JP2009060035A - 静電チャック部材、その製造方法及び静電チャック装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体装置の超微細化に対処することができ、静電チャックの構造や製造工程を複雑にすることなく、エンボスに由来する効果、例えばウエハ加工中の均熱性や加工後のデチャック操作を改善することができ、しかもパーティクルの発生を回避することができるような、改良された静電チャック部材を提供すること。
【解決手段】エンボス加工により形成された複数個の突起部を備え、それらの突起部は、静電チャック表面に規則的にあるいは不規則的に分散して配置されており、円形もしくはほぼ円形の頂面形状を有しており、そしてその頂面と側面の交差によって規定されるエッジ部には０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されており、そのＲが付与された部分は、突起部の高さｈの１／４以上を占めているように、構成する。
【選択図】図３

Description

本発明は静電チャック部材及び静電チャック装置に関し、さらに詳しく述べると、半導体装置の製造において例えば半導体ウエハのような被処理物を静電的な吸着力を利用して保持及び固定するために使用される静電チャック部材と、それを備えた静電チャック装置に関する。本発明はまた、静電チャック部材の製造方法に関する。
半導体装置の製造において、周知の通り、例えばシリコン等からなる半導体ウエハをエッチング、スパッタリング等の各種の加工処理に供する場合、処理装置内で半導体ウエハをチャック装置で固定しながら処理を行っている。チャック装置において、半導体ウエハを掴んで固定する手段としては、機械的な固定力を利用した手段と、静電的な吸着力を利用した手段とがあるが、現在、後者の静電チャック装置が主流を占めている。静電チャック装置は、通常、金属製又はセラミック製の静電チャック部材からなり、その表面で静電チャック表面を形成するとともに、静電チャック部材の内部に静電吸着のための電極を組み込んでいる。
ところで近年、半導体ウエハの配線ルールは超微細化が進み、これに対応させるために静電チャック表面に小さなエンボス（突起）を設けることが一般的に行われている。「エンボス」は、静電チャック部材の製造業者によりその呼び名が変化し、例えば、「ディンプル」や「メサ」も同義と理解することができる。静電チャック表面に多数のエンボスを設けると、ウエハ加工中の均熱性や加工後のデチャック操作を改善することができる。このように、エンボスには静電チャックの特性を大きく左右し得る機能が備わっているので、エンボスは、その大きさや数量、高さなどが綿密に計算され、しかもウエハとの接触がバランスよく行われ得るように、エンボスの配置が工夫されている。図１を参照して一般的に説明すると、従来の静電チャック１００は、アルミニウム製の基体１０１を有し、その表面に例えば接着剤１０２を介して、例えばアルミナセラミックスのような静電チャック部材１０３が貼り付けられている。静電チャック部材１０３は、その表面（すなわち、静電チャック表面）に多数のエンボス１０４が設けられている。エンボス１０４は、通常、円柱状突起の形態を有している。また、それぞれのエンボス１０４は、通常、その表面１０４ａが鏡面加工されており、表面粗さＲａは０．２μｍ以下である。エンボス１０４において、その表面の外周端ｅは、図示される通り、鋭いエッジで切れ落ちている。また、静電チャック部材１０３のエンボスを有しない領域の表面１０３ａは、エンボス形成のためのブラスト処理を被っているため、表面粗さＲａが０．２〜１μｍ程度である。
具体的に説明すると、特許文献１は、好適な大きさ及び形状を有するディンプルを生産性の低下を引き起こすことなく簡単に形成するため、セラミック質からなる絶縁基材に耐熱無機材料製ファイバを織成してなるシート材を密着させた状態で加圧焼成を行い、ファイバ由来のディンプルを絶縁基材に転写形成する手法を提案している。
また、特許文献２は、耐久性が高く長寿命で、再生使用を容易に可能とする静電チャックを提供するため、セラミックスプレート上に静電吸着面となるセラミックス誘電体層を形成した後、セラミックス誘電体層の表面をブラスト等の方法で部分的に薄く削り取り、多数の凸凹を形成するディンプル加工を行うことを含む方法を提案している。
最近では、超微細化が一段と進むにつれて、従来では問題とならなかった極めて小さなパーティクル（いわば、微細粒子）でも問題視されはじめている。パーティクルは、以下の説明からも理解されるように、例えばウエハが擦られることによって生成される磨耗粒子などを包含する。例えばエンボスを設けた静電チャックの場合、その表面が凹凸であることから、パーティクルの発生原因となってしまっている。
パーティクルの発生を防止するための方法もすでに提案されている。例えば特許文献３では、図２に示されるように、金属電極１５１上に誘電体層１５３を形成し、さらにその誘電体層１５３の表面にエンボス１５７を設けたとき、シリコンウエハ１５８と誘電体層１５３の摩擦による削れに起因してパーティクル１５６が発生し、誘電体層１５３の表面に堆積し、さらには静電力の吸引によってシリコンウエハ１５８の裏面に付着することが認識されている。また、このようなパーティクルの発生問題を解消するため、特許文献３では、金属ブロック上に載置された絶縁ブロックの上面に複数のエンボスを形成するとともに、そのエンボスの上に順に、金属電極及び薄い誘電体層を配置し、そして前記絶縁ブロック上であってエンボスを有しない領域のみに金属プレートを配置することを提案している。しかしながら、この方法の場合、静電チャックの構成が複雑であり、得られる静電チャックの信頼性及び歩留まりが悪い。
特開２０００−２７７５９４号公報（要約、特許請求の範囲） 特開２００３−２６４２２３号公報（要約、特許請求の範囲） 特開２００４−２５３４０２号公報（要約、特許請求の範囲）
本発明は、上記したような従来のエンボス付き静電チャックの問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の超微細化に対処することができ、静電チャックの構造や製造工程を複雑にすることなく、エンボスに由来する効果、例えばウエハ加工中の均熱性や加工後のデチャック操作を改善することができ、しかもパーティクルの発生を回避することができるような、改良された静電チャック部材を提供することにある。
本発明の目的は、また、このような改良された静電チャック部材を信頼性、歩留まり、生産性等を損なうことなく容易に製造できる方法を提供することにある。
