JP2014027207A - 誘電体及びこの誘電体を用いた静電チャック - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルの発生を抑制しつつ、充分な静電吸着力を有する誘電体及びこの誘電体を用いた静電チャックを提供する。
【解決手段】表面に複数の突起部を有し、この突起部を有する突起部内領域の算術平均粗さＲａと、前記突起部間の突起部外領域の算術平均粗さＲａが共に０．５μｍ以下であり、前記突起部の、頂部から側部への外形線が曲線であり、前記突起部の高さが０．２〜５０μｍであり、絶縁電気耐圧が１０ＭＶ／ｍ以上である誘電体。
【選択図】図２

Description

本発明は、誘電体及びこの誘電体を用いた静電チャックに関する。

電圧を印加し静電気の吸引力によりシリコンウェーハ等を静電吸着保持する静電チャックは、ＣＶＤ装置、エッチング装置、露光装置、検査装置、搬送装置等の半導体製造装置や、液晶基板製造装置等のような、主に真空環境下で使用される。

通常、半導体ウェーハ等の被処理物を静電吸着する誘電体の表面には、突起形状が設けられ、この突起形状の頂面で半導体ウェーハ等を支持し、且つ静電吸着力により吸着保持する。この頂面の面積を大きくすると大きな静電吸着力が得られるため、誘電体と半導体ウェーハ等の間にガスを導入して半導体ウェーハの温度制御を行う際には、半導体ウェーハの脱落を心配することなく、より高い圧力のガスを導入することができ、ガスの熱伝導を利用した半導体ウェーハの温度制御が行いやすくなる。また、製膜等により既に歪んでいる半導体ウェーハ等を、その静電吸着力により平面に矯正できるという利点がある。

しかしその一方で、作業上では、頂面の面積を大きくして、接触面積が大きくなることにより、頂面と半導体ウェーハとの間の擦れによって、パーティクルが発生しやすくなるという問題がある。
このパーティクルは、擦れにより半導体ウェーハ上に付いたスクラッチから発生した半導体ウェーハの削れカスや、同じく擦れにより脱粒した誘電体の微細粒等であり、後の洗浄、搬送等の工程で半導体素子面に転写し欠陥を発生させる原因となるため、極力半導体ウェーハ等への付着を避ける必要がある。更に、接触面積が大きいことにより、誘電体上に既に堆積しているパーティクルが、半導体ウェーハ等に転写する可能性も大きくなる。
逆に、頂面の面積を小さくすると、擦れにより発生するパーティクルを抑制し、更に半導体ウェーハ等へ転写するパーティクルも抑制することができるが、その反面、静電吸着力が小さくなるため、ガスを導入した際の脱落、歪んでいる半導体ウェーハ等を平面に矯正できない等の不具合が生じる。

前述した問題に対しては、特許文献１にて、接触面積の大きさと突起の高さ、更には突起の個数を最適な範囲に納めることにより、大きな静電吸着力を得ながら且つパーティクルの発生を抑えることが述べられている。
また特許文献２では、誘電体の表面に設けられた突起形状の、突起先端面の表面粗さを突起側面及び底面の表面粗さより小さくする（滑らかにする）ことにより、基板を載置したときに基板に付着するパーティクルを低減させる効果があることが述べられている。

特許第４３１２３９４号公報 特開２００８−２８８２８８号公報

しかしながら、特許文献１によると、この技術を用いてもパーティクルの個数は、ウェーハの直径３００ｍｍに換算すると、１０万個を超えており、その用途はＣＶＤ装置、エッチング装置等のように、自機のプロセスの中でパーティクルを生じる装置に限られてしまう。

また、特許文献２によると、突起先端からなる平面の平面度を小さくするための手段として、突起の先端面、側面及び底面を研削液により研磨した後に、突起の先端面に定盤によるラップ加工を施すことが提唱されており、このことにより突起の先端面と側面の境界線部分が鈍角ではあるがエッジを形成し、このエッジからの誘電体粒子の脱落及びエッジ部分と基板との擦れにより基板に生じるスクラッチ等によりパーティクルが発生してしまい、根本的なパーティクル抑制の手段にはなっていない。

