KR20140033436A - 정전기 척 aln 유전체 수리 - Google Patents

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Abstract

본원 발명은 일반적으로 개장된 정전기 척 및 사용된 정전기 척을 개장하는 방법에 관한 것이다. 먼저, 미리 결정된 양의 유전체 재료를 사용된 정전기 척으로부터 제거하여 베이스 표면을 남긴다. 이어서, 베이스 표면을 조질화 처리하여 베이스 표면에 대한 새로운 유전체 재료의 접착을 강화시킨다. 이어서, 새로운 유전체 재료를 조질화 처리된 표면 상으로 분무한다. 이어서, 프로세싱 중에 기판이 상부에 안착되는 메사들의 형성을 돕기 위해서 마스크를 새로운 유전체 재료 위에 배치한다. 이어서, 새로운 매사들을 형성하기 위해서 새로운 유전체 층의 일부를 제거한다. 마스크의 제거 후에, 메사들의 엣지들을 매끄럽게 가공할 수 있고 그리고 개장된 정전기 척은 세정 후에 서비스로 복귀될 준비가 된다.

Description

정전기 척 ALN 유전체 수리{ELECTROSTATIC CHUCK ALN DIELECTRIC REPAIR}
본원 발명의 실시예들은 일반적으로 개장된(refurbished) 정전기 척 및 정전기 척을 개장하기 위한 방법에 관한 것이다.
정전기 척들은 반도체 소자들의 제조에서 유용하다. 정전기 척은, 기판을 척에 정전기적으로 클램핑함으로써 기판이 프로세싱 중에 정전기 척 상에서 고정 위치로 유지될 수 있게 한다.
정전기 척은 전형적으로 유전체 재료 내에 매립된(embedded) 전극을 가진다. 정전기 척의 최정상부(topmost) 표면은 복수의 메사들(mesas)을 가지고, 메사들 상에는 프로세싱 중에 기판이 안착될 것이다. 시간이 경과함에 따라, 메사들이 마모되고 그리고 정전기 척이 효과적이지 않게 될 것이다. 추가적으로, 정전기 척의 전기적 성질들이 유전체 재료 내의 균열에 의해서 손상될 수 있거나 또는 유전체 재료가 화학적 공격 또는 플라즈마 공격에 의해서 손상되어 유전체 재료의 파괴를 초래할 수 있다.
메사들이 마모될 때, 균열이 유전체 재료 내에 형성되거나 유전체 재료가 파괴되고, 정전기 척은 더 이상 유용하지 않게 되고 그리고 전형적으로 폐기된다. 새로운 정전기 척을 구매하는 비용을 피하기 위해서 정전기 척을 개장하는 것이 유리할 것이다.
본원 발명은 일반적으로 개장된 정전기 척 및 사용된 정전기 척을 개장하는 방법에 관한 것이다. 먼저, 미리 결정된 양의 유전체 재료를 사용된 정전기 척으로부터 제거하여 베이스 표면을 남긴다. 이어서, 베이스 표면을 조질화 처리(roughen)하여 베이스 표면에 대한 새로운 유전체 재료의 접착(adherence)을 강화시킨다. 이어서, 새로운 유전체 재료를 조질화 처리된 표면 상으로 분무한다. 이어서, 프로세싱 중에 기판이 상부에 안착되는 메사들의 형성을 돕기 위해서 마스크를 새로운 유전체 재료 위에 배치한다. 이어서, 새로운 매사들을 형성하기 위해서 새로운 유전체 층의 일부를 제거한다. 마스크의 제거 후에, 메사들의 엣지들을 매끄럽게 가공할(smooth) 수 있고 그리고 개장된 정전기 척은 세정 후에 서비스로 복귀될 준비가 된다.
