JP3279727B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造工程に、例
えば熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置とし
て、縦型熱処理装置が知られている。この種の例えば縦
型熱処理装置は、ウェハボートに半導体ウェハを複数枚
搭載して、あらかじめ熱処理容器の円周状に設けた発熱
体によって、例えば８００℃に加熱してある熱処理容器
内へ搬入してから、この熱処理容器の中に反応ガス、例
えばＮＨ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を流して熱処理する。
えば熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置とし
て、縦型熱処理装置が知られている。この種の例えば縦
型熱処理装置は、ウェハボートに半導体ウェハを複数枚
搭載して、あらかじめ熱処理容器の円周状に設けた発熱
体によって、例えば８００℃に加熱してある熱処理容器
内へ搬入してから、この熱処理容器の中に反応ガス、例
えばＮＨ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を流して熱処理する。
【０００３】熱処理された半導体ウェハは、反応容器の
下部に設けられた半導体ウェハを出し入れをする作業空
間に、ロード・アンロード機構によって搬出されてから
冷却される。この作業空間は、半導体ウェハに塵が付着
しないように、いつも清浄化された空気又は窒素ガスが
気流を作って流れている。この清浄化された空気又は窒
素ガスを作るために、送風機で気流を作り、防塵フィル
タが気流中の塵を取り除いている。
下部に設けられた半導体ウェハを出し入れをする作業空
間に、ロード・アンロード機構によって搬出されてから
冷却される。この作業空間は、半導体ウェハに塵が付着
しないように、いつも清浄化された空気又は窒素ガスが
気流を作って流れている。この清浄化された空気又は窒
素ガスを作るために、送風機で気流を作り、防塵フィル
タが気流中の塵を取り除いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような縦
型熱処理装置の作業空間に防塵フイルタを設けた場合、
高温に加熱された半導体ウェハから熱が放射する。この
放射熱は、防塵フィルタを加熱して、防塵フィルタが高
温になり、防塵フイルタに使用されている接着剤、例え
ばエポキシ樹脂から微量の不純物、例えばハイドロカー
ボン等の有機ガスが発生する。この有機ガスが高温の半
導体ウェハの成膜層に反応して、成膜層の電気的特性や
膜性能等を劣化させ、歩留まりを低下させるという問題
が発生した。特に、この影響は１６ＭＤＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）以上の微細加工では、著しく大きく
現れる。
型熱処理装置の作業空間に防塵フイルタを設けた場合、
高温に加熱された半導体ウェハから熱が放射する。この
放射熱は、防塵フィルタを加熱して、防塵フィルタが高
温になり、防塵フイルタに使用されている接着剤、例え
ばエポキシ樹脂から微量の不純物、例えばハイドロカー
ボン等の有機ガスが発生する。この有機ガスが高温の半
導体ウェハの成膜層に反応して、成膜層の電気的特性や
膜性能等を劣化させ、歩留まりを低下させるという問題
が発生した。特に、この影響は１６ＭＤＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）以上の微細加工では、著しく大きく
現れる。
【０００５】この発明は、半導体ウェハを出し入れをす
る作業空間に設けられた防塵フイルタに直接熱が伝わる
のを防止できる構造の熱処理装置を提供するものであ
る。さらに、半導体ウェハに塵が付着しないように、気
流を作り防塵フィルタによって清浄化している空気又は
窒素ガスを冷却して、防塵フイルタに伝わる熱をも防止
するものである。
る作業空間に設けられた防塵フイルタに直接熱が伝わる
のを防止できる構造の熱処理装置を提供するものであ
る。さらに、半導体ウェハに塵が付着しないように、気
