JP2020188254A - ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 - Google Patents
ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020188254A JP2020188254A JP2020074463A JP2020074463A JP2020188254A JP 2020188254 A JP2020188254 A JP 2020188254A JP 2020074463 A JP2020074463 A JP 2020074463A JP 2020074463 A JP2020074463 A JP 2020074463A JP 2020188254 A JP2020188254 A JP 2020188254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer boat
- wall portion
- cooling
- gas
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D3/12—Travelling or movable supports or containers for the charge
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0033—Chamber type furnaces the floor of the furnaces consisting of the support carrying the charge, e.g. car type furnaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D3/0084—Charging; Manipulation of SC or SC wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D15/00—Handling or treating discharged material; Supports or receiving chambers therefor
- F27D15/02—Cooling
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D2003/0034—Means for moving, conveying, transporting the charge in the furnace or in the charging facilities
- F27D2003/0075—Charging or discharging vertically, e.g. through a bottom opening
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
- F27D2009/007—Cooling of charges therein
- F27D2009/0072—Cooling of charges therein the cooling medium being a gas
- F27D2009/0075—Cooling of charges therein the cooling medium being a gas in direct contact with the charge
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
- F27D2009/007—Cooling of charges therein
- F27D2009/0094—Cooling of charges therein making use of already cooled material, e.g. forming a layer
Abstract
【課題】処理済みウェハをウェハボートから取り出す前にウェハボートを冷却するウェハボートハンドリング装置を提供する。【解決手段】ウェハボートハンドリング装置10は、縦型バッチ炉の処理チャンバの下方に配置されるよう構成されている。ウェハボートハンドリング装置は、ウェハボートハンドリング空間68を画定する壁を有する主筐体14と、ウェハボートを支持するウェハボート支持部を有し、ウェハボートハンドリング空間内の冷却位置までウェハボートを搬送するボート搬送部とを備える。壁のうち冷却位置に隣接する部分は、冷却位置にあるウェハボートから熱放射吸収によって熱を取り去るべく熱放射表面吸収率が少なくとも0.60である壁部である。【選択図】図1
Description
本開示は概して、ウェハボートハンドリング装置に関する。ウェハボートハンドリング装置は、ウェハボートに収容されている複数のウェハを処理する縦型バッチ炉の処理チャンバの下方に配置されるよう構成されているとしてよい。本開示はさらに、上記のウェハボートハンドリング装置を備える縦型バッチ炉アセンブリに関する。本開示はまた、ウェハボートハンドリング装置においてウェハボートを冷却する方法に関する。
ウェハボートハンドリング装置は、縦型バッチ炉の処理チャンバの下方に配置されるよう構成されているとしてよいが、ウェハボートに収容されている複数のウェハを処理するために用いられるとしてよい。ウェハボートハンドリングは、バッチ炉の処理チャンバまでウェハボートを垂直方向に搬送するよう、そして、処理チャンバからウェハボートを受け取るよう構成されているとしてよい。バッチ炉から受け取ったウェハボートは、温度が高く、処理済みウェハをウェハボートから取り出す前に冷却位置で冷却する必要があるとしてよい。
