JP2007027780A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置の各ユニットにおける温度制御を精密に行う。
【解決手段】搬送装置１９ａの周囲であって対向する２方向に第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂが配置される。第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、搬送装置１９ａとの間でウエハＷの受け渡しを行い、かつウエハＷに対して温調処理を行う温調板と、ウエハＷに対して加熱処理を行う加熱板を備えている。温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、温調板を移動させて温調板と熱板との間でウエハＷの受け渡しを行わせる移動機構をさらに備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば半導体デバイス製造の技術分野に属する。

半導体デバイス製造プロセスにおけるフォトレジスト工程では、例えば半導体ウエハＷ（以下、「ウエハＷ」という。）等の表面に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後のウエハＷに現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理装置が使用されている。

この塗布現像処理装置には、ウエハＷを温調する温調処理ユニット、ウエハＷを加熱する加熱処理ユニット、ウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット、ウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニット等の各種の処理ユニットが備えられている。そして塗布現像処理装置全体をコンパクト化するため、複数の加熱処理ユニットと温調処理ユニットとを多段に、搬送装置と共に全体として集約配置することで、塗布現像処理装置の省スペース化を達成している。

特開平１１−５４４２８号公報

ところでウエハＷが大口径化すると、これに伴って全ての処理ユニットも大型化する。従って、省スペース化のためには、各処理ユニットの配置を一層高集約化させる必要がある。

しかしながら加熱処理ユニットが大型化すると、加熱処理ユニットの熱量も多くなる。従って、これまでのように熱処理ユニット群の中の一つの処理ユニットとして加熱処理装置が他の処理ユニットの近傍に配置されていると、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う他の処理ユニット、例えばレジスト塗布装置等における温度制御を精密に行うことができなくなる虞がある。そして、これらの処理ユニットで温度制御が乱れるとレジスト膜の膜厚が変化する、という問題を生じる。

本発明は、かかる事情に基づきなされたもので、処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる基板処理装置を提供することを目的としている。

上記目的を達成するための本発明によれば、基板を搬送するための搬送装置と、前記搬送装置の周囲であって対向する２方向に配置され、前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行い、かつ基板に対して温調処理を行う温調部と、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、を具備し、前記温調部は、基板を載置して温調する温調板を有しており、前記温調板を移動させて前記温調部と前記加熱部との間で基板の受け渡しを行わせる移動機構をさらに具備することを特徴とする基板処理装置が提供される。

別の観点による本発明によれば、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、基板を温調処理し、かつ前記加熱部との間で基板を搬送する温調部と、前記温調部の両側に配置され、前記温調部との間で基板を搬送する第１及び第２の搬送装置と、を具備することを特徴とする基板処理装置が提供される。

さらに、別の観点による本発明によれば、基板を搬送するための搬送装置と、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、基板を温調処理し、かつ前記搬送装置との間及び前記加熱部との間で基板の受け渡しを行う温調部と、を具備することを特徴とする基板処理装置が提供される。

また、別の観点による本発明によれば、基板を受け渡すための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を行う第１の及び第２の搬送装置とを備え、前記処理ユニットが、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、基板を温調処理し、かつ前記各開口部を介して前記第１及び第２の搬送装置との間で、更に前記加熱部との間で基板を搬送できる温調部と、を具備することを特徴とする基板処理装置が提供される。

別の観点による本発明によれば、基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置の正面側に隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板に対して所定の液を供給する第１の処理ユニットと、前記搬送装置の側面側に隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板を温調処理する温調部及び基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処理ユニットとを備え、前記第２の処理ユニットの前記温調部は前記搬送装置と隣接するように配置され、前記加熱部は前記温調部と隣接し、且つ、前記搬送装置の背面側に突き出るように配置されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。

本発明によれば、処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる。

（第一実施形態）以下、添付図１〜図８を参照しながら本発明の第一実施の形態について説明する。図１〜図４は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図１は平面図、図２は正面図である。図３は図１のｘ方向に沿って切断した場合の断面図、図４は図１のｙ方向に沿って温調処理ユニット１８が配置された領域を切断した場合の断面図である。

図１に示すように、この塗布現像処理システム１は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入出するためのカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション３と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第１のステーションとほぼ同様の構成の第２の処理ステーション４と、この第２の処理ステーション４に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション３では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション４では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。