流を作り防塵フィルタによって清浄化している空気又は
窒素ガスを冷却して、防塵フイルタに伝わる熱をも防止
するものである。
【０００６】
【発明が解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を熱処理する熱処理容器と、この熱処理容器へ被処
理体を搬入搬出する作業空間と、この作業空間の気体を
循環させるために、作業空間に開口した吸引口および排
出口に接続され被処理体からの熱放射を受けないところ
に設けられた循環通路と、この循環通路内に設けられた
送風機と、前記循環通路内に少なくとも一ヵ所以上設け
られた除塵フィルタと、この除塵フィルタよりも上流に
設けられ気体を冷却するラジェータとを備えたことを特
徴とする。請求項２の発明は、請求項１の前記ラジェー
タが、前記被処理体からの熱放射を直接受ける前記吸引
口に設けられていることを特徴とする。請求項３の発明
は、請求項１の前記除塵フィルタに活性炭が用いられて
いることを特徴とする。請求項４の発明は、請求項１の
前記排出口には気体を排出口全体に均圧にして排出する
ための均圧板が設けられていることを特徴とする。
理体を熱処理する熱処理容器と、この熱処理容器へ被処
理体を搬入搬出する作業空間と、この作業空間の気体を
循環させるために、作業空間に開口した吸引口および排
出口に接続され被処理体からの熱放射を受けないところ
に設けられた循環通路と、この循環通路内に設けられた
送風機と、前記循環通路内に少なくとも一ヵ所以上設け
られた除塵フィルタと、この除塵フィルタよりも上流に
設けられ気体を冷却するラジェータとを備えたことを特
徴とする。請求項２の発明は、請求項１の前記ラジェー
タが、前記被処理体からの熱放射を直接受ける前記吸引
口に設けられていることを特徴とする。請求項３の発明
は、請求項１の前記除塵フィルタに活性炭が用いられて
いることを特徴とする。請求項４の発明は、請求項１の
前記排出口には気体を排出口全体に均圧にして排出する
ための均圧板が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
【作用】請求項１の発明によれば、作業空間の気体を循
環させるために、作業空間に開口した吸引口および排出
口に接続され被処理体からの熱放射を受けないところに
設けられた循環通路内に除塵フィルタを設けると共に、
この除塵フィルタよりも上流にラジェータを設けている
ため、防塵フィルタの温度を下げることができて防塵フ
ィルタからの有機ガスの発生を抑制することができ、被
処理体の歩留りの向上および生産性の向上が図れる。請
求項２の発明によれば、前記ラジェータが、前記被処理
体からの熱放射を直接受ける前記吸引口に設けられてい
るため、被処理体からの放射熱を直接吸収することがで
きる。請求項３の発明によれば、前記除塵フィルタに活
性炭が用いられているため、作業空間の雰囲気中に含ま
れる有機ガスを除去することができる。請求項４の発明
によれば、前記排出口には気体を排出口全体に均圧にし
て排出するための均圧板が設けられているため、循環通
路からの気体を排出口全体に均圧にして作業空間へ排出
することができる。
環させるために、作業空間に開口した吸引口および排出
口に接続され被処理体からの熱放射を受けないところに
設けられた循環通路内に除塵フィルタを設けると共に、
この除塵フィルタよりも上流にラジェータを設けている
ため、防塵フィルタの温度を下げることができて防塵フ
ィルタからの有機ガスの発生を抑制することができ、被
処理体の歩留りの向上および生産性の向上が図れる。請
求項２の発明によれば、前記ラジェータが、前記被処理
体からの熱放射を直接受ける前記吸引口に設けられてい
るため、被処理体からの放射熱を直接吸収することがで
きる。請求項３の発明によれば、前記除塵フィルタに活
性炭が用いられているため、作業空間の雰囲気中に含ま
れる有機ガスを除去することができる。請求項４の発明
によれば、前記排出口には気体を排出口全体に均圧にし
て排出するための均圧板が設けられているため、循環通
路からの気体を排出口全体に均圧にして作業空間へ排出
することができる。
【０００８】
【実施例】この発明を縦型熱処理装置に実施した一実施
例を、図面を参照して具体的に説明する。図１に示す縦
