JP3538330B2 - 処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンを露光
した後に，このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は，従来から塗布現像処理装置が使用されている。

【０００３】この塗布現像処理装置には，例えばレジス
トの定着性を向上させる疎水化処理（アドヒージョン処
理），レジスト液塗布後のウェハを加熱してレジスト膜
を硬化させる加熱処理を行う加熱処理装置や，加熱処理
後のウェハを冷却処理する冷却処理装置等の熱系処理装
置と，ウェハに対してレジスト液を塗布してレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置や，露光後のウェハに対し
て現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置等の液
処理装置とが個別に備えられている。そして，各種液処
理装置及び熱系処理装置に対するウェハの搬送は搬送装
置によって行われている。そして，従来の塗布現像処理
装置内では，各種液処理装置及び熱系処理装置がそれぞ
れ多段に積み重ねられて，塗布現像処理装置内における
配置スペースの有効利用を図っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】今日では，半導体デバ
イスの生産量増加に伴って，塗布現像処理装置の処理能
力を向上させることが要求されている。しかしながら，
これまでのように液処理装置と熱系処理装置を離して各
々多段に積み重ね，個別に集合化を図っていたのでは，
限られた配置スペース内に例えば加熱処理装置を多数配
置するにも限界がある。従って，そのままでは塗布現像
処理装置の処理能力を向上させることが大変難しい。

【０００５】ここで，多段に配置された各種液処理装置
の上方に，多段に配置された加熱処理装置等が配置され
れば，上記課題を解決できると考えれるが，そうすると
加熱処理装置からの熱的影響が液処理装置に対して及ぶ
ことになる。その結果，温度変化に敏感な液処理装置で
は，例えばレジスト塗布装置ではレジスト膜の膜厚が変
化し，現像処理装置では現像むらが起こり，処理不良を
生じるおそれがある。

【０００６】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり，限られた配置スペース内に加熱処理装置を多
数配置できる一方で，液処理装置に対して加熱処理装置
からの熱的影響が及ばない新しい処理装置を提供して，
前記問題の解決を図ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，容器内において基板に処理液を
供給して処理する液処理装置と，容器内において基板を
所定温度で加熱する加熱処理装置と，基板を搬送する搬
送装置とを備えた処理装置であって，前記加熱処理装置
が支持部材を介在させて前記液処理装置の上方に配置さ
れることにより，前記加熱処理装置と前記液処理装置と
の間に空間が形成され，前記空間は，気流が前記空間の
一の側面から流入し，前記空間の他の側面から流出する
ように形成されていることを特徴とする，処理装置が提
供される。

【０００８】かかる構成によれば，液処理装置の上方に
加熱処理装置が配置されるので，限られた処理装置の配
置スペース内に加熱処理装置を多数配置することができ
る。従って，床占有面積を増大させることなく，処理装
置の処理能力を格段に向上させることができる。しか
も，加熱処理装置と液処理装置との間に設けられた空間
による隔たりによって，加熱処理装置からの熱的影響が
液処理装置に対して及び難くなる。従って，液処理装置
においては，加熱処理装置からの熱的影響が抑えられ
て，基板に対する所期の処理を実施することができる。

【０００９】請求項１の処理装置において，請求項２に
記載したように，前記空間内を流れる気流を形成する気
流形成手段が設けられるのがよい。かかる構成によれ
ば，気流形成手段によって形成された気流が空間内を流
れるので，加熱処理装置の熱的影響によって熱を帯びた
雰囲気を空間内から追い出すことができ，さらに熱的影
響を抑えることができる。

【００１０】この場合，請求項３に記載したように，少
なくとも前記搬送装置，加熱処理装置又は液処理装置の
上方から，これらの装置の少なくとも一つの装置に対し
て下降気流を形成する送風装置を有し，この送風装置か
ら送風された下降気流の一部を前記空間内に案内する案
内手段を有しているのがよい。かかる構成によれば，搬
送装置の搬送動作に伴って発生するパーティクルを下方
に押し流す下降気流の一部が，空間内に流れる気流とし
て利用されるので，空間に気流を流す別途専用の送風装
置が不要となる。また，このように案内手段によって下
降気流の一部が空間内に流れることにより，空間内から
パーティクルも追い出すことができる。