本発明は、前述した問題点を鑑み、パーティクルの発生を抑制しつつ、充分な静電吸着力を有する誘電体及びこの誘電体を用いた静電チャックを、提供することを目的とする。

本発明は、以下のものに関する。
（１）表面に複数の突起部を有し、この突起部を有する突起部内領域の算術平均粗さＲａと、前記突起部間の突起部外領域の算術平均粗さＲａが共に０．５μｍ以下であり、前記突起部の、頂部から側部への外形線が曲線であり、前記突起部の高さが０．２〜５０μｍであり、絶縁電気耐圧が１０ＭＶ／ｍ以上である誘電体。
（２）項（１）において、突起部内領域と、突起部外領域との面積比が、突起部内領域面積／突起部外領域面積にて、０．０００１〜３である誘電体。
（３）項（１）又は（２）に記載の誘電体の、突起部を有する面と対向する裏面に、電極を当接保持させた静電チャック。

本発明によれば、実用上充分な静電吸着力を保有しながら、パーティクルの発生量を抑制可能な誘電体及びこの誘電体を用いた静電チャックを提供することができる。

本発明による誘電体と突起配置の一例を、概略的に示した平面図である。 本発明による複数の突起部を有する誘電体の表面部分の断面図を示す。

本発明のパーティクルの発生が抑制された静電チャック等の基板保持具に用いられる誘電体は、図１、図２に示すような形状を有している。
図１は、本発明による誘電体と突起配置の一例の平面図を示しており、誘電体１は円形、突起部２は円形で且つ全面に正方配置した場合を示す。なお、誘電体には様々な目的により、適宜、図示のような穴３、切り欠き部４や切り落とし部５等が設けられることもあり、これらと重なる場所には突起を配置しないことが多い。
図２に、本発明による複数の突起部を有する誘電体の表面部分の断面図の一例を示す。

＜突起部＞
本発明にて述べる突起部は、後述する誘電体の一部として、その表面に複数設けられるものであり、その頂部が直線又は曲線形状もしくは直線と曲線の連続線を有している。
本発明では、突起部の高さを０．２〜５０μｍとしている。突起部の高さが０．２μｍ以上であれば、誘電体の表面、特に突起部外領域の表面に堆積しているパーティクルが転写してくることを防止し、パーティクルの発生量を抑制できる傾向がある。このパーティクルの転写の要因としては、外部から与えられた電荷や接触により生じた帯電電荷に起因する静電気力が挙げられる。また、突起部の高さが５０μｍ以下であれば、実用上充分な静電吸着力が得られる。なお、本発明にて述べる突起部の高さは、底部における仮想平面から頂部の最高点までの距離とする。
突起部は、頂部とその頂部から連続する側部とを有し、頂部と側部とを結ぶ外形線を曲線としている。頂部と側部とが連続していることから、その境界は明確には表せないが、あえて表すとすれば、図２に示すように、頂部９の最高点での接線と側部１０の変曲点１２での接線の交点を境界と見なすことができる。
更に、側部は変曲点を有し、側部と底部との結ぶ外形線を曲線として、底部と連続している。側部と底部とが連続していることから、前述同様にその境界は明確には表せないが、あえて表すとすれば、図２に示すように、側部１０の変曲点１２での接線と底部１１の延長線の交点を境界と見なすことができる。
底部に対する側部の傾斜角αは本発明の効果に対して特に影響を与えるものではないが、概ね１〜５０°とすることが好ましい。

＜突起部内領域＞
本発明にて述べる突起部内領域は、前述した突起部の頂部領域を示すものであり、複数の突起毎に離散したものとなっている。なお、突起部が、頂部と側部とを有することは、前述したが、突起部内領域は、側部を含まず、頂部のみの領域を意味する。
頂部は、パーティクルの発生を抑制する効果を考慮すると緩やかな凸形状を有していることが好ましいが、大きな静電吸着力を得るという点では平坦部を有していることが好ましい。

＜突起部外領域＞
本発明にて述べる突起部外領域は、前述した突起部内領域以外の領域を意味するものであり、具体的には、突起部の側部と、この側部と側部の間の部分である底部を意味する。
但し、突起の形状及び配置パターンによっては、突起部の側部と側部が重なり合うことにより底部が存在しない場合もある。
また、後述する誘電体にて、この誘電体が、突起を設けていない面を有する場合は、この面を除く。