型熱処理装置１は、耐熱材料、例えば石英ガラスからな
る円筒状の熱処理容器２があり、この熱処理容器２の外
周には同心状に図示しない発熱体が設けてあり、被処理
体、例えば半導体ウェハ３を例えば８００°Ｃに加熱す
ることができるように構成している。
例を、図面を参照して具体的に説明する。図１に示す縦
型熱処理装置１は、耐熱材料、例えば石英ガラスからな
る円筒状の熱処理容器２があり、この熱処理容器２の外
周には同心状に図示しない発熱体が設けてあり、被処理
体、例えば半導体ウェハ３を例えば８００°Ｃに加熱す
ることができるように構成している。
【０００９】前記熱処理容器２内は、この半導体ウェハ
３を１００枚、挿脱自在に収容できる耐熱材料、例えば
石英ガラスからなるウェハボート４があり、一度の熱処
理で半導体ウェハ３を１００枚、処理できるように構成
している。このウェハボート４の下端部に、このウェハ
ボートを熱処理容器２内に搬入搬出するための機構とし
てのロード・アンロード機構６がある。このロード・ア
ンロード機構６によってウェハボート４を、熱処理容器
２の下部にある作業空間７に搬出できるように構成して
いる。
３を１００枚、挿脱自在に収容できる耐熱材料、例えば
石英ガラスからなるウェハボート４があり、一度の熱処
理で半導体ウェハ３を１００枚、処理できるように構成
している。このウェハボート４の下端部に、このウェハ
ボートを熱処理容器２内に搬入搬出するための機構とし
てのロード・アンロード機構６がある。このロード・ア
ンロード機構６によってウェハボート４を、熱処理容器
２の下部にある作業空間７に搬出できるように構成して
いる。
【００１０】この作業空間７に半導体ウェハ３を搬入搬
出する機構としては、まず、前記縦型熱処理装置１の外
部に、半導体ウェハ３を２５枚載置できるウェハカセッ
ト８を載置するウェハカセットＩ／Ｏポート９が設けら
れ、このウェハカセットＩ／Ｏポート９からウェハカセ
ット８を前記縦型熱処理装置１の内部に移載するウェハ
カセット移載機構１０がある。このウェハカセット移載
機構１０は、ウェハカセット８を前記縦型熱処理装置１
の上部に設けてあるウェハカセット棚１１と前記作業空
間７に設けてあるウェハカセット台１２にウェハカセッ
ト８を移載することができるように構成している。
出する機構としては、まず、前記縦型熱処理装置１の外
部に、半導体ウェハ３を２５枚載置できるウェハカセッ
ト８を載置するウェハカセットＩ／Ｏポート９が設けら
れ、このウェハカセットＩ／Ｏポート９からウェハカセ
ット８を前記縦型熱処理装置１の内部に移載するウェハ
カセット移載機構１０がある。このウェハカセット移載
機構１０は、ウェハカセット８を前記縦型熱処理装置１
の上部に設けてあるウェハカセット棚１１と前記作業空
間７に設けてあるウェハカセット台１２にウェハカセッ
ト８を移載することができるように構成している。
【００１１】また、前記作業空間７には、ウェハカセッ
ト台１２の上に載置されたウェハカセット８から、半導
体ウェハ３を５枚づつ前記ウェハボートに移載するため
の、ウェハ移載機構１３が設けてある。
ト台１２の上に載置されたウェハカセット８から、半導
体ウェハ３を５枚づつ前記ウェハボートに移載するため
の、ウェハ移載機構１３が設けてある。
【００１２】次に、図２に示すように前記縦型熱処理装
置１は、前記作業空間７内の雰囲気（気体）例えば空気
を循環させるために、前記作業空間７の一側（右側）と
他側（左側）に吸引口２０と排出口３１が対向して開口
され、これら吸引口２０および排出口３１にはそれぞれ
の裏面に形成された吸引口空間２１および排出口空間３
０を介して循環通路であるダクト部２２が接続されてい
る。このダクト部２２は、作業空間７にアンロードされ
たウエハボート４や半導体ウエハ３からの放射熱を受け
ないところ、例えば前記作業空間７の底部に設けられて
いる。ダクト部２２内には、吸引口空間２１に近い場所
から、それぞれ、空気を吸引して送風する手段としての
送風機２３と、この送風機２３によって送風される空気
を冷却するラジエータ２４と、このラジエータ２４から
空気が放出される下流側に、塵を除去する例えば、ＵＬ
ＰＡフィルタからなる第１フィルタ２３と、空気中の有
機ガスを除去する例えば、活性炭からなる第２フィルタ
