭 처리는, 매우 효과적이다. Ni- 또는 Cr-코팅은 상기 선택적인 습식-에칭 처리 과정에서 KOH, NaOH 또는 TMAOH에 의해 받는 데미지로부터 상기 적층 공간 벽들을 보호한다. 실제로, Ni- 또는 Cr-코팅은 에치 스탑(etch stop)으로서의 역할을 한다.
일 실시예에서, 액체 에칭제 내의 KOH, NaOH 또는 TMAOH의 농도는 20 내지 600 gram/liter 의 범위 내일 수 있고, 바람직하게는 40 내지 400 gram/liter의 범위일 수 있다. 심지어 더욱 바람직한 일 실시예에서는, 상기 액체 에칭제 내의 KOH, NaOH 또는 TMAOH의 농도는 대략적으로 250 gram/liter 일 수 있다.
일반적으로 넓은 범위의 농도를 가지는 KOH, NaOH 및 TMAOH 용액들은 습식-에칭 처리에 사용될 수 있다. 이러한 실시예에서 제공되는 상기 범위는 습식 에칭 처리에서 효과적이라고 입증된 범위이다. 일반적으로, 습식-에칭 처리에 필요로 되는 시간은 농도에 의존하고, 높은 농도일수록 짧은 처리 시간을 갖는다. 따라서, 더 낮은 농도는 더 얇은 적층 잔류물에 가장 유용하고, 반면에, 더 높은 농도는 상대적으로 두꺼운 적층 잔류물에 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 액체 에칭제의 온도는 15 ℃ 내지 90 ℃의 범위 내일 수 있고, 바람직하게는 20 ℃ 내지 80 ℃ 범위 내일 수 있다. 더욱 바람직한 실시예에서, 상기 선택적인 습식 에칭 처리 동안의 상기 액체 에칭제의 온도는 대략적으로 60 ℃ 일 수 있다.
습식-에칭 처리는 다양한 온도에서 수행될 수 있음에도 불구하고, 20 ℃ 내지 80 ℃의 범위는 KOH, NaOH 또는 TMAOH의 용액을 사용하여 습식-에칭 처리를 수행하는데 가장 선호됨이 입증되었다. 일반적으로, 온도가 높아질수록 더 짧은 처리 시간을 제공한다. 더 낮은 온도는 적층 잔여물의 얇은 층을 제거하는데 가장 잘 사용된다.
예를 들어, 250 gram/liter의 농도와 함께 65 ℃ 의 온도에서는, 알루미늄으로 형성된 적층 공간 벽들로부터 Al2O3 필름을 제거하는데 매우 효과적임이 입증되었다.
무전해 도금은 Ni- 또는 Cr-코팅이 모든 곳에서, 심지어 매우 작은 구멍에서조차, 형성되는 이점이 있다. 예를 들어, 서브 밀리미터 범위의 지름을 가지는 Levitrack™ 과 같은 ALD-트랙의 가스 분사구는 내부적으로 전해 도금 처리로 코팅될 것이다,
Ni- 또는 Cr-코팅의 두께는 5 내지 40 μm의 범위로, 바람직하게는 대략 10 내지 30 μm, 더욱 바람직하게는 대략 15 μm로 될 수 있다.
일 실시예에서, HVOF 코팅 처리 또는 HP-HVOF 코팅 처리는 크로뮴 카바이드(Cr3C2), 텅스텐 카바이드(화학식: WC), 및 코발트(Co) 중 적어도 하나를 포함하는 분말로 수행된다.
이 HVOF 코팅 타입은 매우 단단하며, Ni-코팅의 매우 우수한 보호를 제공하며, 추가적으로 원하는 표면 거칠기를 제공한다. 코팅 파우더의 일 예로서 Woka 7502 of Oerlikon Metco가 있다.
