JP3851751B2 - 処理システム - Google Patents
処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP3851751B2 JP3851751B2 JP2000037271A JP2000037271A JP3851751B2 JP 3851751 B2 JP3851751 B2 JP 3851751B2 JP 2000037271 A JP2000037271 A JP 2000037271A JP 2000037271 A JP2000037271 A JP 2000037271A JP 3851751 B2 JP3851751 B2 JP 3851751B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- unit
- station
- processing unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
- G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェハ上にレジスト膜を形成し、露光後のレジスト膜を現像する処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおけるフォトレジスト工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の表面に対してレジストを塗布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後のウェハに対して現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【０００３】
この塗布現像処理システムには、ウェハに対してレジストを供給するためのユニット及び露光された後のウェハに対して現像液を供給するためのユニットの他、ウェハを冷却するためのユニットや加熱するためのユニット等、各種のユニットが備えられ、更にこれらユニット間でウェハの受け渡しを行うための搬送装置が備えられている。
【０００４】
ところで、このような塗布現像処理システム全体をコンパクト化するため、ウェハを上下方向及びθ方向に移送可能としたいわゆる垂直搬送型の搬送装置をシステムの中心に配置し、ユニットが多段に積み重ねられたユニット群をこの搬送装置の周囲を取り囲むように複数配置したシステム構成が具体化されている。
【０００５】
しかしながら、上記の如く構成された塗布現像処理システムでは、ダイナミックなシステムの増減が行えない、という問題がある。即ち、かかるシステムにおいて、システムの増設を行う場合には、各ユニット群におけるユニットの段数を増設することや更にはユニット群の数を増やすことで対応可能であるが、例えば２倍、３倍といったダイナミックなシステムの増設は行えない。従って、従来、このようなダイナミックなシステムの増設を行う場合には、例えば塗布現像処理システムの台数を増やすことで対応していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようなシステムの台数の増設では、次のような問題がある。即ち、上記構成の塗布現像処理システムでは、ユニット群及び搬送装置から構成される処理ステーションとの間でウェハを搬出入するための基板搬入出部（例えば、ＡＧＶとの間でウェハを多数収容したカセットが搬出入されるカセットステーション及び露光装置との間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイス部）が配置される。従って、システムの台数の増設を行うと、この基板搬入出部の数も増えることになるが、システム全体の処理能力は処理ステーションの処理能力に律束しているため、基板搬入出部の増設が無駄になる、という問題がある。
【０００７】
また、上記構成の塗布現像処理システムでは、搬送装置の周囲にユニット群を取り囲むように配置しているため、搬送装置に対するメンテナンスが困難である、という問題もある。
【０００８】
本発明の目的は、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる処理システムを提供することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、特に搬送系のメンテナンスが容易な処理システムを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、各前記処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、前記第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を供給するための液供給部と、当該処理ステーションの中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備し、前記液供給部は、当該処理システムの外側に向けて開閉可能な扉を有し、該扉の内側に少なくとも前記所定の液を貯留する容器が載置されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、基板搬入出部間に同一構成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。また、本発明では、搬送装置に対するアクセスが容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易である。更に、本発明では、特に第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して所定の液を供給するための液供給部が第２の処理ユニット群の外側に配置されているので、液供給部の容積を大きくすることができ、例えば液供給部における液の貯留量をより多くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図、図２は図１に示した塗布現像処理システムの構成を示す正面図、図３は図１に示した塗布現像処理システムの構成示す背面図である。
【００１８】
これらの図に示す塗布現像処理システム１では、複数台、例えば３台の処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃがこれらの側面が相互に隣接するように連接され一体化されている。これら連接された処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃのうち一端の処理ステーション２ａの一方の側面には、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１内に搬入出したり、カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステーション３が配置されている。また、処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃのうち他端の処理ステーション２ｃの一方の側面には、隣接する露光装置（図示を省略）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４が配置されている。
【００１９】
カセットステーション３では、カセット載置台５上の位置決め突起６の位置に複数個、例えば５個のカセットＣが、それぞれのウェハＷ出入口を処理ステーション側に向けてＸ方向に一列に載置されている。このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な搬送装置７が、搬送路８に沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。搬送装置７は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション２ａ側の多段処理ユニット群に属する一の処理ユニットに設けられた受け渡し台にもアクセスできるようになっている。
【００２０】
インターフェイス部４には、搬送路９に沿ったＸ方向に移動自在でＺ方向に移動自在で更にθ方向に回転自在な搬送装置１０が配置され、更に搬送路９の一端には周辺露光装置１１が配置されている。搬送装置１０は、後述する処理ステーション２ｃの受け渡し台や隣接する露光装置、周辺露光装置１１にもアクセスできるようになっている。
【００２１】
処理ステーション２ａの一側面側の後部には、第１の処理ユニットである加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｅ、１２ｇ〜１２ｊ及び受け渡しユニット１２ｆ’が多段に、例えば１０段に配置された処理ユニット群１２が配置されている。また、処理ステーション２ａの他側面側の中央部には、隣接する処理ステーション２ｂとの間でウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し台１３が配置されている。更に、処理ステーション２ａの前面側の上部には、ウェハＷに対して反射防止膜用の塗布液を供給するための処理ユニット（ＢＣＴ）１４が上下に２段且つ左右に２列、合計４台配置されている。また、処理ステーション２ａのほぼ中央には、Ｚ方向に移動自在でθ方向に回転可能ないわゆる垂直搬送型の搬送装置１５が配置されている。搬送装置１５は、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ、受け渡し台１３及び処理ユニット（ＢＣＴ）１４に対してアクセスできるようになっている。また、処理ステーション２ａの前面側の下部、つまり処理ユニット（ＢＣＴ）１４の下方には、処理ユニット（ＢＣＴ）１４に対して塗布液を供給するための液供給部１６が配置されている。液供給部１６は、例えば処理液を貯留するタンク（図示を省略）やタンクから処理液を汲み上げて処理ユニット（ＢＣＴ）１４へ送り出すポンプ（図示を省略）等を装備する。
【００２２】
処理ステーション２ｂ、２ｃについても同様の配置構成となっている。
【００２３】
即ち、処理ステーション２ｂの一側面側の後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部にはウェハＷに対してレジスト液を供給するための処理ユニット（ＣＴ）１７が４台配置され、ほぼ中央には搬送装置１５が配置されている。処理ステーション２ｂの前面側の下部には、処理ユニット（ＣＴ）１７に対してレジスト液を供給するための液供給部１８が配置されている。液供給部１８も液供給部１６と同様に構成される。
【００２４】
また、処理ステーション２ｃの一側面側の後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部にはウェハＷに対して現像処理を行うための処理ユニット（ＤＥＶ）１９が４台配置され、ほぼ中央には搬送装置１５が配置されている。処理ステーション２ｃの前面側の下部には、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対してレジスト液を供給するための液供給部２０が配置されている。液供給部２０も液供給部１６や液供給部１８と同様に構成される。
【００２５】
図４は上記した加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊの構成を示す概略側面図である。
【００２６】