２６と第３フィルタ２７が設けられている。
置１は、前記作業空間７内の雰囲気（気体）例えば空気
を循環させるために、前記作業空間７の一側（右側）と
他側（左側）に吸引口２０と排出口３１が対向して開口
され、これら吸引口２０および排出口３１にはそれぞれ
の裏面に形成された吸引口空間２１および排出口空間３
０を介して循環通路であるダクト部２２が接続されてい
る。このダクト部２２は、作業空間７にアンロードされ
たウエハボート４や半導体ウエハ３からの放射熱を受け
ないところ、例えば前記作業空間７の底部に設けられて
いる。ダクト部２２内には、吸引口空間２１に近い場所
から、それぞれ、空気を吸引して送風する手段としての
送風機２３と、この送風機２３によって送風される空気
を冷却するラジエータ２４と、このラジエータ２４から
空気が放出される下流側に、塵を除去する例えば、ＵＬ
ＰＡフィルタからなる第１フィルタ２３と、空気中の有
機ガスを除去する例えば、活性炭からなる第２フィルタ
２６と第３フィルタ２７が設けられている。
【００１３】前記排出口３１には、前記ダクト部２２か
らの空気を排出口３１全体に均圧にして作業空間７へ排
出するための均圧板３２が設けられている。
らの空気を排出口３１全体に均圧にして作業空間７へ排
出するための均圧板３２が設けられている。
【００１４】次に、この縦型熱処理装置１の動作につい
て説明する。前記縦型熱処理装置１の外部に、半導体ウ
ェハ３を２５枚載置したウェハカセット８が図示しない
搬送装置によって、ウェハカセットＩ／Ｏポート９に載
置される。ウェハカセット８は、ウェハカセットＩ／Ｏ
ポート９からウェハカセット移載機構１０によって、ウ
ェハカセット台１２に移載する。次に、作業空間７で、
ウェハカセット台１２の上に載置したウェハカセット８
から、半導体ウェハ３を５枚づつ、ウェハ移載機構１３
によってウェハボート３に５回に分けて移載する。５個
分のウェハカセット８、合計１００枚の半導体ウェハ３
をウェハボート４に載置して、移載作業が終了する。そ
して、ロード・アンロード機構６によって、ウェハボー
ト３を熱処理容器２内へ搬入する。
て説明する。前記縦型熱処理装置１の外部に、半導体ウ
ェハ３を２５枚載置したウェハカセット８が図示しない
搬送装置によって、ウェハカセットＩ／Ｏポート９に載
置される。ウェハカセット８は、ウェハカセットＩ／Ｏ
ポート９からウェハカセット移載機構１０によって、ウ
ェハカセット台１２に移載する。次に、作業空間７で、
ウェハカセット台１２の上に載置したウェハカセット８
から、半導体ウェハ３を５枚づつ、ウェハ移載機構１３
によってウェハボート３に５回に分けて移載する。５個
分のウェハカセット８、合計１００枚の半導体ウェハ３
をウェハボート４に載置して、移載作業が終了する。そ
して、ロード・アンロード機構６によって、ウェハボー
ト３を熱処理容器２内へ搬入する。
【００１５】熱処理容器２は、図示しない外周にある発
熱体によってあらかじめ、８００°Ｃに加熱してあり、
熱処理容器２内に反応ガスを流し、半導体ウェハ３の熱
処理を開始する。所定時間経過後、ウェハボート４に載
置した半導体ウェハ３は、ロード・アンロード機構６に
よって、作業空間に搬出する。高温に熱せられた半導体
ウェハ３から熱が放射され、作業空間７の空気を加熱す
る。このとき、半導体ウェハ３を熱処理に使用した極微
量のガスが残存していて、作業空間７に放出されること
があり、また、縦型熱処理装置１の機構自身から発生す
る塵も作業空間７に放出されることがある。この高温で
微量のガスと塵が混じることのある空気は、送風機２３
の風力によって、図２で示す気流３３を作り、吸引口２
０から吸引される。
熱体によってあらかじめ、８００°Ｃに加熱してあり、
熱処理容器２内に反応ガスを流し、半導体ウェハ３の熱
処理を開始する。所定時間経過後、ウェハボート４に載
置した半導体ウェハ３は、ロード・アンロード機構６に
よって、作業空間に搬出する。高温に熱せられた半導体
ウェハ３から熱が放射され、作業空間７の空気を加熱す
る。このとき、半導体ウェハ３を熱処理に使用した極微
量のガスが残存していて、作業空間７に放出されること
があり、また、縦型熱処理装置１の機構自身から発生す
る塵も作業空間７に放出されることがある。この高温で