【００１１】請求項４に記載したように，容器内におい
て基板を所定温度で冷却処理する冷却処理装置が前記加
熱処理装置の下方に配置されて，前記冷却処理装置が前
記支持部材によって支持されることにより前記加熱処理
装置及び前記冷却処理装置が前記液処理装置の上方に積
み重ねられるのもよい。かかる構成によれば，液処理装
置と加熱処理装置との間に，空間だけでなく冷却処理装
置も介在させるので，請求項１よりも加熱処理装置から
の熱的影響を抑えることができる。

【００１２】この場合，請求項５に記載したように，前
記冷却処理装置に冷却媒体を供給する供給路が前記支持
部材内に形成されていれば，支持部材内を冷却媒体が流
れることになるので，支持部材及び支持部材の周囲雰囲
気が冷却されることになる。本発明は，容器内において
基板に処理液を供給して処理する液処理装置と，容器内
において基板を所定温度で加熱処理する加熱処理装置
と，容器内において基板を所定温度で冷却処理する冷却
処理装置と，基板を搬送する搬送装置とを備えた処理装
置であって，前記冷却処理装置は，前記加熱処理装置の
下方に配置され，前記冷却処理装置は，支持部材を介在
させて前記液処理装置の上方に配置されることにより，
前記冷却処理装置と前記液処理装置との間に空間が形成
され，前記冷却処理装置に冷却媒体を供給する供給路が
前記支持部材内に形成されていることを特徴とする。前
記処理装置には，前記空間内を流れる気流を形成する気
流形成手段が設けられていてもよい。また，前記処理装
置は，少なくとも前記搬送装置，加熱処理装置又は液処
理装置の上方から，これらの装置の少なくとも一つの装
置に対して下降気流を形成する送風装置を有し，この送
風装置から送風された下降気流の一部を前記空間内に案
内する案内手段を有するようにしてもよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき，本発明
の好適な実施の形態について説明する。図１は本実施の
形態にかかる塗布現像処理装置１を平面から見た様子を
示している。

【００１４】塗布現像処理装置１は，例えば２５枚のウ
ェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置１内
に搬入出したり，カセットＣにウェハＷを搬入出するカ
セットステーション２と，ウェハＷに対して枚葉式に所
定の処理を施す各種処理装置群を多数配置してなる処理
ステーション３と，この処理ステーション３と露光装置
４との間でウェハＷの受け渡しを行うためのインターフ
ェイス部５とを一体に接続した構成を有している。

【００１５】カセットステーション２では図１に示すよ
うに，カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位
置に，複数のカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ス
テーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に
沿って一列に載置自在である。そして，このカセットＣ
の配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納された
ウェハＷの配列方向（垂直方向）に移動可能なウェハ搬
送体１１が搬送路１２に沿って移動可能であり，各カセ
ットＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。そして，ウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自在に
構成されており，後述する第１の熱系処理装置群３０に
属するエクステンション装置３４に対してアクセスでき
るように構成されている。

【００１６】図２，３は，塗布現像処理装置１の側面図
であり，図２は，カセットステーション２側から見た様
子を示し，図３は，インターフェイス部５側から見た様
子を示している。処理ステーション３では中心部に主搬
送装置２０が配置されており，主搬送装置２０にはウェ
ハＷを保持する同一構成のピンセット２１が例えば３本
上下に備えられている。また，主搬送装置２０の周囲に
は各種の液処理装置，熱系処理装置が多段に集積配置さ
れた処理装置群が配置されている。この塗布現像処理装
置１においては，カセットステーション２側に前述した
第１の熱系処理装置群３０が，インターフェイス部５側
に第２の熱系処理装置群４０がそれぞれ配置されてい
る。