ウェハボートハンドリング装置では、熱交換器を用いて冷却される空気または気体を循環させることによって、この冷却処理の効果を高めるとしてよい。
この「概要」部分は、いくつかの概念を選んで簡潔に紹介するために記載されている。これらの概念は、以下に記載する本開示の実施形態例の詳細な説明においてさらに詳細に説明する。この「概要」部分は、請求の対象となる主題のうち重要または不可欠な特徴を特定することを意図しているものではなく、請求の対象となる主題の範囲を限定するために用いられることを意図しているものでもない。
ウェハボート冷却機能を持つウェハボートハンドリング装置を改良することを目的としてよい。
壁のうち冷却位置に隣接する部分は、ステンレススチールを材料とするのが普通であるが、ステンレススチールの熱放射表面吸収率は0.3から0.4であるとしてよい。熱放射表面吸収率とは、入射する熱放射に対する吸収された熱放射の割合である。壁の一部の熱放射表面吸収率を0.3から0.4とすることで、入射する熱の大部分は反射されて壁からウェハボートに戻っていくので、ウェハボートの冷却に悪影響を及ぼす可能性がある。
このため、ウェハボートハンドリング装置を提供するとしてよい。より具体的には、縦型バッチ炉の処理チャンバの下方に配置されるよう構成されているウェハボートハンドリング装置を提供するとしてよい。ウェハボートハンドリング装置は、主筐体と、ボート搬送部とを備えるとしてよい。主筐体は、ウェハボートハンドリング空間を画定する壁を有するとしてよい。ボート搬送部は、ウェハボートを支持する少なくとも1つのウェハボート支持部を有するとしてよく、ウェハボートハンドリング空間内の冷却位置までウェハボートを搬送するよう構成されているとしてよい。壁のうち冷却位置に隣接する部分は、冷却位置にあるウェハボートから熱放射吸収によって熱を吸収するべく、熱放射表面吸収率が少なくとも0.60である壁部であってよい。熱放射表面吸収率とは、入射する熱放射に対する吸収された熱放射の割合である。
壁部の熱放射表面吸収率を少なくとも0.6とすることによって、放射熱の反射が大幅に減るとしてよい。この結果、ウェハボートの冷却がより迅速に行われるとしてよい。つまり、ウェハボートにある処理済みのウェハを取り出すタイミングが早くなり、ウェハボートハンドリング装置の運転効率が上がる。
別の実施形態によると、ウェハボートに収容されているウェハを処理する処理チャンバと、本発明に係るウェハボートハンドリング装置とを備える縦型バッチ炉アセンブリを提供する。ウェハボートハンドリング装置は、処理チャンバの下方に配置される。縦型バッチ炉はさらに、ウェハボートハンドリング装置から処理チャンバへと、そして、逆方向へと、ウェハボートを搬送するよう構成されている垂直ウェハボートリフトアセンブリを備える。
当該縦型バッチ炉の利点は、ウェハボートハンドリング装置に関して上述した利点と同様としてよい。
最後に、本発明は、ウェハボートハンドリング装置においてウェハボートを冷却する方法を提供する。より具体的には、当該方法は、本発明に係るウェハボートハンドリング装置を用意する段階と、ウェハボートハンドリング装置が有する少なくとも1つのウェハボート支持部にウェハボートを用意する段階と、ウェハボートを冷却位置まで搬送する段階と、ウェハボートからの熱放射を壁部を利用して吸収する段階とを備える。
当該方法の利点は、ウェハボートハンドリング装置および縦型バッチ炉に関して上述した利点と同様である。
先行技術に対する利点および本発明を要約することを目的として、本発明の目的および利点を上述した。言うまでもなく、このような目的または利点の全てが本発明の任意の特定の実施形態で必ずしも実現され得るわけではないと理解されたい。このため、例えば、当業者であれば、本発明の具現化または実行に際して、本明細書で教示または示唆される一または複数の利点が実現または最適化されるが、必ずしも本明細書で教示または示唆される他の目的または利点が実現されるものではないことを認めるであろう。
従属項においてさまざまな実施形態を請求するが、図面に図示している例を参照しつつさらに説明する。これらの実施形態は組み合わせるとしてもよいし、または、互いに別々に適用するとしてもよい。
これらの実施形態はすべて、本明細書で開示した本発明の範囲に含まれるものとする。上記およびその他の実施形態は、添付図面を参照することで、以下に記載する実施形態の詳細な説明から、当業者には容易に明らかになるであろう。本発明は開示しているどの特定の実施形態にも限定されるものではない。
本明細書の結論となる請求項では本発明の実施形態とみなしている内容を具体的に指摘すると共に明確に請求しているが、本開示の実施形態の利点は、添付図面を参照しつつ読むことで本開示の実施形態例の説明からより容易に理解され得るものである。添付図面は以下の通りである。
本願では同様または対応する特徴は同様または対応する参照符号で表す。さまざまな実施形態の説明は図面に図示した例に限定されるものではなく、詳細な説明および請求項で用いる参照番号は、実施形態の説明を限定することを意図したものではなく、図面に図示した例を参照することで実施形態を明確にするために記載している。