微量のガスと塵が混じることのある空気は、送風機２３
の風力によって、図２で示す気流３３を作り、吸引口２
０から吸引される。
【００１６】吸引口２０から吸引された高温の空気は、
吸引口空間２１を通り、作業空間７の底部に設けてある
ダクト部２２に送風機２３によって流れ込む。高温の空
気はラジエータ２４によって冷却され、この空気は、Ｕ
ＬＰＡフィルタからなる第１フィルタ２５によって塵を
除去され、活性炭からなる第２フィルタ２６と第３フィ
ルタ２７によって半導体ウェハ３の熱処理に使用した極
微量の有機ガスや第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７に使用さているエポキシ樹脂から
なる接着材から発生する例えば、ハイドロカーボン等も
除去される。ダクト部２２を通り冷却され、清浄された
空気は、排出口空間３０をとおり、再び排出口３１から
均圧板３２によって空気排出流量を均圧にして、作業空
間７に排出される。
吸引口空間２１を通り、作業空間７の底部に設けてある
ダクト部２２に送風機２３によって流れ込む。高温の空
気はラジエータ２４によって冷却され、この空気は、Ｕ
ＬＰＡフィルタからなる第１フィルタ２５によって塵を
除去され、活性炭からなる第２フィルタ２６と第３フィ
ルタ２７によって半導体ウェハ３の熱処理に使用した極
微量の有機ガスや第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７に使用さているエポキシ樹脂から
なる接着材から発生する例えば、ハイドロカーボン等も
除去される。ダクト部２２を通り冷却され、清浄された
空気は、排出口空間３０をとおり、再び排出口３１から
均圧板３２によって空気排出流量を均圧にして、作業空
間７に排出される。
【００１７】図３は、図２で説明したラジエータ２４を
ダクト部２２から吸引口２０に移した実施例である。す
なわち、半導体ウエハ３からの熱放射を直接受ける前記
吸引口２０にラジエータ３４が設けられている。吸引口
２０にラジエータ３４を設けた以外は、図２の実施例の
構成と同じである。作用は、図２のラジエータ２４が高
温の空気を冷却するだけにとどまるのに比べ、図３のラ
ジエータ３４は、熱処理が完了した半導体ウエハ３を作
業空間７に搬出したとき、高温に熱せられた半導体ウエ
ハ３から図３に示すように、熱放射３５がラジエータ３
４に直接放射される。ラジエータ３４に放射された熱
は、ラジエータ３４に直接吸収され、これと同時に、半
導体ウエハ３により高温に熱せられた空気もラジエータ
３４によって冷却される。
ダクト部２２から吸引口２０に移した実施例である。す
なわち、半導体ウエハ３からの熱放射を直接受ける前記
吸引口２０にラジエータ３４が設けられている。吸引口
２０にラジエータ３４を設けた以外は、図２の実施例の
構成と同じである。作用は、図２のラジエータ２４が高
温の空気を冷却するだけにとどまるのに比べ、図３のラ
ジエータ３４は、熱処理が完了した半導体ウエハ３を作
業空間７に搬出したとき、高温に熱せられた半導体ウエ
ハ３から図３に示すように、熱放射３５がラジエータ３
４に直接放射される。ラジエータ３４に放射された熱
は、ラジエータ３４に直接吸収され、これと同時に、半
導体ウエハ３により高温に熱せられた空気もラジエータ
３４によって冷却される。
【００１８】ラジェータ３４によって冷却された空気
は、図２の実施例と同様に、吸引口空間２１を通り、作
業空間７の底部に設けてあるダクト部２２に送風機２３
によって流れ込み、この空気は、ＵＬＰＡフィルタから
なる第１フィルタ２５によって塵を除去され、活性炭か
らなる第２フィルタ２６と第３フィルタ２７によって、
半導体の熱処理に使用した極微量の有機ガスや第１フィ
ルタ２５、第２フィルタ２６、第３フィルタ２７に使用
さているエポキシ樹脂からなる接着材から発生する例え
ば、ハイドロカーボン等も除去される。
は、図２の実施例と同様に、吸引口空間２１を通り、作
業空間７の底部に設けてあるダクト部２２に送風機２３
によって流れ込み、この空気は、ＵＬＰＡフィルタから
なる第１フィルタ２５によって塵を除去され、活性炭か
らなる第２フィルタ２６と第３フィルタ２７によって、
半導体の熱処理に使用した極微量の有機ガスや第１フィ