図４に示すように、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）の一方側（システムの後部側）には、ウェハＷを加熱処理するための加熱処理板２１が配置されている。この加熱処理板２１の表面からは、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２２が出没自在に配置されている。なお、この加熱処理板２１の上方には、例えば昇降可能な蓋体（図示を省略）を配置するように構成してもよい。
【００２７】
また、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）の他方側（システムの前部側）には、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理板２３が配置されている。そして、上記構成と同様に、冷却処理板２３の表面からは、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２４が出没自在に配置されている。
【００２８】
加熱処理板２１と冷却処理板２３との間には、これら加熱処理板２１と冷却処理板２３との間でウェハＷの受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ方向に回転自在で加熱処理板２１及び冷却処理板２３に対してアクセスすることができる搬送装置２５が配置されている。
【００２９】
そして、まず冷却処理板２３の表面から支持ピン２４が突き出た状態で搬送装置１５から支持ピン２４にウェハＷが受け渡される。その後、搬送装置２５が支持ピン２４からウェハＷを受け取り、加熱却処理板２１の表面から支持ピン２２が突き出た状態で搬送装置２５から支持ピン２３にウェハＷが受け渡される。そして、支持ピン２２が下降して加熱却処理板２１の表面から没することで、ウェハＷが加熱処理板２１上に載置され、ウェハＷの加熱処理が行われる。その後、再び支持ピン２２が上昇して加熱却処理板２１の表面から突き出た状態となり、この状態で搬送装置２５が支持ピン２２からウェハＷを受け取り、冷却処理板２３の表面から支持ピン２４が突き出た状態で搬送装置２５から支持ピン２４にウェハＷが受け渡される。そして、支持ピン２４が下降して冷却却処理板２３の表面から没することで、ウェハＷが冷却処理板２３上に載置され、ウェハＷの冷却処理が行われる。その後、再び支持ピン２４が上昇して冷却処理板２３の表面から突き出た状態となり、この状態で搬送装置１５が支持ピン２４からウェハＷを受け取るようになっている。
【００３０】
図５は上記した受け渡しユニット１２ｆ’の構成を示す概略側面図である。
【００３１】
図５に示すように、受け渡しユニット１２ｆ’の一方側（システムの前部側）には、ウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し台２６が上下に２台配置されている。各受け渡し台２６には、ウェハＷを保持するための保持ピン２７が例えば３本配置されている。なお、受け渡し台２６は、ウェハＷの位置合わせの機能も有する。
【００３２】
そして、カセットステーション３における搬送装置７がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセスしてウェハＷを受け渡し、処理ステーション２ａにおける搬送装置１５が受け渡し台２６からウェハＷを受け取ることで、処理ステーションへのウェハＷの搬入が行われる。また、処理ステーション２ａにおける搬送装置１５がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセスしてウェハＷを受け渡し、カセットステーション３における搬送装置７が受け渡し台２６からウェハＷを受け取ることで、処理ステーションからウェハＷの搬出が行われる。
【００３３】
なお、図６に示すように、例えば加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）における冷却却処理板２３の上方に受け渡し台２６を配置することで、図５に示したような専用の受け渡しユニットを設ける必要をなくすことができる。
【００３４】
図７は上記した受け渡し台１３の概略構成を示す側面図である。
【００３５】
図７に示すように、受け渡し台１３は、上側載置台２８と下側載置台２９とを有しており、上側載置台２８にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支持ピン３０が設けられ、下側載置台２９にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支持ピン３１が設けられている。従って、受け渡し台１３には、支持ピン３０、３１により、合計２枚のウェハＷが上下に支持されるようになっている。
【００３６】
図８は上記した処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７及び処理ユニット（ＤＥＶ）１９の概略的構成を示す図である。
【００３７】
図８に示すように、これらユニットのほぼ中央部にはカップＣＰが配置され、カップＣＰ内にはウェハＷを回転可能保持するスピンチャック４０が配置されている。スピンチャック４０の上部には処理液をウェハＷに対して供給するためのノズル４１が配置されている。スピンチャック４０は、昇降自在とされ、カップＣＰより上昇した状態で搬送装置１５との間でウェハＷの受け渡しを行いカップＣＰ内に収容された状態でノズル４１よりウェハＷに対する処理液の供給が行われるようになっている。ノズル４１よりウェハＷに対して処理液を供給する際には、スピンチャック４０が回転するようになっている。
【００３８】
図９は上記した搬送装置１５の概略構成を示す斜視図である。
【００３９】
図９に示すように、搬送装置１５は、上端及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部３２、３２からなる筒状支持体３４の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段３５を備えている。筒状支持体３４はモータ３６の回転軸に接続されており、このモータ３６の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段３５と共に一体に回転する。従って、ウェハ搬送手段３５はθ方向に回転自在となっている。
【００４０】
ウェハ搬送手段３５の搬送基台３７上には、ウェハＷを保持する２本のピンセット３８、３９が上下に備えられている。各ピンセット３８、３９は基本的には同一の構成を有しており、筒状支持体３４の両壁部３２、３２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、ピンセット３８、３９は搬送基台３７に内蔵されたモータ（図示を省略）により前後方向の移動が自在となっている。
【００４１】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。
【００４２】
塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウェハＷはカセットステーション３の搬送装置７によって取り出された後、処理ステーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’内に搬送され、位置合わせが行われる。
【００４３】
次に、ウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００４４】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ユニット（ＢＣＴ）１４内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【００４５】
次に、反射防止膜用の処理液が塗布されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われる。なお、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊには、低温タイプと高温タイプの２種類があり、まず低温タイプのユニットで加熱処理し、その後高温タイプのユニットで加熱処理を行っている。
【００４６】
次に、加熱処理されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送される。
【００４７】
次に、処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００４８】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００４９】
次に、レジスト液が塗布されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われ、続けて冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００５０】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
【００５１】
次に、処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に搬送される。
【００５２】
次に、処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に載置されたウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によって周辺露光装置１１に搬送され、周辺露光が行われる。
【００５３】
次に、周辺露光が行われたウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によって露光装置（図示を省略）に受け渡される。
【００５４】
次に、露光装置によって露光処理が行われたウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によって処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に搬送される。
【００５５】
次に、処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に載置されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われ、続けて冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００５６】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの処理ユニット（ＤＥＶ）１９に搬送され、現像処理が行われる。
【００５７】
次に、現像処理されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われる。
【００５８】
次に、加熱処理が行われたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
【００５９】
次に、処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送される。
【００６０】
次に、処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’に搬送される。