本発明の目的は、さらに、半導体装置の製造時に使用したとき、静電チャックに由来する問題を生じることのないような、改良された静電チャック装置を提供することにある。
本発明の上記の目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
本発明者はまず、静電チャックにおけるパーティクルの発生原因について検討した。その結果、発生源として考えられたものは、（１）半導体ウエハ等の被処理物そのものや、チャック部品等の静電チャックの構成要素そのもの、（２）静電チャックの周囲の雰囲気、及び（３）加工中における部材どうしの擦り合わせ、例えばウエハどうしやウエハとチャック部品の擦り合わせ、であった。これらの発生源のなかで、発生源（１）及び（２）は、経時変化や無動作状態などを利用してパーティクルの発生を抑制することができるので、本発明において特に改良を迫られるものではないということが判明した。しかしながら、発生源（３）は、摩擦係数がゼロにならない限りにパーティクルの発生を抑制することができないものであるので、本発明者は、この点に的を絞って本発明を究明していった。
静電チャックにおいて摩擦によりパーティクルが発生するとき、それらのパーティクルの多くは、ウエハと静電チャックの間で発生するパーティクルであり、しかも、それぞれのパーティクルが、ウエハの加工中にウエハの裏面に移動し、付着したものが静電チャックに対して悪影響を及ぼすという知見を得た。すなわち、これらのパーティクルは、ウエハの裏面にパーティクルが付着しているとき、そのままの状態で、加工が完了したウエハをハンドラーでカセット収納部へ搬送するとき、収納の前、その間もしくはその後に、振動によりあるいは自然落下によって下段にある別のウエハの表面に落下し、ウエハの新たな欠陥、例えばウエハ上の配線のアスペクト比の不所望の変化等、を引き起こすことが可能である。
発生したパーティクルがウエハの裏面に付着するという問題点は、静電チャックの表面に設けたエンボスの寸法を小さくしたり、エンボスの数を減らしたりすることでエンボスとウエハとの接触面積を低減することである程度は抑えられるかもしれないが、この解決法は、エンボスの縮小あるいは削減に依存しているため、パーティクルの発生数は抑えることはできても、実施に限界がある。実際、エンボスに由来するメリットを十分に発揮させることができないので、次世代のウエハプロセス及び装置には対応することができない。このような状況下、本発明者は、今までまったく予想し得なかったことであるが、静電チャックに設けられたエンボス表面をスムース化することによって上記の目的を達成し得るということを発見し、本発明を完成した。
本発明は、その１つの面において、半導体装置の製造において被処理物を保持するために使用される静電チャック部材であって、
基材と、該基材の静電チャック表面に形成された、エンボス加工により形成された複数個の突起部とを含んでなり、
前記突起部は、前記静電チャック表面に規則的にあるいは不規則的に分散して配置されており、円形もしくはほぼ円形の頂面形状を有しており、そしてその頂面と側面の交差によって規定されるエッジ部には０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されており、そのＲが付与された部分は、突起部の高さｈの１／４以上を占めており、そして
前記Ｒは、エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成した後、研磨加工又はブラスト加工からなる後加工でその突起部のエッジ部をスムース化することによって付与されたものであるか、さもなければ、エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成する際、その突起部のエッジ部をスムース化することによって付与されたものであることを特徴とする静電チャック部材にある。
また、本発明は、そのもう１つの面において、上記のような本発明による静電チャック部材を製造する方法であって、マスク手段の存在下において前記突起部のエッジ部をスムース化し、前記エッジ部に対してアール（Ｒ）を付与する工程を含み、かつ、その際、
エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成した後、研磨加工又はブラスト加工からなる後加工でその突起部のエッジ部に前記Ｒを付与するか、さもなければ、エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成する際、その突起部のエッジ部に前記Ｒを付与することを特徴とする静電チャック部材の製造方法にある。
さらに、本発明は、そのもう１つの面において、上記のような本発明による静電チャック部材と、該静電チャック部材を、その静電チャック表面を上面に露出させて備えた基体とを含んでなることを特徴とする静電チャック装置にある。
本発明によれば、以下の詳細な説明から理解されるように、静電チャック表面に形成された突起部においてそのエッジ部を崩し、エッジ部を丸めることにより、表面がスムースとなり、半導体ウエハがエッジ部に引っ掛かる不具合を防止することができ、よって、パーティクルの発生を抑制することができる。
その結果、本発明によれば、半導体装置の製造において、配線ルールの超微細化に対処するとともに、プロセス中のウエハ温度制御やウエハ加工中の均熱性を達成することができ、また、ウエハ加工後のデチャック操作を改善することができる。さらに、本発明の静電チャックはその構造が複雑でないので、信頼性、歩留まり、生産性等を損なうことなく容易に製造することができる。
本発明による静電チャック部材、その製造方法及び静電チャック装置は、それぞれ、本発明の範囲内においていろいろな形態で有利に実施することができる。
本発明による静電チャック部材及び静電チャック装置は、各種の物品をその静電的な吸着力を利用して掴み、保持し、固定し、そして搬送する目的で有利に使用することができる。よって、それらの利用分野は特に限定されるものではないが、好ましくは、本発明の静電チャック部材及び静電チャック装置は、以下で詳細に説明するように、半導体装置の製造分野において有利に使用することができる。例えば半導体装置の製造において、シリコンウエハ、ガリウム砒素ウエハ等の各種の半導体ウエハを化学的もしくは物理的に処理する際にウエハを静電的に取り扱う際に有利に使用することができる。ウエハの処理としては、例えば、エッチング、スパッタリング、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）などを挙げることができるが、これらの方法に限定されるものではない。