본 발명은 또한 CVD, PECVD, ALD, PVD 및 증발(evaporation) 중 하나를 이용하여 적어도 한 개의 층에 적용하도록 기판들을 처리하는 적층 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 상기 적층 장치는 적층 공간을 한정하는(bound a deposition space) 적층 공간 벽들을 포함하고, 상기 적층 공간 벽들은 전기 도금 또는 무전해 도금 처리가 적용되는 Ni- 또는 Cr-코팅을 포함하고, 상기 코팅 표면은 HVOF 또는 HP-HVOF 코팅 처리로 처리되고 표면 거칠기(Ra)는 적어도 1.5 μm, 바람직하게는 적어도 2.5 μm, 더욱 바람직하게는 적어도 3.2 μm 이고, HVOF 또는 HP-HVOF-코팅 처리가 적용되는 상기 코팅은 적어도 하나의 크로뮴 카바이드(Cr3C2), 텅스텐 카바이드(화학식: WC), 및 코발트(Co) 중 적어도 하나를 포함한다.
그러한 적층 장치의 상기 적층 공간 벽들은 본 발명에 따르는 방법을 이용하여 매우 쉽게 세정될 수 있고, 그러므로 선택적인 습식 에칭의 방식에 의해 상기 적층 공간 벽들을 세정하는 모든 이점을 제공한다.
상기 실시예들은 각각으로부터 결합되거나 또는 분리되어 적용될 수 있다.
도 1은 선택적인 습식 에칭 처리 전에 Ni-코팅된 알루미늄 적층 공간 벽의 일 예를 나타낸다.
도 2는 선택적인 습식 에칭 처리가 수행된 후의 도 1의 적층 공간 벽을 나타낸다.
본 출원에서 유사하거나 대응하는 특징들은 대응하는 참조 기호들과 유사하도록 표현된다. 다양한 실시예들의 설명은 도면에 도시된 예에 한정되지 않으며, 상세한 설명 및 청구항에서 사용된 참조 번호들은 실시 예에 대한 설명을 제한하려는 의도가 아니다. 상기 참조 번호들은 도면들에 도시된 예들을 참조하여 상기 실시예들을 설명하기 위하여 포함되었다.
테스트에서 Ni-코팅된 알루미늄 적층 공간 벽들은 Levitrack™ 시스템 내에 설치되었다. Ni-코팅의 두께는 20 μm 였다. 9700 웨이퍼들이 처리되었고, 결과로서 도 1에 나타나는 것과 같이 Ni 도금 처리 판 상에 일부의 Al2O3 적층되었다. 적층 공간 벽 1 내의 전구체 가스 주입 개구들에 인접한 적층 잔류물2는 명확히 눈으로 볼 수 있다. 이어서, 적층 공간 벽들은 10 % NaOH 수용액(포화된 농도의 1/10로 희석된 포화된 용액)의 용기(container) 내 벽들을 배치함에 의해 선택적으로 습식 에칭 처리의 대상이 되었다. 적층 공간 벽들은 NaOH 용액 내 약 10분 동안 남겨졌다. 약 2분 후 대부분의 Al2O3 적층 잔여물은 이미 대부분 용해되었다. 도 2 결과를 보자. 명백하게 눈으로 확인되는 것은 적층 잔여물2이 적층 공간 벽1 으로부터 적층 공간 벽 표면에 악영향을 미치는 것 없이 제거되었다는 것이다. 본 발명에 따른 상기 방법의 이점은 참조가 수행된 요약에서 설명될 것이다.
또다른 테스트 동안 Ni-코팅된 알루미늄 부품이 물 속의 10% NaOH 용액에 노출되었다. 53.5 시간 후에, 199.8 그램의 부품은 어떠한 부식의 신호도 보이지 않았고, 어떠한 질량의 감소도 측정되지 않았다(0.1 그램의 측정 정확도 내에서). 같은 욕조(bath)에서, 동일한 치수를 가지는 비코팅된 알루미늄 부품은 겨우 10분 동안 0.076의 질량 감소가 발생하였다. 명백한 것은 Ni-코팅은 매우 효과적인 방식으로 에치 스탑(etch stop) 기능을 한다는 것이다.
다양한 실시예들은 조합하여 적용될 수 있거나 또는 서로 독립적으로 적용될 수 있다. 상기 상세한 설명에서 사용 된 참조 번호는 실시 예에 대한 설명을 도면 내 도시된 예들로 제한하려는 것이 아니다. 수치는 단지 예들을 나타내며 상기 실시 예들은 도면의 예들에 도시된 특정한 방법과 다른 방법으로 구현될 수 있다.