【００６１】
次に、処理ステーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’に搬送された処理済みのウェハＷはカセットステーション３の搬送装置７によってカセットＣ内に収容される。
【００６２】
ところで、このように構成された塗布現像処理システム１においては、同一構成の複数の処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。例えば、反射防止膜の形成が不要な場合には、図１０に示すように、図１〜図３に示した塗布現像処理システム１から処理ステーション２ａだけを除き、処理ステーション２ｂとカセットステーション３とを連接すればよい。また、例えば２倍の処理能力が必要な場合には、図１１に示すように、処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃをそれぞれ２台に増設し、例えばカセットステーション３−処理ステーション２ａ−処理ステーション２ａ−処理ステーション２ｂ−処理ステーション２ｂ−処理ステーション２ｃ−処理ステーション２ｃ−インターフェイス部４の順番で連接すればよい。
【００６３】
また、本実施形態の塗布現像処理システム１の各処理ステーションにおいては、垂直搬送型の搬送装置１５を囲むように処理ユニット（ＢＣＴ）１４、（ＣＴ）１７、（ＤＥＶ）１９、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ及び受け渡し台１３を配置する一方で、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊを図中左側面後部に、受け渡し台１３を図中右側面中央部にそれぞれ配置しているので、受け渡し台１３の後部側に作業員が搬送装置１５にアクセスするための空間が確保され、搬送系のメンテナンスが容易となる。
【００６４】
更に、本実施形態の塗布現像処理システム１では、処理液の種類が異なる３つの処理ユニット（ＢＣＴ）１４と処理ユニット（ＣＴ）１７と処理ユニット（ＤＥＶ）１９とをそれぞれ別個の処理ステーションに区分けして配置しているので、雰囲気制御が容易である。この場合、各処理ステーションには同一の処理ユニットが隣接するように配置されるので、例えば隣接する処理ユニット間で共通のノズルを用いることが可能である。これにより高価なノズルの数を削減することが可能となる。
【００６５】
また、本実施形態の塗布現像処理システム１では、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内で、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理板２３を有する冷却部が液処理系の処理ユニット１４、１７、１９側に配置されているので、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊから液処理系の処理ユニット側への熱的な悪影響を抑えることができる。また、冷却部から液処理系の処理ユニット１４、１７、１９への搬送距離を短くできるので、熱的に良好な状態（ウェハＷが所定の冷却温度に安定した状態）で液処理を行うことができる。
【００６６】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
【００６７】
図１２はこの実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。尚、最初に示した実施形態における要素と同一の要素には同一の部号を付している。
【００６８】
図１２に示すように、この塗布現像処理システム５１は、連接された処理ステーション５２ａ、５２ｂ、５２ｃの構成が最初に示した実施形態におけるシステムと異なる。そして、これら処理ステーション５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、これらの前面側の上部に配置された第２の処理ユニットとしての処理ユニット５３、５４、５５の構成が最初に示した実施形態のものと異なる。
【００６９】
図１３はこれら処理ユニット５３、５４、５５の概略構成を示す側面図である。
【００７０】
図１３に示すように、各処理ユニット５３、５４、５５の一方側（搬送装置１５側）には、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理板６１が配置されている。そして、冷却処理板６１の表面からは、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２４が出没自在に配置されている。
【００７１】
各処理ユニット５３、５４、５５の他方側には、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が２台並列に配置されている。
【００７２】
そして、冷却処理板６１と各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９との間には、これら冷却処理板６１と各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９の間でウェハＷの受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ方向に回転自在で冷却処理板６１、各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対してアクセスすることができる搬送装置６２が配置されている。
【００７３】
従って、本実施形態においては、ウェハＷは搬送装置１５→冷却処理板６１→搬送装置６２→処理ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９）を経て処理ユニット（ＢＣＴ）１４における処理が行われ、処理されたウェハＷは処理ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９）→搬送装置６２→冷却処理板６１→搬送装置１５を経て搬送装置１５に戻されるようになっている。
【００７４】
本実施形態においては、上述した実施形態と同様の作用効果に加え、冷却処理板６１を各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９と同一の環境におくことができるので、雰囲気制御及び温度制御が容易である。
【００７５】
次に、本発明の更に別の実施形態について説明する。
【００７６】
図１４はこの実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図、図１５はその正面図である。尚、最初に示した実施形態における要素と同一の要素には同一の部号を付している。
【００７７】
図１４及び図１５に示すように、この塗布現像処理システム７１は、連接された処理ステーション７２ａ、７２ｂ、７２ｃの構成が最初に示した実施形態におけるシステムと異なる。そして、これら処理ステーション７２ａ、７２ｂ、７２ｃでは、これらの前面側上部に、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が例えば１列４段に配置され、処理ユニット群の外側には各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対して処理液を供給するための液供給部７３が配置されている。
【００７８】
ここで、液供給部７３は、外側に向けて開閉可能な扉７４を有し、該扉７４の内側に処理液を貯留するタンク７５が載置されている。また、各液供給部７３には、タンク７５から処理液を汲み上げて各処理ユニットに対して送り込むためのポンプ（図示を省略）が装備されている。
【００７９】
本実施形態においては、最初に示した実施形態と同様の作用効果に加え、液供給部７３が処理ユニットの外側に配置されているので、液供給部７３の容積を大きくすることができ、例えば液供給部７３における液の貯留量をより多くすることができる。
【００８０】
次に、本発明のまた別の実施形態について説明する。
【００８１】
図１６に示すように、この実施の形態に係るシステムでは、各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃが処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃ内を集中排気するための排気部８１を有する。排気部８１は、搬送装置１５を挟んだ第２の処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥＶ）１４，１７，１９と対向する側の下部に排気口８２を有する。排気口８２には、排気ファン８３が接続されている。排気ファン８３により排気された気体は、各ブロック８５に対応したフィルタ部８４を介して各ブロック８５の上部から清浄気体が供給されるようになっている。ここで、ブロック８５とは、例えば処理ステーション２ａについていうと、処理ステーション２ａ、処理装置１５、処理ユニット１４がそれぞれブロックを構成している。
【００８２】
このように各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃにおいて、搬送装置１５を挟んだ第２の処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥＶ）１４，１７，１９と対向する側の下部に設けられた排気口８２を介してて集中排気することにより、各ブロック間の排気、特に液処理系のユニットと熱処理系のユニットの排気が相互に混合することはなくなり、相互間の熱的干渉や雰囲気的干渉（例えば薬液の雰囲気が他のユニットに流れ出ること）がなくなる。
【００８３】
次に本発明のまた更に別の実施形態について説明する。
【００８４】
このシステムでは、図１７に示すように、各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃにおける各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’がその一方側（システムの後部側）にウェハＷを加熱処理するための加熱処理板２１を有し、その他方側（システムの前部側）にウェハＷを冷却処理するための冷却処理板２３を有するが、搬送装置を持たない点が上述した実施形態と異なる。また、搬送装置１５の下部には、各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’の側面に沿って搬送装置１５を移動させる移動機構９１を有する。そして、搬送装置１５が各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’における加熱処理板２１と冷却処理板２３の両方にアクセスできるようになっている。本実施形態では、このような構成により加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’を小型化でき、システム全体を小型化することが可能である。上述した各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’において、加熱処理板２１と冷却処理板２３との配置を逆にしてもよい。すなわち、冷却処理板２３を第２の処理ユニット１４，１７，１９側に配置してもよい。これにより、加熱処理板２１が第２の処理ユニット１４，１７，１９に対して与える熱的悪影響を低減することができる。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理システムによれば、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する第２の処理ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易である。