하나의 실시예에서, 정전기 척을 개장하기 위한 방법은, 정전기 척의 상부 표면 아래의 전극의 깊이를 측정하는 단계, 측정된 깊이에 응답하여 제거하고자 하는 정전기 척 부분의 두께를 결정하는 단계, 그리고 베이스 표면을 노출시키기 위해서 정전기 척의 부분을 제거하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 베이스 표면을 조질화 처리하는 단계, 베이스 표면 상에 분무된 재료의 유전체 층을 형성하기 위해서 조질화 처리된 베이스 표면 상으로 유전체 재료를 플라즈마 분무하는 단계, 및 분무된 재료의 유전체 층을 압축하는 단계를 포함한다. 방법은, 부가적으로, 새로운 상부 표면을 구축(establish)하기 위해서 분무된 재료의 압축된 유전체 층으로부터 재료를 선택적으로 제거하는 단계, 및 새로운 상부 표면을 폴리싱하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 정전기 척을 개장하기 위한 방법이 개시된다. 방법은 정전기 척의 정상부 표면 아래의 전극의 깊이를 측정하는 단계, 측정된 깊이에 응답하여 제거하고자 하는 정전기 척 본체의 부분의 두께를 결정하는 단계, 그리고 베이스 표면을 노출시키기 위해서 정전기 척 본체의 부분을 제거하는 단계, 베이스 표면을 조질화 처리하는 단계, 및 베이스 표면 상에 유전체 층을 형성하기 위해서 조질화 처리된 베이스 표면 상으로 유전체 재료를 배치하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 개장된 정전기 척은, 하나 또는 둘 이상의 전극들 그리고 전극들 위에 배치된 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들을 포함하는 척 본체, 및 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들 위에 배치된 제 2 유전체 층을 포함한다. 제 2 유전체 층이 정상부 표면을 가지고, 정상부 표면은 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들로부터 멀어지는 방향으로 정상부 표면으로부터 연장하는 복수의 메사들을 가진다. 제 2 유전체 층 및 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들은 별개의(distinct) 층들이다.
다른 실시예에서, 개장된 정전기 척은 복수-층 정전기 척 본체를 포함하고, 복수-층 정전기 척 본체의 제 1 층은 제 1 층 상에 매립된 하나 또는 둘 이상의 전극들을 가지고, 복수-층 정전기 척 본체의 제 2 층은 소결된 유전체 층 및 접착제(adhesive)를 사용하여 제 1 층에 본딩된(bonded) 유전체 층으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 제 2 층은 제 1 층으로부터 멀어지는 방향으로 정상부 표면으로부터 연장하는 복수의 메사들을 가지는 정상부 표면을 가지고, 그리고 제 2 층 및 제 1 층들은 별개의 층들이다.
본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1a는 개장 이전의 사용된 정전기 척의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 사용된 정전기 척의 횡단면도이다.
도 2-7은 하나의 실시예에 따른 개장의 여러 스테이지들에서의 도 1a 및 1b의 정전기 척의 횡단면도들이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 개장의 여러 스테이지들에서의 도 1a 및 1b의 정전기 척의 횡단면도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 나타내기 위해서 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 특별한 언급 없이, 일 실시예에 개시된 요소들이 다른 실시예들에서 유리하게 사용될 수 있다는 것이 고려된다.
본원 발명은 일반적으로 개장된 정전기 척 및 사용된 정전기 척을 개장하는 방법에 관한 것이다. 여기에서 논의되는 실시예들에 따라 개장될 수 있는 적합한 정전기 척들에는 미국 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한 Johnson-Rahbeck 정전기 척들이 포함된다. 여기에서 논의되는 실시예들이, 다른 제조자들로부터 입수 가능한 정전기 척들을 포함하여, 다른 타입들의 정전기 척들에도 동일하게 적용 가능하다는 것이 이해될 수 있다.