＜表面粗さ＞
本発明にて述べる表面粗さは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に依る。
そして、本発明では、先に述べた突起部内領域と突起部外領域の算術平均粗さＲａを共に０．５μｍ以下としている。算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下であれば、パーティクルの発生を抑制することができる。特に突起部内領域では、基板と頂部との擦れにより基板にスクラッチ傷を発生させることを抑制する等、基板からパーティクルを発生させてしまうことも抑制できる。突起部外領域では、基板と擦れることはないが、突起部内領域と同程度の表面粗さとすることにより、隙間でのパーティクルの抱き込みや誘電体の表面からの粒子の脱落を抑制することができる。
表面粗さについては、Ｒｚ（最大高さ粗さ）で表現することもできるが、算術平均粗さＲａを０．５μｍ以下に抑えておけば、Ｒｚは概ね２．０μｍ以下となり、特段Ｒｚについて管理しておく必要はない。

＜面積比＞
突起部内領域と、突起部外領域との面積比は、特に限定されるものではないが、突起部内領域面積／突起部外領域面積にて、０．０００１〜３であることが好ましい。突起部内領域面積／突起部外領域面積が０．０００１以上であれば、基板を保持するための突起を形成することが容易であり、３以下であれば、パーティクルの発生量を抑制する充分な効果が期待できる。

＜誘電体＞
本発明にて述べる誘電体は、その材質を限定されるものではないが、例えば、アルミナ、ムライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、コージェライト、リチウムアルミノシリケート、炭化ケイ素等を主原料としたセラミックス、酸化ケイ素を主原料としたガラス、ガラスにセラミックスフィラーを添加したいわゆるガラスセラミックスなどを用いることができる。特に好ましいものとしては、導電率が小さく且つ汎用性の点から、アルミナ、コージェライト、リチウムアルミノシリケート等を主原料としたセラミックスが挙げられる。

本発明では、誘電体の絶縁電気耐圧を１０ＭＶ／ｍ以上としている。誘電体の絶縁電気耐圧が、１０ＭＶ／ｍ以上であると、誘電体の突起部を有する面と対向する裏面と、基板との間に電位差を与えた際、誘電体の絶縁破壊を確実に防止して、実用上充分な静電吸着力を得るための電位差を確保できる傾向がある。

＜静電チャック＞
本発明にて述べる静電チャックは、本発明にて述べる上記の誘電体の、突起部を有する面と対向する裏面に、電極を当接保持させた静電チャックである。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
誘電体として、アルミナセラミックス（日立化成工業株式会社製、商品名：Ｈ５８０、ＪＩＳ Ｃ ２１１０に依る絶縁電気耐圧は２０ＭＶ／ｍ）を準備し、台座と共にダイヤモンド砥石を用いて、研削やマシニング等の通常のセラミックス機械加工を施し、平らな円盤形状を得た。台座としては、誘電体と同じアルミナセラミックス（Ｈ５８０）を用いた。

続いて、誘電体の突起部を形成する面と対向する裏面に、電極となる銀ペースト層を形成した。用いた銀ペーストは、株式会社アサヒ化学研究所製、商品名：ＬＳ−５０６Ｊで、２５０メッシュの平織りステンレススクリーン版を用いて印刷し、ボックス型熱風オーブンにより２００℃、６０ｍｉｎの熱硬化を行った。
この銀ペースト層の形成には、スクリーン印刷法を用いたが、金を始めとする各種貴金属のめっき法を適用して銀ペースト層に相当するものを形成することもできる。

次いで、誘電体と台座を、エポキシ接着剤（キャノンアネルバ株式会社製、商品名：スーパーバックシール）を用いて貼り合わせ一体化するとともに、電極である銀ペースト層へ電圧を供給するための電極端子を、導電性ペースト（藤倉化成株式会社製、商品名：ドータイト（「ドータイト」は登録商標））を用いて銀ペースト層に接続固定した。エポキシ接着剤は、加圧されることにより厚さが薄くなり、約１０μｍ以下の厚さとなった。エポキシ接着剤及び導電性ペーストが、室温にて充分に硬化した後、更に１００℃にてキュア処理を施した。