本発明では、先に説明したように、静電チャック装置の突起部において特に発生するパーティクル（微細粒子）を発生させないところに特徴がある。パーティクルの大半は、半導体ウエハと静電チャックの突起部の間で発生するパーティクルであり、ウエハの取り扱い中にウエハの裏面に移動及び付着し、さらには別のウエハの表面に落下し、ウエハの新たな欠陥、例えばウエハ上の配線のアスペクト比の不所望の変化等を引き起こすことが可能である。このような問題を引き起こすパーティクルの組成は、したがって、ウエハや静電チャックの組成に由来するものであり、例えば、Ａｌ２Ｏ３の成分と考えられるＡｌＯｘ系パーティクル及びＳｉＯ２の成分と考えられるＳｉＯｘ系パーティクルを包含する。また、かかるパーティクルのサイズは、通常、約０．１〜１．０μｍもしくはそれ以であり、０．２μｍを上回るサイズのパーティクルの発生を防止することができれば、不所望な結果を回避することができる。
引き続いて、添付の図面を参照して本発明のエンボス付き静電チャック装置を説明すると、図３は、本発明の静電チャック装置を使用して半導体ウエハを静電的に吸着した状態を示した断面図である。静電チャック装置１０は、通常、半導体ウエハ（図では、シリコンウエハ）２０の形状にあわせて、それとほぼ同じ大きさの円板状の基体１を有する。基体１は、約２０〜４０ｍｍの厚さを有することができ、その直径は、例えば３００ｍｍ等、半導体ウエハ２０の大きさに合わせて任意に変更可能である。基体１は、例えばアルミニウム又はその合金、チタニウム又はその合金、銅などの金属材料から形成することができるが、必要に応じて、その表面にアルマイト処理や、アルミナ溶射などの被覆を形成させることができる。
本発明の静電チャック装置１０において、基体１の上面には、接着剤層２を介して、本発明の静電チャック部材３が一体的に取り付けられている。接着剤層２は、例えばシリコーン系やエポキシ系の接着剤などから、例えば約０．０１〜０．１ｍｍの膜厚で形成することができ、また、接着剤に代えて、金属ろう材などを使用してもよい。静電チャック部材３の厚さは、通常、約１〜１０ｍｍである。また、静電チャック部材３は、その上面である静電チャック表面に突起部４を有している。突起部４は、必要に応じて角柱、三角柱などの形状を有していてもよいが、通常、円柱であるのが好ましく、円柱は、その頂面が真円であるのが好ましいが、必要に応じて、ほぼ真円であるか、楕円であってもよい。静電チャック装置１０は、さらに、その使用時に静電チャック部材３と半導体ウエハ２０に挟まれた空間に例えばヘリウムガスのような冷却ガスを導入し、半導体ウエハ２０を冷却するため、直径０．１〜１．０ｍｍ程度の冷却ガス導入孔５をさらに有している。
上記のような構成の静電チャック装置１０において、半導体ウエハ２０は、図示されるように、静電チャック部材３の突起部４の頂面に吸い付いたかのようにして、吸着用電極（図示せず）を介して吸着され、安定に保持し、固定される。特に、突起部４の頂面のほぼ中央部に形成されている鏡面処理面（Ｒａ０．２μｍ以下）の働きにより、良好な吸着効果を達成することができる。また、静電チャック装置１０の使用が完了したときには、静電チャック部材３の突起部４と半導体ウエハ２０の間で不所望なパーティクルを発生することなく、ウエハ２０を静電チャック部材３から容易に離脱（デチャック）することができる。この効果は、以下に詳細に説明するように、突起部４のエッジ部に形成された丸み部分、すなわち、アール（Ｒ）部分によるところが大である。
図４を参照して、静電チャック部材３の突起部４をさらに詳しく説明する。突起部４は、静電チャック部材の加工によりその表面に形成されるものであり、その数は、静電チャック部材３（あるいは、半導体ウエハ２０）のサイズに応じて任意に変更可能である。突起部４のサイズは、例えば半導体ウエハ２０が１２インチサイズである場合、１００〜５００個程度である。それぞれの突起部のサイズは、その頂面の直径が約０．２〜２ｍｍであり、高さが約０．０１〜０．０３ｍｍであるのが好ましい。本発明では、複数個の突起部４をもって「エンボス加工層」と呼ぶことができ、また、かかるエンボス加工層において、突起部４の配置パターンは任意に変更可能である。例えば、静電チャック部材３の中心を基準として突起部４を同心円的に配置してもよく、ランダムに配置してもよい。
静電チャック部材３、すなわち、基材３と突起部４は、任意の材料から形成することができるが、好ましくは、脆性材料、金属材料、樹脂材料もしくはその複合体から形成することができる。金属材料の例としては、ステンレス、アルミニウム合金、チタン合金、その他非鉄金属でありその表面にアルミナ溶射やアルマイト処理が施されているものであり、脆性材料では、アルミナセラミック、窒化アルミナ、炭化珪素、石英などを挙げることができ、また、樹脂材料の例としては、ポリイミド系、ナイロン系、フッ素系など樹脂材料を挙げることができる。但し、半導体装置の製造において過酷な条件下で使用することを考慮した場合、アルミナセラミックやアルミナ溶射されたものを有利に使用することができる。
上記のような材料からなる静電チャック部材１０において、突起部４は、機械的に研削する方法、例えばダイヤモンドがコーティングされたドリルを用いてマシニングセンターで加工する方法や、サンドブラスト法によりエッチング加工する方法によって形成することができる。一般的には、加工コストが安く、均一に加工ができる点で、サンドブラスト法が好適である。サンドブラスト法は、例えば、形成されるべき突起部の上面やサンドブラストされたくない部分に予めマスキング手段、例えばウレタン樹脂等の弾力性をもった樹脂材料を施しておき、マスキング手段の存在下、その上からサンドブラストを行う。サンドブラスト時に使用するブラスト材として、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）系の砥材、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）系の砥材等の、被削材である静電チャック部材と同等もしくはそれ以上の硬度や靭性をもった砥材を有利に使用することができる。サンドブラスト法において、静電チャック部材の上に予め載置しておいたマスキング手段が保護膜となり、マスクされていない部分に対してのみブラスト材が直接当り、その部分が選択的に加工される。よって、所望とした形状及び寸法をもった突起部をもった静電チャック部材を得ることができる。