ルタ２５、第２フィルタ２６、第３フィルタ２７に使用
さているエポキシ樹脂からなる接着材から発生する例え
ば、ハイドロカーボン等も除去される。
【００１９】以上説明したように、本実施例によればダ
クト部２２の中に、第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７を設けたから、熱処理後の高温に
加熱された半導体ウェハからの熱放射を直接受けること
がなく、また、ダクト部２２の空気循環通路内の上流部
に空気を冷却するラジェータ２４、３４を設けたから、
空気に伝達された熱からも、第１フィルタ２５、第２フ
ィルタ２６、第３フィルタ２７を防止することができ
る。
クト部２２の中に、第１フィルタ２５、第２フィルタ２
６、第３フィルタ２７を設けたから、熱処理後の高温に
加熱された半導体ウェハからの熱放射を直接受けること
がなく、また、ダクト部２２の空気循環通路内の上流部
に空気を冷却するラジェータ２４、３４を設けたから、
空気に伝達された熱からも、第１フィルタ２５、第２フ
ィルタ２６、第３フィルタ２７を防止することができ
る。
【００２０】たとえ熱によって第１フィルタ２５、第２
フィルタ２６、第３フィルタ２７からハイドロカーボン
等の有機性ガスが発生しても、活性炭からなる第２フィ
ルタ２６と第３フィルタ２７が設けてあるから、これら
の有機性ガスを取り除くことができる。さらに、ラジェ
ータ２４、３４によって空気を冷却できるから、熱によ
って活性化が加速され、寿命が短くなる活性炭からなる
第２フィルタ２６と第３フィルタ２７をも熱から守るこ
とができる。
フィルタ２６、第３フィルタ２７からハイドロカーボン
等の有機性ガスが発生しても、活性炭からなる第２フィ
ルタ２６と第３フィルタ２７が設けてあるから、これら
の有機性ガスを取り除くことができる。さらに、ラジェ
ータ２４、３４によって空気を冷却できるから、熱によ
って活性化が加速され、寿命が短くなる活性炭からなる
第２フィルタ２６と第３フィルタ２７をも熱から守るこ
とができる。
【００２１】前記実施例では作業空間７内の気体として
空気を用いた場合が説明されているが、気体であればど
のようなものでもよく、例えば窒素ガスでも対応でき
る。また、活性炭からなる第３フィルタ２７をＵＬＰＡ
フィルタにすれば、活性炭から微小な発塵があっても、
作業空間７が汚染されることはない。この発明は前記実
施例に限定されず、熱処理を行い防塵フィルタを用いる
ものであれば、どのような装置であっても適用すること
ができる。
空気を用いた場合が説明されているが、気体であればど
のようなものでもよく、例えば窒素ガスでも対応でき
る。また、活性炭からなる第３フィルタ２７をＵＬＰＡ
フィルタにすれば、活性炭から微小な発塵があっても、
作業空間７が汚染されることはない。この発明は前記実
施例に限定されず、熱処理を行い防塵フィルタを用いる
ものであれば、どのような装置であっても適用すること
ができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
次のような優れた作用効果を発揮することができる。作
業空間の気体を循環させるために、作業空間に開口した
吸引口および排出口に接続され被処理体からの熱放射を
受けないところに設けられた循環通路内に除塵フィルタ
を設けると共に、この除塵フィルタよりも上流にラジェ
ータを設けているため、防塵フィルタの温度を下げるこ
とができて防塵フィルタからの有機ガスの発生を抑制す
ることができ、被処理体の歩留りの向上および生産性の
向上が図れる。
次のような優れた作用効果を発揮することができる。作
業空間の気体を循環させるために、作業空間に開口した
吸引口および排出口に接続され被処理体からの熱放射を
受けないところに設けられた循環通路内に除塵フィルタ
を設けると共に、この除塵フィルタよりも上流にラジェ
ータを設けているため、防塵フィルタの温度を下げるこ
とができて防塵フィルタからの有機ガスの発生を抑制す
ることができ、被処理体の歩留りの向上および生産性の
向上が図れる。
【００２３】
【図１】この発明を縦型熱処理装置に実施した斜視図で
ある。
ある。
【図２】この発明の縦型熱処理装置の空気循環部分の断
面図である。
面図である。
【図３】図２のラジェータを作業空間内に移動した断面