【００１７】第１の熱系処理装置群３０の構成を図２に
基づいて説明すると，第１の熱系処理装置群３０に，ウ
ェハＷを所定温度で冷却処理する冷却処理装置３１と，
レジストとウェハＷとの密着性を向上させる疎水化処理
装置３２と，ウェハＷに位置合わせを施すアライメント
装置３３と，ウェハＷを待機させるエクステンション装
置３４と，レジスト塗布後のウェハＷを所定温度で加熱
処理するプリベーキング装置３５，３５と，現像処理後
のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置３６，
３６との各種熱系処理装置が，下から順に７段に積み重
ねられている。

【００１８】第２の熱系処理装置群４０の構成を図３に
基づいて説明すると，第２の熱系処理装置群４０に，冷
却処理装置４１と，ウェハＷを自然冷却させるエクステ
ンション冷却装置４２と，エクステンション装置４３
と，冷却処理装置４４と，露光処理後のウェハＷを加熱
処理するポストエクスポージャベーキング装置４５，４
５と，ポストベーキング装置４６，４６との各種熱系処
理装置が，下から順に例えば７段に積み重ねられてい
る。

【００１９】主搬送装置２０を挟んで，塗布現像処理装
置１の正面側（図１の下側）には第１のレジスト塗布装
置群５０，第２のレジスト塗布装置群５５が並列配置さ
れている。そして，第１のレジスト塗布装置群５０上方
に第３の熱系処理装置群６０が，第２のレジスト塗布装
置群５５の上方に第４の熱系処理装置群６５がそれぞれ
配置されている。第１のレジスト塗布装置群５０，第２
のレジスト塗布装置群５５には，カップＣＰ内のウェハ
Ｗに対してレジスト液を塗布するレジスト塗布装置５
１，５２がそれぞれ２段に積み重ねられている。第３の
熱系処理装置群６０，第４の熱系処理装置群６５には，
冷却処理装置６１，プリベーキング装置６２，６３がそ
れぞれ下から順に３段に積み重ねられている。

【００２０】また，主搬送装置２０を挟んで，塗布現像
処理装置１の背面側（図１の上側）には第１の現像処理
装置群７０，第２の現像処理装置群７５が並列配置され
ている。そして，第１の現像処理装置群７０の上方に第
５の熱系処理装置群８０が，第２の現像処理装置群７５
の上方に第６の熱系処理装置群８５がそれぞれ配置され
ている。第１の現像処理装置群７０，第２の現像処理装
置群７５には，カップＣＰ内のウェハＷに対して現像液
を供給する現像処理装置７１，７２がそれぞれ２段に積
み重ねられている。第５の熱系処理装置群８０，第６の
熱系処理装置群８５には，冷却処理装置８１，ポストベ
ーキング装置８２，８３がそれぞれ下から順に３段に積
み重ねられている。

【００２１】塗布現像処理装置１の上部には，ＦＦＵ
（ファン・フィルタ・ユニット）９０が設置されてい
る。このＦＦＵ９０によって，処理ステーション３内に
清浄なダウンフロー９１（下降気流）が形成され，主搬
送装置２０などから発生するパーティクルが下方に流れ
るように構成されている。

【００２２】図４は，第１のレジスト塗布装置群５０，
第２のレジスト塗布装置群５５，第３の熱系処理装置群
６０，第４の熱系処理装置群６５の斜視図である。第１
のレジスト塗布装置群５０と第３の熱系処理装置群６０
の配置の構成と，第２のレジスト塗布装置群５５と第４
の熱系処理装置群６５の配置の構成は，いずれも同様の
構成を有しているので，第１のレジスト塗布装置群５
０，第３の熱系処理装置群６０を例にとって説明する。