一体化した誘電体及び台座に対し、更に平面研削を施し、特に誘電体の突起部を形成する面にはラップ加工を行い、平坦面を得た。このとき、誘電体の厚さは約０．２ｍｍとした。

得られた平坦面に対して、通常のマスキングとショットブラスト加工法を用いて、突起形状を形成した。マスキングには、直径０．２ｍｍ、厚さ０．１ｍｍの円形を、横方向１ｍｍピッチ、縦方向１ｍｍピッチに正方配置した粘着フィルムを用いた。また、ショットブラストにより削り取られた面ができるだけ粗くならないことを目的として、ショットブラストの砥粒には、精密研磨用微粉である粒度＃６００のＳｉＣ砥粒を適用した。なお、ＳｉＣ砥粒の粒度の表記は、ＪＩＳ Ｒ ６００１：１９９８に規定されるものである。このショットブラストにより、誘電体の突起部を形成する面のマスキングされていない部分を約２０μｍ削り、除去した。

粘着マスクを剥がし、直径０．２ｍｍ、高さ約２０μｍ、横方向１ｍｍピッチ、縦方向１ｍｍピッチに正方配置した突起形状を得た。突起部内領域と突起部外領域との面積比の設計値は、突起部内領域面積／突起部外領域面積にて約０．０３１である。

次いで、誘電体の突起部を形成する面に形成された突起形状に対し、研磨パッドと研磨材を用いて研磨加工を行った。研磨パッドにはビューラー社製マイクロクロス、研磨材には旭ダイヤモンド工業株式会社製ダイヤモンドペーストを用いた。研磨材の砥粒は、初めは粒径６μｍ等の大きめの砥粒を用い、研磨面の程度に応じて、順次、粒径０．３μｍや０．１μｍ等の細かめの砥粒に向かい換えていった。なお、本発明で述べる研磨材の砥粒の粒径は、ＪＩＳ Ｒ ６００２：１９９８に記載の光透過沈降法に規定されるものを示す。また、この研磨は、突起の側部をできる限り均一に研磨することを目的として、縦横斜め方向に均一に振動するバイブレーターを利用した。ポリッシャーのような研磨機を利用する際には、研磨パッドを回転させるとともに誘電体も回転させ、研磨の進行が等方的にならないように工夫すればよい。研磨材を塗布した研磨パッドを誘電体の突起部を形成する面に、面全体に均一な力が掛かるように且つ微量スライドできるように押し付け、そのままバイブレーターの振動に晒した。研磨加工後の誘電体の、突起部内領域及び突起部外領域における算術平均粗さＲａは、それぞれ０．１０μｍと０．１３μｍであった。また突起部の外形線は、表面形状測定器（株式会社ミツトヨ製、商品名：フォームトレーサＳＶ−Ｃ３０００（「フォームトレーサ」は登録商標））を用いて、突起部の中央付近を通るように測定した。その結果、頂部から側部への外形線は曲線をなしていた。更に、この外形線から頂部の面積を求め、突起部内領域と突起部外領域の面積比を算出した。

真空環境下において、この誘電体の突起部を有する面の上に、突起部に触れる面が鏡面となるようにシリコンウェーハを載置し、電極となっている銀ペースト層に接続固定された電極端子に、±１ｋＶの直流電圧を印加し、直径２００ｍｍのシリコンウェーハを誘電体に吸着させた。シリコンウェーハが誘電体に吸着されている力を、シリコンウェーハを誘電体から剥がし取り去る力として測定し、単位面積あたりの力、すなわち圧力としての単位に換算し、静電吸着力とした。結果を、表１に示す。

同様に、シリコンウェーハを吸着した後に電圧の印加をやめ、シリコンウェーハを誘電体の上から外し、シリコンウェーハの誘電体に吸着されていた側の面に付着しているパーティクルの大きさと数を、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製のウェーハ表面検査装置、商品名：Ｓｕｒｆｓｃａｎ６２２０（「Ｓｕｒｆｓｃａｎ」は登録商標）を用いて計測し、直径が０．１５μｍ以上であるパーティクルの数をカウントした。結果を、表１に示す。