特定の実施形態および例を以下で開示するが、本発明の範囲は、具体的に開示した実施形態および/または本発明の利用、ならびに、それらから自明である変形例および均等例よりも広いことは、当業者であれば理解するであろう。このように、開示している本発明の範囲は以下で説明する具体的に開示した実施形態によって限定されるべきではないことを意図している。本願で提示する図面は、任意の具体的な材料、構造または装置の実際の見え方であることを意味するものではなく、本開示の実施形態を説明するために用いられる理想的な表現に過ぎない。
本明細書で用いる場合、「ウェハ」という用語は、利用され得る1もしくは複数の原材料を意味するものであるとしてよく、または、装置、回路もしくはフィルムを上面に形成するための1もしくは複数の原材料を意味するものであるとしてよい。
最も一般的な言葉で説明すると、本開示は、縦型バッチ炉の処理チャンバの下方に配置されるよう構成されているウェハボートハンドリング装置10を提供する。縦型バッチ炉は、ウェハボート12に収容されている複数のウェハを処理するよう構成されているとしてよい。ウェハボートハンドリング装置10は、主筐体と、ボート搬送部20とを備えるとしてよい。主筐体14は、ウェハボートハンドリング空間18を画定している壁16を持つとしてよい。ボート搬送部20は、ウェハボート12を支持する少なくとも1つのウェハボート支持部22を有するとしてよく、ウェハボートハンドリング空間18内の冷却位置24までウェハボート12を搬送するよう構成されているとしてよい。壁のうち冷却位置24に隣接する部分は、ウェハボート12から熱放射吸収によって熱を取り去るべく、熱放射表面吸収率が少なくとも0.6である壁部26を含む。熱放射表面吸収率とは、入射する熱放射に対する吸収された熱放射の割合である。壁部26は金属製であるとしてよい。
冷却位置に隣接する壁部26は、熱放射表面吸収率が0.6から0.99の間であるとしてよい。熱放射表面吸収率は、ウェハボートの温度が赤外スペクトルに影響を与えるので、ウェハボートの温度の関数として変化するとしてよい。壁部26の(室温での)熱放射表面吸収率は、ウェハを搭載したウェハボートの温度が摂氏70度から摂氏200度の範囲内にある場合、0.6から0.99の間であるとしてよい。壁部26の(室温での)熱放射表面吸収率は、ウェハを搭載したウェハボートの温度が摂氏70度から摂氏100度の範囲内にある場合、0.65から0.95の間であるとしてよい。
言うまでもなく、壁部のうち少なくとも、ウェハボートハンドリング空間、特に、冷却位置にあるウェハボートに面している側は、ウェハボート12から熱を熱放射吸収によって取り去るべく、熱放射表面吸収率が少なくとも0.6となっているとしてよい。ウェハボートは、冷却位置において冷却している間、温度が摂氏25度から摂氏800度であるとしてよい。
ある実施形態において、壁部26は金属製であるとしてよい。金属には、陽極酸化アルミニウムが含まれるとしてよい。陽極酸化アルミニウムを原料とする壁部の熱放射表面吸収率は、0.6から0.99の間であるとしてよい。
これに代えて、または、これに加えて、壁部26は塗料が塗られた金属壁部を含むとしてよい。塗料が塗られた金属壁部の熱放射表面吸収率は、0.6から0.99の間であるとしてよい。
この結果、陽極酸化アルミニウムおよび塗料が塗られた金属面はどちらも、熱放射吸収を改善するとしてよい。このため、ウェハボートは、例えば、ウェハボートが炉から搬出された時点の温度である摂氏300度から摂氏800度の間から、冷却が終了する時点の温度である摂氏25度から摂氏100度の間まで、より短時間で冷却されるとしてよい。つまり、ウェハボートにある処理済みのウェハを取り出すタイミングが早くなり、ウェハボートハンドリング装置の運転効率が上がるとしてよい。
ある実施形態において、壁部26は、壁部26を冷却するよう液体冷却剤が利用時に流れるよう形成および配置されている冷却チャネル30を含むとしてよい。壁部26は、ウェハボート12からの熱放射を吸収することによって、温度が上昇するとしてよい。冷却チャネルを流れる液体によって壁部26を冷却することによって、液体冷却材は壁部26が吸収する熱を放出するとしてよい。これによって、壁部26の温度が高くなり過ぎないように抑制する。
冷却チャネル30に加えて、または、代えて、壁部26はウェハボート12から熱を取り去るヒートシンクとして構成されるとしてもよい。このため、壁部26は、壁部26がヒートシンクとして機能するような厚みになっているとしてよい。
これに代えて、または、これに加えて、壁部26のうちウェハボートハンドリング空間18の反対側の外面62は、熱交換面拡大形状を持つので、壁部26はヒートシンクとして機能するとしてよい。熱交換面拡大形状は、フィン、ピン、孔および粗表面のうち少なくとも1つを含む。ヒートシンクは、熱を伝達する受動型の熱交換器である。壁部26は、壁部26のうちウェハボートハンドリング空間18に向いた内面28では、ウェハボート12から熱放射を吸収する。壁部26は、ヒートシンクとして具現化されている壁部26のうち外面62では、吸収した熱を、例えば、放射および/または対流によって放出しているとしてよい。吸収した熱の放射および/または対流は、フィン、ピン、孔および/または粗表面等の表面拡大形状によって効果が高められるとしてよい。ヒートシンクは、上述した冷却チャネル30のように能動型の熱交換器を含むとしてもよいが、必須ではない。ヒートシンクは、ヒートパイプ等の受動型の熱交換器を含むとしてもよい。
