NL1005102C2 - Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. - Google Patents
Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1005102C2 NL1005102C2 NL1005102A NL1005102A NL1005102C2 NL 1005102 C2 NL1005102 C2 NL 1005102C2 NL 1005102 A NL1005102 A NL 1005102A NL 1005102 A NL1005102 A NL 1005102A NL 1005102 C2 NL1005102 C2 NL 1005102C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- treatment
- semiconductor
- reactor
- turntable
- semiconductor wafers
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven, omvattende ten minste één 5 behandelingsruimte met een sluissysteem waarbij in die ten minste ene behandelingsruimte zijn aangebracht een reactor alsmede toe- en af-voermiddelen voor het verplaatsen van die halfgeleiderschijven naar en van die reactor.
Een dergelijke inrichting is bekend uit het Amerikaanse octrooi-10 schrift 5-^07.4^9 van aanvrager. Daarbij is een aantal behandelings-ruimten om een centraal gelegen verdeelsysteem respectievelijk robot-constructie aangebracht. Vanuit deze centraal gelegen robot worden halfgeleiderschijven overgeplaatst op draaiplateaus die zich in elk van de behandelingsruimten bevinden. In het algemeen gebeurt dit met 15 het overbrengen van halfgeleiderschijven aangebracht in een boot op een draaiplateau in een van de behandelingsruimten naar een boot aangebracht op een draaiplateau in de andere van de behandelingsruimten.
In elke behandelingsruimte wordt een behandeling uitgevoerd zoals het doteren van bepaalde stoffen en het wegnemen en/of aanbrengen van 20 (delen van) lagen op de halfgeleiderschijven. Daartoe worden in reactoren zoals ovens onder verhoogde temperatuur behandelingen uitgevoerd. Daarna is het noodzakelijk om de schijven onder gestuurde omstandigheden af te laten koelen alvorens verdere behandelingen plaats kunnen vinden. Een dergelijk afkoelen kan binnen de betreffende behan-25 delingsruimte plaatsvinden maar eveneens in een andere behandelingsruimte uitgevoerd worden.
In de techniek is een streven naar steeds verdere vergroting van de halfgeleiderschijven, d.w.z. steeds verdergaande integratie waarneembaar. Daardoor neemt zeker bij kleine series de waarde van een 30 reeks halfgeleiderschijven in een boot steeds verder toe en neemt het kapitaalrisico verbonden met het mislukken van een bepaalde behandeling steeds verder toe. Bovendien bestaat vraag naar het vergroten van de capaciteit van inrichtingen voor het behandelen van halfgeleiderschi jven.
35 Een voorstel in de stand der techniek omvat het aanbrengen van verschillende elk gesloten zijnde behandelingsruimten die elk dezelfde behandeling uitvoeren. Dat wil zeggen, een bepaalde reeks halfgelei-derschijven wordt aan een behandelingsruimte toegevoerd en ontvangt 1005102 2 daar een behandeling terwijl een andere reeks toegevoerd wordt aan een andere behandelingsruimte maar daar dezelfde behandeling ontvangt. Hierdoor wordt een eerste besparing verkregen omdat er gebruik gemaakt kan worden van de gemeenschappelijke robot resp. het gemeenschappelijk 5 verdeelsysteem en de gemeenschappelijke toe- en afvoer uit het stelsel. Gebleken is dat hoewel een dergelijk systeem in bepaalde gevallen functioneert vooral bij langere verblijftijd van de halfgeleiderschij-ven in de behandelingsruimten, in veel toepassingen de capaciteit van het verdeelsysteem en meer in het bijzonder de daarin aangebrachte 10 robot het knelpunt in de capaciteit van een dergelijke inrichting vormt.
Door bij een dergelijk systeem tevens een boot met te behandelen halfgeleiderschijven in de "wachtstand" te zetten, wordt in drie posities voorzien in een dergelijke behandelingsruimte waardoor optimale 15 benutting verwezenlijkt kan worden. Dat wil zeggen, drie boten zijn op een draaiplatform in een dergelijke constructie aanwezig. Begrepen zal worden dat dit aantal groter kan zijn.