カセットステーション２では、カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカセットＣがウエハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウエハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。

このウエハ搬送体１１はθ方向にも回転自在に構成されており、後述する第１の処理ステーション３における第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの各第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａに対してアクセスできるように構成されている。

図１、図２に示すように、第１の処理ステーション３では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。

第１の処理ステーション３の中央部には、搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成され、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて構成される。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。

図１、図３に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが例えば８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａは反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ側に位置するように第１加熱・温調処理ユニット群１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａとが配置される。尚、図３は、図１のｘ方向に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとの位置関係を示す図である。また、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂが多段に積層されて構成され、全ての第２加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、温調処理ユニット１８ｂはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ側に配置される。

垂直搬送型の搬送装置１９ａの周囲には、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。そして、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａとの間でのウエハＷの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂとレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ａにより行われる。また、第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａの両側面には開閉可能なシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。第１加熱・温調処理ユニット１０ａとウエハ搬送体１１との間での基板の受け渡し及び第１加熱・温調処理ユニット１０ａと搬送装置１９ａとの間での基板の受け渡しは、それぞれシャッタ４７ａ、４７ｂを介して行われる。また、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッター部材４７ａが設けられており、このシャッター部材４７ａを介して搬送装置１９ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂとの間での基板の受け渡しが行われる。

一方、第２の処理ステーション４では、図１、図２に示すように、第１の処理ステーション３と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。

第２の処理ステーション４の中央部には、搬送装置１９ｂを挟んで、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃでは第３加熱・温調処理ユニット１０ｃがｚ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて構成される。第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄでは第４加熱・温調処理ユニット１０ｄがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。

各第３及び第４加熱・温調処理ユニット１０ｃ、１０ｄは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ、１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ、２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。そして、図１に示すように、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃが、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ側に位置するように第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃとが配置される。また、積層された全ての第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｄのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄが、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ側に位置するように第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１４ｄとが配置される。

垂直搬送型の搬送装置１９ｂの周囲には、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄ、第３及び第４加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、１４ｄが配置されている。そして、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃとの間でのウエハＷの搬送、第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ｂにより行われる。また、第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄの両側面には開閉可能なシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。第４加熱・温調処理ユニット１０ｄと搬送装置１９ｂとの間での基板の受け渡し及び第４加熱・温調処理ユニット１０ｄとウエハ搬送体３７との間での基板の受け渡しは、それぞれシャッタ４７ａ、４７ｂを介して行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッター部材４７ｂが設けられており、このシャッター部材４７ｂを介して搬送装置１９ｂと温調処理ユニット１８ｃとの間での基板の受け渡しが行われる。

また、図１に示すように、第１の処理ステーション３及び第２の処理ステーション４の背面側では、検査機６や第１の処理ユニット群１３ａで用いられ処理液を蓄えるケミカルタワー１５を収容する容器棚が設けられている。この容器棚は、レール７により図面のｙ方向に沿って移動可能となっている。容器棚は、例えば背面側に開閉可能な扉のような構造となっており、この扉に容器が収容可能となっている。これにより、容器の交換や保守点検を容易に行うことができる。検査機６は、露光、現像処理を経たウエハＷの塗布膜の膜厚を検査するものであり、必要に応じて設置される。また、処理液としては、例えば反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に供給される反射防止膜レジスト材、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に供給されるレジスト膜材、現像処理ユニット２６に供給される現像液がある。ここで、背面側に配置されるケミカルタワー１５に蓄えられる処理液を主な処理液源として用いても良いし、背面側に配置されるケミカルタワー１５を予備用として配置し、他の領域に主な処理液源として別のケミカルタワーを配置して用いても構わない。

インターフェイス部５では、その正面側に露光前のウエハＷを一旦保持する、例えばウエハＷカセットＣと同様の構造のバッファカセット３３が配置され、その背面側には周辺露光装置３４が配置されている。そして、垂直方向に昇降可能とされ、更にθ方向に回転可能とされたウエハ搬送体３７が、これらのバッファカセット３３と周辺露光装置３４との間の搬送路３６に沿って移動可能とされ、ウエハ搬送体３７は第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄ、バッファカセット３３及び周辺露光装置３４、露光前温調ユニット（図示しない）に対してアクセスできるように構成されている。