【００８６】
また、本発明の処理システムによれば、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板を冷却処理を施す冷却処理部と、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットと、当該処理ユニットと前記冷却処理部との間で基板の搬送を行うユニット内搬送装置とを備えた第２の処理ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１の処理ユニット、前記第２の処理ユニットの冷却処理部、当該処理ステーションの前記基板受け渡し台及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易であり、加えて冷却処理部と処理ユニットとを同一の環境におくことができ、これにより例えば処理ユニットによって安定した処理を行うことができる。
【００８７】
本発明の処理システムによれば、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、前記第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を供給するための液供給部と、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易であり、加えて液供給部の容積を大きくすることができ、例えば液供給部における液の貯留量をより多くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】 図１に示した塗布現像処理システムの構成を示す正面図である。
【図３】 図１に示した塗布現像処理システムの構成示す背面図である。
【図４】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける加熱・冷却兼用処理ユニットの構成を示す概略側面図である。
【図５】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける受け渡しユニットの構成を示す概略側面図である。
【図６】 受け渡しユニットの他の構成を示す概略側面図である。
【図７】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける受け渡し台の概略構成を示す側面図である。
【図８】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける処理ユニットの概略的構成を示す図。
【図９】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける搬送装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの作用効果を説明するための図（その１）である。
【図１１】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの作用効果を説明するための図（その２）である。
【図１２】 本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図１３】 本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける処理ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図１４】 本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図１５】 図１４に示した塗布現像処理システムの構成を示す正面図である。
【図１６】 本発明のまた別の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す一部平面図である。
【図１７】 本発明のさらにまた別の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す一部平面図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
２ａ〜２ｃ 処理ステーション
３ カセットステーション
４ インターフェイス部
１２ 処理ユニット群
１２ａ〜１２ｊ 加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）
１３ 受け渡し台
１４、１７、１９ 処理ユニット
１５ 搬送装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェハ上にレジスト膜を形成し、露光後のレジスト膜を現像する処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおけるフォトレジスト工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の表面に対してレジストを塗布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後のウェハに対して現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【０００３】
この塗布現像処理システムには、ウェハに対してレジストを供給するためのユニット及び露光された後のウェハに対して現像液を供給するためのユニットの他、ウェハを冷却するためのユニットや加熱するためのユニット等、各種のユニットが備えられ、更にこれらユニット間でウェハの受け渡しを行うための搬送装置が備えられている。
【０００４】
ところで、このような塗布現像処理システム全体をコンパクト化するため、ウェハを上下方向及びθ方向に移送可能としたいわゆる垂直搬送型の搬送装置をシステムの中心に配置し、ユニットが多段に積み重ねられたユニット群をこの搬送装置の周囲を取り囲むように複数配置したシステム構成が具体化されている。
【０００５】
しかしながら、上記の如く構成された塗布現像処理システムでは、ダイナミックなシステムの増減が行えない、という問題がある。即ち、かかるシステムにおいて、システムの増設を行う場合には、各ユニット群におけるユニットの段数を増設することや更にはユニット群の数を増やすことで対応可能であるが、例えば２倍、３倍といったダイナミックなシステムの増設は行えない。従って、従来、このようなダイナミックなシステムの増設を行う場合には、例えば塗布現像処理システムの台数を増やすことで対応していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようなシステムの台数の増設では、次のような問題がある。即ち、上記構成の塗布現像処理システムでは、ユニット群及び搬送装置から構成される処理ステーションとの間でウェハを搬出入するための基板搬入出部（例えば、ＡＧＶとの間でウェハを多数収容したカセットが搬出入されるカセットステーション及び露光装置との間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイス部）が配置される。従って、システムの台数の増設を行うと、この基板搬入出部の数も増えることになるが、システム全体の処理能力は処理ステーションの処理能力に律束しているため、基板搬入出部の増設が無駄になる、という問題がある。
【０００７】
また、上記構成の塗布現像処理システムでは、搬送装置の周囲にユニット群を取り囲むように配置しているため、搬送装置に対するメンテナンスが困難である、という問題もある。
【０００８】
本発明の目的は、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる処理システムを提供することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、特に搬送系のメンテナンスが容易な処理システムを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、各前記処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、前記第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を供給するための液供給部と、当該処理ステーションの中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備し、前記液供給部は、当該処理システムの外側に向けて開閉可能な扉を有し、該扉の内側に少なくとも前記所定の液を貯留する容器が載置されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、基板搬入出部間に同一構成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。また、本発明では、搬送装置に対するアクセスが容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易である。更に、本発明では、特に第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して所定の液を供給するための液供給部が第２の処理ユニット群の外側に配置されているので、液供給部の容積を大きくすることができ、例えば液供給部における液の貯留量をより多くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図、図２は図１に示した塗布現像処理システムの構成を示す正面図、図３は図１に示した塗布現像処理システムの構成示す背面図である。
【００１８】
これらの図に示す塗布現像処理システム１では、複数台、例えば３台の処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃがこれらの側面が相互に隣接するように連接され一体化されている。これら連接された処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃのうち一端の処理ステーション２ａの一方の側面には、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１内に搬入出したり、カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステーション３が配置されている。また、処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃのうち他端の処理ステーション２ｃの一方の側面には、隣接する露光装置（図示を省略）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４が配置されている。
【００１９】