サンドブラスト法をさらに具体的に説明すると、図６及び図７に順を追って示すようにして実施することができる。図中、図６はマスク作製プロセスを示し、図７は、作製されたマスク手段を使用してサンドブラストを実施するプロセスを示す。なお、本例では、作製されるべきマスク手段はシート状であるので、以下、「マスクシート」と呼ぶ。
最初に、図６（Ａ）に示すように、マスクシートを作製するための原型となるネガチブ２５を用意する。ネガチブ２５は、ガラス板２１とそれに貼りあわされたネガフィルム２２とからなる。ネガフィルム２２は、非突起部（静電チャック部材のサンドブラスト時にエッチングされるべき領域）に対応するネガパターンＮを有している。ネガチブ２５の上に、紫外線透過性の接着剤層２３を介して、マスクシートの突起部（サンドブラスト時にこれが保護膜として作用し、静電チャック部材のエッチングを防止することができる）を形成するための樹脂シート３１を積層する。樹脂シート３１は、フォトレジストあるいはそれに類する材料からなり、後段の工程で紫外線に露光することによって架橋反応を被り、現像時にも残留し、マスクシートの突起部を形成することができる。さらに、得られるマスクシートにおいて支持フィルムとして使用するため、樹脂シート３１にＰＥＴフィルム３３を押圧ロール３４を矢印方向に移動させることによって貼り合せる。また、樹脂シート３１に対するＰＥＴフィルム３３の接合のため、後段の現像工程において現像液に対する耐性を有する接着剤３２を使用する。
次いで、図６（Ｂ）に示すように、樹脂シート３１に対して紫外線露光を行う。紫外線露光は、樹脂シート３１のよって規定される条件下、常法にしたがって行うことができる。露光の結果、樹脂シート３１のうち、前方のネガパターンＮによって遮光されなかった領域（露光領域３１ｂ）が架橋反応を被り、硬化せしめられる。なお、樹脂シート３１の非露光領域３１ａにおいては変化は認められない。
露光工程の完了後、図６（Ｃ）に示す現像工程に移行する。最初に、先の露光工程で使用したネガチブ２５を接着剤層２３のところから取り除き、樹脂シート３１を露出させる。これに対して、現像装置３５から樹脂シート３１に好適な現像液を噴射する。すると、先の工程で露光を被らなかった非露光領域３１ａのみが選択的に洗い流され、図示されるように、露光領域３１ｂがＰＥＴフィルム３３上に残留する。なお、この工程では非露光領域３１ａを洗い流すので、現像工程と呼ぶ代わりに、「洗浄工程」と呼んでもよい。現像後、樹脂シート３１を必要により純水で洗浄した後、乾燥する。
最後に、図６（Ｄ）に示すように、樹脂シート３１に剥離紙３６を貼り付ける。剥離紙３６は、接着剤層３７を有している。この剥離紙３６によって、樹脂シート３１の露光領域３１ｂに形成された、後段のサンドブラスト工程において保護膜と使用される突起部を保護することができる。得られたマスクシート３０において、剥離紙３６は、マスクシート３０の使用直前に容易に取り除くことができる。
引き続いて、図７に順を追って示すサンドブラスト工程に移行する。最初に、図７（Ａ）に示すように、サンドブラストされるべき静電チャック部材３、例えば純度９０〜９８％のアルミナセラミック（厚さ１〜１０ｍｍ）を用意する。この上に、先の工程で作製したマスクシート３０を、その露光領域３１ｂを下側に向けて貼り付ける。
静電チャック部材３にマスクシート３０を貼り付けた後、図７（Ｂ）に示すように、支持フィルムとして使用していたＰＥＴフィルム３３をマスクシート３０から剥離する。
引き続いて、図７（Ｃ）に示すように、常用のブラスト装置３８を使用してブラスト加工を行う。サンドブラストを実施すると、まず、マスクシートに残っていた接着剤３２がブラスト材により取り除かれ、さらに、残存した露光領域３１ｂがマスク手段となり、マスクされていない部分に対してのみブラスト材が直接当り、その部分が選択的に加工される。
最後に、図７（Ｄ）に示すように、マスク手段として使用した露光領域３１ｂを剥離除去する。結果、図示されるように、所望とする形状及び寸法を有する突起部４をもった静電チャック部材３が得られる。突起部４の頂面４ａは、鏡面処理面である。引き続いて、図示しないが、本発明に従って突起部のエッジ部にスムース化処理を施すことができる。
再び図４を参照すると、静電チャック部材３の突起部４は、その頂面と側面の交差によって規定されるエッジ部には約０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されている。Ｒが０．０１ｍｍを下回ると、エッジ部にシャープさが増加する結果、パーティクルの発生する度合いが増加し、デチャック特性も低下する。このような特性の変化は、Ｒが付与された部分の大きさにも依存する。本発明者の知見によると、静電チャック部材３の突起部４において、Ｒをもった部分は、突起部４の高さｈの約１／４以上を占めていることが必要である。この部分が１／４を下回ると、Ｒの働きが十分とならず、したがって、パーティクルの発生する度合いが増加し、デチャック特性も低下する。
さらに、突起部４の頂面において、そのほぼ中央の部分（図中、ｔで示される部分）は、マスキング手段で保護することによって維持された鏡面加工面を有しており、これもまたパーティクルの発生防止とデチャック特性の向上に寄与することができる。鏡面加工面は、それを表面粗さＲａで表した場合、約０．２μｍもしくはそれ以下であることが好ましい。また、静電チャック部材３の突起部４を除く表面３ａは、ブラスト加工面であり、通常、その表面粗さＲａは０．２〜１．０μｍ程度である。但し、Ｒの付与のために追加のブラスト加工を行った場合には、その表面粗さＲａをさらに低下させ、例えば０．３μｍもしくはそれ以下とすることができる。
本発明の実施において、静電チャック部材３の突起部に対するＲの付与は、いろいろな手法によって達成することができるけれども、好ましくは、例えば、
エンボス加工によって静電チャック表面に突起部を形成した後、研磨加工又はブラスト加工からなる後加工でその突起部のエッジ部をスムース化すること、あるいは
エンボス加工によって静電チャック表面に突起部を形成する際、その突起部のエッジ部をスムース化すること
によって達成することができる。
突起部のエッジ部をスムース化することに関してさらに説明すると、この方法は、例えば、次のような手法で有利に実施することができる。
（１）エンボス加工によって静電チャック表面に突起部を形成した後、その突起部の頂面の中央部を少なくとも保護するマスク手段の存在下、静電チャック部材よりも軟質の砥材で突起部のエッジ部を加工することによって、突起部に対してＲを付与する。この方法の場合、必要ならば、マスク手段の使用を省略してもよい。