更に、この塗布現像処理システム１では、図１、図３に示すように、第１の処理ステーション３における第１の処理ユニット群１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ）と第２の処理ユニット群１４（第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ）との間、第２の処理ステーション４における第１の処理ユニット群１３（第１及び第２現像処理ユニット群１３ｃ、１３ｄ）と第２の処理ユニット群１４（第３及び第４加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び後述する第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されている。即ち、断熱壁３９及び通路４０は、第１の処理ユニット群１３と第２の処理ユニット群１４との間を分断するように配置されている。

図２に示すように、上述した反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が３段に積み重ねられている。

レジスト塗布ユニット群１３ｂでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。

第１現像処理ユニット群１３ｃでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。

同様に、第２現像処理ユニット群１３ｄでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。

第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃでは、加熱・温調処理ユニット１０が７段に積み重ねられ、それらのユニットの下段に更に図４に示すように搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃがそれぞれ配置されている。第１及び第２の処理ステーション３、４間のウエハＷの受け渡しは、２つの搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃを連通する連通路４０を介して行われる。図４に示すように、搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃにはそれぞれ開口部が設けられ、各開口部に対応して開閉可能なシャッター部材４８ａ、４８ｂ、４９ａ、４９ｂが設けられている。そして、シャッター部材４８ａ、４９ｂを開閉することにより搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃとそれぞれに対応する搬送装置１９a、１９ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行われる。また、シャッター部材４８ｂ、４９ａを開閉することにより連通路４０を介して、搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃ間でのウエハＷの受け渡し、即ち第１及び第２ステーション間でのウエハＷの受け渡しが行われる。

次に、上述した搬送装置１９ａ、１９ｂについて、斜視図である図５を用いて説明する。上述の搬送装置１９ａ及び１９ｂは同様の構造を有しており、図５では符号１９として説明する。

図５に示されるように、搬送装置１９は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハＷ搬送手段５４を備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウエハＷ搬送手段５４と共に一体に回転する。従って、ウエハＷ搬送手段５４はθ方向に回転自在となっている。

ウエハＷ搬送手段５４の搬送基台５６上には、ウエハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後方向の移動が自在となっている。

次に、図４、図６、図７を用いて、上述した第１加熱・温調処理ユニット１０ａの構造について説明する。図６は加熱・温調処理ユニットの平面図、図７は加熱・温調処理ユニットの断面図である。

図６、図７に示すように第１加熱・温調処理ユニット１０ａは、ウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａとウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとを互いに隣接させて一体化した構造となっている。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａは、設定温度が２００℃前後とすることが可能な熱板２４を有している。更に加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとの間を開閉するためのゲートシャッター２１と熱板２４の周囲でウエハＷを包囲しながらゲートシャッター２１と共に昇降されるリングシャッター２２とを有している。熱板２４には、ウエハＷを載置して昇降するための３個のリフトピン２３が昇降自在に設けられている。なお、熱板２３とリングシャッター２２との間に遮蔽板スクリーンを設けてもよい。加熱処理室２０ａの下方には、上記３個のリフトピン２３を昇降するための昇降機構２７と、リングシャッター２２をゲートシャッター２１と共に昇降するための昇降機構２８とが設けられている。熱板２３上には、高さが０．２ｍｍのプロキシミティピン３５、更には案内ガイド３２が設けられている。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａは、ウエハＷを２３℃前後の常温に温調する温調板２５を有している。図４、図６に示すように、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａのカセットステーション側の側部には、カセットステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開閉可能なシャッター部材４７ａが配置されている。更に、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａの搬送装置１９側の側部には、搬送装置１９との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開閉可能なシャッタ部材４７ｂが配置されている。

図７に示すように、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとは、連通口３０を介して連通されており、ウエハＷを載置して温調するための温調板２５がガイドプレート５９に沿って移動機構６０により水平方向に移動自在に構成されている。これにより、温調板２５は、連通口３０を介して加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内に進入することができ、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内の熱板２４により加熱された後のウエハＷをリフトピン２３から受け取って温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬入し、ウエハＷの温調を行う。