Het doel van de onderhavige uitvinding is in verdere vergroting van de behandelingscapaciteit van een hierboven beschreven inrichting 20 te voorzien zonder dat het noodzakelijk is het verdeelsysteem uit te breiden bij een zo efficiënt mogelijke benutting van het betreffende vloeroppervlak. Dit is van belang omdat de inrichting in het algemeen in een "clean room" opgesteld zal zijn.
Dit doel wordt bij een hierboven beschreven inrichting verwezen-25 lijkt doordat in die ene behandelingsruimte ten minste een tweede reactor is aangebracht, voorzien van tweede aan- en afvoermiddelen voor het verplaatsen van de halfgeleiderschijven, waarbij die eerste en tweede afvoermiddelen ingericht zijn voor het voorzien in parallelle toe- resp. afvoer van die halfgeleiderschijven.
30 Verrassenderwijs is gebleken dat door het aanbrengen van twee reactoren in een behandelingsruimte, d.w.z. niet langer door het verdeelsysteem gescheiden, zonder het wezenlijk vergroten van het vloeroppervlak de capaciteit aanzienlijk vergroot kan worden. Bovendien is het niet noodzakelijk in een afzonderlijke opsluiting voor de reacto-35 ren te voorzien hetgeen kostprijsverlagend werkt. Volgens de uitvinding wordt bij het toevoeren van halfgeleiderschijven aan de cassettes op het draaiplateau van de betreffende behandelingsruimte bij voorkeur een eerste serie halfgeleiderschijven door de eerste reactor behandeld 1 0 0 5 1 0 2 3 en een tweede serie halfgeleiderschijven door de tweede reactor waarbij de behandeling in die twee reactoren gelijk kan zijn. Het laden van de behandelingsruimten kan met de draaiplateauconstructie bekend uit het Amerikaanse octrooischrif t 5 .^07*^9 plaatsvinden. Dat wil 5 zeggen, het is mogelijk met een draaiplateau te werken dat drie posities voor de boten kent. Daarbij vervalt, indien het afkoelen van belang is, voor een belangrijk deel de wachtstand van de halfgeleiderschi jven alvorens deze uit de reactor genomen worden. Dit is enerzijds op te lossen door in een draaiplateau met vier posities voor de cas-10 settes te voorzien, maar in andere gevallen zal dit niet van belang zijn omdat de verhouding tussen de afkoeltijd en de behandelingstijd zodanig is dat de behandelingsti jd langer is dan de helft van de afkoeltijd zodat voldoende tijd overblijft om de afgekoelde halfgeleiderschi jven uit de behandelingsruimte te nemen en te vervangen door te 15 behandelen schijven.
De reactoren kunnen elk soort reactor omvatten maar bestaan bij voorkeur uit twee behandelingsovens. Begrepen zal worden dat het idee volgens de uitvinding uit te breiden is tot een behandelingsruimte waarin zich drie of meer reactoren bevinden. In dat geval zal het 20 draaiplateau meer dan drie posities moeten kennen of zal de constructie met het draaiplateau anders uitgevoerd dienen te zijn.
Bij de hierboven beschreven constructies is vanzelfsprekend evenals in het Amerikaanse octrooischrift 5-^07.449 behalve een draaiplateau ook een hefmiddel aanwezig voor elke reactor om de betreffende 25 cassette van het draaiplateau af te nemen en in de reactor te brengen en daar weer uit af te voeren.
De uitvinding zal hieronder nader aan de hand van in de tekening afgebeelde uitvoeringsvoorbeelden uiteengezet worden. Daarbij tonen:
Fig. 1 schematisch in bovenaanzicht een inrichting volgens de 30 stand der techniek;
Fig. 2 schematisch in bovenaanzicht een deel van de inrichting volgens fig. 1 in gewijzigde uitvoering waarbij bovendien de constructie volgens de uitvinding aangebracht is;
Fig. 3 in perspectivisch aanzicht een deel van de inrichting vol-35 gens fig. 2; en
Fig. ka-c een wijze voor het laden resp. ontladen van de behandelingsruimte volgens de uitvinding.