ある実施形態において、ボート搬送部20は、少なくとも2つのウェハボート支持部を含む回転可能テーブル34を有するとしてよい。回転可能テーブル34は、主筐体14の内部で中心の垂直軸36を中心として回転可能であり、複数の回転位置に位置決めが可能である。回転可能テーブル34には垂直方向に延在する壁構造38が実装されているとしてよく、壁構造38は、各ウェハボート支持部22において、対応する垂直方向に延在するウェハボートチャンバ40を少なくとも部分的に画定するとしてよい。回転可能テーブル34は、ウェハボートチャンバ40毎に、当該ウェハボートチャンバおよびその内部に収容されているウェハボートが冷却位置24に位置決めされる回転位置を持つとしてよい。
ボート搬送部20についてはさまざまな実施形態が公知である。本実施形態では、ボート搬送部20は、回転可能テーブル34および垂直方向に延在する壁構造38を有する。回転可能テーブル34および壁構造38を組み合わせたものは、カルーセルとしても公知である。回転可能テーブル34は、ウェハボート12を冷却するべく、自身が有するウェハ支持部22を、ウェハ支持部22上に配置されているウェハボート12と共に冷却位置24まで回転させるとしてよい。回転可能テーブル34を回転させることでウェハボートチャンバ40およびその内部に収容されているウェハボートを他の回転位置まで移動させるが、そのような回転位置には、垂直方向にウェハボート12を処理チャンバ66に投入すると共にウェハボート12を処理チャンバ66から受け取るための投入/受け取り位置、および、可能であれば主筐体14の壁16に設けられている開口を通してウェハボート12との間でウェハを搬送するための搬送位置が含まれる。
垂直方向に延在する壁構造38を有する回転可能テーブル34を利用する利点としては、垂直方向に延在する壁構造38によって形成されているウェハボートチャンバ40毎に、ミニエンバイロメントが形成され得る点が挙げられる。つまり、第1のウェハボートチャンバ40にあるウェハボート12は、第2のウェハボートチャンバ38にあるウェハボート12から到来する破片の影響を受けない。実際のところ、各ウェハボートチャンバ40には調整されたミニエンバイロメントが形成されている。これによって、ウェハ汚染の可能性が大幅に減る。
ある実施形態において、ウェハボートハンドリング装置はさらに、気体循環システム42を備えるとしてよい。気体循環システム42は、ウェハボートハンドリング空間18に気体を供給すると共にウェハボートハンドリング空間18から気体を排出させることで、ウェハボートハンドリング装置10の主筐体14内にミニエンバイロメントを形成する。気体循環システム42は、気体循環システム用熱交換器44を有するとしてよい。気体循環システム用熱交換器44は、対流により冷却位置24にあるウェハボート12から熱を取り去るべく、ウェハボートハンドリング空間18に供給される気体を冷却する。
気体循環システム42は、ウェハボートおよびウェハボートにあるウェハを冷却するための第2の方法を提供する。ウェハを搭載したウェハボート12を冷却する第1の方法は、壁部26の熱放射表面吸収率を少なくとも0.60として、熱放射を吸収する方法である。ウェハを搭載したウェハボート12を冷却する第2の方法は、熱対流を利用する方法である。熱対流は、冷却された気体をウェハボートハンドリング装置に、特に、冷却位置にあるウェハボートチャンバ40に少なくとも供給することで高められる。対流を利用して、ウェハボート12およびウェハから、気体循環システム42が供給する冷却された気体へと熱を伝達させる。高温のウェハを搭載したウェハボートから熱を取り去るために2つの方法を適用することで、ウェハボートハンドリング装置10の冷却機能が高められるので、冷却時間が短くなる。
ある実施形態において、気体循環システム42は、少なくとも冷却位置24にあるウェハボートチャンバ40に気体を供給するよう構成されているとしてよい。全てのウェハボートチャンバ40を冷却する必要があるわけではない。冷却位置24にあるウェハを搭載したウェハボート12を冷却するだけで十分であるとしてよい。
ある実施形態において、気体循環システム42は、気体供給エリア、気体排出エリア50、流入ダクト54、流出ダクト56および再循環チャネルを有するとしてよい。図2に図示している流出ダクト56は、垂直方向に延在する壁構造38によって画定されている。別の実施形態では、垂直方向に延在する壁構造38の周方向壁部38aを省略して、流出ダクト56が直接主筐体14の壁16によって画定されるようにするとしてもよい。この実施形態では、主筐体14の壁16のうち、冷却位置にあるウェハボートに対応付けられている流出ダクト56を画定している部分もまた、熱放射表面吸収率が少なくとも0.6であるとしてよく、別の実施形態では、冷却チャネルを含むとしてよい。本実施形態によればさらに、冷却効果が改善されるとしてよい。流出ダクト56は、垂直方向に延在する壁構造38と主筐体14の壁16との間の通路として具現化されているとしてよい。各ウェハボートチャンバ40内の気体供給エリア46は、垂直方向に延在する壁構造38に分散して設けられている複数の気体供給開口を含むとしてよい。各ウェハボートチャンバ40内の気体排出エリア50は、ウェハボートチャンバ40が冷却位置24にある場合に少なくとも、複数の気体排出開口を含むとしてよい。流入ダクト54は、気体供給開口と流体連通しているとしてよい。流出ダクト56は、気体排出開口と流体連通しているとしてよい。再循環チャネルは、流出ダクト56から流入ダクト54まで延在しているとしてよく、少なくとも1つの気体配流器を含むとしてよい。このため、気体循環システム42は、閉ループの循環システムを形成する。気体配流器は、再循環チャネルを通るように、そして、気体循環システム42を通るように、気体を配流して、冷却位置にあるウェハを搭載したウェハボート12を少なくとも冷却するとしてよい。流入ダクト54および/または流出ダクト56は、垂直方向に延在する壁構造38によって形成されるとしてよい。そして、ダクト54、56は両方とも、回転可能テーブル34上のウェハボートチャンバ40と共に回転する。