上述では、第１加熱・温調処理ユニット１０ａについて説明したが、第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄの第４加熱・温調処理ユニット１０ｄも同様の構造を有している。また、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂ、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃにおいても、第１加熱・温調処理ユニット１０ａとほぼ同様の構造を有しているが、図１及び図４に示すように、第１加熱・温調処理ユニット１０ａでは両側面にシャッタ部材４７ａ、４７ｂが設けられているのに対し、第２及び第３加熱・温調処理ユニット１０ｂ、１０ｃでは搬送装置１９側の側面のみにシャッタ部材４７ａまたは４７ｂが設けられている点で異なる。本実施形態では、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｄでは、シッター部材４７ａ、４７ｂの両方が開いた状態とならないように開閉駆動が行われるようになっている。即ち、シャッター部材４７ａにより開口した状態ではシャッター部材４７ｂにより開口部が閉じられ、逆にシャッター部材４７ｂにより開口した状態ではシャッター部材４７ａにより開口部が閉じられるようになっている。このようにシャッター部材４７ａ、４７ｂの開閉駆動を制御することで、温調処理ユニット（ＣＰＬ）がいわばロードロック室的な機能を果たすことになり、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。

上述のように本実施形態では、第１の処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄと第２の処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとの間に、それぞれ断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置された温調機構が設けられている。この温調機構について、図８を用いて以下に説明する。尚、図８は、処理液供給ユニット、ここでは反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が複数段積層された第１の処理ユニット群１３ａの概略断面図である。

図８に示すように、塗布現像処理システム１の上部には、第１の処理ステーション３における第１の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａに対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部４１が配置されている。清浄エアー供給部４１は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して各反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に供給する。更に、図１に示すように、通路４０と第２の処理ユニット群としての加熱・温調処理ユニット１０ａとの間には段熱壁３９が配置されている。本実施形態では、このように断熱壁や温調機構を設けることにより、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。そして、同様に、図１に示すように、第１の処理ユニット群１３ｂ、１３ｃ、１３ｄとそれぞれ対応する加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとの間にも清浄エアー供給部４０と断熱壁３９とがそれぞれ別個に設けられている。

次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。

塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、図７に示すように、移動機構６０により水平移動される温調板２５により、連通口３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２３により支持される。この後、リフトピン２３が下降し熱板２４上にウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が上昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフトピン２３が上昇されるとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が下降され、ウエハＷは熱板２４から離間されてリフトピン２３により支持される。

その後、温調板２５が再度加熱処理ユニット（ＨＰ）内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは、温調板２５によって温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、移動機構６０により水平移動される温調板２５により、連通口３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２３により支持される。この後、リフトピン２３が下降し熱板２４上にウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が上昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフトピン２３が上昇されるとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が下降され、ウエハＷは熱板２４から離間されてリフトピン２３により支持される。

その後、温調板２５が再度加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは、温調板２５によって温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの最下段に配置される搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂに搬送され、連通路４０を通って、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃの搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｃへ搬送される。

第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄの加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニットへ搬送される。

更に、温調処理ユニットに搬送されたウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。

周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

ここで、バッファカセット３３を例えば２つ設け、１つを周辺露光後のウエハＷを保持するためのカセット、もう１つを周辺露光前のウエハＷを保持するためのカセットとしても用いることができる。この際、周辺露光前のウエハＷを保持するカセットには、ウエハＷを２３℃前後の常温に温調する機構を設けることが望ましい。或いは、バッファカセット３３は周辺露光後のウエハＷのみを保持し、周辺露光前のウエハＷは、第２の処理ユニット群１４ｃまたは１４ｄの加熱・温調処理ユニット１０ｃまたは１０ｄのうちの空いている温調処理ユニット１８ｃまたは１８ｄを周辺露光前のウエハＷを待機させる場所として用いることもできる。この場合、周辺露光前のウエハＷを保持するためのバッファカセットを設ける必要がない。

次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から第２の処理ステーション４の第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄにおける第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第１現像処理ユニット群１３ｃまたは第２現像処理ユニット群１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に搬送され、現像処理が行われる。

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂにより、例えば第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ内に搬送され、加熱処理が行われる。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ｃへ搬送され、搬送装置１９ｂによって第２の処理ステーション４における搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｃに搬送され、連通路４０を通って第１の処理ステーション３における搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂに搬送される。

搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ステーション群１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット１８ａに搬送される。そして、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。ここで、検査機６を設置する場合には、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１により検査機６に搬送される。検査機６では、レジスト膜の膜厚を測定することにより、露光現像処理により得られるパターンの幅が適正かどうかが判断される。検査されたウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。

以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）が、液処理ユニット側に配置されることにより、液処理ユニットと加熱処理ユニット（ＨＰ）との間に温調処理ユニット（ＣＰＬ）が介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を極力抑えることができる。従って、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。

更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、第１及び第２の処理ステーション３、４における液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置される。これにより、通路４０は断熱手段の機能も伴うので、第１の処理ユニット群１３と第２の処理ユニット群１４との間に二重の断熱手段が配置されることとなり、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を抑制し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

（第二実施形態）以下、図９〜図１１を参照しながら本発明の第二実施の形態について説明する。図９〜図１１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図９は平面図、図１０は正面図である。図１１は、図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとケミカルタワー１５ａのｘ方向における位置関係を示す図である。

本実施形態は、上述の第一実施形態とは、処理液を収容するケミカルタワーの配置が異なる点、２つの搬送装置１９ａ、１９ｂの間に配置される加熱・温調処理装置の数が１つである点で、構造上異なる。以下、第二実施形態において説明するが、第一実施形態と同様の構造については一部説明を省略する。また、第一実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明する。

図９に示すように、塗布現像処理システム１は、第一実施形態と同様のカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション８と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第２の処理ステーション９と、この第２の処理ステーション９に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション８では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション９では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。

カセットステーション２については、第一実施形態と同様の構造を有するため説明は省略する。

図９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。更に、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂにそれぞれ隣接してケミカルタワー１５ａ、１５ｂが配置されている。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されており、ケミカルタワー１５ｂにはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に処理液として供給されるレジスト材料が収容されている。

第１の処理ステーション８の背面部には、搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、それぞれケミカルタワー１５ａ、１５ｂに隣接して配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。

図１１に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが多段に積層されて構成される。尚、図１１は、図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａとケミカルタワー１５ａと第２の処理ユニット群１４ａとの位置関係を示す図である。図９、図１１に示すとおり、第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ａのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ａ側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ａに隣接して、第１の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット群１３ａが配置される。また、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂが８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ｂ側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ｂに隣接して、第１の処理ユニット群としてのレジスト膜塗布ユニット群１３ｂ及び後述する第１現像処理ユニット群１３ｃが配置される。

垂直搬送型の搬送装置１９ａの周囲には、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。第１の処理ステーション８における搬送装置１９ａ、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの構造は、上述の第一実施形態における第１の処理ステーション３と各構成と同じ構造をしており、ここでは詳細な説明は省略する。本実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、上述の第一実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと比較して、両側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂがある点と搬送ユニット（ＳＴＬ）がない点で構造が異なる。本実施形態においては、第１の処理ステーション８と後述する第２の処理ステーション９との間でのウエハＷの搬送は、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの各第２加熱・温調処ユニット１０ｂの温調処理ユニット１８ｂを介して行なうことができる。そのため、各温調処理ユニット１８ｂの両側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。

一方、第２の処理ステーション９では、図９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として、第１現像処理ユニット群１３ｃ及び第２現像処理ユニット群１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。更に、第２現像処理ユニット群１３ｄに隣接してケミカルタワー１５ｃが配置されている。このケミカルタワー１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に処理液として供給される現像液が収容されている。

第２の処理ステーション９の背面部には、搬送装置１９ｂを挟んで第２加熱・温調処理ユニット群１０ｂに対向した位置に、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは、それぞれケミカルタワー１５ｃに隣接して配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは第３加熱・温調処理ユニット１０ｃがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。

第３加熱・温調処理ユニット１０ｃは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ、１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ、２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。そして、図９に示すように、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ｃ側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ｃに隣接して、第１の処理ユニット群としての第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄが配置される。

垂直搬送型の搬送装置１９ｂの周囲には、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄ、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃが配置されている。ここで、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、ウエハ上への塗布膜の成膜前後の加熱処理または温調処理、現像処理後前後の加熱処理または温調処理のいずれにも対応できる。そして、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃとの間でのウエハＷの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと第１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、１３ｄとの間でのウエハＷの搬送、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、１３ｄとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ｂにより行われる。第２または第３加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃと搬送装置１９ｂとの間でのウエハＷの受け渡しは、それぞれの温調処理ユニット１８ｂ、１８ｃに設けられた４７ｂ、４７ａを介して行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット１８ｂとウエハ搬送体３７との間でのウエハＷの受け渡しは、温調処理ユニット１８ｃのシャッター部材４７ｂを介して行われる。

インターフェイス部５は、上述の第一実施形態におけるインターフェイス部５と同様の構造のため、個々では説明を省略する。

更に、この塗布現像処理システム１では、図９、図１１に示すように、第１の処理ステーション８及び第２の処理ステーションにおける第１の処理ユニット群１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ）と第２の処理ユニット群１４（第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃ）との間には、ケミカルタワー１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカルタワー１５と第２の処理ユニット群１４との間には断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されている。また、ケミカルタワー１５ｂに隣接して設けられた通路４０及び断熱壁３９は、１つの第２の処理ユニット群１４ｂに対応した２つの第１の処理ユニット群１４ａに対する温調機構及び断熱手段として機能する。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置された温調機構を設けることにより、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。更に、通路４０は断熱手段の機能も伴うので、第２の処理ユニット群１４とケミカルタワー１５との間に断熱壁３９及び通路４０が設けられることにより二重の断熱手段が配置されることとなる。そのため、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、またケミカルタワー１５に収容される処理液は加熱処理ユニット２０による熱的影響を受けにくく、処理液の温度調整が容易となる。

図１０に示すように、上述した反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が３段に積み重ねられている。レジスト塗布ユニット群１３ｂでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。第１現像処理ユニット群１３ｃでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。同様に、第２現像処理ユニット群１３ｄでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。

第１、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０とウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット１０が８段に積み重ねられて構成されており、上述したように全ての温調処理ユニットの側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット１０の構造は、上述の第一実施形態と同様のため、ここでは説明を省略する。

上述した搬送装置１９ａ、１９ｂの構造は、上述の第一実施形態の搬送装置１９ａ及び１９ｂと同様の構造のため、説明を省略する。

次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同様のため省略する。

塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃの加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット１８ｃへ搬送される。

更に、温調処理ユニットに搬送されたウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。

周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から第２の処理ステーション９の第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける第４加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第１現像処理ユニット群１３ｃまたは第２現像処理ユニット群１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に搬送され、現像処理が行われる。

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂにより、例えば第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂにおける加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内に搬送され、加熱処理が行われる。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ｂへ搬送され、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ステーション群１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット１８ａに搬送される。そして、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。

以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。

更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されることにより、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

（第三実施形態）以下、図１２〜図１４を参照しながら本発明の第三実施の形態について説明する。図１２〜図１４は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図１２は平面図、図１３は正面図である。図１４は、図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとのｘ方向における位置関係を示す図である。

本実施形態は、上述の第一実施形態とは、処理液を収容するケミカルタワーの配置位置の点、搬送装置及び加熱・温調処理装置の数を少ない点、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）が積み重ねられている点で構造上異なり、第一及び第二実施形態と比較しシステム全体が小型化されている。

以下、第三実施形態において説明するが、第一実施形態と同様の構造については一部説明を省略する。また、第一実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明する。

図１２に示すように、塗布現像処理システム１は、第一実施形態と同様のカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション４５と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第２の処理ステーション４６と、この第２の処理ステーション４６に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション４５では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション４６では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。塗布現像処理システム１のほぼ中央部には搬送装置１９が配置され、搬送装置１９は第１の処理ステーション４５及び第２の処理ステーション４６における処理中のウエハＷの搬送に用いられる。

カセットステーション２については、第一実施形態とほぼ同様の構造を有するため異なる部分のみ説明する。図１３に示すように、カセットステーション２の底部には、後述するレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に処理液として供給されるレジスト膜材料が収容されるケミカルタワー１５ｂが配置されている。

図１２、図１３に示すように、第１の処理ステーション４５では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅが設けられている。反射防止・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がそれぞれ２段ずつｚ軸方向に積み重ねられて構成される。更に、反射防止・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅに隣接してケミカルタワー１５ａが配置されている。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されている。