カセットステーション３では、カセット載置台５上の位置決め突起６の位置に複数個、例えば５個のカセットＣが、それぞれのウェハＷ出入口を処理ステーション側に向けてＸ方向に一列に載置されている。このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な搬送装置７が、搬送路８に沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。搬送装置７は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション２ａ側の多段処理ユニット群に属する一の処理ユニットに設けられた受け渡し台にもアクセスできるようになっている。
【００２０】
インターフェイス部４には、搬送路９に沿ったＸ方向に移動自在でＺ方向に移動自在で更にθ方向に回転自在な搬送装置１０が配置され、更に搬送路９の一端には周辺露光装置１１が配置されている。搬送装置１０は、後述する処理ステーション２ｃの受け渡し台や隣接する露光装置、周辺露光装置１１にもアクセスできるようになっている。
【００２１】
処理ステーション２ａの一側面側の後部には、第１の処理ユニットである加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｅ、１２ｇ〜１２ｊ及び受け渡しユニット１２ｆ’が多段に、例えば１０段に配置された処理ユニット群１２が配置されている。また、処理ステーション２ａの他側面側の中央部には、隣接する処理ステーション２ｂとの間でウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し台１３が配置されている。更に、処理ステーション２ａの前面側の上部には、ウェハＷに対して反射防止膜用の塗布液を供給するための処理ユニット（ＢＣＴ）１４が上下に２段且つ左右に２列、合計４台配置されている。また、処理ステーション２ａのほぼ中央には、Ｚ方向に移動自在でθ方向に回転可能ないわゆる垂直搬送型の搬送装置１５が配置されている。搬送装置１５は、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ、受け渡し台１３及び処理ユニット（ＢＣＴ）１４に対してアクセスできるようになっている。また、処理ステーション２ａの前面側の下部、つまり処理ユニット（ＢＣＴ）１４の下方には、処理ユニット（ＢＣＴ）１４に対して塗布液を供給するための液供給部１６が配置されている。液供給部１６は、例えば処理液を貯留するタンク（図示を省略）やタンクから処理液を汲み上げて処理ユニット（ＢＣＴ）１４へ送り出すポンプ（図示を省略）等を装備する。
【００２２】
処理ステーション２ｂ、２ｃについても同様の配置構成となっている。
【００２３】
即ち、処理ステーション２ｂの一側面側の後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部にはウェハＷに対してレジスト液を供給するための処理ユニット（ＣＴ）１７が４台配置され、ほぼ中央には搬送装置１５が配置されている。処理ステーション２ｂの前面側の下部には、処理ユニット（ＣＴ）１７に対してレジスト液を供給するための液供給部１８が配置されている。液供給部１８も液供給部１６と同様に構成される。
【００２４】
また、処理ステーション２ｃの一側面側の後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部にはウェハＷに対して現像処理を行うための処理ユニット（ＤＥＶ）１９が４台配置され、ほぼ中央には搬送装置１５が配置されている。処理ステーション２ｃの前面側の下部には、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対してレジスト液を供給するための液供給部２０が配置されている。液供給部２０も液供給部１６や液供給部１８と同様に構成される。
【００２５】
図４は上記した加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊの構成を示す概略側面図である。
【００２６】
図４に示すように、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）の一方側（システムの後部側）には、ウェハＷを加熱処理するための加熱処理板２１が配置されている。この加熱処理板２１の表面からは、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２２が出没自在に配置されている。なお、この加熱処理板２１の上方には、例えば昇降可能な蓋体（図示を省略）を配置するように構成してもよい。
【００２７】
また、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）の他方側（システムの前部側）には、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理板２３が配置されている。そして、上記構成と同様に、冷却処理板２３の表面からは、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２４が出没自在に配置されている。
【００２８】
加熱処理板２１と冷却処理板２３との間には、これら加熱処理板２１と冷却処理板２３との間でウェハＷの受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ方向に回転自在で加熱処理板２１及び冷却処理板２３に対してアクセスすることができる搬送装置２５が配置されている。
【００２９】
そして、まず冷却処理板２３の表面から支持ピン２４が突き出た状態で搬送装置１５から支持ピン２４にウェハＷが受け渡される。その後、搬送装置２５が支持ピン２４からウェハＷを受け取り、加熱却処理板２１の表面から支持ピン２２が突き出た状態で搬送装置２５から支持ピン２３にウェハＷが受け渡される。そして、支持ピン２２が下降して加熱却処理板２１の表面から没することで、ウェハＷが加熱処理板２１上に載置され、ウェハＷの加熱処理が行われる。その後、再び支持ピン２２が上昇して加熱却処理板２１の表面から突き出た状態となり、この状態で搬送装置２５が支持ピン２２からウェハＷを受け取り、冷却処理板２３の表面から支持ピン２４が突き出た状態で搬送装置２５から支持ピン２４にウェハＷが受け渡される。そして、支持ピン２４が下降して冷却却処理板２３の表面から没することで、ウェハＷが冷却処理板２３上に載置され、ウェハＷの冷却処理が行われる。その後、再び支持ピン２４が上昇して冷却処理板２３の表面から突き出た状態となり、この状態で搬送装置１５が支持ピン２４からウェハＷを受け取るようになっている。
【００３０】
図５は上記した受け渡しユニット１２ｆ’の構成を示す概略側面図である。
【００３１】
図５に示すように、受け渡しユニット１２ｆ’の一方側（システムの前部側）には、ウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し台２６が上下に２台配置されている。各受け渡し台２６には、ウェハＷを保持するための保持ピン２７が例えば３本配置されている。なお、受け渡し台２６は、ウェハＷの位置合わせの機能も有する。
【００３２】
そして、カセットステーション３における搬送装置７がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセスしてウェハＷを受け渡し、処理ステーション２ａにおける搬送装置１５が受け渡し台２６からウェハＷを受け取ることで、処理ステーションへのウェハＷの搬入が行われる。また、処理ステーション２ａにおける搬送装置１５がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセスしてウェハＷを受け渡し、カセットステーション３における搬送装置７が受け渡し台２６からウェハＷを受け取ることで、処理ステーションからウェハＷの搬出が行われる。
【００３３】
なお、図６に示すように、例えば加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）における冷却却処理板２３の上方に受け渡し台２６を配置することで、図５に示したような専用の受け渡しユニットを設ける必要をなくすことができる。
【００３４】
図７は上記した受け渡し台１３の概略構成を示す側面図である。
【００３５】
図７に示すように、受け渡し台１３は、上側載置台２８と下側載置台２９とを有しており、上側載置台２８にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支持ピン３０が設けられ、下側載置台２９にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支持ピン３１が設けられている。従って、受け渡し台１３には、支持ピン３０、３１により、合計２枚のウェハＷが上下に支持されるようになっている。
【００３６】
図８は上記した処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７及び処理ユニット（ＤＥＶ）１９の概略的構成を示す図である。
【００３７】
図８に示すように、これらユニットのほぼ中央部にはカップＣＰが配置され、カップＣＰ内にはウェハＷを回転可能保持するスピンチャック４０が配置されている。スピンチャック４０の上部には処理液をウェハＷに対して供給するためのノズル４１が配置されている。スピンチャック４０は、昇降自在とされ、カップＣＰより上昇した状態で搬送装置１５との間でウェハＷの受け渡しを行いカップＣＰ内に収容された状態でノズル４１よりウェハＷに対する処理液の供給が行われるようになっている。ノズル４１よりウェハＷに対して処理液を供給する際には、スピンチャック４０が回転するようになっている。
【００３８】
図９は上記した搬送装置１５の概略構成を示す斜視図である。
【００３９】
図９に示すように、搬送装置１５は、上端及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部３２、３２からなる筒状支持体３４の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段３５を備えている。筒状支持体３４はモータ３６の回転軸に接続されており、このモータ３６の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段３５と共に一体に回転する。従って、ウェハ搬送手段３５はθ方向に回転自在となっている。
【００４０】
ウェハ搬送手段３５の搬送基台３７上には、ウェハＷを保持する２本のピンセット３８、３９が上下に備えられている。各ピンセット３８、３９は基本的には同一の構成を有しており、筒状支持体３４の両壁部３２、３２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、ピンセット３８、３９は搬送基台３７に内蔵されたモータ（図示を省略）により前後方向の移動が自在となっている。
【００４１】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。
【００４２】
塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウェハＷはカセットステーション３の搬送装置７によって取り出された後、処理ステーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’内に搬送され、位置合わせが行われる。
【００４３】