気体排出エリア50のうち少なくとも複数の気体排出開口が設けられている部分は、熱放射表面吸収率が少なくとも0.60である壁部26に設けられているとしてよい。このようにすることで、流出ダクト56は、流出ダクト56は回転可能テーブル34と共に回転する必要がないが主筐体14に接続され得るように、形成されるとしてよい。これによって、流出ダクト56の形成は技術的に難易度が下がるのでコストが下がる。
ある実施形態において、冷却チャネル30は、気体循環システム用熱交換器44の一部である複数の冷却チャネル30を含むとしてよい。複数の冷却チャネル30はこのため、壁部26と同時に、気体循環システム42内の気体を冷却するとしてよい。冷却チャネル30の冷却機能は、金属壁部26が吸収する熱放射および対流によって気体が吸収する熱が、冷却チャネル30内の液体冷却材によって取り去られるように、設定されているとしてよい。このため、効果的な冷却効果が得られる。
ある実施形態において、垂直方向に延在する壁構造38は、ウェハボート12が放射する熱を壁部26の方向に反射するように構成されている反射面を含むとしてよい。ウェハボート12から放射される熱は通常、壁部26に向かって放射されるだけでなく、ウェハボート12の周方向において全体から放射される。つまり、ウェハボートハンドリング装置10の他の部分もこの熱放射を受け取るということである。垂直方向に延在する壁構造38の反射面は、この熱放射を吸収する代わりに、壁部26の方向に熱放射を反射する。これによって、壁部26による熱放射の吸収が増加するので、ウェハボートハンドリング装置の冷却効率が高まる。
本開示はさらに、ウェハボート12に収容されているウェハを処理する処理チャンバ66と、処理チャンバ66の下方に配置されている本発明に係るウェハボートハンドリング装置10と、ウェハボートハンドリング装置10から処理チャンバ66へと、そして、逆方向へと、ウェハボート12を搬送するよう構成されている垂直ウェハボートリフトアセンブリ68とを備える縦型バッチ炉アセンブリを提供する。
縦型バッチ炉アセンブリの効果および利点は「発明の概要」部分で説明しており、これらの効果および利点を参照によりここに挿入するものとする。
最後に、本開示は、ウェハボートハンドリング装置10においてウェハボート12を冷却する方法を提供する。当該方法は、本発明に係るウェハボートハンドリング装置10を用意する段階と、ウェハボートハンドリング装置10が有する少なくとも1つのウェハボート支持部22にウェハボート12を用意する段階と、ウェハボート12を冷却位置24まで搬送する段階と、熱放射表面吸収率が少なくとも0.60である壁部26を利用してウェハボート12からの熱放射を吸収する段階とを備える。
当該方法の効果および利点は「発明の概要」部分で説明しており、これらの効果および利点を参照によりここに挿入するものとする。
ある実施形態において、当該方法はさらに、ウェハボートハンドリング空間18に供給される気体を冷却して、対流により冷却位置24にあるウェハボート12から熱を取り去る段階を備える。
熱放射を吸収することでウェハボート12を冷却することに加えて、冷却された気体が、ウェハボート12を冷却する第2の方法を実現する。つまり、ウェハボートハンドリング空間18に供給される冷却された気体を利用した熱の対流によって、冷却を行う。これによってさらに、ウェハボートハンドリング装置10の冷却機能が高まる。
部分的に添付図面を参照しつつ本発明の実施形態例を上述してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではないと理解されたい。当業者であれば、特許請求された発明を実施する際に、図面、明細書、および添付の特許請求の範囲を検討することによって、開示した実施形態に対する変形例に想到し実現することができる。
本明細書で「一実施形態」または「実施形態」と言及する場合、当該実施形態に関連して記述される特定の特徴、構造または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書で何度も「一実施形態において」または「ある実施形態において」という表現が見られるが、必ずしも全て同じ実施形態を指しているわけではない。
さらに、上述したさまざまな実施形態のうち1または複数の実施形態の特定の特徴、構造または特性は、それぞれ別個に利用および実装され得るものであり、任意の適切な方法で組み合わせて、明示的に説明されていない新たな実施形態を構成するとしてもよいことに留意されたい。詳細な説明および請求項で記載した参照番号は、実施形態に説明を限定するものではなく、請求項を限定するものでもない。参照番号は説明を明確にすることのみを目的として用いている。
10−ウェハボートハンドリング装置
12−ウェハボート
14−主筐体
16−壁
18−ウェハボートハンドリング空間
20−ボート搬送部
22−ウェハボート支持部
24−冷却位置
26−壁部
28−壁部内面
30−冷却チャネル
34−回転可能テーブル
36−中心の垂直軸
38−垂直方向に延在する壁構造
40−ウェハボートチャンバ
42−気体循環システム
44−気体循環熱交換器
46−気体供給エリア
50−気体排出エリア
54−流入ダクト
56−流出ダクト
62−壁部外面
66−処理チャンバ
68−垂直ウェハボートリフトアセンブリ
12−ウェハボート
14−主筐体
16−壁