第１の処理ステーション４５の背面部には、ケミカルタワー１５ａに隣接して第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に多段に積み重ねられて構成されている。各第１加熱・温調処理ユニット１０ａは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。

図１４に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが１２段に積層されて構成される。尚、図１４は、図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとケミカルタワー１５aの位置関係を示す図である。図１２、図１４に示すとおり、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが１２段に積層されて構成され、ケミカルタワー１５ａに隣接して配置されている。更に、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ａのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａがケミカルタワー１５ａ側に位置するように配置されている。そして、ケミカルタワー１５ａに隣接して反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅが配置されている。

一方、第２の処理ステーション４６では、図１２、図１３に示すように、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として現像処理ユニット群１３ｆが配置されている。現像処理ユニット群１３ｆは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に４段に積み重ねられて構成されている。更に、現像処理ユニット群１３ｆに隣接してケミカルタワー１５ｃが配置されている。このケミカルタワー１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に処理液として供給される現像液が収容されている。

第２の処理ステーション９の背面部には、ケミカルタワー１５ｃと隣接して第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に１２段に積み重ねられて構成される。そして、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの全ての第２加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂがケミカルタワー１５ｃ側に位置するように配置されている。そして、ケミカルタワー１５ｃに隣接して現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｆが配置されている。

垂直搬送型の搬送装置１９の周囲には、反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。各ユニット群間のウエハＷの搬送は搬送装置１９により行われる。また、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａとウエハ搬送体１１とのウエハＷの受け渡し、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂとウエハ搬送体３７とのウエハＷの受け渡し、第１または第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂと搬送装置１９とのウエハＷの受け渡しは、第１または第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂの各加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂの温調処理ユニット１８ａ、１８ｂの両側面に設けられたシャッター部材４７ａ、４７ｂを介して行われる。

インターフェイス部５は、上述の第一実施形態におけるインターフェイス部５と同様の構造のため、説明は省略する。

この塗布現像処理システム１では、図１２、図１３に示すように、第１の処理ユニット群１３（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ）と第２の処理ユニット群１４（第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂ）との間には、ケミカルタワー１５（１５ａ、１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカルタワー１５と第２の処理ユニット群１４との間には断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されている。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置された温調機構を設けることにより、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。

図１３に示すように、上述した反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が２段、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７が２段に積み重ねられている。現像処理ユニット群１３ｆでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が４２段に積み重ねられている。

第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０とウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット１０が１２段に積み重ねられて構成されている。そして、全ての加熱・温調処理ユニット１０の温調処理ユニットの側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット１０の構造は、上述の第一実施形態と同様のため、ここでは説明を省略する。

上述した搬送装置１９の構造は、上述の第一実施形態の搬送装置１９ａ及び１９ｂと同様の構造のため、説明を省略する。

次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同様のため省略する。

塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９によって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって反射防止膜・レジスト塗布ユニット群１３ｅにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９により、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。

周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から第２の処理ステーション４６の第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂにおける第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって現像処理ユニット群１３ｆにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に搬送され、現像処理が行われる。

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９により、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａにおける加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内に搬送され、加熱処理が行われる。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ａへ搬送され、更にカセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。

以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。

更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ）と加熱・温調処理ユニット群（第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ｅ、１３ｆそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されることにより、液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。更に、通路４０は一種の断熱手段を有することとなり、第２の処理ユニット群１４とケミカルタワー１５との間に断熱壁３９及び通路４０が設けられることにより、二重の断熱手段を有する構造となる。そのため、ケミカルタワー１５に収容される処理液は加熱処理ユニット２０による熱的影響を受けにくく温度調整が容易となる。

尚、上記各実施形態では、基板としてウエハＷを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。

本発明のシステム構成は上述した各実施の形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内で様々な構成が考えられる。