次に、ウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００４４】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ユニット（ＢＣＴ）１４内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【００４５】
次に、反射防止膜用の処理液が塗布されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われる。なお、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊには、低温タイプと高温タイプの２種類があり、まず低温タイプのユニットで加熱処理し、その後高温タイプのユニットで加熱処理を行っている。
【００４６】
次に、加熱処理されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送される。
【００４７】
次に、処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００４８】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００４９】
次に、レジスト液が塗布されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われ、続けて冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００５０】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
【００５１】
次に、処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に搬送される。
【００５２】
次に、処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に載置されたウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によって周辺露光装置１１に搬送され、周辺露光が行われる。
【００５３】
次に、周辺露光が行われたウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によって露光装置（図示を省略）に受け渡される。
【００５４】
次に、露光装置によって露光処理が行われたウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によって処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に搬送される。
【００５５】
次に、処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に載置されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われ、続けて冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行われる。
【００５６】
次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの処理ユニット（ＤＥＶ）１９に搬送され、現像処理が行われる。
【００５７】
次に、現像処理されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｃの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行われる。
【００５８】
次に、加熱処理が行われたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
【００５９】
次に、処理ステーション２ｂの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送される。
【００６０】
次に、処理ステーション２ａの受け渡し台１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’に搬送される。
【００６１】
次に、処理ステーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’に搬送された処理済みのウェハＷはカセットステーション３の搬送装置７によってカセットＣ内に収容される。
【００６２】
ところで、このように構成された塗布現像処理システム１においては、同一構成の複数の処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。例えば、反射防止膜の形成が不要な場合には、図１０に示すように、図１〜図３に示した塗布現像処理システム１から処理ステーション２ａだけを除き、処理ステーション２ｂとカセットステーション３とを連接すればよい。また、例えば２倍の処理能力が必要な場合には、図１１に示すように、処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃをそれぞれ２台に増設し、例えばカセットステーション３−処理ステーション２ａ−処理ステーション２ａ−処理ステーション２ｂ−処理ステーション２ｂ−処理ステーション２ｃ−処理ステーション２ｃ−インターフェイス部４の順番で連接すればよい。
【００６３】
また、本実施形態の塗布現像処理システム１の各処理ステーションにおいては、垂直搬送型の搬送装置１５を囲むように処理ユニット（ＢＣＴ）１４、（ＣＴ）１７、（ＤＥＶ）１９、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ及び受け渡し台１３を配置する一方で、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊを図中左側面後部に、受け渡し台１３を図中右側面中央部にそれぞれ配置しているので、受け渡し台１３の後部側に作業員が搬送装置１５にアクセスするための空間が確保され、搬送系のメンテナンスが容易となる。
【００６４】
更に、本実施形態の塗布現像処理システム１では、処理液の種類が異なる３つの処理ユニット（ＢＣＴ）１４と処理ユニット（ＣＴ）１７と処理ユニット（ＤＥＶ）１９とをそれぞれ別個の処理ステーションに区分けして配置しているので、雰囲気制御が容易である。この場合、各処理ステーションには同一の処理ユニットが隣接するように配置されるので、例えば隣接する処理ユニット間で共通のノズルを用いることが可能である。これにより高価なノズルの数を削減することが可能となる。
【００６５】
また、本実施形態の塗布現像処理システム１では、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内で、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理板２３を有する冷却部が液処理系の処理ユニット１４、１７、１９側に配置されているので、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊから液処理系の処理ユニット側への熱的な悪影響を抑えることができる。また、冷却部から液処理系の処理ユニット１４、１７、１９への搬送距離を短くできるので、熱的に良好な状態（ウェハＷが所定の冷却温度に安定した状態）で液処理を行うことができる。
【００６６】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
【００６７】
図１２はこの実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。尚、最初に示した実施形態における要素と同一の要素には同一の部号を付している。
【００６８】
図１２に示すように、この塗布現像処理システム５１は、連接された処理ステーション５２ａ、５２ｂ、５２ｃの構成が最初に示した実施形態におけるシステムと異なる。そして、これら処理ステーション５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、これらの前面側の上部に配置された第２の処理ユニットとしての処理ユニット５３、５４、５５の構成が最初に示した実施形態のものと異なる。
【００６９】
図１３はこれら処理ユニット５３、５４、５５の概略構成を示す側面図である。
【００７０】
図１３に示すように、各処理ユニット５３、５４、５５の一方側（搬送装置１５側）には、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理板６１が配置されている。そして、冷却処理板６１の表面からは、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２４が出没自在に配置されている。
【００７１】
各処理ユニット５３、５４、５５の他方側には、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が２台並列に配置されている。
【００７２】
そして、冷却処理板６１と各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９との間には、これら冷却処理板６１と各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９の間でウェハＷの受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ方向に回転自在で冷却処理板６１、各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対してアクセスすることができる搬送装置６２が配置されている。
【００７３】
従って、本実施形態においては、ウェハＷは搬送装置１５→冷却処理板６１→搬送装置６２→処理ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９）を経て処理ユニット（ＢＣＴ）１４における処理が行われ、処理されたウェハＷは処理ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９）→搬送装置６２→冷却処理板６１→搬送装置１５を経て搬送装置１５に戻されるようになっている。
【００７４】
本実施形態においては、上述した実施形態と同様の作用効果に加え、冷却処理板６１を各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９と同一の環境におくことができるので、雰囲気制御及び温度制御が容易である。
【００７５】
次に、本発明の更に別の実施形態について説明する。
【００７６】
図１４はこの実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図、図１５はその正面図である。尚、最初に示した実施形態における要素と同一の要素には同一の部号を付している。
【００７７】
図１４及び図１５に示すように、この塗布現像処理システム７１は、連接された処理ステーション７２ａ、７２ｂ、７２ｃの構成が最初に示した実施形態におけるシステムと異なる。そして、これら処理ステーション７２ａ、７２ｂ、７２ｃでは、これらの前面側上部に、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が例えば１列４段に配置され、処理ユニット群の外側には各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対して処理液を供給するための液供給部７３が配置されている。