（２）エンボス加工によって静電チャック表面に突起部を形成した後、エンボス加工に用いられた砥材よりも微細な砥粒からなる砥材で突起部のエッジ部を加工することによって、突起部に対してＲを付与する。この方法の場合、必要ならば、突起部の頂面の中央部を少なくとも保護するマスク手段を使用してもよい。
（３）エンボス加工によって静電チャック表面に突起部を形成する際、形成されるべき突起部の頂面に対応するネガ型のマスク手段の存在下、エッジ部を露出させた状態で粒度＃６０〜＃３２５の砥材で突起部を加工することによって、突起部に対してＲを付与する。
それぞれの手法についてさらに具体的に説明すると、第１のスムース化法（１）は、エンボス加工によって静電チャック部材の表面にすでに形成されている突起部を、後加工でスムース化する方法である。この方法において、エンボス加工によって突起部を形成するまでの方法は、図６及び図７を参照して上記した方法によって実施することができる。その後、突起部の頂面に形成されている鏡面加工面を保護するため、特に突起部の頂面の中央部及びその近傍部分を少なくとも保護するため、静電チャック部材の表面に適当なマスク手段を重ね合わせる。静電チャック部材をマスク手段が覆うので、すでに形成されているエッジ部が露出した状態となる。このような状態の下で、マスク手段の存在下、静電チャック部材よりも軟質の砥材で突起部のエッジ部を加工する。ここで、任意の部材をマスク手段として使用することができ、例えば、上記したような弾性をもったマスク手段であってもよい。エッジ部の加工は、好ましくは、遊離砥粒によるラッピング加工によって行うことができる。加工機としては、例えば、ラッピングマシン、ポリッシングマシンなどを使用することができる。また、ここで使用しうる砥粒は、アルミナ系砥粒、炭化ケイ素系砥粒、ダイヤモンド砥粒などであり、砥粒の粒度は、通常、約＃８００〜３０００（１４〜４μｍ）である。ラッピング加工は、適当な加工機を使用して実施することができるが、できるだけソフトに加工することが望ましいので、機械的加工に代えて手作業による加工を実施することも好ましい。例えば、マスク手段を併用しないで、砥粒面を有する研磨ペーパーを使用して、ウエット状態で静電チャック部材の表面全体を手で磨くことができる。この他にも、砥粒を混ぜ込んだブラシや、遊離砥粒をナイロンブラシで磨く方法もある。
上記のようにラッピング加工することによって、例えば図４に模式的に示すように、静電チャック部材３の突起部４に対してＲを付与することができる。形成されるＲ部は、遊離砥粒又はハンド研磨でラッピング加工を行うことで、エッジ部が中心的に加工されて、Ｒ＝０．０１ｍｍ以上の丸みを帯びたものとなり、また、その丸み部分は、突起部４の高さｈの１／４以上である。例えば突起部４の高さが０．０３ｍｍのとき、その丸み部分の大きさは０．０１ｍｍ程度である。また、頂面４ａの中央部ｔの領域は、ラッピング加工時にマスキング手段によって保護されているので、鏡面加工された状態のままであり、表面粗さＲａ＝０．２μｍ以下である。なお、この表面粗さは、頂面の粗さを変化させないように、先のブラスト加工の砥粒及び粒度を適切に選定することによって達成することができる。さらに、この方法によると、突起部４の側面や静電チャック部材３の非突起部部分（底面）３ａも研削することができるので、これらの部分の粗さをさらに細かくすることができる。例えば、静電チャック部材３の底面３ａの表面粗さＲａは、０．３μｍ程度に細かくすることができる。特にこの方法によると、静電チャック部材３の底面３ａにも砥粒が回り込むので、ブラスト加工で荒れた底面３ａも鏡面に近づき、パーティクルの発生をより効果的に抑制することができる。
第２のスムース化法（２）も、エンボス加工によって静電チャック部材の表面にすでに形成されている突起部を、後加工でスムース化する方法である。但し、この方法では、第１のスムース化法で使用した遊離砥粒によるラッピング加工に代えて、ブラスト加工によるスムース化を使用する。この方法において、エンボス加工によって突起部を形成するまでの方法は、図６及び図７を参照して上記した方法によって実施することができる。その後、マスク手段の不存在下、エンボス加工に用いられた砥材よりも微細な砥粒からなる砥材で突起部のエッジ部を加工し、突起部に対してＲを付与する。エッジ部のブラスト加工において、加工機としては、例えば、サンドブラストマシンなどを使用することができる。また、ここで使用しうる砥粒は、アルミナ系砥粒、炭化ケイ素系砥粒、窒化ホウ素系砥粒、ダイヤモンド砥粒などであり、砥粒の粒度は、通常、約＃８００〜３０００（１４〜４μｍ）である。なお、この方法の場合、必要ならば、突起部の頂面の中央部を少なくとも保護するマスク手段を使用してもよい。
上記のようにブラスト加工することによって、例えば図４に模式的に示すように、静電チャック部材３の突起部４に対してＲを付与することができる。形成されるＲ部は、エッジ部が比較的に脆いので、ブラスト加工によって、Ｒ＝０．０１ｍｍ以上の丸みを帯びたものとなり、また、その丸み部分は、突起部４の高さｈの１／４以上である。例えば突起部４の高さが０．０３ｍｍのとき、その丸み部分の大きさは０．０１ｍｍ程度である。また、頂面４ａの中央部ｔの領域は、ブラスト加工を積極的に施していないので、鏡面加工された状態のままであり、表面粗さＲａ＝０．２μｍ以下である。なお、この表面粗さは、頂面の粗さを変化させないように、先のブラスト加工の砥粒及び粒度を適切に選定することによって達成することができる。さらに、この方法によると、突起部４の側面や静電チャック部材３の非突起部部分（底面）３ａもブラスト加工することができるので、これらの部分の粗さをさらに細かくすることができる。例えば、静電チャック部材３の底面３ａの表面粗さＲａは、０．３μｍ程度に細かくすることができる。特にこの方法によると、ブラスト加工を利用しているので、加工が容易であり、静電チャック部材３の荒れた底面３ａが多少スムースになるという点でメリットがある。
第３のスムース化法（３）は、静電チャック部材の表面にエンボス加工により突起部を形成するとき、そのエンボス加工時、エッジ部が崩れるようにスムース化する方法、すなわち、エッジ部の塑性破壊を利用して突起部をスムース化する方法である。この方法の場合、エンボス加工によって静電チャック部材の表面に突起部を形成する際、形成されるべき突起部の頂面に対応するネガ型のマスク手段を使用して、そのマスク手段の存在下、エッジ部を露出させた状態で粗い砥材を使用して突起部を加工し、突起部に対して所望のＲを付与することができる。
エンボス加工によって突起部を形成する方法は、基本的に、図６及び図７を参照して上記した方法によって実施することができ、また、その際に使用するマスク手段は、上記のようなものであってもよく、上記した以外のマスク手段であってもよい。また、必要ならば、このマスク手段の使用を省略してもよい。エンボス加工は、好ましくはブラスト加工、さらに好ましくはサンドブラスト加工によって実施することができる。エッジ部のブラスト加工において、加工機としては、例えば、サンドブラストマシンなどを使用することができる。また、ここで使用しうる砥粒は、炭化ケイ素系砥粒、ダイヤモンド砥粒などである。砥粒の粒度は、＃６０〜＃３２５（２５０〜４４μｍ）が好ましい。
上記のようにブラスト加工することによって、例えば図５に模式的に示すように、静電チャック部材３の突起部４に対してＲを付与することができる。形成されるＲ部は、エッジ部が比較的に脆いので、ブラスト加工によって、Ｒ＝０．０１ｍｍ以上の丸みを帯びたものとなり、また、その丸み部分は、突起部４の高さｈの１／４以上である。例えば突起部４の高さが０．０３ｍｍのとき、その丸み部分の大きさは０．０１ｍｍ程度である。なお、本方法におけるＲ部は、粗い砥材によりエンボス表面へのダメージが大きく、それによってシャープエッジが崩されるので、模式的に示すと、図５のような外観となる。但し、このような外観であっても、パーティクルの発生防止には効果的である。また、頂面４ａの中央部ｔの領域は、ブラスト加工時にマスキング手段によって保護されているので、鏡面加工された状態のままであり、表面粗さＲａ＝０．２μｍ以下である。なお、この表面粗さは、頂面の粗さを変化させないように、先のブラスト加工の砥粒及び粒度を適切に選定することによって達成することができる。特にこの方法によると、ブラスト加工による突起部の形成と突起部のエッジ部のスムース化を同時に一工程で実施することができるので、製造工程の短縮や生産性の向上などにおいてメリットがある。
引き続いて、本発明をその実施例を参照して説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。
比較例１
本例では、静電チャック部材の表面にエンボス加工によって突起部を形成することによって、突起部付きの静電チャック部材を作製した。なお、本例では、比較のため、作製された静電チャック部材の突起部のエッジ部にスムース化のための後処理を施さなかった。
図６を参照して先に記載した手法に従ってマスクシートを作製した。マスクシートは、８０μｍ厚のＰＥＴフィルムを支持フィルムとして有する７０μｍ厚のポジ型アクリル樹脂フィルムである。この樹脂フィルムは、静電チャック部材の突起部に対応するポジパターンからなっていた。
次いで、図７を参照して先に記載した手法に従って、突起部付きの静電チャック部材を作製した。本例で用意した静電チャック部材は、直径３００ｍｍ及び厚さ３０ｍｍのアルミニウム製基体に０．１ｍｍ厚のシリコーン系接着剤を介して貼り付けられるものであり、直径３００ｍｍ及び厚さ１ｍｍの９６％アルミナセラミックからなっていた。次いで、この静電チャック部材の上に、先の工程で作製したマスクシートをそのポジパターンを下側に向けて貼り付けた。ＰＥＴフィルムをマスクシートから剥離した後、常用のサンドブラストマシンを使用してブラスト加工を行った。本例でブラスト材として使用した砥粒は、炭化ケイ素系砥粒であり、その粒度は、＃６００（平均粒径３０μｍ）であった。サンドブラストの結果、マスクシートのポジパターンがマスクとなり、下地の露出した静電チャック部材がエッチングにより所定の深さまで除去された。すなわち、静電チャック部材の表面のうちマスクされていない部分に対してのみブラスト材が直接当り、その部分が選択的に加工された。エッチングは、その深さが突起部の高さに対応するようになった時点で停止した。マスク手段として使用したポジパターンを最後に剥離除去すると、エッジ部がシャープな突起部をもった静電チャック部材が得られた。突起部は、静電チャック部材の中心から同心円的に配置されており、その数は３６０個であった。また、突起部の寸法は、直径が１ｍｍ、高さが０．０１ｍｍであった。
実施例１
本例では、エンボス加工によって静電チャック部材の表面にすでに形成されている突起部のエッジ部を遊離砥粒によるラッピング加工でスムース化する方法によって、突起部付きの静電チャック部材を作製した。
前記比較例１において作製した、直径１ｍｍ及び高さ０．０１ｍｍの突起部を合計３６０個有する、直径３００ｍｍ及び厚さ１ｍｍのアルミナセラミック製静電チャック部材を用意した。
引き続いて、静電チャック部材の表面を、遊離砥粒によるラッピング加工に供した。本例では、市販のラッピングマシンを使用し、静電チャック部材よりも軟質の砥材で突起部のエッジ部を加工した。ここで使用した砥材は、アルミナ系砥粒である。また、砥粒の粒度は、エッジ部のＲの大きさ（ｍｍ）を０、０．０５、０．０１、０．０２、そして０．０５の範囲で変更するため、＃３０００（４μｍ）の砥粒を選択し、ラッピング時間を変えて、所定の大きさのＲを得た。
上記のようにラッピング加工することによって、下記の第１表に示すように、異なるＲをそれぞれのエッジ部に有する突起部付きの静電チャック部材が得られた。形成されたＲ部において、丸みを付与されたＲ部は、突起部の高さの１／４以上であった。突起部の頂面の中央部は、ラッピング加工後でも鏡面を保っていた。なお、エッジ部は異なるＲを有していたけれども、引き続く評価試験の結果、Ｒ＝０．０１ｍｍ以上の丸みを帯びたエッジ部のとき、発生するパーティクルの数をＲ＝０ｍｍに比較して約半数もしくはそれ以上に押さえることができ、非常に有効であることが判明した。
実施例２
本例では、エンボス加工によって静電チャック部材の表面にすでに形成されている突起部のエッジ部をブラスト加工でスムース化する方法によって、突起部付きの静電チャック部材を作製した。
前記比較例１において作製した、直径１ｍｍ及び高さ０．０１ｍｍの突起部を合計３６０個有する、直径３００ｍｍ及び厚さ１ｍｍのアルミナセラミック製静電チャック部材を用意した。
引き続いて、突起部の表面に形成されている鏡面が工面を保護するため、エンボスの表面にエンボス径より小さい直径０．５ｍｍのマスクを貼り合わせた。本例で使用したマスクは、前記比較例１において突起部の形成に使用したものと同じ材質のマスクシートであった。前記比較例１においてエンボス加工に用いられた砥材よりも微細な砥粒からなる砥材で突起部のエッジ部をブラスト加工した。エッジ部のブラスト加工において、加工機としては、サンドブラストマシンを使用し、また、砥粒は、＃８００〜３０００（平均粒径１４〜４μｍ）の粒度をもったアルミナ系砥粒である。ここで、エッジ部のＲとして０．０５ｍｍを得るため、砥粒の粒度を適切に選択した。
上記のようにブラスト加工することによって、Ｒ＝０．０５ｍｍの丸みをエッジ部に有する突起部付きの静電チャック部材が得られた。形成されたＲ部において、丸みを付与されたＲ部は、突起部の高さの１／４以上であった。突起部の頂面の中央部は、ブラスト加工時にマスクによって保護されていたため、表面粗さＲａ＝０．２μｍ以下の鏡面加工面を有していた。
実施例３
本例では、エンボス加工によって静電チャック部材の表面に突起部を形成する際、エンボス加工時にエッジ部が崩れるように、エンボス加工で突起部のスムース化を行う方法によって、突起部付きの静電チャック部材を作製した。
前記比較例１において作製したマスクシートを用意した。このマスクシートは、８０μｍ厚のＰＥＴフィルムを支持フィルムとして有する５０μｍ厚のポジ型アクリル樹脂フィルムである。この樹脂フィルムは、静電チャック部材の突起部に対応するポジパターンからなっていた。
次いで、図７を参照して先に記載した手法に従って、突起部付きの静電チャック部材を本発明に従って作製した。本例で用意した静電チャック部材は、直径３００ｍｍ及び厚さ３０ｍｍのアルミニウム製基体に０．１ｍｍ厚のシリコーン系接着剤を介して貼り付けられるものであり、直径３００ｍｍ及び厚さ１ｍｍの９６％アルミナセラミックからなっていた。次いで、この静電チャック部材の上に、先の工程で用意したマスクシートをそのポジパターンを下側に向けて貼り付けた。ＰＥＴフィルムをマスクシートから剥離した後、常用のサンドブラストマシンを使用してブラスト加工を行った。本例でブラスト材として使用した砥粒は、炭化珪素砥粒であり、その粒度は、＃６０〜３２５（平均粒径２５０〜４４μｍ）であった。ここで、エッジ部のＲとして０．０５ｍｍを得るため、砥粒の粒度を適切に選択した。
サンドブラストの結果、マスクシートのポジパターンがマスクとなり、下地の露出した静電チャック部材がエッチングにより所定の深さまで除去された。すなわち、静電チャック部材の表面のうちマスクされていない部分に対してのみブラスト材が直接当り、その部分が選択的に加工された。エッチングは、その深さが突起部の高さに対応するようになった時点で停止した。マスクとして使用したポジパターンを最後に剥離除去すると、エッジ部が塑性破壊により崩れ、Ｒ＝０．０５ｍｍの丸みをもった突起部付きの静電チャック部材が得られた。形成されたＲ部において、丸みを付与されたＲ部は、突起部の高さの１／４以上であった。突起部の頂面の中央部は、ブラスト加工時にマスクによって保護されていたため、表面粗さＲａ＝０．２μｍ以下の鏡面加工面を有していた。
試験例１
（１）パーティクル発生の評価
本例では、比較例１及び実施例１〜３において作製した突起部付きの静電チャック部材の特性を、半導体ウエハ（シリコンウエハ）と静電チャック部材の摩擦に原因して発生したパーティクルがシリコンウエハの裏面に付着した数から評価した。なお、本評価試験のため、ウエハ表面検査装置を使用した。
双極型ヒーター付き静電チャック（９６％アルミナセラミック製）に各例の静電チャック部材を取り付けた。両面にＳｉＯ２膜（膜厚１００ｎｍ）を有する厚さ０．８ｍｍの１２インチのシリコンウエハを静電チャック部材に吸着固定した。ウエハの吸着固定は、１００℃で、電極間に３００Ｖの電圧を３分間にわたって印加することによって実施した。その後、印加電圧をＯＦＦにした。静電チャックからシリコンウエハを離脱し、離脱後のシリコンウエハの裏面に付着しているパーティクル（＞０．２μｍ）の数をパーティクルカウンタで測定した。下記の第１表に記載するような測定結果が得られた。
Figure 2009060035
上記第１表に示すように、本発明に従ってエッジ部をスムース化した場合、比較例１のようにシャープなエッジ部を有する静電チャック部材をそのまま使用した場合とは対照的に、ウエハの裏面に付着し得るパーティクルの発生を抑制することができ顕著に抑制することができ、よって、それらのパーティクルの落下によって引き起こされるウエハの特性低下を防止することができる。
（２）エッジ部のＲ寸法とパーティクルの発生数の関係の考察
実施例１において作製した、エッジ部で異なるＲ寸法を有する静電チャック部材について、エッジ部のＲ寸法とウエハ裏面に付着したパーティクルの数の関係を調べたところ、図８にプロットするようなグラフが得られた。このグラフから理解されるように、エッジ部のＲ寸法を０．０１ｍｍ以上に調整することで、発生するパーティクルの数を約半数もしくはそれ以下に抑えることができる。
試験例２
デチャック特性の評価
本例では、前記比較例１及び前記実施例１〜３において作製した突起部付きの静電チャック部材から半導体ウエハ（シリコンウエハ）を取り出すときのデチャック特性を評価した。なお、本評価試験では、デジタルフォースゲージを用いてシリコンウエハの横押し耐力を測定した。
双極型ヒーター付き静電チャック（９６％アルミナセラミック製）に各例の静電チャック部材を取り付けた。両面にＳｉＯ２膜（膜厚１００ｎｍ）を有する厚さ０．８ｍｍの１２インチのシリコンウエハを静電チャック部材に吸着固定した。ウエハの吸着固定は、１００℃で、電極間に３００Ｖの電圧を３分間にわたって印加することによって実施した。その後、印加電圧をＯＦＦにした。静電チャック部材に対し水平方向にシリコンウエハを、デジタルフォースゲージにて押し当て、その際の耐力の変化を経時的に測定した。本例では、得られた耐力を吸着力（単位９／ｃｍ２）とみなした。測定の結果、図９にプロットするような、静電チャック部材におけるデチャック特性の変化を示すグラフが得られた。
図９に示した測定結果から理解できるように、本発明に従ってエッジ部をスムース化した場合、比較例１のようにシャープなエッジ部を有する静電チャック部材を使用した場合とは対照的に、静電チャック部材からのウエハのリフトアップを開始した直後から早くも、吸着力の急激な低下によって証明されるデチャック特性の改良を達成することができる。
本発明者の考察によると、本発明によって達成することのできるこのようなデチャック特性の顕著な改良は、図１０に示すように、静電チャック部材３からシリコンウエハ２０を引き離すとき、静電チャック部材３に形成された突起部４の丸みをもったエッジ部において、
吸着の真空状態から大気開放される際に、大気がすばやくエッジ部に入り込むことができること、及び
エッジ部が丸くなっているので、冷却ガスのガス廻りがよくなること、
に依るところが大であると考えられる。
さらに考察すると、本発明の場合、静電チャック部材に形成された突起部において、その頂面は、その中央部からエッジ部にかけて、面から疑似球面へと変化する。その結果、突起部とウエハの間の接触面積が低下し、両者間の接触がスムースとなる。これによってまず、パーティクルの発生を抑制することができる。これに加えて、突起部において疑似球面を構成したことによって、
接触面積の減少及び球形状に張力低下によるデチャック特性の改善
丸いエッジ部に対する大気のすばやい流入によるデチャック操作の促進
ガス廻りの改良によるウエハ冷却効率の改善（温度分布の改善）
といった効果を得ることができる。
従来のエンボス付き静電チャックに典型例を示した断面図である。 従来のエンボス付き静電チャックにおけるパーティクルの発生状況を模式的に示した断面図である。 本発明によるエンボス付き静電チャック装置を使用して半導体ウエハを静電的に吸着した状態を示した断面図である。 本発明によるエンボス付き静電チャック部材のエンボス部分の好ましい一例を模式的に示した断面図である。 本発明によるエンボス付き静電チャック部材のエンボス部分のもう１つの好ましい例を模式的に示した斜視図である。 本発明によるエンボス付き静電チャック部材の製造に使用されるマスクシートの製造工程を、順を追って示した断面図である。 本発明によるエンボス付き静電チャック部材を、図６の方法で製造したマスクシートを使用して製造する工程を、順を追って示した断面図である。 実施例１のエンボス付き静電チャック部材において測定した、エッジ部のＲ寸法とウエハ裏面に付着したパーティクルの数の関係をプロットしたグラフである。 比較例１及び実施例１〜３で作製したエンボス付き静電チャック部材におけるデチャック特性の変化をプロットしたグラフである。 本発明のエンボス付き静電チャック部材においてデチャック特性が改善される理由を示した模式図である。
符号の説明
１ 基体
２ 接着剤層
３ 静電チャック部材（基材）
４ 突起部
５ 冷却ガス導入孔
１０ 静電チャック装置
２０ 半導体ウエハ
３０ マスクシート

Claims (10)

  1. 半導体装置の製造において被処理物を保持するために使用される静電チャック部材であって、
    基材と、該基材の静電チャック表面に形成された、エンボス加工により形成された複数個の突起部とを含んでなり、
    前記突起部は、前記静電チャック表面に規則的にあるいは不規則的に分散して配置されており、円形もしくはほぼ円形の頂面形状を有しており、そしてその頂面と側面の交差によって規定されるエッジ部には０．０１ｍｍ以上のアール（Ｒ）が付与されており、そのＲが付与された部分は、突起部の高さｈの１／４以上を占めており、そして
    前記Ｒは、エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成した後、研磨加工又はブラスト加工からなる後加工でその突起部のエッジ部をスムース化することによって付与されたものであるか、さもなければ、エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成する際、その突起部のエッジ部をスムース化することによって付与されたものであることを特徴とする静電チャック部材。
  2. 前記突起部は、その頂面の直径が０．２〜２ｍｍであり、かつ高さが０．０１〜０．０３ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック部材。
  3. 前記基材は、金属又はセラミックからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の静電チャック部材。
  4. 前記基材はアルミナセラミックであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャック部材。
  5. 請求項１に記載の静電チャック部材を製造する方法であって、
    マスク手段の存在下において前記突起部のエッジ部をスムース化し、前記エッジ部に対してアール（Ｒ）を付与する工程を含み、かつ、その際、
    エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成した後、研磨加工又はブラスト加工からなる後加工でその突起部のエッジ部に前記Ｒを付与するか、さもなければ、エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成する際、その突起部のエッジ部に前記Ｒを付与することを特徴とする静電チャック部材の製造方法。
  6. エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成した後、その突起部の頂面の中央部を少なくとも保護するマスク手段の存在下もしくは不存在下、静電チャック部材よりも軟質の砥材で突起部のエッジ部を加工することによって前記Ｒを付与することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  7. エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成した後、その突起部の頂面の中央部を少なくとも保護するマスク手段の存在下もしくは不存在下、エンボス加工に用いられた砥材よりも微細な砥粒からなる砥材で突起部のエッジ部を加工することによって前記Ｒを付与することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  8. エンボス加工によって前記静電チャック表面に突起部を形成する際、形成されるべき突起部の頂面に対応するネガ型のマスク手段の存在下、前記エッジ部を露出させた状態で粒度＃６０〜＃３２５の砥材で突起部を加工することによって前記Ｒを付与することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  9. 前記エンボス加工をサンドブラスト法によって行うことを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
  10. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャック部材と、該静電チャック部材を、その静電チャック表面を上面に露出させて備えた基体とを含んでなることを特徴とする静電チャック装置。
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