도 1a는 개장 전의 사용된 Johnson-Rahbeck 타입 정전기 척(100)의 개략적인 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 사용된 정전기 척(100)의 횡단면도이다. 정전기 척(100)은 정상부 표면(112) 및 바닥 표면(114)을 포함하는 척 본체(108)를 가진다. 정상부 표면(112)은 정전기 척(100)의 척 본체(108)로부터 연장하는 복수의 메사들(102)을 포함한다. 척 본체(108)는 하나 또는 둘 이상의 유전체 층들을 가질 수 있다. 도 1a 및 1b에 도시된 실시예에서, 척 본체(108)는 단일 유전체 층을 포함한다. 척 본체(108)는 알루미늄 질화물과 같은 세라믹 재료를 포함하지만, 여기에서 논의되는 개장 방법이 다른 유전체 재료들을 포함하는 정전기 척들에 적용가능하다는 것이 이해될 수 있다. 가스 유지(retention) 링(104)이 정상부 표면(112)으로부터 연장하고 그리고 메사들(102)이 배치된 지역을 둘러싼다(encircle). 메사들(102) 및 가스 유지 링(104) 모두가 척 본체(108)와 동일한 유전체 재료를 포함한다. 척 본체(108) 내에 전극(106)이 매립되고, 전극은 정전기 척(100)의 바닥 표면(114)에 커플링된 스템(stem; 110)을 통해서 전원에 커플링된다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 메사들(102) 각각이 척 본체(108) 위로 상이한 높이로 연장한다. 그에 따라, 정전기 척(100) 상에 배치된 임의의 기판이 메사들(102)의 균일하지 못한 높이로 인해서 실질적으로 편평하게 유지되지 못할 수 있다. 추가적으로, 불균일한 메사들(102)은, 정전기 척(100) 상에 배치된 기판이 균일하게 척킹되는 것을 막을 수 있고, 이는 기판 상에서의 프로세싱의 균일성에 영향을 미칠 수 있다.
정전기 척(100)을 개장하기 위해서, 제거하고자 하는 재료의 양이 결정될 필요가 있다. 화살표("B")에 의해서 표시된, 전극(106)과 메사들(102)의 가장 높은 지점 또는 가스 유지 링(104) 사이의 거리는 정전기 척(100)의 커패시턴스(capacitance)를 측정하는 것에 의해서 결정된다. 전극(106)의 우발적인 노출을 막기 위해서, 재료가 제거된 후에, 화살표("D")에 의해서 표시된, 재료의 미리 규정된 양이 전극(106) 위에 잔류하는 것이 바람직하다. 따라서, 거리("C")에 의해서 표시된, 제거하고자 하는 재료의 양은 거리("B")로부터 거리("D")를 차감함으로써 결정될 수 있다.
제거하고자 하는 재료의 양이 일단 결정되면, 전극(106) 위로 거리("D")에 위치되는, 도 2에 도시된 바와 같은 베이스 표면(202)을 남기기 위해 메사들(102), 가스 유지 링(104) 및 척 본체(108)의 추가적인 재료를 제거하도록 정전기 척(100)이 래핑(lapped) 및 폴리싱된다. 거리("D")는 전극(106)으로부터 약 20 미크론 내지 약 25 미크론일 수 있다. 래핑이 재료의 덩어리(bulk)를 제거하는 한편, 폴리싱은 표면(202)을 매끄럽게 한다(smooth). 하나의 실시예에서, 슬러리 내의 다이아몬드의 크기에 따라, 래핑이 분당 약 1 마이크로미터 내지 분당 약 150 마이크로미터의 레이트(rate)로 재료를 제거한다. 하나의 실시예에서, 슬러리 다이아몬드 크기는 약 0.05 미크론 내지 약 100 미크론이다. 슬러리 다이아몬드 크기가 희망하는 제거 레이트를 만나도록 맞춰질(tailored) 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 래핑은 재료 제거에 있어서 유리한데, 이는 래핑이 1 미크론 이내로 제어될 수 있고 그리고 가능한 한 균일하게 매끄러운 베이스 표면(202)을 생성할 수 있기 때문이다. 비드 블라스팅(bead blasting) 또는 에칭과 같은 다른 제거 기술들은 적절하지 않을 것인데, 이는 비드 블라스팅 및 에칭이 래핑만큼 제어될 수 없기 때문이다.