【００７８】
ここで、液供給部７３は、外側に向けて開閉可能な扉７４を有し、該扉７４の内側に処理液を貯留するタンク７５が載置されている。また、各液供給部７３には、タンク７５から処理液を汲み上げて各処理ユニットに対して送り込むためのポンプ（図示を省略）が装備されている。
【００７９】
本実施形態においては、最初に示した実施形態と同様の作用効果に加え、液供給部７３が処理ユニットの外側に配置されているので、液供給部７３の容積を大きくすることができ、例えば液供給部７３における液の貯留量をより多くすることができる。
【００８０】
次に、本発明のまた別の実施形態について説明する。
【００８１】
図１６に示すように、この実施の形態に係るシステムでは、各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃが処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃ内を集中排気するための排気部８１を有する。排気部８１は、搬送装置１５を挟んだ第２の処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥＶ）１４，１７，１９と対向する側の下部に排気口８２を有する。排気口８２には、排気ファン８３が接続されている。排気ファン８３により排気された気体は、各ブロック８５に対応したフィルタ部８４を介して各ブロック８５の上部から清浄気体が供給されるようになっている。ここで、ブロック８５とは、例えば処理ステーション２ａについていうと、処理ステーション２ａ、処理装置１５、処理ユニット１４がそれぞれブロックを構成している。
【００８２】
このように各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃにおいて、搬送装置１５を挟んだ第２の処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥＶ）１４，１７，１９と対向する側の下部に設けられた排気口８２を介してて集中排気することにより、各ブロック間の排気、特に液処理系のユニットと熱処理系のユニットの排気が相互に混合することはなくなり、相互間の熱的干渉や雰囲気的干渉（例えば薬液の雰囲気が他のユニットに流れ出ること）がなくなる。
【００８３】
次に本発明のまた更に別の実施形態について説明する。
【００８４】
このシステムでは、図１７に示すように、各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃにおける各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’がその一方側（システムの後部側）にウェハＷを加熱処理するための加熱処理板２１を有し、その他方側（システムの前部側）にウェハＷを冷却処理するための冷却処理板２３を有するが、搬送装置を持たない点が上述した実施形態と異なる。また、搬送装置１５の下部には、各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’の側面に沿って搬送装置１５を移動させる移動機構９１を有する。そして、搬送装置１５が各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’における加熱処理板２１と冷却処理板２３の両方にアクセスできるようになっている。本実施形態では、このような構成により加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’を小型化でき、システム全体を小型化することが可能である。上述した各加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’において、加熱処理板２１と冷却処理板２３との配置を逆にしてもよい。すなわち、冷却処理板２３を第２の処理ユニット１４，１７，１９側に配置してもよい。これにより、加熱処理板２１が第２の処理ユニット１４，１７，１９に対して与える熱的悪影響を低減することができる。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理システムによれば、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する第２の処理ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易である。
【００８６】
また、本発明の処理システムによれば、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板を冷却処理を施す冷却処理部と、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットと、当該処理ユニットと前記冷却処理部との間で基板の搬送を行うユニット内搬送装置とを備えた第２の処理ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１の処理ユニット、前記第２の処理ユニットの冷却処理部、当該処理ステーションの前記基板受け渡し台及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易であり、加えて冷却処理部と処理ユニットとを同一の環境におくことができ、これにより例えば処理ユニットによって安定した処理を行うことができる。
【００８７】
本発明の処理システムによれば、側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、前記第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を供給するための液供給部と、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易であり、加えて液供給部の容積を大きくすることができ、例えば液供給部における液の貯留量をより多くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】 図１に示した塗布現像処理システムの構成を示す正面図である。
【図３】 図１に示した塗布現像処理システムの構成示す背面図である。
【図４】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける加熱・冷却兼用処理ユニットの構成を示す概略側面図である。
【図５】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける受け渡しユニットの構成を示す概略側面図である。
【図６】 受け渡しユニットの他の構成を示す概略側面図である。
【図７】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける受け渡し台の概略構成を示す側面図である。
【図８】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける処理ユニットの概略的構成を示す図。
【図９】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける搬送装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの作用効果を説明するための図（その１）である。
【図１１】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの作用効果を説明するための図（その２）である。
【図１２】 本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図１３】 本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける処理ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図１４】 本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図１５】 図１４に示した塗布現像処理システムの構成を示す正面図である。
【図１６】 本発明のまた別の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す一部平面図である。
【図１７】 本発明のさらにまた別の実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す一部平面図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
２ａ〜２ｃ 処理ステーション
３ カセットステーション
４ インターフェイス部
１２ 処理ユニット群
１２ａ〜１２ｊ 加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）
１３ 受け渡し台
１４、１７、１９ 処理ユニット
１５ 搬送装置
Claims (5)
- 側面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、
各前記処理ステーションが、
当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、
当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、
当該処理ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、
前記第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を供給するための液供給部と、
当該処理ステーションの中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備し、
前記液供給部は、当該処理システムの外側に向けて開閉可能な扉を有し、該扉の内側に少なくとも前記所定の液を貯留する容器が載置されていることを特徴とする処理システム。 - 請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記基板搬入出部と隣接する前記第１の処理ユニット群は、当該基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台を具備することを特徴とする処理システム。 - 請求項１に記載の処理システムにおいて、
基板に少なくとも熱的処理を施す前記の処理ユニットは、
前記搬送装置と対面するように配置され、基板に冷却処理を施す冷却処理部と、
基板に対して加熱処理を施す加熱処理部と、
前記冷却処理部と前記加熱処理部との間で基板を搬送するユニット内搬送装置と
を具備することを特徴とする処理システム。 - 請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記第２の処理ユニットは、前記搬送装置に対して多段かつ並列に複数有することを特徴とする処理システム。 - 請求項４に記載の処理システムにおいて、各前記処理ステーションには、同一の処理を行う前記第２の処理ユニットが配置されていることを特徴とする処理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000037271A JP3851751B2 (ja) | 1999-03-24 | 2000-02-15 | 処理システム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7905799 | 1999-03-24 | ||