例えば、レジストの塗布現像システムばかりでなく、他のシステム、例えば基板上に層間絶縁膜を形成するＳＯＤ（Ｓｐｉｎ
ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システム等にも本発明を適用することができる。ＳＯＤ処理システムは、基板上に層間絶縁膜材料を塗布する塗布ユニットと、絶縁膜材料が塗布された基板を加熱、温調する加熱・温調処理ユニットを有している。この加熱・温調処理ユニットは、本実施形態の加熱・温調処理ユニットと同様に加熱処理ユニットとこれに隣接して設けられた温調処理ユニットとを有しており、ＳＯＤ処理システムにおける加熱処理ユニットは設定温度が２００〜４７０℃とすることが可能な熱板を有している。このような高温処理が施されるユニット及び液処理ユニットとしての塗布ユニットを有するシステムに、本発明のように温調処理ユニットが塗布ユニット側に配置されるように、塗布ユニットと加熱・温調処理ユニットを配置することは非常に有効である。或いは、液処理ユニットに隣接して配置された塗布ユニットに供給する処理液を収容する処理液収容部を、加熱・温調処理ユニットに隣接して配置し、更に温調処理ユニットを処理液収容部側に位置するように配置することは非常に有効である。これにより、液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

本発明は、基板処理装置の温度制御を精密に行う際に有用である。

本発明の第一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。 図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。 図１の温調・加熱処理ユニット群を有する領域をｙ方向に沿って切断した場合の断面図である。 図１の温調処理ユニットを有する領域をｘ方向に沿って切断した場合の断面図である。 搬送装置の構成を示す斜視図である。 加熱・温調処理ユニットの構成を示す平面図である。 図６に示した加熱・温調処理ユニットの構成を示す断面図である。 温調機構構成を示す断面図である。 本発明の第二実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。 図９に示した塗布現像処理システムの正面図である。 図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図である。 本発明の第三実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。 図１２に示した塗布現像処理システムの正面図である。 図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
１０ 加熱・温調処理ユニット
１３ 第１の処理ユニット群
１３ａ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群
１３ｂ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群
１３ｃ 第１現像処理ユニット群
１３ｄ 第２現像処理ユニット群
１３ｅ 反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群
１３ｆ 現像処理ユニット群
１４ 第２の処理ユニット群
１４ａ 第１加熱・温調処理ユニット群
１４ｂ 第２加熱・温調処理ユニット群
１４ｃ 第３加熱・温調処理ユニット群
１４ｄ 第４加熱・温調処理ユニット群
１５ ケミカルタワー
１６ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）
１７ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
１８ 温調処理ユニット
１９ 搬送装置
２０ 加熱処理ユニット
２６ 現像処理ユニット
ＢＣＴ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）
ＣＰＬ 温調処理ユニット
ＣＴ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＨＰ 加熱処理ユニット
Ｗ ウエハＷ

Claims (5)

1. 基板を搬送するための搬送装置と、前記搬送装置の周囲であって対向する２方向に配置され、前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行い、かつ基板に対して温調処理を行う温調部と、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、を具備し、
   前記温調部は、基板を載置して温調する温調板を有しており、
   前記温調板を移動させて前記温調部と前記加熱部との間で基板の受け渡しを行わせる移動機構をさらに具備することを特徴とする、基板処理装置。
2. 基板に対して加熱処理を行う加熱部と、基板を温調処理し、かつ前記加熱部との間で基板を搬送する温調部と、前記温調部の両側に配置され、前記温調部との間で基板を搬送する第１及び第２の搬送装置と、を具備することを特徴とする、基板処理装置。
3. 基板を搬送するための搬送装置と、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、基板を温調処理し、かつ前記搬送装置との間及び前記加熱部との間で基板の受け渡しを行う温調部と、を具備することを特徴とする、基板処理装置。
4. 基板を受け渡すための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を行う第１の及び第２の搬送装置とを備え、前記処理ユニットが、基板に対して加熱処理を行う加熱部と、基板を温調処理し、かつ前記各開口部を介して前記第１及び第２の搬送装置との間で、更に前記加熱部との間で基板を搬送できる温調部と、を具備することを特徴とする、基板処理装置。
5. 基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置の正面側に隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板に対して所定の液を供給する第１の処理ユニットと、前記搬送装置の側面側に隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板を温調処理する温調部及び基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処理ユニットとを備え、前記第２の処理ユニットの前記温調部は前記搬送装置と隣接するように配置され、前記加熱部は前記温調部と隣接し、且つ、前記搬送装置の背面側に突き出るように配置されていることを特徴とする、基板処理装置。

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