새로운 유전체 재료를 매끄러운 베이스 표면(202)에 접착시키는 것을 강화시키기 위해서, 베이스 표면(202)이 조질화 처리될 수 있다. 예를 들어, 베이스 표면(202)은 약 50 마이크로인치 내지 약 300 마이크로인치의 표면 조도(surface roughness)로 조질화 처리될 수 있고, 그러한 조질화 처리는 도 3에 도시된 바와 같은 조질화 처리된 표면(302)을 초래한다. 하나의 실시예에서, 베이스 표면(202)은 비드 블라스팅에 의해서 조질화 처리된다.
조질화 처리된 표면(302)이 형성된 후에, 새로운 유전체 재료(402)가 도 4에 도시된 바와 같이 증착될 수 있다. 하나의 실시예에서, 새로운 유전체 재료(402)는 조질화 처리된 표면(302) 상으로 열적 플라즈마 분무 코팅된다. 대부분의 증착 프로세스들은, 증착이 이루어지는 표면을 복제하는(replicate) 컨포멀한(conformal) 증착 프로세스들이다. 열적 플라즈마 분무 프로세스는 컨포멀하지 않은(non-conformal) 코팅을 달성하는 프로세스이다(즉, 새로운 코팅의 상부 표면이 조질화 처리된 표면(302)을 복제하지 않는다). 열적 플라즈마 분무 프로세스 때문에, 추후에 형성되는 메사들 및 가스 유지 링이, 기판 또는 실리콘 손상 및 후방측면 소립자들(backside particles)을 감소시키는, 희망하는 엠보싱(embossment) 프로파일을 가질 수 있다. 분무 코팅을 위한 적합한 재료를 결정하기 위해서, 원래의 유전체 재료의 비저항(resistivity)을 측정하고, 그런 다음에 분무 가능한 것과 가능한 한 원래의 유전체 재료의 비저항에 근접한 것 모두가 되도록 적합한 재료를 선택한다. 사용될 수 있는 적합한 유전체 재료들에는 알루미늄 질화물 분말이 포함된다. 유전체 재료는 이트리아(yttria), 알루미나, 티타늄 산화물, 사마륨(samarium) 산화물, 및 이들의 조합들과 같은 도펀트와 혼합될 수 있다. Johnson-Rahbeck 정전기 척을 위한 적절한 재료가 일단 선택되면, 새로운 유전체 재료(402)가 조질화 처리된 표면(302)으로 분무 코팅된다.
새로운 유전체 재료(402)가 분무 코팅되기 때문에, 입자들(grains)이 느슨하게 팩킹된다(loosely packed). 그에 따라, 정전기 척(100)은, 입자들 사이에 더 적은 공간이 있도록 입자들을 압축하기 위한 고압의 불활성 가스 분위기 내로 위치된다. 압축을 위한 적합한 압력은 약 1 Torr 보다 큰 압력의 분위기이다.
다음에, 메사들 및 가스 유지 링이 형성된다. 메사들 및 가스 유지 링을 형성하기 위해서, 새로운 유전체 재료(402)의 부분들이 선택적으로 제거된다. 새로운 유전체 재료(402)의 부분들을 선택적으로 제거하기 위해서, 도 5에 도시된 바와 같이 마스크(502)가 새로운 유전체 재료(402) 위에 위치된다. 메사들(604) 및 가스 유지 링(602)을 형성하는 프로세스 중에, 가스 홈들(grooves), 엠보싱들 및 다른 기하형태들이 희망에 따라서 형성될 수 있다. 마스크(502)는, 메사들 및 가스 유지 링이 형성될 위치에 인접한 지역들에 상응하는 개구부들(504)을 가진다. 이어서, 노출된 새로운 유전체 재료(402)는, 마스크(502)를 통해서 형성된 개구부들(504)을 통해서 비드 블라스팅된다. 마스크(502)를 제거하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 새롭게 형성된 메사들(604) 및 가스 유지 링(602)을 남긴다.