図である。
図である。
１ 縦型熱処理装置 ２ 熱処理容器 ３ 半導体ウェハ ７ 発熱体 ２２ ダクト部 ２３ 送風機 ２４、３４ ラジェータ ２５ 第１フィルタ ２６ 第２フィルタ ２７ 第３フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22 H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を熱処理する熱処理容器と、こ
の熱処理容器へ被処理体を搬入搬出する作業空間と、こ
の作業空間の気体を循環させるために、作業空間に開口
した吸引口および排出口に接続され被処理体からの熱放
射を受けないところに設けられた循環通路と、この循環
通路内に設けられた送風機と、前記循環通路内に少なく
とも一ヵ所以上設けられた除塵フィルタと、この除塵フ
ィルタよりも上流に設けられ気体を冷却するラジェータ
とを備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記ラジェータが、前記被処理体からの
熱放射を直接受ける前記吸引口に設けられていることを
特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記除塵フィルタに活性炭が用いられて
いることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記排出口には気体を排出口全体に均圧
にして排出するための均圧板が設けられていることを特
徴とする請求項１記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12833193A JP3279727B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12833193A JP3279727B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318553A JPH06318553A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3279727B2 true JP3279727B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=14982153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12833193A Expired - Fee Related JP3279727B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279727B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4578615B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
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| JP2006284077A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kumamoto Technology & Industry Foundation | 熱輻射反射炉 |
| JP2014067797A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP7073016B2 (ja) * | 2020-01-10 | 2022-05-23 | 中外炉工業株式会社 | クリーン熱処理装置 |
-
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- 1993-04-30 JP JP12833193A patent/JP3279727B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06318553A (ja) | 1994-11-15 |
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