De in fig. 1 afgebeelde inrichting is bedoeld voor het behandelen 1005102 4 van schijven met microschakelingen, die in het algemeen aangeduid worden met de uitdrukking halfgeleiderschijven of wafers. Deze halfge-leiderschijven worden aan een aantal behandelingen onderworpen teneinde geïntegreerde schakelingen op het oppervlak daarvan te vormen, die 5 later uit de schijf gesneden worden en verder behandeld worden.
Met gebruik van de in fig. 1 getoonde inrichting 1 kunnen drie eventueel opeenvolgende behandelingen aan dergelijke schijven uitgevoerd worden.
Het is gebruikelijk om de schijven in cassettes te transporteren 10 waarvan een aantal 9 in bovenaanzicht in fig. 1 in het toevoerstation 2 getoond is. Toevoerstation 2 omvat een draaitafel k waarin zes van dergelijke cassettes geplaatst kunnen worden op drie verschillende niveaus, zodat deze tafel 4 totaal achttien cassettes kan omvatten.
De toevoereenheid 2 is via wand 3 met een "clean room" verbonden, 15 waarin een atmosfeer met zeer laag stofaandeel gehandhaafd wordt. Via een inlaatpunt 5 kunnen de cassettes 9 op de draaitafel k geplaatst worden. Het inlaatpunt 5 kan verbonden worden met een speciale toevoereenheid (niet afgebeeld) welke een sluis omvat en zo verzekert dat indien de cassettes ingebracht worden geen ongewenste gassen, in het 20 bijzonder zuurstof, het inwendige van de inrichting 1 binnentreden.
Zoals duidelijk uit fig. 1 is, heeft de eenheid 2 in dwarsdoorsnede een tenminste gedeeltelijk regelmatige polygonale omtrek, d.w.z. drie wanden van eenheid 2 in fig. 1 maken deel uit van een regelmatig achtkant in dwarsdoorsnede. De behandelingsstations 10, 11 en 12 heb-25 ben eveneens in dwarsdoorsnede een ten minste gedeeltelijk regelmatige polygonale omtrek. De eenheden 2, 10, 11 en 12 zijn als afzonderlijke eenheden uitgevoerd die met andere eenheden verbonden zijn nabij de zijden, zoals zijde 7 van de regelmatige polygonale omtrek.
In de inrichting 1 wordt de centrale eenheid gevormd door de ver-30 deeleenheid 8, die in een roboteenheid omvat. Deze roboteenheid 8 kan schijven 13 uit cassettes 9 nemen en deze in dragers voor schijven zoals boten in de behandelingsstations 10, 11 en 12 plaatsen. Na de behandeling verwijdert de robot 8 opnieuw de behandelde schijven uit de boten van het behandelingsstation en plaatst deze in een volgend 35 behandelingsstation of in een lege cassette 9 die door middel van de draaitafel 4 in een bepaalde positie geplaatst is. De cassettes 9 niet behandelde schijven 13 kunnen uit het toevoerstation 2 verwijderd worden via uitlaat 6 die een afzonderlijk uitlaatstation kan omvatten 1 0 0 5 1 02 5 met bijvoorbeeld een sluis op dezelfde wijze als inlaatpunt 5·
In elk van de behandelingsruimten 10, 11, 12 is een niet nader afgebeelde reactor aanwezig die zich boven het vlak van tekening bevindt. Deze is aangebracht boven een hefinrichting 17 die een boot met 5 halfgeleiderschijven verplaatst van het draaiplateau 33 in de niet nader afgebeelde reactor zoals een oven.
Dit betekent dat uitgaande van de positie waarin een boot zich bevindt tegenover robot 8 deze boot gevuld wordt met schijven afkomstig uit de betreffende cassette 9 van eenheid 2 of een van de daar 10 voorafgaande behandelingsruimten. Na het vullen van de betreffende boot wordt plateau 33 een positie gedraaid waarbij de betreffende boot in aangrijping gebracht kan worden met de hefmiddelen 17 en in de oven geplaatst kan worden. Na behandeling in de oven wordt de betreffende boot weer terug op plateau 33 geplaatst en een positie verder getrans-15 porteerd ter afkoeling van de zich daarin bevindende halfgeleiderschi jven. Tegelijkertijd wordt een volgende boot halfgeleiderschijven in de reactor geladen. Bij een volgende rotatie bevindt de boot met ten minste gedeeltelijk afgekoelde halfgeleiderschijven zich voor robot 8 en kan ontladen worden in de cassettes in eenheid 2 of in een 20 boot van een volgende behandelingskamer.