메사들(604) 및 가스 유지 링(602)은, 프로세싱 중에 기판의 후방부를 스크래치할 수 있고 그리고 바람직하지 못한 소립자들을 생성할 수 있는 날카로운 엣지들 또는 버어들(burrs)을 가질 수 있다. 그에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이, 날카로운 모서리들을 둥글게 처리하고, 버어들을 제거하고, 그리고 마무리된 메사들(704) 및 유지 링(702)을 남기기 위해서, 메사들(604) 및 가스 유지 링(602)이 최소의 힘 아래에서 연성(soft) 폴리싱 패드로 폴리싱될 수 있다. 따라서, 개장된 정전기 척(700)이 작업을 위해서 다시 준비된다.
도 8은 다른 실시예에 따른 개장의 여러 스테이지들에서의 도 1a 및 1b의 정전기 척의 횡단면도이다. 조질화 처리된 표면(302) 상으로 유전체 층을 분무 코팅하는 대신에, 유전체 재료의 퍽(puck)(802)은 접착제 층(804)에 의해 조질화 처리된 표면(302)에 본딩될 수 있다. 전술한 바와 같이, 사용될 수 있는 적합한 유전체 재료들에는 알루미늄 질화물 분말이 포함될 수 있다. 유전체 재료는 이트리아, 알루미나, 티타늄 산화물, 사마륨 산화물, 및 이들의 조합들과 같은 도펀트와 혼합될 수 있다. 접착제 층을 위한 적합한 재료들은, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 사마륨 산화물, 및 이들의 조합들과 같은, 비저항 및 붕괴(decay) 또는 방전(discharge)을 제어하기 위한 첨가제들을 가지는 진공 에폭시로 이루어진다. 퍽(802)이 조질화 처리된 표면(302)에 일단 접착되면, 도 5-7과 관련하여 전술한 바와 같이 메사들이 형성된다. 퍽(802)을 소결할 필요가 없는데, 이는 퍽의 입자들이 이미 조밀하게(closely) 팩킹되었기 때문이다.
개장된 정전기 척(700)은 전극(106)이 내부에 매립된 원래의 척 본체(108), 및 원래의 척 본체 위에 배치된 새로운 유전체 재료(402)를 포함하고, 새로운 유전체 재료는 원래의 척 본체(108)로부터 멀어지는 방향으로 연장하는 복수의 메사들(704)을 가지는 정상부 표면을 구비한다. 따라서, 개장된 정전기 척(700)은 복수의 유전체 층들을 포함한다. 따라서, 개장된 정전기 척(700)은 별개의 부분들 즉, 원래의 척 본체(108) 및 새로운 유전체 재료(402)를 가진다. 원래의 척 본체(108) 및 새로운 유전체 재료(402) 모두가 알루미늄 질화물과 같은 동일한 재료를 포함할 수 있다. 부가적으로, 새로운 유전체 재료(402)는 이트리아, 알루미나, 티타늄 산화물, 사마륨 산화물, 또는 이들의 조합들과 같은 도펀트를 가질 수 있다.
정전기 척을 개장하는 것에 의해서, 완전히 새로운 정전기 척을 구입할 필요가 없다. 개장된 정전기 척은 새로운 정전기 척보다 적은 비용이 들 것이지만, 여전히, 새로운 정전기 척과 실질적으로 동일한, 같은 비저항 및 기능을 본질적으로 가질 것이다.