Claims (13)

  1. CVD, PECVD, ALD, PVD 및 증발 중 하나를 이용하여 적어도 한 개의 층을 적층하도록 기판들을 처리하는 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법으로서,
    상기 방법은,
    -전기 도금 또는 무전해 도금 처리가 적용된 Ni- 또는 Cr-코팅이 코팅된 적층 공간 벽들에 의해 한정되는 적층 공간을 가지는 적층 장치를 제공하는 단계;
    -상기 적층 공간 내에 도입된 적어도 하나의 기판 상에 층을 적층하기 위하여 상기 적층 공간 내에 도입되는, 적어도 하나의 전구체 물질을 제공하는 단계;
    -상기 적어도 하나의 기판 상에 층을 적층하기 위해, 적어도 하나의 적층 처리를 수행하는 단계; 및
    -상기 적층 처리 동안에 적층 공간 벽들 상에 형성된 적층 잔여물을 제거하기 위해서, 상기 적층 공간 벽이 액체 에칭제로 처리되는, 선택적인 습식-에칭 처리로 상기 적층 처리 후의 상기 적층 공간 벽들을 세정하는 단계;를 포함하고,
    상기 적층 공간 벽 코팅의 조성은 상기 적층 처리 중 적층 공간 벽 상에 적층되는 적층 잔여물 및 상기 선택적인 습식 에칭 처리 중 사용되는 액체 에칭제의 조성에 맞게 조정되어, 상기 적층 잔여물은 적층 공간 벽에 영향을 미치지 않고 제거되고, 상기 Ni- 또는 Cr-코팅의 표면은 적어도 1.5 μm의 표면 거칠기(Ra)를 제공하도록 처리되고, 상기 표면 거칠기를 제공하기 위한 표면의 처리는 HVOF-코팅 처리(고속 산소 연료 코팅, high velocity oxygen fuel coating) 또는 HP-HVOF-코팅 처리(고압 고속 산소 연료 코팅, high pressure high velocity oxygen fuel coating)인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적층 처리는 ALD 인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적층 공간 벽들은 알루미늄으로 형성되는 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적층 공간 벽들은 타이타늄으로 제조되는 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전구체 물질은 Al을 포함하고, 상기 적층 잔여물은 Al2O3를 포함하는 적층 공간 벽들로부터 제거되고, 상기 액체 에칭제는 KOH, NaOH, 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAOH)의 수용액을 포함하는 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 액체 에칭제 내의 KOH, NaOH 또는 TMAOH의 농도는 20 내지 600 gram/liter의 범위 내인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 액체 에칭제 내의 KOH, NaOH 또는 TMAOH의 농도는 40 내지 400 gram/liter의 범위 내인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액체 에칭제 내의 KOH, NaOH 또는 TMAOH의 농도는 250 gram/liter의 범위 내인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 선택적인 습식 에칭 처리 동안, 상기 액체 에칭제의 온도는 15 ℃ 내지 90 ℃ 의 범위 내인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 액체 에칭제의 온도는 20 ℃ 내지 80 ℃ 의 범위 내인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 액체 에칭제의 온도는 60 ℃ 인 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 HVOF-코팅 처리 또는 HP-HVOF-코팅 처리는 크로뮴 카바이드(Cr3C2), 텅스텐 카바이드(화학식: WC), 및 코발트(Co) 중 적어도 하나를 포함하는 분말(powder)로 수행되는 것인, 적층 장치의 적층 공간 부품들로부터 적층 잔여물을 쉽게 제거하는 방법.
  13. CVD, PECVD, ALD, PVD 및 증발 중 하나를 이용하여 적어도 한 개의 층을 적층하도록 기판들을 처리하는 적층 장치로서,
    상기 적층 장치는 적층 공간을 한정하는(bound a deposition space) 적층 공간 벽들을 포함하고, 상기 적층 공간 벽들은 전기 도금 또는 무전해 도금 처리가 적용된 Ni- 또는 Cr-코팅을 포함하고, 상기 코팅 표면은 HVOF 또는 HP-HVOF 코팅 처리로 처리되고, 표면 거칠기(Ra)는 적어도 1.5 μm이고, HVOF 또는 HP-HVOF-코팅 처리가 적용된 상기 코팅은 크로뮴 카바이드(Cr3C2), 텅스텐 카바이드(화학식: WC), 및 코발트(Co) 중 적어도 하나를 포함하는, 적층 장치.
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