Volgens de uitvinding wordt voorgesteld om de behandelingstijd met een dergelijke inrichting te optimaliseren, d.w.z. per vloeroppervlak een groter aantal schijven aan eenzelfde behandeling te kunnen onderwerpen. Daarbij is het tevens van voordeel dat met hetzelfde verdeel-25 systeem, d.w.z. de constructie bevattende robot 8, en met hetzelfde inlaatsysteem gewerkt kan worden. Het voorstel volgens de uitvinding is in fig. 2 afgebeeld. De inrichting volgens de uitvinding is daarin in het geheel met 21 weergegeven en de inlaat resp. uitlaat met 25· Een cassette 9 met wafers 13 wordt daarin gebracht en de scheiding met 30 de "clean room" is met 23 aangegeven. De tafel die vergelijkbaar is met tafel A volgens fig. 1 is thans met 2k aangegeven en via deze worden de cassettes geplaatst tegenover sluissysteem 18. Daarin bevindt zich zoals in fig. 1 een robot 8. In fig. 2 zijn slechts twee behandelingsstations 29 en 30 weergegeven waarbij behandelingsstation 35 29 slechts schematisch aangegeven is. Begrepen dient te worden dat meer behandelingsstations aanwezig kunnen zijn zoals bijvoorbeeld in fig. 1 getoond. Door aanpassing van de vorm kan een veel groter aantal behandelingsstations toegepast worden.
1005102 6
Thans zal de uitvoering van behandelingsruimte 30 besproken worden. Daartoe wordt bovendien verwezen naar fig. 3· Daaruit blijkt dat in tegenstelling tot de stand der techniek twee reactoren 31 en 32 zijn aangebracht. Bovendien zijn twee slechts schematisch afgebeelde 5 hefinrichtingen 3^ en 35 aanwezig. Een en ander wordt gevoed door een gemeenschappelijk draaiplateau 33 dat evenals in de stand der techniek slechts drie posities kent voor het ontvangen van boten.
Het verloop van het ontvangen van cassettes in de boten A, B en C is als voorbeeld in fig. ka-c weergegeven waarbij de draairichting van 10 het plateau 33 met een pijl aangegeven is.
Indien de afkoeltijd een verhoudingsgewijs belangrijke rol speelt in de behandeling is het mogelijk het draaiplateau van vier posities voor het ontvangen van boten te voorzien. In een dergelijk geval zal de opeenvolging van behandeling zoals in fig. 4a-c gewijzigd worden.
15 Het zal voor de vakman duidelijk zijn dat vele varianten mogelijk zijn voor de bediening van de verschillende reactoren, in het bijzonder de aanvoer resp. afvoer van halfgeleiderschijven aangebracht in de boten.
Hoewel de voorkeur aan gegeven wordt in de ovens 31 en 32 dezelfde 20 behandeling uit te voeren, is het goed denkbaar verschillende behandelingen uit te voeren in deze ovens.
Uit het bovenstaande blijkt dat zonder het wezenlijk vergroten van het oppervlak van de inrichting uitsluitend door het toevoegen van een reactor zoals een oven 32 en bijbehorende hefinrichting 35 een aan-25 zienlijke toename van de capaciteit van een behandelingsruimte verkregen kan worden zonder dat verdere technisch gecompliceerde en kostprijs verhogende maatregelen noodzakelijk zijn.
Begrepen moet worden dat de uitvinding die hierboven beschreven is niet beperkt is tot de thans genoemde varianten, maar deze eveneens 30 uitvoeringen omvat die bij de vakman opkomen na het lezen van bovenstaande beschrijving en binnen het bereik van de bijgaande conclusies liggen.
1005102
Claims (7)
1. Inrichting (21) voor het behandelen van halfgeleiderschijven (13), omvattende ten minste één behandelingsruimte (29, 30) met een 5 verdeelsysteem (18) waarbij in die ten minste ene behandelingsruimte (30) zijn aangebracht een reactor (31) alsmede toe- en afvoermiddelen (33, 3*0 voor het verplaatsen van die halfgeleiderschijven naar en van die reactor, met het kenmerk, dat in die ene behandelingsruimte (30) ten minste een tweede reactor is aangebracht, voorzien van tweede aan-10 en afvoermiddelen (35) voor het verplaatsen van de halfgeleiderschij-ven, waarbij die eerste en tweede afvoermiddelen ingericht zijn voor het voorzien in parallelle toe- resp. afvoer van die halfgeleiderschi jven .
2. Inrichting volgens conclusie 1, waarbij die reactoren ingericht 15 zijn voor het uitvoeren van een identieke behandeling.
3. Inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij die reactorens ovens omvatten.
4. Inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij die eerste en tweede aanvoer- en afvoermiddelen een draaiplateau (33) 20 omvatten, dat enerzijds halfgeleiderschijven (in cassettes) ontvangt van resp. afgeeft aan het verdeelsysteem (18) en anderzijds schijven (in boten) afgeeft resp. ontvangt aan inbrengmiddelen (3*4. 35) voor elke reactor.
5. Inrichting volgens conclusie 4, waarbij op dat draaiplateau 25 drie posities voor het ontvangen van halfgeleiderschijven resp. cassettes aangebracht zijn.
6. Inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, omvattende ten minste twee door het sluissysteem te verbinden behandelingskamers (29. 30). 30
7· Inrichting volgens conclusie 6, waarbij elke behandelingskamer ten minste twee reactoren omvat. *#*##**# 1 0 0 5 1 02
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1005102A NL1005102C2 (nl) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. |
US09/355,509 US6607602B1 (en) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | Device for processing semiconductor wafers |
PCT/NL1998/000055 WO1998036444A1 (en) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | Device for processing semiconductor wafers |
JP53334298A JP3403207B2 (ja) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | 半導体ウェーハのプロセス装置 |
AU56828/98A AU5682898A (en) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | Device for processing semiconductor wafers |
KR10-1999-7006750A KR100411968B1 (ko) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | 반도체 웨이퍼 처리용 장치 |
EP98901135A EP0960434B1 (en) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | Device for processing semiconductor wafers |
DE69804944T DE69804944T2 (de) | 1997-01-27 | 1998-01-27 | Gerät für die verarbeitung von halbleiterscheiben |
TW087112194A TW386242B (en) | 1997-01-27 | 1998-07-23 | Device for processing semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1005102 | 1997-01-27 | ||
NL1005102A NL1005102C2 (nl) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1005102C2 true NL1005102C2 (nl) | 1998-07-29 |
Family
ID=19764285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1005102A NL1005102C2 (nl) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6607602B1 (nl) |
EP (1) | EP0960434B1 (nl) |
JP (1) | JP3403207B2 (nl) |
KR (1) | KR100411968B1 (nl) |
AU (1) | AU5682898A (nl) |
DE (1) | DE69804944T2 (nl) |
NL (1) | NL1005102C2 (nl) |
TW (1) | TW386242B (nl) |
WO (1) | WO1998036444A1 (nl) |
Families Citing this family (242)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1008143C2 (nl) | 1998-01-27 | 1999-07-28 | Asm Int | Stelsel voor het behandelen van wafers. |
NL1013989C2 (nl) | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het behandelen van een wafer. |
KR20020019414A (ko) * | 2000-09-05 | 2002-03-12 | 엔도 마코토 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법 |
JP5034138B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US6860710B1 (en) * | 2002-08-30 | 2005-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Lifting mechanism for integrated circuit fabrication systems |
JP2004103990A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US7351656B2 (en) * | 2005-01-21 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaihsa Toshiba | Semiconductor device having oxidized metal film and manufacture method of the same |
DE202006007937U1 (de) * | 2006-05-18 | 2007-09-20 | Strämke, Siegfried, Dr.-Ing. | Plasmabehandlungsanlage |
US7740437B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-06-22 | Asm International N.V. | Processing system with increased cassette storage capacity |
US7585142B2 (en) | 2007-03-16 | 2009-09-08 | Asm America, Inc. | Substrate handling chamber with movable substrate carrier loading platform |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US20140261168A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Multiple chamber module and platform in semiconductor process equipment |
JP6195773B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2017-09-13 | Dowaサーモテック株式会社 | 浸炭焼入れ設備 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
TWI671792B (zh) | 2016-12-19 | 2019-09-11 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 基板處理設備 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR101930456B1 (ko) * | 2018-05-03 | 2018-12-18 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 시스템 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5178639A (en) * | 1990-06-28 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat-treating apparatus |
US5180273A (en) * | 1989-10-09 | 1993-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
US5464313A (en) * | 1993-02-08 | 1995-11-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9200446A (nl) | 1992-03-10 | 1993-10-01 | Tempress B V | Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers). |
US5855681A (en) * | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
-
1997
- 1997-01-27 NL NL1005102A patent/NL1005102C2/nl not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-27 US US09/355,509 patent/US6607602B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-27 EP EP98901135A patent/EP0960434B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-27 KR KR10-1999-7006750A patent/KR100411968B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-01-27 JP JP53334298A patent/JP3403207B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-27 DE DE69804944T patent/DE69804944T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-27 WO PCT/NL1998/000055 patent/WO1998036444A1/en active IP Right Grant
- 1998-01-27 AU AU56828/98A patent/AU5682898A/en not_active Abandoned
- 1998-07-23 TW TW087112194A patent/TW386242B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5180273A (en) * | 1989-10-09 | 1993-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
US5178639A (en) * | 1990-06-28 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat-treating apparatus |
US5464313A (en) * | 1993-02-08 | 1995-11-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000070506A (ko) | 2000-11-25 |
JP3403207B2 (ja) | 2003-05-06 |
KR100411968B1 (ko) | 2003-12-24 |
WO1998036444A1 (en) | 1998-08-20 |
DE69804944T2 (de) | 2002-11-07 |
EP0960434B1 (en) | 2002-04-17 |
AU5682898A (en) | 1998-09-08 |
DE69804944D1 (de) | 2002-05-23 |
JP2000511710A (ja) | 2000-09-05 |
US6607602B1 (en) | 2003-08-19 |
EP0960434A1 (en) | 1999-12-01 |
TW386242B (en) | 2000-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1005102C2 (nl) | Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven. | |
NL1008143C2 (nl) | Stelsel voor het behandelen van wafers. | |
KR100233310B1 (ko) | 열처리장치 | |
NL1005625C2 (nl) | Stelsel voor het overbrengen van wafers uit cassettes naar ovens alsmede werkwijze. | |
US4852138A (en) | Irradiation cell conveyor system | |
KR940017985A (ko) | 기판처리장치와 기판처리장치에 있어서 기판교환장치 및 기판교환방법 | |
TW354405B (en) | Processing apparatus | |
KR101865091B1 (ko) | 퍼지 스토커 및 퍼지 방법 | |
DE3378575D1 (en) | A method and apparatus for loading a storage and transport rack | |
WO2003043388A2 (en) | Article irradiation system with multiple beam paths | |
WO2004036628A3 (en) | Device and method for transporting wafer-shaped articles | |
KR20170113354A (ko) | 기판 처리 장치 | |
NO991891L (no) | Fremgangsmaate og apparat for höyhastighetshaandtering av gjenstander | |
NO940098D0 (no) | Toerkesystemer for apparater for gelatinbelegging av tabletter | |
KR20180111544A (ko) | 열처리로 | |
JP2004304003A (ja) | 処理システム | |
JP2000183129A (ja) | 真空処理システム | |
JP2010245250A (ja) | 基板仕分け装置 | |
US4834649A (en) | Random access oven | |
EP0480444B1 (en) | Multi-drop container discharge system | |
JP2003071388A (ja) | 特異物選別放出装置 | |
JP6312615B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
NL8401408A (nl) | Inrichting voor het uitstoken van diodes, halfgeleiderplaatjes van silicium of germanium en dergelijke. | |
JP4723112B2 (ja) | 加熱機における供給装置並びに供給装置付加熱機 | |
CN213149472U (zh) | 涂敷、显影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD2B | A search report has been drawn up | ||
VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20010801 |