| JP11-79057 | 1999-03-24 | ||
| JP2000037271A JP3851751B2 (ja) | 1999-03-24 | 2000-02-15 | 処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340633A JP2000340633A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3851751B2 true JP3851751B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=13679280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000037271A Expired - Fee Related JP3851751B2 (ja) | 1999-03-24 | 2000-02-15 | 処理システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6264381B1 (ja) |
| JP (1) | JP3851751B2 (ja) |
| KR (1) | KR100447678B1 (ja) |
| TW (1) | TW463211B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6464789B1 (en) * | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| KR20020072449A (ko) * | 2001-03-10 | 2002-09-16 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
| US7077585B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-07-18 | Yoshitake Ito | Developing method and apparatus for performing development processing properly and a solution processing method enabling enhanced uniformity in the processing |
| JP4080405B2 (ja) | 2003-09-22 | 2008-04-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4356936B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
| JP4459831B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2010-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP4414909B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP4414921B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 |
| KR101166109B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2012-07-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
| US5117514A (en) * | 1991-05-06 | 1992-06-02 | Richter Robert A | Improved toilet-tank flapper valve |
| JPH07297258A (ja) | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 板状体の搬送装置 |
| JP3213748B2 (ja) * | 1994-08-04 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JPH0936195A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP3421521B2 (ja) | 1996-11-11 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| TW353777B (en) * | 1996-11-08 | 1999-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Treatment device |
| KR0185149B1 (ko) * | 1997-03-31 | 1999-03-20 | 배순훈 | 쥬서,믹서,분쇄기의 모터 회전속도 조절방법 및장치 |
| JP3926890B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JPH11145055A (ja) * | 1997-08-15 | 1999-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP3442669B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2003-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2000
- 2000-02-15 JP JP2000037271A patent/JP3851751B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-23 KR KR10-2000-0014748A patent/KR100447678B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-23 US US09/532,453 patent/US6264381B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-24 TW TW089105524A patent/TW463211B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100447678B1 (ko) | 2004-09-08 |
| JP2000340633A (ja) | 2000-12-08 |
| KR20010006856A (ko) | 2001-01-26 |
| US6264381B1 (en) | 2001-07-24 |
| TW463211B (en) | 2001-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4124400B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3587776B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JP4444154B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100497299B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| JP3571471B2 (ja) | 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム | |
| KR20010050849A (ko) | 기판처리장치 | |
| JP3416078B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US10201824B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3774283B2 (ja) | 処理システム | |
| JPH10144599A (ja) | 回転処理装置およびその洗浄方法 | |
| JP3851751B2 (ja) | 処理システム | |
| JP3517121B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2001093827A (ja) | 処理システム | |
| JP3441681B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP4083371B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4880004B2 (ja) | 基板処理システム | |
| JP4021138B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001023873A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3710979B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4030697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4014192B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2007027780A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3648438B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001044119A (ja) | レジスト塗布現像処理装置 | |
| JP3538330B2 (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060110 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060309 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060613 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060706 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060808 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060829 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060904 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150908 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |