JP2019506749A - 粒子性能が改善されたウエハ接触面突起部プロファイル - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 静電チャックであって、
セラミックベース内の電極と、
前記静電チャックに基板を静電的にクランプする電荷を形成するために前記電極の電圧によって活性化される、前記静電チャックの表面層と
を備え、
前記静電チャックの前記表面層が、複数の突起部を備え、前記突起部が、組成物であって、その形態が柱状または粒状であり、その微細構造が結晶質または非晶質である組成物を備え、前記突起部が、前記突起部を取り囲む前記表面層より上方の平均高さHまで延在し、前記突起部が、前記基板の静電クランプ中に前記突起部上で前記基板を支持し、
前記突起部の断面が、非弧状プラトー形状の頂面、縁面、および側面によって特徴付けられる構造を有し、前記突起部の前記非弧状プラトー形状の頂面が、ミクロン単位の平坦度パラメータΔによって特徴付けられるミクロン単位の長さLを有し、前記頂面が、1ミクロン以下の表面粗さRaおよび±0.01未満の(Δ*100)/Lの値を有し、
前記突起部の前記縁面が、前記突起部の前記頂面と前記側面との間にあり、楕円の四分円もしくは四分円の部分上または前記楕円の前記四分円もしくは前記四分円の部分内にある縁面プロファイルを有し、前記楕円の短軸Yが、前記突起部の前記頂面の一部と交差し、(Δ*100)/Lの値が、±0.01以上であり、前記楕円の前記短軸の頂点が、前記突起部の前記頂面上にあり、Y/2の値が、0.5ミクロン以下であり、
前記楕円の長軸Xが、前記突起部の前記頂面または前記表面層と実質的に平行であり、X/2の値が、25ミクロン〜250ミクロンであり、
前記突起部の前記側面が、前記縁面と前記静電チャックの前記表面層とを接続する、
静電チャック。 - 前記突起部が、シリコンよりも軟質の材料を含む、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記突起部の前記側面が、前記表面層と角度をなし、前記角度が、80度〜175度である、請求項1または2に記載の静電チャック。
- 部分突起部を含むことをさらに備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記表面層より上方の平均高さHまで延在するガスシールリングまたはリフトピンシールをさらに備え、
前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの断面が、非弧状プラトー形状の頂面、縁面、および側面によって特徴付けられる構造を有し、前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記非弧状プラトー形状の頂面が、ミクロン単位の平坦度パラメータΔによって特徴付けられるミクロン単位の長さLを有し、前記頂面が、1ミクロン以下の表面粗さRaおよび±0.01未満の(Δ*100)/Lの値を有し、
前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記縁面が、前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記頂面と前記側面との間にあり、楕円の四分円もしくは四分円の部分上または前記楕円の前記四分円もしくは前記四分円の部分内にある縁面プロファイルを有し、前記楕円の短軸Yが、前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記頂面の一部と交差し、(Δ*100)/Lの値が、±0.01以上であり、前記楕円の前記短軸の頂点が、前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記頂面上にあり、Y/2の値が、0.5ミクロン以下であり、
前記楕円の長軸Xが、前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記頂面と実質的に平行であり、X/2の値が、25ミクロン〜250ミクロンであり、
前記ガスシールリングまたは前記リフトピンシールの前記側面が、前記縁面と前記表面層とを接続する、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の静電チャック。 - デルタが、0.25ミクロン以下の値を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の静電チャック。
- デルタが、0.25ミクロン以下の値を有する、請求項5に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、イットリウムを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、アルミニウムを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、アルミニウムおよび酸素を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、イットリアを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、アルミナを含む、請求項1〜7のいずれか一項または請求項9に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、イットリウムアルミニウムガーネットを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、酸窒化アルミニウムを含む、請求項10に記載の静電チャック。
- 前記突起部の高さの範囲が、5ミクロン〜20ミクロンである、請求項1に記載の静電チャック。
- デルタが、0.25ミクロン〜0.05ミクロンの値を有する、請求項1〜15のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部の高さの範囲が、5ミクロン〜20ミクロンである、請求項1〜16のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部の中心間距離が、1ミクロン〜20ミクロンである、請求項1〜17のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、セラミックを覆うコーティングを含む、請求項1〜18のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部の材料が、走査型電子顕微鏡によって測定されるような柱状構造を有する、請求項1〜19のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記突起部が、X線回折によって測定されるような結晶性を有する、請求項1〜18のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 複数の突起部を備えるウエハ接触面であって、前記突起部が、組成物であって、その形態が柱状または粒状であり、その微細構造が結晶質または非晶質である組成物を備え、前記突起部が、前記突起部を取り囲む前記表面層より上方の平均高さHまで延在し、前記突起部が、基板のクランプ中に前記突起部上で前記基板を支持し、
前記突起部の断面が、非弧状プラトー形状の頂面、縁面、および側面によって特徴付けられる構造を有し、前記突起部の前記非弧状プラトー形状の頂面が、ミクロン単位の平坦度パラメータΔによって特徴付けられるミクロン単位の長さLを有し、前記頂面が、1ミクロン以下の表面粗さRaおよび±0.01未満の(Δ*100)/Lの値を有し、
前記突起部の前記縁面が、前記突起部の前記頂面と前記側面との間にあり、楕円の四分円もしくは四分円の部分上または前記楕円の前記四分円もしくは前記四分円の部分内にある縁面プロファイルを有し、前記楕円の短軸Yが、前記突起部の前記平坦面の縁部と交差し、(Δ*100)/Lの値が、±0.01以上であり、前記楕円の前記短軸の頂点が、前記突起部の前記頂面上にあり、Y/2の値が、0.5ミクロン以下であり、
前記楕円の長軸Xが、前記突起部の前記頂面と実質的に平行であり、X/2の値が、25ミクロン〜250ミクロンであり、
前記突起部の前記側面が、前記縁面と前記ウエハ接触面の表面層とを接続する、
ウエハ接触面。
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