【００２３】図４に示すように，第３の熱系処理装置群
６０は，支持部材９２を介在させて第１のレジスト塗布
装置群５０の上方に積み重ねられている。即ち，レジス
ト塗布装置群５０のレジスト塗布装置５２の上面には，
４本の支持部材９２が設けられ，第３の熱系処理装置群
６０の冷却処理装置６１の下面四隅が，この支持部材９
２によって支持されている。これにより，冷却処理装置
６１とレジスト塗布装置５２との間には空間９３が形成
されている。

【００２４】レジスト塗布装置５２の上面には，略三角
柱であって，一面が外側に凹状に湾曲しているガイド板
９４が設けられている。ガイド板９４は，湾曲している
面９４ａをレジスト塗布装置５２の前面側に向くように
してレジスト塗布装置５２の後面側に配置されている。
このガイド板９４によって，ＦＦＵ９０から送風された
ダウンフロー９１の一部であるフロー９１ａが空間９３
に案内される。即ち，第３の熱系処理装置群６０の後面
側に沿って下方に流れたフロー９１ａが，ガイド板９４
の面９４ａによって案内されることにより，空間９３内
に流れ込むようになっている。

【００２５】なお，第４の熱系処理装置群６５も，支持
部材９２を介在させて第２のレジスト塗布装置群５５の
上方に積み重ねられて，冷却処理装置６１とレジスト塗
布装置５２との間に空間９３が形成されている。そし
て，図３に示すように，ガイド板９４によって，フロー
９１ａが空間９３内に流れ込むようになっている。

【００２６】図５は，第１の現像処理装置群７０，第２
の現像処理装置群７５，第５の熱系処理装置群８０，第
６の熱系処理装置群８５の斜視図である。第１の現像処
理装置群７０と第５の熱系処理装置群８０の配置の構成
や，第２の現像処理装置群７５と第６の熱系処理装置群
８５の配置の構成も，先に説明した第１のレジスト塗布
装置群５０と第３の熱系処理装置群６０の配置の構成と
同様の構成になっている。即ち，第５の熱系処理装置群
８０，第６の熱系処理装置群８５は，支持部材９２を介
在させて第１の現像処理装置群７０，第２の現像処理装
置群７５の上方にそれぞれ積み重ねられ，各現像処理装
置７２と冷却処理装置８１の間には，空間９３がそれぞ
れ形成されている。そして，各現像処理装置７２の上面
の後面側には，ガイド板９４が配置されているので，各
空間９３内には，フロー９１ａが流れ込んでくるように
なっている。

【００２７】図６に示すように，支持部材９２の内部に
は，例えば２３℃に温度調節された恒温水等の冷却媒体
を，冷媒供給源（図示せず）と冷却処理装置６１，８１
との間で循環供給させるための循環供給路１００が形成
されている。従って，支持部材９２が冷却機能を有する
ことになり，支持部材９２の周囲雰囲気が冷却されるよ
うになっている。

【００２８】インタフェイス部５には，第２の熱系処理
装置群４０に属するエクステンション装置４３と，ポス
トエクスポージャベーキング装置４３，４３等にアクセ
ス可能なウェハ搬送体１１０が装備されている。ウェハ
搬送体１１０はレール１１１に沿ったＸ方向への移動
と，垂直方向への昇降とが自在であり，θ方向にも回転
自在となっている。そして，露光装置４や周辺露光装置
１１２に対してウェハＷを搬送することができるように
構成されている。

【００２９】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理
装置１は以上のように構成されている。次に，塗布現像
処理装置１の作用，効果について説明する。

【００３０】まずカセットステーション２においてウェ
ハ搬送体１１がカセットＣにアクセスして未処理のウェ
ハＷを１枚取り出す。次いで，このウェハＷはウェハ搬
送体１１により第１の熱系処理装置群３０のアライメン
ト装置３３に搬送される。アライメント装置３３で位置
合わせを終了したウェハＷは，主搬送装置２０によって
アライメント装置３３から取り出されて，第１の熱系処
理装置群３０に属するアドヒージョン装置３２に搬入さ
れる。疎水化処理終了後，ウェハＷは，第１のレジスト
塗布装置群５０上に載っている冷却処理装置６１に搬送
されて，所定の冷却処理が施される。所定の冷却処理が
終了したウェハＷは，第１のレジスト塗布装置群５０に
搬送され，レジスト塗布装置５１に搬入されて所定の塗
布処理が施される。