18−ウェハボートハンドリング空間
20−ボート搬送部
22−ウェハボート支持部
24−冷却位置
26−壁部
28−壁部内面
30−冷却チャネル
34−回転可能テーブル
36−中心の垂直軸
38−垂直方向に延在する壁構造
40−ウェハボートチャンバ
42−気体循環システム
44−気体循環熱交換器
46−気体供給エリア
50−気体排出エリア
54−流入ダクト
56−流出ダクト
62−壁部外面
66−処理チャンバ
68−垂直ウェハボートリフトアセンブリ
Claims (17)
- 縦型バッチ炉の処理チャンバの下方に配置されるように構成されているウェハボートハンドリング装置であって、前記ウェハボートハンドリング装置は、
ウェハボートハンドリング空間を画定している壁を有する主筐体と、
ウェハボートを支持する少なくとも1つのウェハボート支持部を有し、前記ウェハボートハンドリング空間内の冷却位置まで前記ウェハボートを搬送するよう構成されているボート搬送部と
を備え、
前記壁のうち前記冷却位置に隣接する部分は、前記冷却位置にある前記ウェハボートから熱放射吸収によって熱を取り去るべく熱放射表面吸収率が少なくとも0.6である壁部である
ウェハボートハンドリング装置。 - 前記壁部は金属壁部である、請求項1に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記金属壁部は陽極酸化アルミニウム壁部である、請求項2に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記壁部は塗料が塗られた金属壁部を含む、請求項1に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記壁部は、前記壁部を冷却するべく液体冷却剤が利用時に流れるよう形成および配置されている冷却チャネルを含む、請求項1から4の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記ボート搬送部は、
少なくとも2つのウェハボート支持部を含む回転可能テーブルであって、前記主筐体の内部で中心の垂直軸を中心として回転可能であり、複数の回転位置に位置決めが可能である回転可能テーブルと、
前記回転可能テーブルに実装されている垂直方向に延在する壁構造であって、各ウェハボート支持部において、対応する垂直方向に延在するウェハボートチャンバを少なくとも部分的に画定する、垂直方向に延在する壁構造と
を有し、
前記回転可能テーブルは、ウェハボートチャンバ毎に、前記ウェハボートチャンバおよび内部に収容されている前記ウェハボートが前記冷却位置に位置決めされる回転位置を持つ
請求項1から5の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置。 - 前記ウェハボートハンドリング装置は、
前記ウェハボートハンドリング空間に気体を供給し、および、前記ウェハボートハンドリング空間から前記気体を取り出すことで、前記ウェハボートハンドリング装置の前記主筐体内にミニエンバイロメントを形成する気体循環システム
をさらに備え、
前記気体循環システムは、前記冷却位置にある前記ウェハボートから対流により熱を取り去るべく、前記ウェハボートハンドリング空間に供給される前記気体を冷却する気体循環システム用熱交換器を有する、
請求項1から6の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置。 - 前記気体循環システムは、前記冷却位置にある前記ウェハボートチャンバに少なくとも、前記気体を供給するよう構成されている、請求項6および7の組み合わせに記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記気体循環システムは、
各ウェハボートチャンバ内にある気体供給エリアであって、前記垂直方向に延在する壁構造に分散して設けられている複数の気体供給開口を含む気体供給エリアと、
各ウェハボートチャンバ内にある気体排出エリアであって、前記ウェハボートチャンバが前記冷却位置にある場合に少なくとも、複数の気体排出開口を含む気体排出エリアと、
前記複数の気体供給開口と流体連通している流入ダクトと、
前記複数の気体排出開口と流体連通している流出ダクトと、
前記流出ダクトから前記流入ダクトまで延在し、少なくとも1つの気体配流器を含む再循環チャネルと
を有する、請求項8に記載のウェハボートハンドリング装置。 - 前記気体排出エリアのうち少なくとも前記複数の気体排出開口を含む部分は、熱放射表面吸収率が少なくとも0.6である前記壁部に設けられている、請求項9に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記冷却チャネルは、前記気体循環システム用熱交換器の一部である複数の冷却チャネルを含み、前記複数の冷却チャネルの冷却機能は、前記壁部が吸収する熱放射および対流によって前記気体が吸収する熱が前記複数の冷却チャネル内の前記液体冷却剤によって取り去られるように設定されている、請求項5および10の組み合わせに記載されているウェハボートハンドリング装置。
- 前記垂直方向に延在する壁構造は、前記ウェハボートが放射する熱を前記壁部の方向に反射するよう構成されている反射面を含む