（実施例２〜５及び比較例１〜４）
実施例１に対し、マスキングに用いる粘着フィルムの大きさと配置を変更することにより、突起部内領域と突起部外領域との面積比を変化させた。また、研磨加工時の研磨材の砥粒の粒径や研磨パッドを押し付ける強さ、バイブレーターの振動の強さ、バイブレーターの振動に晒す時間、誘電体として用いるアルミナセラミックスのグレードを変更することで、突起部内領域と突起部外領域における表面粗さ及び誘電体の絶縁電気耐圧を変化させた。これらの結果も、併せて表１に示す。

（実施例６）
実施例１と同様に、誘電体と台座を一体化し、誘電体の突起部を形成する面にラップ加工を行った。

得られた平坦面に対して、エポキシ樹脂によるマスキングと研磨パッドによる研磨加工にて、突起形状を形成した。エポキシ樹脂（住友スリーエム株式会社製、商品名：ＤＰ−４６０）を８０メッシュの平織りステンレススクリーン版を用いて、直径１ｍｍの円形が横方向４ｍｍピッチ、縦方向４ｍｍピッチの正方配置になるように印刷し、そのまま常温で硬化させた。このエポキシ樹脂を、マスキングとして使用した。

次いで、マスキングされた平坦面に対し、研磨パッドと研磨材を用いて突起形成加工を行った。研磨パッド及び研磨材は、実施例１の研磨加工で用いたものと同じであるが、研磨材の砥粒は、粒径３μｍ以上の大きめの砥粒を用いた。実施例１の研磨加工と同様に、バイブレーターを利用して振動させ、誘電体の突起部を形成する面のマスキングされていない部分を約２μｍ削り除去した。

マスキングに用いたエポキシ樹脂をジクロロメタンとイソプロピルアルコールを用いて除去し、直径約１ｍｍ、高さ約２μｍ、横方向４ｍｍピッチ、縦方向４ｍｍピッチに正方配置した突起形状を得た。突起部内領域と突起部外領域との面積比の設計値は、突起部内領域面積／突起部外領域面積にて約０．０４９である。

次いで、誘電体の突起部を形成する面に形成された突起形状に対し、研磨パッドと研磨材を用いて、実施例１と同様の研磨加工を行った。研磨加工後の誘電体の、突起部内領域及び突起部外領域における算術平均粗さＲａは、それぞれ０．１１μｍと０．０７μｍであった。

実施例１と同様に突起部の外形線、静電吸着力及びパーティクルの数を測定し、得られた結果を表１に併せて示す。

（実施例７、８及び比較例５）
実施例６に対して、マスキングに用いるエポキシ樹脂を印刷するスクリーン版の印刷パターンを変更することにより、突起部内領域と突起部外領域との面積比を変化させた。また、突起形成加工時及び研磨加工時の研磨材の砥粒の粒径や研磨パッドを押し付ける強さ、バイブレーターの振動の強さ、バイブレーターの振動に晒す時間を変更することで、突起部内領域と突起部外領域における表面粗さを変化させた。

実施例１と同様に突起部の外形線、静電吸着力及びパーティクルの数を測定し、得られた結果を表１に併せて示す。

（実施例９）
実施例１と同様に、誘電体と台座を一体化し、誘電体の突起部を形成する面にラップ加工を行い、更に突起を形成した。

次いで、誘電体の突起部を形成する面に形成された突起形状に対し、ショットブラスト加工法にて研磨加工を行った。突起を形成する際に用いたショットブラスト加工法とは、軟質砥粒を用いた点とマスキングをしないという点で異なる。軟質砥粒とは、セラミックやダイヤモンド等の硬質砥粒をゴム製の粒や樹脂製の粒の中に分散させた砥粒や低硬度のガラスビーズなどのことであり、いわゆるソフトブラスト加工法と呼ばれているものである。この軟質砥粒を用いたショットブラスト加工により、突起部外領域の研磨を行い、表面粗さを向上させた。また、この際にマスキングをしないことにより、突起部の頂部から側部への外形線として曲線を得ることができた。すなわち、突起部を形成する際に突起部の頂部と側部との境界に形成された一般にエッジと呼ばれる角を研磨することにより、角を丸め曲線を得たものと言い換えることができる。
研磨加工後の誘電体の、突起部内領域及び突起部外領域における算術平均粗さＲａは、それぞれ０．０４μｍと０．０６μｍであった。