【００３１】その後，ウェハＷは，第１のレジスト塗布
装置群５０上に載っているプリベーキング装置６２に搬
送され，所定の加熱処理が施される。かかる加熱処理終
了後のウェハＷは，第２の熱系処理装置群４０に属する
冷却処理装置４１に搬送されて，所定の冷却処理が施さ
れる。所定の冷却処理が終了したウェハＷは，第２の熱
系処理装置群４０に属するエクステンション装置４３に
搬入されて，その場で待機する。

【００３２】次いで，ウェハＷはウェハ搬送体１１０に
よってエクステンション装置４３から搬出され，周辺露
光装置１１２に搬送される。そして，周辺露光装置１１
２で周辺部の不要なレジスト膜が除去されたウェハＷは
露光装置４に搬送されて，所定の露光処理が施される。

【００３３】露光装置４でパターンが露光されたウェハ
Ｗは，ウェハ搬送体１１０で第２の熱系処理装置群４０
に搬送され，ポストエクスポージャベーキング装置４５
に搬入されて所定の加熱処理が施される。かかる露光処
理後の加熱処理が終了したウェハＷは，第１の現像処理
装置群７０上に載っている冷却処理装置８１に搬入され
て，所定の冷却処理が施される。その後，第１の現像処
理装置群７０に搬送され，現像処理装置７１に搬入され
て所定の現像処理が施される。

【００３４】かかる現像処理が終了したウェハＷは，第
１の現像処理装置群７０上に載っているポストベーキン
グ装置８２に搬入されて，現像処理後の加熱処理が施さ
れる。その後，ウェハＷは，第１の熱系処理装置群３０
に属する冷却処理装置３１に搬入されて，所定の冷却処
理が施される。なお，現像塗布処理装置１内でのウェハ
Ｗの搬送工程は，上記の例に限定されずに，搬送工程を
自由に組み替えることができる。例えば疎水化処理終了
後に冷却処理を行う際に，第１のレジスト塗布装置群５
０上に載っている冷却処理装置６１でなく，第１の熱系
処理装置群３０に属している冷却処理装置３１で冷却処
理を施すようにしてもよく，その他のレジスト塗布処
理，現像処理，冷却処理，加熱処理でも同様のことが言
える。

【００３５】以上のように本発明の実施の形態では，第
１のレジスト塗布装置群５０，第２のレジスト塗布装置
群５５の上方に第３の熱系処理装置群６０，第４の熱系
処理装置群６５が，第１の現像処理装置群７０，第２の
現像処理装置群７５の上方に第５の熱系処理装置群８
０，第６の熱系処理装置群８５がそれぞれ配置されるの
で，限られた塗布現像処理装置１の配置スペース内に，
多数の熱系処理装置を配置することができる。従って，
床占有面積を増大させることなく，現像塗布処理装置１
の処理能力を格段に向上させることができる。

【００３６】しかも，レジスト塗布装置５２と冷却処理
装置６１の間や，現像処理装置７２と冷却処理装置８１
の間には空間９３がそれぞれ形成されている。空間９３
による隔たりによって，プリベーキング装置６２，ポス
トベーキング装置８２からの熱的影響が，レジスト塗布
装置５２，現像処理装置７２に対してそれぞれ及び難く
なる。また，この空間９３内には，ＦＦＵ９０から送風
されたダウンフロー９１の一部であるフロー９１ａが流
れ込んでいる。これにより，先ず，プリベーキング装置
６２やポストベーキング装置８２の熱的影響によって熱
を帯びた雰囲気を空間９３内からそれぞれ追い出すこと
ができ，空間９３内に熱を帯びた雰囲気が籠もることが
ない。そして，主搬送装置２０の搬送動作に伴って発生
するパーティクルを下方に押し流すダウンフロー９１の
一部が，空間９３内に流すフロー９１ａとして利用され
るので，空間９３にフロー９１ａを流す別途専用の送風
装置が不要となる。さらに，空間９３内からパーティク
ルも追い出すことができる。