少なくとも請求項6に従属している、請求項1から11の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置。 - 前記壁部は、前記壁部がヒートシンクとして機能するような厚みを持つ、請求項1から12の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 前記壁部のうち前記ウェハボートハンドリング空間とは反対側の外面が熱交換面拡大形状を持つことにより、前記壁部はヒートシンクとして機能し、前記熱交換面拡大形状は、フィン、ピン、孔および粗表面のうち少なくとも1つを含む、請求項1から13の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置。
- 縦型バッチ炉アセンブリであって、
ウェハボートに収容されているウェハを処理する処理チャンバと、
請求項1から14の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置であって、前記処理チャンバの下方に配置されているウェハボートハンドリング装置と、
前記ウェハボートハンドリング装置から前記処理チャンバへと、そして、逆方向へと、ウェハボートを搬送するよう構成されている垂直ウェハボートリフトアセンブリと
を備える、縦型バッチ炉アセンブリ。 - ウェハボートハンドリング装置においてウェハボートを冷却する方法であって、前記方法は、
請求項1から14の何れか一項に記載のウェハボートハンドリング装置を用意する段階と、
前記ウェハボートハンドリング装置が有する前記少なくとも1つのウェハボート支持部上にウェハボートを用意する段階と、
前記ウェハボートを前記冷却位置まで搬送する段階と、
前記ウェハボートからの熱放射を、熱放射表面吸収率が少なくとも0.6である前記壁部を利用して吸収する段階と
を備える、方法。 - ウェハボートハンドリング装置においてウェハボートを冷却する方法であって、前記方法はさらに、
前記ウェハボートハンドリング空間に供給される気体を冷却する段階と、
前記冷却位置にある前記ウェハボートから対流を利用して熱を取り去る段階と
を備える、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962848758P | 2019-05-16 | 2019-05-16 | |
US62/848,758 | 2019-05-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020188254A true JP2020188254A (ja) | 2020-11-19 |
Family
ID=73222079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020074463A Pending JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-04-20 | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200365434A1 (ja) |
JP (1) | JP2020188254A (ja) |
KR (1) | KR20200133175A (ja) |
CN (1) | CN111952227A (ja) |
TW (1) | TW202109708A (ja) |
Families Citing this family (210)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
CN112652532A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体结构的形成方法 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN114203861B (zh) * | 2021-11-26 | 2022-06-14 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种太阳能光伏电池低压水平热处理多功能系统 |
CN114188253B (zh) * | 2021-12-03 | 2022-12-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备的片舟暂存装置及半导体设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3149206B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
NL9200446A (nl) * | 1992-03-10 | 1993-10-01 | Tempress B V | Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers). |
KR100251873B1 (ko) * | 1993-01-21 | 2000-04-15 | 마쓰바 구니유키 | 종형 열처리 장치 |
NL1005102C2 (nl) * | 1997-01-27 | 1998-07-29 | Advanced Semiconductor Mat | Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. |
US6957690B1 (en) * | 1998-09-10 | 2005-10-25 | Asm America, Inc. | Apparatus for thermal treatment of substrates |