전술한 내용들은 본원 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본원 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있고, 본원 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 정전기 척을 개장(refurbishing)하기 위한 방법으로서:
    정전기 척 본체의 정상부 표면 아래의 전극의 깊이를 측정하는 단계;
    상기 측정된 깊이에 응답하여 제거하고자 하는 상기 정전기 척 본체의 부분의 두께를 결정하는 단계;
    베이스 표면을 노출시키기 위해서 상기 정전기 척 본체의 부분을 제거하는 단계;
    상기 베이스 표면을 조질화 처리(roughening)하는 단계;
    상기 베이스 표면 상에, 분무된 재료의 유전체 층을 형성하기 위해서, 상기 조질화된 베이스 표면 상으로 유전체 재료를 플라즈마 분무하는 단계;
    상기 분무된 재료의 유전체 층을 압축하는 단계; 및
    새로운 상부 표면을 구축하기 위해서 상기 분무된 재료의 압축된 유전체 층으로부터 재료를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 표면을 노출시키기 위해서 상기 정전기 척 본체의 부분을 제거하는 단계는 상기 정상부 표면 상에서 래핑 프로세스를 실시하는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 베이스 표면을 조질화 처리하는 단계는 상기 베이스 표면을 비드 블라스팅하는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 조질화 처리된 베이스 표면은 약 50 마이크로인치 내지 약 300 마이크로인치의 표면 조도를 가지는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 베이스 표면을 노출시키기 위해서 상기 정전기 척 본체의 부분을 제거하는 단계는 상기 베이스 표면과 상기 전극 사이에 상기 정전기 척 본체의 약 20 미크론 내지 약 25 미크론을 남기는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 분무된 재료의 유전체 층을 압축하는 단계는 상기 분무된 재료의 유전체 층을 약 1 Torr 보다 큰 압력에 노출시키는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 새로운 상부 표면을 구축하기 위해서 상기 분무된 재료의 압축된 유전체 층으로부터 재료를 선택적으로 제거하는 단계는:
    상기 분무된 재료의 압축된 유전체 층 위에 마스크를 형성하는 단계; 및
    메사들을 형성하기 위해서, 상기 마스크를 통해서 노출된 상기 분무된 재료의 압축된 유전체 층을 비드 블라스팅하는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 새로운 상부 표면을 폴리싱하는 단계를 더 포함하고,
    상기 새로운 상부 표면을 폴리싱하는 단계는 상기 메사들로부터 버어들을 제거하는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 분무된 재료의 유전체 층은 알루미늄 질화물을 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 분무된 재료의 유전체 층은 이트리아, 알루미나, 티타늄 산화물, 사마륨 산화물, 또는 이들의 조합들을 부가적으로 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전기 척 본체의 정상부 표면 아래의 전극의 깊이를 측정하는 단계는 상기 전극과 상기 정상부 표면 사이의 상기 정전기 척 본체의 커패시턴스를 측정하는 단계를 포함하는, 정전기 척을 개장하기 위한 방법.
  12. 개장된 정전기 척으로서:
    하나 또는 둘 이상의 전극들 그리고 상기 전극들 위에 배치된 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들을 가지는 척 본체; 및
    상기 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들 위에 배치된 제 2 유전체 층을 포함하고,
    상기 제 2 유전체 층은 정상부 표면을 가지고, 상기 정상부 표면은 상기 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들로부터 멀어지는 방향으로 상기 정상부 표면으로부터 연장하는 복수의 메사들을 가지고, 상기 제 2 유전체 층 및 상기 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들은 별개의 층들인, 개장된 정전기 척.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 유전체 층은 알루미늄 질화물을 포함하는, 개장된 정전기 척.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 유전체 층은 이트리아, 알루미나, 티타늄 산화물, 사마륨 산화물, 또는 이들의 조합들을 포함하는, 개장된 정전기 척.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 하나 또는 둘 이상의 제 1 유전체 층들은 알루미늄 질화물을 포함하는, 개장된 정전기 척.
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