【００３７】各空間９３の上方には冷却処理装置６１，
８１がそれぞれ配置されているので，プリベーキング装
置６２，ポストベーキング装置８２からの熱的影響がレ
ジスト塗布装置５２，現像処理装置７２に対してそれぞ
れ及ぶことが，さらに抑制されている。そのうえ，冷却
処理装置６１，８１をそれぞれ支持する支持部材９２内
には循環供給路１００が形成されて，支持部材９２内を
冷却媒体が流れているので，支持部材９２及び支持部材
９２の周囲雰囲気が冷却されている。従って，レジスト
塗布装置５２，現像処理装置７２においては，プリベー
キング装置６２，ポストベーキング装置８２からの熱的
影響がより一層抑えられて，温度に敏感なレジスト処理
や現像処理を好適に実施することができる。

【００３８】こうして，処理ステーション３において良
好な塗布現像処理工程が施されたウェハＷは，カセット
ステーション２に戻されて，カセット載置台１０上のカ
セットＣに収納される。

【００３９】なお，上記の実施の形態では，一つの液処
理装置群の上方に，冷却，加熱処理装置から成る熱系処
理装置群が配置された構成であったが，図７に示すよう
に，例えば第１のレジスト処理装置群５０の上方に，プ
リベーキング装置６２，６３のみから成る第７の熱系処
理装置群１２０が配置されてもよい。この場合も，プリ
ベーキング装置６２が支持部材９２によって支持され，
プリベーキング装置６２とレジスト処理装置５２との間
に空間９３が形成されている。そして，ガイド板９４に
よって，空間９３内にフロー９１ａが流れ込んでくる。

【００４０】かかる構成によれば，空間９３による隔た
りによって，プリベーキング装置６２からの熱的影響が
抑えられると共に，空間９３内に流れるフロー９１ａに
よって熱を帯びた雰囲気が空間９３内から追い出され
る。従って，このような構成においても，プリベーキン
グ装置６２からの熱的影響をレジスト塗布装置５２が受
けなくなり，レジスト処理を好適に実施することができ
る。なお，例えば第１の現像処理装置群７０の上方に，
ポストベーキング装置８２，８３のみから成る熱系処理
装置群が同様に配置されていても，現像処理を好適に実
施することができる。

【００４１】また，本発明に使用可能な基板は上記実施
の形態のようにウェハＷには限定されず，例えばＬＣＤ
基板やＣＤ基板であってもよい。

【００４２】

【発明の効果】請求項１〜８に記載の発明によれば，限
られた処理装置の配置スペース内に，加熱処理装置を多
数配置することができる。従って，床占有面積を増大さ
せることなく，処理装置の処理能力を格段に向上させる
ことができる。しかも，液処理装置と加熱処理装置とを
多段配置しても，液処理装置に対する加熱処理装置から
の熱的影響が抑えられるので，基板に対する所期の液処
理を実施することができる。

【００４３】特に請求項２に記載の発明では，液処理装
置と加熱処理装置との間に設けられた空間に気流を流
し，加熱処理装置の影響によって熱を帯びた雰囲気を空
間内から追い出すことができる。これにより，空間内に
熱を帯びた雰囲気が籠もることがない。この場合，請求
項３に固有の要件を付加すれば，空間に気流を流す別途
専用の送風装置が不要となり，装置の簡素化を実現する
ことができる。

【００４４】請求項４，５に記載の発明では，空間だけ
でなく，液処理装置と加熱処理装置との間に冷却処理装
置を介在させるようにしたので，さらに加熱処理装置か
らの熱的影響を抑えることができる。特に請求項５に記
載の支持部材は，冷却機能を有しているので，空間内が
冷却されて，加熱処理装置からの熱的影響を良好に抑え
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理装置
の平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理装置をカセットステーショ
ン側から見た側面図である。

【図３】図１の塗布現像処理装置をインターフェイス部
側から見た側面図である。

【図４】図１の塗布現像処理装置におけるレジスト塗布
装置群及び第３の熱系処理装置群の斜視図である。

【図５】図１の塗布現像処理装置における現像処理装置
群及び第４の熱系処理装置群の斜視図である。

【図６】実施の形態における支持部材の拡大側面図であ
る。

【図７】レジスト塗布装置群及びプリベーキング装置の
みから成る他の熱系処理装置群の側面図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理装置 ３１，４１，４４，６１，８１ 冷却処理装置 ３５，６２，６３ プリベーキング装置 ４６，８２，８３ ポストベーキング装置 ５１，５２ レジスト塗布装置 ７１，７２ 現像処理装置 ９０ ＦＦＵ ９１ ダウンフロー ９１ａ フロー ９２ 支持部材 ９３ 空間 ９４ ガイド板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/68

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 容器内において基板に処理液を供給して
   処理する液処理装置と，容器内において基板を所定温度
   で加熱処理する加熱処理装置と，基板を搬送する搬送装
   置とを備えた処理装置であって， 前記加熱処理装置が支持部材を介在させて前記液処理装
   置の上方に配置されることにより，前記加熱処理装置と
   前記液処理装置との間に空間が形成され， 前記空間は，気流が前記空間の一の側面から流入し，前
   記空間の他の側面から流出するように形成されている こ
   とを特徴とする，処理装置。
2. 【請求項２】 前記空間内を流れる気流を形成する気流
   形成手段が設けられたことを特徴とする，請求項１に記
   載の処理装置。
3. 【請求項３】 少なくとも前記搬送装置，加熱処理装置
   又は液処理装置の上方から，これらの装置の少なくとも
   一つの装置に対して下降気流を形成する送風装置を有
   し，この送風装置から送風された下降気流の一部を前記
   空間内に案内する案内手段を有することを特徴とする，
   請求項２に記載の処理装置。
4. 【請求項４】 容器内において基板を所定温度で冷却処
   理する冷却処理装置が前記加熱処理装置の下方に配置さ
   れて，前記冷却処理装置が前記支持部材によって支持さ
   れることにより前記加熱処理装置及び前記冷却処理装置
   が前記液処理装置の上方に積み重ねられたことを特徴と
   する，請求項１，２又は３に記載の処理装置。
5. 【請求項５】 前記冷却処理装置に冷却媒体を供給する
   供給路が前記支持部材内に形成されていることを特徴と
   する，請求項４に記載の処理装置。
6. 【請求項６】 容器内において基板に処理液を供給して
   処理する液処理装置と，容器内において基板を所定温度
   で加熱処理する加熱処理装置と，容器内において基板を
   所定温度で冷却処理する冷却処理装置と，基板を搬送す
   る搬送装置とを備えた処理装置であって， 前記冷却処理装置は，前記加熱処理装置の下方に配置さ
   れ， 前記冷却処理装置は，支持部材を介在させて前記液処理
   装置の上方に配置されることにより，前記冷却処理装置
   と前記液処理装置との間に空間が形成され， 前記冷却処理装置に冷却媒体を供給する供給路が前記支
   持部材内に形成されていることを特徴とする，処理装
   置。
7. 【請求項７】 前記空間内を流れる気流を形成する気流
   形成手段が設けられたことを特徴とする，請求項６に記
   載の処理装置。
8. 【請求項８】 少なくとも前記搬送装置，加熱処理装置
   又は液処理装置の上方から，これらの装置の少なくとも
   一つの装置に対して下降気流を形成する送風装置を有
   し，この送風装置から送風された下降気流の一部を前記
   空間内に案内する案内手段を有することを特徴とする，
   請求項７に記載の処理装置。