US20080196429A1 (en) * | 2002-02-11 | 2008-08-21 | The Trustees Of Dartmouth College | Pulse Electrothermal And Heat-Storage Ice Detachment Apparatus And Method |
US7731797B2 (en) * | 2004-11-01 | 2010-06-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP2013062317A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板冷却機構および基板冷却方法ならびに熱処理装置 |
JP6159536B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2017-07-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理装置の保守方法及び移載方法並びにプログラム |
-
2020
- 2020-04-20 JP JP2020074463A patent/JP2020188254A/ja active Pending
- 2020-04-21 TW TW109113387A patent/TW202109708A/zh unknown
- 2020-04-27 KR KR1020200050717A patent/KR20200133175A/ko active Search and Examination
- 2020-05-12 CN CN202010398045.4A patent/CN111952227A/zh active Pending
- 2020-05-14 US US16/874,452 patent/US20200365434A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111952227A (zh) | 2020-11-17 |
TW202109708A (zh) | 2021-03-01 |
US20200365434A1 (en) | 2020-11-19 |
KR20200133175A (ko) | 2020-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020188254A (ja) | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 | |
US6450803B2 (en) | Heat treatment apparatus | |
KR100886023B1 (ko) | 가열처리장치 | |
CN1854908B (zh) | 加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法 | |
TWI389212B (zh) | 熱處理裝置、熱處理方法及記憶媒體 | |
JP2004503074A (ja) | プロセスチャンバー冷却 | |
CN100398696C (zh) | 单晶片腔室中的无辐射率变化泵送板套件 | |
CN108022868A (zh) | 基板支撑装置、包括其的基板处理系统及基板处理方法 | |
US8222569B2 (en) | Heat-treating apparatus, heat-treating method and storage medium | |
KR20170008834A (ko) | 저압 열 프로세스들을 위한 광 파이프 구조물 윈도우 | |
KR102242013B1 (ko) | 웨이퍼 보트 냉각 장치 | |
TW389950B (en) | Temperature control device | |
CN105009260A (zh) | 热耦合的石英圆顶热沉 | |
JP4791303B2 (ja) | 基板処理装置およびこの装置に用いられる冷却手段、icの製造方法 | |
JP3279727B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4079596B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JPH09280756A (ja) | マルチ温度制御システム及び同システムが適用された反応処理装置 | |
JP3364055B2 (ja) | 基板冷却装置 | |
JP4021140B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
TWI823437B (zh) | 加熱處理裝置 | |
JP2022039683A (ja) | 光源ユニット及び光照射装置 | |
US20230341186A1 (en) | Air shrouds with integrated heat exchanger | |
US20240105498A1 (en) | Apparatus for processing substrate | |
JP2008235570A (ja) | 基板加熱・冷却処理装置 | |
JPH094953A (ja) | 基板冷却装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230322 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20230830 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20230908 |