（実施例１０及び１１）
実施例９に対して、マスキングに用いる粘着フィルムの大きさと配置を変更することにより、突起部内領域と突起部外領域との面積比を変化させた。また、研磨加工時の軟質砥粒と加速圧力や供給量等の加工パラメータを変更することで、突起部内領域と突起部外領域における表面粗さを変化させた。

実施例１と同様に突起部の外形線、静電吸着力及びパーティクルの数を測定し、得られた結果を表１に併せて示す。

前述のように、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、当事者が考え得る様々な事例に横展開することができる。例えば、誘電体及び台座としてはアルミナ系セラミックス、窒化アルミニウム系セラミックス、コージェライト系セラミックス、イットリア系セラミックス等のセラミックス及びこれらの複合材の焼結体、薄膜、厚膜、溶射膜等、シリカ系ガラス、ホウ酸系ガラス等のガラスセラミックス、硬質樹脂などを用いることができる。また、平坦加工としては研削加工、インフィード加工、ラップ加工、ポリッシング加工等、突起形成加工としてはマシニング加工、ステーショナリー超音波加工、放電加工、ケミカルエッチング処理等、研磨加工としてはマシニングを用いたポリッシング加工、ウェットブラスト加工、気化ブラスト加工、ケミカルエッチング加工、砥粒を含んだ粘性体による流体加工、バレル研磨加工等を用いることもできる。

また、当然、本発明による誘電体を、静電チャック以外の用途、例えば真空チャックやウェーハカセットのアーム、ウェーハ搬送アーム等のような、ウェーハに直接触れる部材に適用することも可能である。その際、部材が帯電するのを抑制する目的で、本発明で言うところの誘電体若しくは誘電体の表面に導電性を持たせたり、また、導電性の基材を用いることも可能である。

（比較例６）
実施例１と同様に、誘電体と台座を一体化し、誘電体の突起部を形成する面にラップ加工を行い、更に突起を形成した。ただし、その後の研磨加工は行わず、これを本発明に対する比較例とした。

突起部内領域及び突起部外領域における算術平均粗さＲａと、実施例１と同様に突起部の外形線、静電吸着力及びパーティクルの数を測定し、得られた結果を表１に併せて示す。

（比較例７及び８）
実施例１と同様に、誘電体と台座を一体化し、誘電体の突起部を形成する面にラップ加工を行い、更に突起を形成し、研磨パッドと研磨材を用いて研磨加工を行った。

次いで、誘電体の突起部を有する面に形成された複数の突起部の頂部を平坦にするために、平面研削加工ないしはラップ加工を行い、頂部全面を平坦にした。頂部全面を平坦にすることにより、頂部から側部への外形線が曲線をなさず、頂部と側部の境界に角、いわゆるエッジが形成されてしまった。

突起部内領域及び突起部外領域における算術平均粗さＲａと、実施例１と同様に突起部の外形線、静電吸着力及びパーティクルの数を測定し、得られた結果を表１に併せて示す。
ただし、突起部の頂部の平坦面が頂部全面に及んでいない場合は、頂部から側部への外形線が曲線をなしているとみなすことができるので、本発明の範囲に含まれる。

表１から明らかなように、本発明の誘電体は、パーティクルの発生を抑制しつつ、充分な静電吸着力を有することが確認された。

１ 誘電体
２ 突起部
３ 穴
４ 切り欠き部
５ 切り落とし部
６ 表面
７ 突起部内領域
８ 突起部外領域
９ 頂部
１０ 側部
１１ 底部
１２ 変曲点
１３ 突起部高さ
α 底部に対する側部の傾斜角

Claims (3)

1. 表面に複数の突起部を有し、この突起部を有する突起部内領域の算術平均粗さＲａと、前記突起部間の突起部外領域の算術平均粗さＲａが共に０．５μｍ以下であり、前記突起部の、頂部から側部への外形線が曲線であり、前記突起部の高さが０．２〜５０μｍであり、絶縁電気耐圧が１０ＭＶ／ｍ以上である誘電体。
2. 請求項１において、突起部内領域と、突起部外領域との面積比が、突起部内領域面積／突起部外領域面積にて、０．０００１〜３である誘電体。
3. 請求項１又は２に記載の誘電体の、突起部を有する面と対向する裏面に、電極を当接保持させた静電チャック。

Images